JPH1059882A - Fluorobiphenyl derivative - Google Patents
Fluorobiphenyl derivativeInfo
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- JPH1059882A JPH1059882A JP21977396A JP21977396A JPH1059882A JP H1059882 A JPH1059882 A JP H1059882A JP 21977396 A JP21977396 A JP 21977396A JP 21977396 A JP21977396 A JP 21977396A JP H1059882 A JPH1059882 A JP H1059882A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学的液晶表
示材料として有用で新規な、フルオロビフェニル誘導体
である液晶性化合物及びこの新規液晶性化合物を含有す
る液晶組成物に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel liquid crystalline compound which is useful as an electro-optical liquid crystal display material and is a fluorobiphenyl derivative, and a liquid crystal composition containing the novel liquid crystalline compound.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、ワープロ、パーソナルコンピュータディスプレイ
等、情報表示素子として用いられ、電子装置と人とのイ
ンターフェイスとして重要性を増している。2. Description of the Related Art Liquid crystal display elements are used as information display elements such as clocks, calculators, word processors, personal computer displays, etc., and are becoming increasingly important as interfaces between electronic devices and humans.
【０００３】液晶を用いた表示方式は、電界効果（FE
M）型、動的散乱（DSM）型及び熱効果（TEM）型の３つ
に大別される。これらの効果を利用し種々の表示方式が
提案されているが、現在までのところ、実用化されてい
るのは電界効果型を用いた表示方式である。電界効果型
には、ねじれネマチック（TN）型、超ねじれネマチック
（STN）型、ゲスト-ホスト（GH）型、電界制御複屈折
（ECB）型、コレステリック-ネマチック相転移（CN-P
T）型、表面安定化強誘電性液晶（SSFLC）型等がある。
この中で、現在主流となっているのはTN型及びSTN型で
ある。このうち、STN型では、駆動方式の改良等によ
り、ある程度までは表示容量の増加は可能となったが、
近年の大表示容量及び表示品位の要求にたいしては、も
はや限界となった。そこで、表示画素ごとにしきい特性
をもつ、２端子非線形素子を用いたMIM（Metal Insulat
or Metal）方式、３端子能動素子を用いたTFT（Thin Fi
lm Transistor）方式等のアクティブマトリックス方式
が実用化され、大容量化に向けて急速に発展している。A display method using liquid crystal is based on an electric field effect (FE).
M) type, dynamic scattering (DSM) type and thermal effect (TEM) type. Various display methods have been proposed utilizing these effects, but so far, display methods using a field effect type have been put to practical use. The field effect type includes twisted nematic (TN) type, super twisted nematic (STN) type, guest-host (GH) type, electric field controlled birefringence (ECB) type, cholesteric-nematic phase transition (CN-P
T) type, surface stabilized ferroelectric liquid crystal (SSFLC) type and the like.
Among them, TN type and STN type are currently the mainstream. Of these, the STN type was able to increase the display capacity to some extent due to improvements in the driving method, etc.
Recent demands for large display capacity and display quality have reached the limit. Therefore, a metal insulator (MIM) using a two-terminal nonlinear element having a threshold characteristic for each display pixel.
or Metal) TFT (Thin Fi) using three-terminal active elements
Active matrix systems such as the lm transistor (ist) system have been put into practical use, and are rapidly developing toward higher capacity.
【０００４】これらの液晶表示方式に用いられている液
晶材料には、各々の表示方式の特徴に応じて種々の特性
が要求されているが、駆動電圧が低いことは特に重要な
要求特性である。The liquid crystal materials used in these liquid crystal display systems are required to have various characteristics in accordance with the characteristics of each display system, and a low driving voltage is a particularly important required characteristic. .
【０００５】駆動電圧を低くするためには、しきい値電
圧を低下させる誘電率異方性（Δε）の大きな化合物が
必要である。このΔεを大きくするためには、末端極性
基に加えて、さらに多数のフッ素原子等の極性基を同一
方向に導入する必要がある。In order to lower the driving voltage, a compound having a large dielectric anisotropy (Δε) for lowering the threshold voltage is required. In order to increase Δε, it is necessary to introduce more polar groups such as fluorine atoms in the same direction in addition to the terminal polar groups.
【０００６】さらには、ＴＦＴ用液晶材料には、これら
の要求特性に加えて、高い電圧保持率が要求され、極性
基がフッ素原子で構成される化合物が必要である。この
ような目的で、本発明者らにより、フッ素原子で多数置
換した以下の化合物（ａ）及び化合物（ｂ）Further, in addition to these required characteristics, a high voltage holding ratio is required for the liquid crystal material for TFT, and a compound in which a polar group is composed of a fluorine atom is required. For such a purpose, the present inventors have made the following compounds (a) and (b) substituted by a large number of fluorine atoms.
【０００７】[0007]
【化２】 Embedded image
【０００８】が合成された。この化合物（ａ）は、Δε
が非常に大きく、それを混合することにより組成物のし
きい値電圧を低減させることができる。しかしながら、
相溶性の点で問題があり、汎用されているホスト液晶に
添加でる量は５重量％が限度であり化合物の特徴を十分
ひきだすことできなかった。また、（ｂ）の化合物で
は、Δε、相溶性ともに（ａ）よりかなり改善されたも
のの、決して充分とは言いに難い。Has been synthesized. This compound (a)
Is very large, and by mixing them, the threshold voltage of the composition can be reduced. However,
There is a problem in compatibility, and the amount of addition to the host liquid crystal which is widely used is limited to 5% by weight, and the characteristics of the compound cannot be sufficiently extracted. Further, in the compound (b), although both Δε and compatibility were considerably improved as compared with (a), it was hardly sufficient.
