JPH10303533A - Wiring forming method and double-layer board used for the method - Google Patents

Wiring forming method and double-layer board used for the method

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JPH10303533A
JPH10303533A JP12153397A JP12153397A JPH10303533A JP H10303533 A JPH10303533 A JP H10303533A JP 12153397 A JP12153397 A JP 12153397A JP 12153397 A JP12153397 A JP 12153397A JP H10303533 A JPH10303533 A JP H10303533A
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layer
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友紀 松浦
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a double-layer wiring board which has excellent tight adhesiveness between its metal wiring and insulating layer at a low cost by a method wherein one of the surfaces of the insulating layer made of organic polymer is roughed by using a metal material sheet and a foundation conductive thin film layer and the metal wiring are successively formed by an additive method. SOLUTION: One of the surfaces of a metal material sheet 110 is subjected to a roughing treatment and an insulating layer 120 made of organic polymer is formed on the roughed surface 110S by a casting method and the metal material sheet 110 is removed by etching. A conductive thin film layer 140 which is to be a foundation for the formation of a wiring is formed over a whole insulating layer surface 120S which is the roughed surface exposed by etching. After plating resist 150 is applied to the conductive thin film layer 140 by an additive method and made up, a metal wiring 160 is formed by an electroplating method. With this constitution, as a glow discharge treatment and a chemical treatment are not used, the metal wiring 160 can be formed on the insulating layer 120 with an excellent adhesiveness at a low cost.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フレキシブルプリ
ント配線基板の配線形成方法と、それに用いられる基板
に関するもので、特に、2層配線基板の配線形成方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming wiring on a flexible printed circuit board and a substrate used for the method, and more particularly to a method for forming wiring on a two-layer wiring board.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、フレキシブルプリント配線基板に
使用されている配線基板材料は、図5(a)に示すよう
に、エポキシ系等の接養剤を用いた、銅層511、接着
剤層512、ポリイミド層513からなる3層構造の3
層基板510が一般的であるが、近年の電子機器の高密
度化、高速化、多機能化、高信頼性の要求に伴い、この
配線基板材料においても、これらの要求に対応できるも
のが求められるようになってきた。このような状況のも
と、最近では、耐熱性、屈曲性、耐マイグレーション
性、ボンディング性等の特性に優れる、図5(b)に示
す、接着剤層を含まない銅層521、ポリイミド層52
2の2層構造の2層基板520が注目されており、この
接着剤層を持たない2層基板520は、HDD(Har
d Disk Drive)、FDD(Floppy
Disk Drive)、TAB(TapeAutom
ated Bonding)などに、既に、使用される
ようになってきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a wiring board material used for a flexible printed wiring board, as shown in FIG. 5A, a copper layer 511 and an adhesive layer 512 using an epoxy-based moisturizing agent are used. , A three-layer structure composed of a polyimide layer 513
The layer substrate 510 is generally used. However, with the recent demand for higher density, higher speed, multi-functionality, and higher reliability of electronic equipment, a wiring board material that can meet these requirements is required. It has come to be. Under these circumstances, recently, the copper layer 521 without the adhesive layer and the polyimide layer 52 shown in FIG.
The two-layer substrate 520 having a two-layer structure has attracted attention, and the two-layer substrate 520 having no adhesive layer is an HDD (Har
d Disk Drive), FDD (Floppy)
Disk Drive), TAB (TapeAutom)
for example, used bonding).

【0003】一方、フレキシブルプリント配線基板とし
ての2層配線基板の製造方法としては、図3に示す第一
の方法、図4に示す第二の方法が一般的に採られてい
る。第一の方法は、図3に示すように、一面を粗面化処
理した銅箔310(図3(a))の粗面化処理した側の
面310S上に、ポリイミドの前駆体であるポリアミッ
ク酸を塗布しイミド化するキャスティング法にて、ポリ
イミド樹脂層320を設けた、2層基板330(図3
(b))を作製し、銅箔310上に配線部を形成するた
めのレジストパターン340を形成し(図3(c))、
銅箔310の露出した領域をエッチングして除去して配
線部350を形成し(図3(d))、レジストを除去す
ることにより2層配線基板360を得る(図3(e))
ものである。この方法による2層配線基板は、素材であ
る銅箔に粗面化処理されたものを用いるため、3層基板
と同様の、銅箔310、ポリイミド樹脂層320間密着
力が得られるが、配線部350を素材である銅箔310
を用い、サブトラクティブ法にて形成するため、配線の
微細化が困難である。
On the other hand, as a method for manufacturing a two-layer wiring board as a flexible printed wiring board, a first method shown in FIG. 3 and a second method shown in FIG. 4 are generally adopted. In the first method, as shown in FIG. 3, a surface of a roughened copper foil 310 (FIG. 3 (a)) having a roughened surface is coated on a surface 310S on the roughened side with a polyamic polyimide precursor. A two-layer substrate 330 (FIG. 3) provided with a polyimide resin layer 320 by a casting method in which an acid is applied and imidized.
(B)), and a resist pattern 340 for forming a wiring portion on the copper foil 310 is formed (FIG. 3C).
The exposed area of the copper foil 310 is etched and removed to form a wiring section 350 (FIG. 3D), and the resist is removed to obtain a two-layer wiring board 360 (FIG. 3E).
Things. Since the two-layer wiring board obtained by this method uses a material obtained by roughening a copper foil as a raw material, the same adhesive strength between the copper foil 310 and the polyimide resin layer 320 as in the three-layer board can be obtained. The part 350 is made of copper foil 310 as a material.
In this case, it is difficult to miniaturize the wiring because it is formed by a subtractive method.

