JPH10100052A - 半導体ウェーハの面取り面研磨装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェーハの面取り面研磨装置におい
て、研磨ドラムに研磨布を容易かつ確実に取り付けるこ
とができるとともに、半導体ウェーハにダメージが少な
い良好な研磨加工を施すことを課題とする。 【解決手段】 半導体ウェーハＷの周縁に形成された面
取り面Ｍに研磨液を供給するとともに研磨布１１１を押
圧状態に摺動させて前記面取り面を研磨する半導体ウェ
ーハの面取り面研磨装置であって、回転可能に支持され
る本体ホイール１１０の外周面に前記研磨布が設けられ
回転状態で該研磨布を前記面取り面に当接させて該面取
り面を研磨する研磨ドラム９０と、該研磨ドラムを回転
させるドラム駆動手段９１とを備え、前記研磨布は、円
環状の単位研磨布１１１ａが前記本体ホイールに外挿状
態に複数枚積層されて円筒状に形成されている技術が採
用される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
周縁に形成された面取り面を研磨する半導体ウェーハの
面取り面研磨方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコンウェーハ等の半導体ウェーハの
周縁に形成された面取り面を食刻加工（エッチング）す
る技術として、ＣＣＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｒｎｅ
ｒ Ｒｏｕｎｄｉｎｇ）加工が知られているが、このＣ
ＣＲ加工を施した場合、面取り面と半導体ウェーハ表裏
面との境界部分に突起が形成される。この突起は微小で
あるが、半導体ウェーハを樹脂製のカセットに収容した
とき、これがカセットに接触してカセットを削り、微小
な削り屑を生じてしまう。この削り屑が半導体ウェーハ
の性能を劣化させる原因となることはいうまでもない。

【０００３】そこで、ＣＣＲ加工とは別に半導体ウェー
ハの面取り面にＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）加工を施すことが知
られている。このＣＭＰ加工は、半導体ウェーハの面取
り面に向けて研磨液を供給しながら研磨布によって研磨
する技術であって、従来、このＣＭＰ加工を実施する装
置としては、研磨布が巻回された研磨ドラムを、その軸
線が半導体ウェーハの回転軸に対して傾斜した状態で回
転可能に支持し、この研磨ドラムを回転させながら半導
体ウェーハの面取り面に押し付けることによって研磨を
行なっていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体ウェーハの面取り面研磨装置には、以下のよ
うな課題が残されている。すなわち、上記研磨ドラム
は、一枚布の研磨布を巻回させるとともに斜めにカット
された継ぎ目を合わせて接着剤で貼設することにより作
製されるので、研磨布の貼り付け作業に多大な時間と手
間がかかるとともに、剥がれやすいという不都合があ
る。また、貼設された研磨布は継ぎ目を有するので、該
継ぎ目に少なからず段差等が生じ、研磨する半導体ウェ
ーハにダメージを与えるおそれもある。

【０００５】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、研磨ドラムに研磨布を容易かつ確実に取り付ける
ことができるとともに、半導体ウェーハにダメージが少
ない良好な研磨加工を施すことができる半導体ウェーハ
の面取り面研磨装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の半導体ウェーハの面取り面研磨装置では、半導
体ウェーハの周縁に形成された面取り面に研磨液を供給
するとともに研磨布を押圧状態に摺動させて前記面取り
面を研磨する半導体ウェーハの面取り面研磨装置であっ
て、回転可能に支持される本体ホイールの外周面に前記
研磨布が設けられ回転状態で該研磨布を前記面取り面に
当接させて該面取り面を研磨する研磨ドラムと、該研磨
ドラムを回転させるドラム駆動手段とを備え、前記研磨
布は、円環状の単位研磨布が前記本体ホイールに外挿状
態に複数枚積層されて円筒状に形成されている技術が採
用される。

【０００７】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、研磨布が前記本体ホイールに外挿かつ積層状態の複
数の円環状の単位研磨布によって形成されているので、
研磨布を取り付ける際には、本体ホイールに単位研磨布
を複数枚外挿させて積層するだけで容易に円筒状の研磨
布が研磨ドラムに形成される。また、円環状の単位研磨
布で形成される研磨布の円周方向は継ぎ目の無い無端状
であるため、剥がれ等が生じないとともに半導体ウェー
ハにダメージを与え難い。さらに、研磨布の厚みは単位
研磨布の内径および外径で設定され、該設定を変えるこ
とによって所定の弾性が得られる。また、研磨布表面が
摩耗によって品質が低下しても、該表面を削り落とすこ
とによって新たな研磨布表面が得られるので、さらに長
期に亙って研磨が可能である。

【０００８】請求項２記載の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置では、請求項２記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置において、前記単位研磨布は、繊維の向きが
一定でない不織布で形成されている技術が採用される。