【０００９】従って、その混合により、よりΔεを大き
くし、しきい値電圧を低下させることのできる、相溶性
に優れた化合物が望まれていた。Therefore, there has been a demand for a compound having excellent compatibility, which can further increase Δε and lower the threshold voltage by the mixing.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、大きなΔεを有する新規液晶性化合物、及
びこの液晶性化合物を用いることにより、しきい値電圧
の低く、析出の生じない液晶組成物を提供することにあ
る。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a novel liquid crystalline compound having a large Δε and a liquid crystal having a low threshold voltage and free from precipitation by using this liquid crystalline compound. It is to provide a composition.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、 １．一般式（Ｉ）The present invention has been made in order to solve the above problems. General formula (I)
【００１２】[0012]
【化３】 Embedded image
【００１３】（式中、Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキ
ル基を表し、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ 5及びＹ6はそれぞ
れ独立的に水素原子またはフッ素原子を表すが、少なく
とも５個はフッ素原子を表し、Ｚはフッ素原子、トリフ
ルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオ
ロメチル基を表す。）で表される化合物。 ２．一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子あるいはト
リフルオロメトキシ基であるところの上記１記載の化合
物。 ３．一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子であるとこ
ろの上記２記載の化合物。 ４．一般式（Ｉ）において、Ｒが炭素原子数２〜５の直
鎖状アルキル基であるところの上記１、２又は３記載の
化合物。 ５．上記１記載の一般式（Ｉ）で表される化合物を含有
する液晶組成物。を前記課題の解決手段として見出し
た。(Wherein R is an alkyl having 1 to 10 carbon atoms)
Y represents1, YTwo, YThree, YFour, Y FiveAnd Y6Each
Independently represent a hydrogen atom or a fluorine atom,
And 5 each represent a fluorine atom, Z represents a fluorine atom,
Fluoromethoxy group, difluoromethoxy group, trifluoro
Represents a methyl group. ). 2. In the general formula (I), Z represents a fluorine atom or
The compound according to the above 1, wherein the compound is a trifluoromethoxy group
Stuff. 3. In the general formula (I), Z is a fluorine atom.
3. The compound according to 2 above. 4. In the general formula (I), R represents a straight-chain having 2 to 5 carbon atoms.
4. The above 1, 2, or 3, which is a chain alkyl group
Compound. 5. Contains the compound represented by the general formula (I) according to the above 1.
Liquid crystal composition. Heading as a means of solving the problem
Was.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下に本発明の液晶性化合物及び
これを含有する液晶組成物の一例について説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an example of the liquid crystal compound of the present invention and a liquid crystal composition containing the same will be described.
【００１５】一般式（Ｉ）において、Ｒは炭素原子数１
〜７の直鎖状アルキル基が好ましく、炭素原子数２〜５
の直鎖状アルキル基がさらに好ましい。Ｙ1、Ｙ2、
Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5及びＹ6はΔεをより大きくするために
は、６個がフッ素原子であることが好ましく、相溶性を
向上させるためには、５個がフッ素原子であることが好
ましい。Ｚは汎用性をもたせるためにはフッ素原子、ト
リフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子が特に好
ましい。In the general formula (I), R represents 1 carbon atom
To 7 linear alkyl groups, preferably having 2 to 5 carbon atoms.
Is more preferable. Y 1 , Y 2 ,
It is preferable that Y 3 , Y 4 , Y 5 and Y 6 have 6 fluorine atoms in order to further increase Δε, and 5 have fluorine atoms in order to improve compatibility. preferable. Z is preferably a fluorine atom or a trifluoromethoxy group, and particularly preferably a fluorine atom, in order to have versatility.
【００１６】本発明に係わる一般式（Ｉ）で表される化
合物は、例えば次のようにして製造することができる。The compound represented by the general formula (I) according to the present invention can be produced, for example, as follows.
【００１７】[0017]
【化４】 Embedded image
【００１８】（上記の式中で、Ｒ、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、
Ｙ4、Ｙ5、Ｙ6及びＺは一般式（Ｉ）におけると同じ意
味を表し、Ｑ1、Ｑ2は臭素またはヨウ素原子を表す。） 第１工程：一般式（ＩＩ）と一般式（ＩＩＩ）の化合物
をパラジウム触媒と銅触媒の存在下で反応させることに
より一般式（ＩＶ）の化合物を製造する。 第２工程：一般式（ＩＶ）の化合物をパラジウムカーボ
ン等の触媒の存在下接触還元することにより一般式
（Ｖ）の化合物を製造する。 第３工程：一般式（Ｖ）の化合物を臭素又はヨウ素化し
た後、マグネシウム、リチウム等でメタル化する。これ
をホウ酸イソプロピル等のホウ酸エステルと反応させた
後、加水分解することにより一般式（ＶＩ）の化合物を
製造する。特に、Y3、Y4がともにフッ素原子のときは、
n-ブチルリチウム等のリチオ化剤でリチオ化し、ホウ酸
イソプロピル等のホウ酸エステルと反応させた後、加水
分解することにより一般式（ＶＩ）の化合物を製造す
る。 第４工程：一般式（ＶＩ）と一般式（ＶＩＩ）の化合物
をパラジウム触媒の存在下で反応させることにより本発
明の一般式（Ｉ）の化合物を製造する。(Where R, Y 1 , Y 2 , Y 3 ,
Y 4 , Y 5 , Y 6 and Z have the same meanings as in formula (I), and Q 1 and Q 2 each represent a bromine or iodine atom. First step: A compound of the general formula (IV) is produced by reacting a compound of the general formula (II) with a compound of the general formula (III) in the presence of a palladium catalyst and a copper catalyst. Second step: The compound of the general formula (V) is produced by catalytically reducing the compound of the general formula (IV) in the presence of a catalyst such as palladium carbon. Third step: The compound of the general formula (V) is brominated or iodinated and then metallized with magnesium, lithium or the like. This is reacted with a borate ester such as isopropyl borate and then hydrolyzed to produce a compound of the general formula (VI). In particular, when Y3 and Y4 are both fluorine atoms,
The compound of the general formula (VI) is produced by lithiation with a lithiating agent such as n-butyllithium, reaction with a borate such as isopropyl borate, and hydrolysis. Fourth step: The compound of the general formula (I) of the present invention is produced by reacting the compound of the general formula (VI) with the compound of the general formula (VII) in the presence of a palladium catalyst.
