JPH1049926A - 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体

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Abstract

(57)【要約】 【課題】面内磁化状態にある部分の記録磁区情報がマス
クされ、集光された光ビームのビーム径内に隣接する記
録ビットが入る場合においても、高い信号品質で個々の
記録ビットを分離して再生することを可能とする。 【解決手段】本来垂直磁化状態である再生層１と、記録
層４とが静磁結合してなる光磁気記録媒体であって、再
生層１に隣接して面内磁化膜２が形成され、再生層１と
面内磁化膜２とが交換結合することにより、再生層１に
面内磁化マスクを形成する。小さい記録ビット径、及び
小さい記録ビット間隔で記録再生を行った場合において
も、十分な信号品質を得ることが可能な超解像光磁気記
録媒体を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体、及びその再生方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔
が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという
欠点が生じている。
【０００３】このような欠点は、目的とする記録ビット
上に集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビ
ットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生す
ることができなくなることが原因である。
【０００４】上記の欠点を解消するために、特開平６−
１５０４１８号公報において、室温において面内磁化状
態であり、温度上昇と共に垂直磁化状態となる再生層と
記録層との間に非磁性中間層を設け、再生層と記録層と
が静磁結合した構造の磁気的超解像光磁気記録媒体が提
案されている。
【０００５】これにより、面内磁化状態にある部分の記
録磁区情報がマスクされ、集光された光ビームのビーム
径内に隣接する記録ビットが入る場合においても、個々
の記録ビットを分離して再生するという磁気的超解像再
生が可能となることが示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開平６−１５０４１８号公報では、室温において面内
磁化状態であり、温度上昇と共に垂直磁化状態となる磁
気特性を実現するため、再生層が室温においてＲＥｒｉ
ｃｈ組成の希土類遷移金属合金を用いる必要がある。こ
れに対して、記録層は良好な記録特性を得るため、その
キュリー温度近傍においてＴＭｒｉｃｈ組成の希土類遷
移金属合金を用いることが望ましい。ここで、ＲＥｒｉ
ｃｈ組成とは、希土類金属（ＲＥ）の副格子モーメント
の大きさと遷移金属（ＴＭ）の副格子モーメントの大き
さとが釣り合う補償組成に対して、希土類金属の副格子
モーメントの大きさがより大きくなる組成を意味してお
り、ＴＭｒｉｃｈ組成とは、補償組成に対して、遷移金
属の副格子モーメントの大きさがより大きくなる組成を
意味している。
【０００７】このような理由から、特開平６−１５０４
１８号公報においては、ＲＥｒｉｃｈ組成の再生層とＴ
Ｍｒｉｃｈ組成の記録層とが、各層のトータル磁化の向
きを一致させるべく静磁結合することにより、各層の副
格子モーメントの向きが反平行となり、従来の光磁気記
録媒体と比較して、再生極性が反転するという問題を有
している。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的は、再生極性を反転
させることなく、同様な磁気的超解像再生を実現させる
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、垂直磁化膜からなる再生層と垂直磁化膜からなる記
録層とが静磁結合した光磁気記録媒体において、再生層
に隣接して面内磁化膜が形成され、前記面内磁化膜のキ
ュリー温度以下の温度において、前記再生層の磁化方向
を膜面に対して垂直方向から面内方向に変えて情報再生
時のマスキングとしてなることを特徴とする光磁気記録
媒体の再生方法である。
【００１０】請求項２に記載の発明は、垂直磁化膜から
なる再生層と垂直磁化膜からなる記録層とが静磁結合し
た光磁気記録媒体において、再生層に隣接して面内磁化
膜が形成されるとともに、前記再生層が、希土類金属と
遷移金属との合金からなり、室温以上の温度において希
土類副格子モーメントと遷移金属副格子モーメントとが
つりあう補償組成に対して、遷移金属副格子モーメント
をより多く含有する組成であり、前記面内磁化膜のキュ
リー温度以下の温度において、前記再生層の磁化方向を
膜面に対して垂直方向から面内方向に変え、前記再生層
の面内磁化を情報再生のマスキングとすることを特徴と
する光磁気記録媒体である。
【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の光磁気記録媒体において、前記面内磁化膜のキュリー
温度が、６０℃以上２００℃以下であることを特徴とす
る光磁気記録媒体である。
【００１２】請求項４に記載の発明は、請求項２または
３に記載の光磁気記録媒体において、前記面内磁化膜
が、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＡｌ、ＧｄＦｅＴｉ、ＧｄＦｅ
Ｔａ、ＧｄＦｅＰｔ、ＧｄＦｅＡｕ、ＧｄＦｅＣｕ、Ｇ
ｄＦｅＡｌＴｉ、ＧｄＦｅＡｌＴａ合金のいずれかの合
金からなることを特徴とする光磁気記録媒体でる。
【００１３】上記構成によれば、再生層の温度上昇して
いない部分において、再生層を安定して面内磁化状態と
し、安定して面内磁化マスクによるフロントマスクを形
成することが可能となるとともに、再生時に再生極性が
反転することのない磁気的超解像再生が可能となる。
【００１４】また特に、請求項４の記録媒体によればに
よれば再生層を安定した面内磁化状態にできる。
【００１５】請求項５に記載の発明は、請求項２または
３に記載の光磁気記録媒体において、前記再生層は、一
般式（１）、及び、条件（２）を満足する組成であるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。
【００１６】 ＧｄX1（ＦｅY1Ｃｏ1-Y1）1-X1 ・・・（１） ０．１２≦Ｘ１≦０．２６ ０．６０≦Ｙ１≦１．００ ・・・（２） 上記構成によれば、請求項２及び請求項３に記載の光磁
気記録媒体において、上記再生極性が反転しない磁気的
超解像再生が可能となるとともに、再生層の磁気特性が
最適化され、安定して再生信号を得ることが可能とな
る。
【００１７】請求項６に記載の発明は、請求項２または
３に記載の光磁気記録媒体において、前記面内磁化膜
は、一般式（３）、及び、条件（４）を満足する組成で
あることを特徴とする光磁気記録媒体。
【００１８】 （ＧｄX2Ｆｅ1-X2）Y2Ａｌ1-Y2 ・・・（３） ０≦Ｘ２≦０．１４、又は、０．３２≦Ｘ２≦１．００ ０．３０≦Ｙ２≦１．００ ・・・（４） 上記構成によれば、請求項２及び請求項３に記載の光磁
気記録媒体において、上記再生極性が反転しない磁気的
超解像再生が可能となるとともに、面内磁化膜の磁気特
性が最適化され、安定して再生信号を得ることが可能と
なる。
【００１９】請求項７に記載の発明は、垂直磁化膜から
なる再生層と垂直磁化膜からなる記録層とが静磁結合し
た光磁気記録媒体において、再生層に隣接して面内磁化
膜が形成され、前記面内磁化膜のキュリー温度以下の温
度において、前記再生層の磁化方向を膜面に対して垂直
方向から面内方向に変え、前記再生層の面内磁化により
情報再生時の第１マスキングを行うとともに、前記再生
層のキュリー温度以上の温度における領域部分を第２マ
スキングとしたことを特徴とする光磁気記録媒体の再生
方法である。
【００２０】請求項８に記載の発明は、垂直磁化膜から
なる再生層と垂直磁化膜からなる記録層とが静磁結合し
た光磁気記録媒体において、再生層に隣接して面内磁化
膜が形成されるとともに、前記再生層が、希土類金属と
遷移金属との合金からなり、室温以上の温度において希
土類副格子モーメントと遷移金属副格子モーメントとが
つりあう補償組成に対して、遷移金属副格子モーメント
をより多く含有する組成であり、前記面内磁化膜のキュ
リー温度以下の温度において、前記再生層の磁化方向を
膜面に対して垂直方向から面内方向に変え、前記再生層
の面内磁化により情報再生時の第１マスキングを行うと
ともに、前記再生層のキュリー温度以上の温度における
領域部分を第２マスキングとしたことを特徴とする光磁
気記録媒体である。
【００２１】請求項９に記載の発明は、請求項８に記載
の光磁気記録媒体において、前記再生層のキュリー温度
が、１６０℃以上２２０℃以下であり、かつ、前記面内
磁化膜のキュリー温度が、６０℃以上１４０℃以下であ
ることを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００２２】上記構成によれば、上記再生極性が反転し
ない磁気的超解像再生が可能となるとともに、ダブルマ
スクによる磁気的超解像再生が実現し、さらに分解能の
高い再生を行うことが可能となる。
【００２３】請求項１０に記載の発明は、請求項８また
は９に記載の光磁気記録媒体において、前記再生層は、
一般式（５）、及び、条件（６）を満足する組成である