【０００９】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、単位研磨布が不織布で形成され、単位研磨布の繊維
がばらばらな向きで配されているので、単位研磨布の外
周縁および外周縁近傍の表裏面のいずれの部分が面取り
面に当接しても良好な研磨特性が得られる。

【００１０】請求項３記載の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置では、請求項１または２記載の半導体ウェーハ
の面取り面研磨装置において、前記研磨布の軸線方向両
端側には、該研磨布より高い剛性を有して研磨布を支持
する円環状の補強板が設けられている技術が採用され
る。

【００１１】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、研磨布の軸線方向両端側に該研磨布より高い剛性を
有する円環状の補強板が設けられているので、研磨布の
軸線方向両端側における単位研磨布を軸線方向に支持
し、単位研磨布が軸線方向に広がって互いに離間したり
折れ曲がることが防止される。

【００１２】請求項４記載の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置では、請求項１から３のいずれかに記載の半導
体ウェーハの面取り面研磨装置において、前記研磨布の
軸線方向両端側には、該研磨布を軸線方向に押圧状態に
挟持する円環状の押え板が設けられている技術が採用さ
れる。

【００１３】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、研磨布の軸線方向両端側に該研磨布を軸線方向に押
圧状態に挟持する円環状の押え板が設けられているの
で、弾性体である各単位研磨布を軸線方向に所定の押圧
力で挟持することによって、研磨布が軸線方向に所定量
圧縮されて弾性調整が可能となる。

【００１４】請求項５記載の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置では、請求項１から４のいずれかに記載の半導
体ウェーハの面取り面研磨装置において、前記研磨布
は、一部の前記単位研磨布の外径が他の単位研磨布より
大きく設定されている技術が採用される。

【００１５】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、例えば半導体ウェーハがノッチ部分を有している場
合に、一部の単位研磨布の外径が他の単位研磨布より大
きく設定され、前記外径の大きい単位研磨布の部分が他
の単位研磨布より突出しているので、外径の大きい単位
研磨布の外周縁をノッチ部分の面取り面に当接させるこ
とによって、ノッチ部分の奥まで面取り面の研磨が可能
となる。また、ノッチ部分以外の面取り面を、他の単位
研磨布の部分で研磨することによって、ノッチ部分を含
んだ半導体ウェーハの全周の面取り面が一種類の研磨ド
ラムで研磨可能である。

【００１６】請求項６記載の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置では、請求項５記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置において、前記ドラム駆動手段は、前記研磨
布を前記半導体ウェーハの周縁に当接させた状態で該半
導体ウェーハの当接部分の接線方向に前記研磨ドラムを
進退させるドラム移動機構を備えている技術が採用され
る。

【００１７】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、ドラム駆動手段が、半導体ウェーハの当接部分の接
線方向に研磨ドラムを進退させるドラム移動機構を備え
ているので、ノッチ部分に外径の大きい単位研磨布の外
周縁を当接させて研磨ドラムを回転させ、さらにドラム
移動機構によって研磨ドラムを当接部分（ノッチ部分）
の接線方向に所定量進退させることにより、ノッチ部分
内側の径方向のみならず周方向にも所定の押圧力が加わ
り、ノッチ部分内側の全体が一様に研磨される。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体ウェー
ハの面取り面研磨装置の第１実施形態を図１から図１３
を参照しながら説明する。これらの図にあって、符号１
はウェーハ取り出し機構、２はウェーハ位置決めユニッ
ト、３はウェーハ搬送機構、４は表面研磨室、５は表面
研磨室移送機構、６は表面研磨機構、７は裏面研磨室、
８は裏面研磨室移送機構、９は裏面研磨機構、１０はウ
ェーハ収納機構を示している。

【００１９】本実施形態の半導体ウェーハの面取り面研
磨装置は、図２および図３に示すように、半導体ウェー
ハＷをカセットＣ１から取り出すウェーハ取り出し機構
１と、該ウェーハ取り出し機構１から取り出された半導
体ウェーハＷの位置決めを行うウェーハ位置決めユニッ
ト２と、該ウェーハ位置決めユニット２で位置決めされ
た半導体ウェーハＷを搬送して半導体ウェーハＷの表面
側および裏面側の研磨工程に送るウェーハ搬送機構３
と、該ウェーハ搬送機構３で搬送される半導体ウェーハ
Ｗをその表面側の研磨が行われる表面研磨室４へ移送し
研磨後にウェーハ搬送機構３へと戻す表面研磨室移送機
構５と、表面研磨室４において半導体ウェーハＷの表面
側を研磨する表面研磨機構６と、表面側が研磨され再び
ウェーハ搬送機構３で搬送される半導体ウェーハＷをそ
の裏面側の研磨が行われる裏面研磨室７へ移送し研磨後
にウェーハ搬送機構３へと戻す裏面研磨室移送機構８
と、裏面研磨室７において半導体ウェーハＷの裏面側を
研磨する裏面研磨機構９と、裏面側が研磨され再びウェ
ーハ搬送機構３で搬送される半導体ウェーハＷを収納用
カセットＣ２へと移載するウェーハ収納機構１０と、前
記各機構に電気的に接続されこれらを制御する操作制御
部１２とを備えている。