【0004】第二の方法は、図4に示すように、まずポ
リイミドフィルム410を用意し(図4(a))、ポリ
イミドフイルム410上に、スパッタリング、蒸着、無
電解めっき等で導通層となる金属薄膜420を直接形成
し(図4(b))、配線に合わせめっきレジスト430
を製版した(図4(c))後、電気めっきで配線部とな
る領域をめっき金属層440で厚付けを行う。(図4
(d))、この後めっきレジスト430を除去し(図4
(e))、露出した金属薄膜420をエッチングにて除
去して、2層配線基板450を得る(図4(f))もの
である。この方法は、ポリイミドフィルム上の導通層と
なる金属薄膜上にアディティブ法にて配線を形成するた
め配線の微細化が容易であるが、ポリイミドフィルムを
粗面化して、粗面化によるアンカー効果により導体層と
なる金属薄膜の密着力を向上させることが困難である。
即ち、配線部の密着性を上げることが難しいのである。
これは、ポリイミドフィルムの表面に薬品処理を施し
て、所望の粗面化を行うこと自体が簡単には出来ないた
めである。第二の方法においては、ポリイミドフイルム
上に密着性に優れた金属薄膜を形成するためにグロー放
電処理、ヒドラジン等のアルカリ溶液処理により表面層
を化学的に改質させる方法が採られることもあるが、こ
れらの処理を施しても、3層基板と同様の密着力を得る
ことは困難であった。また、コスト高にもなった。
In the second method, as shown in FIG. 4, a polyimide film 410 is first prepared (FIG. 4A), and a conductive layer is formed on the polyimide film 410 by sputtering, vapor deposition, electroless plating or the like. A metal thin film 420 is directly formed (FIG. 4B), and a plating resist 430 is formed according to the wiring.
After making a plate (FIG. 4C), a region to be a wiring portion is plated with a plating metal layer 440 by electroplating. (FIG. 4
(D)) Then, the plating resist 430 is removed (FIG. 4).
(E)), the exposed metal thin film 420 is removed by etching to obtain a two-layer wiring board 450 (FIG. 4 (f)). In this method, wiring is formed finely by an additive method on a metal thin film serving as a conductive layer on a polyimide film, so that the wiring can be easily miniaturized. It is difficult to improve the adhesion of the metal thin film that becomes the conductor layer.
That is, it is difficult to increase the adhesion of the wiring portion.
This is because it is not possible to easily perform a desired surface roughening by applying a chemical treatment to the surface of the polyimide film. In the second method, a method of chemically modifying a surface layer by an alkali solution treatment such as glow discharge treatment or hydrazine to form a metal thin film having excellent adhesion on a polyimide film may be employed. However, even with these treatments, it was difficult to obtain the same adhesion as a three-layer substrate. Also, the cost was high.