ことを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００２４】 ＧｄX4（ＦｅY4Ｃｏ1-Y4）1-X4 ・・・（５） ０．１２≦Ｘ４≦０．１８ ０．８５≦Ｙ４≦１．００ ・・・（６） 上記構成によれば、請求項８または９に記載の光磁気記
録媒体において、上記再生極性が反転しない磁気的超解
像再生が可能となるとともに、再生層の磁気特性が最適
化されることにより、安定してダブルマスクを利用した
超解像再生を実現することが可能となる。
【００２５】請求項１１に記載の発明は、請求項８また
は９に記載の光磁気記録媒体において、前記面内磁化膜
は、一般式（７）、及び、条件（８）を満足する組成で
あることを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００２６】 （ＧｄX5Ｆｅ1-X5）Y5Ａｌ1-Y5 ・・・（７） ０．１０≦Ｘ５≦０．１４、又は、０．３３≦Ｘ５≦１．００ ０．３５≦Ｙ５≦０．９５ ・・・（８） 上記構成によれば、請求項８または９に記載の光磁気記
録媒体において、上記再生極性が反転しない磁気的超解
像再生が可能となるとともに、面内磁化膜の磁気特性が
最適化されることにより、安定してダブルマスクを利用
した超解像再生を実現することが可能となる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
実施の形態１ 以下、本発明の実施の形態１を図面を用いて詳細に説明
する。
【００２８】図１に本発明の超解像再生動作原理を説明
する光磁気記録媒体の平面図と断面図を、図２に従来の
超解像再生動作原理を説明する光磁気記録媒体の平面図
と断面図を示す。
【００２９】まず、従来の超解像再生動作について説明
する。従来の超解像光磁気記録媒体は図２に示すよう
に、室温で面内磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化
状態となる希土類金属と遷移金属との合金からなる再生
層１と、室温に補償温度を有する希土類金属と遷移金属
との合金からなる記録層４との間に非磁性中間層３が形
成され、再生層１と記録層４とが静磁結合した構成であ
る。
【００３０】光ビーム５が再生層側から集光照射され情
報の再生が行われる。光ビーム５の照射に伴い媒体には
光ビーム５の強度分布に対応したガウシアン分布状の温
度分布が形成される。ここで、ディスク移動に伴い、再
生層の温度の高い領域は後方に移動し、光ビームスポッ
ト１００に対して等温線１０１が形成される。再生層１
は、この温度分布に対応して、第１の温度範囲（等温線
１０１の外側）で面内磁化状態となり、第２の温度範囲
（等温線１０１の内側）で垂直磁化状態となり、第１の
温度範囲がフロントマスクを形成することになる。ここ
で、第２の温度範囲において、再生層１のトータル磁化
の向きが記録層４から発生する漏洩磁界の向きを向き、
等温線１０１の内側の再生層１の垂直磁化成分のみが情
報として再生されることにより、超解像再生動作が実現
する。再生層１において、記録層４の磁化状態が転写さ
れるのは、磁区１０２と磁区１０３の二つになるが、光
ビームスポット１００内に存在する磁区１０２のみが再
生される。
【００３１】ここで、再生層１においては、室温で面内
磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化状態となる特性
を実現するため、希土類金属（ＲＥ）副格子モーメント
の大きさと遷移金属（ＴＭ）副格子モーメントの大きさ
とが同じ大きさになる補償組成に対して、ＲＥ副格子モ
ーメントを多く含有していることが必要であり、再生層
１のＴＭ副格子モーメントの向きとトータル磁化の向き
とが反平行となる。一方、記録層４においては、良好な
記録特性を得るべく、室温に補償温度を有する希土類遷
移金属合金が用いられており、温度上昇過程において、
ＴＭ副格子モーメントの大きさがＲＥ副格子モーメント
より大きくなるため、記録層４のＴＭ副格子モーメント
の向きとトータル磁化の向きとは平行となる。従って、
記録層４のＴＭ副格子モーメントの向きと漏洩磁界の向
きとは平行となり、その漏洩磁界に対して再生層１のＴ
Ｍ副格子モーメントの向きは、反平行となるようにそろ
えられることになる。記録層のみ存在する従来の光磁気
記録媒体に対して、再生の極性、すなわち、ＴＭ副格子
モーメントの向きが反転することになり、従来の光磁気
記録媒体との互換性を取る際、この極性反転を考慮して
記録再生を行うことが必要である。
【００３２】一方、図１に示す本発明の超解像光磁気記
録媒体において、再生層１は単独で存在する場合垂直磁
化状態であるが、面内磁化膜２と再生層１とが交換結合
した範囲において、再生層１が垂直磁化状態から面内磁
化状態へと変化するため、再生層１として、補償組成に
対して、ＴＭ副格子モーメントを多く含有している垂直
磁化膜を採用することが可能となる。この場合、図２に
示す従来の超解像光磁気記録媒体と同様に、静磁結合に
より、磁区１０２が再生されることにより超解像再生が
実現する。
【００３３】しかし、再生層１と記録層４が共に、補償
組成に対してＴＭ副格子モーメントを多く含有する組成
であるため、再生層１のＴＭ副格子モーメントの向きと
記録層４のＴＭ副格子モーメントの向きとが平行とな
り、再生の極性が反転する事なく、記録層のみ存在する
従来の光磁気記録媒体と容易に互換性を得ることができ
る。
【００３４】本発明の実施の形態１について図３に基づ
いて更に詳しく説明すれば以下の通りである。本実施の
形態１では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適
用した場合について説明する。
【００３５】本実施の形態１に係る光磁気ディスクは、
図３に示すように、基板６、透明誘電体層７、再生層
１、面内磁化膜２、非磁性中間層３、記録層４、保護層
８、オーバーコート層９が、この順にて積層されたディ
スク本体を有している。
【００３６】このような光磁気ディスクでは、その記録
方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半
導体レーザから出射される光ビーム５が対物レンズによ
り再生層１に絞り込まれ、極カー効果として知られてい
る光磁気効果によって情報が記録再生されるようになっ
ている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁化の
向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向にな
る現象である。
【００３７】基板６は、例えばポリカーボネート等の透
明な基材からなり、ディスク状に形成される。
【００３８】透明誘電体層７は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ａｌ
ＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されることが望ま
しく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な
干渉効果が実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定
される必要があり、再生光の波長をλ、透明誘電体層７
の屈折率をｎとした場合、透明誘電体層７の膜厚は（λ
／４ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を
６８０ｎｍとした場合、透明誘電体層７の膜厚を４０ｎ
ｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
【００３９】再生層１は、希土類遷移金属合金からなる
磁性膜であり、再生極性の反転が起こらないように、室
温からそのキュリー温度まで、補償組成に対してＴＭ副
格子モーメントを多く含有する組成に設定され、再生層
１が単独で存在する場合、膜面に対して垂直方向に磁化
を有する垂直磁化膜である。また、再生層１の膜厚は、
良好な再生信号を得るため１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下と
することが望ましい。
【００４０】面内磁化膜２は、そのキュリー温度まで膜
面に対して面内方向に磁化を有する面内磁化膜であり、
再生層１と交換結合することにより、再生層１の磁化方
向を垂直方向から面内方向へと変える特性を有してい
る。再生層１において、良好な面内磁化マスクを形成す
るため、面内磁化膜２のキュリー温度は、６０℃以上２
２０℃以下に設定されることが望ましい。また、面内磁
化膜２の膜厚は、良好な再生信号を得るため２ｎｍ以上
８０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００４１】非磁性中間層３は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ａｌ
ＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁
性金属合金からなり、再生層１と記録層４とが良好に静
磁結合すべく、その膜厚が１〜８０ｎｍに設定されてい
る。
【００４２】記録層４は、希土類遷移金属合金からなる
垂直磁化膜からなり、再生層１に十分な大きさの漏洩磁
界を及ぼすべく、その膜厚が、１５〜１８０ｎｍの範囲
に設定されている。
【００４３】保護層８は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ
等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属
合金からなり、再生層１や面内磁化膜２や記録層４に用
いる希土類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成さ
れるものであり、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に
設定されている。
【００４４】オーバーコート層９は、紫外線硬化樹脂ま
たは熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線
を照射するか、または、加熱するかによって形成され
る。
【００４５】実施例１ （１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。
【００４６】まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＦｅＣｏ合
金ターゲットと、ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲットと、Ｄｙ
ＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装
置内に、プリグルーブ及びプリピットを有しディスク状
に形成されたポリカーボネート製の基板６を基板ホルダ
ーに配置する。スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒま
で真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、基板６にＡｌＮからなる透明誘電
体層７を膜厚８０ｎｍで形成した。
【００４７】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層７上に、Ｇ
ｄ0.20（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.80からなる再生層１を膜
厚４０ｎｍで形成した。その再生層１は、室温において
補償組成に対してＴＭ副格子モーメントをより多く含有
する組成であり、単独で存在する場合、室温からそのキ
ュリー温度（３００℃）まで常に、膜面に対して垂直方
向に磁化を有する垂直磁化膜であった。
【００４８】次に、ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲットに電力
を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記再生
層１上に、（Ｇｄ0.10Ｆｅ0.90）0.75Ａｌ0.25からなる
面内磁化膜２を膜厚２０ｎｍで形成した。その面内磁化
膜２は、室温からそのキュリー温度（１４０℃）まで、
膜面に対して面内方向に磁化を有する面内磁化膜であっ
た。
【００４９】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、面内磁化膜２上にＡｌＮからなる
非磁性中間層３を膜厚５ｎｍで形成した。
【００５０】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層３上
に、Ｄｙ0.23（Ｆｅ0.72Ｃｏ0.28）0.77からなる記録層
４を膜厚４０ｎｍで形成した。その記録層４は、２５℃
に補償温度を有し、キュリー温度が２７５℃であった。
【００５１】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護
層８を膜厚２０ｎｍとして形成した。
【００５２】次に、上記保護層８上に、紫外線硬化樹脂
をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射すること
によりオーバーコート層９を形成した。
【００５３】（２）記録再生特性 上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光ピックアップでレーザパワーを２．５ｍＷとして測
定したＣＮＲ（信号対雑音比）のマーク長（Ｍａｒｋ
ｌｅｎｇｔｈ）依存性を図４に示す。比較のため、再生
層１として、室温において面内磁化状態であり、１２０
℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有し、そのキュリ
ー温度が３２０℃であるＧｄＦｅＣｏを用いたディスク
におけるＣＮＲのマーク長依存性を比較例１、また現在
市販されている記録層のみ有する光磁気ディスクにおけ
るＣＮＲのマーク長依存性を比較例２として同図に示
す。また、ここで示すＣＮＲのマーク長依存性は、マー
ク長に対応する長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さ
の記録磁区ピッチで連続形成した時の信号対雑音比を表
すものである。
【００５４】図４において、比較例２のＣＮＲは、マー
ク長０．３μｍにおいてゼロとなっていることがわか
る。これは、隣接記録磁区が一つの光ビーム内に入り、
一つ一つの記録磁区を分離して再生できなくなったこと
による。これに対して、実施例１の超解像光磁気ディス
クにおいて、比較例１と同程度のＣＮＲが得られている
ことがわかる。これは、実施例１において比較例１と同
様な面内磁化マスクが形成され磁気的超解像再生が実現
していることを意味している。
【００５５】次に、それぞれのディスクにおいて、マー
ク長０．５μｍの時に得られた再生信号波形の様子を図
５に示す。記録磁区の位置に対応して再生信号強度が変
化するが、実施例１の信号強度が従来の光磁気ディスク
である比較例２と同位相で変化しているのに対して、従
来の超解像光磁気記録媒体である比較例１の信号強度は
比較例２と逆位相で変化していることがわかる。このよ
うに、本実施の形態１においては、従来の超解像光磁気
記録媒体である比較例１のように再生信号極性が反転す
ることなく、従来の光磁気ディスクである比較例２と容
易に互換の取れる再生信号を得ることが可能である。
【００５６】次に、表１は、実施例１における再生層１
の膜厚を変えて、マーク長０．４μｍでのＣＮＲを測定
した結果を示すものである。ここで、実施例１における
ＣＮＲ測定において、それぞれの再生層１の膜厚に対し
て、再生パワーを２．５ｍＷに設定したとき、ＣＮＲが
最大となるように、記録条件を変えて記録を行ってい
る。
【００５７】
【表１】
【００５８】マーク長０.４μｍでの比較例２のＣＮＲ
は、２９．５ｄＢであり、表１から、再生層１の膜厚が
１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲において、実施例１の
ＣＮＲが比較例２のＣＮＲより高くなっていることがわ
かる。実施例１の構成において、再生層１の膜厚を薄く
した場合、ほとんどの光が再生層１を透過し、超解像再
生の効果が小さくなり、さらに、再生層１と記録層４と
の間に働く静磁結合力が再生層１の膜厚に比例する力で
あり、再生層１の膜厚を薄くした場合、静磁結合力が極
めて小さくなり、十分な大きさの静磁結合力が得られな
ってしまう。このような理由から、実施例１における再
生層１の膜厚を８ｎｍと薄くした場合、実施例１のＣＮ
Ｒが比較例２のＣＮＲよりも低くなってしまう。また、
実施例１において、再生層１の膜厚を１００ｎｍと厚く
した場合、再生層１が本来もっている垂直磁化状態にな
ろうとする力が大きくなるため、面内磁化膜２との交換
結合により、再生層１が面内磁化状態になるべき部分、
すなわち、温度上昇していない部分において、再生層１
が垂直磁化状態となり良好な超解像再生が実現しなくな
り、実施例１のＣＮＲが比較例２のＣＮＲよりも低くな
ってしまう。以上のような理由から、再生層１の膜厚は
１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である必要がある。
【００５９】次に、表２は、実施例１における面内磁化
膜２の膜厚を変えて、マーク長０．４μｍでのＣＮＲを
測定した結果を示すものである。ここで、実施例１にお
けるＣＮＲ測定において、それぞれの面内磁化膜２の膜
厚に対して、再生パワーを２．５ｍＷに設定したとき、
ＣＮＲが最大となるように、記録条件を変えて記録を行
っている。
【００６０】
【表２】
【００６１】表２からわかるように、面内磁化膜２の膜
厚が１ｎｍの場合、実施例１のＣＮＲが２７．５ｄＢと
なり、実施例２におけるＣＮＲ（２９．５ｄＢ）より低
くなっている。これは、面内磁化膜２の膜厚が薄すぎる
ため、再生層１の磁化方向を面内磁化状態とすることが
できなかったことによる。再生層１の磁化状態は本来垂
直磁化状態であるが、面内磁化膜２と交換結合すること
により面内磁化状態となるため、再生層１の面内磁化状
態を実現し、超解像再生を可能とするためには、面内磁
化膜２の膜厚を２ｎｍ以上とする必要がある。また、面
内磁化膜２の膜厚が１００ｎｍの場合においても、実施
例１のＣＮＲが比較例２のＣＮＲよりも低くなってしま
うことがわかる。再生層１と記録層４との間に働く静磁
結合力は、面内磁化膜２の膜厚が厚くなることにより小
さくなって行く。そのため、面内磁化膜２の膜厚を１０
０ｎｍと厚くした場合、十分な大きさの静磁結合力が得
られなくなり、実施例１のＣＮＲが比較例２のＣＮＲよ
りも低くなってしまう。以上のような理由により、面内
磁化膜２の膜厚は２ｎｍ以上８０ｎｍ以下である必要が
ある。
【００６２】次に、表３は、実施例１における非磁性中
