JPH1065061A - Method for manufacturing double-layer flexible board - Google Patents

Method for manufacturing double-layer flexible board

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JPH1065061A
JPH1065061A JP22270796A JP22270796A JPH1065061A JP H1065061 A JPH1065061 A JP H1065061A JP 22270796 A JP22270796 A JP 22270796A JP 22270796 A JP22270796 A JP 22270796A JP H1065061 A JPH1065061 A JP H1065061A
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JP
Japan
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layer
copper
thickness
film
plating
Prior art date
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Pending
Application number
JP22270796A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takehiko Sakurada
毅彦 桜田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a double-layer flexible substrate inexpensively without causing the defect of a wiring due to a pin hole even when a dry-type plating covering provided on an insulation film is used as one layer and an extremely thin copper conductor covering that is approximately 5-18μm is formed on it. SOLUTION: A ground metal layer that is 50-200Å in thickness is formed by a dry-type plating method using at least one type of nickel, chrome, and chrome oxide without using an adhesive on one or both sides of an insulator film, a ground metal layer is formed, electroless copper plating is formed for at least 0.01μm, and further a conductor layer of copper that is 5-18μm in thickness is formed on the electroless copper plating covering.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は2層フレキシブル基
板の製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a two-layer flexible substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】フレキシブル配線板用の基板としては絶
縁性フィルムに接着剤を用いて厚さ35μm程度の銅箔
を貼り合わせた3層フレキシブル基板と、該絶縁性フィ
ルム上に直接下地金属層を設けた2層フレキシブル基板
に大別される。
2. Description of the Related Art As a substrate for a flexible wiring board, a three-layer flexible substrate in which an insulating film is bonded with a copper foil having a thickness of about 35 μm using an adhesive, and a base metal layer directly on the insulating film. It is roughly divided into the provided two-layer flexible substrate.

【0003】3層フレキシブル基板を用いる場合にはサ
ブトラクティブ法によって所望の配線パターンを形成し
て3層フレキシブル配線板が製造され、2層フレキシブ
ル基板を用いる場合には、サブトラクティブ法あるいは
アディティブ法によって所望の配線パターンを形成して
2層フレキシブル配線板が製造される。一般には製造工
程が簡素で、低コストで製造できる3層フレキシブル配
線板が主流となっている。
When a three-layer flexible substrate is used, a desired wiring pattern is formed by a subtractive method to manufacture a three-layer flexible wiring board. When a two-layer flexible substrate is used, a subtractive method or an additive method is used. A two-layer flexible wiring board is manufactured by forming a desired wiring pattern. Generally, a three-layer flexible wiring board, which has a simple manufacturing process and can be manufactured at low cost, is mainly used.

【0004】ところで、近年の電子機器の高密度化にと
もなってフレキシブル配線板の配線幅も狭ピッチなもの
が求められてきている。しかし、3層フレキシブル配線
板の場合、エッチングによる配線部の形成に際して、サ
イドエッチングを生じるために断面形状は裾広がりの台
形となる。よって、配線間の電気的絶縁性を確保するま
でエッチングを行うと配線ピッチは広くならざるを得
ず、厚さ35μmの銅箔を用いる限り狭ピッチ化には限
度があった。
[0004] With the recent increase in the density of electronic equipment, flexible wiring boards having a narrower wiring width have been required. However, in the case of a three-layer flexible wiring board, when a wiring portion is formed by etching, a cross-sectional shape becomes a trapezoid with a widened skirt because side etching occurs. Therefore, if etching is performed until electrical insulation between the wirings is ensured, the wiring pitch must be widened, and there is a limit to narrowing the pitch as long as a copper foil having a thickness of 35 μm is used.

【0005】このため、厚さ18μm以下の可能な限り
薄い銅箔を用い、サイドエッチングによる裾広がりを小
さくして狭ピッチ化を図る試みがなされている。しか
し、数μm厚さの銅箔は、それ自体の剛性が小さいため
搬送などのハンドリング性が悪く、アルミニウムキャリ
アに銅箔を張り合わせて剛性を高くしなければならな
い。加えて、銅箔と絶縁性フィルムとを張り合わせた
後、アルミニウムキャリアを除去しなければならないと
いう問題がある。さらに、このような薄い銅箔では膜厚
のばらつきやピンホールや亀裂などの被膜欠陥が増加す
るという問題もある。
For this reason, attempts have been made to use a copper foil as thin as possible, having a thickness of 18 μm or less, to reduce the spread of the skirt due to side etching to narrow the pitch. However, the copper foil having a thickness of several μm has low rigidity itself and thus has poor handling properties such as conveyance. Therefore, the rigidity must be increased by bonding the copper foil to an aluminum carrier. In addition, after laminating the copper foil and the insulating film, there is a problem that the aluminum carrier must be removed. Further, such a thin copper foil has a problem that film defects such as variations in film thickness and pinholes and cracks increase.

【0006】また、銅箔の厚さが薄くなるほど銅箔自体
の製造も難しく価格も高くなり、したがって薄い銅箔を
使用する3層フレキシブル配線板も割高とならざるを得
ない。この結果、3層フレキシブル配線板の長所である
低価格性が失われることになる。
Further, as the thickness of the copper foil becomes thinner, the production of the copper foil itself becomes more difficult and the price becomes higher. Therefore, a three-layer flexible wiring board using the thin copper foil is inevitably expensive. As a result, the low price, which is an advantage of the three-layer flexible wiring board, is lost.

