JPH10114693A - Alkenylbiphenyl derivative - Google Patents

Alkenylbiphenyl derivative

Info

Publication number
JPH10114693A
JPH10114693A JP26843496A JP26843496A JPH10114693A JP H10114693 A JPH10114693 A JP H10114693A JP 26843496 A JP26843496 A JP 26843496A JP 26843496 A JP26843496 A JP 26843496A JP H10114693 A JPH10114693 A JP H10114693A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
biphenyl
compound
liquid crystal
substituted
viscosity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26843496A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sadao Takehara
貞夫 竹原
Haruyoshi Takatsu
晴義 高津
Shinji Ogawa
真治 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DIC Corp
Original Assignee
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd filed Critical Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority to JP26843496A priority Critical patent/JPH10114693A/en
Publication of JPH10114693A publication Critical patent/JPH10114693A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject new compound having low viscosity, large dielectric anisotropy and small lowering degree of the upper limit temperature of nematic phase caused by the addition of the compound and, accordingly, giving a liquid crystal composition having low viscosity and broad liquid crystal temperature range and drivable at a low voltage. SOLUTION: This compound is expressed by the formula I (R is H or a 1-10C alkyl; (m) is 2-6; Z is F, trifluoromethyl, etc.; X and Y are each H or F), e.g. 3,4,5-trifluoro-4'-(3-butenyl)biphenyl. The compound can be produced e.g. by reacting an alkenylbenzene derivative of the formula II (W is Br or I) with an organometallic compound of the formula III (M is MgBr, MgI, etc.) in the presence of a transition metal catalyst. The transition metal catalyst is preferably a palladium (0) complex such as tetrakistriphenylphosphine palladium (0) or a palladium (II) complex such as dicyclobistriphenylphosphine palladium (II).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は新規液晶性化合物で
あるアルケニルビフェニル誘導体及びそれを含有する液
晶組成物に関する。これらは電気光学的液晶表示用、特
に低電圧駆動と高速応答が可能なネマチック液晶材料と
して有用である。
The present invention relates to an alkenyl biphenyl derivative which is a novel liquid crystal compound and a liquid crystal composition containing the same. These are useful for electro-optical liquid crystal displays, especially as nematic liquid crystal materials capable of low-voltage driving and high-speed response.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッ
サー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ
等に用いられるようになっている。液晶表示方式として
は、その代表的なものにTN(捩れネマチック)型、S
TN(超捩れネマチック)型、DS(動的光散乱)型、
GH(ゲスト・ホスト)型あるいはFLC(強誘電性液
晶)等があり、また駆動方式としても従来のスタティッ
ク駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さら
に単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリッ
クス方式が実用化されている。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display elements have been used in various measuring instruments, such as watches and calculators, automobile panels, word processors, electronic organizers, printers, computers, televisions, and the like. Typical liquid crystal display methods are TN (twisted nematic) type and S type.
TN (super twisted nematic) type, DS (dynamic light scattering) type,
There are GH (guest / host) type or FLC (ferroelectric liquid crystal), etc., and the driving method is generally multiplex driving instead of conventional static driving, and moreover, simple matrix method, recently active matrix method is practical. Has been

【0003】これらの表示方式や駆動方式に応じて、液
晶材料としても種々の特性が要求されているが、中でも
応答の高速化と駆動電圧の低下は最近特に重要視されて
いる。
According to these display systems and drive systems, various characteristics are required also as a liquid crystal material. Among them, a high-speed response and a decrease in drive voltage have been particularly emphasized recently.

【0004】応答を高速化するために液晶材料に求めら
れる物性は直接的には(i)粘性を小さくするか、ある
いは(ii)弾性定数を大きくすることである。しかし
ながら、弾性定数を大きくした場合には閾値電圧が上昇
することが多い。従って、低電圧駆動が要求される場合
には、弾性定数はあまり大きくせずにその粘性を小さく
することが重要である。 一方、閾値電圧を低下させて
低電圧駆動を可能とするためには(i)誘電率異方性を
大きくするか、あるいは(ii)弾性定数を小さくしな
ければならない。しかしながら、弾性定数を小さくする
と今度は応答が遅くなるので、誘電率異方性を大きくす
ることが必要である。
The physical properties required of a liquid crystal material to increase the response speed are directly (i) reducing the viscosity or (ii) increasing the elastic constant. However, when the elastic constant is increased, the threshold voltage often rises. Therefore, when low voltage driving is required, it is important to reduce the viscosity without increasing the elastic constant too much. On the other hand, in order to enable low-voltage driving by lowering the threshold voltage, it is necessary to (i) increase the dielectric anisotropy or (ii) reduce the elastic constant. However, when the elastic constant is reduced, the response becomes slower this time, so it is necessary to increase the dielectric anisotropy.

【0005】従って、高速応答と低電圧駆動を両立させ
るためには、低粘性で且つ誘電率異方性が大きいいわゆ
るP型の液晶が必要である。しかしながら、こうした低
粘性P型化合物は一般に液晶性が低い。そのため組成物
中に充分量添加できない、あるいはその温度補償のため
粘性の大きい高温液晶を同時に用いる必要があるなど、
その効果が十分発揮できない場合が多い。従って、必ず
しも液晶性を示す必要がないにしても、その添加による
ネマチック相上限温度(TN-I)の低下度合いの小さいこ
とが望まれる。
Therefore, in order to achieve both high-speed response and low-voltage driving, a so-called P-type liquid crystal having low viscosity and large dielectric anisotropy is required. However, such low-viscosity P-type compounds generally have low liquid crystallinity. For this reason, a sufficient amount cannot be added to the composition, or it is necessary to simultaneously use a high-temperature liquid crystal having large viscosity for temperature compensation,
In many cases, the effect cannot be sufficiently exhibited. Therefore, even if it is not necessary to exhibit liquid crystallinity, it is desired that the addition lowers the degree of reduction in the maximum temperature of the nematic phase (T NI ).

【0006】以上のことから、粘性が小さく、誘電率異
方性が大きいP型の化合物であって、且つその添加によ
るネマチック相上限温度(TN-I)の降下度ができるだけ
小さい液晶性化合物が望まれている。
[0006] From the above, a liquid crystal compound which is a P-type compound having a small viscosity and a large dielectric anisotropy and having a minimum decrease in the maximum nematic phase temperature (T NI ) due to its addition is desired. It is rare.

【0007】現在、こうした条件を比較的よく満足させ
ている低粘性液晶としては例えば、一般式(II)
At present, as a low-viscosity liquid crystal which satisfies these conditions relatively well, for example, the following general formula (II)

【0008】[0008]

【化2】 Embedded image

【0009】で表されるフッ素系ビフェニル誘導体や、
一般式(III)
A fluorine-containing biphenyl derivative represented by
General formula (III)

【0010】[0010]

【化3】 Embedded image

【0011】で表されるフッ素系シクロヘキシルベンゼ
ン誘導体をあげることができる。 上式中、Raは直鎖
状アルキル基を表し、U及びVはそれぞれ、フッ素原子
あるいは水素原子を表す。
The fluorine-containing cyclohexylbenzene derivative represented by the following formula: In the above formula, R a represents a linear alkyl group, U and V, respectively, represent a fluorine atom or a hydrogen atom.

