JPH10513316A - 増幅器 - Google Patents

増幅器

Info

Publication number
JPH10513316A
JPH10513316A JP8522694A JP52269496A JPH10513316A JP H10513316 A JPH10513316 A JP H10513316A JP 8522694 A JP8522694 A JP 8522694A JP 52269496 A JP52269496 A JP 52269496A JP H10513316 A JPH10513316 A JP H10513316A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
amplifier
voltage
input
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8522694A
Other languages
English (en)
Inventor
ローレンス ペンノック,ジョン
Original Assignee
シーゲイト マイクロエレクトロニクス リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シーゲイト マイクロエレクトロニクス リミテッド filed Critical シーゲイト マイクロエレクトロニクス リミテッド
Publication of JPH10513316A publication Critical patent/JPH10513316A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection

Abstract

(57)【要約】 耐磁性センサを用いるディスクドライブの読出しヘッドとして使用するのに特に好ましい増幅器。この増幅器は一定の電流を耐磁性センサに注入することができ、かつ耐磁性センサの抵抗値がその磁気環境に従って変化するとその耐磁性センサ間に生じる電圧に応じて出力信号を与えることができる。

Description

【発明の詳細な説明】 増幅器 本発明は、ディスクドライブにおいて読出しヘッド増幅器として使用するのに 特に好ましい増幅器に関する。 本発明の第1の特徴は、増幅器入力ポートの1つに接続しかつ電流をその増幅 器入力ポートに接続された負荷に注入することができる電流発生器と、この入力 ポートに接続して注入電流の周波数範囲を排除する選択された周波数範囲内の上 記入力ポートに与えられる信号を増幅する周波数選択性増幅回路と、この周波数 選択性増幅回路内で接続されて上記増幅器入力ポートに接続した負荷への電流注 入の結果となる周波数選択性増幅回路内での不平衡の状態に対抗することができ る電圧相殺回路とを含んだ増幅器を与えることである。 好ましくは、電圧相殺回路は、周波数選択性増幅回路からのDC出力電圧に応 じ、かつ周波数選択性増幅回路のDC出力電圧をゼロボルトに向けてドライブす る態様で信号を周波数選択性増幅回路の入力素子に与えるように接続されている 。 好ましくは、電流発生器は、入力ポートの第1の端子で第1の電流を供給する ことができ、かつ入力ポートの第2の端子で第1の電流とは等しくない第2の電 流をシンクすることができるトランジスタ電流ミラーの回路網を含んでいる。 本発明の1つの特徴は、増幅器入力ポートの1つに接続して第1の電流をその 入力ポートの第1の端子に供給し、かつ第1の電流とは等しくない第2の電流を その入力ポートの第2の端子から除去することができる電流発生器と、この入力 ポートに与えられる信号を選択された周波数範囲内で増幅する周波数選択性増幅 回路と、この周波数選択性増幅回路増幅器の出力ポートに接続した入力ポートお よびその周波数選択性増幅回路の出力電圧の低周波数成分をゼロボルトに向けて ドライブするように、この周波数選択性増幅回路の入力素子に接続した出力ポー トを有する低周波数電圧相殺回路とを含んだ増幅器を与えることである。 好ましくは、この電圧相殺回路は、最初に第1の帯域幅と第1のゲインで動作 し、次いで第1の帯域幅よりも狭い第2の帯域幅と第1のゲインにほぼ等しい第 2のゲインとで動作することができる。 好ましくは、動作にあって、この電圧相殺回路は、周波数選択性増幅回路にお ける低レベルでの第1の動作電圧と高レベルでの第2の動作電圧とに応じ、これ ら第1および第2の動作電圧が選択された値から離れることに対抗するような態 様で信号を周波数選択性増幅回路の入力素子に与える。 この電圧相殺回路の一実施例は、増幅器の入力ポートに接続した負荷に注入さ れる電流の影響に対抗するように周波数選択性増幅回路の入力素子でのDC電圧 を維持することができる電流増幅器出力段を含んでいる。 この電圧相殺回路の別の実施例は、増幅器の入力ポートに接続した負荷に注入 される電流の影響に対抗するように周波数選択性増幅回路の入力素子でのDC電 圧を維持するために電流設定抵抗と直列に接続した電圧増幅器出力段を含んでい る。 好ましくは、周波数選択性増幅回路は、この周波数選択増幅回路の周波数範囲 にわたってベース接地構成で動作するように接続された差動接続のバイポーラト ランジスタ入力段を含んでいる。 好ましくは、この差動接続の入力段の1つのトランジスタは、固定ベース電圧 バイアスを設けており、差動接続の入力段の対抗するトランジスタのベース電圧 バイアスは、電圧相殺回路により与えられる。 一実施例において、差動接続の入力段は、トランジスタのベース入力インピー ダンスを増大するための電流帰還回路を含んでいる。 他の実施例において、差動接続した入力段の各部分は、入力ダーリントン接続 トランジスタを含んでいる。 好ましくは、電圧相殺回路のポートに接続したコンデンサは、この電圧相殺回 路の帯域幅を決定する。 本発明の第2の特徴は、電流増幅器入力ポートとなる第1の低インピーダンス を有する入力電流加算段と、この電流加算段の出力ポートに接続した入力ポート を有する電圧増幅段と、この電流加算段の第2の低インピーダンスに接続した出 力ポートを含む基準段と、この基準段と並列に電圧増幅段によってドライブされ るように接続された出力段とを含み、出力および基準段の出力電流は、これら出 力および基準段の素子によって決定される互いに固定の比率となっているような 電流増幅器を与えることである。 この電流加算段は、その入力電流の和に等しい出力電流を与える。 電流増幅器の一実施例は、電流増幅段の出力ポートから電流増幅器のトランス レジスタンスを定める基準点まで接続される抵抗を含んでいる。 電流増幅器の別の実施例は、電流増幅段の出力ポートから電流増幅器のトラン スレジスタンスを定める電流加算段の別の低インピーダンス入力ポートまで接続 される第2の抵抗を含んでいる。 一実施例において、電流増幅器は、第1の電流ゲインを有する第1の出力段と 、スイッチ素子によって、この第1の出力電の入力および出力ポートとそれぞれ 並列に接続可能な入力および出力ポートを有し、かつ第1の出力段の電流ゲイン を越える電流ゲインを有する第2の出力段とを含んでいる。 他の実施例において、電流増幅器は、第2の出力段の動作時にスイッチ素子に よって第2の出力段と電流加算段の上記別の低インピーダンス入力ポートとの間 で接続可能な第2の抵抗を含んでおり、これら抵抗の値は、第2の出力段の動作 時に電流増幅器の同じトランスレジスタンスを維持するようになっている。 好ましくは、基準および出力段は、プッシュプルで接続され、かつAB級でバ イアスされるように電圧増幅段に接続された、それぞれの対の電界効果トランジ スタを含んでいる。 好ましくは、この電圧増幅段は、基準および出力段のトランジスタのそれぞれ のゲート端子に接続したゲート端子と、基準および出力段のトランジスタのそれ ぞれのソース端子に接続したソース端子とを有した別のコンプリメンタリ電界効 果トランジスタ対を含んでいる。 好ましくは、電圧増幅段は、この別のコンプリメンタリ電界効果トランジスタ 対を含んだ電界効果トランジスタの回路網に電流をドライブするように接続され た入力電圧バッファを含んでいる。 好ましくは、この入力バッファは、電界効果トランジスタの回路網に電流をド ライブするエミッタフォロアとして接続した入力バイポーラトランジスタを含ん でいる。 別態様として、この入力バッファは、電界効果トランジスタの回路網に電流を ドライブするためのソースフォロアとして接続した入力電界効果トランジスタを 含むことができる。 好ましくは、電流増幅器は、第1の出力段から利用可能な出力電流を越える出 力電流を与えるため、基準段に含まれた電界効果トランジスタのそれぞれのゲー ト端子に接続可能なゲート端子と、基準段に含まれた電界効果トランジスタのそ れぞれのソース端子に接続したソース端子とを有する付加的なコンプリメンタリ 電界効果トランジスタ対を含んでいる。 好ましくは、これら電界効果トランジスタは、エンハンスメントモード装置で ある。 本発明の第1の特徴による増幅器ならびに第2の特徴による電流増幅器が、以 下の添付図面に関連として単なる例だけで次に記載される。 第1図は、この増幅器の図式図である。 第2図は、第1図に示したものよりも詳細に示されている増幅器の図式図であ る。 第3図は、電流増幅器の図式図である。 第4図は、第1図の増幅器の入力段の図式図である。 第5図は、第3図の電流増幅器の入力段の図式図である。 添付図面の第1図を参照すれば、増幅器は、2つのNPNバイポーラトランジ スタ1、2を含んでおり、それらのエミッタ電極は、トランジスタ1、2が入力 段を与える増幅器の入力ポートを与えるそれぞれの入力端子20、21に接続さ れる。入力端子20、21は、第1、第2および第3のPチャンネルエンハンス メントモード電界効果トランジスタ13、15、17と、第1および第2Nチャ ンネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ14、16と、第1のコン デンサ18と、第2のコンデンサ19とを含んだ電流発生器に接続される。 この電流発生器において、トランジスタ13、15、17のソース電極は、共 に接続され、かつ電圧源の第1の端子に接続され、トランジスタ13、15、1 7のゲート電極は、共に接続され、かつトランジスタ17のドレイン電極に接続 されている。更に、トランジスタ14、16のソース電極は共に接続され、かつ 抵抗101によって表された公称寄生直列インピーダンスを介して電圧源の第2 の端子(第1の端子に与えられるものよりも低い電圧のものである)に接続され 、トランジスタ14、16のゲート電極は、共に接続され、かつトランジスタ1 4のドレイン電極に接続されている。トランジスタ14のドレイン電極は、トラ ンジスタ13のドレイン電極に接続され、トランジスタ15のドレイン電極は、 入力端子20に接続され、トランジスタ16のドレイン電極は、入力端子21に 接続され、第1のコンデンサ18は、トランジスタ13、15、17のソースお よびゲート電極間に接続され、他方、第2のコンデンサ19は、トランジスタ1 4、16のソースおよびゲート電極間に接続され、トランジスタ17のドレイン 電極は、調整可能な電流シンクに接続されている。 