JPH1062730A - バイナリ光信号の整形装置、ならびに前記信号を変更するための同装置の使用 - Google Patents

バイナリ光信号の整形装置、ならびに前記信号を変更するための同装置の使用

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JPH1062730A
JPH1062730A JP9156567A JP15656797A JPH1062730A JP H1062730 A JPH1062730 A JP H1062730A JP 9156567 A JP9156567 A JP 9156567A JP 15656797 A JP15656797 A JP 15656797A JP H1062730 A JPH1062730 A JP H1062730A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 弱め合う干渉および強め合う干渉の条件が、
入力信号、とくにその波長、とりわけハイ状態における
パワーレベルに対してきわめて制約的であるという先行
技術による装置の欠点を解消する。 【解決手段】 入力信号の変動にほとんど依存しなくな
るようにするために高レベルが安定化される変調信号
（Ｂ）を供給する第一段（１）を含む、バイナリ光信号
を整形する装置。変調信号（Ｂ）は、変調信号（Ｂ）の
出力が第一論理状態または第二論理状態にそれぞれ等し
い時、第一副波および第二副波（ＡＭ１、ＡＭ２）のそ
れぞれ強め合う干渉または弱め合う干渉の結果生じる出
力信号（Ｓ）を供給するよう設計された干渉計構造
（７）を含む第二段（２）に引加される。本装置は、デ
ータの消去または挿入により入力信号を変更するのに使
用することができる。光データの切り換えまたは伝送に
適用。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光デジタルデータ
の光学的伝送または処理に使用する光電子システムの分
野に関する。
【０００２】
【従来の技術】これらのシステムでは、情報は、光搬送
波を変調するパルスによって示されるバイナリデータの
形態をとることが多い。従ってバイナリ値は、変調され
た光波の振幅（またはパワー）レベルに応じて決められ
る。
【０００３】信号は伝送中に、受信器のレベルでの受信
信号の高低レベルの検出を困難にする劣化を必ずうけ
る。振幅の領域では、光信号の品質は通常、信号対雑音
比および消光率（エクスティンクションレシオ）という
二つのパラメータによって定義される。信号対雑音比
は、信号の搬送波の波長を含む波長帯内のノイズ出力に
対する信号の光パワーの比であると定義される。消光率
は、それぞれ信号の高レベルおよび低レベルに対応する
パワーの比であると定義される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、完全に光学
式な装置、すなわち、光学−電気およびその逆の変換が
なく、バイナリ光信号の品質を向上すること、すなわち
最大の信号対雑音比を維持しながら消光率を向上するこ
とができる装置を提供することを目的とする。言い換え
れば、装置は、品質の悪い被変調入力信号から、非常に
大きな信号対雑音比を有しながら、一定の光パワーをも
って高レベルが安定化され低レベルが実質的に０の出力
を有する出力信号を供給することができなければならな
い。
【０００５】消光率を向上するために実行可能な方法と
して、例えばマッハ−ツェンダ型の干渉計構造を使用す
る方法がある。本構造は、出力信号を形成するために結
合された二つのコヒーレント波を伝播する二つの分岐で
構成される。分岐のうちの一つは伝播する光パワーに応
じて屈折率が変化する媒質を有し、入力信号はこの分岐
に入力される。すると、入力信号のパワーの変動により
屈折率が変調され、二つの波は、入力信号のパワーレベ
ルに応じて弱め合う干渉または強め合う干渉をする。
【０００６】このような構造によりなるほど消光率を向
上することはできるが、弱め合う干渉および強め合う干
渉の条件が、入力信号、とくにその波長、とりわけハイ
状態におけるパワーレベルに対してきわめて制約的であ
るという欠点を有する。その結果、動作がこれらのパラ