間層３の膜厚を変えて、マーク長０．４μｍでのＣＮＲ
を測定した結果を示すものである。ここで、実施例１に
おけるＣＮＲ測定において、それぞれの非磁性中間層３
の膜厚に対して、再生パワーを２．５ｍＷに設定したと
き、ＣＮＲが最大となるように、記録条件を変えて記録
を行っている。
【００６３】
【表３】
【００６４】表３からわかるように、非磁性中間層３の
膜厚が０．５ｎｍの場合、実施例１のＣＮＲが２５．０
ｄＢとなり、実施例２におけるＣＮＲ（２９．５ｄＢ）
より低くなっている。これは、非磁性中間層３の膜厚が
薄すぎるため、良好な静磁結合状態が得られなかったこ
とによるものと考えられる。良好な静磁結合状態を得る
ためには、非磁性中間層３の膜厚が１ｎｍ以上に設定す
る必要がある。また、非磁性中間層３の膜厚が１００ｎ
ｍの場合においても、実施例１のＣＮＲが比較例２のＣ
ＮＲよりも低くなってしまうことがわかる。再生層１と
記録層４との間に働く静磁結合力は、非磁性中間層３の
膜厚が厚くなることにより小さくなって行く。そのた
め、非磁性中間層３の膜厚を１００ｎｍと厚くした場
合、十分な大きさの静磁結合力が得られなくなり、実施
例１のＣＮＲが比較例２のＣＮＲよりも低くなってしま
う。以上のような理由により、非磁性中間層３の膜厚は
１ｎｍ以上８０ｎｍ以下である必要がある。
【００６５】次に、表４は、実施例１における記録層４
の膜厚を変えて、０．４μｍでのＣＮＲを測定した結果
を示すものである。ここで、実施例１におけるＣＮＲ測
定において、それぞれの記録層４の膜厚に対して、再生
パワーを２．５ｍＷに設定したとき、ＣＮＲが最大とな
るように、記録条件を変えて記録を行っている。
【００６６】
【表４】
【００６７】表４からわかるように、記録層４の膜厚を
１０ｎｍと薄くした場合、実施例１のＣＮＲが比較例２
のＣＮＲよりも低くなってしまう。これは、記録層４の
膜厚が薄くなることにより、記録層４から発生する漏洩
磁界が小さくなり、十分な大きさの静磁結合力が得られ
なったことに起因する。また、記録層４の膜厚を２００
ｎｍと厚くした場合においても、実施例１のＣＮＲが比
較例２のＣＮＲよりも低くなってしまう。この場合、記
録層４からの漏洩磁界が大きくなり過ぎていることにＣ
ＮＲ低下の原因がある。記録層４からの漏洩磁界が大き
くなると、本来、面内磁化状態となるべき温度上昇して
いない部分の再生層１に対しても大きな漏洩磁界が働
き、良好なフロントマスクの形成が困難となり、実施例
１のＣＮＲが比較例２のＣＮＲよりも低くなってしま
う。以上のような理由から、記録層４の膜厚は１５ｎｍ
以上１８０ｎｍ以下である必要がある。
【００６８】実施例２ 実施例１においては、再生層１としてＧｄ0.20（Ｆｅ
0.84Ｃｏ0.16）0.80を用い、面内磁化膜２として（Ｇｄ
0.10Ｆｅ0.90）0.75Ａｌ0.25を用い、記録層４としてＤ
ｙ0.23（Ｆｅ0.72Ｃｏ0.28）0.77を用いた場合の結果に
ついて示しているが、これ以外の組成・材料においても
同様な超解像再生を実現することが可能である。
【００６９】表５は、実施例１の構成において、再生層
１をＧｄX（ＦｅYＣｏ1-Y）1-Xとし、ＸとＹを変えて、
マーク長０．４μｍでのＣＮＲを測定した結果を示すも
のである。ここで、ＣＮＲ測定において、それぞれの再
生層１に対して、再生パワー２．５ｍＷに設定したと
き、ＣＮＲが最大となるように、記録条件を変えて記録
を行っている。
【００７０】
【表５】
【００７１】表５からわかるように、０．１２≦Ｘ≦
０．２６、０．６０≦Ｙ≦１．００の範囲において、比
較例２のＣＮＲ（２９．５ｄＢ）より高いＣＮＲの得ら
れていることがわかる。Ｘ＜０．１２の範囲において
は、Ｇｄ含有率の低下に伴うトータル磁化の増加によ
り、再生層１が再生温度近傍（図１の等温線１０１の内
側）において面内磁化状態となり、再生特性が劣化して
しまう。Ｘ＞０．２６の範囲においては、再生層１の補
償温度が再生温度近傍まで上昇し、再生層１のトータル
の磁化が小さくなることにより、記録層４との静磁結合
が小さくなり、再生特性が劣化してしまう。また、Ｙ＜
０．６の範囲においては、Ｃｏ含有量の増加に伴い、再
生層１が再生温度近傍（図１の等温線１０１の内側）に
おいて面内磁化状態となり、再生特性が劣化してしま
う。
【００７２】すなわち、再生層１をＧｄX（ＦｅYＣｏ
1-Y）1-Xとした場合、０．１２≦Ｘ≦０．２６であり、
０．６０≦Ｙ≦１．００の範囲であることが必要であ
る。
【００７３】次に、表６は、実施例１の構成において、
面内磁化膜２を（ＧｄXＦｅ1-X）YＡｌ1-Yとし、ＸとＹ
を変えて、マーク長０．４μｍでのＣＮＲを測定した結
果を示すものである。ここで、ＣＮＲ測定において、そ
れぞれの面内磁化膜２に対して、再生パワー２．５ｍＷ
に設定したとき、ＣＮＲが最大となるように、記録条件
を変えて記録を行っている。また、表６にそれぞれの面
内磁化膜２のキュリー温度を併せて記載する。
【００７４】
【表６】
【００７５】表６からわかるように、０≦Ｘ≦０．１４
または０．３２≦Ｘ≦１．００、０．３０≦Ｙ≦１．０
０の範囲において、比較例２のＣＮＲ（２９．５ｄＢ）
より高いＣＮＲの得られていることがわかる。０．１４
＜Ｘ＜０．３２の範囲においては、トータル磁化の減少
により、面内磁化膜２が垂直磁化状態となり、再生層１
の磁化方向を膜面にたいして面内方向へ向けるという面
内磁化膜２の働きを実現することができなくなる。ま
た、Ｙ＜０．３０の範囲においては、Ａｌ含有量の増加
に伴い、面内磁化膜２のキュリー温度が低下し、同様に
再生層１の磁化方向を膜面にたいして面内方向へ向ける
という面内磁化膜２の働きを実現することができなくな
る。
【００７６】すなわち、面内磁化膜２を（ＧｄXＦ
ｅ1-X）YＡｌ1-Yとした場合、０≦Ｘ≦０．１４または
０．３２≦Ｘ≦１．００、０．３０≦Ｙ≦１．００の範
囲であることが必要である。また、面内磁化膜２のキュ
リー温度としては、６０℃以上２２０℃以下である必要
のあることがわかる。
【００７７】また、面内磁化膜２としてＧｄＦｅＡｌ以
外の材料を使用することも可能である。表７は、面内磁
化膜２として、膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ0.10Ｆｅ0.90）
0.75Ｚ0.25を用いた時のマーク長０．４μｍでのＣＮＲ
を測定した結果を示すものである。ここで、ＣＮＲ測定
において、それぞれの面内磁化膜２に対して、再生パワ
ー２．５ｍＷに設定したとき、ＣＮＲが最大となるよう
に、記録条件を変えて記録を行っている。また、表７に
それぞれの面内磁化膜２のキュリー温度を併せて記載す
る。ここで、Ｚとしては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ａl0.5Ｔｉ0.5、Ａｌ0.5Ｔａ0.5を用いた。
【００７８】
【表７】
【００７９】表７より、Ｚとして、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、
Ａｕ、Ｃｕ、Ａl0.5Ｔｉ0.5、Ａｌ0.5Ｔａ0.5を用いた
すべての場合において、比較例１よりも高いＣＮＲが得
られていることがわかる。面内磁化膜２のキュリー温度
が６０℃〜２２０℃の範囲にあればよく、他に、ＮｄＦ
ｅＴｉ、ＮｄＦｅＴａ、ＤｙＦｅＴｉ、ＤｙＦｅＴａ、
ＮｄＦｅ、ＮｄＦｅＡｌ、ＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＡｌから
なる面内磁化膜を用いることが可能である。
【００８０】次に、表８は、記録層４をＤｙX（ＦｅYＣ
ｏ1-Y）1-Xとして、ＸとＹを変えて、マーク長０．４μ
ｍでのＣＮＲを測定した結果を示すものである。ここ
で、ＣＮＲ測定において、それぞれの記録層４に対し
て、再生パワー２．５ｍＷに設定したとき、ＣＮＲが最
大となるように、記録条件を変えて記録を行っている。
また、表８にそれぞれの記録層４の補償温度とキュリー
温度を併せて記載する。
【００８１】
【表８】
【００８２】表８からわかるように、０．１８≦Ｘ≦
０．２６、０．６０≦Ｙ≦０．９０の範囲において、比
較例２のＣＮＲ（２９．５ｄＢ）より高いＣＮＲの得ら
れていることがわかる。Ｘ＜０．１８の範囲において
は、Ｄｙ含有率の低下に伴い、室温における記録層４の
磁化が大きくなり、同時に、室温において大きな漏洩磁
界が記録層４から発生することにより、再生層１におい
て、良好な面内磁化マスクが形成されなくなることによ
り、超解像再生が実現しなくなる。Ｘ＞０．２６の範囲
においては、記録層４の補償温度が再生温度近傍まで上
昇し、再生温度近傍において、記録層４の磁化が小さく
なることにより、記録層４から発生する漏洩磁界も小さ
くなり、再生層１への磁化状態の転写が実現しなくな
り、ＣＮＲが劣化してしまう。また、Ｙ＜０．６０の範
囲においては、Ｃｏ含有量の増加に伴い、温度変化にと
もなう記録層４の保磁力変化が急峻となり、再生温度近
傍において、記録層４の保磁力が小さくなり過ぎること
により、記録情報の維持自体が困難となる。Ｙ＞０．９
０の範囲においては、Ｃｏ含有量の減少に伴い、記録層
４のキュリー温度が低下し、記録層４の磁化が小さくな
ることにより、記録層４から発生する漏洩磁界も小さく
なり、再生層１への磁化状態の転写が実現しなくなり、
ＣＮＲが劣化してしまう。
【００８３】すなわち、記録層４をＤｙX（ＦｅYＣｏ
1-Y）1-Xとした場合、０．１８≦Ｘ≦０．２６、０．６
０≦Ｙ≦０．９０の範囲であることが必要である。
【００８４】また、表８に併記した補償温度とキュリー