【0005】別に、ポリイミド層上全面に直接、スパッ
タリング、蒸着、無電解めっき等で導通層となる金属薄
膜を直接形成した後、電気めっき等により全面に厚付け
金属層を形成した後に、該金属層を用い、サブトラクテ
イブ法にて配線部を形成する2層配線基板の製造方法も
あるが、この方法の場合、第二の方法と同様、ポリイミ
ドフィルムを粗面化して、粗面化によるアンカー効果に
より導体層となる金属薄膜の密着力を向上させることが
困難であり、且つ、第一の方法と同様、配線の微細化が
困難である。尚、ここでは、アディティブ法とは、めっ
き等により、配線部を絶縁層(ないし絶縁性の基板)
に、付け加え形成していく方法を言い、サブトラクティ
ブ法とは、絶縁性層と導電層と有する基板において、エ
ッチング等により導電層の所定領域を除去して、配線部
を形成する方法を言う。また、2層配線基板とは、第3
図や、第4図に示されるように、配線部がポリイミド層
等の絶縁層と金属層との2層からなり、接着材層を設け
ていない配線基板を言う。
[0005] Separately, a metal thin film to be a conductive layer is directly formed on the entire surface of the polyimide layer by sputtering, vapor deposition, electroless plating or the like, and then a thick metal layer is formed on the entire surface by electroplating or the like. There is also a method of manufacturing a two-layer wiring board in which a wiring part is formed by a subtractive method using a layer. In this method, as in the second method, the polyimide film is roughened and the anchor effect due to the roughening is obtained. Therefore, it is difficult to improve the adhesion of the metal thin film to be the conductor layer, and it is difficult to miniaturize the wiring as in the first method. Here, the additive method means that the wiring portion is made of an insulating layer (or an insulating substrate) by plating or the like.
In addition, a subtractive method is a method in which a wiring region is formed by removing a predetermined region of a conductive layer by etching or the like in a substrate having an insulating layer and a conductive layer. In addition, the two-layer wiring board is the third layer.
As shown in FIG. 4 and FIG. 4, the wiring portion is composed of two layers of an insulating layer such as a polyimide layer and a metal layer, and refers to a wiring board without an adhesive layer.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
フレキシブルプリント配線基板としての2層配線基板
は、その製造方法により、得られる特性に一長一短あ
り、品質的に問題となっていた。このため、フレキシブ
ルプリント配線基板としての2層配線基板においては、
微細配線が可能で、信頼性を確保しつつ低コスト化を図
れるものが求められていた。本発明は、このような状況
のもと、微細配線を可能とし、配線とポリイミド等の絶
縁層との密着性に優れた、フレキシブルプリント配線基
板としての2層配線基板を作製できる配線形成方法を提
供しようとするものである。同時に、低コストでこれを
達成しようとするものである。また、このような2層配
線基板の作製に用いられる2層基板を提供しようとする
ものである。
As described above, the conventional two-layer wiring board as a flexible printed wiring board has advantages and disadvantages in the characteristics obtained by its manufacturing method, and has been problematic in terms of quality. For this reason, in a two-layer wiring board as a flexible printed wiring board,
There has been a demand for a device capable of fine wiring and capable of reducing cost while ensuring reliability. The present invention provides a wiring forming method capable of producing a two-layer wiring board as a flexible printed wiring board which enables fine wiring under such circumstances and has excellent adhesion between the wiring and an insulating layer such as polyimide. It is something to offer. At the same time, they seek to achieve this at low cost. Another object of the present invention is to provide a two-layer board used for manufacturing such a two-layer wiring board.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の配線形成方法
は、有機高分子からなる絶縁層の少なくとも一面に配線
を形成する配線形成方法であって、(a)シート状の金
属材の粗面化処理された面側に、キャスティングにて有
機高分子からなる絶縁層を形成する工程と、(b)シー
ト状の金属材をエッチング除去する工程と、(c)絶縁
層のシート状の金属材と接していた側の面にアディティ
ブ法により金属配線を形成するための下地導電薄膜層を
形成する工程と、(d)下地導電薄膜層上にアディティ
ブ法により金属配線を形成する工程と、(e)金属配線
形成領域以外の下地導電薄膜層をエッチング除去する工
程とを有することを特徴とするものである。そして、上
記におけるシート状の金属材が、金属箔であることを特
徴とするものである。そしてまた、上記における有機高
分子がポリイミドからなることを特徴とするものであ
る。また、上記におけるシート状の金属材の粗面化処理
は、粗面化された面のJIS B0601の中心線平均
粗さRaが0.5〜2μmで、十点平均粗さRzが5〜
10μmであることを特徴とするものである。また、上
記において、シート状の金属材をエッチング除去した後
に、絶縁層のシート状の金属材と接していた側の面に改
質処理を施してから、金属配線を形成するための下地導
電薄膜層を形成することを特徴とするものである。尚、
ここで言う改質処理とは、物理的に表面粗さを変えるこ
とではなく、化学的に変質させ、ヌレ性を上げる処理で
ある。
According to the present invention, there is provided a wiring forming method for forming wiring on at least one surface of an insulating layer made of an organic polymer, comprising the steps of: (a) forming a rough surface of a sheet-like metal material; Forming an insulating layer made of an organic polymer on the surface subjected to the chemical treatment by casting, (b) etching and removing the sheet-like metal material, and (c) sheet-like metal material of the insulating layer (E) forming an underlying conductive thin film layer for forming a metal wiring on the surface in contact with the substrate by an additive method; (d) forming a metal wiring on the underlying conductive thin film layer by an additive method; And b) etching away the underlying conductive thin film layer other than the metal wiring formation region. Further, the sheet-like metal material in the above is a metal foil. Further, the organic polymer is made of polyimide. In the above-described roughening treatment of the sheet-shaped metal material, the roughened surface has a center line average roughness Ra of JIS B0601 of 0.5 to 2 μm and a ten-point average roughness Rz of 5 to 5 μm.
The thickness is 10 μm. Further, in the above, after the sheet-shaped metal material is removed by etching, the surface of the insulating layer on the side in contact with the sheet-shaped metal material is subjected to a modification treatment, and then the underlying conductive thin film for forming the metal wiring is formed. It is characterized by forming a layer. still,
The term “modification treatment” as used herein refers to a treatment that does not physically change the surface roughness but chemically changes the surface roughness to increase wettability.

【0008】本発明の2層基板は、配線をアディディブ
法により形成するためにその一面を粗化した有機高分子
からなる絶縁層を供給するための基板で、シート状の金
属材の粗面化処理された面側に、キャスティングにて、
有機高分子からなる絶縁層を設けたものであり、前記シ
ート状の金属材の粗面化処理は、粗面化された面のたも
のであり、前記シート状の金属材の粗面化処理は、粗面
化された面のJISB0601の中心線平均粗さRaが
0.5〜2μmで、十点平均粗さRzが5〜10μmで
あることを特徴とするものである。そして、上記におけ
るシート状の金属材が、金属箔であることを特徴とする
ものである。
The two-layer substrate of the present invention is a substrate for supplying an insulating layer made of an organic polymer whose one surface has been roughened in order to form wiring by an additive method. On the processed surface side, by casting,
An insulating layer made of an organic polymer is provided, and the roughening treatment of the sheet-like metal material is performed on a roughened surface, and the roughening treatment of the sheet-like metal material is performed. Is characterized in that the roughened surface has a center line average roughness Ra of JIS B0601 of 0.5 to 2 μm and a ten-point average roughness Rz of 5 to 10 μm. Further, the sheet-like metal material in the above is a metal foil.