メータの変動に対し非常に敏感になる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は前記装置の欠点
を解消することを目的とする。この目的のため本発明
は、低パワーレベルと高パワーレベルの間で変調される
第一光波の形態を有する入力バイナリ信号の整形装置で
あって、 − 入力光信号に応じて、所与の波長を有し第一パワー
レベルと第二パワーレベルの間で変調される第二光波の
形態を有する変調光信号を供給する第一段であって、入
力信号の低レベルと高レベルの変動にほとんど依存しな
くなるようにするために前記第一パワーレベルと第二パ
ワーレベルのうちの高レベルが安定化される第一段と、 − 変調信号の出力が前記第一パワーレベルまたは第二
パワーレベルにそれぞれ等しい時、第一副波および第二
副波のそれぞれ強め合う干渉または弱め合う干渉の結果
生じる出力信号を供給するよう構成された、前記変調信
号を受け取るように前記第一段に結合された干渉計測定
構造を含む第二段とを含むことを特徴とする整形装置を
対象とする。
【０００８】従って第一段は、干渉計構造内に入力され
る変調信号の高レベルが万一変動した場合にそれを取り
除く役割を有する。その結果、この構造は安定した動作
が得られる。さらに装置は、入力光信号の波長の値また
は変動、ならびに信号の偏光とは無関係である。
【０００９】個別の実施形態によれば、本装置は、前記
干渉計構造が、第一結合手段を介して第三光波のそれぞ
れ第一部分および第二部分を受け取る第一案内分岐およ
び第二案内分岐を含み、前記分岐がそれぞれ第一半導体
光増幅器および第二半導体光増幅器を具備し、前記第一
半導体光増幅器が第二結合手段を介して前記変調信号を
受け取り、前記第一半導体光増幅器および第二半導体光
増幅器には、前記第一副波および第二副波を供給するた
めに調節された電流が供給されることを特徴とする。
【００１０】従って、半導体増幅器によってもたらされ
る増幅効果に加え、装置が受け取る総光パワーおよびそ
の能動層内に注入される電流の関数である屈折率を有す
るという増幅器の特性も利用される。従ってこれによ
り、干渉計構造の動作点を容易に調節することができ
る。
【００１１】有利には、前記第一増幅器が反対の伝搬方
向に前記第一副波を供給し前記変調信号を受け取るよう
に前記第一結合手段および第二結合手段が配設される。
【００１２】この配置により出力信号の抽出が容易にな
る。
【００１３】他方、出力信号に付随するノイズは主に干
渉計構造の半導体増幅器によって発生する増幅自然放出
（［ＡＳＥ」）によるものである。従って、出力信号に
対する影響を軽減するために、本発明の別の態様に従
い、前記第一レベルが変調信号の高レベルである時弱め
合う干渉となるように前記電流が調節される。
【００１４】好ましい実施形態によれば、前記第一段
は、前記入力信号および第四光波を受け取るのに適した
第三半導体増幅器を含む。その場合、入力信号がハイ状
態にある時前記第三増幅器を利得飽和状態にするように
第三増幅器および／または入力信号の大きさが決められ
る。変調信号は前記第三増幅器によって増幅される前記
第四光波で構成される。
【００１５】有利には、第三増幅器は安定化利得半導体
光増幅器である。
【００１６】この配置は、入力信号の低レベルが大きな
変動を受けても変調信号の高レベルは一定であるという
利点を有する。このことは、干渉計構造の動作の安定性
の向上に寄与する。
【００１７】本発明による整形装置は、受信データの変
更を行うのに有利に使用することができる。より詳細に
は、この装置により、受信信号のデータの一部を消去す
ること、またはデータ中に新しいデータを挿入すること
が可能である。データの消去または書き込みは、例え
ば、ルーティング情報を含むヘッダに結合されたデータ
を処理する切り換えマトリックスにおいて有用である。
【００１８】本発明はまた、本発明による整形装置に入
力バイナリ光信号を印加し、前記副波をパワー変調する
ことから成ることを特徴とする入力バイナリ光信号を変
更する方法も対象とする。
【００１９】変形形態では本発明は、前記第四光波をパ
ワー変調することあるいは前記第三増幅器に印加された
電流を変調することにより、入力バイナリ光信号を変更
する方法も提供する。とくに、適切な標本化クロック信