トランジスタ1、2は、周波数選択性増幅回路の入力素子を形成し、トランジ スタ1のベース電極は、コンデンサ3の1つの端子に接続され、その他の端子は 、トランジスタ14、16のソース電極に接続されている。トランジスタ1のコ レクタ電極は、中間増幅回路4の第1の入力端子に接続され、その中間増幅回路 4の第1の出力端子は、出力電圧増幅回路5の第1の入力端子に接続され、その 出力電圧増幅回路5の第1の出力端子は、増幅器の第1の出力端子23を与える 。トランジスタ2のコレクタ電極は、中間増幅回路4の第2の入力端子に接続さ れ、この中間増幅回路4の第2の出力端子は、出力電圧増幅回路5の第2の入力 端子に接続され、出力電圧増幅回路5の第2の出力端子は、増幅器の第2の出力 端子24を与える。トランジスタ2のベース電極は、コンデンサ10の1つの端 子に接続され、そのコンデンサの他の端子は、トランジスタ14、16のソース 電極に接続されている。抵抗11は、トランジスタ2のベース電極とNPNバイ ポーラトランジスタ12のベース電極との間に接続され、このトランジスタ12 のエミッタ電極は、電圧基準源に接続されており、トランジスタ12のコレクタ 回路には電流源が存在し、これはそのトランジスタ12のコレクタおよびベース 電極間での接続部を有している。 トランジスタ1のベース電極は、電圧造作行回路6の出力ポートに接続され、 この電圧相殺回路は、コレクタ電圧増幅回路4のそれぞれ第3および第4の入力 端子を有している。電圧相殺回路6の第1の入力端子は、抵抗7によって出力電 圧増幅回路5の第1の出力端子に接続される。電圧相殺回路6の第2の入力端子 は、抵抗8によって出力電圧増幅回路5の第2の出力端子に接続される。出力電 圧増幅回路5の第3の出力端子は、コモンモード補正増幅器9の第1の入力端子 に接続され、この増幅器9の第2の入力端子は、電圧VMを与える目標基準電圧 源に接続され、その出力端子は、出力電圧増幅回路5の別の入力端子に接続され る。VMの値は、出力電圧増幅回路5の公称コモンモード出力電圧である。電圧 VMは、電圧相殺回路6の他の入力端子に与えられ、電圧VQは、電圧相殺回路6 の更に他の入力端子に与えられる。電圧VQは、トランジスタ1のベース電極に 対する評価された電圧である。 第1図は、増幅器の入力端子1、2間に接続した抵抗素子100を示す。抵抗 素子100は、例えばコンピュータに使用される磁気ディスクドライブの読出し ヘッドに含まれてもよい磁気抵抗性素子を表す。磁気抵抗性素子100を含んだ ディスクドライブの動作にあって、磁気抵抗性素子の抵抗値は、磁気抵抗性素子 100を含む読出しヘッドが案内されているディスクの磁気符号に従って変化す る。入力端子20、21に接続した電流発生器によって注入される電流は、磁気 抵抗性素子100間にDC電圧を生じさせる。磁気抵抗性素子100の抵抗値の 磁気的に誘起される変動は、増幅器の端子20、21間の電圧のAC変調を生じ させる。磁気抵抗性素子100は、この増幅器の一部ではない。 第1図に含まれた電流発生器は、抵抗性素子100に対するバイアス電流とト ランジスタ1、2に対する等しいバイアス電流とを与える。制御電流IBRは、ト ランジスタ17のドレイン電極から引かれ、トランジスタ17に対するトランジ スタ15の構成の効果は、32IBR―IEの電流をトランジスタ15のドレイン 電極から端子20へ利用できるようにすることであり、IEは、トランジスタ1 、2のそれぞれエミッタバイアス電流である。トランジスタ17に対するトラン ジスタ13、14、16の構成の効果は、トランジスタ16がそのドレイン電極 で32IBR+IEの電流を引くことができるようにすることである。例えば、IB R =15/32mAでかつIE=3.2mAであれば、トランジスタ16は、18 .2mAの電流をシンクし、トランジスタ15は、11.8mAの電流を供給し 、トランジスタ1、2は、それぞれ3.2mAのエミッタバイアス電流を有し、 1 5mAの電流が磁気抵抗性素子100を通って流れる。トランジスタ13から1 7間に存在する電流比は、主にそれらの相対的なディメンションにより設定され る。トランジスタ13から17の間のミスマッチから生じる電流は、トランジス タ1、2のバイアス電流によって等しく吸収される。 電流発生回路に含まれるコンデンサ18、19は、源(ソース)およびシンク バイアス電流の通過帯域ノイズを減数するように働く。電流発生回路への電圧供 給の調整は、電流発生回路によって与えられるであろう通過帯域ノイズの量を減 少するように働く。スプリアス信号の発生は、トランジスタ14、16ソース電 極に直接コンデンサ19を接続することによって一層減少され、それにより素子 101によって図式的に表されるリード対アース直列インピーダンスの可能な影 響を回避する。 端子21に存在するDC電圧は、トランジスタ2のベース電極成分によって設 定され、トランジスタ12のエミッタ電極は、基準電圧VRに結合される。この 結果、トランジスタ12のベース電極電圧は、VR+VBEとなり、この場合、VB E は、トランジスタ12のベース・エミッタ接合間の電圧効果であり、またトラ ンジスタ2のベース電極電圧もVR+VBEとなる。実際上、VRは、約250mV に設定され、この結果端子21で実質的に同じDC電圧となる。 電圧相殺回路6は、トランジスタ1のDCエミッタ電圧が抵抗性素子100間 のDC電圧降下に等しい量だけトランジスタ2のそれを越えなければならないと いう事実に拘らず、トランジスタ1に関して、そのDCエミッタ電流をトランジ スタ2のDCエミッタ電流に実質的に等しく維持するように、そのDCベース電 圧および電流を制御するために働く。 電圧相殺回路6は、信号を中間増幅回路4から直接に、および出力電圧増幅回 路5から抵抗7、8によって受ける。電圧相殺回路6からの出力信号は、トラン ジスタ1のベース電極と、トランジスタ1のベース電極にDC信号を実質的に減 衰させずに通過させるコンデンサに与えられる。電圧相殺回路6は、コンデンサ 3が中間増幅回路4および出力電圧増幅回路5からのほぼゼロの出力電圧と一致 したDCレベルに維持されるようにする。すなわち、電圧相殺回路6は、端子2 0、21間に発生されるDC電圧を平衡化するように働く。 電圧平衡化が達成される帯域幅は、中間増幅回路4および電圧相殺回路6を通 りトランジスタ1のベース電極で始まるループによりコンデンサ3に注入される 電流量を考慮し、開ループ相互コンダクタンスに関連してコンデンサ3の容量に よって決定される。この帯域幅(典型的には、DCから100MHz)内の信号 は、無効化され、出力増幅回路5には生じない。この帯域幅の外側、すなわち1 00KHz以上の信号は相殺されず、出力増幅回路5からの出力に生じる。 トランジスタ1、2のベースで見る入力インピーダンスは、トランジスタ1、 2のベース電極への分岐電流帰還を与えることによって、あるいはコンデンサ3 、10に関するトランジスタ1、2のベース入力インピーダンスの分岐効果を減 少するために、これらトランジスタに対するベース電流減少回路を与えることに よって増大されてもよい。 トランジスタ1、2は、差動ベース接地段として働き、通過帯域信号電流は、 それらを通ってそれぞれの負荷抵抗(図示せず)まで、バッファとして働きかつ 出力増幅回路5に与えられる出力信号のDC電圧レベルをシフトする中間増幅回 路4を経て流れる。出力増幅回路5からコモンコード出力電圧が発生されてコモ ンモード補正増幅器9の第1の入力に与えられ、この増幅器9の他の入力端子に は基準電圧VMが与えられる。コモンモード補正増幅器9からの出力信号は、出 力増幅回路5の入力段に与えられ、出力増幅回路5がコモンモード補正増幅器9 の第1の入力端子でVMに等しい電圧を与えるようにする。コモンモード補正増 幅器9は、通常の電圧増幅器である。 電圧相殺回路6によって与えられる総合帰還はトランジスタ1、2のバイアス 電流を設定し、増幅器のための低周波数カットオフに影響を与えるが、他方、そ の高周波数カットオフは、中間増幅回路4および出力増幅回路5のポールによっ て決定される。 電圧相殺回路6の両入力端子は、低入力インピーダンス(電流入力)であり、 共に電圧相殺回路6に与えられる電圧VMに内部的にバイアスされる。VMの値は 、出力電圧増幅回路5の公称コモンモード出力電圧である。 電圧相殺回路6の静止出力電圧(ゼロ正味入力電流で)は、抵抗性素子100 の抵抗値の公称値に対してノード20で期待される電圧およびそれに与えられる 電流を表すバイアス電圧VQに設定される。バイアス電圧VQは、電圧相殺回路 6の入力に与えられる。 電圧相殺回路6は、更に、抵抗性素子100の値の影響変動値(例えば、製造 許容差および温度変動による)の結果によるノード20での電圧の公称値からの 外れに対抗するように働き、そうしなければ、これは増幅されて出力回路5のク リップを生じさせてしまうことになる。 電圧相殺回路6は、電流入力・電流出力増幅器であり、その電流ゲインは、低 ゲイン(×1)と高ゲイン(×50)状態間でスイッチされることができる。電 圧相殺回路6は、トランジスタ1の動作点が急速に安定化されるためにターンオ ン時には高ゲイン状態で動作する。その出力インピーダンスも、そのトランスレ ジスタンスが一定に留まるためにスイッチされる。低周波数カットオフは、ゲイ ンが×1と約×50との間で変化すると、例えば100KHzと5MHzとの間 で変化し、その低周波数ループゲインは、これら2つの状態間でスイッチングが 生じるのでほぼ一定に留まり、以後の高から低ゲインへの変化時には出力電圧の 過渡現象は、実質的に生じない。このスイッチング構成は、以下により詳細に記 載される。 中間増幅回路4は、比較的に低レベルの電流ドライブを電圧相殺回路6に与え 、他方、出力増幅回路5は、比較的高レベルのドライブを電圧相殺回路6に与え る。例えば、ターンオン時に出力増幅回路5からの信号をその制限値までドライ ブする状態において、中間増幅回路4は、大信号の応答を改善するために可変の ドライブを電圧相殺回路6に与え続ける。 電圧相殺回路の別態様の構成は、出力増幅回路5の出力ポートに直接接続した 入力端子と、電流設定抵抗によりコンデンサ3に接続した出力端子とを有する電 圧増幅器である。この別態様の構成において、中間増幅回路4からの出力信号は 、電圧に変換され、この電圧増幅器の入力信号に加えられることができる。 添付図面の第2図においては、第1図の中間増幅回路4が、それぞれトランジ スタ1、2のコレクタ負荷として抵抗27、28と直列に接続したNPNバイポ ーラトランジスタ25、26と、電圧対電流変換器29とを含むものとして示さ れており、ここでトランジスタ25、26のベースは、VB2に保持されている。 簡略化のため、コモンモード補正増幅器9と第1図の寄生直列インピーダンス1 01は、第2図には示されていない。 第2図は、NPNバイポーラトランジスタ32、33と、Pチャンネルエンハ ンスメントモード電界効果トランジスタ34、35との形態をなしている、トラ ンジスタ2への分岐電流帰還を与える構成を示す。図示のように、トランジスタ 34、35のゲート電極は、これらトランジスタのソース電極と同様共に接続さ れ、トランジスタ34のゲート電極は、そのドレイン電極およびトランジスタ3 3のベース電極に接続され、トランジスタ33のエミッタ電極は、トランジスタ 32のコレクタ電極に接続され、トランジスタ32のベース電極は、トランジス タ2のベース電極およびトランジスタ35のドレイン電極に接続され、トランジ スタ2、32のエミッタ電極は、共に接続され、最後にトランジスタ33のコレ クタ電極はトランジスタ34、35のソース電極および電圧源VS3の正の端子に 接続されている。 トランジスタ32のベース・エミッタ接合は、トランジスタ2のベース・エミ ッタ接合と並列に接続され、トランジスタ32は、トランジスタ33のエミッタ 電極を介して増大した電流を引くことによってトランジスタ2のベース・エミッ タ電圧の増大に応じる。トランジスタ33のエミッタ電流の増大の結果、そのベ ース電流が増大してトランジスタ34、35のゲート電圧が降下してしまい、最 後に増大した電流が、トランジスタ35のドレイン電極からトランジスタ2のベ ース電極に流れ込む結果となる。トランジスタ32、33のエミッタ域は、それ ぞれトランジスタ2のエミッタ域の4分の1であり、従って、それらのコレクタ およびベース電流は、トランジスタ2のコレクタおよびベース電流の4分の1と なる。トランジスタ34、35は、トランジスタ33のベース電流の掛け算器電 流ミラーとして働き、トランジスタ35は、トランジスタ2のベース電流の5/ 4の電流を発生し、その電流は、トランジスタ2のベース電流とトランジスタ3 2のベース電流を加えたものに等しい。抵抗11(DC安定性)およびコンデン サ10(AC安定性)の分岐効果により小さな比率誤差に拘らず安定性が保証さ れる。 第2図に示されるように、トランジスタ1もまた、トランジスタ2について記 載されたものと同じ態様で機能する分岐電流帰還構成を設けている。トランジス タ1のためのこの分岐電流帰還構成は、Pチャンネルエンハンスメントモード電 界効果トランジスタ38、39に接続したNPNバイポーラトランジスタ36、 37を含んでいる。 添付図面の第3図には、トランジスタ7、8に接続した電圧対電流変換器29 が示され、かつ第2図の電圧相殺回路6が、第2図よりもより詳細に示されてい る。 電圧相殺回路6は、差動電流バッファ回路301と、電流加算バッファ回路3 02と、電流源322と、5つのPチャンネルエンハンスメントモード電界効果 トランジスタ305から309と、4つのNチャンネルエンハンスメントモード 電界効果トランジスタ312から316と、3つのユニティゲイン電圧増幅器3 10、316、319と、3つのスイッチ素子311、317、320と、2つ の抵抗31、318と、コンデンサ304とを含んでいる。第1図および第2図 に示されたコンデンサ3は、電圧相殺回路6の出力端子321に接続されて示さ れている。 PNPトランジスタ303、電流源322、Pチャンネルエンハンスメントモ ードトランジスタ305、309およびNチャンネルエンハンスメントモードト ランジスタ312は、入力端子としてトランジスタ303のベース端子と、出力 端子としてトランジスタ305、312のゲート端子とを有する電圧増幅段を形 成する。 差動電流バッファ回路301は、抵抗7、8に、かつ電圧対電流変換器29の 差動出力端子に接続した差動入力端子を有する。差動電流バッファ回路301は 、電流加算バッファ回路302のそれぞれの入力端子に接続した複数の出力端子 とを有し、この回路302の出力端子は、トランジスタ303のベース電極に接 続される。トランジスタ303のコレクタ電極は、この回路のための接地電位に 結合され、トランジスタ303のエミッタ電極は、トランジスタ305のドレイ ン電極に接続される。電流源322は、トランジスタ303のエミッタ電極と、 トランジスタ305のソース電極とに接続される。コンデンサ304は、トラン ジスタ303のベース電極と、トランジスタ305のドレイン電極との間に接続 さ れている。トランジスタ305のドレイン電極は、そのゲート電極と、ユニティ ゲインの電圧増幅器310の入力端子とに接続され、増幅器310の出力端子は 、トランジスタ306、307のゲート電極と、スイッチ素子311の1つの固 定端子とに接続されている。トランジスタ305から307のソース電極は、全 て電圧源VS4の正の端子に接続され、トランジスタ306、307のドレイン電 極は、トランジスタ313、314のそれぞれのドレイン電極に接続されている 。トランジスタ305のドレイン電極は、トランジスタ309のソース電極に接 続され、トランジスタ309のドレイン電極は、トランジスタ312のドレイン 電極に接続されている。トランジスタ312のドレイン電極は、そのゲート電極 とユニティゲインのバッファ増幅器316の入力端子とに接続され、増幅器31 6の出力端子は、トランジスタ313、314のゲート電極と、スイッチ素子3 17の1つの固定端子とに接続されている。トランジスタ312から314のソ ース電極は、全て、電圧源VS4の接地電位端子に接続される。スイッチ素子31 1は、トランジスタ308のゲート電極に接続した可動接点を有し、スイッチ素 子317は、トランジスタ315のゲート電極に接続した可動接点を有し、トラ ンジスタ308、315のドレイン電極は、共に接続され、かつトランジスタ3 07、314のドレイン電極に接続されている。スイッチ素子311の他の固定 端子は、電圧源VS4の正の端子に接続され、スイッチ素子317の他の固定端子 は、電圧源VS4の接地電位端子に接続されている。 トランジスタ307、308、314、315のドレイン電極の共通接続点は 、電圧相殺回路6の出力端子321に接続されている。トランジスタ307、3 08、314、315のドレイン電極の共通接続点は、スイッチ素子320によ ってバッファ回路302の別の入力端子に接続可能であり、この接続路は、抵抗 318を含んでいる。トランジスタ306、313のドレイン電極の共通接続点 は、電流加算バッファ回路302の他の入力端子に接続され、電流加算バッファ 回路302の更に他の入力端子は、ユニティゲインの電圧増幅器319の出力端 子に接続され、その増幅器319は、入力信号電圧VQを設けている。抵抗31 は、ユニティゲインの電圧増幅器319の出力端子を電圧相殺回路6の出力端子 321に接続する。差動電流バッファ回路301は、入力信号電圧VMを設けて おり、 バイアス電圧VB3は、トランジスタ309のゲート電極に与えられる。電圧対電 流変換器29の差動入力端子は、270、280として示され、これら端子は、 第2図に示されるように抵抗27、28に接続される。 第3図に示される回路において、入力端子270、280に与えられる差動信 号電圧は、電圧対電流変換器29によって差動電流に変換され、この電圧対電流 変換器29からの信号電流は、端子23、24からの抵抗7、8から供給される 信号電流に加えられる。加えられた電流は、入力端子に接続した回路素子からの コモンモード信号に対抗する手段として差動電流バッファ回路301がVMの電 圧に維持するコンプリメンタリ入力端子により、差動電流バッファ回路301に 入る。差動電流バッファ回路301は、ユニティ電流ゲインを有し、信号電流は 、差動電流バッファ回路301から電流加算バッファ回路302に流れる。差動 電流バッファ回路301は、入力端子40を含み、それに入力信号電圧VMが与 えられる。 差動電流バッファ回路301からの出力信号電流は、電流加算バッファ回路3 02において、その電流加算バッファ回路302の入力端子に与えられるトラン ジスタ306、313のドレイン電極の共通接続部から帰還される信号電流に内 部的に加えられ、電流加算バッファ回路302は、比較的に低い入力インピーダ ンスを有し、ユニティゲインの電圧増幅器319によって与えられる約VQボル トの電圧にバイアスされる。電流加算バッファ回路302からの信号電流は、ト ランジスタ303をドライブし、そのトランジスタ303に対して電流源322 は、トランジスタ305、309、312と共にエミッタ負荷として働き(トラ ンジスタ303はエミッタフォロアとして接続されている)、トランジスタ30 5、312間に生じた電圧は、信号電圧としてユニティゲインの電圧増幅器31 0、316に与えられる。ユニティゲイン電圧増幅器310からの出力信号電圧 は、トランジスタ306、307のゲート電極をドライブし、他方、ユニティゲ イン電圧増幅器316からの出力信号電圧は、トランジスタ313、314のゲ ート電極をドライブする。DC状態は、トランジスタ306、313がAB1級 の出力状態として働くような場合である。トランジスタ307、314は、AB 1級出力状態に類似するAB2級出力状態として働くように接続されている。ト ランジスタ306、313は、基準出力状態として働らいて電流加算バッファ回 路302の入力端子の1つに電流を与え、他方、トランジスタ307、314は 、実際の出力状態として働いて出力端子321に電流を与える。追加のAB級出 力状態が、出力端子321に増強した電流ドライブを与えるためスイッチ素子3 11、317によってユニティゲイン電圧増幅器310、316の出力端子に接 続したゲート電極を有するトランジスタ308、315の形態で存在する。 トランジスタ306から308および313から315のAB級動作は、トラ ンジスタ305からトランジスタ309、312へ共通の静止電流を流すように バイアス電圧VB3を設定することによって達成される。トランジスタ305、3 12が等しい電流を流す時に、これらトランジスタのゲート電極に確立される電 圧状態は、その後、トランジスタ306から308および313から315のゲ ート電極に伝えられる。トランジスタ306、307、313、314は、トラ ンジスタ395、312に関してユニティ(ゲイン1の)電流増幅を行い、トラ ンジスタ308、315は、トランジスタ305、312に関して約×50の電 流増幅を行う。 動作にあって、トランジスタ303のベース電圧の増大の結果、トランジスタ 303およびトランジスタ305を介して流れる電流、電流源322から流れる 電流、次いでトランジスタ309、312に流れる電流が減少する。次いで、ト ランジスタ305、312のゲート電圧は、トランジスタ306から308およ び313から315の電流を、それらそれぞれの電流比で変調するが、その際に ピーク出力電流は、静止電流よりも極めて大きい。トランジスタ303のベース 電圧の現象の結果、トランジスタ306から308および313から315が、 そのベース電圧の増大によるものとは逆となる。トランジスタ306、313の 出力電流と電流算バッファ回路302に供給される他の電流の和との間の差は、 電流加算バッファ回路302の出力端子での電圧の変化となる。電流加算バッフ ァ回路302の出力端子は、トランジスタ303のベース電極に結合され、その トランジスタ303は、そのベース電圧の変化に応じて、その出力電流を変化す る。トランジスタ303の出力電流は、トランジスタ306、313の出力電流 を制御し、トランジスタ303の出力電流の変化はトランジスタ306、313 の出力電流と電流算バッファ回路302に供給される他の電流の和との間の差を 除去するような態様である。コンデンサ304は、帰還ループを安定化する主ポ ールを与える。 トランジスタ307、314の出力電流は、トランジスタ306、313のも のと実質的に等しく、差動電流バッファ回路301により電流加算バッファ回路 302に供給されるものに等しいが逆である。トランジスタ308、315が回 路に接続されると、その全電流出力は、トランジスタ306、313、308、 315の電流出力となり、電流加算バッファ回路302への入力電流に関して5 1の電流ゲインを与える。トランジスタ306、313を含む内部制御ループの 開ループ・ゲイン帯域幅プロダクトは、コンデンサ304の値とトランジスタ3 05、309の相互コンダクタンスに依存する。 増幅器319の出力ポートと端子321との間に接続した抵抗31は、差動電 流バッファ回路301によってドライブされる回路のトランスレジスタンスを定 めるように働き、差動電流バッファ回路301は、ユニティ電流ゲインを与える ため、差動電流バッファ回路301の入力端子と端子321との間の全体回路の トランスレジスタンスは、差動電流バッファ回路301によってドライブされる 電流のトランスレジスタンスと同じである。差動電流バッファ回路301を含ん だ全体回路のトランスレジスタンスは、端子321での電圧エクスカーションを 決定するが、このトランスレジスタンスは、差動電流バッファ回路301の端子 に供給される電流の単位当りの端子321での電圧エクスカーションの値となる 。ここに開示される構成は、トランジスタ308、315回路に入れられ、かつ 切り離されるようにスイッチされる際に出力の過渡現象を回避するために、電圧 相殺回路6の低周波数ゲインを安定化するように働く。 この回路の電流ゲインは、スイッチ311、317、320がそれらの開状態 でユニティであり、端子321での出力電圧のエクスカーションは、抵抗31の 値によって決定される。その電圧エクスカーションは、トランジスタ308、3 15が入力電流の50倍の追加出力電流を供給し、かつ、それは、この回路のト ランスレジスタンスと等価になるであろうためスイッチ311、317が閉じる と変化する。スイッチ320を閉じて抵抗318を回路に導入することは、回路 のトランスレジスタンスをその初期値に再設定するように働き、低および高電流 ゲイン間のスイッチングは、端子321での電圧エクスカーションを大きく変化 させずに達成される。 電流加算バッファ回路302に接続した抵抗318の端部は、抵抗31の一端 とほぼ同じ電圧VQに保持されるが、電流加算バッファ回路302の関連入力ポ ートは、2つのトランジスタのエミッタ電極の接合部である低インピーダンス点 となり、すなわち、トランジスタ306、313の接合部は、電流加算バッファ 回路302の同一低インピーダンス点に接続される。 電圧VQは、端子321が接続される第1図のトランジスタ1のベース電極に 対して予測された電圧である。ここに開示された構成は、差動電流バッファ回路 301へのゼロ信号入力電流の状態に対して端子321で電圧VQを確立するよ うに働き、その状態は、端子321でのゼロ信号出力電圧および電流ならびに端 子23、24および端子270、280でのゼロ信号電圧に対応する。その態様 で、電圧相殺回路は、第1図の素子100間の実際の電圧ではなく、その間の予 測される電圧からの外れを補正しなければならないに過ぎない。ここに開示され る構成は、帰還ゲインが比較的に低いといった場合に特に重要である(その状況 ではループをドライブするために低静止電圧が必要となるような状態が与えられ るためである)。 第3図に示された構成において、トランジスタ306、313は、基準出力電 流発生器として機能し、トランジスタ307、314は、実際の出力電流発生器 として機能する。ユニティゲイン電圧増幅器310、316は、分散配置される ことができ、この場合、それらの機能は、トランジスタ305、312およびト ランジスタ306、313、スイッチが入った時にはトランジスタ308、31 5間で高帯域バッファ段として間で働くようにされる。ユニティゲイン電圧増幅 器310、316を分散配置することは、システムの性能を低下させる結果とな るが、それを動作不能にしない。バイポーラトランジスタ303は、ソースフォ ロアとして接続したエンハンスメントモード電界効果トランジスタと交換され得 る。 添付図面の第4図を参照し、第2、3図に示された電圧対電流変換器29は、 複数の関連した抵抗を備えた、PNPバイポーラトランジスタ405から407 および409ならびにNPNバイポーラトランジスタ413から415を含んで いる。電圧対電流変換器は、その入力電圧信号を第1図に示される中間電圧増幅 回路4の出力段に属するNPNバイポーラトランジスタ401、402から受け るように示され、これらトランジスタ401、402は、それぞれのエミッタ抵 抗を備えたNPNバイポーラトランジスタ410から412を含んだエミッタ負 荷を設けている。電圧対電流変換器は、出力端子418、419を有するものと して示され、トランジスタ401、402は、入力端子270、280を与える 。第4図は、また出力端子420、421を有する中間電圧増幅回路4の出力段 に属するPNPバイポーラトランジスタ403、404、408を示している。 トランジスタ410から412およびそれぞれのエミッタ抵抗は、電流シンク として機能し、かつトランジスタ405、406をドライブするエミッタフォロ アとして働くトランジスタ401、402のためのエミッタ負荷として機能する 。トランジスタ405、406は、入力信号電圧を信号電流に変換するように働 く、それぞれのエミッタ抵抗416、417を設けており、トランジスタ409 、413から415およびそれぞれのエミッタ抵抗は、トランジスタ405、4 06をバイアスする電流源として働く。トランジスタ405、406において発 生される信号電流は、出力端子418、419で出力電流として現れる。出力信 号は、関連した電流源トランジスタ408と共に動作するトランジスタ403、 404によって発生され、これらの出力信号は、出力端子420、421に現れ 、これらは第1および2図に示された出力電圧増幅回路5に与えられる。 電圧対電流変換回路は、中間電圧増幅回路4の出力段の一部を形成するものと 考えられることができ、あるいは別態様として電圧相殺回路6の入力段の一部と なってもよい。 添付図面の第5図には、第3図の差動電流バッファ回路301、電流バッファ 回路302およびユニティゲイン電圧増幅器319が、第3図に示されたものよ りもより詳細に示されている。 第5図は、NPNバイポーラトランジスタ501、503から505、PNP バイポーラトランジスタ506から508および電流源502、510を含むも のとして差動電流バッファ回路を示す。電流加算バッファ回路は、Nチャンネル エンハンスメントモード電界効果トランジスタ513および抵抗514、517 と、NPNバイポーラトランジスタ515、519、523と、PNPバイポー ラトランジスタ509、516、520、524、526と、電流源511、5 12、518、521と、Nチャンネルエンハンスメントモード電界効果トラン ジスタ527と、抵抗522、525とを含むものとして示されている。ユニテ ィゲイン電圧増幅器は、NPNバイポーラトランジスタ530、532と、PN Pバイポーラトランジスタ529、533と、電流源528、531とを含むも のとして示されている。 トランジスタ501のベース電極は、差動電流バッファ回路の入力端子40に 接続され、トランジスタ501のエミッタ電極は、電流源502とトランジスタ 506から508のベース電極に接続され、トランジスタ501のコレクタ電極 は、供給電圧源VS7の正の端子に接続される。トランジスタ506のエミッタ電 極は、トランジスタ503のエミッタ電極と、差動電流バッファ回路の入力端子 541とに接続される。トランジスタ503のコレクタ電極は、トランジスタ5 26のエミッタ電極と、トランジスタ523のコレクタ電極と、抵抗522とに 接続されている。トランジスタ506のコレクタ電極は、トランジスタ527の ソース電極と、トランジスタ524のコレクタ電極と、抵抗525とに接続され ている。トランジスタ503のベース電極は、トランジスタ504、505のベ ース電極に接続され、トランジスタ505、508のエミッタ電極は、互いに接 続されて差動電流バッファ回路の入力端子540に接続されている。トランジス タ505のコレクタ電極は、トランジスタ509のエミッタ電極と、トランジス タ515のコレクタ電極と、抵抗514に接続されている。トランジスタ508 のコレクタ電極は、トランジスタ513のソース電極と、トランジスタ516の コレクタ電極と、抵抗517とに接続され、トランジスタ515、516のエミ ッタ電極は、互いに接続されている。トランジスタ504のコレクタ電極は、そ のベース電極と電流源510とに接続され、トランジスタ504のエミッタ電極 は、トランジスタ507のエミッタ電極に接続され、トランジスタ507のコレ クタ電極は、電圧源VS7の基準電圧端子に接続されている。 トランジスタ509のベース電極は、そのコレクタ電極と、トランジスタ52 6のベース電極と、電流源511とに接続されている。トランジスタ513のゲ ート電極は、そのドレイン電極と、電流源512と、トランジスタ527のゲー ト電極とに接続される。 トランジスタ515のベース電極は、トランジスタ519、523のベース電 極に接続され、トランジスタ519のコレクタ電極は、そのベース電極と電流源 518とに接続され、トランジスタ519、520のエミッタ電極は、共に接続 される。トランジスタ516のベース電極は、トランジスタ520、524のベ ース電極に接続され、他方、トランジスタ520のコレクタ電極は、そのベース 電極と電流源521とに接続されている。トランジスタ526のコレクタ電極は 、トランジスタ527のドレイン電極に接続され、出力端子を与える。 トランジスタ523、524のエミッタ電極は、共に接続される。トランジス タ523、524のエミッタ電極は、抵抗534、536と、第3図に示された 電流帰還成分318、320として働くスイッチトランジスタ535とに接続さ れている。トランジスタ52、524のエミッタ電極は、第3図に示されたトラ ンジスタ306、313のドレイン電極に接続した端子に接続されている。トラ ンジスタ519、520のエミッタ電極は、第3図に示された抵抗31として働 く2つの抵抗537、539と、トランジスタ538との直列回路に接続されて いる。電圧源VS7の正の端子は、電流源502、511、521の端子と、抵抗 517、525とに、それらが接続されるそれぞれのトランジスタとは遠隔側で 、接続されている。電圧源VS7の負の端子は、電流源502、511、521の 端子と抵抗517、525とに、それらが接続するそれぞれのトランジスタの遠 隔側で、接続されている。 第5図に示されているように、電圧増幅器においては、トランジスタ529の エミッタ電極は、電流源528と、トランジスタ532のベース電極とに接続さ れている。トランジスタ529のベース電極は、ユニティゲイン電圧増幅器の入 力端子を与え、トランジスタ530のベース電極に接続される。トランジスタ5 30のエミッタ電極は、電流源531と、トランジスタ533のベース電極とに 接続され、トランジスタ532、533のエミッタ電極は、共に接続されてトラ ンジスタ519、520のエミッタの共通接続部に接続される。このユニティゲ イン増幅器は、電圧源VS7によって付勢され、その電圧源の負の端子は、トラン ジスタ530、532のコレクタと電流源528の端子とに、トランジスタ42 9の遠隔側で、接続されている。この電圧源の負の端子は、トランジスタ529 、533のコレクタ電極と電流源531の端子とに、トランジスタ530から遠 隔側で、接続されている。 差動電流バッファ回路は、その入力端子540、541で差動入力信号電流を 受け入れることができる。 入力端子541を介してトランジスタ503、506から引かれる信号電流は 、トランジスタ506を通って流れる電流を減少させることになり、抵抗525 を通って流れる電流を減少させ、抵抗525間の電圧降下を減少させ、次いで、 これはトランジスタ527のソース電極での電圧を減少させ、トランジスタ52 7を通って流れる電流を増大させることになる。同時に、入力端子541を介し てトランジスタ503、506のエミッタ電極から引かれる信号電流は、トラン ジスタ503を通る電流を増大させることになり、抵抗522を通る電流を増大 させ、抵抗522間の電圧降下を増大させるようにし、次いで、これはトランジ スタ526のエミッタ電極での電圧を減少させ、トランジスタ526を通って流 れる電流を減少させることになる。トランジスタ527に流れる電流の増大およ びトランジスタ526に流れる電流の減少の組合せの効果は、トランジスタ30 3のベース電極から流れる電流を増大させることになる。 入力端子540を介してトランジスタ505、508のエミッタ電極に注入さ れる信号電流は、トランジスタ505を通って流れる電流を減少させ、抵抗51 4間の電圧降下を減少させてトランジスタ509のエミッタ電極での電圧を増大 させ、これは、次いで、トランジスタ526のエミッタ電極での電圧の増大およ びトランジスタ526を通って流れる電流の減少を生じさせる。同時に、入力端 子540を介してトランジスタ505、508のエミッタ電極に注入される信号 電流は、トランジスタ508を通って流れる電流を増大させ、抵抗517を通っ て流れる電流を増大させて抵抗517間の電圧降下を増大させ、これは、次いで 、トランジスタ513のソース電極での電圧を増大し、トランジスタ527のゲ ー ト電極での電圧を上昇させ、この結果、トランジスタ527を通って流れる電流 は増大する。 上に述べた解析から明らかなように、入力端子540への信号電流の注入は、 入力端子541からの電流の抽出と同じ効果を有し、かつ更にコモンモード入力 信号電流は、互いに相殺しようとする出力電流に変換される。 電流源510およびトランジスタ504、507は、トランジスタ503、5 05、506、508のための電流バイアス回路網として働く。トランジスタ5 01は、540、541の静止電圧が低信号源インピーダンスで約VMに設定さ れるように入力電圧VMによりトランジスタ503、505、506、508の バイアス状態の調節を行わせるエミッタフォロアとして働く。 トランジスタ519、520のエミッタ電極は、トランジスタ523、524 のエミッタの静止電圧を約VQボルトに維持するためにトランジスタ532、5 33から、それらのベース・エミッタ接合を通して出力電圧を送出する。トラン ジスタ519、520は、電流源518、521に関連して、トランジスタ52 3、521および515、516の静止電流を同様設定する。トランジスタ52 3、524のエミッタ電極は、電圧VQにバイアスされる低インピーダンスとし て働き、それには第3図のトランジスタ306、313から端子545を介して 、あるいは第3図のトランジスタ308、315から帰還信号が供給される。 より詳細には、トランジスタ532、533のエミッタでの電圧は、VQ−Vb e (530)+Vbe(533)、あるいはVQ+Vbe(529)−Vbe(532) となり、ここでVbe(530)、Vbe(532)、Vbe(533)およびVbe( 529)は、トランジスタ530、532、533および529の、それぞれの ベース・エミッタ電圧オフセットである。理想的には、トランジスタ529、5 30、532、533のベース・エミッタ電圧降下は、等しく、トランジスタ5 32、533のエミッタでの電圧はVQに等しい。静止電流は、Vbe(529) +Vbe(530)に等しいVbe(532)+Vbe(533)によって設定され、 かつトランジスタ529、530に対しては、それぞれの電流源によって設定さ れる。トランジスタ532、533から利用可能なピーク電流は、静止電流より も極めて大きい。 第5図の入力端子540、541は、第4図の端子418、419に接続され る。第5図の要素534から536は、第3図の要素318、320に等価であ り、第5図の要素537から539は、第3図の抵抗31によって表される。第 5図のトランジスタ519、520のエミッタ電極は、第3図に示されるように ユニティゲイン電圧増幅器319の出力端子に接続した電流加算バッファ回路3 02の電圧設定入力端子として働く。 入力電流が入力端子540、541を介してトランジスタ503、506およ び505、508に与えられるようなものと同様な態様で、別の入力差動電流が 、追加入力端子を介してトランジスタ515、516および523、524の共 通エミッタ電極に与えられることができる。 上で表した相当数の装置は、コンプリメンタリの装置によって置換されること ができ、かつ電界効果装置は、バイポーラ装置で、あるいはその逆で置換される ことができる。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1997年1月2日 【補正内容】 明細書 増幅器 本発明は、ディスクドライブにおいて読出しヘッド増幅器として使用するのに 特に好ましい増幅器に関する。 3.6ボルト程度の低い供給電圧で動作することができる、耐磁性ヘッドを用 いるディスクドライブのための最初の増幅段は、IBM技術開示報告(IBM Technical Disclosure Bulletin)第36巻、第 3号、1993年3月の第393から395ページに記載されている。 本発明の第1の特徴は、増幅器において、その入力ポートの1つに接続し、か つ電流を上記増幅器の上記入力ポートに動作的に接続された負荷に動作的に注入 する電流発生器と、 上記入力ポートに接続し、上記入力ポートに存在する注入電流を除く入力信 号を動作的に増幅する周波数選択性増幅回路と、 上記周波数選択性増幅回路内で接続し、上記注入電流の結果となる上記周波 数選択性増幅回路内での不平衡の状態に動作的に対抗する電圧相殺回路とを含ん でおり、 上記電流発生器は第1の端子に第1の電流を動作的に供給しかつ上記入力ポ ートの第2の端子で第2の電流を動作的にシンクするトランジスタ電流ミラーを 含んでおり、上記第1および第2の電流は等しくないような増幅器を提供するこ とである。 好ましくは、上記トランジスタ電流ミラーの相対ディメンションは、トランジ スタ電流ミラーの回路網に存在する電流比を確立するようになっている。 好ましくは、トランジスタ電流ミラーの上記回路網は、第1のトランジスタ電 流ミラーと第2のトランジスタ電流ミラーと、第3のトランジスタ電流ミラーと を含み、上記第3のトランジスタ電流ミラーは、上記第1のトランジスタ電流ミ ラーから電流を受けるように接続され、上記第2および第3のトランジスタ電流 ミラーは、上記第1および第2の電流を動作的に与えるようにされる。 好ましくは、上記電圧相殺回路は、上記周波数選択性増幅回路からのDC出力 電圧に動作的に応じ、かつ上記周波数選択性増幅回路のDC出力電圧をゼロボル トに向けてドライブする態様で信号を上記周波数選択性増幅回路の入力素子に与 えるように接続されている。 好ましくは、上記電圧相殺回路は、最初に第1の帯域幅と第1のゲインで動作 し、次いで第1の帯域幅よりも狭い第2の帯域幅と第1のゲインにほぼ等しい第 2のゲインとで動作するようになっている。 好ましくは、上記電圧相殺回路は、上記周波数選択性増幅回路における低レベ ルでの第1の動作電圧と高レベルでの第2の動作電圧とに動作的に応じ、これら 第1および第2の動作電圧が選択された値から離れることに対抗するような態様 で信号を上記周波数選択性増幅回路の入力素子に動作的に与えるようにされる。 この電圧相殺回路の一実施例は、上記注入電流の影響に対抗するため上記周波 数選択性増幅回路の入力素子での入力DC電圧を動作的に維持する電流増幅器出 力段を含んでいる。 電圧相殺回路の別態様の実施例は、上記注入電流の影響に動作的に対抗するた め上記周波数選択性増幅回路の入力素子での入力DC電圧を維持するように電流 設定抵抗と直列に接続した電圧増幅器出力段を含んでいる。 好ましくは、コンデンサが上記電圧相殺回路のポートに接続され、この電圧相 殺回路の帯域幅を決定するようになっている。 好ましくは、上記周波数選択性増幅回路は、この周波数選択増幅回路の周波数 範囲にわたってベース接地構成で動作するように接続された差動接続のバイポー ラトランジスタ入力段を含んでいる。 好ましくは、上記差動接続の入力段の1つのトランジスタは、固定ベース電圧 バイアスを設けており、上記差動接続の入力段の対抗するトランジスタのベース 電圧バイアスは、上記電圧相殺回路により与えられるようになっている。 一実施例において、上記差動接続の入力段は、トランジスタのベース入力イン ピーダンスを増大するための電流帰還回路を含んでいる。 他の実施例において、上記差動接続した入力段の各部分は、入力ダーリントン 接続トランジスタを含んでいる。 本発明の第2の特徴は、電流増幅器において、 上記電流増幅器の入力ポートである第1の低インピーダンス入力ポートを有 する入力電流加算段と、 この電流加算段の出力ポートに接続した入力ポートを含む電圧増幅段と、 この電流加算段の第2の低インピーダンス入力ポートに接続した出力ポート を含む基準段と、 上記電圧増幅段によってドライブされるように接続され、上記基準段と並列 に接続された出力段とを含み、上記出力および基準段の出力電流は、上記出力段 および基準段の素子によって決定される互いに固定の比率となっている電流増幅 器を提供することである。 この電流加算段は、その入力電流の和に等しい出力電流を与える。 請求の範囲 1.増幅器において、 その入力ポート(20、21)の1つに接続し、かつ電流を上記増幅器の上記 入力ポート(20、21)に動作的に接続された負荷に動作的に注入する電流発 生器(13から19)と、 上記入力ポート(20、21)に接続し、上記入力ポート(20、21)に存 在する注入電流を除く入力信号を動作的に増幅する周波数選択性増幅回路(1か ら4、10)と、 上記周波数選択性増幅回路(1から4、10)内で接続し、上記注入電流の結 果となる上記周波数選択性増幅回路内での不平衡の状態に動作的に対抗する電圧 相殺回路(6)とを含んでおり、 上記電流発生器(13から19)は、第1の端子(20)に第1の電流を動作 的に供給し、かつ上記入力ポート(20、21)の第2の端子で第2の電流を動 作的にシンクするトランジスタ電流ミラー(13から17)を含んでおり、上記 第1および第2の電流は等しくないことを特徴とする増幅器。 2.請求の範囲1記載の増幅器において、上記トランジスタ電流ミラー(13 から17)の相対ディメンションは、トランジスタ電流ミラー(13から17) の回路網に存在する電流比を確立することを特徴とする増幅器。 3.請求の範囲2記載の増幅器において、トランジスタ電流ミラー(13から 17)の上記回路網は、第1のトランジスタ電流ミラー(13、17)と、第2 のトランジスタ電流ミラー(15、17)と、第3のトランジスタ電流ミラー( 14、16)とを含み、上記第3のトランジスタ電流ミラー(14、16)は、 上記第1のトランジスタ電流ミラー(13、17)から電流を受けるように接続 され、上記第2および第3のトランジスタ電流ミラー(15、17:14、16 )は、上記第1および第2の電流を動作的に与えることを特徴とする増幅器。 4.請求の範囲1から3までのいずれかに記載の増幅器において、上記電圧相 殺回路(6)は、上記周波数選択性増幅回路(1から4、10)からのDC出力 電圧に動作的に応じ、かつ上記周波数選択性増幅回路(1から4、10)のDC 出力電圧をゼロボルトに向けてドライブする態様で信号を上記周波数選択性増幅 回路(1から4、10)の入力素子に与えるように接続されていることを特徴と する増幅器。 5.請求の範囲1から4までのいずれかに記載の増幅器において、上記電圧相 殺回路(6)は、最初に第1の帯域幅と第1のゲインで動作し、次いで第1の帯 域幅よりも狭い第2の帯域幅と第1のゲインにほぼ等しい第2のゲインとで動作 することを特徴とする増幅器。 6.請求の範囲1から5までのいずれかに記載の増幅器において、上記電圧相 殺回路(6)は、上記周波数選択性増幅回路(1から4、10)における低レベ ルでの第1の動作電圧と高レベルでの第2の動作電圧とに動作的に応じ、これら 第1および第2の動作電圧が選択された値から離れることに対抗するような態様 で信号を上記周波数選択性増幅回路(1から4、10)の入力素子に動作的に与 えるようにしたことを特徴とする増幅器。 7.請求の範囲1から6までのいずれかに記載の増幅器において、上記電圧相 殺回路(6)は、上記注入電流の影響に対抗するため上記周波数選択性増幅回路 (1から4、10)の入力素子での入力DC電圧を動作的に維持する電流増幅器 出力段を含んだことを特徴とする増幅器。 8.請求の範囲1から6までのいずれかに記載の増幅器において、上記電圧相 殺回路(6)は、上記注入電流の影響に動作的に対抗するため上記周波数選択性 増幅回路(1から4、10)の入力素子での入力DC電圧を維持するように電流 設定抵抗と直列に接続した電圧増幅器出力段を含んだことを特徴とする増幅器。 9.請求の範囲1から8までのいずれかに記載の増幅器において、コンデンサ (3)が、上記電圧相殺回路(6)のポートに接続され、この電圧相殺回路(6 )の帯域幅を決定するようにしたことを特徴とする増幅器。 10.請求の範囲1から9までのいずれかに記載の増幅器において、上記周波 数選択性増幅回路(1から4、10)は、この周波数選択増幅回路(1から4、 10)の周波数範囲にわたってベース接地構成で動作するように接続された差動 接続のバイポーラトランジスタ入力段を含んだことを特徴とする増幅器。 11.請求の範囲10記載の増幅器において、上記差動接続の入力段の1つの トランジスタは、固定ベース電圧バイアスを設けており、上記差動接続の入力段 の対抗するトランジスタのベース電圧バイアスは、上記電圧相殺回路(6)によ り与えられるようにしたことを特徴とする増幅器。 12.請求の範囲10あるいは11記載の増幅器において、上記差動接続の入 力段は、トランジスタのベース入力インピーダンスを増大するための電流帰還回 路を含んだことを特徴とする増幅器。 13.請求の範囲10あるいは11記載の増幅器において、上記差動接続した 入力段の各部分は、入力ダーリントン接続トランジスタを含んだことを特徴とす る増幅器。 14.請求の範囲1から13までのいずれかに記載の増幅器において、上記電 圧相殺回路(6)は、電流増幅器を含み、この電流増幅器は、 第1の低インピーダンス入力ポートを有する入力電流加算段(301、302 )と、 この電流加算段(301、302)の出力ポートに接続した入力ポートを含む 電圧増幅段(303、304、322、305、309、312)と、 この電流加算段(301、302)の第2の低インピーダンス入力ポートに接 続した出力ポートを含む基準段(306、313)と、 上記電圧増幅段(303、304、322、305、309、312)によっ てドライブされるように接続され、上記基準段(306、313)と並列に接続 された出力段(307、308、314、3155)とを含み、上記出力および 基準段の出力電流は、上記出力段(307、308、314、315)および基 準段(306、313)の素子によって決定される互いに固定の比率となってい ることを特徴とする増幅器。 15.電流増幅器において、 上記電流増幅器の入力ポートである第1の低インピーダンス入力ポートを有す る入力電流加算段(301、302)と、 この電流加算段(301、302)の出力ポートに接続した入力ポートを含む 電圧増幅段(303、304、322、305、309、312)と、 この電流加算段(301、302)の第2の低インピーダンス入力ポートに接 続した出力ポートを含む基準段(306、313)と、 上記電圧増幅段(303、304、322、305、309、312)によっ てドライブされるように接続され、上記基準段(306、313)と並列に接続 された出力段(307、308、314、315)とを含み、上記出力および基 準段の出力電流は、上記出力段(307、308、314、315)および基準 段(306、313)の素子によって決定される互いに固定の比率となっている ことを特徴とする電流増幅器。 16.請求の範囲14あるいは15記載の増幅器において、上記電流増幅段( 303、304、322、305、309、312)の出力ポートから基準点ま で接続された抵抗は、上記電流増幅器のトランスレジスタンスを定めることを特 徴とする増幅器。 17.請求の範囲14あるいは15記載の増幅器において、上記電流増幅段( 303、304、322、305、309、312)の出力ポートから上記電流 加算段(301、302)の別の低インピーダンス入力ポートまで接続された第 2の抵抗が、上記電流増幅器のトランスレジスタンスを定めることを特徴とする 増幅器。 18.請求の範囲14から17のうちのいずれかに記載の増幅器において、第 1の電流ゲインを有する第1の出力段(307、314)と、スイッチ素子(3 11、317)によってこの第1の出力段(307、314)の入力および出力 ポートとそれぞれ並列に接続可能な入力および出力ポートを有する第2の出力段 (308、315)を含み、かつ上記第2の出力段(308、315)は、上記 第1の出力段(307、315)の電流ゲインを越える電流ゲインを有するよう にしたことを特徴とする増幅器。 19.請求の範囲18記載の増幅器において、上記第2の出力段(308、3 15)の動作時に別のスイッチ素子(320)によって上記第2の出力段(30 8、315)と上記電流加算段(301、302)の別の低インピーダンス入力 ポートとの間で接続可能な別の抵抗(318)を含んでおり、上記別の抵抗(3 18)の値は、上記第2の出力段(308、315)の他の構成の場合のような 動作時に上記電流増幅器の同じトランスレジスタンスを維持するようにしたこと を特徴とする増幅器。 20.請求の範囲14から19までのいずれかに記載の増幅器において、上記 基準および出力段は、プッシュプルで接続されかつAB級でバイアスされるよう に上記電圧増幅段(303、304、322、305、309、311)に接続 された、それぞれの対のコンプリメンタリ電界効果トランジスタを含んだことを 特徴とする増幅器。 21.請求の範囲20記載の増幅器において、上記電圧増幅段(303、30 4、322、305、309、312)は、上記基準および出力段のトランジス タの、それぞれのゲート端子に接続したゲート端子と、上記基準および出力段の トランジスタの、それぞれのソース端子に接続したソース端子とを有した別の対 のコンプリメンタリ電界効果トランジスタ(305、312)を含んだことを特 徴とする増幅器。 22.請求の範囲21記載の増幅器において、上記電圧増幅段(303、30 4、322、305、309、312)は、上記別の対のコンプリメンタリ電界 効果トランジスタを含んだ電界効果トランジスタ(305、309、312)の 回路網に電流をドライブするように接続された入力電圧バッファ(303、32 2)を含んだことを特徴とする増幅器。 23.請求の範囲22記載の増幅器において、上記入力電圧バッファ(303 、322)は、電界効果トランジスタの上記回路網に電流をドライブするためエ ミッタフォロアとして接続した入力バイポーラトランジスタ(303)を含んだ ことを特徴とする増幅器。 24.請求の範囲22記載の増幅器において、上記入力電圧バッファは、電界 効果トランジスタの上記回路網に電流をドライブするためのソースフォロアとし て接続した入力電界効果トランジスタを含んだことを特徴とする増幅器。 25.請求の範囲18から24までのいずれかに記載の増幅器において、上記 第1の出力段から利用可能な出力電流を越える出力電流を与えるため、上記基準 段に含まれた電界効果トランジスタのそれぞれのゲート端子に接続可能なゲート 端子と、上記基準段に含まれた上記電界効果トランジスタの、それぞれのソース 端子に接続したソース端子とを有する追加の対のコンプリメンタリ電界効果トラ ンジスタを含んだことを特徴とする増幅器。 