JPH1055512A - 磁気変換器 - Google Patents

磁気変換器

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JPH1055512A
JPH1055512A JP9108107A JP10810797A JPH1055512A JP H1055512 A JPH1055512 A JP H1055512A JP 9108107 A JP9108107 A JP 9108107A JP 10810797 A JP10810797 A JP 10810797A JP H1055512 A JPH1055512 A JP H1055512A
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sensing element
height
magnetic
sensor
magnetic transducer
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JP9108107A
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Samuel W Yuan
サミュエル・ダブリュ・ユーアン
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Read Rite Corp
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 平面に対して垂直な電流モード即ちＣＰＰモ
ードで動作する巨大磁気抵抗型（ＧＭＲ）感知素子１１
を用いた薄膜磁気変換器１０。感知素子と電気的に接触
する導電リード部材１２ａ、１２ｂにより、巨大磁気抵
抗型感知素子を流れるセンス電流が生じる。ＧＭＲ感知
素子の高さ、又は高さ及び幅双方が、リード部材の高
さ、又は高さ及び幅それぞれより大きい。 【効果】 変換器からの信号出力が増大する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＰＰモード（平
面に対して垂直な電流モード）の変換器において巨大磁
気抵抗を用いる磁気変換器に関し、特に信号出力を増大
させた磁気変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】本願発明に関連する先行技術として、本
願と同じ出願人に譲渡された１９９４年１１月１４日付
け米国特許出願番号第０８／３３７，８７８号（１９９
６年７月２３日付け米国特許第５，５７６，９１４号）
明細書には、磁気バイアスを有する巨大磁気抵抗型（Ｇ
ＭＲ）素子を使用し、かつＧＭＲ素子の平面に対して垂
直な流れ（ＣＰＰ）のセンス電流を用いる変換器が開示
されている。
【０００３】また、同様に本願発明に関連する先行技術
として、本願と同じ出願人に譲渡された１９９５年７月
３１日付け米国特許出願番号第０８／５０９，１１８号
明細書には、磁気抵抗型（ＭＲ）変換器構造のＭＲセン
サにおいて、前記構造に磁界を印加し、かつ前記変換器
構造をラップ（lap）した時に前記センサの磁界に対す
る電気的応答の変化を検出することにより前記センサの
感知面の深さを検出する方法が開示されている。
【０００４】従来技術によれば、磁気面から高い線密度
でデータを読取ることができるＭＲセンサを用いた様々
な型式の磁気変換器が開示されている。或るＭＲセンサ
は、磁気読取り素子が感知する磁束信号の量及び方向の
関数として、該素子の抵抗の変化を介して磁界信号を検
出する。或るＭＲヘッドでは、１組の導体がＭＲ感知素
子の両側に設けられて、ＭＲ感知素子の中を基準電流が
平面内電流（ＣＩＰ）モードで流れる。このＣＩＰモー
ドは、エレクトロマイグレーションによる短絡のような
問題を発生させる可能性があり、更にＣＩＰモードのＭ
Ｒ素子は、寸法が比較的大きく、かつその複雑な構造の
ために大量生産に費用を要する場合がある。
【０００５】ＣＩＰモードのＭＲヘッドの代替品とし
て、ＭＲ素子の中をＭＲ素子の平面に対して垂直な向き
にセンス電流が流れる（ＣＰＰ）型式のＭＲセンサが用
いられている。このＣＰＰモードのヘッドは、該ヘッド
により生成される読出し信号が基本的に信号のトラック
幅に依存しないという事実を含めて、ＣＩＰモードのヘ
ッドに対して多数の利点を有する。
【０００６】このようなＧＭＲセンサにおけるＣＰＰモ
ードのＭＲセンサの１例が、例えばロットマイヤ（Rott
mayer）他による論文「A New Design For An Ultra-Hig
h Density Magnetic Recording Head Using A GMR Sens
or In The CPP Mode」、IEEETransaction on Magnetic
s、Volume 31、No. 6、2597、1995年11月に記載されて
いる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、接点リードと
読出しギャップ内に配置された感知素子の中をセンス電
流が一方のシールドから他方のシールドへ流れるＣＰＰ
／ＧＭＲヘッドを用いている。本発明の或る実施例で
は、例えば多層、スピンバルブ、デュアルスピンバル
ブ、フラックスバルブ、又はスピントランジスタのよう
な公知の様々な型式のものであり得るＧＭＲセンサが、
センサの接点リードに関して大きな物理的高さ及び幅を
有し、ＣＰＰモードの構成は高密度が可能であるという
利点を維持しつつ、出力感度を高めかつ製造公差を向上
させるために用いられている。
【０００８】本発明の構造では、出力がセンサの高さ及
び幅、更に読出しギャップの長さにさえ殆ど依存してい
ない。その製造には、電流接点リードの正確な幾何学的
制御が必要なだけで、これはフォトリソグラフィ技術に
より実現することができ、それにより要求される製造工