【0012】しかしながら、これらの化合物を用いて
も、液晶材料の粘性低下や低駆動電圧化、さらに広い温
度範囲の確保等の要求に同時には応え難くなってきてい
るのが実情であり、さらに優れた液晶性化合物が望まれ
ている。
However, even with the use of these compounds, it is actually difficult to simultaneously meet the demands such as lowering the viscosity of the liquid crystal material, lowering the driving voltage, and securing a wider temperature range. Liquid crystalline compounds have been desired.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、以上の目的に応じるため、粘性が小さくそ
の誘電率異方性の大きいビフェニル誘導体であって、且
つその添加によるTN-Iの低下度合いの小さい液晶性化
合物を提供し、さらにこれを用いて低粘性で液晶温度範
囲が広く、且つしきい値電圧が低く低電圧駆動の可能な
液晶組成物を提供することにある。
An object of the present invention [0005] to solve is to meet the above object, a viscosity less large biphenyl derivative of the dielectric anisotropy, and by the addition of T NI It is an object of the present invention to provide a liquid crystal compound having a small degree of reduction, and to provide a liquid crystal composition having a low viscosity, a wide liquid crystal temperature range, a low threshold voltage, and a low voltage drive using the compound.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、 1.一般式(I)
The present invention has been made in order to solve the above problems. General formula (I)

【0015】[0015]

【化4】 Embedded image

【0016】(式中、Rは水素原子又は炭素原子数1〜
10のアルキル基を表し、mは2〜6の整数を表し、Z
はフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリ
フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又は2,
2,2−トリフルオロエトキシ基を表し、X及びYはそ
れぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表す。)で表
される化合物。 2.一般式(I)において、Zがフッ素原子あるいはト
リフルオロメトキシ基であるところの上記1記載の化合
物。 3.一般式(I)において、m=2であるところの上記
1又は2記載の化合物。 4.一般式(I)において、Rが水素原子であるところ
の上記1、2又は3記載の化合物。5.上記1記載の一
般式(I)で表される化合物を含有する液晶組成物。 を前記解決手段とした。
(Wherein R is a hydrogen atom or a group having 1 to carbon atoms)
Represents an alkyl group of 10, m represents an integer of 2 to 6,
Is a fluorine atom, a chlorine atom, a trifluoromethyl group, a trifluoromethoxy group, a difluoromethoxy group or 2,
Represents a 2,2-trifluoroethoxy group, and X and Y each independently represent a hydrogen atom or a fluorine atom. ). 2. 2. The compound according to the above 1, wherein in the general formula (I), Z is a fluorine atom or a trifluoromethoxy group. 3. 3. The compound according to the above 1 or 2, wherein m = 2 in the general formula (I). 4. 4. The compound according to the above 1, 2, or 3, wherein R is a hydrogen atom in the general formula (I). 5. 2. A liquid crystal composition comprising the compound represented by the general formula (I) as described in 1 above. As the above-mentioned solution.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下に本発明の一例について説明
する。本発明の一般式(I)において、Rは水素原子又
は炭素原子数1〜10のアルキル基を表すが、水素原子
又は炭素原子数1〜3の直鎖状アルキル基が好ましく、
低粘性を得るためには特に水素原子であることが好まし
い。また、Rがアルキル基を表す場合には、二重結合は
トランス配置であることが好ましい。mは2〜6の整数
を表すが、2〜4が好ましく、特に2がさらに好まし
い。従って、側鎖全体としては3−アルケニル基又は末
端アルケニル基が好ましく、特に3−ブテニル基が最も
好ましい。X及びYはそれぞれ独立的に水素原子又はフ
ッ素原子を表すが、しきい値電圧の低減効果を高めるた
めにはその少なくとも1個はフッ素原子であることが好
ましい。Zはフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチ
ル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基
又はトリフルオロエトキシ基を表すが、フッ素原子及び
トリフルオロメトキシ基が好ましい。 一般式(I)の
化合物は以下の工程に基づいて製造することができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An example of the present invention will be described below. In the general formula (I) of the present invention, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms,
In order to obtain a low viscosity, a hydrogen atom is particularly preferable. When R represents an alkyl group, the double bond is preferably in a trans configuration. m represents an integer of 2 to 6, preferably 2 to 4, and particularly preferably 2. Therefore, the entire side chain is preferably a 3-alkenyl group or a terminal alkenyl group, and most preferably a 3-butenyl group. X and Y each independently represent a hydrogen atom or a fluorine atom, but at least one of them is preferably a fluorine atom in order to enhance the effect of reducing the threshold voltage. Z represents a fluorine atom, a chlorine atom, a trifluoromethyl group, a trifluoromethoxy group, a difluoromethoxy group or a trifluoroethoxy group, and a fluorine atom and a trifluoromethoxy group are preferred. The compound of the general formula (I) can be produced based on the following steps.

【0018】即ち、一般式(IVa)That is, the general formula (IVa)

【0019】[0019]

【化5】 Embedded image

【0020】で表されるアルケニルベンゼン誘導体と一
般式(Vb)
An alkenylbenzene derivative represented by the general formula (Vb)

【0021】[0021]

【化6】 Embedded image

【0022】で表される有機金属化合物とを遷移金属触
媒存在下に反応させることにより容易に製造することが
できる。上式中、Wは臭素原子又はヨウ素原子を表す
が、ヨウ素原子が好ましく、MはMgBr、MgCl、
MgI又はLiを表すが、MgBr又はMgIが好まし
い。また、R、m、X、Y及びZは一般式(I)におけ
ると同じ意味を表す。
The compound can be easily produced by reacting the compound with the organometallic compound represented by the formula (1) in the presence of a transition metal catalyst. In the above formula, W represents a bromine atom or an iodine atom, preferably an iodine atom, and M represents MgBr, MgCl,
It represents MgI or Li, preferably MgBr or MgI. Further, R, m, X, Y and Z represent the same meaning as in the general formula (I).

【0023】遷移金属触媒としてはパラジウム系又はニ
ッケル系触媒が好ましく、特にテトラキストリフェニル
ホスフィンパラジウム(0)等のパラジウム(0)錯体、及び
ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム(II)等
のパラジウム(II)錯体が好ましい。
The transition metal catalyst is preferably a palladium-based or nickel-based catalyst, particularly a palladium (0) complex such as tetrakistriphenylphosphinepalladium (0) and a palladium (II) complex such as dichlorobistriphenylphosphinepalladium (II). Is preferred.

【0024】あるいは、一般式(Va)Alternatively, the general formula (Va)

【0025】[0025]

【化7】 Embedded image

【0026】で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体と一
般式(IVb)
A halogenated benzene derivative represented by the general formula (IVb)

【0027】[0027]

【化8】 Embedded image

【0028】で表される有機金属化合物とを同様に反応
させることによっても製造することができる。上式中、
Wは臭素原子又はヨウ素原子を表すが、ヨウ素原子が好
ましく、MはMgBr、MgCl、MgI又はLiを表
すが、MgBr又はMgIが好ましい。また、R、m、
X、Y及びZは一般式(I)におけると同じ意味を表
す。
Can also be produced by reacting the same with the organometallic compound represented by the formula (1). In the above formula,
W represents a bromine atom or an iodine atom, preferably an iodine atom, and M represents MgBr, MgCl, MgI or Li, preferably MgBr or MgI. Also, R, m,
X, Y and Z have the same meaning as in formula (I).

【0029】この工程の選択には特に制限はなく、出発
原料の入手の容易さ、最終化合物の収率及び精製の容易
さ等から決定すればよい。また、ここで用いた一般式
(IVa)においてWがヨウ素原子である化合物は、本
発明者らが他にさきがけて既に報告した化合物である。
The selection of this step is not particularly limited, and may be determined based on the availability of starting materials, the yield of the final compound, the ease of purification, and the like. In addition, the compound in which W is an iodine atom in the general formula (IVa) used here is a compound that the present inventors have previously reported elsewhere.

【0030】斯くして製造された本発明の代表的な化合
物をその相転移温度とともに第1表にまとめて示す。
Representative compounds of the present invention thus prepared are shown in Table 1 together with their phase transition temperatures.

【0031】[0031]

【表1】 [Table 1]

【0032】(表中、Crは結晶相を表し、Iは等方性
液体相を表し、相転移温度は「℃」である。)第1表か
らわかるように、本発明の一般式(I)の化合物は単独
では液晶相を示さない。しかしながら、後述するよう
に、現在汎用の液晶組成物に添加した場合のネマチック
相上限温度(TN-I)は、前述の一般式(II)又は一般
式(III)の化合物と比較すると、その低下度合いは
比較的小さいことから、改善された液晶性を有すること
がわかる。
(In the table, Cr represents a crystal phase, I represents an isotropic liquid phase, and the phase transition temperature is “° C.”.) As can be seen from Table 1, the general formula (I) of the present invention is used. The compound of (1) alone does not show a liquid crystal phase. However, as described later, the maximum temperature of the nematic phase (T NI ) when added to a general-purpose liquid crystal composition is lower than that of the compound of the general formula (II) or the general formula (III). Is relatively small, which means that it has improved liquid crystallinity.