号により前記第四光波を変調することにより、入力バイ
ナリ信号の再現と再同期化とを同時に行うことができ
る。
【００２０】本発明の別の態様および長所は、図面を参
照して行う以下の説明において明らかになろう。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１に示す装置は、装置によって
整形するための入力バイナリ光信号Ｅを受信し、第二段
２に変調光信号Ｂを供給する第一段１を含む。
【００２２】第一段１は、入力信号Ｅを受信しリミッタ
装置４に増幅入力信号ＡＥを供給するファイバ光増幅器
３を含む。リミッタ装置４は、中間搬送波Ｌを供給する
レーザ発振源６に第一面が結合される半導体光増幅器Ｏ
Ａを含む。増幅器ＯＡのもう一方の面は、ファイバ光増
幅器３から増幅入力信号ＡＥを受け取るための第一ポー
トと、この信号を増幅器ＯＡ内に注入する第二ポートと
を含むサーキュレータ５に接続される。サーキュレータ
５の第三ポートは、入力信号ＡＥの波長λｅに固定され
た除波フィルタＦを介して変調信号Ｂを供給する。中間
波Ｌの波長λｂは入力信号Ｅの波長とは異なるものが選
択され、波長において同調が可能なレーザ発振器を発振
源６として使用することにより変更できるのが好まし
い。
【００２３】第一段の動作は、図２、図５、図６、およ
び図７を用いて説明することができる。図５は、時間の
経過にともなう入力信号Ｅの光パワーＰｅの変動を例示
する略図である。平均光パワーが高い第一データ列の後
に平均光パワーが低い第二データ列が続くものと仮定さ
れている。また信号Ｅの高レベルＥ１および低レベルＥ
０は大きな変動を有する。利得飽和モードでの動作のた
めにファイバ増幅器３が設けられる。その結果、増幅信
号ＡＥの平均光パワーが等化される。図６は、時間の経
過にともなう増幅信号ＡＥの光パワーＰａｅの変動を例
示する略図である。
【００２４】図２は、増幅器ＯＡが受け取る総光パワー
の変化にともなうその増幅器の利得Ｇの変動を示す略図
である。リミッタ４の場合、パワーＰは、中間波Ｌのパ
ワーＰｌと増幅信号ＡＥの出力Ｐａｅとの和である。図
示する曲線は、例えば欧州特許出願ＥＰ−Ａ−６３９８
７６号の記載に従って作製した安定化利得増幅器の場合
に相当する。このような増幅器は、受け取る光パワーの
広い変動域にわたって一定の利得を維持するという特性
を有する。ところが、出力が、選択した増幅器に特有の
しきい値を超えると、利得は著しく減少する。ファイバ
光増幅器３および／または半導体増幅器ＯＡを適切な大
きさにすることにより、増幅入力信号ＡＥのパワー変調
は、一定の大きな値Ｇ０と小さな値Ｇ１との間で利得Ｇ
を変調することができる。この利得の変調は、出力Ｐｌ
が一定である副波に適用される。その結果、増幅器ＯＡ
は、サーキュレータ５の方向に、入力信号Ｅの低レベル
の変動から高レベルがほぼ独立したパワー変調波を送信
する。従って、ろ波Ｆがある場合その後に得られる変調
信号Ｂも、図７に示すようなこの特性を有する。
【００２５】図１の装置の第二段２は、半導体光増幅器
ＯＡ１およびＯＡ２をそれぞれ具備する二つの案内分岐
から成る干渉計構造７を含む。第一カプラＫ１により、
これら各分岐の端部を、波長λｓの出力搬送波Ｍを供給
するレーザ源８に結合することができる。第二カプラＫ
２は、変調信号Ｂを第一増幅器ＯＡ１内に入力すること
ができるように配設される。カプラＫ２と第二増幅器Ｏ
Ａ２とに接続された第三カプラＫ３は、増幅器ＯＡ１お
よびＯＡ２によってそれぞれ供給される副波ＡＭ１およ
びＡＭ２の結合によって生じる出力信号Ｓを供給するよ
うに配設される。波ＡＭ１およびＡＭ２は、カプラＫ１
から出力されそれぞれ増幅器ＯＡ１およびＯＡ２により
増幅される波Ｍ１およびＭ２に対応する。
【００２６】電流Ｉ１およびＩ２がそれぞれ増幅器ＯＡ
１およびＯＡ２に注入される。第一の可能性によれば、
これらの電流は、変調信号Ｂのパワーが低い時に波ＡＭ
１およびＡＭ２の強め合う干渉により出力信号Ｓが生
じ、反対の場合には弱め合う干渉により出力信号が生じ
るよう調節される。電流Ｉ２が値Ｉ２０を有する時、変
調信号ＢのパワーＰｂに対する信号ＳのパワーＰｓを示
す図３に、上記のケースを示す。
【００２７】別の可能性によれば、図４に記載の干渉計