【００１９】斯くして製造された、一般式（Ｉ）で表さ
れる代表的な化合物を示す。式（Ｎｏ．１）の化合物The representative compounds represented by the general formula (I) thus produced are shown below. Compound of Formula (No. 1)
【００２０】[0020]
【化５】 Embedded image
【００２１】融点：９７．７℃ 式（Ｎｏ．２）の化合物Melting point: 97.7 ° C. Compound of formula (No. 2)
【００２２】[0022]
【化６】 Embedded image
【００２３】融点：６６．４℃ この（Ｎｏ．１）及び（Ｎｏ．２）の化合物を、現在汎
用されているホスト液晶（Ａ）Melting point: 66.4 ° C. The compounds of (No. 1) and (No. 2) were converted to a host liquid crystal (A) which is currently widely used.
【００２４】[0024]
【化７】 Embedded image
【００２５】（式中、シクロヘキサン環はトランス配置
である。）に各々混合して、液晶組成物を調製した。
（Ｎｏ．１）の化合物は、ホスト液晶（Ａ）に１０重量
％混合することが可能であった。このようにして調製し
た液晶組成物（Ａ−１）のΔεは８．３であり、しきい
値電圧は１．２１Ｖであった。(Wherein, the cyclohexane ring has a trans configuration) to prepare a liquid crystal composition.
The compound of (No. 1) could be mixed in the host liquid crystal (A) at 10% by weight. Δ 液晶 of the liquid crystal composition (A-1) thus prepared was 8.3, and the threshold voltage was 1.21 V.
【００２６】（Ｎｏ．２）の化合物は、ホスト液晶
（Ａ）に２０重量％まで混合することが可能であった。
このようにして調製した液晶組成物（Ａ−２）のΔεは
８．０であり、しきい値電圧は０．９８Ｖであった。The compound of No. 2 could be mixed in the host liquid crystal (A) up to 20% by weight.
Δ 液晶 of the liquid crystal composition (A-2) thus prepared was 8.0, and the threshold voltage was 0.98 V.
【００２７】ホスト液晶（Ａ）のΔεは６．７であり、
しきい値電圧は１．６０Ｖなので、（Ｎｏ．１）及び
（Ｎｏ．２）の化合物の添加により、Δεを大きく増加
させ、しきい値電圧を大きく低下させた液晶材料を得る
ことができた。Δε of the host liquid crystal (A) is 6.7,
Since the threshold voltage is 1.60 V, by adding the compounds of (No. 1) and (No. 2), it was possible to obtain a liquid crystal material in which Δε was greatly increased and the threshold voltage was greatly reduced. .
【００２８】比較のため、化合物（ａ）及び化合物
（ｂ）をホスト液晶（Ａ）に各々混合した。化合物
（ａ）は、ホスト液晶（Ａ）に５重量％までしか混合す
ることができず、このときのΔεは７．０３であり、し
きい値電圧は１．５０Ｖまでしか低下しなかった。For comparison, the compound (a) and the compound (b) were mixed with the host liquid crystal (A). The compound (a) could be mixed only up to 5% by weight with the host liquid crystal (A), Δε at this time was 7.03, and the threshold voltage decreased only to 1.50 V.
【００２９】化合物（ｂ）についても、ホスト液晶
（Ａ）に５重量％までしか混合することができず、この
ときのΔεは７．２０であり、しきい値電圧は１．３６
Ｖまでしか低下しなかった。The compound (b) can also be mixed with the host liquid crystal (A) only up to 5% by weight. At this time, Δε is 7.20 and the threshold voltage is 1.36.
V only.
【００３０】次に、ホスト液晶（Ｂ）Next, the host liquid crystal (B)
【００３１】[0031]
【化８】 Embedded image
【００３２】（式中、シクロヘキサン環はトランス配置
である。）に（Ｎｏ．１）及び（Ｎｏ．２）の化合物を
各々混合して、液晶組成物を調製した。The compounds (No. 1) and (No. 2) were mixed with (where the cyclohexane ring is in a trans configuration) to prepare a liquid crystal composition.
【００３３】（Ｎｏ．１）の化合物は、ホスト液晶
（Ｂ）に１０重量％まで混合できた。このようにした調
製した液晶組成物（Ｂ−１）のΔεは７．５であり、し
きい値電圧は１．６７Ｖであった。The compound of (No. 1) could be mixed up to 10% by weight in the host liquid crystal (B). Δ 液晶 of the liquid crystal composition (B-1) thus prepared was 7.5, and the threshold voltage was 1.67 V.
【００３４】また、（Ｎｏ．２）の化合物はホスト液晶
（Ｂ）に２０重量％まで混合できた。このようにして調
製した液晶組成物（Ｂ−２）のΔεは９．０であり、し
きい値電圧は１．４０Ｖであった。The compound of No. 2 could be mixed in the host liquid crystal (B) up to 20% by weight. Δ 液晶 of the liquid crystal composition (B-2) thus prepared was 9.0, and the threshold voltage was 1.40 V.
【００３５】ホスト液晶（Ｂ）のΔεは４．８であり、
しきい値電圧は２．１４Ｖなので、（Ｎｏ．１）及び
（Ｎｏ．２）の化合物の添加により、Δεを大きく増加
させ、しきい値電圧を大きく低下させることができた。Δε of the host liquid crystal (B) is 4.8,
Since the threshold voltage was 2.14 V, by adding the compounds of (No. 1) and (No. 2), it was possible to greatly increase Δε and greatly reduce the threshold voltage.
【００３６】また、液晶組成物（Ｂ−１）及び（Ｂ−
２）の電圧保持率は、９９％と高かった。比較のため、
化合物（ａ）及び化合物（ｂ）をホスト液晶（Ｂ）に各
々５重量％混合したところ、室温ですぐに析出してしま
い、評価できなかった。The liquid crystal compositions (B-1) and (B-
The voltage holding ratio of 2) was as high as 99%. For comparison,
When each of the compound (a) and the compound (b) was mixed with the host liquid crystal (B) in an amount of 5% by weight, the compound was immediately precipitated at room temperature and could not be evaluated.