【0033】一般式(I)の化合物を液晶組成物中に添
加することにより得られる優れた効果は以下の通りであ
る。一般式(I)で表される化合物の中でm=2である
代表的な化合物であり、第1表中に示されたNo.(I
−1)
The excellent effects obtained by adding the compound of the general formula (I) to the liquid crystal composition are as follows. Among the compounds represented by the general formula (I), it is a typical compound where m = 2. (I
-1)

【0034】[0034]

【化9】 Embedded image

【0035】の化合物20重量%及びホスト液晶組成物
(H)
20% by weight of the compound (A) and the host liquid crystal composition (H)

【0036】[0036]

【化10】 Embedded image

【0037】80重量%からなる液晶組成物(M−1)
を調製した。ここで用いたホスト液晶(H)の特性値は
以下の通りである。 TN-I: 116.7℃ 閾値電圧(Vth): 1.88V 粘度(20℃): 19.8cp 誘電率異方性(Δε): 4.8 屈折率異方性(Δn): 0.090 ここで、閾値電圧(Vth)は、厚さ4.5μmのTNセ
ルに封入して20℃で測定した値であり、粘度、誘電率
異方性及び屈折率異方性はすべて20℃における測定値
である。
Liquid crystal composition (M-1) consisting of 80% by weight
Was prepared. The characteristic values of the host liquid crystal (H) used here are as follows. T NI : 116.7 ° C. Threshold voltage (V th ): 1.88 V Viscosity (20 ° C.): 19.8 cp Dielectric anisotropy (Δε): 4.8 Refractive index anisotropy (Δn): 0.090 Here, the threshold voltage (V th ) is a value measured at 20 ° C. by enclosing in a TN cell having a thickness of 4.5 μm, and the viscosity, dielectric anisotropy and refractive index anisotropy are all at 20 ° C. It is a measured value.

【0038】これに対して、(M−1)の特性値は以下
の通りとなった。 TN-I: 72.5℃ 閾値電圧(Vth): 1.35V 粘度(20℃): 15.2cp 誘電率異方性(Δε): 5.7 屈折率異方性(Δn): 0.088 一方、これに対し、従来用いられている一般式(II)
で表される代表的な式(A)
On the other hand, the characteristic values of (M-1) were as follows. T NI : 72.5 ° C. Threshold voltage (V th ): 1.35 V Viscosity (20 ° C.): 15.2 cp Dielectric anisotropy (Δε): 5.7 Refractive index anisotropy (Δn): 0.088 On the other hand, on the other hand, the conventionally used general formula (II)
Typical formula (A) represented by

【0039】[0039]

【化11】 Embedded image

【0040】の化合物20重量%及びホスト液晶(H)
80重量%からなる液晶組成物(M−A)を調製し、測
定した特性値は以下の通りであった。 TN-I: 69.0℃ 閾値電圧(Vth): 1.33V 粘度(20℃): 16.0cp 誘電率異方性(Δε): 5.7 屈折率異方性(Δn): 0.086 さらに、従来用いられている一般式(III)で表され
る代表的な式(B)
20% by weight of the compound (A) and a host liquid crystal (H)
A liquid crystal composition (MA) consisting of 80% by weight was prepared, and the measured characteristic values were as follows. T NI : 69.0 ° C. Threshold voltage (V th ): 1.33 V Viscosity (20 ° C.): 16.0 cp Dielectric anisotropy (Δε): 5.7 Refractive index anisotropy (Δn): 0.086 Furthermore, a typical formula (B) represented by a general formula (III) conventionally used

【0041】[0041]

【化12】 Embedded image

【0042】の化合物20重量%及びホスト液晶(H)
80重量%からなる液晶組成物(M−B)を調製し、測
定した特性値は以下の通りであった。 TN-I: 70.5℃ 閾値電圧(Vth): 1.46V 粘度(20℃): 15.5cp 誘電率異方性(Δε): 5.8 屈折率異方性(Δn): 0.082 以上のように、本発明の液晶組成物(M−I)は、(M
−A)に匹敵する低い閾値電圧と、(M−B)に匹敵す
る低い粘性を示し、加えていずれの組成物よりも高いT
N-Iを有することがわかる。
20% by weight of the compound (A) and a host liquid crystal (H)
A liquid crystal composition (MB) consisting of 80% by weight was prepared, and the measured characteristic values were as follows. T NI : 70.5 ° C. Threshold voltage (V th ): 1.46 V Viscosity (20 ° C.): 15.5 cp Dielectric anisotropy (Δε): 5.8 Refractive index anisotropy (Δn): 0.082 As described above, the liquid crystal composition (MI) of the present invention comprises (M
-Exhibits a low threshold voltage comparable to (A) and a low viscosity comparable to (MB), plus a higher T than any of the compositions
It can be seen that it has NI .

【0043】従って、温度範囲が広く、低粘性で且つ駆
動電圧の低い液晶組成物を得るうえにおいて、一般式
(I)のNo.(I−1)の化合物は、一般式(II)
で表される式(A)あるいは一般式(III)で表され
る式(B)の化合物より優れた特性を示すことがわか
る。
Accordingly, in order to obtain a liquid crystal composition having a wide temperature range, a low viscosity and a low driving voltage, No. 1 of the general formula (I) is used. The compound of the formula (I-1) is represented by the general formula (II)
It can be seen that the compound has more excellent properties than the compound of the formula (A) represented by the formula (A) or the compound of the formula (B) represented by the formula (III).

【0044】次に、第1表中に示されたNo.(I−
4)
Next, No. 1 shown in Table 1 was used. (I-
4)

【0045】[0045]

【化13】 Embedded image

【0046】の化合物20重量%及びホスト液晶(H)
80重量%からなる液晶組成物(M−4)を調製した。
この組成物の特性値は以下の通りとなった。 TN-I: 80.5℃ 閾値電圧(Vth): 1.71V 粘度(20℃): 14.0cp 誘電率異方性(Δε): 5.0 屈折率異方性(Δn): 0.097 従って、(M−1)と比較すると閾値電圧は多少高くな
ったが、その粘性はさらに低減させることができ、T
N-Iも高くすることができた。
20% by weight of the compound (A) and a host liquid crystal (H)
A liquid crystal composition (M-4) consisting of 80% by weight was prepared.
The characteristic values of this composition were as follows. T NI : 80.5 ° C. Threshold voltage (V th ): 1.71 V Viscosity (20 ° C.): 14.0 cp Dielectric anisotropy (Δε): 5.0 Refractive index anisotropy (Δn): 0.097 Accordingly, although the threshold voltage was slightly higher than that of (M-1), its viscosity could be further reduced, and T
NI could also get higher.

【0047】このように、本発明の一般式(I)の化合
物は、低粘性で応答性に優れ且つネマチック相温度範囲
が広く、加えて閾値電圧の低い液晶組成物を得る上にお
いて、従来の化合物より優れた効果を示すことが明らか
である。
As described above, the compound of the general formula (I) of the present invention has a low viscosity, excellent responsiveness, a wide nematic phase temperature range, and a conventional liquid crystal composition having a low threshold voltage. It is evident that it shows an effect superior to the compound.