温度を見ると、記録層４として、補償温度が−１００℃
以上６０℃以下であり、かつ、キュリー温度が１６０℃
以上３２０℃以下であることが必要である。
【００８５】さらに、記録層４として、補償温度が−１
００℃以上６０℃以下であり、キュリー温度が１６０℃
以上３２０℃以下である条件を満足するＴｂＦｅＣｏ、
ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏ等の合金を使用することが可
能である。
【００８６】実施の形態２ 以下、本発明の実施の形態２を図面を用いて詳細に説明
する。
【００８７】図６に本発明の超解像再生動作原理を説明
する光磁気記録媒体の平面図と断面図を示す。本発明の
超解像光磁気記録媒体においては、図６に示すように、
再生層１は単独で存在する場合垂直磁化状態であるが、
面内磁化膜２と再生層１とが交換結合した範囲におい
て、再生層１が垂直磁化状態から面内磁化状態へと変化
するため、再生層１として、補償組成に対して、ＴＭ副
格子モーメントを多く含有している垂直磁化膜を採用す
ることが可能となる。この場合、従来の超解像光磁気記
録媒体と同様に、静磁結合により、磁区１０２が再生さ
れることにより超解像再生が実現する。しかし、再生層
１と記録層４が共に、補償組成に対してＴＭ副格子モー
メントを多く含有する組成であるため、再生層１のＴＭ
副格子モーメントの向きと記録層４のＴＭ副格子モーメ
ントの向きとが平行となり、再生の極性が反転する事な
く、記録層のみ存在する従来の光磁気記録媒体と容易に
互換性を得ることができる。以上は実施の形態１と共通
する構成、効果である。
【００８８】本実施の形態２に係る超解像光磁気記録媒
体においては、さらに、たとえば再生層１のキュリー温
度が１６０℃以上２２０℃以下に設定されており、再生
層１がキュリー温度以上に温度上昇した範囲、すなわ
ち、等温線１０５の内側において、再生層１の磁化が存
在せず、この範囲からの再生信号が存在しないようにし
たものである。上記により、本実施の形態２において
は、再生層１が面内磁化状態である部分（等温線１０１
の外側）においてフロントマスクが形成され、再生層１
がキュリー温度以上に温度上昇した部分（等温線１０５
の内側）においてリアマスクが形成されることにより、
ダブルマスクによる超解像再生が実現し、図６に示すよ
うに図１よりもさらに小さな記録磁区をより小さなピッ
チで記録した場合においても良好な超解像再生を実現す
ることができることとなる。
【００８９】次に、本発明の実施の形態２について図７
に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施の形態
では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した
場合について説明する。
【００９０】本実施の形態に係る光磁気ディスクは、図
７に示すように、基板６、透明誘電体層７、再生層１、
面内磁化膜２、非磁性中間層３、記録層４、保護層８、
オーバーコート層９が、この順にて積層されたディスク
本体を有している。本実施の形態の光磁気ディスクの構
成は、図３に示す光磁気ディスクと同一である。
【００９１】このような光磁気ディスクでは、その記録
方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半
導体レーザから出射される光ビーム５が対物レンズによ
り再生層１に絞り込まれ、極カー効果として知られてい
る光磁気効果によって情報が記録再生されるようになっ
ている。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁化の
向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向にな
る現象である。
【００９２】基板６は、例えばポリカーボネート等の透
明な基材からなり、ディスク状に形成される。
【００９３】透明誘電体層７は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ａｌ
ＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されることが望ま
しく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な
干渉効果が実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定
される必要があり、再生光の波長をλ、透明誘電体層７
の屈折率をｎとした場合、透明誘電体層７の膜厚は（λ
／４ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を
６８０ｎｍとした場合、透明誘電体層７の膜厚を４０ｎ
ｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
【００９４】再生層１は、希土類遷移金属合金からなる
磁性膜であり、再生極性の反転が起こらないように、室
温からそのキュリー温度まで、補償組成に対してＴＭ副
格子モーメントを多く含有する組成に設定され、再生層
１が単独で存在する場合、膜面に対して垂直方向に磁化
を有する垂直磁化膜である。また、再生層１の膜厚は、
良好な再生信号を得るため１２ｎｍ以上８０ｎｍ以下と
することが望ましい。さらに、本実施の形態において
は、再生層１において、ダブルマスクを実現するため、
再生層１のキュリー温度が１６０℃以上２２０℃以下に
設定されている。
【００９５】面内磁化膜２は、そのキュリー温度まで膜
面に対して面内方向に磁化を有する面内磁化膜であり、
再生層１と交換結合することにより、再生層１の磁化方
向を垂直方向から面内方向へと変える特性を有してい
る。再生層１において、良好な面内磁化マスクを形成す
るため、面内磁化膜２のキュリー温度は、６０℃以上１
４０℃以下に設定されることが望ましい。また、面内磁
化膜２の膜厚は、良好な再生信号を得るため２ｎｍ以上
６０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００９６】非磁性中間層３は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ａｌ
ＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁
性金属合金からなり、再生層１と記録層４とが良好に静
磁結合すべく、その膜厚が１〜６０ｎｍに設定されてい
る。
【００９７】記録層４は、希土類遷移金属合金からなる
垂直磁化膜からなり、再生層１に十分な大きさの漏洩磁
界を及ぼすべく、その膜厚が、１５〜２００ｎｍの範囲
に設定されている。
【００９８】保護層８は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ
等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属
合金からなり、再生層１や面内磁化膜２や記録層４に用
いる希土類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成さ
れるものであり、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に
設定されている。
【００９９】オーバーコート層９は、紫外線硬化樹脂ま
たは熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線
を照射するか、または、加熱するかによって形成され
る。
【０１００】実施例３ （１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。
【０１０１】まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＦｅＣｏ合
金ターゲットと、ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲットと、Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッ
タ装置内に、プリグルーブ及びプリピットを有しディス
ク状に形成されたポリカーボネート製の基板６を基板ホ
ルダーに配置する。スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒ
ｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導
入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１
０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板６にＡｌＮからなる透明誘
電体層７を膜厚８０ｎｍで形成した。
【０１０２】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層７上に、Ｇ
ｄ0.16（Ｆｅ0.95Ｃｏ0.05）0.84からなる再生層１を膜
厚４０ｎｍで形成した。その再生層１は、室温において
補償組成に対してＴＭ副格子モーメントをより多く含有
する組成であり、単独で存在する場合、室温からそのキ
ュリー温度（２００℃）まで常に、膜面に対して垂直方
向に磁化を有する垂直磁化膜であった。
【０１０３】次に、ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲットに電力