【００２０】前記ウェーハ取り出し機構１は、図２から
図４に示すように、カセット載置用テーブル１３と、該
カセット載置用テーブル１３の上面に中央部を囲むよう
に載置された４つのカセットＣ１と、カセット載置用テ
ーブル１３の中央部に設けられ所定のカセットＣ１から
半導体ウェーハＷを取り出し用ハンド１４で吸着し一枚
づつ取り出してウェーハ搬送機構３へと移載するローダ
ーユニット１５とを備えている。

【００２１】前記各カセットＣ１は、収納されている複
数の半導体ウェーハＷが水平状態となるように載置さ
れ、各半導体ウェーハＷを取り出す方向がカセット載置
用テーブル１３の中央部に向かうように設置される。ま
た、前記ローダーユニット１５は、水平方向に延在する
取り出し用ハンド１４をカセット載置用テーブル１３の
上面中央部に配した状態で該カセット載置用テーブル１
３内に設置されている。前記取り出し用ハンド１４は、
ローダーユニット１５の垂直軸線を中心に回転可能かつ
延在方向に進退可能とされているとともに、上下動可能
に支持されている。

【００２２】前記ウェーハ位置決めユニット２は、前記
カセット載置用テーブル１３に隣接状態に設置された基
台１６上のカセット載置用テーブル１３側端部に設置さ
れ、カセットＣ１から取り出された半導体ウェーハＷを
載置台２ａ上でセンタリング（芯出し）およびオリエン
テーションフラット（オリフラ）の方向決めを行うもの
である。

【００２３】前記ウェーハ搬送機構３は、図５および図
６に示すように、ウェーハ位置決めユニット２によって
位置決めされた半導体ウェーハＷを第１受け渡し部２０
で表面研磨室移送機構５に受け渡す第１搬送部２１と、
表面研磨機構６によって表面側が研磨された半導体ウェ
ーハＷを表面研磨室移送機構５から第１受け渡し部２０
で受け取って移送し第２受け渡し部２２で半導体ウェー
ハＷを反転させる第２搬送部２３と、該第２搬送部２３
によって反転された半導体ウェーハＷを受け取って第３
受け渡し部２４で裏面研磨室移送機構８に受け渡す第３
搬送部２５と、裏面研磨機構９によって裏面側が研磨さ
れた半導体ウェーハＷを裏面研磨室移送機構８から受け
取って第４受け渡し部２６でウェーハ収納機構１０に受
け渡す第４搬送部２７とから構成されている。

【００２４】前記第１〜第４受け渡し部２０、２２、２
４、２６は、基台１６上部にカセット載置用テーブル１
３側の端部から順に長手方向に配され、前記第１〜第４
搬送部２１、２３、２５、２７は、前記第１〜第４受け
渡し部２０、２２、２４、２６の一側面に沿ってカセッ
ト載置用テーブル１３側の端部から順に設けられてい
る。

【００２５】前記第１搬送部２１は、先端部に形成され
た円弧状の吸着溝２８ａで半導体ウェーハＷを吸着して
支持する第１ハンド２８と、該第１ハンド２８をローダ
ーユニット１５と第１受け渡し部２０との間で水平移動
可能に支持する第１ロッドレスシリンダ２９と、第１ハ
ンド２８を上下動可能に支持する第１上下動シリンダ３
０と、前記第１ハンド２８の吸着溝２８ａ、第１ロッド
レスシリンダ２９および第１上下動シリンダ３０にそれ
ぞれ個別に接続された圧縮空気供給用の各配管を束ねた
第１配管部３１とを備えている。

【００２６】前記第１ロッドレスシリンダ２９は、その
両端部が第１受け渡し部２０の一側面に水平状態に固定
され、第１ロッドレスシリンダ２９の第１可動部３２に
は、第１ハンド２８の基端部が上下動可能に支持される
とともに前記第１上下動シリンダ３０が設置されてい
る。また、第１可動部３２は、第１ロッドレスシリンダ
２９と平行してその上方に配された第１ガイド部３３に
水平移動可能に支持されている。前記第１ハンド２８
は、基台１６の長手方向に直交する方向に水平状態に延
在するとともに、その基端部が、第１上下動シリンダ３
０のピストン部３０ａ先端部と連結部材３４を介して接
続されている。

【００２７】前記第２搬送部２３は、先端部に形成され
た２つの吸着孔３５ａで半導体ウェーハＷを吸着して支
持する第２ハンド３５と、該第２ハンド３５を第１受け
渡し部２０と第２受け渡し部２２との間で水平移動可能
に支持する第２ロッドレスシリンダ３６と、第２ハンド
３５を上下動可能に支持する第２上下動シリンダ３７
と、前記第２ハンド３５の吸着孔３５ａ、第２ロッドレ
スシリンダ３６および第２上下動シリンダ３７にそれぞ
れ個別に接続された圧縮空気供給用の各配管を束ねた第
２配管部３８とを備えている。