【0048】従って、本発明の一般式(I)の化合物
は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、T
N型あるいはSTN型等の電界効果型表示セル用とし
て、特に低電圧駆動が可能な低粘性高速応答性の材料と
して好適に使用することができる。また本発明の一般式
(I)の化合物は、分子内に強い極性基を持たないの
で、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易で
あり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成
分として使用することも可能である。本発明はこのよう
に一般式(I)で表される化合物の少なくとも1種類を
その構成成分として含有する液晶組成物をも提供するも
のである。 この組成物中において、一般式(I)の化
合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化
合物の好ましい代表例としては、例えば、4−置換安息
香酸4−置換フェニル、4−置換シクロヘキサンカルボ
ン酸4−置換フェニル、4−置換シクロヘキサンカルボ
ン酸4’−置換ビフェニリル、4−(4−置換シクロヘ
キサンカルボニルオキシ)安息香酸4−置換フェニル、
4−(4−置換シクロヘキシル)安息香酸4−置換フェ
ニル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香酸4−置
換シクロヘキシル、4,4’−置換ビフェニル、1−
(4−置換シクロヘキシル)−4−置換ベンゼン、4,
4’−置換ビシクロヘキサン、1−[2−(4−置換シ
クロヘキシル)エチル]−4−置換ベンゼン、1−(4
−置換シクロヘキシル)−2−(4−置換シクロヘキシ
ル)エタン、4,4”−置換ターフェニル、4−(4−
置換シクロヘキシル)−4’−置換ビフェニル、4−
[2−(4−置換シクロヘキシル)エチル]−4’−置
換ビフェニル、4−(4−置換フェニル)−4’−置換
ビシクロヘキサン、4−[2−(4−置換シクロヘキシ
ル)エチル]−4’−置換ビフェニル、4−[2−(4
−置換シクロヘキシル)エチル]シクロヘキシル−4’
−置換ベンゼン、4−[2−(4−置換フェニル)エチ
ル]−4’−置換ビシクロヘキサン、1−(4−置換フ
ェニルエチニル)−4−置換ベンゼン、1−(4−置換
フェニルエチニル)−4−(4−置換シクロヘキシル)
ベンゼン、2−(4−置換フェニル)−5−置換ピリミ
ジン、2−(4’−置換ビフェニリル)−5−置換ピリ
ミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換
基を有する化合物等を挙げることができる。
Therefore, the compound of the general formula (I) of the present invention has a T
It can be suitably used as a material for an N-type or STN-type field effect display cell, particularly as a low-viscosity high-speed responsive material that can be driven at a low voltage. Further, since the compound of the general formula (I) of the present invention does not have a strong polar group in the molecule, it is easy to obtain a large specific resistance and a high voltage holding ratio, and as a component of a liquid crystal material for driving an active matrix. It is also possible to use. The present invention also provides a liquid crystal composition containing at least one compound represented by the general formula (I) as a component thereof. Preferred representative examples of the nematic liquid crystal compound which can be used as a mixture with the compound of the general formula (I) in this composition include, for example, 4-substituted benzoic acid 4-substituted phenyl, 4-substituted cyclohexanecarboxylic acid 4-substituted phenyl, 4-substituted cyclohexanecarboxylic acid 4'-substituted biphenylyl, 4- (4-substituted cyclohexanecarbonyloxy) benzoate 4-substituted phenyl,
4- (4-substituted cyclohexyl) benzoic acid 4-substituted phenyl, 4- (4-substituted cyclohexyl) benzoic acid 4-substituted cyclohexyl, 4,4′-substituted biphenyl, 1-
(4-substituted cyclohexyl) -4-substituted benzene, 4,
4′-substituted bicyclohexane, 1- [2- (4-substituted cyclohexyl) ethyl] -4-substituted benzene, 1- (4
-Substituted cyclohexyl) -2- (4-substituted cyclohexyl) ethane, 4,4 "-substituted terphenyl, 4- (4-
(Substituted cyclohexyl) -4′-substituted biphenyl, 4-
[2- (4-substituted cyclohexyl) ethyl] -4'-substituted biphenyl, 4- (4-substituted phenyl) -4'-substituted bicyclohexane, 4- [2- (4-substituted cyclohexyl) ethyl] -4 ' -Substituted biphenyl, 4- [2- (4
-Substituted cyclohexyl) ethyl] cyclohexyl-4 ′
-Substituted benzene, 4- [2- (4-substituted phenyl) ethyl] -4'-substituted bicyclohexane, 1- (4-substituted phenylethynyl) -4-substituted benzene, 1- (4-substituted phenylethynyl)- 4- (4-substituted cyclohexyl)
Examples include benzene, 2- (4-substituted phenyl) -5-substituted pyrimidine, 2- (4′-substituted biphenylyl) -5-substituted pyrimidine, and compounds in which the benzene ring has a lateral substituent in each of the above compounds. it can.

【0049】このうちアクティブマトリックス駆動用と
しては4,4’−置換ビフェニル、1−(4−置換シク
ロヘキシル)−4−置換ベンゼン、4,4’−置換ビシ
クロヘキサン、1−[2−(4−置換シクロヘキシル)
エチル]−4−置換ベンゼン、1−(4−置換シクロヘ
キシル)−2−(4−置換シクロヘキシル)エタン、
4,4”−置換ターフェニル、4−(4−置換シクロヘ
キシル)−4’−置換ビフェニル、4−[2−(4−置
換シクロヘキシル)エチル]−4’−置換ビフェニル、
4−(4−置換フェニル)−4’−置換ビシクロヘキサ
ン、4−[2−(4−置換シクロヘキシル)エチル]−
4’−置換ビフェニル、4−[2−(4−置換シクロヘ
キシル)エチル]シクロヘキシル−4’−置換ベンゼ
ン、4−[2−(4−置換フェニル)エチル]−4’−
置換ビシクロヘキサン、1−(4−置換フェニルエチニ
ル)−4−置換ベンゼン、1−(4−置換フェニルエチ
ニル)−4−(4−置換シクロヘキシル)ベンゼン及び
上記においてベンゼン環がフッ素置換されている化合物
が適している。
Among them, 4,4'-substituted biphenyl, 1- (4-substituted cyclohexyl) -4-substituted benzene, 4,4'-substituted bicyclohexane, 1- [2- (4- Substituted cyclohexyl)
Ethyl] -4-substituted benzene, 1- (4-substituted cyclohexyl) -2- (4-substituted cyclohexyl) ethane,
4,4 "-substituted terphenyl, 4- (4-substituted cyclohexyl) -4'-substituted biphenyl, 4- [2- (4-substituted cyclohexyl) ethyl] -4'-substituted biphenyl,
4- (4-substituted phenyl) -4'-substituted bicyclohexane, 4- [2- (4-substituted cyclohexyl) ethyl]-
4'-substituted biphenyl, 4- [2- (4-substituted cyclohexyl) ethyl] cyclohexyl-4'-substituted benzene, 4- [2- (4-substituted phenyl) ethyl] -4'-
Substituted bicyclohexane, 1- (4-substituted phenylethynyl) -4-substituted benzene, 1- (4-substituted phenylethynyl) -4- (4-substituted cyclohexyl) benzene and compounds in which the benzene ring is fluorine-substituted Is suitable.

【0050】[0050]

【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
EXAMPLES Examples of the present invention are shown below to further explain the present invention. However, the invention is not limited to these examples.

【0051】化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル
(NMR)、質量スペクトル(MS)及び赤外吸収スペ
クトル(IR)により確認した。組成物における「%」
は『重量%』を表す。 (参考例1) 4−ヨード−1−(3−ブテニル)ベン
ゼンの合成 マグネシウム16.4gを乾燥したTHF20mL中に
懸濁させた。これに4−ブロモ−1−(3−ブテニル)
ベンゼン150gのTHF600mL溶液を溶媒が穏や
かに還流を続ける速度で滴下した。滴下終了後、2時間
攪拌し、室温まで放冷した。ヨウ素162gをTHF4
80mLに溶解し10℃で1時間で滴下した。滴下終了
後、1時間攪拌した後、水次いで亜硫酸水素ナトリウム
水溶液を加え、トルエンで抽出した。有機層を水、次い
で飽和食塩水で洗滌し無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(ヘキサン)を用いて精製して、4−
ヨード−1−(3−ブテニル)ベンゼン171gを得
た。 (実施例1) 3,4,5−トリフルオロ−4’−(3
−ブテニル)ビフェニルの合成
The structure of the compound was confirmed by a nuclear magnetic resonance spectrum (NMR), a mass spectrum (MS) and an infrared absorption spectrum (IR). "%" In the composition
Represents "% by weight". Reference Example 1 Synthesis of 4-iodo-1- (3-butenyl) benzene 16.4 g of magnesium was suspended in 20 mL of dry THF. To this 4-bromo-1- (3-butenyl)
A solution of 150 g of benzene in 600 mL of THF was added dropwise at a rate at which the solvent continued to gently reflux. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 2 hours and allowed to cool to room temperature. 162 g of iodine in THF4
It was dissolved in 80 mL and added dropwise at 10 ° C. for 1 hour. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 1 hour, water and then an aqueous solution of sodium hydrogen sulfite were added, and the mixture was extracted with toluene. The organic layer was washed with water and then with a saturated saline solution and dried over anhydrous sodium sulfate.
The crude product obtained by evaporating the solvent was purified by silica gel column chromatography (hexane) to give 4-
171 g of iodo-1- (3-butenyl) benzene was obtained. (Example 1) 3,4,5-trifluoro-4 '-(3
Synthesis of -butenyl) biphenyl