【００３７】以上から本発明に係わる一般式（Ｉ）で表
される化合物は、ホスト液晶との相溶性に優れ、その混
合により、Δεを大きくし、しきい値電圧を大きく低下
させることが可能であり、その効果は従来の化合物より
も優れていることが容易に理解することができる。As described above, the compound represented by the general formula (I) according to the present invention has excellent compatibility with the host liquid crystal, and by mixing them, it is possible to increase Δε and greatly reduce the threshold voltage. It can be easily understood that the effect is superior to the conventional compound.
【００３８】本発明はこのように一般式（Ｉ）の化合物
を含有する液晶組成物をも提供するものである。さて、
このように一般式（Ｉ）で表される化合物と混合するこ
とにより、液晶組成物として使用することのできるネマ
チック液晶化合物の好ましい代表例としては、例えば、
4-置換安息香酸-4-置換フェニル、4-置換シクロヘキサ
ンカルボン酸-4-置換フェニル、4-置換シクロヘキサン
カルボン酸-4-置換ビフェニル、4-(4-置換シクルヘキサ
ンカルボニルオキシ)安息香酸-4-置換フェニル、4-(4-
置換シクロヘキシル)安息香酸-4-置換フェニル、4-(4-
置換シクロヘキシル)安息香酸-4-置換シクロヘキシル、
4,4-置換ビフェニル、1-(4-置換フェニル)-4-置換シク
ロヘキサン、4,4-置換ターフェニル、1-(4-置換ビフェ
ニリル)-4-置換シクロヘキサン、1-(4-置換シクロヘキ
シル)-4-(4-置換フェニル)シクロヘキサン、2-(4-置換
フェニル)-5-置換ピリミジン、2-(4-置換ビフェニリル)
-5-置換ピリミジン、1-(4-置換シクロヘキシル)-2-(4-
置換シクロヘキシル)エタン、1-[4-(4-置換シクロヘキ
シル)シクロヘキシル]-2-(4-置換フェニル)エタン、1-
[4-(4-置換フェニル)シクロヘキシル]-2-(4-置換シクロ
ヘキシル)エタン、1-(4-置換フェニル)-2-(4-置換フェ
ニル)エチン、1-[4-(4-置換シクロヘキシル)]-2-(4-置
換フェニル)エチン及び上記の化合物でベンゼン環が側
方フッ素置換された化合物等を挙げることができる。The present invention also provides a liquid crystal composition containing the compound of the formula (I). Now,
Preferred representative examples of the nematic liquid crystal compound that can be used as a liquid crystal composition by mixing with the compound represented by the general formula (I) as described above include, for example,
4-substituted benzoic acid-4-substituted phenyl, 4-substituted cyclohexanecarboxylic acid-4-substituted phenyl, 4-substituted cyclohexanecarboxylic acid-4-substituted biphenyl, 4- (4-substituted cyclohexanecarbonyloxy) benzoic acid-4 -Substituted phenyl, 4- (4-
(Substituted cyclohexyl) benzoic acid-4-substituted phenyl, 4- (4-
(Substituted cyclohexyl) benzoic acid-4-substituted cyclohexyl,
4,4-substituted biphenyl, 1- (4-substituted phenyl) -4-substituted cyclohexane, 4,4-substituted terphenyl, 1- (4-substituted biphenylyl) -4-substituted cyclohexane, 1- (4-substituted cyclohexyl ) -4- (4-Substituted phenyl) cyclohexane, 2- (4-substituted phenyl) -5-substituted pyrimidine, 2- (4-substituted biphenylyl)
-5-substituted pyrimidine, 1- (4-substituted cyclohexyl) -2- (4-
Substituted cyclohexyl) ethane, 1- [4- (4-substituted cyclohexyl) cyclohexyl] -2- (4-substituted phenyl) ethane, 1-
[4- (4-substituted phenyl) cyclohexyl] -2- (4-substituted cyclohexyl) ethane, 1- (4-substituted phenyl) -2- (4-substituted phenyl) ethyne, 1- [4- (4-substituted Cyclohexyl)]-2- (4-substituted phenyl) ethyne and the above-mentioned compounds in which the benzene ring is laterally substituted with fluorine.
【００３９】[0039]
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。 （実施例１） ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオ
ロフェニル)エチル]-２，６，３’，４’，５’-ペンタ
フルオロビフェニル（（Ｎｏ．１）の化合物）の合成 （１） 1-(3,5-ジフルオロフェニル)エチニル-4-プロ
ピル-2,6-ジフルオロベンゼンの合成EXAMPLES Examples of the present invention are shown below to further explain the present invention. However, the present invention is not limited to these examples. Example 1 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,6,3 ′, 4 ′, 5′-pentafluorobiphenyl (compound of (No. 1)) (1) Synthesis of 1- (3,5-difluorophenyl) ethynyl-4-propyl-2,6-difluorobenzene
【００４０】[0040]
【化９】 Embedded image
【００４１】4-プロピル-2,6-ジフルオロ-1-ヨードベン
ゼン44.2g及び1-エチニル-3,5-ジフルオロベンゼン30.9
gをN,N-ジメチルホルムアミド140ml及びトリエチルアミ
ン45mlに溶解した。テトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム(0)1.5gとヨウ化銅(I)0.3gを加え、60℃
で3時間攪拌した。室温にもどし、水50mlを加え、酢酸
エチル100mlで抽出した。水、飽和食塩水で順次洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：ヘキサン）
を用いて精製し、1-(3,5-ジフルオロフェニル)エチニル
-4-プロピル-2,6-ジフルオロベンゼン43.1gを得た。 （２） 1-[2-(3,5-ジフルオロフェニル)エチル]-4-プ
ロピル-2,6-ジフルオロベンゼンの合成44.2 g of 4-propyl-2,6-difluoro-1-iodobenzene and 30.9 of 1-ethynyl-3,5-difluorobenzene
g was dissolved in 140 ml of N, N-dimethylformamide and 45 ml of triethylamine. Add 1.5 g of tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) and 0.3 g of copper (I) iodide, and add
For 3 hours. After returning to room temperature, 50 ml of water was added, and the mixture was extracted with 100 ml of ethyl acetate. The extract was washed successively with water and saturated saline, and dried over anhydrous sodium sulfate. The solvent is distilled off, and silica gel column chromatography (solvent: hexane)
Purified using 1- (3,5-difluorophenyl) ethynyl
43.1 g of -4-propyl-2,6-difluorobenzene was obtained. (2) Synthesis of 1- [2- (3,5-difluorophenyl) ethyl] -4-propyl-2,6-difluorobenzene
【００４２】[0042]
【化１０】 Embedded image
【００４３】上記（１）で得た1-(3,5-ジフルオロフェ
ニル)エチニル-4-プロピル-2,6-ジフルオロベンゼン33.