【0009】[0009]

【作用】本発明の配線形成方法は、このような構成にす
ることにより、配線と絶縁層との密着性に優れ、且つ、
微細配線を可能とする、配線形成方法の提供を可能とし
ている。同時に、これを低コストで達成できるものとし
ている。具体的には、(a)シート状の金属材の粗面化
処理された面側に、キャスティングにて有機高分子から
なる絶縁層を形成する工程と、(b)シート状の金属材
をエッチング除去する工程と、(c)絶縁層のシート状
の金属材と接していた側の面にアディティブ法により金
属配線を形成するための下地導電薄膜層を形成する工程
と、(d)下地導電薄膜層上にアディティブ法により金
属配線を形成する工程と、(e)金属配線以外の下地導
電薄膜層をエッチング除去する工程とを有することによ
り、これを達成している。詳しくは、シート状の金属材
の粗面化処理された面側に、キャスティングにて、有機
高分子からなる絶縁層を形成することにより、絶縁層
の、シート状の金属材側面を、金属材の粗面化処理面に
合わせた粗面形状として作成するものであり、更に、絶
縁層の粗面形状とした側の面上に、下地導電薄膜層を介
して金属配線を形成するため、絶縁層上の配線部は密着
性が良いもとなり、結果、本発明の配線形成方法におい
ては、図5に示す3層基板を用い、その銅層から配線部
を形成した場合と、同程度以上の密着力を持つ配線を形
成することができる。尚、絶縁層上に下地導電薄膜層を
設ける際、改質処理を絶縁層面に施さなくても、密着性
に優れた配線部を形成できるため、この場合には、配線
基板の製造コストを低く抑えることができる。また、有
機高分子からなる絶縁層にアディテイブ法により金属配
線を形成するため、微細配線を可能としている。そし
て、シート状の金属材として金属箔を用いることによ
り、金属配線形成領域以外の下地導電薄膜層をエッチン
グ除去する際に、エッチングを容易なものとしている。
有機高分子がポリイミドからなることにより、耐熱性、
屈曲性、耐マイグレーション性、ボンディング性の特性
に優れる、接着剤層を含まない銅、ポリイミド等の2層
配線基板が提供できる。シート状の金属材の粗面化処理
は、粗面化された面のJIS B0601の中心線平均
粗さRaが0.5〜2μmで、十点平均粗さRzが5〜
10μmであることにより、特に、金属配線の密着性を
良いものとしている。更に、配線基板材料の租面化処理
されたシート状の金属材をエッチング除去した後に露出
した有機高分子表面を改質処理することにより、より配
線の密着力の高い銅、ポリイミド等の2層配線基板が提
供できる。尚、言うまでもなく、このようにして作製さ
れた2層配線基板を更に複数枚重ねてた配線基板を作製
することもできる。
According to the wiring forming method of the present invention, by adopting such a structure, the adhesion between the wiring and the insulating layer is excellent, and
It is possible to provide a wiring forming method that enables fine wiring. At the same time, this can be achieved at low cost. Specifically, (a) a step of forming an insulating layer made of an organic polymer by casting on the roughened surface side of a sheet-like metal material, and (b) etching of the sheet-like metal material Removing; (c) forming an underlying conductive thin film layer for forming metal wiring on the surface of the insulating layer in contact with the sheet-shaped metal material by an additive method; and (d) underlying conductive thin film This is achieved by having a step of forming a metal wiring on the layer by the additive method and a step (e) of etching and removing the underlying conductive thin film layer other than the metal wiring. Specifically, by forming an insulating layer made of an organic polymer by casting on the roughened surface side of the sheet-shaped metal material, the side surface of the sheet-shaped metal material of the insulating layer is formed of the metal material. In order to form a metal wiring via a base conductive thin film layer on the roughened surface of the insulating layer, The wiring portion on the layer has good adhesiveness. As a result, in the wiring forming method of the present invention, the wiring portion is formed by using the three-layer substrate shown in FIG. A wiring having an adhesive force can be formed. In addition, when the underlying conductive thin film layer is provided on the insulating layer, a wiring portion having excellent adhesion can be formed without performing a modification treatment on the insulating layer surface. In this case, the manufacturing cost of the wiring substrate is reduced. Can be suppressed. Further, since a metal wiring is formed by an additive method on an insulating layer made of an organic polymer, fine wiring can be achieved. By using a metal foil as the sheet-like metal material, etching is facilitated when the underlying conductive thin film layer other than the metal wiring formation region is removed by etching.
The heat resistance,
It is possible to provide a two-layer wiring board made of copper, polyimide, or the like that does not include an adhesive layer and has excellent flexibility, migration resistance, and bonding properties. The surface roughening treatment of the sheet-like metal material is carried out in such a manner that the roughened surface has a center line average roughness Ra of JIS B0601 of 0.5 to 2 μm and a ten-point average roughness Rz of 5 to 5 μm.
When the thickness is 10 μm, the adhesion of the metal wiring is particularly improved. Furthermore, by etching and removing the sheet-like metal material subjected to the surface treatment of the wiring substrate material, the exposed surface of the organic polymer is modified to form a two-layer structure of copper, polyimide, etc., having a higher wiring adhesion. A wiring board can be provided. Needless to say, a wiring board in which a plurality of the two-layer wiring boards thus manufactured are further stacked can be manufactured.

【0010】本発明の2層基板は、このような構成にす
ることにより、上記本発明の配線形成方法に用いられ
て、微細配線が可能で、配線部と絶縁層との密着性に特
に優れた、フレキシブルプリント配線基板としての2層
配線基板の作製を可能としている。
The two-layer substrate of the present invention having such a structure can be used in the above-described wiring forming method of the present invention, enables fine wiring, and has particularly excellent adhesion between the wiring portion and the insulating layer. In addition, a two-layer wiring board as a flexible printed wiring board can be manufactured.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明を図面を参照にして説明す
る。図1は本発明の配線形成方法の工程断面図であり、
図2は本発明の2層基板である。図1、図2中、110
はシート状の金属材、110Sは粗面化処理面、120
は絶縁層(絶縁基板)、120Sは絶縁層面、130は
2層基板、140は導電薄膜層、150はめっきレジス
ト、160は金属層(配線)、180は配線基板であ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a process sectional view of a wiring forming method of the present invention.
FIG. 2 shows a two-layer substrate of the present invention. 1 and 2, 110
Is a sheet-like metal material, 110S is a roughened surface, 120
Is an insulating layer (insulating substrate), 120S is an insulating layer surface, 130 is a two-layer substrate, 140 is a conductive thin film layer, 150 is a plating resist, 160 is a metal layer (wiring), and 180 is a wiring substrate.