構造７から応答を得るために、電流Ｉ２をＩ２０よりも
大きな値Ｉ２１に調節することができる。この場合、信
号Ｂのパワーが低い時には弱め合う干渉となり、パワー
が高い時には強め合う干渉となる。
【００２８】図３に記載の応答の場合の、時間の変化に
ともなう出力信号のパワーＰｓの変動を図８に示す。増
幅器ＯＡ１およびＯＡ２によって発生する増幅自然放出
を取り除くために、本アセンブリに、波長λｓに固定し
た出力フィルタＦ’を付加することができる。
【００２９】従って、前記に説明したアセンブリでは、
入力信号の高レベルおよび低レベルの大きな変動を許容
することにより、入力信号を極めてよく再現することが
できる。第一段はとくに第二段２の干渉計構造７の動作
を安定する役割を有し、第二段は、第一段によって劣化
する消光比を再生する役割を有する。
【００３０】発振源６が波長同調可能である場合には、
選択した注入電流Ｉ１に関して増幅器ＯＡ１に最大の利
得をもたらす波長λｂを選択するのが有利である。
【００３１】例えば図３に記載の応答の場合の電流Ｉ１
およびＩ２の選択に関しては、以下の方法を利用するこ
とができる。パワーが０の信号Ｂをもつ例えば２００ｍ
Ａの高い電流Ｉ１を印加し、出力信号のパワーＰｓが最
大Ｓ１となるような電流Ｉ２の値Ｉ２０を求める。次
に、同じ電流を保ったままにして、パワーＰｓが最小Ｓ
０になるような、注入すべき信号ＢのパワーＢ１を求め
る。最後に、信号Ｂのパワーの高レベルが前記に定めた
値Ｂ１に等しくなるように、リミッタ４の増幅器ＯＡに
注入すべき電流Ｉの値を求める。
【００３２】前述の装置を使用して入力信号の変更を行
うためには、副波ＡＭ１およびＡＭ２のパワーを変調す
ることができる手段を設けるのが適当である。そのため
に発振源８として例えば変調器内蔵レーザを使用するこ
とができる。その場合、電流Ｉｓがレーザ部分に注入さ
れるが、反対に変調器部分には変調電圧Ｄが印加され
る。このような装置を使用することにより、変調器から
供給される信号Ｍの光パワーをなくすことにより入力デ
ータを消去することが可能である。信号Ｂがハイ状態に
あって弱め合う干渉である時には、波Ｍの出力を電圧Ｄ
の変調により変調することにより、この信号Ｂがロウ状
態にある時にデータを挿入することができる。信号Ｂが
ハイ状態にあって強め合う干渉である時には、波Ｍの出
力を前と同様に変調することにより、この信号Ｂがハイ
状態にある時にデータを挿入することができる。
【００３３】また、入力信号の変更は、例えば発振源６
と増幅器ＯＡとの間に設置した変調器を用いて、パワー
Ｐ１を変調することによっても行うことができる。同期
入力信号Ｅを再同期すること、すなわちこの信号に影響
を及ぼす可能性のあるジーグをなくすためにこの可能性
を利用するのが有利である。例えばＮＲＺ型の入力信号
の場合、幅が入力信号のビット時間より小さく、周波数
がビット周波数と等しく、信号のビット時間間隔のほぼ
中央に固定されたパルスから成る（図示しない）標本化
クロック信号によりパワーＰ１を変調するだけでよい。
パルスの継続時間が入力信号のビット時間の半分と等し
い場合、出力側でＲＺ型信号が得られる。
【００３４】一方、ＮＲＺ型の出力信号を供給しようと
する場合、増幅器ＯＡ１、従って第二段２の通過域がビ
ット周波数とこの周波数の１／２との間に含まれるカッ
トオフ周波数をもつように単に電流Ｉ１およびＩ２を調
節すればよい。
【００３５】また、増幅器ＯＡに電源を供給する電流Ｉ
を変調することにより信号の部分的消去を行うこともで
きる。
【００３６】図９は、干渉計構造７の実施の変形形態を
示す図である。本構造はマッハ−ツェンダー型でもある
が、変調信号Ｂおよび波Ｍは同じ伝搬方向に第一増幅器
ＯＡ１に注入される。動作は、波長λｂを効果的に取り
除くことができる出力フィルタＦ’が装置の出力側に設
置されることを除いては、図１に示す構造の動作と同様
である。
【００３７】図１０は、前記構造と等価な別のマイケル
ソン型構造を示す図である。この変形形態によれば、二
つの増幅器ＯＡ１およびＯＡ２はそれらの端部のうちの
一つだけで結合され、反対側の面は反射被覆Ｒ１、Ｒ２
を具備する。変調信号は、面Ｒ１を介して第一増幅器Ｏ
Ａ１に注入され、波Ｍは、カプラに結合されたサーキュ