2gを酢酸エチル180mlに溶解し、５％パラジウムカーボ
ン4.0gを加え、水素雰囲気下、常温、常圧で１８時間攪
拌した。触媒を濾別し、溶媒を留去し、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（溶媒：ヘキサン）を用いて精製
し、1-[2-(3,5-ジフルオロフェニル)エチル]-4-プロピ
ル-2,6-ジフルオロベンゼン29.5gを得た。 （３） 4-[2-(4-プロピル-2,6-ジフルオロフェニル)エ
チル]-2,6-ジフルオロフェニルホウ酸の合成1- (3,5-Difluorophenyl) ethynyl-4-propyl-2,6-difluorobenzene obtained in the above (1) 33.
2 g was dissolved in 180 ml of ethyl acetate, 4.0 g of 5% palladium carbon was added, and the mixture was stirred under a hydrogen atmosphere at normal temperature and normal pressure for 18 hours. The catalyst was separated by filtration, the solvent was distilled off, and the residue was purified using silica gel column chromatography (solvent: hexane) to give 1- [2- (3,5-difluorophenyl) ethyl] -4-propyl-2,6 -29.5 g of difluorobenzene was obtained. (3) Synthesis of 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,6-difluorophenylboric acid
【００４４】[0044]
【化１１】 Embedded image
【００４５】上記（２）で得た1-[2-(3,5-ジフルオロフ
ェニル)エチル]-4-プロピル-2,6-ジフルオロベンゼン2
0.0gをテトラヒドロフラン80mlに溶解し、-60℃に冷却
した。攪拌下液温-50℃を越えない速度でn-ブチルリチ
ウムn-ヘキサン溶液(1.69mol/l)45mlを滴下し、さらに3
0分攪拌した。ホウ酸イソプロピル19.0gを液温が-50℃
を越えない速度で滴下した。さらに30分攪拌し、室温ま
でもどした。室温で１時間攪拌後、１０％塩酸60mlを加
え、１時間攪拌した。酢酸エチル100mlを加え、水、飽
和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。溶媒を留去し、4-[2-(4-プロピル-2,6-ジフルオロ
フェニル)エチル]-2,6-ジフルオロフェニルホウ酸23.8g
を得た。 （４） ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオロフェ
ニル)エチル]-２，６，３’，４’，５’-ペンタフルオ
ロビフェニルの合成1- [2- (3,5-difluorophenyl) ethyl] -4-propyl-2,6-difluorobenzene 2 obtained in the above (2)
0.0 g was dissolved in 80 ml of tetrahydrofuran and cooled to -60 ° C. Under stirring, the liquid temperature was dropped at a rate not exceeding -50 ° C, and 45 ml of n-butyllithium n-hexane solution (1.69 mol / l) was added dropwise.
Stirred for 0 minutes. Liquid temperature of isopropyl borate 19.0g is -50 ℃
Was dropped at a rate not exceeding. The mixture was further stirred for 30 minutes and returned to room temperature. After stirring at room temperature for 1 hour, 60 ml of 10% hydrochloric acid was added, and the mixture was stirred for 1 hour. Ethyl acetate (100 ml) was added, and the mixture was washed sequentially with water and saturated saline, and dried over anhydrous sodium sulfate. The solvent was distilled off and 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,6-difluorophenylboric acid 23.8 g
I got (4) Synthesis of 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,6,3 ′, 4 ′, 5′-pentafluorobiphenyl
【００４６】[0046]
【化１２】 Embedded image
【００４７】上記（３）で得た4-[2-(4-プロピル-2,6-
ジフルオロフェニル)エチル]-2,6-ジフルオロフェニル
ホウ酸10.0g及び1-ブロモ-3,4,5-トリフルオロベンゼン
9.3gをベンゼン50ml及びエタノール25mlに溶解した。２
Ｎ炭酸ナトリウム水溶液50ml及びテトラキス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム(0)0.6gを加え、８時間加
熱還流させた。室温にもどし、水、飽和食塩水で順次洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：ヘキサ
ン）を用いて精製し、さらにエタノールから再結晶し、
４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオロフェニル)エチ
ル]-２，６，３’，４’，５’-ペンタフルオロビフェ
ニル2.3gを得た。この化合物の融点は、97.7℃であっ
た。 （実施例２） ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオ
ロフェニル)エチル]-２，６，３’，４’-テトラフルオ
ロビフェニル（（Ｎｏ．２）の化合物）の合成The 4- [2- (4-propyl-2,6-) obtained in the above (3)
Difluorophenyl) ethyl] -2,6-difluorophenylboric acid 10.0 g and 1-bromo-3,4,5-trifluorobenzene
9.3 g was dissolved in 50 ml of benzene and 25 ml of ethanol. 2
50 ml of N sodium carbonate aqueous solution and 0.6 g of tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) were added, and the mixture was refluxed for 8 hours. It was returned to room temperature, washed sequentially with water and saturated saline, and dried over anhydrous sodium sulfate. Evaporate the solvent,
Purification using silica gel column chromatography (solvent: hexane), recrystallization from ethanol,
2.3 g of 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,6,3 ′, 4 ′, 5′-pentafluorobiphenyl was obtained. The melting point of this compound was 97.7 ° C. (Example 2) Synthesis of 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,6,3 ', 4'-tetrafluorobiphenyl (compound of (No. 2))
【００４８】[0048]
【化１３】 Embedded image
【００４９】実施例１の1-ブロモ-3,4,5-トリフルオロ
ベンゼンの代わりに、1-ブロモ-3,4-ジフルオロベンゼ
ンを用いる他は同様にして、４-[２-(４-プロピル-２，
６-ジフルオロフェニル)エチル]-２，６，３’，４’-
テトラフルオロビフェニルを得た。この化合物の融点は
64.4℃であった。In the same manner as in Example 1 except that 1-bromo-3,4-difluorobenzene was used instead of 1-bromo-3,4,5-trifluorobenzene, 4- [2- (4- Propyl-2,
6-difluorophenyl) ethyl] -2,6,3 ', 4'-
Tetrafluorobiphenyl was obtained. The melting point of this compound is
It was 64.4 ° C.
