JPH104636A - リチウムセルの充電方法 - Google Patents

リチウムセルの充電方法

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JPH104636A
JPH104636A JP9052817A JP5281797A JPH104636A JP H104636 A JPH104636 A JP H104636A JP 9052817 A JP9052817 A JP 9052817A JP 5281797 A JP5281797 A JP 5281797A JP H104636 A JPH104636 A JP H104636A
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JP9052817A
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Andrew David Hamilton Stephenson
ディヴィッド ハミルトン ステファンソン アンドリュー
Sean Francis Palmore
フランシス パルモア シーン
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/0013Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries acting upon several batteries simultaneously or sequentially
    • H02J7/0014Circuits for equalisation of charge between batteries
    • H02J7/0016Circuits for equalisation of charge between batteries using shunting, discharge or bypass circuits

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Abstract

(57)【要約】 【課題】リチウムセルのバッテリーにおける弱いセルの
過剰充電が、充電中に、MOSFET(T)を含むバイパス回
路を各セル(S)に与えることによって、抑制されるこ
と。 【解決手段】集積回路(Y)が、セルの電圧を監視し、
もし、セル(S)の設計電圧を越える場合、回路(Y)
は、充電電流の大部分がセル(S)を通して流れている
間、充電電流(I)の一部がセル(S)をバイパスよう
に、信号をMOSFET(T)のゲートに与える。バッテリー
の他のセルの各々が設計電圧まで上昇する間だけ、バイ
パス電流は流れ、電力がバイパス回路(12)において
消費されることは殆どない。もし、電池がバランスさ
れ、それらが充電を等しく受けると、バイパス回路は電
流を流さない。もし、セルがバランスされない場合は、
それらは数回の充電/放電サイクルにわたってバランス
に近づく。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バッテリーの再充
電可能なリチウムセルを充電するための回路および方法
に関する。
【0002】
【発明の背景】この回路は、特に排他的ではないけれど
も、リチウムイオンの再充電可能なセルと共に使用する
のに適している。このセルは、活性カソード材料として
LiCoO2及び活性アノード材料としてグラファイトのよう
な挿入材料を、それらの間の有機電解液と共に使用す
る。このようなセルの設計電圧はセルの材料に依存し、
もし、それがその設計電圧以上に充電されるならば、こ
れは過充電と呼ばれる。過充電の結果としていろいろな
有害な現象、例えば、アノード上へのリチウム金属の堆
積、カソード材料の分解及び有機的な電解液の分解等が
発生するかもしれない。これは、特に直列の複数のセル
を有するバッテリーが充電される場合である。何故な
ら、(低容量の)最も弱いセルが最初に充電され、従っ
て、過充電される傾向にあり、そのためより一層弱くな
るからである。各セルの電圧が監視されて、過充電を防
ぐための回路は、EP 0 525 744 A (ソニー) に記載され
ている。もし、一つのセルの電圧が過充電のスレショル
ドを越えると、バッテリーへの充電電流がスイッチオフ
され、一方そのセルは抵抗を介して放電される。バッテ
リーの再充電は、そのセルの電圧が低いスレッショルド
に下がった時に、再開する。
【0003】本発明によると、直列のリチウムセルのバ
ッテリーにおいて、再充電可能なリチウムセルを再充電
する方法が提供され、該方法は、電流制限を伴う、一定
電圧にバッテリーを再充電するステップ、再充電電流が
流れている間、各セルの両端の電圧を検出するステッ
プ、及びもし、検出された電圧がスレッショルド値を越
えた場合、再充電電流の大部分がセルを流れている間
に、再充電電流の一部がセルをバイパスするようにする
ステップを含む。電流制限を伴う一定電圧に再充電する
ことは、印加電圧が直列のセルの数だけ乗算された各セ
ルの設計電圧にセットされることを意味する。しかし、
