JPH1044007A - 半導体ウェーハの面取り面研磨方法および装置 - Google Patents
半導体ウェーハの面取り面研磨方法および装置Info
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- JPH1044007A JPH1044007A JP19909596A JP19909596A JPH1044007A JP H1044007 A JPH1044007 A JP H1044007A JP 19909596 A JP19909596 A JP 19909596A JP 19909596 A JP19909596 A JP 19909596A JP H1044007 A JPH1044007 A JP H1044007A
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Abstract
置において、面取り面を滑らかに形成して半導体ウェー
ハの加工精度を高めて製造時の歩留りや半導体ウェーハ
の特性の劣化を抑制することを課題とする。 【解決手段】 半導体ウェーハWの周縁に形成された面
取り面Mを研磨する半導体ウェーハの面取り面研磨方法
であって、前記半導体ウェーハをその円周方向に回転さ
せた状態で、前記面取り面に研磨液を供給しながら研磨
布111を押圧状態に当接させて弾性変形させるととも
に、該研磨布を面取り面の傾斜に沿って半導体ウェーハ
の外縁から中心に向けて摺動させ、半導体ウェーハの外
側面Sに当接する研磨布の盛り上がり部111bを形成
して、半導体ウェーハの面取り面とともに外側面も研磨
する技術が採用される。
Description
周縁に形成された面取り面を研磨する半導体ウェーハの
面取り面研磨方法および装置に関する。
周縁に形成された面取り面を食刻加工(エッチング)す
る技術として、CCR(Chemical Corne
r Rounding)加工が知られているが、このC
CR加工を施した場合、面取り面と半導体ウェーハ表裏
面との境界部分に突起が形成される。この突起は微小で
あるが、半導体ウェーハを樹脂製のカセットに収容した
とき、これがカセットに接触してカセットを削り、微小
な削り屑を生じてしまう。この削り屑が半導体ウェーハ
の性能を劣化させる原因となることはいうまでもない。
ハの面取り面にCMP(Chemical Mecha
nical Polishing)加工を施すことが知
られている。このCMP加工は、半導体ウェーハの面取
り面に向けて研磨液を供給しながら研磨布によって研磨
する技術であって、従来、このCMP加工を実施する装
置としては、研磨布が巻回された研磨ドラムを、その軸
線が半導体ウェーハの回転軸に対して傾斜した状態で回
転可能に支持し、この研磨ドラムを回転させながら半導
体ウェーハの面取り面に押し付けることによって研磨を
行なっていた。
MP加工装置を用いても、研磨ドラムを半導体ウェーハ
の回転軸に対して傾斜した軸線回りに回転させると半導
体ウェーハの面取り面に円周方向に研磨によるすじが残
り、面取り面が滑らかに形成されない恐れがあった。
ので、面取り面を滑らかに形成して半導体ウェーハの加
工精度を高めて製造時の歩留りや半導体ウェーハの特性
の劣化を抑制することができる半導体ウェーハの面取り
面研磨方法および装置を提供することを目的とする。
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
1記載の半導体ウェーハの面取り面研磨方法では、半導
体ウェーハの周縁に形成された面取り面を研磨する半導
体ウェーハの面取り面研磨方法であって、前記半導体ウ
ェーハをその円周方向に回転させた状態で、前記面取り
面に研磨液を供給しながら研磨布を押圧状態に当接させ
て弾性変形させるとともに、該研磨布を面取り面の傾斜
に沿って半導体ウェーハの外縁から中心に向けて摺動さ
せ、半導体ウェーハの外側面に当接する研磨布の盛り上
がり部を形成して、半導体ウェーハの面取り面とともに
外側面も研磨する技術が採用される。
研磨装置では、半導体ウェーハの周縁に形成された面取
り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面研磨装置であ
って、前記半導体ウェーハを保持し、該半導体ウェーハ
をその円周方向に回転可能に支持するウェーハ回転機構
と、該ウェーハ回転機構に保持された半導体ウェーハの
面取り面に研磨液を供給しながら研磨布を押圧状態に当
接させて弾性変形させるとともに、該研磨布を面取り面
の傾斜に沿って半導体ウェーハの外縁から中心に向けて
摺動可能に支持する研磨布駆動機構とを備える技術が採
用される。
研磨装置では、請求項2記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置において、前記研磨布駆動機構は、前記半導
体ウェーハの表裏面と平行な軸線を有して回転可能に支
持された研磨ドラムと、該研磨ドラムを回転させるドラ
ム駆動手段とを備え、前記研磨布は、研磨ドラムの外周
面を覆って設けられている技術が採用される。
よび装置では、研磨布を面取り面の傾斜に沿って半導体
ウェーハの外縁から中心に向けて摺動させることによっ
て、研磨布と半導体ウェーハの面取り面との接触点にお
いて研磨布が移動する方向と半導体ウェーハの面取り面
の移動する方向とが直交するので、研磨による円周方向
のすじの発生が防止される。さらに、研磨布を面取り面
に押圧状態に当接させ弾性変形させるとともに摺動させ
るので、半導体ウェーハの外側面に当接する研磨布の盛
り上がり部が形成され、該盛り上がり部が前記外側面に
押圧状態で当接するとともに外側面から面取り面に向か
って摺動する。すなわち、研磨布によって面取り面の研
磨が行われるとともに、外側面についても円周方向にす
じを発生させることなく同時に研磨が行われる。
面を覆った研磨ドラムを備えることによって、研磨ドラ
ムを半導体ウェーハに接触させたときに、研磨ドラムが
回転する方向と半導体ウェーハの面取り面が移動する方
向とが直交する状態で研磨が行なわれ、面取り面に摺動
する研磨布の速度が研磨ドラムの回転速度で調整され
る。
ハの面取り面研磨方法および装置の一実施形態を図1か
ら図13を参照しながら説明する。これらの図にあっ
て、符号1はウェーハ取り出し機構、2はウェーハ位置
決めユニット、3はウェーハ搬送機構、4は表面研磨
室、5は表面研磨室移送機構、6は表面研磨機構、7は
裏面研磨室、8は裏面研磨室移送機構、9は裏面研磨機
構、10はウェーハ収納機構を示している。
置は、図2および図3に示すように、半導体ウェーハW
をカセットC1から取り出すウェーハ取り出し機構1
と、該ウェーハ取り出し機構1から取り出された半導体
ウェーハWの位置決めを行うウェーハ位置決めユニット
2と、該ウェーハ位置決めユニット2で位置決めされた
半導体ウェーハWを搬送して半導体ウェーハWの表面側