程の複雑さが僅かに増すだけである。出力感度は、大き
なセンサ高さ及び物理的な幅について２以上の因数で高
めることができる。
【０００９】センサのトラック幅が接点リードの幅と同
じであるか、センサのトラック高さが接点リードの高さ
より大きい本発明の別の実施例では、従来のＣＰＰ／Ｇ
ＭＲ装置より２倍以上の出力の信号を達成しつつ、横バ
イアスの処理を簡単化することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、１対の導電性接点（cont
act）又はリード部材１２ａ、１２ｂ間に配置されたＧ
ＭＲセンサ素子１１を備える従来のＣＰＰ／ＧＭＲ変換
器９の主要な部分を示す部分斜視図である。下部シール
ド部材１３ａが下部リード部材１２ａに隣接して配置さ
れ、当業者に良く知られるように、ＧＭＲセンサ素子１
１への磁気シールドを提供している。説明を簡単にする
ために、対応する上部磁気シールドは図１及び図２共に
図示していない。図１において、ＧＭＲ素子１１と接点
リード部材１２ａ、１２ｂは対応する等しい幅Ｗｒ及び
高さｈ１を有する。
【００１１】図２に示す本発明の変換器１０の第１実施
例は、図１のリード部材１２ａ、１２ｂと寸法、組成及
び機能が類似する接点リード部材１２ａ、１２ｂを有す
る。本発明によれば、図２の実施例におけるＧＭＲセン
サ素子１４の幅Ｗ及び高さｈ２は、図１に示す従来例の
対応する寸法より相当大きい。即ち、図２の構成は、ア
クティブな感知トラック幅が、図１の実施例におけるよ
うに、主として接点リード１２ａ、１２ｂの幅Ｗｒによ
り画定されるにも拘わらず、ＧＭＲセンサの高さｈ２及
び物理的幅Ｗが非常に大きい。
【００１２】Ｗ≫Ｗｒとすることにより、前記ＧＭＲセ
ンサはサイドトラック領域内にあまり制限されず、それ
により図１におけるようにＷ＝Ｗｒである従来装置にお
けるよりも大きなオントラック信号を出現させる。高い
ＴＰＩ（インチ当たりトラック）記録を確保するため、
及びクロストークを減らすために、公知の縦安定化手段
（図示せず）をサイドトラック領域内に配置し、かつ接
点リード部材１２ａ、１２ｂにより画定されるトラック
のエッジから僅かに凹ませることができる。これによ
り、オントラック感度が高められ、かつクロストラック
応答がより良好に画定される結果となる。
【００１３】実際の読出しトラック幅は、ＧＭＲセンサ
素子を流れる電流に依存するが、電流の一部がサイド領
域に漏れるので、Ｗｒより僅かに大きくなる。しかしな
がら、これら漏れ通路に関連するリラクタンスは比較的
大きい。従って、漏れ電流が流れる領域はかなり集中的
でかつ小さい。図３の側面図において、センス電流Ｉｓ
は電源（図示せず）から接点１２ｂ、ＧＭＲ素子１４及
び接点１２ａの中を流れて、前記変換器についてＣＰＰ
動作モードを生じさせる。
【００１４】本発明の構成により、センサ高さｈ２は接
点高さより相当大きくなる。この大きな接点高さは、後
側（back）磁束ガイドとして有効に機能し、ヘッドの効
率を最大２の因数で高める。伝送線路分析に基づいて、
ＭＲストライプ全体における磁束の減衰は線形パターン
を追従する。磁束は基本的に、センサ高さが伝送線電送
路の減衰長に匹敵する場合に、センサの物理的なエッジ
において０になる。
【００１５】ＣＰＰ／ＧＭＲモードでは、「アクティ
ブ」なＧＭＲストライプ高さが前記接点リードにより画
定される。従って、センサ高さが大きい場合には、次の
ような状態になる。即ち、アクティブなストライプのエ
ッジにおける磁束強さが実質的に０より大きくなる場合
があり、かつ物理的なセンサ高さが無限に大きい場合に
は、空気ベアリング面（ＡＢＳ）において送り込まれた
磁束と実質的に同じである。
【００１６】図４は、本発明による変換器における感知
素子の前記ＡＢＳからの距離の関数として、様々な物理
的センサ高さについての計算値である磁束分布Ｂｙをガ
ウス単位で示す線図である。図４の線図は、周知の２次
元境界要素法を用いて作成した。接点高さｈ１は約０．
３μｍであり、かつギャップ長さＧは約０．１８μｍで
ある。前記変換器からの出力信号は、図４の各曲線の下
側の総面積の関数であり、０．５μｍのｈ２について曲
線３ａで示され、かつ１．０μｍのｈ２について曲線３
ｂで示されるように、接点高さに関してセンサ高さｈ２
が増大すると、出力信号の振幅が増大することが分か
る。また、図４から、センサ高さｈ２が１μｍ以上の場
合には、センサ全体における均一な磁束の励振という理
想的な状態に近づいて行くことが分かる。この条件は、
ギャップ長の影響を受け難く、かつセンサ高さｈ２は十
分に大きい。
【００１７】本明細書では横バイアスについて詳細に説
明していないが、センサ領域全体に亘ってＧＭＲセンサ
付近に磁気バイアス手段を配置することにより、何らか
の形のバイアスを用いることが考えられる。接点高さを
越えた漏れ領域は、再び制限され、かつセンサの厚さ及
び材料の抵抗率についてのみ依存する。従って、これは
反復可能であり、かつセンサ高さに依存しない。この漏
れがかなり大きい場合には、同じ感知電位差（sensing
potential difference）であると、実際には出力電圧を
増大させることがある。
【００１８】大きな出力信号を達成するために、接点リ
ードが（より大きな抵抗について）高さ及び幅が非常に
小さくなければならない。これは、フォトリソグラフィ
技術によりリードをパターン形成することにより達成す
ることができる。前記センサのＡＢＳｋエッジは、下側
接点を画定した後に前面のフォトレジスト材料を下げる
ことにより、接点の前エッジに整合させることができ
る。次に、上部接点は、このレジストに基づいて下側接
点に自己整合させることができる。前記ＡＢＳの最終的
な画定は、例えば、上述した米国特許出願番号０８／５
０９，１１８号明細書に記載されている新規なラッピン
グ方法を用いることにより達成することができる。