再充電プロセスが開始したとき、セルのemfs(起電
力)は非常に低いので、充電電圧はこの名目の印加電圧
より低い。何故なら、充電電流は標準値、代表的にはセ
ルのためのCレート(即ち、アンペア時におけるセルの
容量と数字的に等しい電流(アンペア))を越えること
が許されていないからである。
【0004】好適なバイパス回路は、抵抗と共に直列の
MOSFETを含み、このMOSFETのゲートが電圧検出手段から
の信号によって制御される。好ましくは、制御信号は、
それがゲートに与えられる前に、平滑される。代表的に
は、バイパス電流は、およそ10mAと200mAの間であ
り、充電電流の10%より大きくない。
【0005】
【実施の形態】本発明は、添付図面を参照して、特に、
例によって詳細に記載される。図1を参照すると、活性
アノード材料としてLiCoC2、また活性カソード材料とし
てグラファイトを有する単一のリチウムイオンセルのた
めの、充電中のセルの電圧(実線)と電流(一点鎖線)
の変化が図示されている。このセルの設計電圧は4.2
Vであり、(5時間の放電を伴って測定された)容量は
2.7Ahであり、Cレートは2.7Aである。充電器は
4.2Vを与えるようにセットされ、電流は2.7Aを
越えてはならない。充電の初期の段階では、充電電流は
(時間tまで)制約ファクターであり、一方、後の段階
においては、電圧は4.2Vに保たれ、電流は徐々に減
少する。このようにセルを充電することは、電流制限を
伴う一定電圧の充電と呼ばれる。同じ設計及び名目上の
容量の他のセルに対するグラフは同様であるが、実際に
は名目上同一であるセル間の容量に通常若干の違いがあ
る。これは設計電圧に到達するまでにかかった時間の僅
かの相違から明らかである。
【0006】もし、複数の、名目上同一のセル、例えば
2つが直列のバッテリーとして配列され、セルの数の
4.2V倍に等しい全電圧を与えるようにセットされた
充電器で充電されるなら、(若干高い容量の)強いセル
はまだ設計電圧以下であるのに、(若干小さな容量の)
弱いセルは設計電圧に到達する、充電動作中の一定期間
がある。もし、充電が続けられると、弱いセルの両端の
電圧は設計電圧を越えるであろうし、弱いセルは過充電
と結果として起こる容量の減少を起こすであろう。図2
を参照すると、バッテリーのセルSに対する過充電抑制
回路が示されている。バッテリーはセルSの如何なる個
数Nを有してもよいが、各セルSはその端子の両端に接
続された個々の抑制回路10(ここでは、2つの回路1
0のみが示されている)を有している。図1に関連して
記載された形式のセルは互いに直列に接続され、充電電
流Iを与え、且つ電流制限を伴う一定電圧で動作する充
電器(図示せず)に接続される:初期的には、充電電流
Iは2.7A(即ち、Cレート)の許容できる最大電圧
に保持され、充電器の電圧は最大N×4.2Vより小さ
くなるようにセットされる。
【0007】各回路10は、セルSの端子間に接続され
た抵抗R1と直列のMOSFETからなるバイパス回路12を
有している。抵抗R2と直列の可変抵抗R3からなる電
圧分割器14もセルSの端子間に接続され、この電圧分
割器14の中間点は集積回路Yに入力を与える。集積回
路Yは入力電圧を内部の(1.8Vの)基準電圧と比較
し、その出力を抵抗R4とキャパシタC1を有する平滑
フィルター16を介してMOSFET Tのゲートに与える。
この例において、MOSFET TはRFD16N06LE型式であり、
抵抗R1は18Ω、2.5Wである。信号がゲートに与
えられないと、バイパス回路12を介して電流は流れな
い。抵抗R2とR3は、それぞれ4.7MΩと2.2M
Ωであり、従って、電圧分割器14は1μAを引き出
す。抵抗R3は、もし、セルの電圧が4.2Vなら、集
積回路Yに与えられる入力電圧が内部の基準電圧に等し
くなるように調節される。集積回路Yは、MAX 921 形式
であり、入力電圧が内部の基準電圧を越えると、即ち、
セルの電圧が4.2Vをこえると、信号をMOSFET Tの
ゲートに与えて、MOSFET Tをターンオンする。平滑フ
ィルター16において、抵抗R4は100KΩでありキ
ャパシタC1は、2.2μFのタンタリューム電解コン
デンサである。
【0008】結果的に、セルSの両端の電圧が4.2V
を越え始めると、集積回路Yは信号をMOSFET Tのゲー
トに与え、数十mAの電流がバイパス回路12を介して
流れる。これは4.2Vを越えるのを防止するのに充分
である。集積回路Yからの出力信号は、実際に、マーク
/スペース比を変える矩形波である。何故ならMOSFETT
がオープンし、セルの電圧が4.2Vに低下すると、回
路Yは出力信号を出力しない。平滑回路16の効果は、
バイパス回路12を通る平均電流がそのセルSの電圧を
4.2Vに保持するのに必要な電流であることである。
一方では、バッテリーの他のセルSは、全充電電流Iを
受け続け、数分後に全てのセルSは4.2Vの設計電圧
に達する。この点において、全充電電圧は全てのセルS
の両端に等しく分けられ、セルのいずれも4.2Vを越
えることはなく、全てのセルSに対するバイパス電流は