【００５０】同様にして、以下の化合物を得た。 ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオロフェニル)エチ
ル]-２，３’，４’，５’-テトラフルオロビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２-フルオロフェニル)エチル]-
２，６，３’，４’，５’-ペンタフルオロビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオロフェニル)エチ
ル]-２，６，３’，５’-テトラフルオロ-４’-トリフ
ルオロメトキシビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオロフェニル)エチ
ル]-２，６，３’，５’-テトラフルオロ-４’-ジフル
オロメトキシビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオロフェニル)エチ
ル]-２，６，３’，５’-テトラフルオロ-４’-トリフ
ルオロメチルビフェニル ４-[２-(４-プロピルフェニル)エチル]-２，６，３’，
４’，５’-ペンタフルオロビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオロフェニル)エチ
ル]-２，６，３’-トリフルオロ-４’-トリフルオロメ
トキシビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオロフェニル)エチ
ル]-２，６，３’-トリフルオロ-４’-ジフルオロメト
キシビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオロフェニル)エチ
ル]-２，６，３’-トリフルオロ-４’-トリフルオロメ
チルビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオロフェニル)エチ
ル]-２，３’，５’-トリフルオロ-４’-トリフルオロ
メトキシビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオロフェニル)エチ
ル]-２，３’，５’-トリフルオロ-４’-ジフルオロメ
トキシビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２，６-ジフルオロフェニル)エチ
ル]-２，３’，５’-トリフルオロ-４’-トリフルオロ
メチルビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２-フルオロフェニル)エチル]-
２，６，３’，５’-テトラフルオロ-４’-トリフルオ
ロメトキシビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２-フルオロフェニル)エチル]-
２，６，３’，５’-テトラフルオロ-４’-ジフルオロ
メトキシビフェニル ４-[２-(４-プロピル-２-フルオロフェニル)エチル]-
２，６，３’，５’-テトラフルオロ-４’-トリフルオ
ロメチルビフェニル （実施例３） 液晶組成物の調製（１） 汎用のホスト液晶（Ａ）を調製した。The following compounds were obtained in the same manner. 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,3 ′, 4 ′, 5′-tetrafluorobiphenyl 4- [2- (4-propyl-2-fluorophenyl) ethyl ]-
2,6,3 ', 4', 5'-pentafluorobiphenyl 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,6,3 ', 5'-tetrafluoro-4 '-Trifluoromethoxybiphenyl 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,6,3', 5'-tetrafluoro-4'-difluoromethoxybiphenyl 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,6,3 ', 5'-tetrafluoro-4'-trifluoromethylbiphenyl 4- [2- (4-propylphenyl) ethyl] -2 , 6,3 ',
4 ', 5'-pentafluorobiphenyl 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,6,3'-trifluoro-4'-trifluoromethoxybiphenyl 4- [2 -(4-Propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,6,3'-trifluoro-4'-difluoromethoxybiphenyl 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl ] -2,6,3'-Trifluoro-4'-trifluoromethylbiphenyl 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,3 ', 5'-trifluoro- 4'-trifluoromethoxybiphenyl 4- [2- (4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,3 ', 5'-trifluoro-4'-difluoromethoxybiphenyl 4- [2- ( 4-propyl-2,6-difluorophenyl) ethyl] -2,3 ', 5'-trifluoro-4'-trifluoromethyl Biphenyl 4- [2- (4-propyl-2-fluorophenyl) ethyl] -
2,6,3 ', 5'-tetrafluoro-4'-trifluoromethoxybiphenyl 4- [2- (4-propyl-2-fluorophenyl) ethyl]-
2,6,3 ', 5'-tetrafluoro-4'-difluoromethoxybiphenyl 4- [2- (4-propyl-2-fluorophenyl) ethyl]-
2,6,3 ', 5'-Tetrafluoro-4'-trifluoromethylbiphenyl (Example 3) Preparation of liquid crystal composition (1) A general-purpose host liquid crystal (A) was prepared.
【００５１】[0051]
【化１４】 Embedded image
【００５２】このホスト液晶（Ａ）の20℃で測定したΔ
ε及びしきい値電圧は次の通りであった。 Δε： 6.7 しきい値電圧： 1.60V ホスト液晶（Ａ）９０重量％及び一般式（I）で表され
る化合物で実施例１で得た(No.1)の化合物Δ of the host liquid crystal (A) measured at 20 ° C.
ε and threshold voltage were as follows. Δε: 6.7 Threshold voltage: 1.60 V 90% by weight of the host liquid crystal (A) and the compound represented by the general formula (I) and obtained in Example 1 (No. 1)
【００５３】[0053]
【化１５】 Embedded image
【００５４】１０重量％からなる液晶組成物（Ａ−１）
を調製し、同様にしてΔε及びしきい値電圧を測定した
ところ以下の通りであった。 Δε： 8.3 しきい値電圧： 1.21V 従って、(No.1)の化合物は、大きくΔεを上昇させ、し
きい値電圧を大きく低下させていることがわかる。Liquid crystal composition (A-1) comprising 10% by weight
Was prepared and Δε and the threshold voltage were measured in the same manner, and the results were as follows. Δε: 8.3 Threshold voltage: 1.21 V Therefore, it can be seen that the compound of (No. 1) greatly increases Δε and greatly lowers the threshold voltage.