レータで形成されるアセンブリＫ１を介して、面Ｒ１お
よびＲ２に対向する面により二つの増幅器ＯＡ１および
ＯＡ２に注入される。サーキュレータの第一ポートは波
Ｍを受け取り、第二ポートは二つの増幅器ＯＡ１および
ＯＡ２に結合され、第三ポートは出力信号Ｓを供給す
る。
【００３８】図１１は、リミッタ４の実施の変形形態を
示す図である。動作原理は、波Ｌおよび増幅入力信号Ａ
Ｅが同じ伝搬方向に増幅器ＯＡに注入されることを除い
ては、図１に示す装置の動作と同様である。その場合、
入力信号の波長λｅを効果的に取り除くことができる除
波フィルタＦを設けることが必要である。
【００３９】図１のリミッタ４の実施においては、増幅
器ＯＡの面に反射防止処理を施すことによりフィルタＦ
を取り去ることが可能であることに留意されたい。この
場合、サーキュレータ５を単純なカプラに置き換えられ
れば、三つの増幅器ＯＡ、ＯＡ１およびＯＡ２を同一の
構成要素内に組み込むことは容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による装置の好ましい実施形態の略図で
ある。
【図２】図１の装置の動作原理を説明することができる
曲線である。
【図３】図１の装置の動作原理を説明することができる
曲線である。
【図４】図１の装置の動作原理を説明することができる
曲線である。
【図５】本発明による装置が実行するバイナリ光信号の
変形を示すタイミングチャートである。
【図６】本発明による装置が実行するバイナリ光信号の
変形を示すタイミングチャートである。
【図７】本発明による装置が実行するバイナリ光信号の
変形を示すタイミングチャートである。
【図８】本発明による装置が実行するバイナリ光信号の
変形を示すタイミングチャートである。
【図９】本発明による装置を構成する干渉計構造の実施
の変形形態である。
【図１０】本発明による装置を構成する干渉計構造の実
施の変形形態である。
【図１１】本発明による装置の第一段の実施の変形形態
である。
【符号の説明】 １ 第一段 ２ 第二段 ３ ファイバ光増幅器 ４ リミッタ装置 ５ サーキュレータ ６ レーザ発振源 ７ 干渉計構造 ８ レーザ源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/152 Ｈ０４Ｂ 9/00 Ｓ 10/142 10/04 10/06 10/14 (72)発明者 ミシエル・ソトン フランス国、75015・パリ、リユ・デヌエ ツト・９ (72)発明者 ドミニク・ドウ・ブアール フランス国、91700・サン・ジユヌビエー ブ・デ・ボワ、アレ・ドウ・ラ・テラス・ ４

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 低パワーレベルと高パワーレベル（Ｅ
    ０、Ｅ１）の間で変調される第一光波の形態を有する入
    力光信号（Ｅ）の整形装置であって、 入力光信号（Ｅ）に応じて、所与の波長（λｂ）を有し
    第一パワーレベルと第二パワーレベル（Ｂ０、Ｂ１）の
    間で変調される第二光波の形態を有する変調光信号
    （Ｂ）を供給する第一段であって、入力信号（Ｅ）の低
    レベルと高レベル（Ｅ０、Ｅ１）の変動にほとんど依存
    しなくなるように第一パワーレベルと第二パワーレベル
    （Ｂ０、Ｂ１）のうちの高レベル（Ｂ１）が安定化され
    る第一段（１）と、 前記変調信号（Ｂ）を受け取るように前記第一段（１）
    に結合され、変調信号（Ｂ）のパワーが前記第一パワー
    レベルまたは第二パワーレベル（Ｂ０、Ｂ１）にそれぞ
    れ等しい時、第一副波および第二副波（ＡＭ１、ＡＭ
    ２）のそれぞれ強め合う干渉または弱め合う干渉の結果
    生じる出力信号（Ｓ）を供給するよう構成された干渉計
    構造（７）を含む第二段（２）とを含むことを特徴とす
    る装置。
  2. 【請求項２】 前記干渉計構造（７）が、第一結合手段
    （Ｋ１）を介して第三光波（Ｍ）のそれぞれ第一部分お
    よび第二部分（Ｍ１、Ｍ２）を受け取る第一案内分岐お
    よび第二案内分岐を含み、前記分岐がそれぞれ第一半導
    体光増幅器および第二半導体光増幅器（ＯＡ１、ＯＡ
    ２）を具備し、前記第一半導体光増幅器（ＯＡ１）が第
    二結合手段（Ｋ２）を介して前記変調信号（Ｂ）を受け
    取り、前記第一半導体光増幅器および第二半導体光増幅
    器（ＯＡ１、ＯＡ２）には、前記第一副波および第二副
    波（ＡＭ１、ＡＭ２）を供給するために調節された電流
    （Ｉ１、Ｉ２）が供給されることを特徴とする請求項１
    に記載の装置。
  3. 【請求項３】 前記第一増幅器（ＯＡ１）が反対の伝搬
    方向に前記第一副波（ＡＭ１）を供給し前記変調信号
    （Ｂ）を受け取るように前記第一結合手段および第二結
    合手段（Ｋ１、Ｋ２）が配設されることを特徴とする請
    求項２に記載の装置。
  4. 【請求項４】 前記第一レベルが変調信号（Ｂ）の高レ
    ベル（Ｂ１）である時弱め合う干渉となるように前記電
    流（Ｉ１、Ｉ２）が調節されることを特徴とする請求項
    ２または３に記載の装置。
  5. 【請求項５】 前記第一段（１）が、前記入力信号
    （Ｅ）および第四光波（Ｌ）を受け取るのに適した第三
    半導体増幅器（ＯＡ）を含み、入力信号（Ｅ）がハイ状
    態（Ｅ１）にある時前記第三増幅器（ＯＡ）を利得飽和
    状態にするように前記第三増幅器（ＯＡ）および／また
    は前記入力信号（Ｅ）の大きさが決められ、前記変調信
    号（Ｂ）が前記第三増幅器（ＯＡ）によって増幅される
    前記第四光波（Ｌ）で構成されることを特徴とする請求
    項１から４のいずれか一項に記載の装置。
  6. 【請求項６】 前記第三増幅器（ＯＡ）が安定化利得半
    導体光増幅器であることを特徴とする請求項５に記載の
    装置。
  7. 【請求項７】 前記第四波（Ｌ）が、前記第一増幅器
    （ＯＡ１）に最大の利得をもたらす波長（λｂ）を有す
    ることを特徴とする請求項５または６に記載の装置。
  8. 【請求項８】 前記第一段（１）が、利得飽和モードで
    動作するのに適し、前記入力信号（Ｅ）を増幅した後そ
    の信号を前記第三増幅器（ＯＡ）に印加するよう配設さ
    れたファイバ光増幅器（３）を含むことを特徴とする請
    求項５から７のいずれか一項に記載の装置。
  9. 【請求項９】 請求項１から８のいずれか一項に記載の
    整形装置に入力バイナリ光信号（Ｅ）を印加すること
    と、前記副波（ＡＭ１、ＡＭ２）をパワー変調すること
    とから成ることを特徴とする入力バイナリ光信号（Ｅ）
    を変更する方法。
  10. 【請求項１０】 請求項２から４のいずれか一項に記載
    の整形装置に入力バイナリ光信号（Ｅ）を印加すること
    と、前記第三波（Ｍ）をパワー変調することとから成る
    ことを特徴とする入力バイナリ光信号（Ｅ）を変更する
    方法。
  11. 【請求項１１】 請求項５から８のいずれか一項に記載
    の整形装置に入力バイナリ光信号（Ｅ）を印加すること
    と、前記第四光波（Ｌ）をパワー変調することとから成
    ることを特徴とする入力バイナリ光信号（Ｅ）を変更す
    る方法。
  12. 【請求項１２】 幅が入力信号（Ｅ）のビット時間より
    小さく、周波数が入力信号（Ｅ）の周波数と等しく、入
    力信号（Ｅ）のビット時間間隔のほぼ中央に固定された
    パルスから成る標本化クロック信号により前記第四光波
    （Ｌ）が変調されることを特徴とする請求項１１に記載
    の方法。
  13. 【請求項１３】 入力信号（Ｅ）のビット周波数とこの
    周波数の１／２との間にカットオフ周波数をもつように
    前記第二段（２）が設けられることを特徴とする請求項
    １２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 請求項５から８のいずれか一項に記載
    の整形装置に入力バイナリ光信号（Ｅ）を印加すること
    と、前記第三増幅器（ＯＡ）に印加された電流（Ｉ）を
    変調することとから成ることを特徴とする入力バイナリ
    光信号（Ｅ）を変更する方法。
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