【0007】さらに、最近に至り銅厚が10数μm以
下、数μm程度でなくては製造できないような狭ピッチ
配線幅のフレキシブル基板の要求が高まってきいてお
り、3層フレキシブル配線板ではこの要求をかなえるこ
とが困難となってきている。
Further, recently, there has been an increasing demand for a flexible substrate having a narrow pitch wiring width which cannot be manufactured unless the copper thickness is less than 10 μm or less and about several μm. It is becoming difficult to achieve

【0008】そこで2層フレキシブル配線板がより注目
され始めている。この2層フレキシブルプリント配線板
を得るのに使用する2層フレキシブル基板は、接着剤を
施すことなく直接に絶縁体フィルム上に銅被膜を形成す
るので基板全体を薄くできる上に、基板上に形成する銅
被膜の厚さも任意に調整することができるからである。
Therefore, two-layer flexible wiring boards have begun to receive more attention. The two-layer flexible substrate used to obtain the two-layer flexible printed wiring board has a copper film directly formed on an insulator film without applying an adhesive, so that the entire substrate can be thinned and formed on the substrate. This is because the thickness of the copper film to be formed can also be arbitrarily adjusted.

【0009】この2層フレキシブル基板は、絶縁性フィ
ルム上に乾式あるいは湿式メッキ法により極めて薄い銅
被膜を形成させるものであるが、市場に流通しているも
のはほとんどが乾式メッキ法により銅被膜を施した物で
ある。
This two-layer flexible substrate is to form an extremely thin copper film on an insulating film by a dry or wet plating method, but most of those on the market mostly have a copper film formed by a dry plating method. It is a thing that has been given.

【0010】一般に絶縁性フィルム表面に直接銅被膜を
施した場合、絶縁性フィルムと銅被膜との密着性が悪
い。このため、一般に絶縁性フィルム上にクロム、クロ
ム酸化物、ニッケルなどの銅以外の金属を下地金属層と
して50〜200オングストローム程度の厚さに被着さ
せ、その後、この下地金属層の上に銅被膜を形成させる
ことが行われる。この結果、金属被膜層と絶縁性フィル
ムの間の密着性は高めるられる。
Generally, when a copper coating is applied directly to the surface of an insulating film, the adhesion between the insulating film and the copper coating is poor. Therefore, generally, a metal other than copper, such as chromium, chromium oxide, and nickel, is deposited on the insulating film to a thickness of about 50 to 200 angstroms as a base metal layer. Forming a coating is performed. As a result, the adhesion between the metal coating layer and the insulating film is enhanced.

【0011】ところで、乾式メッキ法により設けられる
下地金属層は50〜200オングストロームの厚さであ
り、その上の銅被膜は通常0.2〜0.5μm程度の厚
さである。これらの厚さでは、設けられる被膜には数十
〜数百の径のピンホールが多数存在し、それらの部分で
は絶縁性フィルムが露出している部分もある。
The underlying metal layer provided by the dry plating method has a thickness of 50 to 200 angstroms, and the copper film thereon has a thickness of usually about 0.2 to 0.5 μm. With these thicknesses, the coating film to be provided has a large number of pinholes having diameters of several tens to several hundreds, and some of these portions have exposed insulating films.

【0012】これを避けるため、下地金属層に直接電気
銅メッキを厚付けしようとすると、下地金属層は前述し
たように50〜200オングストロームの厚さしかない
ので、硫酸銅などの強酸性の電気メッキ液に浸漬して電
流を通電した場合に下地金属層が溶解され、該絶縁体フ
ィルムが露出し電気メッキが不能となるという問題もあ
る。
In order to avoid this problem, if an attempt is made to directly deposit an electrolytic copper plating on the underlying metal layer, the underlying metal layer is only 50 to 200 angstroms thick as described above. There is also a problem that the base metal layer is dissolved when a current is applied by immersion in a plating solution, the insulating film is exposed, and electroplating becomes impossible.

【0013】従来は、配線の形成に必要な銅による導電
被膜の厚みは15〜35μmとされており、このような
かなりの厚さの銅被膜を電気銅メッキ法で得る場合に
は、銅被膜は基板に対して垂直方向だけでなく、水平方
向にも成長するので、金属被膜層のピンホールは電気銅
メッキ被膜によって埋まり、ピンホールの存在による配
線部の欠陥は生じる事はない。
Conventionally, the thickness of a conductive film made of copper required for forming wiring is 15 to 35 μm. When a copper film having such a large thickness is obtained by an electrolytic copper plating method, a copper film is required. Grows not only in the vertical direction but also in the horizontal direction with respect to the substrate, so that the pinholes of the metal film layer are filled with the copper electroplating film, and the presence of the pinholes does not cause a defect in the wiring portion.

【0014】しかし、本発明の目的とするような狭ピッ
チの配線を得ようとすれば、配線部形成のための銅被膜
の厚みは、10μm以下、例えば5μm程度と、上記の
厚みよりかなり薄くする必要がある。よって、電気銅メ
ッキ法により銅被膜を形成した場合に被膜の水平方向へ
の成長が足りずにピンホールを埋める事ができないので
配線部の欠陥などの問題を起こし易いと言う問題があ
る。
However, in order to obtain a wiring having a narrow pitch as the object of the present invention, the thickness of the copper film for forming the wiring portion is 10 μm or less, for example, about 5 μm, which is considerably smaller than the above thickness. There is a need to. Therefore, when the copper film is formed by the electrolytic copper plating method, the film is insufficiently grown in the horizontal direction, so that the pinhole cannot be filled, so that there is a problem that a problem such as a defect in the wiring portion is easily caused.

【0015】例えば、サブトラクティブ法により配線形
成を行う場合には、(1)絶縁性フィルム上に所望の厚さ
の銅被膜を形成し、(2)該銅被膜上に配線部のみがマス
キングされ、それ以外の部分における銅被膜が露出する
ように所望の配線パターンを有するレジスト層を設け、
(3)露出している該銅被膜をエッチング除去し、(4)最後
に該レジスト層を除去することによって行われている。
For example, when wiring is formed by a subtractive method, (1) a copper film having a desired thickness is formed on an insulating film, and (2) only a wiring portion is masked on the copper film. Providing a resist layer having a desired wiring pattern so that the copper film in other portions is exposed,
(3) The exposed copper film is removed by etching, and (4) Finally, the resist layer is removed.

【0016】従って、前述したような銅被膜が薄い場合
には、ピンホールが配線部にかかっていれば、配線部は
ピンホールの位置で欠ける事になり配線欠陥となるばか
りか配線の密着不良を招く原因となりやすい。
Therefore, when the copper film is thin as described above, if the pinhole is formed on the wiring portion, the wiring portion is chipped at the position of the pinhole, which causes not only a wiring defect but also a poor adhesion of the wiring. Is easy to cause.

【0017】そこで、絶縁性フィルム上に下地金属層と
薄い銅被膜を乾式メッキ法で施してさらに無電解銅メッ
キを施してピンホールを皆無にする方法が提案された。
この方法に従えば、2層フレキシブル基板としての機能
面では非常に優れたものを製造できるが、乾式メッキを
2回繰り返すためにコストが割高となっている。
Therefore, there has been proposed a method in which a base metal layer and a thin copper film are formed on an insulating film by a dry plating method and further subjected to electroless copper plating to eliminate pinholes.
According to this method, a substrate excellent in function as a two-layer flexible substrate can be manufactured, but the cost is high because dry plating is repeated twice.

【0018】現在要望されている狭ピッチ配線の配線幅
は40μm程度で、その1/3の幅が欠けの許容の目安
とされる。よって、数μm程度のピンホールですら、用
途によっては実用上問題となる。
The wiring width of the narrow pitch wiring which is required at present is about 40 μm, and a width of 1 / of the width is used as a guideline of the tolerance of chipping. Therefore, even a pinhole of about several μm poses a practical problem in some applications.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、絶縁性フィ
ルム上に設けられた乾式メッキ被膜を下地金属層とし、
その上に厚さ5〜18μm前後の極めて薄い銅導体被膜
を形成した場合であってもピンホールによる配線の欠陥
が生じることのない2層フレキシブル基板の製造方法の
提供を課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, a dry plating film provided on an insulating film is used as a base metal layer,
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a two-layer flexible substrate which does not cause wiring defects due to pinholes even when an extremely thin copper conductor film having a thickness of about 5 to 18 μm is formed thereon.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】すなわち、上記課題を解
決するための本発明の方法は、絶縁性フィルムの片面ま
たは両面に接着剤を介さずに下地金属層を形成し、この
下地金属層上に無電解メッキにより銅導体層を中間層と
して形成し、次いで所望の厚さになるように銅層を設け
る2層フレキシブル基板の製造方法において、下地金属
層をニッケル、クロム、クロム酸化物の少なくとも1種
を用いて乾式メッキ法により形成し、その後、絶縁性フ
ィルム表面に無電解銅メッキを0.01μm以上の厚さ
に形成し、さらに該無電解銅メッキ被膜上に5〜18μ
mの厚さの銅層を形成するものである。
That is, according to the method of the present invention for solving the above-mentioned problems, a base metal layer is formed on one or both sides of an insulating film without using an adhesive, and the base metal layer is formed on the base metal layer. Forming a copper conductor layer as an intermediate layer by electroless plating, and then providing a copper layer so as to have a desired thickness, a method of manufacturing a two-layer flexible substrate, wherein the underlying metal layer is at least nickel, chromium, chromium oxide One type is formed by a dry plating method, and then an electroless copper plating is formed to a thickness of 0.01 μm or more on the surface of the insulating film, and 5 to 18 μm is formed on the electroless copper plating film.
This is to form a copper layer having a thickness of m.

【0021】本発明の方法をさらに具体的に説明する
と、下地金属層の厚さは50〜200オングストローム
でよく、乾式メッキ法として用いることのできるものに
蒸着法、スパッタリング法などがある。
The method of the present invention will be described more specifically. The thickness of the underlying metal layer may be 50 to 200 angstroms, and examples of the dry plating method that can be used include a vapor deposition method and a sputtering method.

【0022】次に下地金属層を設けた後、全体に無電解
メッキのための触媒付与処理を行うことによって、ピン
ホール部の絶縁体フィルム表面と下地金属表面に触媒を
付与し、次いで無電解銅メッキ法によって絶縁性フィル
ム面と下地金属層面とに無電解銅被膜を形成することで
金属層の厚みを増加させる。このようにして次工程での
電気銅メッキ液下での通電に際しても金属層が溶解する
こと無く容易に5〜18μm程度の健全な電気銅メッキ
被膜を得ることができる。
Next, after providing the base metal layer, a catalyst is applied to the entire surface of the insulator film and the base metal surface by applying a catalyst for electroless plating. The thickness of the metal layer is increased by forming an electroless copper film on the insulating film surface and the underlying metal layer surface by a copper plating method. In this way, a sound electroplated copper film having a thickness of about 5 to 18 μm can be easily obtained without dissolving the metal layer even when current is applied under the electrocopper plating solution in the next step.

【0023】なお、使用される触媒付与溶液は、酸性の
パラジウム−錫のコロイド溶液やアルカリ性のパラジウ
ム錯体溶液、あるいは錫を含まない酸性パラジウム溶液
など一般に用いられる物で差し支えない。触媒を付与す
る方法は特に限定されるものではないが、無電解メッキ
法の前処理として一般的なセンシタイジング・アクチベ
ーション法やキャタリスト・アクセレーター法などが簡
便であり、状況に応じて適宜選択してかまわない。
The catalyst-providing solution used may be a commonly used solution such as an acidic palladium-tin colloid solution, an alkaline palladium complex solution, or an tin-free acidic palladium solution. The method of applying the catalyst is not particularly limited, but a general sensitizing activation method or a catalyst accelerator method or the like as a pretreatment of the electroless plating method is simple, and is appropriately determined depending on the situation. You can choose.

【0024】また触媒付与の前処理は、特に限定はしな
いが乾式メッキ被膜と無電解銅メッキ被膜との密着性を
得るために脱脂等の前処理を適宜取り入れることが好ま
しい。しかしながら、前処理によって下地金属層が溶解
するような条件は避けることが賢明である。
The pretreatment for applying the catalyst is not particularly limited, but it is preferable to appropriately incorporate a pretreatment such as degreasing in order to obtain adhesion between the dry plating film and the electroless copper plating film. However, it is advisable to avoid conditions under which the pretreatment dissolves the underlying metal layer.

【0025】本発明で無電解銅メッキ被膜上に銅層を設
ける方法としては、電解銅メッキ法によることが、緻密
な導体層を得るためには好ましい。このための電気銅メ
ッキ法としては一般的な方法が適用できる。
As a method of providing a copper layer on an electroless copper plating film in the present invention, it is preferable to use an electrolytic copper plating method in order to obtain a dense conductor layer. A general method can be applied as an electrolytic copper plating method for this purpose.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】次に、本発明の詳細及びその作用
について具体的に説明する。
Next, the details of the present invention and its operation will be specifically described.

【0027】ポリイミドなどの絶縁体フィルム上に例え
ば100オングストローム程度のニッケル、クロム、ク
ロム酸化物などからなるの被膜を下地金属層として乾式
メッキ法により形成する。
A coating of, for example, about 100 Å of nickel, chromium, chromium oxide, or the like is formed on an insulating film such as polyimide by a dry plating method as a base metal layer.

【0028】次いで無電解メッキ法で行われている触媒
付与を行えば、親水化された絶縁体フィルム上と下地金
属層表面に触媒が付与される。そして、このように触媒
が付与されたものを所定の条件で例えば無電解銅メッキ
に浸漬すれば、ピンホール部分を含めた全面に無電解銅
メッキ被膜が形成される。
Next, if a catalyst is applied by an electroless plating method, the catalyst is applied to the surface of the insulating film which has been hydrophilized and to the surface of the underlying metal layer. Then, when the catalyst-coated product is immersed in, for example, electroless copper plating under predetermined conditions, an electroless copper plating film is formed on the entire surface including the pinhole portion.

【0029】このように親水化した絶縁体フィルム表面
とニッケル表面上に新たに銅被膜を形成することでピン
ホールをなくすことができ、また金属層の厚みを増加さ
せることができる。この結果、その後に硫酸銅メッキを
用いた電気銅メッキを行った場合においても下地金属層
の溶解を起こすことなく全面に電気銅メッキ層を設ける
ことができる。
By newly forming a copper coating on the surface of the insulating film and the surface of nickel which have been rendered hydrophilic as described above, pinholes can be eliminated and the thickness of the metal layer can be increased. As a result, even when electrolytic copper plating using copper sulfate plating is performed thereafter, the electrolytic copper plating layer can be provided on the entire surface without dissolving the underlying metal layer.

【0030】電気銅メッキ法によって5〜18μm程度
の厚さの銅導体層を形成した後、従来法に従って該銅導
体層上に所望の配線パターンを有するレジスト層を形成
し、該銅導体層の露出部分をエッチングにより除去し、
その後該レジスト層を剥離除去すれば配線の欠けや断線
などの欠陥のない導体厚さ5〜18μm程度の2層フレ
キシブル配線板が得られる。
After a copper conductor layer having a thickness of about 5 to 18 μm is formed by an electrolytic copper plating method, a resist layer having a desired wiring pattern is formed on the copper conductor layer according to a conventional method. The exposed part is removed by etching,
Thereafter, the resist layer is peeled off to obtain a two-layer flexible wiring board having a conductor thickness of about 5 to 18 μm without defects such as chipping or disconnection of wiring.

【0031】本発明の触媒付与法に用いる触媒活性金属
種としては、無電解メッキ液に含まれる錯体化された金
属イオン種より電位的に貴であれば良い。例えば、金、
白金、銀、パラジウムなどが使用できる。しかし、簡便
さを考慮すれば触媒付与液として広く市販されているパ
ラジウム系のものを使用することが望ましい。
The catalytically active metal species used in the catalyst application method of the present invention may be any potential that is higher in potential than the complexed metal ion species contained in the electroless plating solution. For example, gold,
Platinum, silver, palladium and the like can be used. However, in consideration of simplicity, it is desirable to use a widely available palladium-based catalyst-imparting liquid.

【0032】本発明において使用する無電解メッキ液の
種類は、触媒として触媒活性金属種を用いているので、
メッキ液に含まれる金属イオンの種類が金、銀、白金、
パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、クロムなどの自
己触媒性を有するものであり、ヒドラジン、ホスフィン
酸ナトリウム、ホルマリンなどの還元剤により還元され
金属析出する還元析出型のものが適当である。
The type of electroless plating solution used in the present invention uses a catalytically active metal species as a catalyst.
The types of metal ions contained in the plating solution are gold, silver, platinum,
Suitable are those having autocatalytic properties, such as palladium, copper, nickel, cobalt, and chromium, and being reduced by a reducing agent such as hydrazine, sodium phosphinate, formalin, and the like, to deposit metals, and thus to be of a reduced deposition type.

【0033】しかしながら本発明はピンホール部で露出
している絶縁性フィルム表面を導電物質で覆うことと、
薄い下地金属層であるニッケル層が電気メッキ時に溶解
しないようにすることが主たる目的であるので、導電性
が良好で比較的容易に作業可能な無電解銅メッキ液が最
も適しているといえる。この無電解メッキ被膜の厚さ
は、電気銅メッキを施す際に、メッキ液によって溶解さ
れない程度の厚さ、0.01μm以上の厚さであればよ
い。
However, the present invention covers the surface of the insulating film exposed at the pinhole portion with a conductive material,
Since the main purpose is to prevent the nickel layer, which is a thin underlying metal layer, from being dissolved during electroplating, it can be said that an electroless copper plating solution having good conductivity and being relatively easy to work with is most suitable. The thickness of the electroless plating film may be a thickness that is not dissolved by the plating solution when performing the electrolytic copper plating, and a thickness of 0.01 μm or more.

【0034】[0034]

【実施例】次に実施例を用いて本発明をさらに説明す
る。
Next, the present invention will be further described with reference to examples.

【0035】(実施例1)厚さ50μmのポリイミドフ
ィルム(東レ・デュポン社製 製品名「カプトン200
V」)を12cm×12cmの大きさに切り出し、その
片面に真空蒸着法によってニッケルを100オングスト
ロームの厚さに被着させて基板を作製した。
Example 1 A polyimide film having a thickness of 50 μm (product name “Kapton 200” manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd.)
V ") was cut into a size of 12 cm x 12 cm, and nickel was applied to one surface thereof by a vacuum deposition method to a thickness of 100 angstroms to produce a substrate.

【0036】次に、弱アルカリ性の脱脂剤に1分間浸漬
し、引き続き2分間水洗して表面洗浄を行った。次い
で、キャタライジング液、アクセレーティング液(共に
奥野製薬製)に浸漬して基板表面に触媒を付与した。引
き続いて表1に示す組成の無電解銅メッキ液に基板を3
分間浸漬して表面に無電解銅メッキ被膜を成膜した。こ
の時のメッキ液の条件は、60℃、pH=12.5、空
気撹拌で液を撹拌する処理を行った。
Next, the substrate was immersed in a weak alkaline degreasing agent for 1 minute and then washed with water for 2 minutes to wash the surface. Next, the catalyst was applied to the surface of the substrate by dipping in a catalizing liquid and an accelerating liquid (both manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.). Subsequently, the substrate was placed in an electroless copper plating solution having the composition shown in Table 1 for 3 hours.
After immersion for a minute, an electroless copper plating film was formed on the surface. The plating solution was treated at 60 ° C., pH = 12.5, and stirred with air.

【0037】 表1 無電解銅メッキ液組成 ────────────────── 硫酸銅 :10g/l EDTA :30g/l HCHO(36%sol.):5ml/l PEG1000 :0.5g/l ジピリジル :10mg/l ────────────────── 無電解銅メッキ処理後、続いて表2に示す組成の電気銅
メッキ液を用いて電気メッキ処理を行い厚さ5μmの銅
被膜を形成した。この時のメッキ条件は、メッキ液の温
度は室温、撹拌は空気攪拌で、通電時の電流密度は3A
/dm2とし、メッキ時間は9分間とした。
Table 1 Composition of electroless copper plating solution 銅 Copper sulfate: 10 g / l EDTA: 30 g / l HCHO (36% sol.): 5 ml / l PEG1000: 0.5 g / l Dipyridyl: 10 mg / l (4) After electroless copper plating, an electrolytic copper plating solution having the composition shown in Table 2 To form a copper film having a thickness of 5 μm. The plating conditions at this time were as follows: the temperature of the plating solution was room temperature, the stirring was air stirring, and the current density during energization was 3 A
/ Dm 2 and the plating time was 9 minutes.

【0038】 表2 電気銅メッキ液組成 ────────────────── 硫酸銅 : 80g/l 硫酸 :200g/l 光沢剤 : 適量 塩素イオン :50mg/l ────────────────── 得られた基板の銅被膜側から光をあててピンホールの有
無を確認したところ12cm×12cmの領域内では光
の透過は認められず、ピンホールは存在しないことがわ
かった。
Table 2 Composition of electrolytic copper plating solution {copper sulfate: 80 g / l sulfuric acid: 200 g / l Brightener: appropriate amount chloride ion: 50 mg / l}光 Light was applied from the copper coating side of the obtained substrate to confirm the presence or absence of pinholes. Light transmission was recognized within the area of 12 cm x 12 cm. No pinholes were found to exist.

【0039】この基板を用いて配線幅が40μm、配線
ピッチが80μmのフレキシブル配線板を常法によるサ
ブトラクティブ法基づいて作製した配線部分にピンホー
ルが原因で生ずる欠陥や断線などの欠陥のないものが得
られた。
A flexible wiring board having a wiring width of 40 .mu.m and a wiring pitch of 80 .mu.m using this substrate and having no defect such as a defect or disconnection caused by a pinhole in a wiring portion manufactured based on a subtractive method according to a conventional method. was gotten.

【0040】なお、本実施例は、サブトラクティブ法に
よって絶縁体フィルムの片面配線パターン有する片面フ
レキシブル基板を作製した例を示したものであるが、絶
縁体フィルム両面に配線部を有する両面フレキシブル配
線板、あるいはセミアディティブ法による片面、または
両面のフレキシブル基板についても同様に優れた結果が
得られることが確認されている。
This embodiment shows an example in which a single-sided flexible substrate having a single-sided wiring pattern of an insulating film is manufactured by a subtractive method, but a double-sided flexible wiring board having wiring portions on both sides of the insulating film. It has been confirmed that excellent results can also be obtained with a single-sided or double-sided flexible substrate by the semi-additive method.

【0041】(実施例2)厚さ50μmのポリイミドフ
ィルム(東レ・デュポン社製 製品名「カプトン200
V」)を12cm×12cmの大きさに切り出し、その
片面に真空蒸着法によってクロム酸化物を100オング
ストロームの厚さに被着させて基板を作製した。
Example 2 A polyimide film having a thickness of 50 μm (product name “Kapton 200” manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd.)
V ") was cut into a size of 12 cm x 12 cm, and chromium oxide was applied to one surface thereof by a vacuum evaporation method to a thickness of 100 angstroms to produce a substrate.

【0042】次いで実施例1と同様の手順で片面フレキ
シブル配線板を作製した。
Next, a single-sided flexible wiring board was manufactured in the same procedure as in Example 1.

【0043】得られた基板の銅被膜側から光をあててピ
ンホールの有無を確認したところ12cm×12cmの
領域内では光の透過は認められず、ピンホールは存在し
ないことがわかった。
When light was applied from the copper coating side of the obtained substrate to confirm the presence or absence of pinholes, no light transmission was observed in the area of 12 cm × 12 cm, indicating that no pinholes existed.

【0044】この基板を用いて配線幅が40μm、配線
ピッチが80μmのフレキシブル配線板を常法によるサ
ブトラクティブ法基づいて作製した配線部分にピンホー
ルが原因で生ずる欠陥や断線などの欠陥のないものが得
られた。
A flexible wiring board having a wiring width of 40 μm and a wiring pitch of 80 μm using this substrate and having no defects such as defects or disconnections caused by pinholes in a wiring portion manufactured by a subtractive method using a conventional method. was gotten.

【0045】なお、本実施例は、サブトラクティブ法に
よって絶縁体フィルムの片面配線パターン有する片面フ
レキシブル基板を作製した例を示したものであるが、絶
縁体フィルム両面に配線部を有する両面フレキシブル配
線板、あるいはセミアディティブ法による片面、または
両面のフレキシブル基板についても同様に優れた結果が
得られることが確認されている。
In this embodiment, an example is shown in which a single-sided flexible board having a single-sided wiring pattern of an insulating film is manufactured by a subtractive method. It has been confirmed that excellent results can also be obtained with a single-sided or double-sided flexible substrate by the semi-additive method.

【0046】(実施例3)厚さ50μmのポリイミドフ
ィルム(東レ・デュポン社製 製品名「カプトン200
V」)を12cm×12cmの大きさに切り出し、その
片面に真空蒸着法によってクロムを100オングストロ
ームの厚さに被着させて基板を作製した。
Example 3 A polyimide film having a thickness of 50 μm (product name “Kapton 200” manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd.)
V ") was cut into a size of 12 cm x 12 cm, and chromium was applied to one surface thereof by vacuum evaporation to a thickness of 100 angstroms to produce a substrate.

【0047】次いで実施例1と同様の手順で片面フレキ
シブル配線板を作製した。
Next, a single-sided flexible wiring board was manufactured in the same procedure as in Example 1.

【0048】得られた基板の銅被膜側から光をあててピ
ンホールの有無を確認したところ12cm×12cmの
領域内では光の透過は認められず、ピンホールは存在し
ないことがわかった。
When light was applied to the obtained substrate from the copper coating side to check for the presence or absence of pinholes, no light transmission was observed in the area of 12 cm × 12 cm, indicating that there was no pinhole.

【0049】この基板を用いて配線幅が40μm、配線
ピッチが80μmのフレキシブル配線板を常法によるサ
ブトラクティブ法基づいて作製した配線部分にピンホー
ルが原因で生ずる欠陥や断線などの欠陥のないものが得
られた。
A flexible wiring board having a wiring width of 40 .mu.m and a wiring pitch of 80 .mu.m using this substrate and having no defect such as a defect or disconnection caused by a pinhole in a wiring portion manufactured by a subtractive method according to a conventional method. was gotten.

【0050】なお、本実施例は、サブトラクティブ法に
よって絶縁体フィルムの片面配線パターン有する片面フ
レキシブル基板を作製した例を示したものであるが、絶
縁体フィルム両面に配線部を有する両面フレキシブル配
線板、あるいはセミアディティブ法による片面、または
両面のフレキシブル基板についても同様に優れた結果が
得られることが確認されている。
In this embodiment, an example is shown in which a single-sided flexible substrate having a single-sided wiring pattern of an insulating film is manufactured by a subtractive method. It has been confirmed that excellent results can also be obtained with a single-sided or double-sided flexible substrate by the semi-additive method.

【0051】(比較例1)厚さ50μmのポリイミドフ
ィルム(東レ・デュポン社製 製品名「カプトン200
V」)を12cm×12cmの大きさに切り出し、その
片面に真空蒸着法によってニッケルを100オングスト
ロームの厚さに被着させて基板を作製した。
Comparative Example 1 A polyimide film having a thickness of 50 μm (product name “Kapton 200” manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd.)
V ") was cut into a size of 12 cm x 12 cm, and nickel was applied to one surface thereof by a vacuum deposition method to a thickness of 100 angstroms to produce a substrate.

【0052】次に、弱アルカリ性の脱脂剤に1分間浸漬
し、引き続き2分間水洗して表面洗浄を行った。次い
で、表2の組成の電気銅メッキ液を用いて実施例と同様
の処理を施し電気銅メッキ法によって5μmの銅被膜を
得た。
Next, it was immersed in a weak alkaline degreasing agent for 1 minute, and then washed with water for 2 minutes to wash the surface. Next, the same treatment as in the example was performed using an electrolytic copper plating solution having the composition shown in Table 2, and a 5 μm copper film was obtained by an electrolytic copper plating method.

【0053】得られた基板の銅被膜側から光をあててピ
ンホールの有無を確認したところ12cm×12cmの
領域内では光の透過が認められ、ピンホールの大きさは
数十μmから百数十μmでその数は真空蒸着した後のピ
ンホール数とほぼ同等であった。
When light was applied from the copper coating side of the obtained substrate to confirm the presence or absence of pinholes, light transmission was observed in a region of 12 cm × 12 cm, and the size of the pinhole was several tens μm to a hundred At 10 μm, the number was almost equal to the number of pinholes after vacuum evaporation.

【0054】この基板を用いて配線幅が40μm、配線
ピッチが80μmのフレキシブル配線板を常法によるサ
ブトラクティブ法に基づいて作製したところ、配線部分
にピンホールが原因である欠けや断線などの欠陥が多数
確認され、この基板は狭ピッチの微小配線板には適さな
いことがわかった。
Using this substrate, a flexible wiring board having a wiring width of 40 μm and a wiring pitch of 80 μm was manufactured based on a subtractive method according to a conventional method, and defects such as chipping or disconnection caused by pinholes were found in the wiring portion. Were confirmed, indicating that this substrate was not suitable for a fine wiring board having a narrow pitch.

【0055】(比較例2)厚さ50μmのポリイミドフ
ィルム(東レ・デュポン社製 製品名「カプトン200
V」)を12cm×12cmの大きさに切り出し、その
片面に真空蒸着法によってクロム酸化物を100オング
ストロームの厚さに被着させて基板を作製した。
Comparative Example 2 A polyimide film having a thickness of 50 μm (product name “Kapton 200” manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd.)
V ") was cut into a size of 12 cm x 12 cm, and chromium oxide was applied to one surface thereof by a vacuum evaporation method to a thickness of 100 angstroms to produce a substrate.

【0056】次に、弱アルカリ性の脱脂剤に1分間浸漬
し、引き続き2分間水洗して表面洗浄を行った。次い
で、表2の組成の電気銅メッキ液を用いて実施例と同様
の処理を施し電気銅メッキ法によって5μmの銅被膜を
得た。
Next, the surface was washed by immersing it in a weak alkaline degreasing agent for 1 minute, followed by washing with water for 2 minutes. Next, the same treatment as in the example was performed using an electrolytic copper plating solution having the composition shown in Table 2, and a 5 μm copper film was obtained by an electrolytic copper plating method.

【0057】得られた基板の銅被膜側から光をあててピ
ンホールの有無を確認したところ12cm×12cmの
領域内では光の透過が認められ、ピンホールの大きさは
数十μmから百数十μmでその数は真空蒸着した後のピ
ンホール数とほぼ同等であった。
The presence or absence of pinholes was confirmed by irradiating light from the copper coating side of the obtained substrate. Light transmission was observed in a region of 12 cm × 12 cm, and the size of the pinhole was several tens μm to a hundred At 10 μm, the number was almost equal to the number of pinholes after vacuum evaporation.

【0058】この基板を用いて配線幅が40μm、配線
ピッチが80μmのフレキシブル配線板を常法によるサ
ブトラクティブ法に基づいて作製したところ、配線部分
にピンホールが原因である欠けや断線などの欠陥が多数
確認され、この基板は狭ピッチの微小配線板には適さな
いことがわかった。
Using this substrate, a flexible wiring board having a wiring width of 40 μm and a wiring pitch of 80 μm was manufactured based on a subtractive method according to a conventional method. Were confirmed, indicating that this substrate was not suitable for a fine wiring board having a narrow pitch.

【0059】(比較例3)厚さ50μmのポリイミドフ
ィルム(東レ・デュポン社製 製品名「カプトン200
V」)を12cm×12cmの大きさに切り出し、その
片面に真空蒸着法によってクロムを100オングストロ
ームの厚さに被着させて基板を作製した。
Comparative Example 3 A polyimide film having a thickness of 50 μm (product name “Kapton 200” manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd.)
V ") was cut into a size of 12 cm x 12 cm, and chromium was applied to one surface thereof by vacuum evaporation to a thickness of 100 angstroms to produce a substrate.