【００５５】また、この液晶組成物（Ａ−１）を０℃で
７日間保存したが、結晶の析出は見られなかった。 （実施例４） 液晶組成物の調製（２） ホスト液晶（Ａ）８０重量％及び一般式（I）で表され
る化合物で実施例２で得た(No.２)の化合物Further, when this liquid crystal composition (A-1) was stored at 0 ° C. for 7 days, no precipitation of crystals was observed. (Example 4) Preparation of liquid crystal composition (2) Compound (No. 2) obtained in Example 2 with host liquid crystal (A) 80% by weight and compound represented by general formula (I)
【００５６】[0056]
【化１６】 Embedded image
【００５７】２０重量％からなる液晶組成物（Ａ−２）
を調製し、同様にしてΔε及びしきい値電圧を測定した
ところ以下の通りであった。 Δε： 8.0 しきい値電圧： 0.98V 従って、(No.2)の化合物は、大きくΔεを上昇させ、し
きい値電圧を大きく低下させていることがわかる。Liquid crystal composition (A-2) consisting of 20% by weight
Was prepared and Δε and the threshold voltage were measured in the same manner, and the results were as follows. Δε: 8.0 Threshold voltage: 0.98 V Therefore, it can be seen that the compound of (No. 2) greatly increases Δε and greatly lowers the threshold voltage.
【００５８】また、この液晶組成物（Ａ−２）を０℃で
７日間保存したが、結晶の析出は見られなかった。 （比較例１） 化合物（ａ）Further, when this liquid crystal composition (A-2) was stored at 0 ° C. for 7 days, no precipitation of crystals was observed. (Comparative Example 1) Compound (a)
【００５９】[0059]
【化１７】 Embedded image
【００６０】をホスト液晶（Ａ）に混合したところ5重
量％が限度であった。このとき得た比較組成物（Ａ−
ａ）について、同様にして測定したΔε及びしきい値電
圧は以下の通りであった。When mixed with the host liquid crystal (A), the limit was 5% by weight. The comparative composition (A-
Regarding a), Δε and threshold voltage measured in the same manner were as follows.
【００６１】Δε： 7.0 しきい値電圧： 1.50V これ以上添加したところ、室温でただちに結晶が析出し
測定はできなかった。Δε: 7.0 Threshold voltage: 1.50 V When more than this was added, crystals immediately precipitated at room temperature, and measurement was not possible.
【００６２】化合物（ａ）は添加できる量に限りがある
ため、Δεの上昇度が小さく、しきい値電圧についても
低減できる程度（Ｎｏ．１）及び（Ｎｏ．２）の化合物
よりかなり小さいことがわかる。 （比較例２） 化合物（ｂ）Since the amount of the compound (a) that can be added is limited, the degree of increase in Δε is small, and the threshold voltage is also much smaller than the compounds (No. 1) and (No. 2) that can be reduced. I understand. (Comparative Example 2) Compound (b)
【００６３】[0063]
【化１８】 Embedded image
【００６４】をホスト液晶（Ａ）に混合したところ、や
はり5重量％が限度であった。このとき得た比較組成物
（Ａ−ｂ）について、同様にして測定したΔε及びしき
い値電圧は以下の通りであった。When mixed with the host liquid crystal (A), the limit was still 5% by weight. For the comparative composition (Ab) obtained at this time, Δε and the threshold voltage measured in the same manner were as follows.
【００６５】Δε： 7.2 しきい値電圧： 1.36V 化合物（ｂ）は添加できる量に限りがあるため、Δεの
上昇度が小さく、しきい値電圧についても低減できる程
度（Ｎｏ．１）及び（Ｎｏ．２）の化合物よりかなり小
さいことがわかる。 （実施例５） 液晶組成物の調製（３） 汎用のホスト液晶（Ｂ）を調製した。Δε: 7.2 Threshold voltage: 1.36 V Since the amount of compound (b) that can be added is limited, the increase in Δε is small and the threshold voltage can be reduced (No. 1) and ( It turns out that it is considerably smaller than the compound of No. 2). Example 5 Preparation of Liquid Crystal Composition (3) A general-purpose host liquid crystal (B) was prepared.
【００６６】[0066]
【化１９】 Embedded image
【００６７】この組成物の20℃で測定したΔε及びしき
い値電圧は次の通りであった。 Δε： 4.8 しきい値電圧： 2.14V このホスト液晶（Ｂ）９０重量％及び一般式（I）で表
される化合物で実施例１で得た(No.1)の化合物The ΔΔ and threshold voltage of this composition measured at 20 ° C. were as follows. Δε: 4.8 Threshold voltage: 2.14 V 90% by weight of the host liquid crystal (B) and the compound represented by the general formula (I) and obtained in Example 1 (No. 1)
【００６８】[0068]
【化２０】 Embedded image
【００６９】１０重量％からなる液晶組成物（Ｂ−１）
を調製し、同様にしてΔε及びしきい値電圧を測定した
ところ以下の通りであった。 Δε： 7.5 しきい値電圧： 1.67V 従って、(No.1)の化合物は、大きくΔεを上昇させ、し
きい値電圧を大きく低下させていることがわかる。Liquid crystal composition (B-1) consisting of 10% by weight
Was prepared and Δε and the threshold voltage were measured in the same manner, and the results were as follows. Δε: 7.5 Threshold voltage: 1.67 V Therefore, it can be seen that the compound of (No. 1) greatly increases Δε and greatly lowers the threshold voltage.