および裏面側の研磨工程に送るウェーハ搬送機構3と、
該ウェーハ搬送機構3で搬送される半導体ウェーハWを
その表面側の研磨が行われる表面研磨室4へ移送し研磨
後にウェーハ搬送機構3へと戻す表面研磨室移送機構5
と、表面研磨室4において半導体ウェーハWの表面側を
研磨する表面研磨機構6と、表面側が研磨され再びウェ
ーハ搬送機構3で搬送される半導体ウェーハWをその裏
面側の研磨が行われる裏面研磨室7へ移送し研磨後にウ
ェーハ搬送機構3へと戻す裏面研磨室移送機構8と、裏
面研磨室7において半導体ウェーハWの裏面側を研磨す
る裏面研磨機構9と、裏面側が研磨され再びウェーハ搬
送機構3で搬送される半導体ウェーハWを収納用カセッ
トC2へと移載するウェーハ収納機構10と、前記各機
構に電気的に接続されこれらを制御する操作制御部12
とを備えている。
図4に示すように、カセット載置用テーブル13と、該
カセット載置用テーブル13の上面に中央部を囲むよう
に載置された4つのカセットC1と、カセット載置用テ
ーブル13の中央部に設けられ所定のカセットC1から
半導体ウェーハWを取り出し用ハンド14で吸着し一枚
づつ取り出してウェーハ搬送機構3へと移載するローダ
ーユニット15とを備えている。
数の半導体ウェーハWが水平状態となるように載置さ
れ、各半導体ウェーハWを取り出す方向がカセット載置
用テーブル13の中央部に向かうように設置される。ま
た、前記ローダーユニット15は、水平方向に延在する
取り出し用ハンド14をカセット載置用テーブル13の
上面中央部に配した状態で該カセット載置用テーブル1
3内に設置されている。前記取り出し用ハンド14は、
ローダーユニット15の垂直軸線を中心に回転可能かつ
延在方向に進退可能とされているとともに、上下動可能
に支持されている。
カセット載置用テーブル13に隣接状態に設置された基
台16上のカセット載置用テーブル13側端部に設置さ
れ、カセットC1から取り出された半導体ウェーハWを
載置台2a上でセンタリング(芯出し)およびオリエン
テーションフラット(オリフラ)の方向決めを行うもの
である。
6に示すように、ウェーハ位置決めユニット2によって
位置決めされた半導体ウェーハWを第1受け渡し部20
で表面研磨室移送機構5に受け渡す第1搬送部21と、
表面研磨機構6によって表面側が研磨された半導体ウェ
ーハWを表面研磨室移送機構5から第1受け渡し部20
で受け取って移送し第2受け渡し部22で半導体ウェー
ハWを反転させる第2搬送部23と、該第2搬送部23
によって反転された半導体ウェーハWを受け取って第3
受け渡し部24で裏面研磨室移送機構8に受け渡す第3
搬送部25と、裏面研磨機構9によって裏面側が研磨さ
れた半導体ウェーハWを裏面研磨室移送機構8から受け
取って第4受け渡し部26でウェーハ収納機構10に受
け渡す第4搬送部27とから構成されている。
4、26は、基台16上部にカセット載置用テーブル1
3側の端部から順に長手方向に配され、前記第1〜第4
搬送部21、23、25、27は、前記第1〜第4受け
渡し部20、22、24、26の一側面に沿ってカセッ
ト載置用テーブル13側の端部から順に設けられてい
る。
た円弧状の吸着溝28aで半導体ウェーハWを吸着して
支持する第1ハンド28と、該第1ハンド28をローダ
ーユニット15と第1受け渡し部20との間で水平移動
可能に支持する第1ロッドレスシリンダ29と、第1ハ
ンド28を上下動可能に支持する第1上下動シリンダ3
0と、前記第1ハンド28の吸着溝28a、第1ロッド
レスシリンダ29および第1上下動シリンダ30にそれ
ぞれ個別に接続された圧縮空気供給用の各配管を束ねた
第1配管部31とを備えている。
両端部が第1受け渡し部20の一側面に水平状態に固定
され、第1ロッドレスシリンダ29の第1可動部32に
は、第1ハンド28の基端部が上下動可能に支持される
とともに前記第1上下動シリンダ30が設置されてい
る。また、第1可動部32は、第1ロッドレスシリンダ
29と平行してその上方に配された第1ガイド部33に
水平移動可能に支持されている。前記第1ハンド28
は、基台16の長手方向に直交する方向に水平状態に延
在するとともに、その基端部が、第1上下動シリンダ3
0のピストン部30a先端部と連結部材34を介して接
続されている。
た2つの吸着孔35aで半導体ウェーハWを吸着して支
持する第2ハンド35と、該第2ハンド35を第1受け
渡し部20と第2受け渡し部22との間で水平移動可能
に支持する第2ロッドレスシリンダ36と、第2ハンド
35を上下動可能に支持する第2上下動シリンダ37
と、前記第2ハンド35の吸着孔35a、第2ロッドレ
スシリンダ36および第2上下動シリンダ37にそれぞ
れ個別に接続された圧縮空気供給用の各配管を束ねた第
2配管部38とを備えている。
両端部が第1受け渡し部20および第2受け渡し部22
のそれぞれの一側面に水平状態に固定され、第2ロッド
レスシリンダ36の第2可動部39には、第2ハンド3
5の基端部が上下動かつ回転可能に支持されるとともに
前記第2上下動シリンダ37が設置されている。また、
第2可動部39は、第2ロッドレスシリンダ36と平行
してその上方に配された第2ガイド部40に水平移動可
能に支持されている。
向に直交する方向に水平状態に延在するとともに、その
基端部が、第2上下動シリンダ37のピストン部37a
先端部と連結部材41を介して接続されている。また、
第2ハンド35の基端部には、第2ハンド35の延在方
向を軸線として第2ハンド35を回転可能に支持する反
転用アクチュエータ42が設けられている。
た2つの吸着孔43aで半導体ウェーハWを吸着して支
持する第3ハンド43と、該第3ハンド43を第2受け
渡し部22と第3受け渡し部24との間で水平移動可能
に支持する第3ロッドレスシリンダ44と、第3ハンド
43を上下動可能に支持する第3上下動シリンダ45
と、前記第3ハンド43の吸着孔35a、第3ロッドレ
スシリンダ44および第3上下動シリンダ45にそれぞ
れ個別に接続された圧縮空気供給用の各配管を束ねた第
3配管部46とを備えている。
両端部が第2受け渡し部22および第3受け渡し部24
のそれぞれの一側面に水平状態に固定され、第3ロッド
レスシリンダ44の第3可動部47には、第3ハンド4
3の基端部が上下動可能に支持されるとともに前記第3
上下動シリンダ45が設置されている。また、第3可動
部47は、第3ロッドレスシリンダ44と平行してその
上方に配された第3ガイド部48に水平移動可能に支持
されている。前記第3ハンド43は、第2ハンド35と
同様に、基台16の長手方向に直交する方向に水平状態
に延在するとともに、その基端部が、連結部材49を介
して第3上下動シリンダ45のピストン部45a先端部
と接続されている。
を載置する第4ハンド50と、該第4ハンド50を第3
受け渡し部24と第4受け渡し部26との間で水平移動
可能に支持する第4ロッドレスシリンダ51とを備えて
いる。前記第4ロッドレスシリンダ51は、その両端部
が第3受け渡し部24および第4受け渡し部26のそれ
ぞれの一側面に水平状態に固定され、第4ロッドレスシ
リンダ51の第4可動部52には、第4ハンド50の基
端部が上下動可能に支持されている。
向に直交する方向に向けて延在するとともに、その先端
部が基端部より低い位置で水平状態に配されている。第
4ハンド50の先端部は、載置される半導体ウェーハW
の直径と同幅に設定され、また該半導体ウェーハWの外
縁部に当接して位置決めする突起部50aが4つ設けら
れている。
の長手方向端部に第4受け渡し部26に移動された第4
ハンド50を昇降可能に支持するハンド昇降用エアシリ
ンダ53が設けられている。該ハンド昇降用エアシリン
ダ53は、上下方向に延在して配され、そのシリンダロ
ッド53aの先端部には、第4ハンド50の側部がはめ
込まれる第4ハンド支持部材53bが取り付けられてい
る。
うに、ローダーユニット15に隣接して設けられた矩形
状の水槽であり、内部に洗浄用の純水が供給されて満た
されている。また、前記第2受け渡し部22は、第1受
け渡し部20に隣接し該第1受け渡し部20より深く設
定された矩形状の水槽であり、第1受け渡し部20等か
ら溢れた純水が流れ込むように設定され底部に該純水が
排水される洗浄水排水孔54が形成されている。前記第
3受け渡し部24および前記第4受け渡し部26は、前
記第2受け渡し部22に隣接し前記第1受け渡し部20
と同じ深さに設定された矩形状の水槽であり、互いに連
通状態とされ内部に洗浄用の純水が供給されて満たされ
ている。
ように、第1受け渡し部20および表面研磨室4におい
て半導体ウェーハWをそれぞれ上方から吸着状態に支持
する一対のウェーハ吸着盤54と、これらウェーハ吸着
盤54を上下動かつ回転可能にそれぞれ支持する一対の
吸着盤支持部55と、これら吸着盤支持部55を第1受
け渡し部20と表面研磨室4との間に立設された回転可
能な旋回軸部材56で支持するとともに該旋回軸部材5
6を中心に旋回させる旋回機構57とを備えている。す
なわち、一対のウェーハ吸着盤54は、旋回軸部材56
を中心に対称な位置に配されている。
受け渡し部24および裏面研磨室7において半導体ウェ
ーハWをそれぞれ上方から吸着状態に支持する一対のウ
ェーハ吸着盤54と、これらウェーハ吸着盤54を上下
動かつ回転可能にそれぞれ支持する一対の吸着盤支持部
55と、これら吸着盤支持部55を第3受け渡し部24
と裏面研磨室7との間に立設された回転可能な旋回軸部
材56を中心に旋回させる旋回機構57とを備えてい
る。
磨室移送機構5とは、同様の構成を有するウェーハ吸着
盤54、吸着盤支持部55および旋回機構57を備えて
おり、これらは半導体ウェーハWを保持し該半導体ウェ
ーハWをその円周方向に回転可能に支持するウェーハ回
転機構として機能する。
を回転させる旋回用ロータリーアクチュエータ58と、
旋回軸部材56を挿通状態に回転可能に支持する筒状支
持部材59とを備えている。前記旋回用ロータリーアク
チュエータ58は、表面研磨室4または裏面研磨室7の
下方にそれぞれ設置されるとともに回転駆動軸60に固
定された連結ギヤ61が旋回軸部材56の下部に固定さ
れた下部ギヤ62に噛み合わされている。前記筒状支持
部材59は、基台16の中央部を貫通状態とされ、下部
の外周に設けられた下部フランジ部63が基台16上面
に固定されて支持されている。
外方に延在する棒状の旋回ストッパ64が固定されると
ともに、基台16の上部裏面には、旋回位置決め部65
が所定位置の2箇所(1箇所図示せず)に固定されてい
る。該旋回位置決め部65は、旋回ストッパ64の先端
部が所定量旋回して係止する位置、すなわちにウェーハ
吸着盤54が、第1受け渡し部20の上部または表面研
磨室4の上部まで旋回する場合および第3受け渡し部2
4の上部または裏面研磨室7の上部まで旋回する場合に
それぞれ相当する位置に設けられている。また、旋回位
置決め部65は、旋回ストッパ64の先端部が当接する
際の衝撃を吸収するショックアブソーバ66と係止位置
を微調整する位置決めボルト67とを下部側面に備えて
いる。
ンジ部68が設けられ、該上部フランジ部68の上部に
は、円筒部材69が軸線を同じくして固定されている。
該円筒部材69の外周面には、上下方向に延在して配さ
れた一対の吸着盤昇降用エアシリンダ70が互いに円筒
部材69の軸線に対して対称な位置に設けられている。
これら吸着盤昇降用エアシリンダ70は、上部に固定さ
れたシリンダ部70aと該シリンダ部70a内から上下
方向に進退可能とされたシリンダロッド部70bとを備
えている。該シリンダロッド部70bに先端部には、前
記吸着盤支持部55が固定されている。
70bの先端部に固定された枠部71と、該枠部71の
上部に固定された回転モータ72と、該回転モータ72
の回転駆動軸に接続されその回転数を減速する減速機7
3aと、該減速機73aによって減速されたウェーハ吸
着盤54の回転角を検出する回転角検出センサ73b
と、減速機73aの回転軸に接続され上下方向の軸線を
中心として回転可能に枠部71の下端に支持された支持
ロッド74とを備えている。該支持ロッド74は、図示
しない吸引手段に接続され上下に貫通する接続孔74a
が内部に形成されている。
ド74の下端に上面が固定され、軸線を同じくして前記
回転モータ72の回転によって回転可能とされている。
また、ウェーハ吸着盤54は、吸着する半導体ウェーハ
Wより所定量小さな径に設定されるとともにオリフラに
対応して一部が切欠部とされた円盤状に形成され、水切
り性を高めるために略円錐形状とされている。さらに、
ウェーハ吸着盤54の下面には、前記接続孔74aに接
続された吸引孔(図示せず)が形成されている。すなわ
ち、ウェーハ吸着盤54および吸着盤支持部55は、半
導体ウェーハWを保持し、該半導体ウェーハWをその円
周方向に回転可能に支持するウェーハ回転機構として機
能する。
は、図8および図9に示すように、旋回軸部材56に対
して第1受け渡し部20および第3受け渡し部24の反
対側にそれぞれ配置され、研磨室側板75、研磨室天板
76、研磨室シャッタ77および研磨室底板78とから
構成されている。該研磨室底板78は、中央部外方に向
かって傾斜状態に設定され、その最下部には、研磨時に
使用された研磨液を排水する研磨液排水孔79が形成さ
れている。該研磨液排水孔79は、使用済み研磨液を再
使用するための排液貯留部(図示せず)に接続されてい
る。なお、研磨室側板75の下部には、ミスト抜き用の
ミスト取り出し口75aが設けられている。
び裏面研磨室7の上方をそれぞれ覆って配され、その中
央部には、ウェーハ吸着盤54に吸着された半導体ウェ
ーハWの外径より若干大きく設定された内径を有する円
形の天板開口部76aが形成されている。また、研磨室
天板76は、外側の研磨室側板75の直上部分に基台1
6の長手方向に伸縮可能に支持された一対のシャッタ用
エアシリンダ80を備え、これらシャッタ用エアシリン
ダ80のシリンダロッド80aの先端部には連結部材8
1を介して一対の板状の研磨室シャッタ77がそれぞれ
固定されている。
成され、該貫通孔81aには研磨室天板76上に設けら
れたガイド棒82が挿通状態とされている。すなわち、
連結部材81、ガイド棒82にガイドされて基台16の
長手方向に水平移動可能に支持されている。これらの研
磨室シャッタ77は、研磨室天板76に沿って表面研磨
室4および裏面研磨室7をそれぞれ覆って配されるとと
もに、前記シャッタ用エアシリンダ80の伸縮によって
基台16の長手方向に開閉可能に研磨室天板76に支持
されている。また、前記一対の研磨室シャッタ77は、
互いに対向する内縁部に半円状の切欠部77aが形成さ
れ、閉口時に前記支持ロッド74の径より若干大きな内
径を有する円形の開口部が中央部に形成される。
出し研磨室天板76上面を囲むように配された研磨室天
板周壁部83が設けられている。また、表面研磨室4と
第1受け渡し部20との間および裏面研磨室7と第3受
け渡し部24との間には、中間部天板84がそれぞれ設
けられ、これら中間部天板84には、周縁部に上方に突
出し中間部天板84上面を囲むように配された中間部天
板周壁部85が設けられている。
0および第3受け渡し部24の旋回軸部材56側の側板
20a,24a上部に一側縁がそれぞれ配され、その他
側縁は表面研磨室4および裏面研磨室7の研磨室側板7
5外側面にそれぞれ配されている。すなわち、中間部天
板84は、研磨室天板76より低い位置に配されかつ第
1受け渡し部20および第3受け渡し部24より高い位
置に配されている。
の部分より小さくされた第1低壁部83aが中間部天板
84側に形成され、また前記中間部天板周壁部85は、
突出量が他の部分より小さくされた第2低壁部85aが
第1受け渡し部20側および第3受け渡し部24側にそ
れぞれ形成されている。また、研磨室天板76および中
間部天板84上には、洗浄水が供給されるとともに研磨
室天板周壁部83および中間部天板周壁部85によって
浅く貯められている。
構9は、図9から図11に示すように、表面研磨室4内
および裏面研磨室7内でそれぞれウェーハ吸着盤54に
よって保持状態の半導体ウェーハWを中心に基台16の
長手方向両側に配されかつ半導体ウェーハWの表裏面と
平行な軸線、すなわち前記長手方向に直交する方向の軸
線を有して回転可能に支持された一対の研磨ドラム90
と、これらの研磨ドラム90をそれぞれ回転駆動すると
ともに移動させる一対のドラム駆動手段91と、研磨時
に研磨液を研磨ドラム90上に供給するとともに半導体
ウェーハWの面取り面にも供給する研磨液供給手段92
とをそれぞれ備えている。
0を基台16の長手方向に直交する方向に進退移動させ
るドラム直動ユニット部93と、該ドラム直動ユニット
部93に揺動可能に支持され研磨ドラム90を先端部に
接続するとともに該研磨ドラム90を半導体ウェーハW
の面取り面に押圧状態に当接させるとともに半導体ウェ
ーハWの軸線に向かう方向に摺動可能に支持するドラム
支持部94とを備えている。
け渡し部20と表面研磨室4との間および第3受け渡し
部24と裏面研磨室7との間にそれぞれ配され、基台1
6上に固定され図示しないボールネジおよび該ボールネ
ジを回転駆動するモータ等を内蔵したユニット本体94
と、該ボールネジに螺着されボールネジに沿って移動可
能な直動部95とを備えている。
の上部に設けられたピボット軸受部95aに揺動可能に
上端部が支持された揺動腕部96と、該揺動腕部96の
下端部に固定され基台16の長手方向に直交する方向に
延在して配されるとともに先端部に研磨ドラム90を回
転可能に支持するドラム支持軸部97とを備えている。
前記揺動腕部96は、上端部に貫通孔96aが形成さ
れ、該貫通孔96aに挿通されるとともに前記ピボット
軸受部95aに両端部が回転可能に支持される揺動用ロ
ッド96bを備えている。
96の下端部に固定され表面研磨室4内側の研磨室側板
75に貫通状態のドラム用筒状部材98と、該ドラム用
筒状部材98内に軸線を同じくするとともに軸受部98
aを介して回転可能に挿通されたドラム回転軸部材99
とを備えている。該ドラム回転軸部材99は、先端部に
研磨ドラム90が軸線を同じくして固定され、後端部に
図示しない回転駆動源が接続されている。
5の下部は、バランス用バネ100で連結されていると
ともに、揺動腕部96の下端部および直動部95の下部
は、押圧用エアシリンダ101で連結されている。前記
バランス用バネ100は、揺動腕部96によって支持さ
れているドラム支持軸部97を一定高さに保持して、該
ドラム支持軸部97に取り付けられている研磨ドラム9
0の高さ位置を設定するものである。
研磨時に、バランス用バネ100によって一定高さに保
持されたドラム支持軸部97をウェーハ吸着盤54に吸
着状態の半導体ウェーハWへ向けた斜め上方に一定の押
圧力で押し、ドラム支持軸部97に取り付けられている
回転状態の研磨ドラム90外周面を表面研磨機構6にお
いては半導体ウェーハWの表面側の面取り面に、裏面研
磨機構9においては半導体ウェーハWの裏面側の面取り
面に、それぞれ押圧させるものである。
磨ドラム90の外周面半分を覆うドラム用カバー102
が取り付けられている。該ドラム用カバー102は、ド
ラム用筒状部材98に固定され研磨ドラム90の内側面
に近接状態に配された円盤部102aと、研磨ドラム9
0の外周面のうち表面研磨室4内および裏面研磨室7内
にそれぞれ配された半導体ウェーハWに対して反対側の
半分を近接状態で覆う円弧状板部102bとを備えてい
る。
内側の研磨室側板95との間および前記円盤部102a
と裏面研磨室7内側の研磨室側板95との間には、表面
研磨室4内および裏面研磨室7内のドラム用筒状部材9
8を覆う蛇腹部材103がそれぞれ取り付けられてい
る。これら蛇腹部材103は、研磨時に研磨液がドラム
用筒状部材98内等に入り込むことを防止するものであ
る。
カバー102の円弧状板部102bの上部に取り付けら
れた複数の供給ノズル104と、これら供給ノズル10
4に固定されウェーハ吸着盤54に保持状態の半導体ウ
ェーハW側に配された研磨液用ブラシ105と、前記供
給ノズル104に接続され研磨液を供給する研磨液導入
手段106とを備えている。前記研磨液用ブラシ105
は、ナイロン等の弾性体で形成され、その先端部が研磨
ドラム90の軸線方向に沿って外周面上に当接状態に配
されている。
ように、研磨液を貯留するスラリータンク107と、該
スラリータンク107から研磨液を吸い上げて前記供給
ノズル104へ導くスラリーポンプ108とを備えてい
る。なお、符号109は、使用済み研磨液を再使用する
ために用いる排出ミスト除去用のサイクロンである。
に、ドラム回転軸部材99先端部に設けられた取付用フ
ランジ99aに軸線を同じくしてボルト109で固定さ