26.請求の範囲20から24までのいずれかに記載の増幅器において、上記 電界効果トランジスタはエンハンスメントモード装置であることを特徴とする増 幅器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.増幅器入力ポートの1つに接続し、かつ電流をその増幅器入力ポートに接 続された負荷に注入することができる電流発生器と、この入力ポートに接続して 注入電流の周波数範囲を排除する選択された周波数範囲内の上記入力ポートに与 えられる信号を増幅する周波数選択性増幅回路と、この周波数選択性増幅回路内 で接続されて上記増幅器入力ポートに接続した負荷への電流注入の結果となる周 波数選択性増幅回路内での不平衡の状態に対抗することができる電圧相殺回路と を含んだ増幅器。 2.請求の範囲1記載の増幅器において、上記電圧相殺回路は、上記周波数選 択性増幅回路からのDC出力電圧に応じ、かつ上記周波数選択性増幅回路のDC 出力電圧をゼロボルトに向けてドライブする態様で信号を上記周波数選択性増幅 回路の入力素子に与えるように接続されている増幅器。 3.請求の範囲1または2記載の増幅器において、上記電流発生器は、入力ポ ートの第1の端子で第1の電流を供給することができ、かつ入力ポートの第2の 端子で第1の電流とは等しくない第2の電流をシンクすることができるトランジ スタ電流ミラーの回路網を含んでいる増幅器。 4.増幅器入力ポートの1つに接続して第1の電流をその入力ポートの第1の 端子に供給し、かつ第1の電流とは等しくない第2の電流をその入力ポートの第 2の端子から除去することができる電流発生器と、この入力ポートに接続されて 、この入力ポートに与えられる信号を選択された周波数範囲内で増幅する周波数 選択性増幅回路と、この周波数選択性増幅回路増幅器の出力ポートに接続した入 力ポートおよびその周波数選択性増幅回路の出力電圧の低周波数成分をゼロボル トに向けてドライブするように、この周波数選択性増幅回路の入力素子に接続し た出力ポートを有する低周波電圧相殺回路とを含んだ増幅器。 5.請求の範囲1から4までのいずれかに記載の増幅器において、上記電圧相 殺回路は、最初に第1の帯域幅と第1のゲインで動作し、次いで第1の帯域幅よ りも狭い第2の帯域幅と第1のゲインにほぼ等しい第2のゲインとで動作するこ とができる増幅器。 6.請求の範囲1から5までのいずれかに記載の増幅器において、上記電圧相 殺回路は、動作にあって、上記周波数選択性増幅回路における低レベルでの第1 の動作電圧と高レベルでの第2の動作電圧とに応じ、これら第1および第2の動 作電圧が選択された値から離れることに対抗するような態様で信号を上記周波数 選択性増幅回路の入力素子に与えるようにした増幅器。 7.請求の範囲1から6までのいずれかに記載の増幅器において、上記電圧相 殺回路は、上記増幅器の上記入力ポートに接続した負荷に注入される電流の影響 に対抗するように上記周波数選択性増幅回路の入力素子での入力DC電圧を維持 することができる電流増幅器出力段を含んでいる増幅器。 8.請求の範囲1から6までのいずれかに記載の増幅器において、上記電圧相 殺回路は、上記増幅器の上記入力ポートに接続した負荷に注入される電流の影響 に対抗するように上記周波数選択性増幅回路の入力素子での入力DC電圧を維持 するために電流設定抵抗と直列に接続した電圧増幅器出力段を含んでいる増幅器 。 9.請求の範囲1から8までのいずれかに記載の増幅器において、上記周波数 選択性増幅回路は、この周波数選択増幅回路の周波数範囲にわたってベース接地 構成で動作するように接続された差動接続のバイポーラトランジスタ入力段を含 んでいる増幅器。 10.請求の範囲9記載の増幅器において、上記差動接続の入力段の1つのト ランジスタは、固定ベース電圧バイアスを設けており、上記差動接続の入力段の 対抗するトランジスタのベース電圧バイアスは、上記電圧相殺回路により与えら れるようにした増幅器。 11.請求の範囲8あるいは10記載の増幅器において、上記差動接続の入力 段は、トランジスタのベース入力インピーダンスを増大するための電流帰還回路 を含んでいる増幅器。 12.請求の範囲8あるいは10記載の増幅器において、上記差動接続した入 力段の各部分は、入力ダーリントン接続トランジスタを含んでいる増幅器。 13.請求の範囲1から12までのいずれかに記載の増幅器において、上記電 圧相殺回路のポートに接続したコンデンサは、この電圧相殺回路の帯域幅を決定 するようにした増幅器。 14.添付図面の第1から5図に関連して本明細書に実質的に記載され、かつ それによって実質的に図示された増幅器。 15.電流増幅器入力ポートとなる第1の低インピーダンス入力ポートを有す る入力電流加算段と、この電流加算段の出力ポートに接続した入力ポートを有す る電圧増幅段と、この電流加算段の第2の低インピーダンス入力ポートに接続し た出力ポートを含む基準段と、この基準段と並列に上記電圧増幅段によってドラ イブされるように接続された出力段とを含み、上記出力および基準段の出力電流 は、これら出力および基準段の素子によって決定される互いに固定の比率となっ ているような電流増幅器。 16.請求の範囲15記載の電流増幅器において、上記電流増幅段の出力ポー トから上記電流増幅器のトランスレジスタンスを定める基準点まで接続された抵 抗を含んでいる電流増幅器。 17.請求の範囲15記載の電流増幅器において、上記電流増幅段の出力ポー トから上記電流加算段の別の低インピーダンス入力ポートまで接続された第2の 抵抗が、上記電流増幅器のトランスレジスタンスを定めるために使用されるよう にした電流増幅器。 18.請求の範囲16記載の電流増幅器において、第1の電流ゲインを有する 第1の出力段と、スイッチ素子によって、この第1の出力段の入力および出力ポ ートとそれぞれ並列に接続可能な入力および出力ポートとを有し、かつ上記第2 の出力段は、上記第1の出力段の電流ゲインを越える電流ゲインを有するように した電流増幅器。 19.請求の範囲18記載の電流増幅器において、上記第2の出力段の動作時 にスイッチ素子によって上記第2の出力段と上記電流加算段の上記別の低インピ ーダンス入力ポートとの間で接続可能な第2の抵抗を含んでおり、上記抵抗の値 は、上記第2の出力段の動作時に上記電流増幅器の同じトランスレジスタンスを 維持するようになっている電流増幅器。 20.請求の範囲15から19までのいずれかに記載の電流増幅器において、 上記基準および出力段は、プッシュプルで接続されかつAB級でバイアスされる ように上記電圧増幅段に接続されたそれぞれの対のコンプリメンタリ電界効果ト ランジスタを含んでいる電流増幅器。 21.請求の範囲20記載の電流増幅器において、上記電圧増幅段は、上記基 準および出力段のトランジスタのそれぞれのゲート端子に接続したゲート端子と 上記基準および出力段のトランジスタのそれぞれのソース端子に接続したソース 端子とを有した別の対のコンプリメンタリ電界効果トランジスタを含んでいる電 流増幅器。 22.請求の範囲21記載の電流増幅器において、上記電圧増幅段は、上記別 の対のコンプリメンタリ電界効果トランジスタを含んだ電界効果トランジスタの 回路網に電流をドライブするように接続された入力電圧バッファを含んでいる電 流増幅器。 23.請求の範囲22記載の電流増幅器において、上記入力電圧バッファは、 電界効果トランジスタの上記回路網に電流をドライブするためエミッタフォロア として接続した入力バイポーラトランジスタを含んでいる電流増幅器。 24.請求の範囲22記載の電流増幅器において、上記入力電圧バッファは、 電界効果トランジスタの上記回路網に電流をドライブするためのソースフォロア として接続した入力電界効果トランジスタを含んでいる電流増幅器。 25.請求の範囲15から24までのいずれかに記載の電流増幅器において、 上記第1の出力段から利用可能な出力電流を越える出力電流を与えるため、上記 基準段に含まれた電界効果トランジスタのそれぞれのゲート端子に接続可能なゲ ート端子と、上記基準段に含まれた上記電界効果トランジスタのそれぞれのソー ス端子に接続したソース端子とを有する追加の対のコンプリメンタリ電界効果ト ランジスタを含んでいる電流増幅器。 26.請求の範囲15から25までのいずれかに記載の電流増幅器において、 上記電界効果トランジスタは、エンハンスメントモード装置である電流増幅器。 27.添付図面の第3および5図に関連して本明細書に実質的に記載され、か つそれに実質的に示された電流増幅器。
JP8522694A 1995-01-27 1995-05-30 増幅器 Pending JPH10513316A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9501624A GB2297447A (en) 1995-01-27 1995-01-27 Amplifier
GB9501624.2 1995-01-27
PCT/GB1995/001245 WO1996023352A1 (en) 1995-01-27 1995-05-30 Amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10513316A true JPH10513316A (ja) 1998-12-15

Family

ID=10768685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8522694A Pending JPH10513316A (ja) 1995-01-27 1995-05-30 増幅器

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5923216A (ja)
EP (2) EP0982853A3 (ja)
JP (1) JPH10513316A (ja)
KR (1) KR987001154A (ja)
DE (1) DE69517706T2 (ja)
GB (1) GB2297447A (ja)
WO (1) WO1996023352A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6111711A (en) * 1998-08-24 2000-08-29 International Business Machines Corp. Fast charge and thermal asperity compensation circuit
US6473253B1 (en) * 1999-04-28 2002-10-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Read channel with programmable bandwidth control
DE10143770B4 (de) 2001-09-06 2006-03-16 Infineon Technologies Ag Verstärkerschaltung