を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記再生
層１上に、（Ｇｄ0.39Ｆｅ0.61）0.73Ａｌ0.27からなる
面内磁化膜２を膜厚２０ｎｍで形成した。その面内磁化
膜２は、室温からそのキュリー温度（１１０℃）まで、
膜面に対して面内方向に磁化を有する面内磁化膜であっ
た。
【０１０４】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、面内磁化膜２上にＡｌＮからなる
非磁性中間層３を膜厚５ｎｍで形成した。
【０１０５】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層３上
に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）
0.77からなる記録層４を膜厚４０ｎｍで形成した。その
記録層４は、２５℃に補償温度を有し、キュリー温度が
２７５℃であった。
【０１０６】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護
層８を膜厚２０ｎｍとして形成した。
【０１０７】次に、上記保護層８上に、紫外線硬化樹脂
をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射すること
によりオーバーコート層９を形成した。
【０１０８】（２）記録再生特性 上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光ピックアップでレーザパワーを２．８ｍＷとして測
定したＣＮＲ（信号対雑音比）のマーク長（Ｍａｒｋ
ｌｅｎｇｔｈ）依存性を実施例３として図８に示す。比
較のため、本発明の実施の形態１に記載の実施例１のＣ
ＮＲのマーク長依存性と、現在市販されている記録層の
み有する光磁気ディスクにおけるＣＮＲのマーク長依存
性を比較例２として同図に示す。また、ここで示すＣＮ
Ｒのマーク長依存性は、マーク長に対応する長さの記録
磁区をマーク長の２倍の長さの記録磁区ピッチで連続形
成した時の信号対雑音比を表すものである。
【０１０９】図８において、短いマーク長において、実
施例３のＣＮＲが比較例２のＣＮＲより高くなっている
のは、実施例１同様に超解像再生が実施例３において実
現していることを意味している。また、マーク長０．４
μｍ以上において、実施例１のＣＮＲが実施例３のＣＮ
Ｒより高くなっているが、これは、実施例３の再生層１
のキュリー温度が実施例１の再生層１のキュリー温度よ
り低くなっているため、再生信号が小さくなってしまっ
たことによる。一方、マーク長０．４μｍ以下において
は、実施例３のＣＮＲが実施例１のＣＮＲより高くなっ
ている。これは、本実施の形態２に係る実施例３におい
て、ダブルマスクが実現し、より高い分解能での超解像
再生が実現していることを意味している。より短いマー
ク長、すなわち、より大きな記録密度を実現するために
は、実施の形態１よりも実施の形態２が有利となること
がわかる。
【０１１０】また、図９は、実施例１と実施例３につい
て、マーク長０．３μｍにおけるＣＮＲの再生パワー依
存性を示すものである。実施例１においては、再生パワ
ーの上昇とともにＣＮＲが徐々に増加し、再生パワー
２．０ｍＷ以上においてＣＮＲが飽和している。これに
対して、実施例３においては、再生パワー２．４ｍＷま
では実施例１と同様な変化を示すが、再生パワー２．４
ｍＷ以上において、さらにＣＮＲの上昇が観測される。
これは、実施例３において、再生パワー２．４ｍＷ以上
でリアマスクが形成され、ダブルマスクによる超解像再
生が実現していることを意味している。
【０１１１】また、本実施の形態２において得られる再
生信号波形は、実施の形態１と同様であり、本発明の形
態２においても従来の超解像光磁気記録媒体である比較
例１のように再生信号極性が反転することなく、従来の
光磁気ディスクである比較例２と容易に互換の取れる再
生信号を得ることが可能である。
【０１１２】次に、表９は、実施例３における再生層１
の膜厚を変えて、マーク長０．３μｍでのＣＮＲを測定
した結果を示すものである。ここで、実施例３における
ＣＮＲ測定において、それぞれの再生層１の膜厚に対し
て、再生パワーを２．８ｍＷに設定したとき、ＣＮＲが
最大となるように、記録条件を変えて記録を行ってい
る。また、本実施の形態２においては、図９に示すよう
にＣＮＲの再生パワー依存性と同様な再生特性、すなわ
ち、リアマスク形成に伴い２ｍＷ以上の再生パワーでＣ
ＮＲの上昇が観測される。表９に、再生パワーを２．８
ｍＷとした場合のＣＮＲと再生パワーを２ｍＷとした場
合のＣＮＲとの差を△ＣＮＲとして記載する。△ＣＮＲ
＞０の場合、本実施の形態２記載のダブルマスクによる
超解像再生が実現していることを意味する。
【０１１３】
【表９】
【０１１４】マーク長０．３μｍにおいて、比較例１で
はＣＮＲが０ｄＢとなり全く再生信号が得られていない
のに対して、表９から、再生層１の膜厚が１２ｎｍ以上
８０ｎｍ以下の範囲において、再生信号が検出され０よ
り大きいＣＮＲが存在し、超解像再生が実現しているこ
とがわかる。また、マーク長０．３μｍにおいてＣＮＲ
が得られるすべての範囲において、△ＣＮＲ＞０とな
り、本実施の形態２記載のダブルマスクによる超解像再
生が実現していることが確認された。実施例３の構成に
おいて、再生層１の膜厚を薄くした場合、ほとんどの光
が再生層１を透過し、超解像再生の効果が小さくなり、
さらに、再生層１と記録層４との間に働く静磁結合力が
再生層１の膜厚に比例する力であり、再生層１の膜厚を
薄くした場合、静磁結合力が極めて小さくなり、十分な
大きさの静磁結合力が得られなってしまう。このような
理由から、実施例３における再生層１の膜厚を１０ｎｍ
と薄くした場合、比較例２同様、ＣＮＲが０ｄＢとな
り、再生信号が得られなくなる。また、実施例３におい
て、再生層１の膜厚を１００ｎｍと厚くした場合、再生
層１が本来もっている垂直磁化状態になろうとする力が
大きくなるため、面内磁化膜２との交換結合により、再
生層１が面内磁化状態になるべき部分、すなわち、温度
上昇していない部分において、再生層１が垂直磁化状態
となり超解像再生が実現しなくなり、比較例２同様、Ｃ
ＮＲが０ｄＢとなり、再生信号が得られなくなる。以上
のような理由から、再生層１の膜厚は１２ｎｍ以上８０
ｎｍ以下である必要がある。
【０１１５】次に、表１０は、実施例３における面内磁
化膜２の膜厚を変えて、マーク長０．３μｍでのＣＮＲ
を測定した結果を示すものである。ここで、実施例３に
おけるＣＮＲ測定において、それぞれの面内磁化膜２の
膜厚に対して、再生パワーを２．８ｍＷに設定したと
き、ＣＮＲが最大となるように、記録条件を変えて記録
を行っている。また、本実施の形態２においては、図９
に示すようにＣＮＲの再生パワー依存性と同様な再生特
性、すなわち、リアマスク形成に伴い２ｍＷ以上の再生
パワーでＣＮＲの上昇が観測される。表１０に、再生パ
ワーを２．８ｍＷとした場合のＣＮＲと再生パワーを２
ｍＷとした場合のＣＮＲとの差を△ＣＮＲとして記載す
る。△ＣＮＲ＞０の場合、本実施の形態２記載のダブル
マスクによる超解像再生が実現していることを意味す
る。
【０１１６】
【表１０】
【０１１７】マーク長０．３μｍにおいて、比較例１で
はＣＮＲが０ｄＢとなり全く再生信号が得られていない
のに対して、表１０から、面内磁化膜２の膜厚が２ｎｍ
以上６０ｎｍ以下の範囲において、再生信号が検出され
０より大きいＣＮＲが存在し、超解像再生が実現してい
ることがわかる。また、マーク長０．３μｍにおいてＣ
ＮＲが得られるすべての範囲において、△ＣＮＲ＞０と
なり、本実施の形態２記載のダブルマスクによる超解像
再生が実現していることが確認された。面内磁化膜２の
膜厚が１ｎｍの場合、ＣＮＲが０ｄＢとなり、再生信号
が得られなくなる。これは、面内磁化膜２の膜厚が薄す
ぎるため、再生層１の磁化方向を面内磁化状態とするこ
とができなかったことによる。再生層１の磁化状態は本
来垂直磁化状態であるが、面内磁化膜２と交換結合する
ことにより面内磁化状態となるため、再生層１の面内磁
化状態を実現し、超解像再生を可能とするためには、面
内磁化膜２の膜厚を２ｎｍ以上とする必要がある。ま
た、面内磁化膜２の膜厚が８０ｎｍの場合においても、
ＣＮＲが０ｄＢとなり、再生信号が得られなくなる。再
生層１と記録層４との間に働く静磁結合力は、面内磁化
膜２の膜厚が厚くなることにより小さくなって行く。そ
のため、面内磁化膜２の膜厚を８０ｎｍと厚くした場
合、十分な大きさの静磁結合力が得られなくなるため、
再生信号が得られなくなるものと考えられる。実施例３
の場合、実施例１に比べて、再生層１のキュリー温度が
低く設定されており、そのため、再生層１の磁化が小さ
くなることにより、記録層４との静磁結合が弱くなるた
め、面内磁化膜２の膜厚の上限は実施例１に比べて薄く
なる。以上のような理由により、面内磁化膜２の膜厚は
２ｎｍ以上６０ｎｍ以下である必要がある。
【０１１８】次に、表１１は、実施例３における非磁性
中間層３の膜厚を変えて、マーク長０．３μｍでのＣＮ
Ｒを測定した結果を示すものである。ここで、実施例３
におけるＣＮＲ測定において、それぞれの非磁性中間層
３の膜厚に対して、再生パワーを２．８ｍＷに設定した
とき、ＣＮＲが最大となるように、記録条件を変えて記
録を行っている。また、本実施の形態２においては、図
９に示すようにＣＮＲの再生パワー依存性と同様な再生
特性、すなわち、リアマスク形成に伴い２ｍＷ以上の再