【００２８】前記第２ロッドレスシリンダ３６は、その
両端部が第１受け渡し部２０および第２受け渡し部２２
のそれぞれの一側面に水平状態に固定され、第２ロッド
レスシリンダ３６の第２可動部３９には、第２ハンド３
５の基端部が上下動かつ回転可能に支持されるとともに
前記第２上下動シリンダ３７が設置されている。また、
第２可動部３９は、第２ロッドレスシリンダ３６と平行
してその上方に配された第２ガイド部４０に水平移動可
能に支持されている。

【００２９】前記第２ハンド３５は、基台１６の長手方
向に直交する方向に水平状態に延在するとともに、その
基端部が、第２上下動シリンダ３７のピストン部３７ａ
先端部と連結部材４１を介して接続されている。また、
第２ハンド３５の基端部には、第２ハンド３５の延在方
向を軸線として第２ハンド３５を回転可能に支持する反
転用アクチュエータ４２が設けられている。

【００３０】前記第３搬送部２５は、先端部に形成され
た２つの吸着孔４３ａで半導体ウェーハＷを吸着して支
持する第３ハンド４３と、該第３ハンド４３を第２受け
渡し部２２と第３受け渡し部２４との間で水平移動可能
に支持する第３ロッドレスシリンダ４４と、第３ハンド
４３を上下動可能に支持する第３上下動シリンダ４５
と、前記第３ハンド４３の吸着孔３５ａ、第３ロッドレ
スシリンダ４４および第３上下動シリンダ４５にそれぞ
れ個別に接続された圧縮空気供給用の各配管を束ねた第
３配管部４６とを備えている。

【００３１】前記第３ロッドレスシリンダ４４は、その
両端部が第２受け渡し部２２および第３受け渡し部２４
のそれぞれの一側面に水平状態に固定され、第３ロッド
レスシリンダ４４の第３可動部４７には、第３ハンド４
３の基端部が上下動可能に支持されるとともに前記第３
上下動シリンダ４５が設置されている。また、第３可動
部４７は、第３ロッドレスシリンダ４４と平行してその
上方に配された第３ガイド部４８に水平移動可能に支持
されている。前記第３ハンド４３は、第２ハンド３５と
同様に、基台１６の長手方向に直交する方向に水平状態
に延在するとともに、その基端部が、連結部材４９を介
して第３上下動シリンダ４５のピストン部４５ａ先端部
と接続されている。

【００３２】前記第４搬送部２７は、半導体ウェーハＷ
を載置する第４ハンド５０と、該第４ハンド５０を第３
受け渡し部２４と第４受け渡し部２６との間で水平移動
可能に支持する第４ロッドレスシリンダ５１とを備えて
いる。前記第４ロッドレスシリンダ５１は、その両端部
が第３受け渡し部２４および第４受け渡し部２６のそれ
ぞれの一側面に水平状態に固定され、第４ロッドレスシ
リンダ５１の第４可動部５２には、第４ハンド５０の基
端部が上下動可能に支持されている。

【００３３】前記第４ハンド５０は、基台１６の長手方
向に直交する方向に向けて延在するとともに、その先端
部が基端部より低い位置で水平状態に配されている。第
４ハンド５０の先端部は、載置される半導体ウェーハＷ
の直径と同幅に設定され、また該半導体ウェーハＷの外
縁部に当接して位置決めする突起部５０ａが４つ設けら
れている。

【００３４】また、第４受け渡し部２６には、基台１６
の長手方向端部に第４受け渡し部２６に移動された第４
ハンド５０を昇降可能に支持するハンド昇降用エアシリ
ンダ５３が設けられている。該ハンド昇降用エアシリン
ダ５３は、上下方向に延在して配され、そのシリンダロ
ッド５３ａの先端部には、第４ハンド５０の側部がはめ
込まれる第４ハンド支持部材５３ｂが取り付けられてい
る。

【００３５】前記第１受け渡し部２０は、図７に示すよ
うに、ローダーユニット１５に隣接して設けられた矩形
状の水槽であり、内部に洗浄用の純水が供給されて満た
されている。また、前記第２受け渡し部２２は、第１受
け渡し部２０に隣接し該第１受け渡し部２０より深く設
定された矩形状の水槽であり、第１受け渡し部２０等か
ら溢れた純水が流れ込むように設定され底部に該純水が
排水される洗浄水排水孔５４が形成されている。前記第
３受け渡し部２４および前記第４受け渡し部２６は、前
記第２受け渡し部２２に隣接し前記第１受け渡し部２０
と同じ深さに設定された矩形状の水槽であり、互いに連
通状態とされ内部に洗浄用の純水が供給されて満たされ
ている。