US6985229B2 (en) * 2002-05-30 2006-01-10 Agere Systems, Inc. Overlay metrology using scatterometry profiling
KR100433362B1 (ko) * 2002-07-11 2004-06-07 에이디반도체(주) 임피던스 비교 집적회로
US7202744B1 (en) * 2005-06-15 2007-04-10 National Semiconductor Corporation Transresistance amplifier
US7667914B2 (en) * 2006-04-17 2010-02-23 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Direct coupled wide-bandwidth front-end with smart bias control amplifier
US7948309B2 (en) * 2009-01-16 2011-05-24 University Of Macau DC-offset cancelled programmable gain array for low-voltage wireless LAN system and method using the same
RU2467471C1 (ru) * 2011-10-18 2012-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Избирательный усилитель
RU2467469C1 (ru) * 2011-11-21 2012-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Избирательный усилитель
RU2479109C1 (ru) * 2012-04-12 2013-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Избирательный усилитель
RU2479110C1 (ru) * 2012-04-16 2013-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Избирательный усилитель
US9899973B2 (en) * 2016-03-18 2018-02-20 Inphi Corporation Split cascode circuits and related communication receiver architectures

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4177432A (en) * 1978-06-26 1979-12-04 National Semiconductor Corporation Multi output differential amplifier
US4379267A (en) * 1980-06-25 1983-04-05 Mostek Corporation Low power differential amplifier
JPS5753112A (en) * 1980-09-16 1982-03-30 Toshiba Corp Sepp power amplifier
JPS592410A (ja) * 1982-06-28 1984-01-09 Sony Corp 電流増幅器
US4570128A (en) * 1984-07-05 1986-02-11 National Semiconductor Corporation Class AB output circuit with large swing
JPH0720040B2 (ja) * 1986-11-21 1995-03-06 ソニー株式会社 電圧−電流変換回路
US4843342A (en) * 1987-12-09 1989-06-27 Vtc Incorporated Differential amplifier with input bias current cancellation
US5103353A (en) * 1990-05-01 1992-04-07 International Business Machines Corporation Low noise amplifier with short circuit protection for signals from magnetoresistive element
US5122915A (en) * 1990-09-26 1992-06-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Low-noise preamplifier for magneto-resistive heads
US5204789A (en) * 1991-01-31 1993-04-20 International Business Machines Corporation Low noise voltage-biasing amplifier for magnetoresistive element
IT1250824B (it) * 1991-07-29 1995-04-21 Sgs Thomson Microelectrincs S Amplificatore integrato per strumentazione con ingresso differenziale ed una singola sorgente di alimentazione, con capacita' integrate di stabilizzazione in frequenza.
US5293136A (en) * 1992-09-17 1994-03-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Two-stage rail-to-rail operational amplifier
US5351012A (en) * 1993-04-02 1994-09-27 Elantec, Inc. Low input resistance current-mode feedback operational amplifier input stage

Also Published As

Publication number Publication date
DE69517706T2 (de) 2000-10-19
EP0806080A1 (en) 1997-11-12
EP0982853A3 (en) 2000-03-29
EP0806080B1 (en) 2000-06-28
WO1996023352A1 (en) 1996-08-01
GB9501624D0 (en) 1995-03-15
DE69517706D1 (de) 2000-08-03
EP0982853A2 (en) 2000-03-01
GB2297447A (en) 1996-07-31
US5923216A (en) 1999-07-13
KR987001154A (ko) 1998-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4532479A (en) Differential amplifier circuit with rail-to-rail capability
US5343164A (en) Operational amplifier circuit with slew rate enhancement
US4586000A (en) Transformerless current balanced amplifier
US4439743A (en) Biasing circuit for power amplifier
JPH06326529A (ja) 線路間差動増幅器用結合駆動・加算回路
US5475343A (en) Class AB complementary output stage
AU679791B2 (en) Transimpedance amplifier circuit with feedback and load resistor variable circuits
JPH10513316A (ja) 増幅器
US5351012A (en) Low input resistance current-mode feedback operational amplifier input stage
US5559646A (en) Balanced arrangement for reading information from a track on a record carrier which arrangement includes amplifier circuits containing cut-off capacitors which are cross-coupled to reduce noise
US9874896B2 (en) Voltage-current converter, and corresponding device and method
US5825228A (en) Low quiescent power, high output power rail-to rail amplifier output stages and methods for using same
JP2578096B2 (ja) スイツチング装置
EP0522786B1 (en) Dynamic biasing for class A amplifier
US7414474B2 (en) Operational amplifier
US5673000A (en) Dynamically invariant AB linear operation amplifier
KR950000161B1 (ko) 증폭기 장치 및 푸시풀 증폭기
JPH0580164B2 (ja)
WO2002051001A3 (en) A bias circuit for a low voltage differential circuit
JPH0626287B2 (ja) 増幅装置
US4293824A (en) Linear differential amplifier with unbalanced output
Tanaka New biasing circuit for class B operation
US6600367B2 (en) Low distortion amplifier
JPH06276037A (ja) オーディオ用パワーアンプ
JP4011352B2 (ja) アイソレーション増幅器