生パワーでＣＮＲの上昇が観測される。表１１に、再生
パワーを２．８ｍＷとした場合のＣＮＲと再生パワーを
２ｍＷとした場合のＣＮＲとの差を△ＣＮＲとして記載
する。△ＣＮＲ＞０の場合、本実施の形態２記載のダブ
ルマスクによる超解像再生が実現していることを意味す
る。
【０１１９】
【表１１】
【０１２０】マーク長０．３μｍにおいて、比較例１で
はＣＮＲが０ｄＢとなり全く再生信号が得られていない
のに対して、表１１から、非磁性中間層３の膜厚が１ｎ
ｍ以上６０ｎｍ以下の範囲において、再生信号が検出さ
れ０より大きいＣＮＲが存在し、超解像再生が実現して
いることがわかる。また、マーク長０．３μｍにおいて
ＣＮＲが得られるすべての範囲において、△ＣＮＲ＞０
となり、本実施の形態２記載のダブルマスクによる超解
像再生が実現していることが確認された。非磁性中間層
３の膜厚が０．５ｎｍの場合、ＣＮＲが０ｄＢとなり、
再生信号が得られなくなる。これは、非磁性中間層３の
膜厚が薄すぎるため、良好な静磁結合状態が得られなか
ったことによるものと考えられる。良好な静磁結合状態
を得るためには、非磁性中間層３の膜厚が１ｎｍ以上に
設定する必要がある。また、非磁性中間層３の膜厚が８
０ｎｍの場合においても、ＣＮＲが０ｄＢとなり、再生
信号が得られなくなる。再生層１と記録層４との間に働
く静磁結合力は、非磁性中間層３の膜厚が厚くなること
により小さくなって行く。そのため、非磁性中間層３の
膜厚を８０ｎｍと厚くした場合、十分な大きさの静磁結
合力が得られなくなり、再生信号が得られなくなるもの
と考えられる。実施例３の場合、実施例１に比べて、再
生層１のキュリー温度が低く設定されており、そのた
め、再生層１の磁化が小さくなることにより、記録層４
との静磁結合が弱くなるため、非磁性中間層３の膜厚の
上限は実施例１に比べて薄くなる。以上のような理由に
より、非磁性中間層３の膜厚は１ｎｍ以上６０ｎｍ以下
である必要がある。
【０１２１】次に、表１２は、実施例３における記録層
４の膜厚を変えて、０．３μｍでのＣＮＲを測定した結
果を示すものである。ここで、実施例３におけるＣＮＲ
測定において、それぞれの記録層４の膜厚に対して、再
生パワーを２．８ｍＷに設定したとき、ＣＮＲが最大と
なるように、記録条件を変えて記録を行っている。ま
た、本実施の形態２においては、図９に示すようにＣＮ
Ｒの再生パワー依存性と同様な再生特性、すなわち、リ
アマスク形成に伴い２ｍＷ以上の再生パワーでＣＮＲの
上昇が観測される。表１２に、再生パワーを２．８ｍＷ
とした場合のＣＮＲと再生パワーを２ｍＷとした場合の
ＣＮＲとの差を△ＣＮＲとして記載する。△ＣＮＲ＞０
の場合、本実施の形態２記載のダブルマスクによる超解
像再生が実現していることを意味する。
【０１２２】
【表１２】
【０１２３】マーク長０．３μｍにおいて、比較例１で
はＣＮＲが０ｄＢとなり全く再生信号が得られていない
のに対して、表１２から、記録層４の膜厚が１５ｎｍ以
上２００ｎｍ以下の範囲において、再生信号が検出され
０より大きいＣＮＲが存在し、超解像再生が実現してい
ることがわかる。また、マーク長０．３μｍにおいてＣ
ＮＲが得られるすべての範囲において、△ＣＮＲ＞０と
なり、本実施の形態２記載のダブルマスクによる超解像
再生が実現していることが確認された。記録層４の膜厚
を１５ｎｍと薄くした場合、ＣＮＲが０ｄＢとなり、再
生信号が得られなくなる。これは、記録層４の膜厚が薄
くなることにより、記録層４から発生する漏洩磁界が小
さくなり、十分な大きさの静磁結合力が得られなったこ
とに起因する。また、記録層４の膜厚を２５０ｎｍと厚
くした場合においてもＣＮＲが０ｄＢとなり、再生信号
が得られなくなる。この場合、記録層４からの漏洩磁界
が大きくなり過ぎていることにＣＮＲ低下の原因があ
る。記録層４からの漏洩磁界が大きくなると、本来、面
内磁化状態となるべき温度上昇していない部分の再生層
１に対しても大きな漏洩磁界が働き、良好なフロントマ
スクの形成が困難となり、再生信号が得られなくなる。
実施例３の場合、実施例１に比べて、再生層１のキュリ
ー温度が低く設定する必要があり、そのため、再生層１
の磁化が小さくなることにより、記録層４との静磁結合
が弱くなるため、記録層４の適性範囲は実施例１に比べ
て異なるものとなる。以上のような理由から、記録層４
の膜厚は１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である必要があ
る。
【０１２４】実施例４ 実施例３においては、再生層１としてＧｄ0.16（Ｆｅ
0.95Ｃｏ0.05）0.84を用い、面内磁化膜２として（Ｇｄ
0.39Ｆｅ0.61）0.73Ａｌ0.27を用い、記録層４として
（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77を
用いた場合の結果について示しているが、これ以外の組
成・材料においても同様な超解像再生を実現することが
可能である。
【０１２５】表１３は、実施例３の構成において、再生
層１をＧｄX（ＦｅYＣｏ1-Y）1-Xとし、ＸとＹを変え
て、マーク長０．３μｍでのＣＮＲを測定した結果を示
すものである。ここで、ＣＮＲ測定において、それぞれ
の再生層１に対して、再生パワー２．８ｍＷに設定した
とき、ＣＮＲが最大となるように、記録条件を変えて記
録を行っている。また、本実施の形態２においては、図
９に示すようなＣＮＲの再生パワー依存性と同様な再生
特性、すなわち、リアマスク形成に伴い２ｍＷ以上の再
生パワーでＣＮＲの上昇が観測される。表１３に、再生
パワーを２．８ｍＷとした場合のＣＮＲと再生パワーを
２．０ｍＷとした場合のＣＮＲとの差を△ＣＮＲとして
記載する。△ＣＮＲ＞０の場合、本実施の形態２のダブ
ルマスクによる超解像再生が実現していることを意味す
る。さらに表１３に、再生層１のキュリー温度を併せて
記載する。
【０１２６】
【表１３】
【０１２７】比較例１においては、マーク長０．３μｍ
においてＣＮＲが０となり全く再生信号が得られないの
に対して、本実施の形態２においては、表１３からわか
るように、０．１２≦Ｘ≦０．１８、０．８５≦Ｙ≦
１．００の範囲において、０以上のＣＮＲが得られてお
り、比較例１より大きなＣＮＲが得られていることがわ
かる。Ｘ＜０．１２の範囲において、本実施の形態２の
ＣＮＲが比較例１と同様０となるが、これは、Ｇｄ含有
率の低下に伴うトータル磁化の増加により、再生層１が
再生温度近傍（図１の等温線１０１の内側）において面
内磁化状態となり、再生信号が得られなくなるものであ
る。また、Ｘ＞０．１８の範囲において、比較例１のＣ
ＮＲ（０ｄＢ）より大きなＣＮＲが得られているが、△
ＣＮＲ＝０となり、本実施の形態２に係る超解像再生が
実現しなくなる。これは、Ｘの増加、すなわち、Ｇｄ含
有率の増加に伴いキュリー温度が上昇し、リアマスク
（図６の等温線１０５の内側）が形成されなかったこと
によるものである。また、Ｙ＜０．８５範囲においも、
比較例１のＣＮＲ（０ｄＢ）より大きなＣＮＲが得られ
ているが、△ＣＮＲ＝０となる。これは、Ｃｏ含有量の
増加に伴いキュリー温度が上昇し、リアマスク（図６の
等温線１０５の内側）が形成されなかったことによるも
のである。すなわち、本実施の形態２に係る超解像再生
を実現するためには、再生層１をＧｄX（ＦｅYＣ
ｏ1-Y）1-Xとした場合、０．１２≦Ｘ≦０．１８、０．
８５≦Ｙ≦１．００の範囲であることが必要である。ま
た、再生層１のキュリー温度が、少なくとも２２０℃以
下である必要のあることがわかる。
【０１２８】次に、再生層として、ＧｄＦｅＣｏ以外の
材料を用いた場合の実施例について記述する。表１４
に、各ディスクにおいて使用した再生層１（ＧｄＦｅＡ
ｌ、ＧｄＦｅＴｉ、ＧｄＦｅＴａ、ＧｄＦｅＰｔ、Ｇｄ
ＦｅＡｕ、ＧｄＦｅＣｕ）の組成を示し、表１５に、表
１３同様、マーク長０．３μｍにおけるＣＮＲ、△ＣＮ
Ｒと再生層１のキュリー温度を記載する。
【０１２９】
【表１４】
【０１３０】
【表１５】
【０１３１】表１５から、（Ｇｄ0.16Ｆｅ0.84）YＡｌ
1-Yを再生層１として用いた場合、Ｙ＝０．７５におい
てＣＮＲが０となり超解像再生が実現しなかった。これ
は、再生層１のキュリー温度が１４０℃と低くなり過ぎ
たため、再生層１において良好な垂直磁化状態が実現し
なかったことによる。再生層１を（Ｇｄ0.16Ｆｅ0.84）
YＡｌ1-Yとした場合、０．８０≦Ｙ≦１．００の範囲に
おいて、ＣＮＲ＞０かつ△ＣＮＲ＞０となり、本実施の
形態２に記載の超解像再生が実現していることがわか
る。また、表１５のキュリー温度を見ると、再生層１の
キュリー温度が少なくとも１６０℃以上であることが必
要である。
【０１３２】したがって、本実施の形態２に係る超解像
再生を実現するためには、再生層１のキュリー温度が１
６０℃以上２２０℃以下である必要のあることがわか
る。
【０１３３】また、表１５に示すように、このキュリー
温度範囲にキュリー温度を有するＧｄＦｅＴｉ、ＧｄＦ
ｅＴａ、ＧｄＦｅＰｔ、ＧｄＦｅＡｕ、ＧｄＦｅＣｕ等
の磁性材料を再生層１として使用することが可能であ
る。
【０１３４】再生層１としては、これら以外に、キュリ
ー温度が１６０℃以上２２０℃以下であるＮｄＧｄＦ
ｅ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＧｄＦｅ、ＤｙＧｄＦｅＣ
ｏ等の磁性材料を用いることも可能である。
【０１３５】次に、表１６は、実施例３の構成におい
て、面内磁化膜２を（ＧｄXＦｅ1-X）YＡｌ1-Yとし、Ｘ
とＹを変えて、表１３同様、マーク長０．３μｍにおけ