【0052】[0052]

【化14】 Embedded image

【0053】マグネシウム1.84gを乾燥したTHF
2mL中に懸濁させた。これに4−ブロモ−3,4,5
−トリフルオロベンゼン15.9gのTHF60mL溶
液を溶媒が穏やかに還流を続ける速度で滴下した。滴下
後さらに2時間攪拌した後、室温まで放冷してグリニヤ
ール反応剤を調製した。次に、参考例1で得た4−ヨー
ド−1−(3−ブテニル)ベンゼン15gをTHF60
mLに溶解し、テトラキストリフェニルホスフィンパラ
ジウム(0)670mgを加えた。これに上記で調製した
グリニヤール反応剤を30℃以下で2時間かけて滴下し
た。さらに2時間攪拌した後、水及び少量の稀塩酸を加
え、酢酸エチルで抽出した。水、次いで飽和食塩水で洗
滌した後、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。溶媒
を溜去して得られた粗生成物18.7gをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(ヘキサン)を用いて精製して
無色油状の3,4,5−トリフルオロ−4’−(3−ブ
テニル)ビフェニル15.2gを得た。
1.84 g of magnesium was dried in THF
Suspended in 2 mL. 4-bromo-3,4,5
-A solution of 15.9 g of trifluorobenzene in 60 mL of THF was added dropwise at such a rate that the solvent continued to gently reflux. After the addition, the mixture was further stirred for 2 hours, and then allowed to cool to room temperature to prepare a Grignard reagent. Next, 15 g of 4-iodo-1- (3-butenyl) benzene obtained in Reference Example 1 was added to THF60.
The solution was dissolved in mL, and 670 mg of tetrakistriphenylphosphine palladium (0) was added. The Grignard reagent prepared above was added dropwise thereto at 30 ° C. or lower over 2 hours. After further stirring for 2 hours, water and a small amount of diluted hydrochloric acid were added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. After washing with water and then with a saturated saline solution, it was dehydrated and dried with anhydrous sodium sulfate. The solvent was distilled off, and 18.7 g of a crude product obtained was purified by silica gel column chromatography (hexane) to give a colorless oily 3,4,5-trifluoro-4 ′-(3-butenyl) biphenyl. 15.2 g were obtained.