【００３６】前記表面研磨室移送機構５は、図８に示す
ように、第１受け渡し部２０および表面研磨室４におい
て半導体ウェーハＷをそれぞれ上方から吸着状態に支持
する一対のウェーハ吸着盤５４と、これらウェーハ吸着
盤５４を上下動かつ回転可能にそれぞれ支持する一対の
吸着盤支持部５５と、これら吸着盤支持部５５を第１受
け渡し部２０と表面研磨室４との間に立設された回転可
能な旋回軸部材５６で支持するとともに該旋回軸部材５
６を中心に旋回させる旋回機構５７とを備えている。す
なわち、一対のウェーハ吸着盤５４は、旋回軸部材５６
を中心に対称な位置に配されている。

【００３７】一方、前記裏面研磨室移送機構８は、第３
受け渡し部２４および裏面研磨室７において半導体ウェ
ーハＷをそれぞれ上方から吸着状態に支持する一対のウ
ェーハ吸着盤５４と、これらウェーハ吸着盤５４を上下
動かつ回転可能にそれぞれ支持する一対の吸着盤支持部
５５と、これら吸着盤支持部５５を第３受け渡し部２４
と裏面研磨室７との間に立設された回転可能な旋回軸部
材５６を中心に旋回させる旋回機構５７とを備えてい
る。

【００３８】前記旋回機構５７は、前記旋回軸部材５６
を回転させる旋回用ロータリーアクチュエータ５８と、
旋回軸部材５６を挿通状態に回転可能に支持する筒状支
持部材５９とを備えている。前記旋回用ロータリーアク
チュエータ５８は、表面研磨室４または裏面研磨室７の
下方にそれぞれ設置されるとともに回転駆動軸６０に固
定された連結ギヤ６１が旋回軸部材５６の下部に固定さ
れた下部ギヤ６２に噛み合わされている。前記筒状支持
部材５９は、基台１６の中央部を貫通状態とされ、下部
の外周に設けられた下部フランジ部６３が基台１６上面
に固定されて支持されている。

【００３９】前記旋回軸部材５６の下端には、半径方向
外方に延在する棒状の旋回ストッパ６４が固定されると
ともに、基台１６の上部裏面には、旋回位置決め部６５
が所定位置の２箇所（１箇所図示せず）に固定されてい
る。該旋回位置決め部６５は、旋回ストッパ６４の先端
部が所定量旋回して係止する位置、すなわちにウェーハ
吸着盤５４が、第１受け渡し部２０の上部または表面研
磨室４の上部まで旋回する場合および第３受け渡し部２
４の上部または裏面研磨室７の上部まで旋回する場合に
それぞれ相当する位置に設けられている。また、旋回位
置決め部６５は、旋回ストッパ６４の先端部が当接する
際の衝撃を吸収するショックアブソーバ６６と係止位置
を微調整する位置決めボルト６７とを下部側面に備えて
いる。

【００４０】前記旋回軸部材５６の上端には、上部フラ
ンジ部６８が設けられ、該上部フランジ部６８の上部に
は、円筒部材６９が軸線を同じくして固定されている。
該円筒部材６９の外周面には、上下方向に延在して配さ
れた一対の吸着盤昇降用エアシリンダ７０が互いに円筒
部材６９の軸線に対して対称な位置に設けられている。
これら吸着盤昇降用エアシリンダ７０は、上部に固定さ
れたシリンダ部７０ａと該シリンダ部７０ａ内から上下
方向に進退可能とされたシリンダロッド部７０ｂとを備
えている。該シリンダロッド部７０ｂに先端部には、前
記吸着盤支持部５５が固定されている。

【００４１】該吸着盤支持部５５は、シリンダロッド部
７０ｂの先端部に固定された枠部７１と、該枠部７１の
上部に固定された回転モータ７２と、該回転モータ７２
の回転駆動軸に接続されその回転数を減速する減速機７
３ａと、該減速機７３ａによって減速されたウェーハ吸
着盤５４の回転角を検出する回転角検出センサ７３ｂ
と、減速機７３ａの回転軸に接続され上下方向の軸線を
中心として回転可能に枠部７１の下端に支持された支持
ロッド７４とを備えている。該支持ロッド７４は、図示
しない吸引手段に接続され上下に貫通する接続孔７４ａ
が内部に形成されている。

【００４２】前記ウェーハ吸着盤５４は、前記支持ロッ
ド７４の下端に上面が固定され、軸線を同じくして前記
回転モータ７２の回転によって回転可能とされている。
また、ウェーハ吸着盤５４は、吸着する半導体ウェーハ
Ｗより所定量小さな径に設定されるとともにオリフラに
対応して一部が切欠部とされた円盤状に形成され、水切
り性を高めるために略円錐形状とされている。さらに、
ウェーハ吸着盤５４の下面には、前記接続孔７４ａに接
続された吸引孔（図示せず）が形成されている。すなわ
ち、ウェーハ吸着盤５４および吸着盤支持部５５は、半
導体ウェーハＷを保持し、該半導体ウェーハＷをその円
周方向に回転可能に支持するウェーハ回転機構として機
能する。