【００１９】図５に示される本発明の変形例では、セン
サのトラック幅が接点の幅Ｗｒと同じである。これは、
２つの接点リードをトラック幅方向に沿って自己整合さ
せる際の起こり得るあらゆる障害を回避するためであ
る。図５の実施例では、センサが、図２及び図３に示す
実施例における場合のように、接点リードを越えて延長
していないので、縦安定化は全く行われない。センサに
おける各層間の静磁気の自己結合は、クロストラック方
向に沿って前記構造を安定化することになる。
【００２０】この構成では、以前として接点リード高さ
ｈ１を越える大きなセンサ高さｈ２を要する。このよう
なより高い高さについてストライプ高さ方向に沿った減
磁磁界が低減され、外部磁束の励振下においてセンサの
磁化を回転させることが容易になる。物理的なセンサ高
さを横切る磁束分布が実質的に均一であることの利益は
以前として存在する。これら２つの要素を結合して、各
要素を足し合わせた以上に信号出力の改善が得られる。
【００２１】図５の構成の別の利点は、Ｗｒ≪ｈ２であ
ることから、センサの形状異方性が縦方向に沿って整合
する磁化に有利なことである。この効果は、本来的に大
きなダイナミックレンジの適当な読出し動作に必要な縦
バイアスの補助となる。ヘッドの構造及び製造加工の複
雑さを大幅に簡単にする、センサのアスペクト比が適当
に設定されている場合には、追加の縦バイアスを必要と
しない。適当にバイアスされた磁化状態が、図５におい
て矢印１７により示されている。各隣接層における磁化
は、静磁気結合によりクロストラック方向に沿って逆平
行であり、かつセンサ高さｈ２に沿って平行である。こ
の後者の構成は、縦方向のイニシャライゼーション（又
は補助的な横バイアススキーム）を適用することにより
設定することができ、かつ形状異方性のためにその状態
に維持される傾向がある。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ので、変換器からの信号出力が増大するという効果が得
られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術によるＣＰＰ／ＧＭＲ変換器の部分斜
視図である。
【図２】本発明によるＣＰＰ／ＧＭＲ変換器の第１実施
例を示す部分斜視図である。
【図３】図２の変換器の側面図である。
【図４】様々なセンサ高さについて空気ベアリング面か
らのセンサスペーシングの関数として磁束分布の変化を
示す線図である。
【図５】本発明の第２実施例を示す部分斜視図である。
【符号の説明】
３ａ、３ｂ 曲線 ９ ＣＰＰ／ＧＭＲ変換器 １０ 変換器 １１ ＧＭＲセンサ素子 １２ａ、１２ｂ 導電性接点又はリード部材 １３ａ 下部シールド部材 １４ ＧＭＲセンサ素子 ｈ１ 接点リード高さ ｈ２ センサ高さ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上面及び下面を有する巨大磁気抵抗型感
    知素子からなる磁気変換器であって、 前記感知素子の前記上面及び下面と電気的に接触して、
    前記上面及び下面の平面に対して垂直な向きに前記感知
    素子の中を流れる電流を生じさせる接点リード部材を備
    え、 前記接点リード部材及び前記感知素子の前記上下各面が
    高さ方向及び幅方向の寸法を有し、 前記感知素子の前記上下各面の高さが前記接点リード部
    材の高さより大きく、 それにより、前記感知素子の高さが後側磁束ガイドとし
    て有効に作用し、変換器の効率を改善して、その結果得
    られる信号出力を増大させることを特徴とする磁気変換
    器。
  2. 【請求項２】 前記接点リード部材に近接してその両側
    に、前記感知素子の前記各面から離隔して配置された磁
    気シールド手段を備えることを特徴とする請求項１記載
    の磁気変換器。
  3. 【請求項３】 前記感知素子を磁気的にバイアスするた
    めの磁気横バイアス手段を備えることを特徴とする請求
    項１記載の磁気変換器。
  4. 【請求項４】 前記感知素子の前記各面の高さ及び幅
    が、それぞれ前記接点リード部材の高さ及び幅より大き
    いことを特徴とする請求項１記載の磁気変換器。
  5. 【請求項５】 前記感知素子を磁気的に安定化させるた
    めの磁気縦安定化手段を更に備えることを特徴とする請
    求項４記載の磁気変換器。
JP9108107A 1996-04-10 1997-04-10 磁気変換器 Pending JPH1055512A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US62999396A 1996-04-10 1996-04-10
US08/629,993 1996-04-10

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JP9108107A Pending JPH1055512A (ja) 1996-04-10 1997-04-10 磁気変換器

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US (1) US5731937A (ja)
EP (1) EP0801380A3 (ja)
JP (1) JPH1055512A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003079331A1 (fr) * 2002-03-20 2003-09-25 Fujitsu Limited Element magnetoresistif de structure cpp