【0012】はじめに、本発明の配線形成方法を図1に
基づいて説明する。先ず、シート状の金属材110の一
面を表面の粗さが、JIS B0601の中心線平均粗
さRaが0.5〜2μmで、十点平均粗さRzが5〜1
0μmでとなるように、粗面化処理を行う。(図1
(a)) シート状の金属材110としては銅箔が挙げられるが、
これに限定はされない。粗面化処理としては、電解研磨
等が挙げられる。次いで、清浄な状態で、シート状の金
属材110の粗面化処理が施された側の面110Sに、
キャスティング法により、有機高分子からなる絶縁層1
20を所定の厚さで形成して、シート状の金属材110
と絶縁層120からなる2層基板130を作成する。
(図1(b)) 有機高分子としては、ポリイミド等が挙げられる。尚、
キャスティング法については、従来の接着材を用いない
2層基板の作製においても用いられており、反り防止等
を考慮して、その作成条件には工夫があるが、ここでは
詳しい説明を省略する。次いで、シート状の金属材11
0をエッチング除去する。(図1(c)) 次いで、シート状の金属材110のエッチング除去によ
り、露出した、絶縁層120の粗面形状を持つ絶縁層面
120S上全面に、配線を形成するための下地となる導
電薄膜層140を形成する。(図1(d)) 導電薄膜層140の形成方法としては、無電解めっき
法、蒸着法、スパッタリング法等がある。蒸着法、スパ
ッタリング法を用いて下地導電薄膜層を形成する場合、
従来用いられているグロー放電処理、ヒドラジン等のア
ルカリ溶液処理による表面層の改質を行わなくても実用
に耐える配線の密着強度が得られる。勿論、ことさらに
密着強度が必要な場合には、グロー放電処理、アルカリ
溶液処理を施した後、蒸着法、スパッタリング法により
下地導電薄膜層を形成すればよい。尚、無電解めっきと
しては、無電解銅めっきが挙げられるが、これに限定は
されない。
First, a wiring forming method of the present invention will be described with reference to FIG. First, the surface roughness of one surface of the sheet-shaped metal material 110 is such that the center line average roughness Ra of JIS B0601 is 0.5 to 2 μm and the ten-point average roughness Rz is
A surface roughening process is performed so as to be 0 μm. (Figure 1
(A) As the sheet-like metal material 110, a copper foil may be mentioned.
It is not limited to this. Examples of the surface roughening treatment include electrolytic polishing and the like. Next, in a clean state, the surface 110S on the side of the sheet-shaped metal material 110 on which the surface roughening treatment is performed is
Insulating layer 1 made of organic polymer by casting method
20 is formed in a predetermined thickness, and a sheet-like metal material 110 is formed.
Then, a two-layer substrate 130 including the insulating layer 120 is formed.
(FIG. 1B) Examples of the organic polymer include polyimide and the like. still,
The casting method is also used in the production of a conventional two-layer substrate that does not use an adhesive, and the production conditions are devised in consideration of warpage prevention and the like, but a detailed description is omitted here. Next, the sheet-like metal material 11
0 is removed by etching. (FIG. 1 (c)) Next, the conductive thin film serving as a base for forming wiring is formed on the entire surface of the insulating layer surface 120S having the rough surface shape of the insulating layer 120, which is exposed by etching and removing the sheet-like metal material 110. A layer 140 is formed. (FIG. 1D) Examples of a method for forming the conductive thin film layer 140 include an electroless plating method, a vapor deposition method, and a sputtering method. When forming the underlying conductive thin film layer using a vapor deposition method and a sputtering method,
Even if the surface layer is not modified by a conventionally used glow discharge treatment or treatment with an alkali solution such as hydrazine, the adhesion strength of the wiring that can be practically used can be obtained. Needless to say, in the case where adhesion strength is further required, a base conductive thin film layer may be formed by a vapor deposition method or a sputtering method after performing a glow discharge treatment and an alkali solution treatment. The electroless plating includes, but is not limited to, electroless copper plating.

【0013】次いで、絶縁層面120S上に形成された
導電薄膜層140上に、アディティブ法により金属配線
を形成するための、めっきレジスト150を塗布し、製
版した(図1(e))後、露出した導電薄膜層140上
に電解めっき法にて金属層(配線)160を形成する。
(図1(f)) 金属層(配線)160としては 電解銅めっきによる銅
配線層が一般的である。この後、めっきレジスト150
を剥離し(図1(g))、露出した導電薄膜層140を
エッチング除去し、配線基板180を得る。(図1
(h)) このように、本発明の配線形成方法においては、絶縁層
120上に密着性に優れた金属薄膜を形成するための、
グロー放電処理、化学的処理を行わないため、比較的コ
ストも低く、3層基板と同程度以上の密着力を配線を形
成することができる。
Next, a plating resist 150 for forming a metal wiring is applied on the conductive thin film layer 140 formed on the insulating layer surface 120S by an additive method, and after plate making (FIG. 1 (e)), it is exposed. A metal layer (wiring) 160 is formed on the conductive thin film layer 140 by electrolytic plating.
(FIG. 1F) As the metal layer (wiring) 160, a copper wiring layer formed by electrolytic copper plating is generally used. Thereafter, the plating resist 150
Is peeled off (FIG. 1 (g)), and the exposed conductive thin film layer 140 is removed by etching to obtain a wiring substrate 180. (Figure 1
(H) As described above, in the wiring forming method of the present invention, the method for forming a metal thin film having excellent adhesion on the insulating layer 120 is as follows.
Since the glow discharge treatment and the chemical treatment are not performed, the cost is relatively low, and the wiring can be formed with the same or higher adhesion as the three-layer substrate.

【0014】尚、図1(c)の後、シート状の金属材1
10のエッチング除去により、露出した、絶縁層120
の粗面形状を持つ絶縁層面120Sに対し、更に、化学
的に表面のヌレ性を向上させる改質処理を施してから、
図1(d)に示すように、無電解めっき処理により導電
薄膜層140を形成しても良い。この場合には、最終的
に得られる配線基板180(図1(h))における、配
線部の密着性の向上がさらに期待できる。
Incidentally, after FIG. 1 (c), a sheet-like metal material 1 is formed.
The insulating layer 120 exposed by the etching removal of
The insulating layer surface 120S having a rough surface shape is further subjected to a modification treatment for chemically improving the surface wetting property,
As shown in FIG. 1D, the conductive thin film layer 140 may be formed by electroless plating. In this case, further improvement in the adhesion of the wiring portion in the finally obtained wiring board 180 (FIG. 1 (h)) can be expected.

【0015】次いで、本発明の2層基板を、図2に基づ
いて簡単に説明する。本発明の2層基板は、配線をアデ
ィディブ法により形成するためにその一面を粗化した有
機高分子からなる絶縁層を供給するための基板で、図2
に示すように、シート状の金属材110の粗面化処理さ
れた面側110Sに、キャスティングにて、有機高分子
からなる絶縁層120を設けたものである。そして、シ
ート状の金属材111の粗面化された面110SのJI
S B0601の中心線平均粗さRaが0.5〜2μm
で、十点平均粗さRzが5〜10μmである。2層基板
130は、シート状の金属材110を溶解除去して、絶
縁層120の金属材110があった側の面に、配線をア
ディディブ法により作成するためのものであり、配線を
作成する側の絶縁層の面は、粗面化処理された金属材1
10の面に合わせ粗面化されており、配線と絶縁層との
密着を良いものとできる。
Next, the two-layer substrate of the present invention will be briefly described with reference to FIG. The two-layer substrate of the present invention is a substrate for supplying an insulating layer made of an organic polymer whose one surface is roughened in order to form wiring by an additive method.
As shown in the figure, an insulating layer 120 made of an organic polymer is provided by casting on the roughened surface side 110S of a sheet-shaped metal material 110. Then, the JI of the roughened surface 110S of the sheet-like metal material 111 is obtained.
The center line average roughness Ra of SB0601 is 0.5 to 2 μm
And the ten-point average roughness Rz is 5 to 10 μm. The two-layer substrate 130 is for dissolving and removing the sheet-like metal material 110 and forming a wiring on the surface of the insulating layer 120 on the side where the metal material 110 was located by an additive method, and forms the wiring. The surface of the insulating layer on the side is made of a roughened metal material 1
The surface is roughened in conformity with the surface of No. 10, and the adhesion between the wiring and the insulating layer can be improved.

【0016】[0016]

【実施例】更に、本発明の配線形成方法の実施例を挙げ
て、図1に基づいて説明する。先ず、本発明の配線形成
方法の実施例1を挙げる。本実施例では、シート状の金
属材110として、18μm厚の銅箔で、その1面11
0Sが、中心線平均粗さRaが1.0μmに、十点平均
粗さRzが8μmに、粗面化処理が施されたもので、面
110S上に有機高分子からなる絶縁層120をキャス
ティングにより設けた2層基板130を用いたが、これ
は、市販のエスパネックス(新日鉄化学株式会社製)配
線用基板である。(図1(b))そして、銅箔からなる
金属材110を塩化第二鉄によりエッチング除去した。
(図1(c))
EXAMPLE An example of the wiring forming method according to the present invention will be described with reference to FIG. First, a first embodiment of the wiring forming method of the present invention will be described. In this embodiment, the sheet-shaped metal material 110 is a copper foil having a thickness of 18 μm,
0S is a roughened surface having a center line average roughness Ra of 1.0 μm and a ten-point average roughness Rz of 8 μm. The insulating layer 120 made of an organic polymer is cast on the surface 110S. Was used, which is a commercially available ESPANEX (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) wiring substrate. (FIG. 1B) Then, the metal material 110 made of a copper foil was removed by etching with ferric chloride.
(Fig. 1 (c))

【0017】次いで、配線の下引き層となる、導電薄膜
層140を無電解めっきにより、以下の条件にて絶縁層
120の面120S上に設けた。まず、めっき析出の核
となる触媒吸着を促進するために有機高分子からなる絶
縁層120の表面120Sをクリーニング、コンディシ
ョニングして、無電解めっき析出の核となる触媒を付与
した。触媒を付与する方法としては、センシダイシング
・アクテベーテインク法およびキャタリスト・アクセラ
レータ法があるがここではキャタリスト・アクセラレー
タ法を用いた。有機高分子からなる絶縁層120の表面
120Sに触媒を付与した後、無電解銅めっきを施し、
0.2μm厚さの導電薄膜層140を形成した。(図1
(d)) クリーニング、コンディショニング工程から無電解銅め
っき工程までの条件を(表1)に示す。尚、用いた薬品
はすべて上林工業株式会社製のものである。
Next, a conductive thin film layer 140 to be a sublayer of the wiring was provided on the surface 120S of the insulating layer 120 by electroless plating under the following conditions. First, the surface 120S of the insulating layer 120 made of an organic polymer was cleaned and conditioned to promote adsorption of a catalyst serving as a nucleus for plating deposition, and a catalyst serving as a nucleus for electroless plating deposition was applied. As a method for applying the catalyst, there are a sensitizing activate ink method and a catalyst accelerator method, but in this case, the catalyst accelerator method was used. After applying a catalyst to the surface 120S of the insulating layer 120 made of an organic polymer, electroless copper plating is performed,
A conductive thin film layer 140 having a thickness of 0.2 μm was formed. (Figure 1
(D)) The conditions from the cleaning and conditioning steps to the electroless copper plating step are shown in (Table 1). The chemicals used were all manufactured by Kamibayashi Kogyo Co., Ltd.