0になる。従って、この回路は、セルSが排他的に過充
電されないことを保証する。そして、或るセルSが4.
2Vに達した後、まだ他の高容量のセルSが4.2Vに
達しつつある時間の間に小さなバイパス電流のみが流
れ、その結果バイパス回路12における電力消費は殆ど
ない。従って、バッテリーにおける最も弱い一つセル或
いは複数のセルの早期の機能の停止が避けられ、電力が
熱に浪費されることが殆どない。回路10は、殆ど電流
を引き出さないので、それらは常にセルSに接続された
ままにすることができるし、代わりに再充電が完了した
ときに分離することもできる。
【0009】過充電抑制回路は、最も弱いセルが4.2
Vのスレッショルド電圧を僅かに越えることを全て防止
するわけではないが、他のセルと比較して、最も弱いセ
ルによって受けられる全充電を減少することが理解され
るであろう。数回の充電/放電サイクルの後に、セルは
バランスするようになり、それらの容量は実質的に等し
くなる。しかし、もし、セルの一つが他のセルより非常
に小さな容量であれば、回路10はそのセルの電圧が
4.2Vより上昇することを抑制することはできないで
あろう。代表的には、セルの何れかが仮に4.35Vと
同程度に達したら、他の保護装置(図示せず)が充電プ
ロセスを停止するであろう。過充電抑制回路は、本発明
の範囲内にある限り、前述のものとはいろいろな点で変
更することができる。いろいろな値の抵抗及びキャパシ
タを用いることができ、またいろいろな形式のMOSFET、
いろいろなモデルの集積回路を用いることができること
が理解されるであろう。いろいろな設計電圧を有する充
電セルに対しては、回路10は、電流をこの異なる電圧
で流すことを可能にするために、バイパス回路12がス
タートするように変更されなければならないことは明ら
かである。
【図面の簡単な説明】
【図1】単一のセルの充電中に時間経過に対する電流と
セルの電圧の変化を図示している。
【図2】過充電抑制回路のための回路図を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アンドリュー ディヴィッド ハミルトン ステファンソン イギリス オーエックス11 0アールエイ オックスフォードシャー ディドコット ハーウェル 329 エイイーエイ テク ノロジー パブリック リミテッド カン パニー パテンツ デパートメント内 (72)発明者 シーン フランシス パルモア イギリス オーエックス11 0アールエイ オックスフォードシャー ディドコット ハーウェル 329 エイイーエイ テク ノロジー パブリック リミテッド カン パニー パテンツ デパートメント内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】直列のリチウムセル(S)のバッテリーに
    おいて、再充電 可能なリチウムセルを再充電するため
    の方法であって、 電流制限を伴う一定電圧でバッテリーを再充電するステ
    ップと、 再充電電流(I)が流れている間に各セル(S)の両端
    の電圧を検出するステップと、 もし、検出された電圧がスレッショルド値を越える場
    合、前記再充電電流(I)の大部分が前記セル(S)を
    流れている間、再充電電流(I)の一部がバイパスする
    ようにするステップ、を有することを特徴とする方法。
  2. 【請求項2】前記バイパス回路は、スレッショルド値を
    越える前記検出電圧に応答して発生される信号により制
    御されるゲートを有するMOSFET(T)を有することを特
    徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】前記制御信号は、前記ゲートに供給される
    前に、平滑されることを特徴とする請求項2に記載の方
    法。
  4. 【請求項4】前記バイパス電流は、10mAと200mA の間
    にあることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれ
    かに記載の方法。
  5. 【請求項5】前記バイパス電流は、再充電電流(I)の
    10%より多くないことを特徴とする請求項1乃至請求
    項4のいずれかに記載の方法。
JP9052817A 1996-03-20 1997-03-07 リチウムセルの充電方法 Pending JPH104636A (ja)

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GBGB9605830.0A GB9605830D0 (en) 1996-03-20 1996-03-20 Cell overcharge prevention
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EP (1) EP0797283A3 (ja)
JP (1) JPH104636A (ja)
KR (1) KR19990008484A (ja)
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