JPH1054843A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
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- JPH1054843A JPH1054843A JP8211089A JP21108996A JPH1054843A JP H1054843 A JPH1054843 A JP H1054843A JP 8211089 A JP8211089 A JP 8211089A JP 21108996 A JP21108996 A JP 21108996A JP H1054843 A JPH1054843 A JP H1054843A
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- acceleration
- semiconductor
- sensor element
- pedestal
- semiconductor sensor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加速度±１Ｇ程度の小さい加速度を精度良く
検出する構成でありながら、基板側からの応力による悪
影響を極力防止できるようにする。 【解決手段】 センサチップ２３は、３．６ｍｍ角のシ
リコン製で、フレーム２４に４つの梁部２５ａ〜２５ｄ
を介して重り部２６を支持する構成に形成される。梁部
２５ａ〜２５ｄにはピエゾ抵抗効果を有する拡散抵抗が
形成され、ブリッジ接続される。センサチップ２３は、
１．７５ｍｍの厚さ寸法のシリコン台座２２を介してセ
ラミック基板２１に接着剤２７により接着固定される。
接着剤２７には、シリコーン樹脂からなるベース接着剤
２７ａに樹脂ビーズ２７ｂが配合率０．１ｗｔ％で配合
される。温度ストレス試験に対してセンサチップ２３が
基板２１側から受ける応力歪みが緩和されるので、感度
変動を２％以内に低減でき、±１Ｇ程度の加速度を精度
良く検出できる。
検出する構成でありながら、基板側からの応力による悪
影響を極力防止できるようにする。 【解決手段】 センサチップ２３は、３．６ｍｍ角のシ
リコン製で、フレーム２４に４つの梁部２５ａ〜２５ｄ
を介して重り部２６を支持する構成に形成される。梁部
２５ａ〜２５ｄにはピエゾ抵抗効果を有する拡散抵抗が
形成され、ブリッジ接続される。センサチップ２３は、
１．７５ｍｍの厚さ寸法のシリコン台座２２を介してセ
ラミック基板２１に接着剤２７により接着固定される。
接着剤２７には、シリコーン樹脂からなるベース接着剤
２７ａに樹脂ビーズ２７ｂが配合率０．１ｗｔ％で配合
される。温度ストレス試験に対してセンサチップ２３が
基板２１側から受ける応力歪みが緩和されるので、感度
変動を２％以内に低減でき、±１Ｇ程度の加速度を精度
良く検出できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加速度の検出範囲
を±１Ｇから高々±２Ｇ程度としたものであって、加速
度を受けて重り部が変位するとこの重り部を支持してい
る梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化す
るのを電気的に検出してそのとき受けている加速度の大
きさを検出するようにした半導体センサ素子を有する半
導体加速度センサに関するものである。
を±１Ｇから高々±２Ｇ程度としたものであって、加速
度を受けて重り部が変位するとこの重り部を支持してい
る梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化す
るのを電気的に検出してそのとき受けている加速度の大
きさを検出するようにした半導体センサ素子を有する半
導体加速度センサに関するものである。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】半導体加速度センサと
しては、加速度を受けて変位する重り部を拡散抵抗が形
成された梁部を介して外枠により支持する形状にシリコ
ン基板をエッチング等により形成したものがある。この
ものは、加速度を受けると重り部がその加速度に比例し
た力を受けて変位するので、これを支持している梁部が
歪むようになり、その歪みによる応力で拡散抵抗がピエ
ゾ抵抗効果によって変化するようになる。拡散抵抗をブ
リッジ接続した検出回路を形成しておくことにより、そ
の抵抗値の変化を電圧信号として検出することができ、
これに基づいて受けた加速度を検出することができるの
である。
しては、加速度を受けて変位する重り部を拡散抵抗が形
成された梁部を介して外枠により支持する形状にシリコ
ン基板をエッチング等により形成したものがある。この
ものは、加速度を受けると重り部がその加速度に比例し
た力を受けて変位するので、これを支持している梁部が
歪むようになり、その歪みによる応力で拡散抵抗がピエ
ゾ抵抗効果によって変化するようになる。拡散抵抗をブ
リッジ接続した検出回路を形成しておくことにより、そ
の抵抗値の変化を電圧信号として検出することができ、
これに基づいて受けた加速度を検出することができるの
である。
【０００３】ところで、このような半導体加速度センサ
としては、従来では、例えば、自動車が衝突する場合な
どに受ける激しい衝撃を検出するためのものがあり、こ
れは、被検出部が受ける衝撃の程度を加速度の大きさと
して検出するような場合に用いるものであるので、加速
度の検出範囲は１０Ｇ（Ｇは重力の加速度で９．８ｍ／
ｓｅｃ２）を超えるような大きい加速度値が対象となっ
ていた。
としては、従来では、例えば、自動車が衝突する場合な
どに受ける激しい衝撃を検出するためのものがあり、こ
れは、被検出部が受ける衝撃の程度を加速度の大きさと
して検出するような場合に用いるものであるので、加速
度の検出範囲は１０Ｇ（Ｇは重力の加速度で９．８ｍ／
ｓｅｃ２）を超えるような大きい加速度値が対象となっ
ていた。
【０００４】ところで、近年では自動車などにおいて、
上述のような衝撃の加速度よりもずっと小さい加速度と
して、通常の走行状態で発生する加速や減速の程度のレ
ベルの微小な加速度を検出して制動制御等を行うことに
より安全性の向上を図ることが要求されるようになって
いる。したがって、その検出対象となる加速度の範囲
は、±１Ｇ程度から精々±２Ｇ程度までの小さい範囲で
精度良く検出できるものが要求されている。
上述のような衝撃の加速度よりもずっと小さい加速度と
して、通常の走行状態で発生する加速や減速の程度のレ
ベルの微小な加速度を検出して制動制御等を行うことに
より安全性の向上を図ることが要求されるようになって
いる。したがって、その検出対象となる加速度の範囲
は、±１Ｇ程度から精々±２Ｇ程度までの小さい範囲で
精度良く検出できるものが要求されている。
【０００５】しかしながら、このように微小な加速度を
検出するための半導体加速度センサとしては、次のよう
な技術的課題がある。すなわち、センサチップの重り部
が加速度により受ける僅かな力を梁部の歪みとして発生
させるものであるから、センサチップ自体が固定されて
いるフレーム部分から僅かでも力を受けた状態になる
と、重り部を支持している梁部にも応力が及ぶことにな
り、拡散抵抗に応力が加わった状態となり、これによっ
て検出感度が変動して検出動作に悪影響を及ぼすことが
ある。
検出するための半導体加速度センサとしては、次のよう
な技術的課題がある。すなわち、センサチップの重り部
が加速度により受ける僅かな力を梁部の歪みとして発生
させるものであるから、センサチップ自体が固定されて
いるフレーム部分から僅かでも力を受けた状態になる
と、重り部を支持している梁部にも応力が及ぶことにな
り、拡散抵抗に応力が加わった状態となり、これによっ
て検出感度が変動して検出動作に悪影響を及ぼすことが
ある。
【０００６】このような不具合に対処すべく、加速度の
検出範囲を±１Ｇから±２Ｇ程度の小さい検出範囲とし
た半導体加速度センサにおいては、下地の基板から受け
る応力を極力低減する構成を採用するようにしており、
例えば、図５および図６はその構成の概略を示してい
る。すなわち、シリコン製の半導体センサチップ１は、
外枠となる第１フレーム２内に、素子部３が片持梁４に
よって支持された状態に形成されている。
検出範囲を±１Ｇから±２Ｇ程度の小さい検出範囲とし
た半導体加速度センサにおいては、下地の基板から受け
る応力を極力低減する構成を採用するようにしており、
例えば、図５および図６はその構成の概略を示してい
る。すなわち、シリコン製の半導体センサチップ１は、
外枠となる第１フレーム２内に、素子部３が片持梁４に
よって支持された状態に形成されている。
【０００７】素子部３には内枠となる「コ」の字状をな
す第２フレーム５と、この第２フレーム５から延出され
る４つの梁部６ａ〜６ｄと、これら４つの梁部６ａ〜６
ｄにより支持された重り部７とにより構成されている。
４つの梁部６ａ〜６ｄにはあらかじめ拡散抵抗が形成さ
れており、後述するように、歪みを受けるとピエゾ抵抗
効果によりその抵抗値が変化するように設けられてい
る。そして、これら拡散抵抗はブリッジ接続状態に配線
されており、抵抗値の変化を電圧信号として取り出すこ
とができるようになっている。
す第２フレーム５と、この第２フレーム５から延出され
る４つの梁部６ａ〜６ｄと、これら４つの梁部６ａ〜６
ｄにより支持された重り部７とにより構成されている。
４つの梁部６ａ〜６ｄにはあらかじめ拡散抵抗が形成さ
れており、後述するように、歪みを受けるとピエゾ抵抗
効果によりその抵抗値が変化するように設けられてい
る。そして、これら拡散抵抗はブリッジ接続状態に配線
されており、抵抗値の変化を電圧信号として取り出すこ
とができるようになっている。
【０００８】半導体センサチップ１は、第１フレーム２
をガラス製の台座８に陽極接合により固定されている。
台座８には、第１フレーム２と対向する部分よりも内側
に凹部８ａが形成されており、重り部７が変位しても接
触しないようになっている。ガラス製の台座８はセラミ
ック製の基板９に接着固定されている。この基板９には
センサ出力の信号処理を行うＩＣチップ１０がダイボン
ディングされており、このＩＣチップ１０と半導体セン
サチップ１との間にはボンディングワイヤ１１により電
気的な接続がとられている。
をガラス製の台座８に陽極接合により固定されている。
台座８には、第１フレーム２と対向する部分よりも内側
に凹部８ａが形成されており、重り部７が変位しても接
触しないようになっている。ガラス製の台座８はセラミ
ック製の基板９に接着固定されている。この基板９には
センサ出力の信号処理を行うＩＣチップ１０がダイボン
ディングされており、このＩＣチップ１０と半導体セン
サチップ１との間にはボンディングワイヤ１１により電
気的な接続がとられている。
【０００９】半導体センサチップ１が台座８を介して接
着固定された基板９は、金属製のベース１２ａとキャッ
プ１２ｂからなるケース１２内に配設されており、この
ケース１２内部には過大な加速度が加わったときに破壊
しないようにするためのダンパ剤としてオイル１３が充
填されている。また、ケース１２から外部には半導体セ
ンサチップ１やＩＣチップ１０と電気的に接続される図
示しないリード線が導出されており、検出信号が出力さ
れるようになっている。
着固定された基板９は、金属製のベース１２ａとキャッ
プ１２ｂからなるケース１２内に配設されており、この
ケース１２内部には過大な加速度が加わったときに破壊
しないようにするためのダンパ剤としてオイル１３が充
填されている。また、ケース１２から外部には半導体セ
ンサチップ１やＩＣチップ１０と電気的に接続される図
示しないリード線が導出されており、検出信号が出力さ
れるようになっている。
【００１０】上記構成によれば、半導体センサチップ１
が面に垂直方向の加速度を受けると、そのときの力によ
り重り部７が加速度と反対方向に変位し、これによって
梁部６ａ〜６ｄに形成されている拡散抵抗が加速度に応
じた歪みを受けるようになる。すると、拡散抵抗のピエ
ゾ抵抗効果によってブリッジ接続した回路の出力電圧が
変化するようになるので、そのとき受けている加速度を
検出することができるようになる。
が面に垂直方向の加速度を受けると、そのときの力によ
り重り部７が加速度と反対方向に変位し、これによって
梁部６ａ〜６ｄに形成されている拡散抵抗が加速度に応
じた歪みを受けるようになる。すると、拡散抵抗のピエ
ゾ抵抗効果によってブリッジ接続した回路の出力電圧が
変化するようになるので、そのとき受けている加速度を
検出することができるようになる。
【００１１】また、上述の構成を採用することにより、
基板９やガラス製の台座８から半導体センサチップ１に
応力が作用した場合でも、第１フレーム２でその応力を
吸収することができ、この第１フレーム２に片持梁４に
より１点で片持状態に支持された第２フレーム５には、
その応力が及ぶのを極力防止することができるのであ
る。
基板９やガラス製の台座８から半導体センサチップ１に
応力が作用した場合でも、第１フレーム２でその応力を
吸収することができ、この第１フレーム２に片持梁４に
より１点で片持状態に支持された第２フレーム５には、
その応力が及ぶのを極力防止することができるのであ
る。
【００１２】しかしながら、このような構成を採用する
ことは、半導体加速度センサ１においては、本来の加速
度を検出する部分に加えて第１フレーム２の部分が余分
に必要な構成となるため、その分だけチップサイズが大
きくなってしまうのを避けられず、この結果、全体を小
形化するのに支障となる不具合があった。
ことは、半導体加速度センサ１においては、本来の加速
度を検出する部分に加えて第１フレーム２の部分が余分
に必要な構成となるため、その分だけチップサイズが大
きくなってしまうのを避けられず、この結果、全体を小
形化するのに支障となる不具合があった。
【００１３】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、このように重力の加速度±１Ｇ〜±２
Ｇ程度の小さい加速度を精度良く検出する構成でありな
がら、基板側からの応力による悪影響を極力防止できる
ようにして小形化を図れるようにした半導体加速度セン
サを提供することにある。
で、その目的は、このように重力の加速度±１Ｇ〜±２
Ｇ程度の小さい加速度を精度良く検出する構成でありな
がら、基板側からの応力による悪影響を極力防止できる
ようにして小形化を図れるようにした半導体加速度セン
サを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明では、半
導体センサ素子を実装する際に、基板との間に台座を介
在させるので、基板側から受ける温度変動などによる応
力を緩和することができるようになり、加速度の検出範
囲が±１Ｇから±２Ｇ程度の微小な加速度を検出する場
合でも、その応力を極力緩和して精度良く検出すること
ができるようになる。この場合、台座は半導体センサ素
子の熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を有する材料を用い
ると共に、その台座の厚さ寸法の設定を、所定の熱的ス
トレス試験の前後における半導体センサ素子の検出感度
の変動率が所定許容値以下となるように設定しているの
で、基板側からの応力による検出感度の変動を抑制する
ことができ、加速度を精度良く検出することができるよ
うになる。
導体センサ素子を実装する際に、基板との間に台座を介
在させるので、基板側から受ける温度変動などによる応
力を緩和することができるようになり、加速度の検出範
囲が±１Ｇから±２Ｇ程度の微小な加速度を検出する場
合でも、その応力を極力緩和して精度良く検出すること
ができるようになる。この場合、台座は半導体センサ素
子の熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を有する材料を用い
ると共に、その台座の厚さ寸法の設定を、所定の熱的ス
トレス試験の前後における半導体センサ素子の検出感度
の変動率が所定許容値以下となるように設定しているの
で、基板側からの応力による検出感度の変動を抑制する
ことができ、加速度を精度良く検出することができるよ
うになる。
【００１５】請求項２の発明では、半導体センサ素子を
固定するときに使用する接着剤として、可撓性樹脂のベ
ース材料に所定粒径の樹脂粒子を０．１ｗｔ％（重量パ
ーセント）以下にして配合したものを用いているので、
樹脂粒子によって半導体センサ素子との隙間部分を適切
な距離だけ存した状態に配置でき、しかも、含有量が必
要最小限に設定されていることから温度変動による応力
が半導体センサ素子に伝わるのを極力防止することがで
き、これによって、±１Ｇから±２Ｇ程度の検出範囲の
加速度を精度良く検出することができるようになる。
固定するときに使用する接着剤として、可撓性樹脂のベ
ース材料に所定粒径の樹脂粒子を０．１ｗｔ％（重量パ
ーセント）以下にして配合したものを用いているので、
樹脂粒子によって半導体センサ素子との隙間部分を適切
な距離だけ存した状態に配置でき、しかも、含有量が必
要最小限に設定されていることから温度変動による応力
が半導体センサ素子に伝わるのを極力防止することがで
き、これによって、±１Ｇから±２Ｇ程度の検出範囲の
加速度を精度良く検出することができるようになる。
【００１６】請求項３の発明では、上記請求項１および
請求項２の発明を兼ね備えた構成としているので、それ
らの感度変動を発生する要素の双方を適正な状態とする
ことができ、これによって、±１Ｇから±２Ｇ程度の検
出範囲の加速度をより精度良く検出することができるよ
うになる。
請求項２の発明を兼ね備えた構成としているので、それ
らの感度変動を発生する要素の双方を適正な状態とする
ことができ、これによって、±１Ｇから±２Ｇ程度の検
出範囲の加速度をより精度良く検出することができるよ
うになる。
【００１７】請求項４の発明では、半導体センサ素子の
寸法を３．６ｍｍ角程度に設定して±１Ｇから±２Ｇ程
度の加速度を検出する構成を採用するときに、台座側か
ら受ける応力の影響が少なくなるのが１ｍｍ程度の厚さ
寸法を境としているので、台座の厚さ寸法を１ｍｍ以上
に設定することにより、精度良く検出することができる
ようになる。
寸法を３．６ｍｍ角程度に設定して±１Ｇから±２Ｇ程
度の加速度を検出する構成を採用するときに、台座側か
ら受ける応力の影響が少なくなるのが１ｍｍ程度の厚さ
寸法を境としているので、台座の厚さ寸法を１ｍｍ以上
に設定することにより、精度良く検出することができる
ようになる。
【００１８】請求項５の発明では、半導体センサ素子を
基板に搭載する際にこれらの間に介在させる台座を半導
体センサ素子と同じ半導体材料を用いているので、それ
らの熱膨張係数も同じとなり、台座そのものから半導体
センサ素子に及ぼす熱的なストレスを緩和することがで
きるようになり、検出精度を向上させることができるよ
うになる。
基板に搭載する際にこれらの間に介在させる台座を半導
体センサ素子と同じ半導体材料を用いているので、それ
らの熱膨張係数も同じとなり、台座そのものから半導体
センサ素子に及ぼす熱的なストレスを緩和することがで
きるようになり、検出精度を向上させることができるよ
うになる。
【００１９】請求項６の発明では、半導体センサ素子を
重り部を梁部により両持ちする構造のものに適用してい
るので、片持構造の梁部の場合に比べて他軸感度が減少
することにより、±１Ｇから±２Ｇ程度の検出範囲の加
速度を精度良く検出することができるようになる。そし
て、この場合に、両持ち構造の梁部を有することで、一
般的に梁部が連結される枠体から受ける歪みの影響が大
きくなるという構成であっても、台座側から受ける歪み
の悪影響を低減する構成を採用であることから、検出精
度の向上を図ることができるようになるのである。
重り部を梁部により両持ちする構造のものに適用してい
るので、片持構造の梁部の場合に比べて他軸感度が減少
することにより、±１Ｇから±２Ｇ程度の検出範囲の加
速度を精度良く検出することができるようになる。そし
て、この場合に、両持ち構造の梁部を有することで、一
般的に梁部が連結される枠体から受ける歪みの影響が大
きくなるという構成であっても、台座側から受ける歪み
の悪影響を低減する構成を採用であることから、検出精
度の向上を図ることができるようになるのである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を±１．５Ｇ（１Ｇ
は重力の加速度で、９．８ｍ／ｓｅｃ２）程度の範囲の
加速度を検出するようにした自動車のＡＢＳ（アンチロ
ックブレーキシステム）用の半導体加速度センサに適用
した場合の一実施の形態について図１ないし図４を参照
しながら説明する。
は重力の加速度で、９．８ｍ／ｓｅｃ２）程度の範囲の
加速度を検出するようにした自動車のＡＢＳ（アンチロ
ックブレーキシステム）用の半導体加速度センサに適用
した場合の一実施の形態について図１ないし図４を参照
しながら説明する。
【００２１】図１および図２はパッケージを除いた部分
の全体構成を概略的に示しているもので、パッケージの
一部をなすセラミック製の基板２１にシリコン台座２２
を介して半導体センサ素子であるシリコン製のセンサチ
ップ２３が接着固定されている。
の全体構成を概略的に示しているもので、パッケージの
一部をなすセラミック製の基板２１にシリコン台座２２
を介して半導体センサ素子であるシリコン製のセンサチ
ップ２３が接着固定されている。
【００２２】センサチップ２３は次のように構成されて
いる。半導体基板であるシリコン基板２３ａは、厚さ寸
法が３００μｍ（ミクロン）程度で上面側には拡散抵抗
を形成するための所定膜厚のｎ形の不純物が導入された
エピタキシャル層２３ｂが形成されたものである。チッ
プサイズは３．６ｍｍ×３．６ｍｍの正方形状である。
外周部には矩形枠状の外枠であるフレーム２４が形成さ
れ、このフレーム２４と４つの梁部２５ａ〜２５ｄを介
して重り部２６が連結された状態に支持するように形成
されている。
いる。半導体基板であるシリコン基板２３ａは、厚さ寸
法が３００μｍ（ミクロン）程度で上面側には拡散抵抗
を形成するための所定膜厚のｎ形の不純物が導入された
エピタキシャル層２３ｂが形成されたものである。チッ
プサイズは３．６ｍｍ×３．６ｍｍの正方形状である。
外周部には矩形枠状の外枠であるフレーム２４が形成さ
れ、このフレーム２４と４つの梁部２５ａ〜２５ｄを介
して重り部２６が連結された状態に支持するように形成
されている。
【００２３】梁部２５ａ〜２５ｄの表面側には拡散抵抗
が形成されており、これらの拡散抵抗はブリッジ接続し
た状態に配線されて、外部に導出可能に電極が形成され
ている（図示せず）。拡散抵抗は、歪みを受けるとピエ
ゾ抵抗効果によってその抵抗値が変化するようになって
おり、これをブリッジの出力により電圧信号として検出
するようになっている。
が形成されており、これらの拡散抵抗はブリッジ接続し
た状態に配線されて、外部に導出可能に電極が形成され
ている（図示せず）。拡散抵抗は、歪みを受けるとピエ
ゾ抵抗効果によってその抵抗値が変化するようになって
おり、これをブリッジの出力により電圧信号として検出
するようになっている。
【００２４】梁部２５ａ〜２５ｄおよび重り部２６は、
電気化学エッチング法を用いた異方性エッチング処理に
より形成されるもので、上述したシリコン基板２３ａと
エピタキシャル層２３ｂとにより形成されるｐｎ接合の
導電形の違いを利用して電気化学エッチング（例えば、
特願平６−４２８３９号に示される電気化学エッチング
法を参照）を行うことにより、シリコン基板２３ａのみ
をエッチングで除去し、この後、通常のエッチング処理
によりエピタキシャル層２３ｂ部分の厚さ寸法を調整す
ることによって所望の厚さ寸法の梁部２５ａ〜２５ｄを
形成するものである。なお、この場合におけるエッチン
グ処理では、ＫＯＨ（水酸化カリウム）などのアルカリ
溶液を用いた異方性エッチングを行うようにしている。
電気化学エッチング法を用いた異方性エッチング処理に
より形成されるもので、上述したシリコン基板２３ａと
エピタキシャル層２３ｂとにより形成されるｐｎ接合の
導電形の違いを利用して電気化学エッチング（例えば、
特願平６−４２８３９号に示される電気化学エッチング
法を参照）を行うことにより、シリコン基板２３ａのみ
をエッチングで除去し、この後、通常のエッチング処理
によりエピタキシャル層２３ｂ部分の厚さ寸法を調整す
ることによって所望の厚さ寸法の梁部２５ａ〜２５ｄを
形成するものである。なお、この場合におけるエッチン
グ処理では、ＫＯＨ（水酸化カリウム）などのアルカリ
溶液を用いた異方性エッチングを行うようにしている。
【００２５】そして、梁部２５ａ〜２５ｄは、厚さ寸法
が４．５μｍ程度を中心値として４．２〜５．５μｍ程
度の範囲に形成され、幅寸法が１６０μｍを中心値とし
て１４０〜１８０μｍ程度の範囲に形成され、長さ寸法
が５５０μｍを中心値として５３０〜５７０μｍ程度の
範囲に形成されている。また、重り部２４は、１．４ｍ
ｇ（ミリグラム）程度となるように形成されている。
が４．５μｍ程度を中心値として４．２〜５．５μｍ程
度の範囲に形成され、幅寸法が１６０μｍを中心値とし
て１４０〜１８０μｍ程度の範囲に形成され、長さ寸法
が５５０μｍを中心値として５３０〜５７０μｍ程度の
範囲に形成されている。また、重り部２４は、１．４ｍ
ｇ（ミリグラム）程度となるように形成されている。
【００２６】次に、センサチップ２３とセラミック基板
２１との間に介在させるシリコン台座２２は、厚さ寸法
Ｄが１．８ｍｍ程度（１ｍｍ以上）に設定されており、
それぞれとの間を接着剤２７により接着固定されてい
る。
２１との間に介在させるシリコン台座２２は、厚さ寸法
Ｄが１．８ｍｍ程度（１ｍｍ以上）に設定されており、
それぞれとの間を接着剤２７により接着固定されてい
る。
【００２７】接着剤２７は、ベース接着剤２７ａに樹脂
粒子としての樹脂ビーズ２７ｂが配合されたものであ
る。ベース接着剤２７ａは、可撓性樹脂の一種であるシ
リコーン樹脂を用いており、このシリコーン樹脂の弾性
率は１ＭＰａ（メガパスカル）程度である。
粒子としての樹脂ビーズ２７ｂが配合されたものであ
る。ベース接着剤２７ａは、可撓性樹脂の一種であるシ
リコーン樹脂を用いており、このシリコーン樹脂の弾性
率は１ＭＰａ（メガパスカル）程度である。
【００２８】なお、センサチップ２３とシリコン台座２
２との間に設けられる接着剤２７の樹脂ビーズ２７ｂ
は、例えば８μｍ程度の球状をなすポリジビニルベンゼ
ン樹脂をベース接着剤２７ａ中に０．１ｗｔ％（重量パ
ーセント）以下となるように配合したもので、この樹脂
ビーズ２７ｂの弾性率は４．８ＧＰａ（ギガパスカル）
程度である。また、シリコン台座２２とセラミック基板
２１との間に設けられる接着剤２７の樹脂ビーズ２７ｂ
は、例えば２８μｍ程度の粒径でベース接着剤２７ａ中
に０．５４ｗｔ％程度配合したものである。
２との間に設けられる接着剤２７の樹脂ビーズ２７ｂ
は、例えば８μｍ程度の球状をなすポリジビニルベンゼ
ン樹脂をベース接着剤２７ａ中に０．１ｗｔ％（重量パ
ーセント）以下となるように配合したもので、この樹脂
ビーズ２７ｂの弾性率は４．８ＧＰａ（ギガパスカル）
程度である。また、シリコン台座２２とセラミック基板
２１との間に設けられる接着剤２７の樹脂ビーズ２７ｂ
は、例えば２８μｍ程度の粒径でベース接着剤２７ａ中
に０．５４ｗｔ％程度配合したものである。
【００２９】なお、樹脂ビーズ２７ｂの配合率の下限値
については、センサチップ２３を実装する際にそのセン
サチップ２３のフレーム２４下面の接着面に３個以上の
樹脂ビーズ２７ｂが散らばって存在することが条件であ
り、工程能力を考慮した経験的な値では０．０３ｗｔ％
程度以上が必要であることがわかっている。
については、センサチップ２３を実装する際にそのセン
サチップ２３のフレーム２４下面の接着面に３個以上の
樹脂ビーズ２７ｂが散らばって存在することが条件であ
り、工程能力を考慮した経験的な値では０．０３ｗｔ％
程度以上が必要であることがわかっている。
【００３０】上記した構成を採用することにより、セン
サチップ２３はシリコン台座２２上に接着固定された状
態となり、これによって重り部２６はシリコン台座２２
との間に接着剤２７の厚さ寸法（例えば、８μｍ〜１５
μｍ程度）だけ離間した状態に配設される。この程度の
空隙を設けることによって、重り部２６が過大な加速度
を受けたときのダンパとして空気を用いたエアダンパと
することができる。上記のように構成された半導体加速
度センサは、水平方向の面内での二次元方向の加速度を
検出するために、実装基板上に立てた状態で互いに直交
する位置に配置して実装されるようになっている。
サチップ２３はシリコン台座２２上に接着固定された状
態となり、これによって重り部２６はシリコン台座２２
との間に接着剤２７の厚さ寸法（例えば、８μｍ〜１５
μｍ程度）だけ離間した状態に配設される。この程度の
空隙を設けることによって、重り部２６が過大な加速度
を受けたときのダンパとして空気を用いたエアダンパと
することができる。上記のように構成された半導体加速
度センサは、水平方向の面内での二次元方向の加速度を
検出するために、実装基板上に立てた状態で互いに直交
する位置に配置して実装されるようになっている。
【００３１】上記構成によれば、水平方向の加速度を受
けると、２個の半導体加速度センサのそれぞれに方向に
応じた成分の加速度を受けるようになる。半導体加速度
センサにおいては、センサチップ２３の重り部２６が加
速度に応じた力を加速度と反対方向に受けることにな
る。これにより重り部２６が力を受けた方向に変位する
と、これを支持している４つの梁部２５ａ〜２５ｄは歪
むようになる。
けると、２個の半導体加速度センサのそれぞれに方向に
応じた成分の加速度を受けるようになる。半導体加速度
センサにおいては、センサチップ２３の重り部２６が加
速度に応じた力を加速度と反対方向に受けることにな
る。これにより重り部２６が力を受けた方向に変位する
と、これを支持している４つの梁部２５ａ〜２５ｄは歪
むようになる。
【００３２】このとき、例えば、重り部２６がシリコン
台座２２側に変位した場合には、梁部２５ａ〜２５ｄの
表面側の重り部２６寄りの位置では圧縮応力を受け、フ
レーム２４寄りの位置では引張応力を受けるようにな
り、これによって、それぞれに形成されている拡散抵抗
がピエゾ抵抗効果によって変化するようになる。する
と、ブリッジ接続された各部の抵抗値が変化することに
応じて電圧出力が得られるようになる。
台座２２側に変位した場合には、梁部２５ａ〜２５ｄの
表面側の重り部２６寄りの位置では圧縮応力を受け、フ
レーム２４寄りの位置では引張応力を受けるようにな
り、これによって、それぞれに形成されている拡散抵抗
がピエゾ抵抗効果によって変化するようになる。する
と、ブリッジ接続された各部の抵抗値が変化することに
応じて電圧出力が得られるようになる。
【００３３】また、過大な加速度を受けたときには、重
り部２６はシリコン台座２２との狭い空隙がエアダンパ
の効果を有することから、重り部２６と梁部２５ａ〜２
５ｄとが破壊されるのを防止することができる。
り部２６はシリコン台座２２との狭い空隙がエアダンパ
の効果を有することから、重り部２６と梁部２５ａ〜２
５ｄとが破壊されるのを防止することができる。
【００３４】そして、シリコン台座２２の厚さ寸法を１
ｍｍ以上である１．７５ｍｍに設定すると共に、接着剤
２７を用いて接着固定しているので、温度変動がある場
合でも、そのときの感度変動を所定の許容範囲内にする
ように応力の影響が極力小となるようにすることがで
き、これによって±１．５Ｇ程度の加速度を測定する場
合でも、誤差を少なくして高い精度で検出することがで
きるようになる。
ｍｍ以上である１．７５ｍｍに設定すると共に、接着剤
２７を用いて接着固定しているので、温度変動がある場
合でも、そのときの感度変動を所定の許容範囲内にする
ように応力の影響が極力小となるようにすることがで
き、これによって±１．５Ｇ程度の加速度を測定する場
合でも、誤差を少なくして高い精度で検出することがで
きるようになる。
【００３５】次に、上述の構成を採用した根拠となるデ
ータを示す。すなわち、上記した各データについては、
発明者らにより、シリコン台座２２の厚さ寸法に対する
温度サイクル試験前後の感度Ｓ（Ｖ／Ｇ）からその感度
変動ΔＳ（％）を測定すると共に、接着剤２７の樹脂ビ
ーズの配合率と低温度放置試験の前後での感度Ｓ（Ｖ／
Ｇ）からその感度変動ΔＳ（％）を測定した結果に基づ
いている。
ータを示す。すなわち、上記した各データについては、
発明者らにより、シリコン台座２２の厚さ寸法に対する
温度サイクル試験前後の感度Ｓ（Ｖ／Ｇ）からその感度
変動ΔＳ（％）を測定すると共に、接着剤２７の樹脂ビ
ーズの配合率と低温度放置試験の前後での感度Ｓ（Ｖ／
Ｇ）からその感度変動ΔＳ（％）を測定した結果に基づ
いている。
【００３６】この場合、感度Ｓは１Ｇ当たりの出力電圧
の値であるが、実際には、この半導体加速度センサ自体
の測定範囲が±１．５Ｇ程度であるから、加速度のない
状態０Ｇのときの出力電圧Ｖ０（Ｖ）と加速度が１Ｇの
ときの出力電圧Ｖ１（Ｖ）との差の電圧値（Ｖ）として
次式（１）のように定義している。 Ｓ（Ｖ／Ｇ）＝Ｖ１−Ｖ０ …（１）
の値であるが、実際には、この半導体加速度センサ自体
の測定範囲が±１．５Ｇ程度であるから、加速度のない
状態０Ｇのときの出力電圧Ｖ０（Ｖ）と加速度が１Ｇの
ときの出力電圧Ｖ１（Ｖ）との差の電圧値（Ｖ）として
次式（１）のように定義している。 Ｓ（Ｖ／Ｇ）＝Ｖ１−Ｖ０ …（１）
【００３７】また、感度変動ΔＳ（％）は、試験前の感
度Ｓｏと試験後の感度Ｓ１の差の値のＳｏに対する割合
として次式（２）のように定義している。 ΔＳ（％）＝（Ｓｏ−Ｓ１）／Ｓｏ×１００（％）
度Ｓｏと試験後の感度Ｓ１の差の値のＳｏに対する割合
として次式（２）のように定義している。 ΔＳ（％）＝（Ｓｏ−Ｓ１）／Ｓｏ×１００（％）
【００３８】さて、まず、シリコン台座２２の厚さ寸法
については、シリコン台座２２を設けないものつまり厚
さ寸法がゼロのものから、２ミリ程度の厚さ寸法のもの
までの種々のものを用いて温度ストレス試験である温度
サイクル試験を実施した。温度サイクル試験は、室温状
態で感度Ｓｏを測定してから−３０℃の雰囲気中に２時
間放置し、続いて８５℃の雰囲気中に２時間放置し、こ
の後室温に戻して感度Ｓ１を測定するまでを１サイクル
の試験として設定されているものである。
については、シリコン台座２２を設けないものつまり厚
さ寸法がゼロのものから、２ミリ程度の厚さ寸法のもの
までの種々のものを用いて温度ストレス試験である温度
サイクル試験を実施した。温度サイクル試験は、室温状
態で感度Ｓｏを測定してから−３０℃の雰囲気中に２時
間放置し、続いて８５℃の雰囲気中に２時間放置し、こ
の後室温に戻して感度Ｓ１を測定するまでを１サイクル
の試験として設定されているものである。
【００３９】図３は、温度サイクル試験の前後での感度
変動ΔＳをシリコン台座２２の厚さ寸法に対して求めた
もので、この結果から、例えば、±１Ｇ（±１Ｇ〜±２
Ｇ程度までの範囲）程度の低い加速度の検出領域で精度
良く検出するための基準として感度変動ΔＳの値を±２
％程度に設定したときには、シリコン台座２２の厚さ寸
法が１ｍｍ以上に設定されていれば良いことがわかっ
た。
変動ΔＳをシリコン台座２２の厚さ寸法に対して求めた
もので、この結果から、例えば、±１Ｇ（±１Ｇ〜±２
Ｇ程度までの範囲）程度の低い加速度の検出領域で精度
良く検出するための基準として感度変動ΔＳの値を±２
％程度に設定したときには、シリコン台座２２の厚さ寸
法が１ｍｍ以上に設定されていれば良いことがわかっ
た。
【００４０】次に、接着剤２７に配合する樹脂ビーズ２
７ｂの配合率については、樹脂ビーズ２７ｂを配合しな
いものから０．５５ｗｔ％程度まで配合したものまでの
種々のものを用いて温度ストレス試験である低温放置試
験を実施した。低温放置試験は、室温状態で感度Ｓｏを
測定してから、−４０℃の雰囲気中に所定時間放置し、
この後室温に戻して感度Ｓ１を測定するまでを１サイク
ルの試験として設定されているものである。
７ｂの配合率については、樹脂ビーズ２７ｂを配合しな
いものから０．５５ｗｔ％程度まで配合したものまでの
種々のものを用いて温度ストレス試験である低温放置試
験を実施した。低温放置試験は、室温状態で感度Ｓｏを
測定してから、−４０℃の雰囲気中に所定時間放置し、
この後室温に戻して感度Ｓ１を測定するまでを１サイク
ルの試験として設定されているものである。
【００４１】図４は、低温放置試験の前後での感度変動
ΔＳを接着剤２７への樹脂ビーズ２７ｂの配合率を変え
たときの測定結果を示すものである。この結果から、上
述した基準つまり感度変動ΔＳが±２％程度に設定され
ている場合では、樹脂ビーズ２７ｂの配合率は０．１ｗ
ｔ％程度以下であることが必要であることがわかった。
なお、配合率の下限値は、前述したように、理論的には
センサチップ２１の接着面内に最低３個の樹脂ビーズ２
７ｂが適度な間隔をもって配置されるような値に設定す
れば良いが、実質的には工程能力との関係から、経験的
な値として０．０３ｗｔ％程度が下限値となることがわ
かっている。
ΔＳを接着剤２７への樹脂ビーズ２７ｂの配合率を変え
たときの測定結果を示すものである。この結果から、上
述した基準つまり感度変動ΔＳが±２％程度に設定され
ている場合では、樹脂ビーズ２７ｂの配合率は０．１ｗ
ｔ％程度以下であることが必要であることがわかった。
なお、配合率の下限値は、前述したように、理論的には
センサチップ２１の接着面内に最低３個の樹脂ビーズ２
７ｂが適度な間隔をもって配置されるような値に設定す
れば良いが、実質的には工程能力との関係から、経験的
な値として０．０３ｗｔ％程度が下限値となることがわ
かっている。
【００４２】このような本実施例によれば、シリコン台
座２２の厚さ寸法を１ｍｍ以上で１．７５ｍｍ程度に設
定すると共に、接着剤２７の樹脂ビーズ２７ｂの配合率
を０．１ｗｔ％以下程度に設定したものを用いて接着固
定するようにしたので、温度ストレス試験としての温度
サイクル試験や低温放置試験を経た後でも感度変動ΔＳ
を２％程度以内に抑えることができ、これによって、温
度変化のある環境において使用する場合でも、±１．５
Ｇ程度の低い範囲の加速度を高精度で検出することがで
きるようになる。
座２２の厚さ寸法を１ｍｍ以上で１．７５ｍｍ程度に設
定すると共に、接着剤２７の樹脂ビーズ２７ｂの配合率
を０．１ｗｔ％以下程度に設定したものを用いて接着固
定するようにしたので、温度ストレス試験としての温度
サイクル試験や低温放置試験を経た後でも感度変動ΔＳ
を２％程度以内に抑えることができ、これによって、温
度変化のある環境において使用する場合でも、±１．５
Ｇ程度の低い範囲の加速度を高精度で検出することがで
きるようになる。
【００４３】本発明は、上記実施例にのみ限定されるも
のではなく、次のように変形また拡張できる。ＡＢＳ用
の半導体加速度センサ以外にも、ＶＳＣ（Vehicle Stab
ility Control ）のような高精度で低加速度を検出する
ものにも適用できる。半導体センサ素子のチップサイズ
は３．６ｍｍ角程度としたが、これ以外のサイズのもの
に適用することもできる。
のではなく、次のように変形また拡張できる。ＡＢＳ用
の半導体加速度センサ以外にも、ＶＳＣ（Vehicle Stab
ility Control ）のような高精度で低加速度を検出する
ものにも適用できる。半導体センサ素子のチップサイズ
は３．６ｍｍ角程度としたが、これ以外のサイズのもの
に適用することもできる。
【００４４】接着剤２７に配合する樹脂ビーズの粒径は
８μｍの他に、８〜１５μｍ程度の範囲のものを使用す
ることができる。また、樹脂ビーズの材質としては、ボ
リジビニルベンゼン樹脂の他に、シリコーン樹脂など弾
性率が４〜６ＧＰａ程度の範囲にある樹脂ビーズを用い
ることができる。
８μｍの他に、８〜１５μｍ程度の範囲のものを使用す
ることができる。また、樹脂ビーズの材質としては、ボ
リジビニルベンゼン樹脂の他に、シリコーン樹脂など弾
性率が４〜６ＧＰａ程度の範囲にある樹脂ビーズを用い
ることができる。
【００４５】接着剤２７のベース接着剤２７ａは、シリ
コーン樹脂以外に、可撓性エポキシ樹脂などを用いるこ
ともできる。梁部は重り部を４箇所から支持する両持ち
形のもの以外に、３箇所以下で支持する構成でも良く、
また５箇所以上で支持するものでも良い。さらには、片
持ちのものにも適用することができる。
コーン樹脂以外に、可撓性エポキシ樹脂などを用いるこ
ともできる。梁部は重り部を４箇所から支持する両持ち
形のもの以外に、３箇所以下で支持する構成でも良く、
また５箇所以上で支持するものでも良い。さらには、片
持ちのものにも適用することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す縦断側面図
【図２】外観斜視図
【図３】シリコン台座の厚さ寸法と感度変動との関係を
示す測定結果図
示す測定結果図
【図４】樹脂粒子の配合割合と感度変動との関係を示す
測定結果図
測定結果図
【図５】従来例を示すセンサチップの平面図
【図６】実装状態で示す縦断側面図
２１はセラミック基板（基板）、２２はシリコン台座
（台座）、２３はセンサチップ（半導体センサ素子）、
２３ａはシリコン基板、２３ｂはエピタキシャル層、２
４はフレーム、２５ａ〜２５ｄは梁部、２６は重り部、
２７は接着剤、２７ａはベース接着剤、２７ｂは樹脂ビ
ーズ（樹脂粒子）である。
（台座）、２３はセンサチップ（半導体センサ素子）、
２３ａはシリコン基板、２３ｂはエピタキシャル層、２
４はフレーム、２５ａ〜２５ｄは梁部、２６は重り部、
２７は接着剤、２７ａはベース接着剤、２７ｂは樹脂ビ
ーズ（樹脂粒子）である。
フロントページの続き (72)発明者 下山 泰樹 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 薫田 智仁 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 加速度の検出範囲を±１Ｇ〜±２Ｇ（１
Ｇは重力の加速度）程度としたものであって、梁部を介
して重り部が支持される構成で、加速度を受けて重り部
が変位すると梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗
値が変化し、これを電気的に検出してそのとき受けてい
る加速度の大きさを検出するようにした半導体センサ素
子を有する半導体加速度センサにおいて、 前記半導体センサ素子を搭載する基板との間に介在され
該半導体センサ素子の熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を
有する台座を設け、 この台座の厚さ寸法を、所定の熱的ストレス試験の前後
における前記半導体センサ素子の検出感度の変動率が所
定許容値以下となるように設定したことを特徴とする半
導体加速度センサ。 - 【請求項２】 加速度の検出範囲を±１Ｇ〜±２Ｇ程度
としたものであって、梁部を介して重り部が支持される
構成で、加速度を受けて重り部が変位すると梁部に形成
した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化するのを電気的
に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出す
るようにした半導体センサ素子を有する半導体加速度セ
ンサにおいて、 前記半導体センサ素子を搭載する基板との間に介在され
該半導体センサ素子の熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を
有する台座を設け、 前記半導体センサ素子を、ベース材料に可撓性樹脂を用
いると共にこれに所定粒径の樹脂粒子を０．１ｗｔ％
（重量パーセント）以下となるように配合した接着剤を
用いて前記台座に固定したことを特徴とする半導体加速
度センサ。 - 【請求項３】 加速度の検出範囲を±１Ｇ〜±２Ｇ程度
としたものであって、梁部を介して重り部が支持される
構成で、加速度を受けて重り部が変位すると梁部に形成
した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化するのを電気的
に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出す
るようにした半導体センサ素子を有する半導体加速度セ
ンサにおいて、 前記半導体センサ素子を搭載する基板との間に介在され
該半導体センサ素子の熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を
有する台座を設け、 この台座の厚さ寸法を、所定の熱的ストレス試験の前後
における前記半導体センサ素子の検出感度の変動率が所
定許容値以下となるように設定し、 前記半導体センサ素子を、ベース材料に可撓性樹脂を用
いると共にこれに所定粒径の樹脂粒子を０．１ｗｔ％以
下となるように配合した接着剤を用いて前記台座に固定
したことを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項４】 前記台座の厚さ寸法は、前記半導体セン
サ素子のチップサイズが３．６ｍｍ角程度であるときに
１ｍｍ以上に設定されていることを特徴とする請求項１
ないし３のいずれかに記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項５】 前記台座は、前記半導体センサ素子と同
じ材質の半導体材料を用いて構成されていることを特徴
とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体加速
度センサ。 - 【請求項６】 前記半導体センサ素子は、前記重り部を
支持する梁が両持ち構造に構成されていることを特徴と
する請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体加速度
センサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8211089A JPH1054843A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 半導体加速度センサ |
| US08/908,939 US6448624B1 (en) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | Semiconductor acceleration sensor |
| DE19734530A DE19734530B4 (de) | 1996-08-09 | 1997-08-08 | Halbleiterbeschleunigungssensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8211089A JPH1054843A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1054843A true JPH1054843A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16600243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8211089A Pending JPH1054843A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1054843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11344506A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-14 | Japan Aviation Electronics Ind Ltd | 半導体加速度センサ |
| WO2001046708A1 (fr) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Mitsubichi Denki Kabushiki Kaisha | Equipement de detection et son procede de fabrication |
-
1996
- 1996-08-09 JP JP8211089A patent/JPH1054843A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11344506A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-14 | Japan Aviation Electronics Ind Ltd | 半導体加速度センサ |
| WO2001046708A1 (fr) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Mitsubichi Denki Kabushiki Kaisha | Equipement de detection et son procede de fabrication |
| KR100633655B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2006-10-11 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 센서 소자 및 그 제조 방법 |
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