【0060】次に、弱アルカリ性の脱脂剤に1分間浸漬
し、引き続き2分間水洗して表面洗浄を行った。次い
で、表2の組成の電気銅メッキ液を用いて実施例と同様
の処理を施し電気銅メッキ法によって5μmの銅被膜を
得た。
Next, it was immersed in a weakly alkaline degreasing agent for 1 minute, and then washed with water for 2 minutes to wash the surface. Next, the same treatment as in the example was performed using an electrolytic copper plating solution having the composition shown in Table 2, and a 5 μm copper film was obtained by an electrolytic copper plating method.

【0061】得られた基板の銅被膜側から光をあててピ
ンホールの有無を確認したところ12cm×12cmの
領域内では光の透過が認められ、ピンホールの大きさは
数十μmから百数十μmでその数は真空蒸着した後のピ
ンホール数とほぼ同等であった。
When light was applied from the copper coating side of the obtained substrate to confirm the presence or absence of pinholes, light transmission was observed within a 12 cm × 12 cm area, and the size of the pinholes was several tens μm to a hundred At 10 μm, the number was almost equal to the number of pinholes after vacuum evaporation.

【0062】この基板を用いて配線幅が40μm、配線
ピッチが80μmのフレキシブル配線板を常法によるサ
ブトラクティブ法に基づいて作製したところ、配線部分
にピンホールが原因である欠けや断線などの欠陥が多数
確認され、この基板は狭ピッチの微小配線板には適さな
いことがわかった。
Using this substrate, a flexible wiring board having a wiring width of 40 μm and a wiring pitch of 80 μm was manufactured based on a subtractive method according to a conventional method, and defects such as chipping or disconnection caused by pinholes were found in the wiring portion. Were confirmed, indicating that this substrate was not suitable for a fine wiring board having a narrow pitch.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上述べたように本発明の方法によれ
ば、多数のピンホールを生じ易い乾式メッキ被膜を下地
金属層として設けた基板上に無電解メッキ被膜を形成さ
せることにより、ピンホール部にも無電解銅メッキ層を
設け、かつ以後の電気銅メッキ時における下地金属層の
溶解を防止できる。この結果、5〜18μm程度の薄い
電気銅メッキ被膜を形成した場合にもピンホール欠陥の
ない基板を得ることができる。このようにして得られた
基板を用いれば極めて微細な配線パターンを有する配線
板を作製する場合においても、配線部に欠陥の無い信頼
性の優れたフレキシブル配線板を得る事ができる。
As described above, according to the method of the present invention, the pinhole is formed by forming an electroless plating film on a substrate provided with a dry plating film as a base metal layer, which is likely to cause many pinholes. An electroless copper plating layer is also provided in the portion, and the dissolution of the underlying metal layer during the subsequent electrolytic copper plating can be prevented. As a result, a substrate free of pinhole defects can be obtained even when a thin electrolytic copper plating film of about 5 to 18 μm is formed. By using the substrate obtained in this way, even when a wiring board having an extremely fine wiring pattern is manufactured, a flexible wiring board having excellent reliability without a defect in a wiring portion can be obtained.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁性フィルムの片面または両面に接
着剤を介さずに下地金属層を形成し、この下地金属層上
に無電解メッキにより銅導体層を中間層として形成し、
次いで中間層の上に所望の厚さになるように銅層を設け
る2層フレキシブル基板の製造方法において、(1)下地
金属層をニッケル、クロム、クロム酸化物の少なくとも
1種を用いて乾式メッキ法により形成し、(2)その処理
後の基板表面に中間層として無電解銅メッキを0.01
μm以上の厚さに形成し、(3)さらに該中間層の上に5
〜18μmの厚さの銅の導体層を形成することを特徴と
する2層フレキシブル基板の製造方法。
An underlayer metal layer is formed on one or both sides of an insulating film without an adhesive, and a copper conductor layer is formed as an intermediate layer on the underlayer metal layer by electroless plating.
Next, in a method for manufacturing a two-layer flexible substrate in which a copper layer is provided on the intermediate layer so as to have a desired thickness, (1) dry plating the underlying metal layer using at least one of nickel, chromium, and chromium oxide; (2) electroless copper plating as an intermediate layer on the substrate surface after the treatment
μm or more, and (3) 5 μm on the intermediate layer.
A method for manufacturing a two-layer flexible substrate, comprising forming a copper conductor layer having a thickness of 1818 μm.
【請求項2】 触媒付与溶液として酸性のパラジウム
−錫のコロイド溶液、アルカリ性のパラジウム錯体溶
液、錫を含まない酸性パラジウム溶液のいずれかを用い
る請求項1記載の製造方法。
2. The production method according to claim 1, wherein any one of an acidic palladium-tin colloid solution, an alkaline palladium complex solution, and an tin-free acidic palladium solution is used as the catalyst-providing solution.
【請求項3】 下地金属層の厚さが50〜200オン
グストロームである請求項1〜2記載のいずれかの製造
方法。
3. The method according to claim 1, wherein the thickness of the base metal layer is 50 to 200 Å.
【請求項4】 乾式メッキ法が蒸着法、スパッタリン
グ法のいずれかである請求項1〜3記載のいずれかの製
造方法。
4. The method according to claim 1, wherein the dry plating method is one of a vapor deposition method and a sputtering method.
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