【0018】次いで、配線をめっき形成するためのめっ
きレジスト150を、製版した。(図1(e)) めっきレジスト150としては、東京応化工業株式会社
製PMERP一LA900PMを、12μmの厚さとな
るようロールコーテイングして設けた。この後、露出し
た導電薄膜層140上に電解銅めっきにより、10μ厚
の銅めっき配線からなる金属配線160を形成した。
(図1(f)) (表2)に電解めっきで用いためっき液組成及び条件を
示す。 但し、スルカップAC−90Mは上村工義製の添加剤
Next, a plating resist 150 for forming wiring by plating was plate-made. (FIG. 1 (e)) As the plating resist 150, PMERP-LA900PM manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. was provided by roll coating so as to have a thickness of 12 μm. Thereafter, a metal wiring 160 composed of a 10-μ thick copper-plated wiring was formed on the exposed conductive thin film layer 140 by electrolytic copper plating.
(FIG. 1 (f)) (Table 2) shows the plating solution composition and conditions used in the electrolytic plating. However, Sulcup AC-90M is an additive manufactured by Uemura Koki.

【0019】次いで、銅めっきによる金属配線160を
設けた後、めっレジスト150を剥離し(図1
(g))、露出した導電薄膜層140をエッチング除去
して、フレキシブルプリント配線基板180を得た。
(図1(h))
Next, after providing the metal wiring 160 by copper plating, the resist 150 is peeled off (FIG. 1).
(G)) The exposed conductive thin film layer 140 was removed by etching to obtain a flexible printed wiring board 180.
(Fig. 1 (h))

【0020】次に、本発明の配線形成方法の実施例2を
挙げる。本実施例は、実施例1において、シート状の金
属材110をエッチング除去した(図1(c))後に、
有機アルカリ水溶液を用いて、絶縁層120の表面12
0Sを化学的に改質し、ヌレ性を向上させてから、更
に、実施例1と同様に、図1(d)〜図1(h)工程を
行ったものである。(表3)は、有機アルカリ水溶液に
よる改質処理の条件である。
Next, a second embodiment of the wiring forming method of the present invention will be described. In the present embodiment, after removing the sheet-like metal material 110 by etching in the first embodiment (FIG. 1C),
The surface 12 of the insulating layer 120 is formed by using an organic alkali aqueous solution.
1S was chemically modified to improve the wetting property, and then the steps of FIGS. 1D to 1H were performed in the same manner as in Example 1. Table 3 shows the conditions of the reforming treatment with the organic alkali aqueous solution.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明の、上記のように、微細配線を可
能とし、且つ、配線と絶縁層との密着性に優れた、フレ
キシブルプリント配線基板としての2層配線基板の配線
形成方法の提供を可能としており、低コストでこれを達
成できるものとしている。また、このような2層配線基
板の作製方法に用いられる2層基板の提供を可能として
いる。詳しくは、グロ一放電処理、ヒドラジン等のアル
カリ溶液処理により、絶縁層の表面を化学的に改質させ
なくとも実用に耐え得る配線の密着強度を得られるもの
としており、低コスト化が可能となる。これは、化学的
に安定で粗面化処理しにくいポリイミドを絶縁層として
用いた場合に特に有効となる。特に、有機高分子をポリ
イミドとし、耐熱性、屈曲性、耐マイグレーション性、
ボンディング性の特性に優れた、接着剤層を含まない
銅、ポリイミドの2層からなる配線部を有する配線用基
板を提供できる。さらに、図1に示すように、改質処理
することにより、より配線の密着力の高い銅、ポリイミ
ドの2層からなる配線部を有する2層配線基板も提供で
きる。
As described above, the present invention provides a method for forming a wiring of a two-layer wiring board as a flexible printed wiring board, which enables fine wiring and has excellent adhesion between the wiring and the insulating layer. It is possible to achieve this at low cost. Further, it is possible to provide a two-layer board used in such a method for manufacturing a two-layer wiring board. In detail, by using a glow discharge treatment or an alkali solution treatment such as hydrazine, it is possible to obtain the adhesion strength of the wiring that can withstand practical use without chemically modifying the surface of the insulating layer. Become. This is particularly effective when polyimide, which is chemically stable and hardly subjected to surface roughening treatment, is used as the insulating layer. In particular, the organic polymer is polyimide, heat resistance, flexibility, migration resistance,
It is possible to provide a wiring board having a wiring portion composed of two layers of copper and polyimide that does not contain an adhesive layer and has excellent bonding properties. Further, as shown in FIG. 1, a two-layer wiring board having a wiring portion composed of two layers of copper and polyimide having higher wiring adhesion can be provided by the modification treatment.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の配線形成方法の工程を示した断面図FIG. 1 is a cross-sectional view showing steps of a wiring forming method of the present invention.

【図2】本発明の2層基板の断面図FIG. 2 is a sectional view of a two-layer substrate of the present invention.