【００７０】この液晶組成物（Ｂ−１）を０℃で７日間
保存したが、結晶の析出は見られなかった。また、電圧
保持率は９９％と高かった。 （実施例６） 液晶組成物の調製（４） ホスト液晶（Ｂ）８０重量％及び一般式（I）で表され
る化合物で実施例２で得た(No.２)の化合物The liquid crystal composition (B-1) was stored at 0 ° C. for 7 days, but no crystals were precipitated. The voltage holding ratio was as high as 99%. (Example 6) Preparation of liquid crystal composition (4) Compound (No. 2) obtained in Example 2 with 80% by weight of host liquid crystal (B) and a compound represented by general formula (I)
【００７１】[0071]
【化２１】 Embedded image
【００７２】２０重量％からなる液晶組成物（Ｂ−２）
を調製し、同様にしてΔε及びしきい値電圧を測定した
ところ以下の通りであった。 Δε： 9.0 しきい値電圧： 1.40V 従って、(No.２)の化合物は、大きくΔεを上昇させ、
しきい値電圧を大きく低下させていることがわかる。A liquid crystal composition (B-2) comprising 20% by weight
Was prepared and Δε and the threshold voltage were measured in the same manner, and the results were as follows. Δε: 9.0 Threshold voltage: 1.40V Therefore, the compound of (No. 2) greatly increases Δε,
It can be seen that the threshold voltage has been greatly reduced.
【００７３】この液晶組成物（Ｂ−２）を０℃で７日間
保存したが、結晶の析出は見られなかった。また、電圧
保持率は９９％と高かった。 （比較例３） 化合物（ａ）The liquid crystal composition (B-2) was stored at 0 ° C. for 7 days, but no crystals were precipitated. The voltage holding ratio was as high as 99%. (Comparative Example 3) Compound (a)
【００７４】[0074]
【化２２】 Embedded image
【００７５】をホスト液晶（Ｂ）に５重量％加熱混合し
たが、室温で速やかに結晶が析出し、測定はできなかっ
た。 （比較例４） 化合物（ｂ）Was mixed with the host liquid crystal (B) by heating at 5% by weight, but crystals were rapidly precipitated at room temperature, and no measurement was possible. (Comparative Example 4) Compound (b)
【００７６】[0076]
【化２３】 Embedded image
【００７７】をホスト液晶（Ｂ）に５重量％加熱混合し
たが、室温で速やかに結晶が析出し、測定はできなかっ
た。Was mixed with the host liquid crystal (B) by heating at 5% by weight, but crystals were rapidly precipitated at room temperature, and no measurement was possible.
【００７８】[0078]
【発明の効果】本発明により提供される化合物は、実施
例にも示したように工業的にも容易に製造することがで
きる。この得られたフルオロビフェニル誘導体は、ホス
ト液晶との相溶性に優れ、その添加により組成物のΔε
を大きくすることができ、しきい値電圧の低減効果に優
れるため、それを含有する液晶組成物は、特に低電圧駆
動を必要とする実用的液晶表示用材料としてきわめて有
用である。The compounds provided by the present invention can be easily produced industrially as shown in the examples. The obtained fluorobiphenyl derivative has excellent compatibility with the host liquid crystal, and the addition thereof results in a Δε of the composition.
And the liquid crystal composition containing the same is extremely useful as a practical liquid crystal display material particularly requiring low voltage driving.
Claims (5)
Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ 5及びＹ6はそれぞれ独立的に水
素原子またはフッ素原子を表すが、少なくとも５個はフ
ッ素原子を表し、Ｚはフッ素原子、トリフルオロメトキ
シ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基を
表す。）で表される化合物。1. A compound of the general formula (I)(Wherein, R represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,
Y1, YTwo, YThree, YFour, Y FiveAnd Y6Are each independently water
Represents an elemental atom or a fluorine atom, and at least 5
Z represents a fluorine atom, trifluoromethoxy
Group, difluoromethoxy group, trifluoromethyl group
Represent. ).
あるいはトリフルオロメトキシ基であるところの請求項
１記載の化合物。2. The compound according to claim 1, wherein in the formula (I), Z is a fluorine atom or a trifluoromethoxy group.
であるところの請求項２記載の化合物。3. The compound according to claim 2, wherein in the general formula (I), Z is a fluorine atom.
２〜５の直鎖状アルキル基であるところの請求項１、２
又は３記載の化合物。4. The compound according to claim 1, wherein in the general formula (I), R is a straight-chain alkyl group having 2 to 5 carbon atoms.
Or the compound according to 3.
化合物を含有する液晶組成物。5. A liquid crystal composition comprising the compound represented by the general formula (I) according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21977396A JP3899557B2 (en) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | Fluorobibiphenyl derivatives |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21977396A JP3899557B2 (en) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | Fluorobibiphenyl derivatives |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1059882A true JPH1059882A (en) | 1998-03-03 |
| JP3899557B2 JP3899557B2 (en) | 2007-03-28 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7947663B2 (en) | 2006-10-10 | 2011-05-24 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Inhibitors of fatty acid amide hydrolase |
| US8957049B2 (en) | 2008-04-09 | 2015-02-17 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Inhibitors of fatty acid amide hydrolase |
| US9034849B2 (en) | 2010-02-03 | 2015-05-19 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Fatty acid amide hydrolase inhibitors |
-
1996
- 1996-08-21 JP JP21977396A patent/JP3899557B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7947663B2 (en) | 2006-10-10 | 2011-05-24 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Inhibitors of fatty acid amide hydrolase |
| US9108989B2 (en) | 2006-10-10 | 2015-08-18 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Inhibitors of fatty acid amide hydrolase |
| US8957049B2 (en) | 2008-04-09 | 2015-02-17 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Inhibitors of fatty acid amide hydrolase |
| US9034849B2 (en) | 2010-02-03 | 2015-05-19 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Fatty acid amide hydrolase inhibitors |
| US9951089B2 (en) | 2010-02-03 | 2018-04-24 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Methods of treating a fatty acid amide hydrolase-mediated condition |
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|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050620 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060905 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061106 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061205 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061218 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100112 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140112 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |