JPH04356971A - 半導体歪みセンサ - Google Patents
半導体歪みセンサInfo
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
出するための半導体歪みセンサに関するものである。
抗素子による半導体加速度センサが使用されている(例
えば、特開平2−231571号公報)。即ち、台座上
にシリコンチップが接合され、このシリコンチップの一
部に梁構造の可動部が形成され、厚さが40μm程度の
可動部にピエゾ抵抗層が形成されている。そして、この
センサはエアバックシステムに用いられ、エアバック用
加速度センサでは、5〜49G程度の比較的大きな加速
度を差分(ある時刻の加速度と所定時間経過後の加速度
との差分)として検知するものである。一方、近年では
自動車のアンチロックブレーキシステム(ABSシステ
ム)においても加速度センサを用いることが検討されて
いる。このABS用加速度センサでは、自動車の加減速
時に変化する小さな加速度(0〜1.5G)を差分では
なく直接(ある時刻での加速度を)感知する必要があり
、加速度に対する出力は、リニア(直線的)であること
が要求される。さらに、このセンサとしては、雰囲気温
度の変化や経時的にも出力特性が変化しないことが要求
される。
速度センサとして使用すべく小さな加速度(0〜1.5
G)を感知するために一般的な半導体加速度センサを高
感度化しようとすると、シリコンチップの薄肉部(可動
部)の厚さを略15μm以下に薄くする必要がある。こ
の際、雰囲気温度の変化や経時によりシリコンチップと
台座との接合部分で接合歪みが発生し、その歪みがピエ
ゾ抵抗層に至りセンサの出力特性が変動して加速度を正
確に測定することができない。その対策として、シリコ
ンチップと温度膨張係数の近い台座を用いたり、陽極接
合等の応力歪みの出にくい接合方法を採用する等の方法
が採用されているが、不十分である。そのため、ABS
システム等に用いられる高感度な加速度センサとしては
、半導体式のものは実用化されておらず、機械式に加速
度を検出するセンサが用いられている。
合歪みの影響を受けにくく加速度等に応じた歪みを正確
に検出することができる半導体歪みセンサを提供するこ
とにある。
合され、半導体基板の一部をなす厚肉の第1支持部と、
半導体基板の一部をなし、前記第1支持部から延びる厚
肉の第2支持部と、半導体基板の一部をなし、前記第2
支持部から延び、かつ、ピエゾ抵抗層が配置された薄肉
の可動部と、前記第2支持部に形成され、半導体基板の
第1支持部と前記台座との接合歪みの前記ピエゾ抵抗層
への伝播長を長くするための溝とを備えた半導体歪みセ
ンサをその要旨とするものである。
とが好ましい。
座との接合部に歪みが発生すると、その歪みは厚肉の第
1支持部から厚肉の第2支持部に伝播していき、さらに
、ピエゾ抵抗層が配置された薄肉の可動部に至る。しか
しながら、溝により歪みの伝播長が長くなっているため
、接合歪みが減衰してその影響を受けにくい。
に従って説明する。図1には半導体加速度センサの全体
構成図を示し、図2には図1のA−A断面を示す。本セ
ンサは自動車のABSシステムに用いられるものである
。ステム1と、その上面に接合されたシェル(蓋材)2
により、後記シリコンチップ6を収納するパッケージ材
が構成されている。ステム1はコバール等の金属よりな
り、シェル2は鉄等の金属よりなる。ステム1はその中
央部に凸部3が形成され、同凸部3には4本のリード端
子4が貫通状態でガラス溶着にて固定されている。 又、ステム1の外周部にはセンサ取り付け用穴5が形成
されている。
ンチップ6部分の斜視図を示し、図4にはシリコンチッ
プ6の平面を示し、図5には図4のB−B断面を示す。 ステム1の凸部3上には、パイレックスガラスよりなる
四角板状の台座7が接合され、台座7の上には四角板状
の半導体基板としてのシリコンチップ6が配置されてい
る。図4に示すように、シリコンチップ6はその裏面が
台座7と接合する四角枠状の第1支持部8を有し、同第
1支持部8はシリコンチップ6の4辺を用いて形成され
ている。シリコンチップ6における第1支持部8の内方
には上下に貫通する4つの溝12a,12b,12c,
12dが形成され、4つの薄肉の可動部14,15,1
6,17にて厚肉の四角形状の重り部10が連結された
構造となっている。さらに、シリコンチップ6の第1支
持部8の内方において、上下に貫通する溝11が溝12
a,12b,12c,12dを囲むように形成されてい
る。そして、同溝11にて厚肉のコ字状の第2支持部9
と厚肉の連結部13とが区画されている。
部8に対し第2支持部9が延設され、第2支持部9から
薄肉の可動部14〜17が延設された構造となっている
。又、溝11により第1支持部8と第2支持部9とは連
結部13にて連結された構造となっている。さらに、第
2支持部9と重り部10とは前述したように可動部14
,15,16,17にて連結されている。この可動部1
4,15,16,17の厚さは5μm程度となっており
、2つずつのピエゾ抵抗層18a,18b,19a,1
9b,20a,20b,21a,21bが形成されてい
る。又、図5に示すように台座7の上面中央部には凹部
22が形成され、加速度が加わり重り部10が変位した
ときに接触しないようになっている。
アルミによる配線パターンを示す。本実施例では、アー
ス用の配線41と、電源電圧印加用の配線42と、加速
度に応じた電位差を取り出すための出力用の配線43,
44とが形成されている。又、これら配線に対しもう1
組の4つの配線が用意されている。つまり、アース用の
配線45と、電源電圧印加用の配線46と、加速度に応
じた電位差を取り出すための出力用の配線47,48と
が形成されている。電源電圧印加用の配線42の途中に
はシリコンチップ6の不純物拡散層49が介在され、そ
の不純物拡散層49の上をシリコン酸化膜を介してアー
ス用の配線41が交差状態で配置されている。同様に、
電源電圧印加用の配線46は不純物拡散層50を介して
電源電圧印加用の配線42と接続され、アース用の配線
45は不純物拡散層51を介してアース用の配線41と
接続され、さらに、出力用の配線47は不純物拡散層5
2を介して出力用の配線43と接続されている。又、出
力用の配線48と44とは抵抗調整のための不純物拡散
層53を介して接続されている。本実施例では、配線4
1〜44を用いた結線がなされる。
18a,18b,19a,19b,20a,20b,2
1a,21bにてホイートストーンブリッジ回路が形成
されるように電気接続されている。ここで、端子35は
アース用端子であり、端子36は電源電圧印加用端子で
あり、端子37及び38は加速度に応じた電位差を取り
出すための出力端子である。この4つの端子35,36
,37,38は、図1,2に示すように、ワイヤ23に
てリード端子4と接続されている。
おけるシリコンチップ6の配置位置より上方において2
枚の隔壁板24が上方ほど接近するように配設され、両
者の先端部がダンピング液用連通孔25となっている。 そして、隔壁板24の下側にはシリコーンオイル等のダ
ンピング液26が充填されている。又、隔壁板24には
それぞれ気体用連通孔27が形成されている。
〜図12にはセンサの製造工程を示す。まず、図8に示
すように、N− 型のシリコンウェハ28を用意し、そ
の表面の全面に厚さ4500Åのシリコン酸化膜29を
形成する。そして、シリコン酸化膜29の所定領域をエ
ッチングにより除去し、シリコンウェハ28の所定領域
にP+ 拡散層30を形成する。さらに、図9に示すよ
うに、シリコンウェハ28の全面にCVDにより厚さ4
000Åのシリコン酸化膜31を形成する。そして、所
定領域Z1のシリコン酸化膜29,31をエッチング除
去する。
ハ28の上面の露出部に厚さ1000Åのシリコン酸化
膜32を形成する。さらに、シリコン酸化膜32上に所
定のパターンのマスクを配置し、その後、イオン注入に
よりシリコンウェハ28にピエゾ抵抗層としてのP+
拡散層33を形成する。このP+ 拡散層33はP+
拡散層30とつながっている。
酸化膜32でのコンタクト部分を除去した後、アルミ3
4による配線を行う。さらに、図12に示すように、シ
リコンウェハ28の裏面を、所定の感度が得られる厚さ
(5μm程度)までエッチングする。又、シリコンウェ
ハ28の表面をエッチングして上下に貫通する溝11,
12a,12b,12c,12dを形成する。このとき
、図13に示すように、薄肉の可動部14〜17でのシ
リコン酸化膜32の厚さは1000Åとなり、その他の
厚肉の部分ではシリコン酸化膜29,31の厚さは40
00Å,4500Åにとなる。又、図13において、可
動部14〜17の薄肉部分とその他の厚肉部分の境界部
分において、図中、Dで示すように、薄いシリコン酸化
膜32が可動部よりも厚肉の方まで食い込んで形成され
ている。
7の上にシリコンウェハ28を陽極接合する。その後、
シリコンウェハ28及び台座7をダイシングカットして
図3に示すような所定の大きさに裁断する。次に、ステ
ム1の凸部3上に台座7を接着した後、ステム1上にシ
ェル2を接合しダンピング液26を充填する。
ンサにおいては、台座7と接合されたシリコンチップ6
の第1支持部8に対し第2支持部9と重り部10と可動
部14〜17とは溝11による連結部13で連結されて
いる。そして、図4に示すように、第1支持部8での接
合歪みのピエゾ抵抗層への伝播通路R1,R2 ,R3
,R4 が形成され、溝11が無い場合に比べ通路長さ
が長くなっている。よって、第1支持部8(接合部)で
発生する接合歪み(応力)は、連結部13から第2支持
部9へと伝わるが、可動部14〜17へは伝わりにくく
なる。
実験結果を示す。これらの図は、横軸に雰囲気温度をと
り、縦軸に加速度が加わっていない状態でのブリッジ回
路の出力端子37,38間の出力電圧(オフセット電圧
)の変動量をとっている。図14は本実施例のセンサを
示し、図15は溝11のないシリコンチップでの測定結
果である。その結果、図15に示す溝11がない場合に
対し、図14に示す本実施例のセンサは、出力電圧の変
動量を1/4程度(=W2 /W1 )に減少できた。
BSシステムに組み込んだ状態では、図7のブリッジ回
路での出力端子37,38間の電圧がABSシステム用
コントローラに取り込まれる。そして、ABSシステム
用コントローラはその電圧により車両に加わる加速度を
検知し、車両減速度を算出して路面のμ状態を判別し、
それに適した疑似車速を作成して車両速度に近似させ車
輪のスリップ率の最適化を図る。
では、溝11を形成することにより第1支持部8と台座
7との接合歪みのピエゾ抵抗層への伝播長を長くした。 つまり、溝11を設けることにより図4での伝播通路R
1 ,R2,R3 ,R4 が形成され、溝11が無い
場合に比べ通路長さを長くとっている。よって、温度変
化等によりシリコンチップ6の第1支持部8と台座7と
の接合部に歪みが発生すると、その歪みは厚肉の第1支
持部8から厚肉の第2支持部9に伝播していき、さらに
、ピエゾ抵抗層が形成された薄肉の可動部14〜17に
至る。 しかしながら、溝11により歪みの伝播長が長くなって
いるため、接合歪みが減衰してその影響を受けにくくな
る。その結果、高感度なABS用加速度センサとして使
用すべくシリコンチップ6の薄肉部(可動部)の厚さを
5μmに薄くすることができることとなる。
4 が複数箇所(図4では90°の屈曲部が3箇所)に
わたり曲げられている。その結果、接合歪みが伝播する
際に、この屈曲部において歪み力が分散して接合歪みが
減衰されやすいものとなる。つまり、図4においては最
初の屈曲部において90°曲げられることによりその入
力側の歪み力に対しその一部の歪み力が直交方向に伝播
していき、2番目の屈曲部において90°曲げられるこ
とによりその入力側の歪み力に対しその一部の歪み力が
直交方向に伝播していくことになる。又、伝播通路R1
,R2 ,R3 ,R4 を曲げることにより、通路
長を長くする際に小さな面積部分に長い通路長を形成で
きる。
部14〜17でのシリコン酸化膜32の厚さは1000
Åで、又、その他の厚肉の部分ではシリコン酸化膜29
,31の厚さは4000Å,4500Åとした。よって
、可動部14〜17におけるシリコン酸化膜が4000
Å,4500Åと厚いとシリコン酸化膜形成時の冷却の
際に可動部14〜17が反ってしまうが、それが回避で
きる。又、薄肉の可動部14〜17のみならずシリコン
チップ6の表面の全てに厚さ1000Åのシリコン酸化
膜32を形成すると、図6に示す不純物拡散層49〜5
3を用いてアルミ配線を交差させる際に、図16に示す
ように、2つの不純物拡散層54,55の上にシリコン
酸化膜56を介してアルミ層57が配置される構造とな
り、拡散層54,55の間のシリコン層において電荷が
溜まったコンデンサ構造が形成されてしまい両不純物拡
散層54,55が短絡してしまう。これに対し本実施例
のようにシリコン酸化膜の厚さを8500Å(=400
0Å+4500Å)にすることによりこれが回避できる
。
4〜17の薄肉部分とその他の厚肉部分との境界部分に
おいて、薄いシリコン酸化膜32を可動部よりも厚肉部
の方まで食い込んで形成した。よって、薄肉部と厚肉部
との境界部分における歪みがピエゾ抵抗値に大きな影響
を与えるが、薄肉部と厚肉部との境界部分の酸化膜を確
実に薄くでき、シリコン酸化膜の冷却時のシリコンチッ
プの反りを確実に防止できる。
らず、図1のセンサ取り付け用穴5によるセンサ自体の
取り付けのネジ等による応力歪をも有効にキャンセルす
ることができ、精度の良いセンサを供給することができ
る。尚、この発明は上記実施例に限定されるものではな
く、例えば、前記実施例では両持ち梁構造であったが、
図17,18に示すように、片持ち梁構造でもよい。つ
まり、コ字状の溝12によりシリコンチップ6の中央部
に長方形の重り部10が可動部14を介して支持され、
溝12を囲むようにしてコ字状の溝11を形成してもよ
い。
変えもよい。つまり、溝12a,12b,12c,12
d,12eによりシリコンチップ6の中央部に長方形の
重り部10が可動部14,15,16,17を介して支
持され、さらに、溝12a,12b,12c,12d,
12eを囲むようにしてコ字状の溝11を形成してもよ
い。
12a,12bを無くした形状としてもよい。つまり、
溝12c,12dによりシリコンチップ6の中央部に長
方形の重り部10がその両側の可動部14,16を介し
て支持され、溝12d及び可動部14,16を囲むよう
にしてコ字状の溝11を形成してもよい。又、図21に
示すように、重り部10に対し十文字に可動部14,1
5,16,17を配置してもよい。即ち、溝12a,1
2b,12c,12dによりシリコンチップ6の中央部
に方形の重り部10が十字状の可動部14,15,16
,17にて支持され、溝12a,12b,12c,12
d及び薄肉の可動部14,15,16,17を囲むよう
にしてコ字状の溝11及び直線的に延びる溝58を形成
してもよい。
ように、第2支持部9が温度変化に伴う膨張により内側
あるいは外側に変位することがあった場合、可動部14
,16と15,17とでは可動部15,17の方に大き
な応力が加わることになりバランスが崩れることになる
(換言すると、ブリッジ回路での抵抗値のバランスが崩
れることになる)。そこで、図22又は図23のように
してもよい。即ち、図22に示すように、第2支持部9
の先端側を厚肉部59にて連結した構造にしてもよい。 又、図23に示すように、第2支持部9の先端側を厚肉
部59にて連結し、さらに、可動部14,16と15,
17への第1支持部8からの接合歪み伝播距離が等しく
なるようにもう一つの厚肉の連結部13aを設けてもよ
い。
温度変化や経時的な接合歪みの影響を受けにくく加速度
等に応じた歪みを正確に検出することができる優れた効
果を発揮する。
視図である。
ある。
図である。
示す図である。
1a,21b ピエゾ抵抗層
Claims (2)
- 【請求項1】 台座上に接合され、半導体基板の一部
をなす厚肉の第1支持部と、半導体基板の一部をなし、
前記第1支持部から延びる厚肉の第2支持部と、半導体
基板の一部をなし、前記第2支持部から延び、かつ、ピ
エゾ抵抗層が配置された薄肉の可動部と、前記第2支持
部に形成され、半導体基板の第1支持部と前記台座との
接合歪みの前記ピエゾ抵抗層への伝播長を長くするため
の溝とを備えたことを特徴とする半導体歪みセンサ。 - 【請求項2】 前記接合歪みの伝播通路が曲がってい
ることを特徴とする請求項1に記載の半導体歪みセンサ
。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3131444A JP2861477B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 半導体歪みセンサ |
DE4218324A DE4218324C2 (de) | 1991-06-03 | 1992-06-03 | Halbleiter-Dehnungssensor |
US08/091,068 US5408112A (en) | 1991-06-03 | 1993-07-14 | Semiconductor strain sensor having improved resistance to bonding strain effects |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3131444A JP2861477B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 半導体歪みセンサ |
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---|---|
JPH04356971A true JPH04356971A (ja) | 1992-12-10 |
JP2861477B2 JP2861477B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=15058102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3131444A Expired - Lifetime JP2861477B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 半導体歪みセンサ |
Country Status (2)
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DE (1) | DE4218324C2 (ja) |
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Citations (1)
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---|---|---|---|---|
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JP2786240B2 (ja) * | 1988-04-11 | 1998-08-13 | 株式会社デンソー | 加速度センサ |
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-
1991
- 1991-06-03 JP JP3131444A patent/JP2861477B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-06-03 DE DE4218324A patent/DE4218324C2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH04169856A (ja) * | 1990-11-01 | 1992-06-17 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサ |
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