るＣＮＲ、△ＣＮＲと面内磁化膜２のキュリー温度を記
載する。
【０１３６】
【表１６】
【０１３７】表１６からわかるように、０．１０≦Ｘ≦
０．１４または０．３３≦Ｘ≦１．００、０．３５≦Ｙ
≦０．９５の範囲において、ＣＮＲ＞０かつ△ＣＮＲ＞
０となり、本実施の形態２に記載の超解像再生が実現し
ていることがわかる。これらの組成範囲は、実施の形態
１の面内磁化膜２と同様な理由により決定されるが、実
施の形態２においては、ダブルマスクによる超解像再生
を実現するため、再生層１のキュリー温度が実施の形態
１より低く設定されており、実施の形態１より狭い組成
範囲で実施の形態２に係る超解像再生が実現することに
なる。表１６に併せて記載しているキュリー温度を見る
と、面内磁化膜２が６０℃以上１４０℃以下のキュリー
温度である場合において、実施の形態２に係る超解像再
生が実現していることがわかる。
【０１３８】また、実施の形態１と同様に、面内磁化膜
２としてキュリー温度が６０℃以上１４０℃以下のＧｄ
ＦｅＴｉ、ＧｄＦｅＴａ、ＧｄＦｅＰｔ、ＧｄＦｅＡ
ｕ、ＧｄＦｅＡｌＴｉ、ＧｄＦｅＡｌＴａ等の材料を使
用することも可能である。
【０１３９】次に、実施の形態２に係る記録層４として
は、実施の形態１同様に、補償温度が−１００℃以上６
０℃以下であり、キュリー温度が１６０℃以上３２０℃
以下であるＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
ＤｙＦｅＣｏ等の合金を使用することが可能である。
【０１４０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、垂直磁
化膜からなる再生層と垂直磁化膜からなる記録層とが静
磁結合した光磁気記録媒体において、再生層に隣接して
形成した面内磁化膜により、再生時に再生極性が反転す
ることのない磁気的超解像再生が可能となる再生方法及
び記録媒体が提供できる。
【０１４１】また、本発明は垂直磁化膜からなる再生層
と垂直磁化膜からなる記録層とが静磁結合した光磁気記
録媒体において、再生層に隣接して面内磁化膜を形成し
て、前記再生層の磁化方向を膜面に対して垂直方向から
面内方向に変え、前記再生層の面内磁化を用いた情報の
マスキングを行うとともに、前記再生層のキュリー温度
以上の温度においても情報をマスキングする再生方法及
び記録媒体を提供する。これにより、再生時に再生極性
が反転することのないダブルマスクを用いた磁気的超解
像再生を実現し、さらに分解能の高い再生を行うことで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光磁気ディスクの
再生原理の説明図である。
【図２】従来の光磁気ディスクの再生原理の説明図であ
る。
【図３】本発明の実施の形態１に係る光磁気ディスクの
記録媒体の膜構成図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る光磁気ディスクの
記録再生の特性図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る光磁気ディスクの
再生信号の波形図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る光磁気ディスクの
再生原理の説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る光磁気ディスクの
記録媒体の膜構成図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る光磁気ディスクの
記録再生の特性図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る光磁気ディスクの
記録再生の特性図である。
【符号の説明】
１ 再生層 ２ 面内磁化膜 ３ 非磁性中間層 ４ 記録層 ５ 光ビーム

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 垂直磁化膜からなる再生層と垂直磁化膜
    からなる記録層とが静磁結合した光磁気記録媒体におい
    て、再生層に隣接して面内磁化膜が形成され、前記面内
    磁化膜のキュリー温度以下の温度において、前記再生層
    の磁化方向を膜面に対して垂直方向から面内方向に変え
    て情報再生時のマスキングとしてなることを特徴とする
    光磁気記録媒体の再生方法。
  2. 【請求項２】 垂直磁化膜からなる再生層と垂直磁化膜
    からなる記録層とが静磁結合した光磁気記録媒体におい
    て、再生層に隣接して面内磁化膜が形成されるととも
    に、前記再生層が、希土類金属と遷移金属との合金から
    なり、室温以上の温度において希土類副格子モーメント
    と遷移金属副格子モーメントとがつりあう補償組成に対
    して、遷移金属副格子モーメントをより多く含有する組
    成であり、前記面内磁化膜のキュリー温度以下の温度に
    おいて、前記再生層の磁化方向を膜面に対して垂直方向
    から面内方向に変え、前記再生層の面内磁化を情報再生
    のマスキングとすることを特徴とする光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の光磁気記録媒体におい
    て、前記面内磁化膜のキュリー温度が、６０℃以上２０
    ０℃以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 請求項２または３に記載の光磁気記録媒
    体において、前記面内磁化膜が、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＡ
    ｌ、ＧｄＦｅＴｉ、ＧｄＦｅＴａ、ＧｄＦｅＰｔ、Ｇｄ
    ＦｅＡｕ、ＧｄＦｅＣｕ、ＧｄＦｅＡｌＴｉ、ＧｄＦｅ
    ＡｌＴａ合金のいずれかの合金からなることを特徴とす
    る光磁気記録媒体。
  5. 【請求項５】 請求項２または３に記載の光磁気記録媒
    体において、前記再生層は、一般式（１）、及び、条件
    （２）を満足する組成であることを特徴とする光磁気記
    録媒体。 ＧｄX1（ＦｅY1Ｃｏ1-Y1）1-X1 ・・・（１） ０．１２≦Ｘ１≦０．２６ ０．６０≦Ｙ１≦１．００ ・・・（２）
  6. 【請求項６】 請求項２または３に記載の光磁気記録媒
    体において、前記面内磁化膜は、一般式（３）、及び、
    条件（４）を満足する組成であることを特徴とする光磁
    気記録媒体。 （ＧｄX2Ｆｅ1-X2）Y2Ａｌ1-Y2 ・・・（３） ０≦Ｘ２≦０．１４、又は、０．３２≦Ｘ２≦１．００ ０．３０≦Ｙ２≦１．００ ・・・（４）
  7. 【請求項７】 垂直磁化膜からなる再生層と垂直磁化膜
    からなる記録層とが静磁結合した光磁気記録媒体におい
    て、再生層に隣接して面内磁化膜が形成され、前記面内
    磁化膜のキュリー温度以下の温度において、前記再生層
    の磁化方向を膜面に対して垂直方向から面内方向に変
    え、前記再生層の面内磁化により情報再生時の第１マス
    キングを行うとともに、前記再生層のキュリー温度以上
    の温度における領域部分を第２マスキングとしたことを
    特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
  8. 【請求項８】 垂直磁化膜からなる再生層と垂直磁化膜
    からなる記録層とが静磁結合した光磁気記録媒体におい
    て、再生層に隣接して面内磁化膜が形成されるととも
    に、前記再生層が、希土類金属と遷移金属との合金から
    なり、室温以上の温度において希土類副格子モーメント
    と遷移金属副格子モーメントとがつりあう補償組成に対
    して、遷移金属副格子モーメントをより多く含有する組
    成であり、前記面内磁化膜のキュリー温度以下の温度に
    おいて、前記再生層の磁化方向を膜面に対して垂直方向
    から面内方向に変え、前記再生層の面内磁化により情報
    再生時の第１マスキングを行うとともに、前記再生層の
    キュリー温度以上の温度における領域部分を第２マスキ
    ングとしたことを特徴とする光磁気記録媒体。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載の光記録媒体において、
    前記再生層のキュリー温度が、１６０℃以上２２０℃以
    下であり、かつ、前記面内磁化膜のキュリー温度が、６
    ０℃以上１４０℃以下であることを特徴とする光磁気記
    録媒体。
  10. 【請求項１０】 請求項８または９に記載の光磁気記録
    媒体において、 前記再生層は、一般式（５）、及び、条件（６）を満足
    する組成であることを特徴とする光磁気記録媒体。 ＧｄX4（ＦｅY4Ｃｏ1-Y4）1-X4 ・・・（５） ０．１２≦Ｘ４≦０．１８ ０．８５≦Ｙ４≦１．００ ・・・（６）
  11. 【請求項１１】 請求項８または９に記載の光磁気記録
    媒体において、前記面内磁化膜は、一般式（７）、及
    び、条件（８）を満足する組成であることを特徴とする
    光磁気記録媒体。 （ＧｄX5Ｆｅ1-X5）Y5Ａｌ1-Y5 ・・・（７） ０．１０≦Ｘ５≦０．１４、又は、０．３３≦Ｘ５≦１．００ ０．３５≦Ｙ５≦０．９５ ・・・（８）
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