れるアルミニウム合金製のホイール本体110と、該ホ
イール本体110の外周面を覆って設けられた研磨布1
11とを備えている。前記ホイール本体110の外周面
には、軸線に平行に延在するとともに半径方向外方に突
出する突条形状のキー110aが設けられ、前記研磨布
111に内側からくい込んで研磨布111の回り止めと
されている。
ない不織布で円環状に形成された単位研磨布111aを
複数枚積層させ円筒状にしたものであり、ホイール本体
110の外周面に軸線を同じくして外挿状態に取り付け
られている。研磨布111の両端面には、塩化ビニール
で形成され研磨布111と同じ外径に設定された円環状
の補強板112がそれぞれ配され、これら補強板112
の外側面には、ステンレスで形成され研磨布111より
小さな外径に設定された円環状の押え板113がそれぞ
れ配されている。
に設定され、本実施形態では8%の圧縮率にセットされ
ている。また、研磨布111の半径方向の厚さは、半導
体ウェーハWの4倍程度に設定され、例えば半導体ウェ
ーハWの厚さが0.75mmの場合には、3.0mmの
厚さとされる。なお、前記圧縮率は、JIS L−10
96に準拠するものであり、単位研磨布111aに初荷
重W0を負荷した1分後の厚さT1を読み、同時に荷重W
1に増し、1分後の厚さT2を読むことによって次式で算
出される。 圧縮率(%)=(T1−T2)/T1×100 (但し、W0=300g/cm2、W1=1800g/c
m2)
ホイール本体110の基端部外周面に形成された拡径部
110bに係止され、また研磨ドラム90先端側の押え
板113は、ホイール本体110先端面にボルト114
で固定された円環状の研磨布押圧板115によって基端
側へと押圧状態に支持されている。したがって、研磨布
111は、補強板112および押え板113に挟持状態
とされ一定の押圧力によって軸線方向に圧縮状態とされ
ている。
すように、第3受け渡し部24の上方に配され第3受け
渡し部24に移送された半導体ウェーハWを収納用ハン
ド116で取り出して移送するアンローダーユニット1
5と、該アンローダーユニット15によって移送される
半導体ウェーハWが収納される収納用カセットC2を所
定位置に載置する収納用カセット載置部117とを備え
ている。
6上に立設された2つの柱部材118の上部に架設され
た梁部材119に垂下状態に支持されており、該梁部材
119に取り付けられた水平方向移動装置120によっ
て梁部材119の延在方向、すなわち基台16の長手方
向に直交する方向に沿って移動可能とされている。前記
水平方向移動装置120の側面には、上下方向に伸縮可
能な収納用エアシリンダ121がその上部を固定して垂
下状態とされ、該収納用エアシリンダ121の下部には
先端部に収納用ハンド116を備えるハンド揺動回転部
122が支持されている。
長手方向に直交する水平軸線を中心に収納用ハンド11
6を揺動させる揺動用ロータリーアクチュエータ123
と、収納用ハンド116をその延在方向を軸線として回
転させる回転用ロータリーアクチュエータ124とを備
えている。前記収納用ハンド116は、先端部に図示し
ない吸引手段に接続された複数の吸着孔(図示せず)が
形成され、これら吸着孔によって第4受け渡し部26に
移送された半導体ウェーハWを吸着して支持するもので
ある。
16の端部側の側面に設けられ、第4受け渡し部26よ
り低い位置に配されている。この収納用カセット載置部
117は、基台16の長手方向に直交する方向に4つの
収納用カセットC2を並べることができ純水が供給され
満たされている水槽部125と、該水槽部125内に配
され前記収納用カセットC2が個別に載置されて位置決
めされる4つのカセット用ハンド126と、水槽部12
5と基台16との間に設置され各カセット用ハンド12
6を個別に昇降可能に支持する4つのカセット昇降用エ
アシリンダ127とを備えている。
ハWの載置位置がその表裏面が基台16の長手方向に平
行にかつ半導体ウェーハWの軸線が水平状態になるよう
に設定されている。また、前記カセット用ハンド126
は、縦断面L字状に形成され、その上部が対応する前記
カセット昇降用エアシリンダ127のシリンダロッド1
27a先端に固定されている。
り面研磨装置の一実施形態における半導体ウェーハの面
取り面研磨方法について、〔ウェーハ取り出し工程〕、
〔ウェーハ位置決め工程〕、〔表面研磨工程〕、〔ウェ
ーハ反転工程〕、〔裏面研磨工程〕および〔ウェーハ収
納工程〕とに分けて説明する。
前の半導体ウェーハWを入れたカセットC1を、半導体
ウェーハWの表面が下方に向くようにカセット載置用テ
ーブル13上の所定位置にセットする。
し用ハンド14を上下動させるとともにカセット載置用
テーブル13の中央部から所定位置の半導体ウェーハW
の上部に移動させ、半導体ウェーハWを吸着保持する。
吸着後、取り出し用ハンド14を再びカセット載置用テ
ーブル13の中央部に戻すとともに垂直軸線を中心に回
転させ、半導体ウェーハWを保持した先端部をウェーハ
位置決めユニット2に向ける。
ト15によって半導体ウェーハWを保持した取り出し用
ハンド14を上方に移動させ、ウェーハ位置決めユニッ
ト2の載置台2aに対応した高さに設定した後、取り出
し用ハンド14をウェーハ位置決めユニット2の載置台
2a上へ水平移動させる。このとき、載置台2aの下部
には、予め第1ハンド28を配しておく。
に配した状態で吸着を解除するとともに、半導体ウェー
ハWを開放してウェーハ位置決めユニット2に移載す
る。次に、ウェーハ位置決めユニット2を駆動して、載
置台2a上の半導体ウェーハWの芯出しおよびオリフラ
の方向決めを行い、半導体ウェーハWを所定の向きに位
置決めする。
ダ30によって第1ハンド28を上昇させるとともに位
置決めされた半導体ウェーハWを上面に載置し、吸着溝
28aによって吸着保持する。そして、第1ロッドレス
シリンダ29によって第1受け渡し部20の上方へと第
1ハンド28を水平移動して半導体ウェーハWを第1受
け渡し部20へ移送する。
0の上方に位置させたウェーハ吸着盤54を、吸着盤昇
降用エアシリンダ70によって吸着盤支持部55ととも
に下降させ、半導体ウェーハW上に当接させる。このと
き、第1ハンド28の吸着を解除し半導体ウェーハWを
解放するとともに、ウェーハ吸着盤54によって半導体
ウェーハWを、軸線を同じくして吸着保持する。
保持した状態で、旋回用ロータリーアクチュエータ58
を駆動させて旋回軸部材56を180゜回転させるとと
もにウェーハ吸着盤54を180゜旋回させ、表面研磨
室4の上方に位置させる。そして、表面研磨室4の研磨
室シャッタ77を、シャッタ用エアシリンダ80の作動
によってスライドさせ、研磨室天板76の天板開口部7
6aを開口させる。
昇降用エアシリンダ70によってウェーハ吸着盤54を
下降させ、表面研磨室4内の所定位置に配される。この
とき、ウェーハ吸着盤54に保持状態の半導体ウェーハ
Wの向きは、オリフラが基台16の長手方向に直交する
方向に沿って配されている。さらに、この状態で、研磨
室シャッタ77を、再びシャッタ用エアシリンダ80の
作動によってスライドさせ、研磨室天板76の天板開口
部76aを閉じる。このとき、支持ロッド74が、互い
に当接した研磨室シャッタ77の切欠部77aで形成さ
れた円形の開口部内に配される。
90を、ドラム直動ユニット部93を駆動することによ
って基台16側から保持状態の半導体ウェーハWの両側
へと移動させる。さらに、押圧用エアシリンダ101を
作動させ、揺動腕部96を押し上げることによって一対
の研磨ドラム90の研磨布111を、半導体ウェーハW
の両側から表面側の面取り面に所定の押圧力で押圧状態
に当接させる。このとき、半導体ウェーハWのオリフラ
は、一方の研磨ドラム90の研磨布111において研磨
液用ブラシ105の下方近傍に当接される。
させてスラリータンク107から吸い上げた研磨液を、
一方の供給ノズル104から研磨布111上に供給す
る。そして、図示しない回転駆動源を駆動させて、オリ
フラの面取り面に当接する研磨ドラム90を、研磨布1
11がオリフラの面取り面の傾斜に沿って半導体ウェー
ハWの外縁から中心に向かって摺動する方向に回転させ
ることによって研磨を行う。
11上に供給される研磨液は、自重と研磨ドラム90の
回転とによって半導体ウェーハW側へと移動するととも
に研磨液用ブラシ105の先端に当接して、研磨ドラム
90の軸線方向に広げられる。すなわち、研磨液を研磨
ドラム90の軸線方向に一様に供給するとともに、研磨
布111に馴染ませるので、前記軸線方向のどの位置の
研磨布111においても良好な研磨性能が得られる。
他方の研磨ドラム90も同様に回転させるとともに、他
方の供給ノズル104から研磨布111に研磨液を供給
する。同時に、回転モータ72を駆動させ、ウェーハ吸
着盤54とともに半導体ウェーハWを180゜(半周)
回転させる。このとき、回転モータ72の回転は減速機
73aによって所定回転速度に減速されるとともに、ウ
ェーハ吸着盤54の回転角が回転角検出センサ73bに
よって検出され、半導体ウェーハWは正確に180゜回
転される。すなわち、回転状態の半導体ウェーハWの両
側に、一対の研磨ドラム90が半導体ウェーハWの軸線
を中心に対称的に配置されているので、半導体ウェーハ
Wを半周させることにより、全周に亙って表面側の面取
り面が研磨される。
て半導体ウェーハWの軸線に向かう方向に摺動させるの
で、図1に示すように、研磨布111と半導体ウェーハ
Wの面取り面Mとの接触点において研磨布111が移動
する方向(図中の矢印A方向)と半導体ウェーハWの面
取り面Mの移動する方向とが直交するので、研磨による
円周方向のすじの発生が防止される。
ラム駆動手段91および前記研磨液供給手段92は、半
導体ウェーハWの面取り面Mに研磨液を供給しながら研
磨布111を押圧状態に当接させて弾性変形させるとと
もに、該研磨布111を面取り面Mの傾斜に沿って半導
体ウェーハWの外縁から中心に向けて摺動可能に支持す
る研磨布駆動機構として機能する。
状態に当接させ弾性変形させるとともに摺動させるの
で、半導体ウェーハWの外側面Sに当接する研磨布11
1の盛り上がり部111bが形成され、該盛り上がり部
111bが前記外側面Sに押圧状態で当接するとともに
外側面Sから面取り面Mに向かって摺動する。すなわ
ち、研磨布111によって面取り面Mの研磨が行われる
とともに、外側面Sについても円周方向にすじを発生さ
せることなく同時に研磨が行われる。
液は、研磨ドラム90から直接研磨室底板78上に流れ
落ちるか、またはドラム用カバー102の円弧状板部1
02bによって下方に誘導されて研磨室底板78上に流
れ落ちる。なお、ドラム用カバー102の円盤部102
aは、ドラム用筒状部材98の周囲へ研磨液が飛び散る
ことを防ぎ、円弧状板部102bは、研磨室側板75へ
研磨液が飛び散ることを防いでいる。
傾斜に従って研磨液排水孔79へ流れて、排液貯留部
(図示せず)へと排出される。なお、該排液貯留部の使
用済み研磨液は、再使用するためにサイクロン109に
よってミスト除去処理が施される。また、前記研磨ドラ
ム90は、研磨する半導体ウェーハW毎にドラム直動ユ
ニット部93によって軸線方向に所定量移動され、研磨
布111の外周面における広い範囲で研磨することによ
って、研磨ドラム90の長寿命化が図られている。
シャッタ77をスライドさせて研磨室天板76の天板開
口部76aを開口させる。そして、半導体ウェーハWを
保持したウェーハ吸着盤54を吸着盤昇降用エアシリン
ダ70によって研磨室天板76の上方まで上昇させる。
ハ吸着盤54に保持された半導体ウェーハWの表面側の
面取り面Mが研磨されている間に、他方のウェーハ吸着
盤54は、前記ウェーハ取り出し工程および前記ウェー
ハ位置決め工程を経て第1受け渡し部20に搬送された
別の半導体ウェーハWを、一方のウェーハ吸着盤54と
同様にして吸着保持している。
ータ58を駆動して旋回軸部材56を回転させ、一方お
よび他方のウェーハ吸着盤54をそれぞれ180゜旋回
させる。すなわち、一方のウェーハ吸着盤54に保持さ
れた半導体ウェーハWは、再び第1受け渡し部20の上
方に移送されるとともに、他方のウェーハ吸着盤54に
保持された半導体ウェーハWは、表面研磨室4の上方に
移送され一方のウェーハ吸着盤54に保持された半導体
ウェーハWと同様に表面側の面取り面Mの研磨が行われ
る。
吸着盤54および保持された半導体ウェーハWから、研
磨室天板76および中間部天板84上に研磨液が落ちる
場合がある。しかしながら、研磨室天板76および中間
部天板84には、研磨室天板周壁部83および中間部天
板周壁部85によって周縁部が高くされ洗浄水が貯めら
れているので、落ちた研磨液は、研磨室天板周壁部83
および中間部天板周壁部85から他の部分に流れ落ちな
いとともに乾いて付着することがない。
り低く設定されるとともに第1受け渡し部20および第
3受け渡し部24より高く設定され、研磨室天板周壁部
83および中間部天板周壁部85には第1低壁部83a
および第2低壁部85aがそれぞれ形成されているの
で、研磨室天板76上に落ちた研磨液は、洗浄水ととも
に第1低壁部83aを介して研磨室天板76から中間部
天板84へと流れ落ち、さらに第2低壁部85aを介し
て中間部天板84から第1受け渡し部20および第3受
け渡し部24へと流れ落ちる。
体ウェーハWを第1受け渡し部20の上方に移送した
後、保持しているウェーハ吸着盤54を下降させて、第
1受け渡し部20の純水中に水没状態で位置させるとと
もに、ウェーハ吸着盤54を所定量回転させる。このと
き、半導体ウェーハWおよびウェーハ吸着盤54に付着
している研磨液が、純水によって洗い落とされる。
着盤54を上昇させ第1受け渡し部20の上方に位置さ
せ、さらに第2ハンド35を第2上下動シリンダ37で
ウェーハ吸着盤54より低い位置に設定するとともに第
1受け渡し部20のウェーハ吸着盤54の下方に第2ロ
ッドレスシリンダ36によって水平移動させる。この状
態で、ウェーハ吸着盤54を下降させるとともに半導体
ウェーハWを第2ハンド35上に載置する。このとき、
ウェーハ吸着盤54の吸着を解除して半導体ウェーハW
を開放するとともに、第2ハンド35の吸着孔35aで
半導体ウェーハWの下面、すなわち表面側を吸着して半
導体ウェーハWを保持する。
ンド35を、第2ロッドレスシリンダ36によって第2
受け渡し部22へと水平移動する。なお、第2受け渡し
部22に移送された第2ハンド35は、第2受け渡し部
22の底部に対して半導体ウェーハWの半径より高い位
置に設定される。この状態で、反転用アクチュエータ4
2を駆動して第2ハンド35を延在方向を軸線として1
80゜回転させる。そして、第3ハンド43を、第3上
下動シリンダ45および第3ロッドレスシリンダ44に
よって第2ハンド35に保持された半導体ウェーハWの
下方に移動させる。
位置した後、第2ハンド35を下降させて半導体ウェー
ハWを第3ハンド43上に載置する。このとき、第2ハ
ンド35の吸着を解除して半導体ウェーハWを開放する
とともに、第3ハンド43の吸着孔35aで半導体ウェ
ーハWの下面、すなわち裏面側を吸着して半導体ウェー
ハWを保持する。第3ハンド43は、半導体ウェーハW
を吸着した後、第3受け渡し部24へと第3ロッドレス
シリンダ44によって水平移動される。
け渡し部24に配された後、予め第3受け渡し部24の
上方に位置させた裏面研磨室移送機構8のウェーハ吸着
盤54を、下降させるとともに第3ハンド43上の半導
体ウェーハWの上面に当接させる。このとき、第3ハン
ド43の吸着を解除して半導体ウェーハWを開放すると
ともに、裏面研磨室移送機構8のウェーハ吸着盤54で
半導体ウェーハWの上面、すなわち表面側を吸着して半
導体ウェーハWを保持する。
室移送機構8によって、裏面を下方に向けて保持した半
導体ウェーハWを裏面研磨室7内へと移送し、裏面側の
オリフラおよび外縁部全周の面取り面の研磨を行う。こ
のとき、表面側の研磨と同様に、裏面側においても外側
面の研磨も同時に行われる。そして、裏面側の面取り面
の研磨が終了した後、表面研磨工程と同様に、裏面研磨
室移送機構8のウェーハ吸着盤54に保持状態の半導体
ウェーハWは、再び第3受け渡し部24の上方に移送さ
れる。
7において一方のウェーハ吸着盤54に保持された半導
体ウェーハWの裏面側の面取り面Mが研磨されている間
に、他方のウェーハ吸着盤54は、前記表面研磨工程お
よび前記ウェーハ反転工程を経て第3受け渡し部24に
搬送された別の半導体ウェーハWを、一方のウェーハ吸
着盤54と同様にして吸着保持している。
ータ58を駆動して旋回軸部材56を回転させ、一方お
よび他方のウェーハ吸着盤54をそれぞれ180゜旋回
させる。すなわち、一方のウェーハ吸着盤54に保持さ
れた半導体ウェーハWは、再び第3受け渡し部24の上
方に移送されるとともに、他方のウェーハ吸着盤54に
保持された半導体ウェーハWは、裏面研磨室7の上方に
移送され一方のウェーハ吸着盤54に保持された半導体
ウェーハWと同様に裏面側の面取り面Mの研磨が行われ
る。
体ウェーハWを第3受け渡し部24の上方に移送した
後、保持しているウェーハ吸着盤54を下降させて、第
3受け渡し部24の純水中に水没状態で位置させるとと
もに、ウェーハ吸着盤54を所定量回転させる。このと
き、半導体ウェーハWおよびウェーハ吸着盤54に付着
している研磨液が、純水によって洗い落とされる。
54をさらに下降させ、予め第3受け渡し部24の底部
近傍に配した第4ハンド50上に半導体ウェーハWを載
置する。このとき、ウェーハ吸着盤54の吸着を解除し
て半導体ウェーハWを開放するとともに、第4ハンド5
0上で突起部50aによって半導体ウェーハWを位置決
め保持する。
ンド50を、第4ロッドレスシリンダ51によって水没
状態で第4受け渡し部26へと水平移動する。このと
き、第4受け渡し部26へ移動された第4ハンド50の
移動方向側部がハンド昇降用エアシリンダ53の第4ハ
ンド支持部材53bにはめ込まれる。この後、ハンド昇
降用エアシリンダ53によって、第4ハンド50は半導
体ウェーハWを載置した状態で第4受け渡し部26の上
方へと上昇される。
を駆動させて収納用ハンド116の先端部を、吸着孔を
下方に向けて第4受け渡し部26の上方に配しておき、
第4ハンド50は、半導体ウェーハWが収納用ハンド1
16に当接する位置で上昇が停止される。この状態で、
収納用ハンド116の吸着孔で半導体ウェーハWの上面
を吸着するとともに、半導体ウェーハWを保持する。こ
の後、第4ハンド50は、再びハンド昇降用エアシリン
ダ53によって、第4受け渡し部26の底部近傍へと下
降退避される。
した収納用ハンド116を、回転用ロータリーアクチュ
エータ124を作動させて延在方向を軸線として90゜
回転させ、半導体ウェーハWを垂直状態とする。そし
て、この状態で収納用ハンド116を、収納用エアシリ
ンダ121を作動させてハンド揺動回転部122ととも
に上昇させた後、揺動用ロータリーアクチュエータ12
3を作動させて基台16の長手方向に直交する水平軸線
を中心に下方(図中の矢印方向)に105゜回転させて
揺動し、収納用カセット載置部117の水槽部125上
方に半導体ウェーハWを位置させる。
せ、収納用ハンド116を梁部材119の延在方向に移
動させて所定の収納用カセットC2の収納位置の直上に
半導体ウェーハWを位置決めする。この後、収納用エア
シリンダ121を伸ばして、収納用ハンド116に保持
状態の半導体ウェーハWを収納用カセットC2の収納位
置まで下降させる。そして、収納用ハンド116の吸着
を解除し、半導体ウェーハWを開放するとともに収納用
カセットC2に収納する。
ーハWが収納用カセットC2に収納された後、該収納用
カセットC2が載置されたカセット用ハンド126をカ
セット昇降用エアシリンダ127によって上昇させ、収
納用カセットC2の取手部分を水槽部125から上方に
出した状態とする。この後、半導体ウェーハWは収納用
カセットC2ごと水槽部125から取り出されて次工程
へと移送される。
含むものである。 (1)一対の研磨ドラム90によって半導体ウェーハW
の面取り面Mの研磨を行ったが、研磨ドラムは一つまた
は複数でも構わない。なお、設置するスペースが許す限
り研磨ドラム90を複数設置することによって、半導体
ウェーハの回転量を少なくでき、研磨処理時間を短縮す
ることができる。
数枚積層させ研磨ドラム90のホイール本体110に外
挿して設けたが、研磨ドラム90の外周面に巻回して取
り付けたものを用いても構わない。 (3)半導体ウェーハの表面側および裏面側を別々に研
磨処理したが、同時に両面の面取り面を研磨するように
しても構わない。この場合、半導体ウェーハの表面側お
よび裏面側の両方に研磨布を配する必要がある。