【００４３】前記表面研磨室４および前記裏面研磨室７
は、図８および図９に示すように、旋回軸部材５６に対
して第１受け渡し部２０および第３受け渡し部２４の反
対側にそれぞれ配置され、研磨室側板７５、研磨室天板
７６、研磨室シャッタ７７および研磨室底板７８とから
構成されている。該研磨室底板７８は、中央部外方に向
かって傾斜状態に設定され、その最下部には、研磨時に
使用された研磨液を排水する研磨液排水孔７９が形成さ
れている。該研磨液排水孔７９は、使用済み研磨液を再
使用するための排液貯留部（図示せず）に接続されてい
る。なお、研磨室側板７５の下部には、ミスト抜き用の
ミスト取り出し口７５ａが設けられている。

【００４４】前記研磨室天板７６は、表面研磨室４およ
び裏面研磨室７の上方をそれぞれ覆って配され、その中
央部には、ウェーハ吸着盤５４に吸着された半導体ウェ
ーハＷの外径より若干大きく設定された内径を有する円
形の天板開口部７６ａが形成されている。また、研磨室
天板７６は、外側の研磨室側板７５の直上部分に基台１
６の長手方向に伸縮可能に支持された一対のシャッタ用
エアシリンダ８０を備え、これらシャッタ用エアシリン
ダ８０のシリンダロッド８０ａの先端部には連結部材８
１を介して一対の板状の研磨室シャッタ７７がそれぞれ
固定されている。

【００４５】前記連結部材８１には、貫通孔８１ａが形
成され、該貫通孔８１ａには研磨室天板７６上に設けら
れたガイド棒８２が挿通状態とされている。すなわち、
連結部材８１、ガイド棒８２にガイドされて基台１６の
長手方向に水平移動可能に支持されている。これらの研
磨室シャッタ７７は、研磨室天板７６に沿って表面研磨
室４および裏面研磨室７をそれぞれ覆って配されるとと
もに、前記シャッタ用エアシリンダ８０の伸縮によって
基台１６の長手方向に開閉可能に研磨室天板７６に支持
されている。また、前記一対の研磨室シャッタ７７は、
互いに対向する内縁部に半円状の切欠部７７ａが形成さ
れ、閉口時に前記支持ロッド７４の径より若干大きな内
径を有する円形の開口部が中央部に形成される。

【００４６】前記研磨室天板７６は、周縁部に上方に突
出し研磨室天板７６上面を囲むように配された研磨室天
板周壁部８３が設けられている。また、表面研磨室４と
第１受け渡し部２０との間および裏面研磨室７と第３受
け渡し部２４との間には、中間部天板８４がそれぞれ設
けられ、これら中間部天板８４には、周縁部に上方に突
出し中間部天板８４上面を囲むように配された中間部天
板周壁部８５が設けられている。

【００４７】前記中間部天板８４は、第１受け渡し部２
０および第３受け渡し部２４の旋回軸部材５６側の側板
２０ａ，２４ａ上部に一側縁がそれぞれ配され、その他
側縁は表面研磨室４および裏面研磨室７の研磨室側板７
５外側面にそれぞれ配されている。すなわち、中間部天
板８４は、研磨室天板７６より低い位置に配されかつ第
１受け渡し部２０および第３受け渡し部２４より高い位
置に配されている。

【００４８】前記研磨室天板周壁部８３は、突出量が他
の部分より小さくされた第１低壁部８３ａが中間部天板
８４側に形成され、また前記中間部天板周壁部８５は、
突出量が他の部分より小さくされた第２低壁部８５ａが
第１受け渡し部２０側および第３受け渡し部２４側にそ
れぞれ形成されている。また、研磨室天板７６および中
間部天板８４上には、洗浄水が供給されるとともに研磨
室天板周壁部８３および中間部天板周壁部８５によって
浅く貯められている。

【００４９】前記表面研磨機構６および前記裏面研磨機
構９は、図９から図１１に示すように、表面研磨室４内
および裏面研磨室７内でそれぞれウェーハ吸着盤５４に
よって保持状態の半導体ウェーハＷを中心に基台１６の
長手方向両側に配されかつ半導体ウェーハＷの表裏面と
平行な軸線、すなわち前記長手方向に直交する方向の軸
線を有して回転可能に支持された一対の研磨ドラム９０
と、これらの研磨ドラム９０をそれぞれ回転駆動すると
ともに移動させる一対のドラム駆動手段９１と、研磨時
に研磨液を研磨ドラム９０上に供給するとともに半導体
ウェーハＷの面取り面にも供給する研磨液供給手段９２
とをそれぞれ備えている。