【図3】従来の2層配線基板の製造方法の工程図FIG. 3 is a process diagram of a conventional method for manufacturing a two-layer wiring board.

【図4】従来の2層配線基板の製造方法の工程図FIG. 4 is a process diagram of a conventional method for manufacturing a two-layer wiring board.

【図5】従来の配線用基板の断面図FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

110 シート状の金属材 110S 粗面化処理面 120 絶縁層(絶縁基板) 120S 絶縁層面 130 2層基板 140 導電薄膜層 150 めっきレジスト 160 金属層(配線) 180 配線基板 310 銅箔 310S (銅箔の)面 320 ポリイミド樹脂層 330 2層基板 340 レジストパターン 350 配線部 410 ポリイミドフィルム 420 金属薄膜 430 めっきレジスト 440 めっき金属層 450 配線基板 510 3層基板 511 銅層 512 接着剤層 513 ポリイミド層 520 2層基板 521 銅層 523 ポリイミド層 110 Sheet-shaped metal material 110S Roughened surface 120 Insulating layer (insulating substrate) 120S Insulating layer surface 130 Two-layer substrate 140 Conductive thin film layer 150 Plating resist 160 Metal layer (wiring) 180 Wiring substrate 310 Copper foil 310S (of copper foil ) Surface 320 polyimide resin layer 330 two-layer substrate 340 resist pattern 350 wiring part 410 polyimide film 420 metal thin film 430 plating resist 440 plating metal layer 450 wiring substrate 510 three-layer substrate 511 copper layer 512 adhesive layer 513 polyimide layer 520 two-layer substrate 521 Copper layer 523 Polyimide layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H05K 3/38 H05K 3/38 A ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H05K 3/38 H05K 3/38 A

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 有機高分子からなる絶縁層の少なくとも
一面に配線を形成する配線形成方法であって、(a)シ
ート状の金属材の粗面化処理された面側に、キャスティ
ングにて有機高分子からなる絶縁層を形成する工程と、
(b)シート状の金属材をエッチング除去する工程と、
(c)絶縁層のシート状の金属材と接していた側の面に
アディティブ法により金属配線を形成するための下地導
電薄膜層を形成する工程と、(d)下地導電薄膜層上に
アディティブ法により金属配線を形成する工程と、
(e)金属配線形成領域以外の下地導電薄膜層をエッチ
ング除去する工程とを、有することを特徴とする配線形
成方法。
1. A wiring forming method for forming wiring on at least one surface of an insulating layer made of an organic polymer, comprising the steps of: (a) forming an organic material by casting on a surface of a sheet-shaped metal material subjected to a roughening treatment; Forming an insulating layer made of a polymer;
(B) a step of etching and removing the sheet-like metal material;
(C) forming an underlying conductive thin film layer for forming metal wiring on the surface of the insulating layer in contact with the sheet-shaped metal material by an additive method; and (d) forming an underlying conductive film on the underlying conductive thin film layer. Forming a metal wiring by;
(E) etching and removing the underlying conductive thin film layer other than the metal wiring formation region.
【請求項2】 請求項1におけるシート状の金属材が、
金属箔であることを特徴とする配線形成方法。
2. The sheet-like metal material according to claim 1,
A method for forming a wiring, comprising a metal foil.
【請求項3】 請求項1ないし2における有機高分子が
ポリイミドからなることを特徴とする配線形成方法。
3. A method for forming a wiring, wherein the organic polymer according to claim 1 is made of polyimide.
【請求項4】 請求項1ないし3におけるシート状の金
属材の粗面化処理は、粗面化された面のJIS B06
01の中心線平均粗さRaが0.5〜2μmで、十点平
均粗さRzが5〜10μmであることを特徴とする配線
形成方法。
4. The roughening treatment of a sheet-like metal material according to claim 1, wherein the roughened surface is JIS B06.
01, wherein the center line average roughness Ra is 0.5 to 2 μm and the ten-point average roughness Rz is 5 to 10 μm.
【請求項5】 請求項1ないし4において、シート状の
金属材をエッチング除去した後に、絶縁層のシート状の
金属材と接していた側の面に改質処理を施してから、金
属配線を形成するための下地導電薄膜層を形成すること
を特徴とする配線形成方法。
5. The metal wiring according to claim 1, wherein after the sheet-shaped metal material is removed by etching, the surface of the insulating layer in contact with the sheet-shaped metal material is subjected to a modification treatment, and then the metal wiring is formed. A method for forming a wiring, comprising forming a base conductive thin film layer to be formed.
【請求項6】 配線をアディディブ法により形成するた
めにその一面を粗化した有機高分子からなる絶縁層を供
給するための基板で、シート状の金属材の粗面化処理さ
れた面側に、キャスティングにて、有機高分子からなる
絶縁層を設けたものであり、前記シート状の金属材の粗
面化処理は、粗面化された面のJISB0601の中心
線平均粗さRaが0.5〜2μmで、十点平均粗さRz
が5〜10μmであることを特徴とする2層基板。
6. A substrate for supplying an insulating layer made of an organic polymer whose one surface has been roughened in order to form a wiring by an additive method, and is provided on a surface of a sheet-shaped metal material which has been roughened. An insulating layer made of an organic polymer is provided by casting, and the sheet-shaped metal material is subjected to a surface roughening treatment in which the roughened surface has a center line average roughness Ra of JIS B0601 of 0. 5 to 2 μm, 10-point average roughness Rz
Is 5 to 10 μm.
【請求項7】 請求項6におけるシート状の金属材が、
金属箔であることを特徴とする2層基板。
7. The sheet-like metal material according to claim 6,
A two-layer substrate, which is a metal foil.
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