研磨布を面取り面の傾斜に沿って半導体ウェーハの外縁
から中心に向けて摺動させることによって、研磨布と半
導体ウェーハの面取り面との接触点において研磨布が移
動する方向と半導体ウェーハの面取り面の移動する方向
とが直交するので、研磨による円周方向のすじの発生を
防止することができ、面取り面を滑らかに形成するとと
もに半導体ウェーハの加工精度を高めて製造時の歩留ま
りや半導体ウェーハの特性の劣化を抑制することができ
る。さらに、研磨布を面取り面に押圧状態に当接させ弾
性変形させるとともに摺動させることによって、半導体
ウェーハの外側面に当接する研磨布の盛り上がり部が形
成され、面取り面とともに外側面についても円周方向に
すじを発生させることなく同時に研磨を行うことがで
き、半導体ウェーハの外縁部全体に高い加工精度で研磨
処理を行うことができる。
面を覆った研磨ドラムを備えることによって、研磨ドラ
ムを半導体ウェーハに接触させたときに、研磨ドラムが
回転する方向と半導体ウェーハの面取り面が移動する方
向とが直交する状態で研磨を行うことができるととも
に、面取り面に摺動する研磨布の速度を研磨ドラムの回
転速度で容易に調整することができる。
装置の一実施形態における面取り面の研磨を説明するた
めの要部を拡大した縦断面図である。
装置の一実施形態を示す正面図である。
装置の一実施形態を示す平面図である。
装置の一実施形態を示す左側面図である。
装置の一実施形態におけるウェーハ搬送機構を示す平面
図である。
装置の一実施形態におけるウェーハ搬送機構を示す正面
図である。
装置の一実施形態における第1〜第4搬送部を示す縦断
面図である。
装置の一実施形態における表面研磨室および表面研磨機
構を示す縦断面図である。
磨装置の一実施形態における表面研磨室および表面研磨
機構を示す一部を破断した平面図である。
磨装置の一実施形態における表面研磨機構の要部を示す
縦断面図である。
磨装置の一実施形態における研磨ドラムを示す断面図で
ある。
磨装置の一実施形態におけるウェーハ収納機構を示す縦
断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体ウェーハの周縁に形成された面取
り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面研磨方法であ
って、 前記半導体ウェーハをその円周方向に回転させた状態
で、前記面取り面に研磨液を供給しながら研磨布を押圧
状態に当接させて弾性変形させるとともに、該研磨布を
面取り面の傾斜に沿って半導体ウェーハの外縁から中心
に向けて摺動させ、半導体ウェーハの外側面に当接する
研磨布の盛り上がり部を形成して、半導体ウェーハの面
取り面とともに外側面も研磨することを特徴とする半導
体ウェーハの面取り面研磨方法。 - 【請求項2】 半導体ウェーハの周縁に形成された面取
り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面研磨装置であ
って、 前記半導体ウェーハを保持し、該半導体ウェーハをその
円周方向に回転可能に支持するウェーハ回転機構と、 該ウェーハ回転機構に保持された半導体ウェーハの面取
り面に研磨液を供給しながら研磨布を押圧状態に当接さ
せて弾性変形させるとともに、該研磨布を面取り面の傾
斜に沿って半導体ウェーハの外縁から中心に向けて摺動
可能に支持する研磨布駆動機構とを備えることを特徴と
する半導体ウェーハの面取り面研磨装置。 - 【請求項3】 請求項2記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置において、 前記研磨布駆動機構は、前記半導体ウェーハの表裏面と
平行な軸線を有して回転可能に支持された研磨ドラム
と、 該研磨ドラムを回転させるドラム駆動手段とを備え、 前記研磨布は、前記研磨ドラムの外周面を覆って設けら
れていることを特徴とする半導体ウェーハの面取り面研
磨装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19909596A JP3605233B2 (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 半導体ウェーハの面取り面研磨方法および装置 |
TW086110543A TW374043B (en) | 1996-07-29 | 1997-07-24 | Method and apparatus for polishing chamfers of semiconductor wafers |
DE19732433A DE19732433A1 (de) | 1996-07-29 | 1997-07-28 | Verfahren und Gerät zum Polieren von Schrägkanten von Halbleiterwafern |
US08/902,193 US5989105A (en) | 1996-07-29 | 1997-07-29 | Method and apparatus for polishing chamfers of semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1044007A true JPH1044007A (ja) | 1998-02-17 |
JP3605233B2 JP3605233B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=16402043
Family Applications (1)
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JP19909596A Expired - Fee Related JP3605233B2 (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 半導体ウェーハの面取り面研磨方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3605233B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000340530A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
-
1996
- 1996-07-29 JP JP19909596A patent/JP3605233B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2000340530A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
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