【００５０】前記ドラム駆動手段９１は、研磨ドラム９
０を基台１６の長手方向に直交する方向に進退移動させ
るドラム直動ユニット部９３と、該ドラム直動ユニット
部９３に揺動可能に支持され研磨ドラム９０を先端部に
接続するとともに該研磨ドラム９０を半導体ウェーハＷ
の面取り面に押圧状態に当接させるとともに半導体ウェ
ーハＷの軸線に向かう方向に摺動可能に支持するドラム
支持部９４とを備えている。

【００５１】前記ドラム直動ユニット部９３は、第１受
け渡し部２０と表面研磨室４との間および第３受け渡し
部２４と裏面研磨室７との間にそれぞれ配され、基台１
６上に固定され図示しないボールネジおよび該ボールネ
ジを回転駆動するサーボモータ等を内蔵したユニット本
体９４と、該ボールネジに螺着されボールネジに沿って
移動可能な直動部９５とを備えている。

【００５２】前記ドラム支持部９４は、前記直動部９５
の上部に設けられたピボット軸受部９５ａに揺動可能に
上端部が支持された揺動腕部９６と、該揺動腕部９６の
下端部に固定され基台１６の長手方向に直交する方向に
延在して配されるとともに先端部に研磨ドラム９０を回
転可能に支持するドラム支持軸部９７とを備えている。
前記揺動腕部９６は、上端部に貫通孔９６ａが形成さ
れ、該貫通孔９６ａに挿通されるとともに前記ピボット
軸受部９５ａに両端部が回転可能に支持される揺動用ロ
ッド９６ｂを備えている。

【００５３】前記ドラム支持軸部９７は、前記揺動腕部
９６の下端部に固定され表面研磨室４内側の研磨室側板
７５に貫通状態のドラム用筒状部材９８と、該ドラム用
筒状部材９８内に軸線を同じくするとともに軸受部９８
ａを介して回転可能に挿通されたドラム回転軸部材９９
とを備えている。該ドラム回転軸部材９９は、先端部に
研磨ドラム９０が軸線を同じくして固定され、後端部に
図示しない回転駆動源が接続されている。

【００５４】前記揺動腕部９６の上端部および直動部９
５の下部は、バランス用バネ１００で連結されていると
ともに、揺動腕部９６の下端部および直動部９５の下部
は、押圧用エアシリンダ１０１で連結されている。前記
バランス用バネ１００は、揺動腕部９６によって支持さ
れているドラム支持軸部９７を一定高さに保持して、該
ドラム支持軸部９７に取り付けられている研磨ドラム９
０の高さ位置を設定するものである。

【００５５】また、前記押圧用エアシリンダ１０１は、
研磨時に、バランス用バネ１００によって一定高さに保
持されたドラム支持軸部９７をウェーハ吸着盤５４に吸
着状態の半導体ウェーハＷへ向けた斜め上方に一定の押
圧力で押し、ドラム支持軸部９７に取り付けられている
回転状態の研磨ドラム９０外周面を表面研磨機構６にお
いては半導体ウェーハＷの表面側の面取り面に、裏面研
磨機構９においては半導体ウェーハＷの裏面側の面取り
面に、それぞれ押圧させるものである。

【００５６】前記ドラム用筒状部材９８の先端には、研
磨ドラム９０の外周面半分を覆うドラム用カバー１０２
が取り付けられている。該ドラム用カバー１０２は、ド
ラム用筒状部材９８に固定され研磨ドラム９０の内側面
に近接状態に配された円盤部１０２ａと、研磨ドラム９
０の外周面のうち表面研磨室４内および裏面研磨室７内
にそれぞれ配された半導体ウェーハＷに対して反対側の
半分を近接状態で覆う円弧状板部１０２ｂとを備えてい
る。

【００５７】なお、前記円盤部１０２ａと表面研磨室４
内側の研磨室側板９５との間および前記円盤部１０２ａ
と裏面研磨室７内側の研磨室側板９５との間には、表面
研磨室４内および裏面研磨室７内のドラム用筒状部材９
８を覆う蛇腹部材１０３がそれぞれ取り付けられてい
る。これら蛇腹部材１０３は、研磨時に研磨液がドラム
用筒状部材９８内等に入り込むことを防止するものであ
る。

【００５８】前記研磨液供給手段９２は、前記ドラム用
カバー１０２の円弧状板部１０２ｂの上部に取り付けら
れた複数の供給ノズル１０４と、これら供給ノズル１０
４に固定されウェーハ吸着盤５４に保持状態の半導体ウ
ェーハＷ側に配された研磨液用ブラシ１０５と、前記供
給ノズル１０４に接続され研磨液を供給する研磨液導入
手段１０６とを備えている。前記研磨液用ブラシ１０５
は、ナイロン等の弾性体で形成され、その先端部が研磨
ドラム９０の軸線方向に沿って外周面上に当接状態に配
されている。