【0054】同様にして以下の化合物を得た。 3,4−ジフルオロ−4’−(3−ブテニル)ビフェニ
ル 4−フルオロ−4’−(3−ブテニル)ビフェニル 4−トリフルオロメトキシ−4’−(3−ブテニル)ビ
フェニル 3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシ−4’−(3
−ブテニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−トリフルオロメトキシ−4’
−(3−ブテニル)ビフェニル 4−ジフルオロメトキシ−4’−(3−ブテニル)ビフ
ェニル 3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシ−4’−(3−
ブテニル)ビフェニル3,5−ジフルオロ−4−ジフル
オロメトキシ−4’−(3−ブテニル)ビフェニル 4−トリフルオロメチル−4’−(3−ブテニル)ビフ
ェニル 3−フルオロ−4−トリフルオロメチル−4’−(3−
ブテニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−トリフルオロメチル−4’−
(3−ブテニル)ビフェニル 4−クロロ−4’−(3−ブテニル)ビフェニル 3−フルオロ−4−クロロ−4’−(3−ブテニル)ビ
フェニル 3,5−ジフルオロ−4−クロロ−4’−(3−ブテニ
ル)ビフェニル 4−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)−4’−
(3−ブテニル)ビフェニル 3−フルオロ−4−(2,2,2−トリフルオロエトキ
シ)−4’−(3−ブテニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−(2,2,2−トリフルオロ
エトキシ)−4’−(3−ブテニル)ビフェニル 3,4,5−トリフルオロ−4’−(5−ヘキセニル)
ビフェニル 3,4−ジフルオロ−4’−(5−ヘキセニル)ビフェ
ニル 4−フルオロ−4’−(5−ヘキセニル)ビフェニル 4−トリフルオロメトキシ−4’−(5−ヘキセニル)
ビフェニル 3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシ−4’−(5
−ヘキセニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−トリフルオロメトキシ−4’
−(5−ヘキセニル)ビフェニル 4−ジフルオロメトキシ−4’−(5−ヘキセニル)ビ
フェニル 3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシ−4’−(5−
ヘキセニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−ジフルオロメトキシ−4’−
(5−ヘキセニル)ビフェニル 4−トリフルオロメチル−4’−(5−ヘキセニル)ビ
フェニル 3−フルオロ−4−トリフルオロメチル−4’−(5−
ヘキセニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−トリフルオロメチル−4’−
(5−ヘキセニル)ビフェニル 4−クロロ−4’−(5−ヘキセニル)ビフェニル 3−フルオロ−4−クロロ−4’−(5−ヘキセニル)
ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−クロロ−4’−(5−ヘキセ
ニル)ビフェニル 4−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)−4’−
(5−ヘキセニル)ビフェニル 3−フルオロ−4−(2,2,2−トリフルオロエトキ
シ)−4’−(5−ヘキセニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−(2,2,2−トリフルオロ
エトキシ)−4’−(5−ヘキセニル)ビフェニル 3,4,5−トリフルオロ−4’−(4−ペンテニル)
ビフェニル 3,4−ジフルオロ−4’−(4−ペンテニル)ビフェ
ニル 4−フルオロ−4’−(4−ペンテニル)ビフェニル 4−トリフルオロメトキシ−4’−(4−ペンテニル)
ビフェニル 3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシ−4’−(4
−ペンテニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−トリフルオロメトキシ−4’
−(4−ペンテニル)ビフェニル 4−ジフルオロメトキシ−4’−(4−ペンテニル)ビ
フェニル 3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシ−4’−(4−
ペンテニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−ジフルオロメトキシ−4’−
(4−ペンテニル)ビフェニル 4−トリフルオロメチル−4’−(4−ペンテニル)ビ
フェニル 3−フルオロ−4−トリフルオロメチル−4’−(4−
ペンテニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−トリフルオロメチル−4’−
(4−ペンテニル)ビフェニル 4−クロロ−4’−(4−ペンテニル)ビフェニル 3−フルオロ−4−クロロ−4’−(4−ペンテニル)
ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−クロロ−4’−(4−ペンテ
ニル)ビフェニル 4−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)−4’−
(4−ペンテニル)ビフェニル 3−フルオロ−4−(2,2,2−トリフルオロエトキ
シ)−4’−(4−ペンテニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−(2,2,2−トリフルオロ
エトキシ)−4’−(4−ペンテニル)ビフェニル 3,4,5−トリフルオロ−4’−(3−ペンテニル)
ビフェニル 3,4−ジフルオロ−4’−(3−ペンテニル)ビフェ
ニル 4−フルオロ−4’−(3−ペンテニル)ビフェニル 4−トリフルオロメトキシ−4’−(3−ペンテニル)
ビフェニル 3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシ−4’−(3
−ペンテニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−トリフルオロメトキシ−4’
−(3−ペンテニル)ビフェニル 4−ジフルオロメトキシ−4’−(3−ペンテニル)ビ
フェニル 3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシ−4’−(3−
ペンテニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−ジフルオロメトキシ−4’−
(3−ペンテニル)ビフェニル 4−トリフルオロメチル−4’−(3−ペンテニル)ビ
フェニル 3−フルオロ−4−トリフルオロメチル−4’−(3−
ペンテニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−トリフルオロメチル−4’−
(3−ペンテニル)ビフェニル 4−クロロ−4’−(3−ペンテニル)ビフェニル 3−フルオロ−4−クロロ−4’−(3−ペンテニル)
ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−クロロ−4’−(3−ペンテ
ニル)ビフェニル 4−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)−4’−
(3−ペンテニル)ビフェニル 3−フルオロ−4−(2,2,2−トリフルオロエトキ
シ)−4’−(3−ペンテニル)ビフェニル 3,5−ジフルオロ−4−(2,2,2−トリフルオロ
エトキシ)−4’−(3−ペンテニル)ビフェニル (実施例2) 液晶組成物の調製(1) 汎用のホスト液晶(H)
The following compounds were obtained in the same manner. 3,4-difluoro-4 '-(3-butenyl) biphenyl 4-fluoro-4'-(3-butenyl) biphenyl 4-trifluoromethoxy-4 '-(3-butenyl) biphenyl 3-fluoro-4-tri Fluoromethoxy-4 '-(3
-Butenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-trifluoromethoxy-4 ′
-(3-butenyl) biphenyl 4-difluoromethoxy-4 '-(3-butenyl) biphenyl 3-fluoro-4-difluoromethoxy-4'-(3-
(Butenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-difluoromethoxy-4 ′-(3-butenyl) biphenyl 4-trifluoromethyl-4 ′-(3-butenyl) biphenyl 3-fluoro-4-trifluoromethyl-4 ′ -(3-
Butenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-trifluoromethyl-4'-
(3-butenyl) biphenyl 4-chloro-4 '-(3-butenyl) biphenyl 3-fluoro-4-chloro-4'-(3-butenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-chloro-4 '-( 3-butenyl) biphenyl 4- (2,2,2-trifluoroethoxy) -4'-
(3-butenyl) biphenyl 3-fluoro-4- (2,2,2-trifluoroethoxy) -4 ′-(3-butenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4- (2,2,2-trifluoro Ethoxy) -4 '-(3-butenyl) biphenyl 3,4,5-trifluoro-4'-(5-hexenyl)
Biphenyl 3,4-difluoro-4 '-(5-hexenyl) biphenyl 4-fluoro-4'-(5-hexenyl) biphenyl 4-trifluoromethoxy-4 '-(5-hexenyl)
Biphenyl 3-fluoro-4-trifluoromethoxy-4 ′-(5
-Hexenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-trifluoromethoxy-4 '
-(5-hexenyl) biphenyl 4-difluoromethoxy-4 '-(5-hexenyl) biphenyl 3-fluoro-4-difluoromethoxy-4'-(5-
Hexenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-difluoromethoxy-4'-
(5-hexenyl) biphenyl 4-trifluoromethyl-4 '-(5-hexenyl) biphenyl 3-fluoro-4-trifluoromethyl-4'-(5-
Hexenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-trifluoromethyl-4'-
(5-hexenyl) biphenyl 4-chloro-4 '-(5-hexenyl) biphenyl 3-fluoro-4-chloro-4'-(5-hexenyl)
Biphenyl 3,5-difluoro-4-chloro-4 '-(5-hexenyl) biphenyl 4- (2,2,2-trifluoroethoxy) -4'-
(5-hexenyl) biphenyl 3-fluoro-4- (2,2,2-trifluoroethoxy) -4 ′-(5-hexenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4- (2,2,2-trifluoro Ethoxy) -4 '-(5-hexenyl) biphenyl 3,4,5-trifluoro-4'-(4-pentenyl)
Biphenyl 3,4-difluoro-4 '-(4-pentenyl) biphenyl 4-fluoro-4'-(4-pentenyl) biphenyl 4-trifluoromethoxy-4 '-(4-pentenyl)
Biphenyl 3-fluoro-4-trifluoromethoxy-4 ′-(4
-Pentenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-trifluoromethoxy-4 '
-(4-pentenyl) biphenyl 4-difluoromethoxy-4 '-(4-pentenyl) biphenyl 3-fluoro-4-difluoromethoxy-4'-(4-
Pentenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-difluoromethoxy-4'-
(4-pentenyl) biphenyl 4-trifluoromethyl-4 '-(4-pentenyl) biphenyl 3-fluoro-4-trifluoromethyl-4'-(4-
Pentenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-trifluoromethyl-4'-
(4-pentenyl) biphenyl 4-chloro-4 '-(4-pentenyl) biphenyl 3-fluoro-4-chloro-4'-(4-pentenyl)
Biphenyl 3,5-difluoro-4-chloro-4 '-(4-pentenyl) biphenyl 4- (2,2,2-trifluoroethoxy) -4'-
(4-pentenyl) biphenyl 3-fluoro-4- (2,2,2-trifluoroethoxy) -4 ′-(4-pentenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4- (2,2,2-trifluoro Ethoxy) -4 '-(4-pentenyl) biphenyl 3,4,5-trifluoro-4'-(3-pentenyl)
Biphenyl 3,4-difluoro-4 '-(3-pentenyl) biphenyl 4-fluoro-4'-(3-pentenyl) biphenyl 4-trifluoromethoxy-4 '-(3-pentenyl)
Biphenyl 3-fluoro-4-trifluoromethoxy-4 ′-(3
-Pentenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-trifluoromethoxy-4 '
-(3-pentenyl) biphenyl 4-difluoromethoxy-4 '-(3-pentenyl) biphenyl 3-fluoro-4-difluoromethoxy-4'-(3-
Pentenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-difluoromethoxy-4'-
(3-pentenyl) biphenyl 4-trifluoromethyl-4 '-(3-pentenyl) biphenyl 3-fluoro-4-trifluoromethyl-4'-(3-
Pentenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4-trifluoromethyl-4'-
(3-pentenyl) biphenyl 4-chloro-4 '-(3-pentenyl) biphenyl 3-fluoro-4-chloro-4'-(3-pentenyl)
Biphenyl 3,5-difluoro-4-chloro-4 '-(3-pentenyl) biphenyl 4- (2,2,2-trifluoroethoxy) -4'-
(3-pentenyl) biphenyl 3-fluoro-4- (2,2,2-trifluoroethoxy) -4 ′-(3-pentenyl) biphenyl 3,5-difluoro-4- (2,2,2-trifluoro (Ethoxy) -4 ′-(3-pentenyl) biphenyl (Example 2) Preparation of liquid crystal composition (1) General-purpose host liquid crystal (H)

【0055】[0055]

【化15】 Embedded image

【0056】を調製した。このホスト液晶(H)は11
6.7℃以下でネマチック相を示し、その融点は11℃
である。この組成物の20℃における粘度、これを用い
て作製したセル厚4.5μmのTNセルの閾値電圧(V
th)、そのときの屈折率異方性(Δn)は以下の通りで
あった。
Was prepared. This host liquid crystal (H) is 11
Shows a nematic phase at 6.7 ° C or less, and its melting point is 11 ° C.
It is. The viscosity of this composition at 20 ° C. and the threshold voltage (V) of a TN cell having a cell thickness of 4.5 μm manufactured using the composition were measured.
th ), and the refractive index anisotropy (Δn) at that time was as follows.