US6724582B2 (en) 2001-01-19 2004-04-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Current perpendicular to plane type magnetoresistive device, magnetic head, and magnetic recording/reproducing apparatus
US6731475B2 (en) 2001-04-18 2004-05-04 Fujitsu Limited Current-perpendicular-to-the-plane structure electromagnetic transducer element having reduced path for electric current
US7215516B2 (en) 2003-02-26 2007-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive head having magnetoresistive film including free layer and pinned layer arranged in head height direction
US7277262B2 (en) 2003-09-02 2007-10-02 Kabushiki Kaisha Toshiba CPP magnetoresistive head including a pair of shields and a sense current preamplifier
US7405906B2 (en) 2003-09-10 2008-07-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Current-perpendicular-to-plane magnetoresistance effect device with double current control layers
JP2013080551A (ja) * 2011-09-13 2013-05-02 Seagate Technology Llc 短絡比が調整された装置およびセンサならびに短絡比を調整する方法

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6064552A (en) * 1997-03-18 2000-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive head having magnetic yoke and giant magnetoresistive element such that a first electrode is formed on the giant magnetoresistive element which in turn is formed on the magnetic yoke which acts as a second electrode
JPH1196513A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド及びこれを有する磁気記憶装置
US6223420B1 (en) 1998-12-04 2001-05-01 International Business Machines Corporation Method of making a read head with high resistance soft magnetic flux guide layer for enhancing read sensor efficiency
US6134089A (en) * 1999-03-11 2000-10-17 Read-Rite Corporation Current perpendicular to plane magnetoresistive device with low resistance lead
GB2363513A (en) * 1999-04-14 2001-12-19 Seagate Technology Llc Highly sensitive spin valve heads using a self-aligned demag-field balance element
US6519119B1 (en) 1999-11-03 2003-02-11 Seagate Technology, Llc Structure for current perrpendicular to plane giant magnetoresistive read heads
US6480365B1 (en) * 1999-12-09 2002-11-12 International Business Machines Corporation Spin valve transistor using a magnetic tunnel junction
US6643103B1 (en) * 2000-01-05 2003-11-04 Seagate Technology Llc Very high linear resolution CPP differential dual spin valve magnetoresistive head
US6807032B1 (en) 2000-02-04 2004-10-19 Seagate Technology Llc Magnetic read head wherein the shields are used as electrical leads and have a minimized anisotropic magneto-resistance effect
JP2001237469A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Fujitsu Ltd 磁気センサ及びその製造方法
US6717770B1 (en) 2000-03-24 2004-04-06 Seagate Technology Llc Recording head for applying a magnetic field perpendicular to the magnetizations within magnetic storage media
US6385016B1 (en) 2000-03-31 2002-05-07 Seagate Technology Llc Magnetic read head with an insulator layer between an MR sensor and rear portions of current contacts to provide enhanced sensitivity
US6542343B1 (en) 2000-08-09 2003-04-01 International Business Machines Corporation Tunnel valve head design to lower resistance
JP3647736B2 (ja) * 2000-09-29 2005-05-18 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
US7113104B2 (en) * 2000-11-17 2006-09-26 University Of South Florida Giant magnetoresistance based gyroscope
US6724583B2 (en) 2000-12-19 2004-04-20 Seagate Technology Llc Adjustable permanent magnet bias
US6654209B2 (en) 2001-01-10 2003-11-25 Seagate Technology Llc Low resistance lead structure for a low resistance magnetic read head
JP3583079B2 (ja) 2001-03-26 2004-10-27 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置及び磁気記憶装置
US6597546B2 (en) 2001-04-19 2003-07-22 International Business Machines Corporation Tunnel junction sensor with an antiferromagnetic (AFM) coupled flux guide
US6724587B2 (en) 2001-06-11 2004-04-20 International Business Machines Corporation Low temperature yoke type tunnel valve sensor
JP3877985B2 (ja) 2001-08-15 2007-02-07 富士通株式会社 磁気抵抗ヘッド及びその製造方法
US6683762B2 (en) 2002-06-11 2004-01-27 Headway Technologies, Inc. CPP GMR device with inverse GMR material
JP2004056037A (ja) * 2002-07-24 2004-02-19 Fujitsu Ltd Ｃｐｐ構造磁気抵抗効果素子
US7040005B2 (en) * 2003-03-19 2006-05-09 Headway Technologies, Inc. Process of making a GMR improvement in CPP spin valve head by inserting a current channeling layer (CCL)
US6873501B2 (en) * 2003-04-03 2005-03-29 Headway Technologies, Inc. CPP spin valve head with bias point control
US7016168B2 (en) * 2003-11-20 2006-03-21 Headway Technologies, Inc. Method of increasing CPP GMR in a spin valve structure
JP4377777B2 (ja) * 2004-08-31 2009-12-02 株式会社東芝 磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアッセンブリ、および磁気再生装置
US7369371B2 (en) 2005-08-15 2008-05-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive sensor having a shape enhanced pinned layer
US7719801B2 (en) * 2006-04-18 2010-05-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Magnetoresistive (MR) element having a continuous flux guide defined by the free layer
US7961437B2 (en) * 2007-09-27 2011-06-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Magnetic recording head having an extended stripe height and a shortened shield height
US20090168235A1 (en) * 2007-12-27 2009-07-02 Kochan Ju Enhanced cpp read sensors with lateral spin transport

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5390061A (en) * 1990-06-08 1995-02-14 Hitachi, Ltd. Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head
JP2741837B2 (ja) * 1993-08-06 1998-04-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 薄膜磁気抵抗ヘッド
TW279977B (ja) * 1993-09-24 1996-07-01 Philips Electronics Nv
US5446613A (en) * 1994-02-28 1995-08-29 Read-Rite Corporation Magnetic head assembly with MR sensor
JPH07272221A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Yamaha Corp 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
US5483402A (en) * 1994-06-15 1996-01-09 Quantum Corporation Magneto resistive head having symmetric off-track performance profile
WO1996011469A1 (en) * 1994-10-05 1996-04-18 Philips Electronics N.V. Magnetic multilayer device including a resonant-tunneling double-barrier structure
US5493467A (en) * 1994-12-27 1996-02-20 International Business Machines Corporation Yoke spin valve MR read head

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6724582B2 (en) 2001-01-19 2004-04-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Current perpendicular to plane type magnetoresistive device, magnetic head, and magnetic recording/reproducing apparatus
US6731475B2 (en) 2001-04-18 2004-05-04 Fujitsu Limited Current-perpendicular-to-the-plane structure electromagnetic transducer element having reduced path for electric current
WO2003079331A1 (fr) * 2002-03-20 2003-09-25 Fujitsu Limited Element magnetoresistif de structure cpp
US7312957B2 (en) 2002-03-20 2007-12-25 Fujitsu Limited Current-perpendicular-to-the-plane structure magnetoresistive element having sufficient sensitivity
US7215516B2 (en) 2003-02-26 2007-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive head having magnetoresistive film including free layer and pinned layer arranged in head height direction
KR100770813B1 (ko) 2003-02-26 2007-10-26 가부시끼가이샤 도시바 자기 저항 헤드, 자기 기록 재생 장치 및 자기 저항 헤드 제조 방법
US7277262B2 (en) 2003-09-02 2007-10-02 Kabushiki Kaisha Toshiba CPP magnetoresistive head including a pair of shields and a sense current preamplifier
US7405906B2 (en) 2003-09-10 2008-07-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Current-perpendicular-to-plane magnetoresistance effect device with double current control layers
JP2013080551A (ja) * 2011-09-13 2013-05-02 Seagate Technology Llc 短絡比が調整された装置およびセンサならびに短絡比を調整する方法
US8749924B2 (en) 2011-09-13 2014-06-10 Seagate Technology Llc Tuned shunt ratio for magnetic sensors

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