【0057】 粘度(20℃): 19.8cp 誘電率異方性(Δε): 4.8 閾値電圧(Vth) 1.88V 屈折率異方性(Δn): 0.090 次に、このホスト液晶(H)80%及び本発明の化合物
である前記第1表中のNo.(I−1)
Viscosity (20 ° C.): 19.8 cp Dielectric anisotropy (Δε): 4.8 Threshold voltage (V th ) 1.88 V Refractive index anisotropy (Δn): 0.090 The liquid crystal (H) was 80%, and the compound of the present invention was No. 1 in Table 1 above. (I-1)

【0058】[0058]

【化16】 Embedded image

【0059】の化合物20%からなる液晶組成物(M−
1)を調製した。この(M−1)の物性値及び電気光学
的特性は以下の通りであった。 TN-I: 72.5℃ 粘度(20℃): 15.2cp 誘電率異方性(Δε): 5.7 閾値電圧(Vth): 1.35V 屈折率異方性(Δn): 0.088 従って、ネマチック相上限温度(TN-I)は低下するもの
の、その誘電率異方性が大きくなり閾値電圧が大幅に低
減されているうえに、その粘度も大幅に小さくなって応
答性が改良されていることがわかる。 (比較例1)実施例2において、本発明のNo.(I−
1)の化合物に換えて、従来用いられている一般式(I
I)で表される代表的な化合物である式(A)
A liquid crystal composition (M-
1) was prepared. The physical properties and electro-optical properties of (M-1) were as described below. T NI : 72.5 ° C. Viscosity (20 ° C.): 15.2 cp Dielectric anisotropy (Δε): 5.7 Threshold voltage (V th ): 1.35 V Refractive index anisotropy (Δn): 0.088 Therefore, although the maximum temperature of the nematic phase (T NI ) is lowered, the dielectric anisotropy is increased, the threshold voltage is greatly reduced, and the viscosity is also significantly reduced, so that the responsiveness is improved. You can see that there is. (Comparative Example 1) (I-
Instead of the compound of 1), a compound of the general formula (I)
Formula (A) which is a typical compound represented by I)

【0060】[0060]

【化17】 Embedded image

【0061】の化合物20%及びホスト液晶(H)80
%からなる組成物(M−A)を調製した。この組成物の
特性値は以下の通りであった。 TN-I: 69.0℃ 粘度(20℃): 16.0cp 誘電率異方性(Δε): 5.7 閾値電圧(Vth): 1.33V 屈折率異方性(Δn): 0.086 従って、しきい値電圧は(M−1)よりわずかに低いけ
れども、その粘度やネマチック相上限温度において(M
−1)に及ばないことがわかる。 (比較例2)実施例2において、本発明のNo.(I−
1)の化合物に換えて、従来用いられている一般式(I
II)で表される代表的な化合物である式(B)
Compound 20% and host liquid crystal (H) 80
% Of the composition (MA) was prepared. The characteristic values of this composition were as follows. T NI : 69.0 ° C. Viscosity (20 ° C.): 16.0 cp Dielectric anisotropy (Δε): 5.7 Threshold voltage (V th ): 1.33 V Refractive index anisotropy (Δn): 0.086 Accordingly, although the threshold voltage is slightly lower than (M-1), (M)
It can be seen that it does not reach -1). (Comparative Example 2) (I-
Instead of the compound of 1), a compound of the general formula (I)
Formula (B) which is a typical compound represented by II)

【0062】[0062]

【化18】 Embedded image

【0063】の化合物20%及びホスト液晶(H)80
%からなる液晶組成物(M−B)を調製した。この組成
物の特性値は以下の通りであった。 TN-I: 70.5℃ 閾値電圧(Vth): 1.46V 粘度(20℃): 15.5cp 誘電率異方性(Δε): 5.8 屈折率異方性(Δn): 0.082 従って、(M−1)と比較して同程度の低粘性である
が、ネマチック相上限温度が低く、閾値電圧は約0.1
V高くなっていることがわかる。 (実施例3) 液晶組成物の調製(2) 実施例2において、No.(I−1)の化合物に換え
て、本発明の化合物である前記第1表中のNo.(I−
4)
Compound 20% and host liquid crystal (H) 80
% Of a liquid crystal composition (MB). The characteristic values of this composition were as follows. T NI : 70.5 ° C. Threshold voltage (V th ): 1.46 V Viscosity (20 ° C.): 15.5 cp Dielectric anisotropy (Δε): 5.8 Refractive index anisotropy (Δn): 0.082 Therefore, although the viscosity is as low as that of (M-1), the maximum temperature of the nematic phase is low and the threshold voltage is about 0.1.
It can be seen that V is higher. (Example 3) Preparation of liquid crystal composition (2) In place of the compound (I-1), the compound of the present invention, No. 1 in Table 1 above, was used. (I-
4)

【0064】[0064]

【化19】 Embedded image

【0065】の化合物20%及びホスト液晶(H)80
%からなる液晶組成物(M−4)を調製した。この組成
物の特性値は以下の通りとなった。 TN-I: 80.5℃ 閾値電圧(Vth): 1.71V 粘度(20℃): 14.0cp 誘電率異方性(Δε): 5.0 屈折率異方性(Δn): 0.097 従って、(M−1)と比較するとその閾値電圧は多少高
くなったが、ネマチック相上限温度がより高くなり、そ
の粘性を大きく低減させることができた。 (実施例4) 液晶組成物の調製(3) 実施例2において、No.(I−1)の化合物に換え
て、本発明の化合物である前記第1表中のNo.(I−
3)
Compound 20% and host liquid crystal (H) 80
% Of a liquid crystal composition (M-4). The characteristic values of this composition were as follows. T NI : 80.5 ° C. Threshold voltage (V th ): 1.71 V Viscosity (20 ° C.): 14.0 cp Dielectric anisotropy (Δε): 5.0 Refractive index anisotropy (Δn): 0.097 Therefore, as compared with (M-1), the threshold voltage was slightly higher, but the maximum temperature of the nematic phase was higher, and the viscosity could be greatly reduced. (Example 4) Preparation of liquid crystal composition (3) In place of the compound (I-1), the compound of the present invention, No. 1 in Table 1 above, was used. (I-
3)

【0066】[0066]

【化20】 Embedded image

【0067】の化合物20%及びホスト液晶(H)80
%からなる液晶組成物(M−3)を調製した。この組成
物の特性値は以下の通りとなった。 TN-I: 78.5℃ 閾値電圧(Vth): 1.86V 粘度(20℃): 13.5cp 誘電率異方性(Δε): 4.4 屈折率異方性(Δn): 0.098 従って、(M−1)と比較すると誘電率異方性が小さく
なったため、その閾値電圧は(M−4)と比較してもさ
らに高くなったが、ネマチック相上限温度はやはり高
く、その粘性は(M−4)よりさらに低減させることが
できた。 (実施例5) 液晶組成物の調製(4) 汎用のホスト液晶(J)
Compound 20% and host liquid crystal (H) 80
% Of a liquid crystal composition (M-3). The characteristic values of this composition were as follows. T NI : 78.5 ° C. Threshold voltage (V th ): 1.86 V Viscosity (20 ° C.): 13.5 cp Dielectric anisotropy (Δε): 4.4 Refractive index anisotropy (Δn): 0.098 Therefore, since the dielectric anisotropy became smaller as compared with (M-1), its threshold voltage was further increased as compared with (M-4), but the maximum temperature of the nematic phase was still higher, and its viscosity was higher. Was able to be reduced further than (M-4). (Example 5) Preparation of liquid crystal composition (4) General-purpose host liquid crystal (J)

【0068】[0068]

【化21】 Embedded image

【0069】を調製した。このホスト液晶(J)は5
4.5℃以下でネマチック相を示す。また、同様にして
測定したホスト液晶(J)の粘度、誘電率異方性、屈折
率異方性及びセル厚8μmのTNセルで測定した閾値電
圧は以下の通りであった。
Was prepared. This host liquid crystal (J) has 5
It shows a nematic phase at 4.5 ° C. or lower. The viscosity, dielectric anisotropy, refractive index anisotropy, and threshold voltage of a TN cell having a cell thickness of 8 μm, which were measured in the same manner, were as follows.

【0070】 閾値電圧(Vth): 1.60V 粘度(20℃): 21.0cp 誘電率異方性(Δε): 4.4 屈折率異方性(Δn): 0.092 次に、このホスト液晶(J)90%及び前述のNo.
(I−1)の化合物10%からなる液晶組成物(N−
1)を調製した。この組成物の物性値及び電気光学的特
性は以下の通りであった。
Threshold voltage (V th ): 1.60 V Viscosity (20 ° C.): 21.0 cp Dielectric anisotropy (Δε): 4.4 Refractive index anisotropy (Δn): 0.092 90% of the host liquid crystal (J) and
A liquid crystal composition (N-
1) was prepared. The physical properties and electro-optical properties of this composition were as follows.

【0071】 TN-I: 41.2℃ 粘度(20℃): 19.6cp 誘電率異方性(Δε): 7.3 閾値電圧(Vth): 1.27V 屈折率異方性(Δn): 0.086 従って、ホスト液晶(J)と比較するとTN-Iは若干低
下するが、閾値電圧は大きく低減され、粘度も小さくな
っていることがわかる。 (実施例6) 液晶組成物の調製(5) ホスト液晶(J)80%及び前述のNo.(I−4)の
化合物20%からなる液晶組成物(N−4)を調製し
た。この組成物の物性値及び電気光学的特性は以下の通
りであった。
T NI : 41.2 ° C. Viscosity (20 ° C.): 19.6 cp Dielectric anisotropy (Δε): 7.3 Threshold voltage (V th ): 1.27 V Refractive index anisotropy (Δn): 0.086 Accordingly, it can be seen that although the T NI is slightly reduced as compared with the host liquid crystal (J), the threshold voltage is greatly reduced and the viscosity is also reduced. (Example 6) Preparation of liquid crystal composition (5) Host liquid crystal (J) 80% A liquid crystal composition (N-4) comprising 20% of the compound (I-4) was prepared. The physical properties and electro-optical properties of this composition were as follows.

【0072】 TN-I: 40.9℃ 粘度(20℃): 17.5cp 誘電率異方性(Δε): 6.8 閾値電圧(Vth): 1.38V 屈折率異方性(Δn): 0.093 従って、(N−1)と比較すると閾値電圧はやや高くな
るものの、粘性はさらに小さくなっていることがわか
る。
T NI : 40.9 ° C. Viscosity (20 ° C.): 17.5 cp Dielectric anisotropy (Δε): 6.8 Threshold voltage (V th ): 1.38 V Refractive index anisotropy (Δn): 0.093 Therefore, it can be seen that although the threshold voltage is slightly higher than that of (N-1), the viscosity is further reduced.

【0073】以上のように、本発明の一般式(I)の化
合物は、低粘性でネマチック相温度範囲が広く、加えて
閾値電圧の低い液晶組成物を得るうえにおいて、従来の
化合物より優れた効果を示すことが明らかである。
As described above, the compound of the formula (I) of the present invention is superior to the conventional compound in obtaining a liquid crystal composition having a low viscosity, a wide nematic phase temperature range, and a low threshold voltage. It is clear that it shows an effect.

【0074】[0074]

【発明の効果】本発明により提供される、アルケニルビ
フェニル誘導体は、実施例にも示したように工業的にも
容易に製造することができる。得られたアルケニルビフ
ェニル誘導体は、従来用いられている同様あるいは類似
構造を有する液晶性化合物と比較して、ネマチック相上
限温度の低下度合いが少なく、その減粘効果に加えて閾
値電圧の低減効果に優れるため、それ含有する液晶組成
物は実用的液晶として特に高速応答と低電圧駆動を必要
とする液晶表示用として極めて有用である。
The alkenylbiphenyl derivative provided by the present invention can be easily produced industrially as shown in the examples. The obtained alkenyl biphenyl derivative has a lower degree of decrease in the maximum temperature of the nematic phase as compared with a conventionally used liquid crystalline compound having a similar or similar structure, and has an effect of reducing the threshold voltage in addition to the effect of reducing the viscosity. Because of its excellent properties, the liquid crystal composition containing it is extremely useful as a practical liquid crystal, particularly for liquid crystal displays requiring high-speed response and low-voltage driving.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、Rは水素原子又は炭素原子数1〜10のアルキ
ル基を表し、mは2〜6の整数を表し、Zはフッ素原
子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメ
トキシ基、ジフルオロメトキシ基又は2,2,2−トリ
フルオロエトキシ基を表し、X及びYはそれぞれ独立的
に水素原子又はフッ素原子を表す。)で表される化合
物。
1. A compound of the general formula (I) (Wherein, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, m represents an integer of 2 to 6, Z represents a fluorine atom, a chlorine atom, a trifluoromethyl group, a trifluoromethoxy group, a difluoro A methoxy group or a 2,2,2-trifluoroethoxy group, and X and Y each independently represent a hydrogen atom or a fluorine atom).
【請求項2】 一般式(I)において、Zがフッ素原子
あるいはトリフルオロメトキシ基であるところの請求項
1記載の化合物。
2. The compound according to claim 1, wherein in the formula (I), Z is a fluorine atom or a trifluoromethoxy group.
【請求項3】 一般式(I)において、m=2であると
ころの請求項1又は2記載の化合物。
3. The compound according to claim 1, wherein m = 2 in the general formula (I).
【請求項4】 一般式(I)において、Rが水素原子で
あるところの請求項1、2又は3記載の化合物。
4. The compound according to claim 1, wherein R in Formula (I) is a hydrogen atom.
【請求項5】 請求項1記載の一般式(I)で表される
化合物を含有する液晶組成物。
5. A liquid crystal composition comprising the compound represented by the general formula (I) according to claim 1.
JP26843496A 1996-10-09 1996-10-09 Alkenylbiphenyl derivative Pending JPH10114693A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26843496A JPH10114693A (en) 1996-10-09 1996-10-09 Alkenylbiphenyl derivative

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26843496A JPH10114693A (en) 1996-10-09 1996-10-09 Alkenylbiphenyl derivative

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10114693A true JPH10114693A (en) 1998-05-06

Family

ID=17458447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26843496A Pending JPH10114693A (en) 1996-10-09 1996-10-09 Alkenylbiphenyl derivative

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10114693A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11100579A (en) * 1997-09-29 1999-04-13 Dainippon Ink & Chem Inc Nematic liquid crystal composition and liquid crystal display prepared therefrom
JP2007291338A (en) * 2006-03-30 2007-11-08 Chisso Corp Liquid crystal composition and liquid crystal display element
US7435460B2 (en) 2006-03-23 2008-10-14 Chisso Corporation Liquid crystal composition and liquid crystal display device
US7435459B2 (en) 2006-03-30 2008-10-14 Chisso Corporation Liquid crystal composition and liquid crystal display device
JP2009132718A (en) * 2007-11-30 2009-06-18 Merck Patent Gmbh Polymerizable compound

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11100579A (en) * 1997-09-29 1999-04-13 Dainippon Ink & Chem Inc Nematic liquid crystal composition and liquid crystal display prepared therefrom
US7435460B2 (en) 2006-03-23 2008-10-14 Chisso Corporation Liquid crystal composition and liquid crystal display device
JP2007291338A (en) * 2006-03-30 2007-11-08 Chisso Corp Liquid crystal composition and liquid crystal display element
US7435459B2 (en) 2006-03-30 2008-10-14 Chisso Corporation Liquid crystal composition and liquid crystal display device
JP2009132718A (en) * 2007-11-30 2009-06-18 Merck Patent Gmbh Polymerizable compound

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3900554B2 (en) Liquid crystalline compounds with extremely large dielectric anisotropy
JP3783246B2 (en) p-terphenyl derivatives
JPH10114693A (en) Alkenylbiphenyl derivative
JP3783248B2 (en) 4- (2-Cyclohexyl) propyl-p-terphenyl derivative
JP4193075B2 (en) Alkenyl terphenyl derivatives
JPH1143450A (en) New alkenylbiphenyl derivative
JPH10120600A (en) New alkenyltolane derivative
JP3673873B2 (en) Biphenyl derivatives
JP3569935B2 (en) Fluorotran derivative
JP4151115B2 (en) Optically active compound
JP4045474B2 (en) Fluoroterphenyl derivatives
JP3716436B2 (en) 5-substituted alkylbenzene derivatives
JP3360314B2 (en) Fluorotran derivative
JP3865084B2 (en) Dialkenyltolane derivatives
JP4193077B2 (en) 1,3-phenylene derivatives
JP2000229893A (en) Dialkenyl compound
JP3937185B2 (en) 2-fluorobiphenyl derivatives
JPH09328443A (en) Dialkenylbiphenyl derivative
JP4239242B2 (en) Phenylnaphthalene derivative
JP3994460B2 (en) Novel compound and liquid crystal composition using the same
JP3433756B2 (en) Difluorocyclopropane derivative
JP3506257B2 (en) Difluorocyclopropane derivative
JPH11335307A (en) Dialkenylnaphthalene derivative
JPH09227417A (en) Alkenyltolan derivative and its production
JP4019327B2 (en) 2-fluorobiphenyl derivatives

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050620

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060928

A521 Written amendment

Effective date: 20061127

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061219