【００５９】前記研磨液導入手段１０６は、図４に示す
ように、研磨液を貯留するスラリータンク１０７と、該
スラリータンク１０７から研磨液を吸い上げて前記供給
ノズル１０４へ導くスラリーポンプ１０８とを備えてい
る。なお、符号１０９は、使用済み研磨液を再使用する
ために用いる排出ミスト除去用のサイクロンである。

【００６０】前記研磨ドラム９０は、図１に示すよう
に、ドラム回転軸部材９９先端部に設けられた取付用フ
ランジ９９ａに軸線を同じくしてボルト１０９で固定さ
れるアルミニウム合金製のホイール本体１１０と、該ホ
イール本体１１０の外周面を覆って設けられた研磨布１
１１とを備えている。前記ホイール本体１１０の外周面
には、軸線に平行に延在するとともに半径方向外方に突
出する突条形状のキー１１０ａが設けられ、前記研磨布
１１１に内側からくい込んで研磨布１１１の回り止めと
されている。

【００６１】前記研磨布１１１は、繊維の向きが一定で
ない不織布で円環状に形成された単位研磨布１１１ａを
複数枚積層させ円筒状にしたものであり、ホイール本体
１１０の外周面に軸線を同じくして外挿状態に取り付け
られている。研磨布１１１の両端面には、塩化ビニール
で形成され研磨布１１１と同じ外径に設定された円環状
の補強板１１２がそれぞれ配され、これら補強板１１２
の外側面には、ステンレスで形成され研磨布１１１より
小さな外径に設定された円環状の押え板１１３がそれぞ
れ配されている。

【００６２】前記研磨布１１１は、圧縮率が６〜１０％
に設定され、本実施形態では８％の圧縮率にセットされ
ている。また、研磨布１１１の半径方向の厚さは、半導
体ウェーハＷの４倍程度に設定され、例えば半導体ウェ
ーハＷの厚さが０．７５ｍｍの場合には、３．０ｍｍの
厚さとされる。なお、前記圧縮率は、ＪＩＳ Ｌ−１０
９６に準拠するものであり、単位研磨布１１１ａに初荷
重Ｗ₀を負荷した１分後の厚さＴ₁を読み、同時に荷重Ｗ
₁に増し、１分後の厚さＴ₂を読むことによって次式で算
出される。 圧縮率（％）＝（Ｔ₁−Ｔ₂）／Ｔ₁×１００ （但し、Ｗ₀＝３００ｇ／ｃｍ²、Ｗ₁＝１８００ｇ／ｃ
ｍ²）

【００６３】研磨ドラム９０基端側の押え板１１３は、
ホイール本体１１０の基端部外周面に形成された拡径部
１１０ｂに係止され、また研磨ドラム９０先端側の押え
板１１３は、ホイール本体１１０先端面にボルト１１４
で固定された円環状の研磨布押圧板１１５によって基端
側へと押圧状態に支持されている。したがって、研磨布
１１１は、補強板１１２および押え板１１３に挟持状態
とされ一定の押圧力によって軸線方向に圧縮状態とされ
ている。

【００６４】前記ウェーハ収納機構１０は、図１２に示
すように、第３受け渡し部２４の上方に配され第３受け
渡し部２４に移送された半導体ウェーハＷを収納用ハン
ド１１６で取り出して移送するアンローダーユニット１
５と、該アンローダーユニット１５によって移送される
半導体ウェーハＷが収納される収納用カセットＣ２を所
定位置に載置する収納用カセット載置部１１７とを備え
ている。

【００６５】前記アンローダーユニット１５は、基台１
６上に立設された２つの柱部材１１８の上部に架設され
た梁部材１１９に垂下状態に支持されており、該梁部材
１１９に取り付けられた水平方向移動装置１２０によっ
て梁部材１１９の延在方向、すなわち基台１６の長手方
向に直交する方向に沿って移動可能とされている。前記
水平方向移動装置１２０の側面には、上下方向に伸縮可
能な収納用エアシリンダ１２１がその上部を固定して垂
下状態とされ、該収納用エアシリンダ１２１の下部には
先端部に収納用ハンド１１６を備えるハンド揺動回転部
１２２が支持されている。

【００６６】該ハンド揺動回転部１２２は、基台１６の
長手方向に直交する水平軸線を中心に収納用ハンド１１
６を揺動させる揺動用ロータリーアクチュエータ１２３
と、収納用ハンド１１６をその延在方向を軸線として回
転させる回転用ロータリーアクチュエータ１２４とを備
えている。前記収納用ハンド１１６は、先端部に図示し
ない吸引手段に接続された複数の吸着孔（図示せず）が
形成され、これら吸着孔によって第４受け渡し部２６に
移送された半導体ウェーハＷを吸着して支持するもので
ある。

【００６７】前記収納用カセット載置部１１７は、基台
１６の端部側の側面に設けられ、第４受け渡し部２６よ
り低い位置に配されている。この収納用カセット載置部
１１７は、基台１６の長手方向に直交する方向に４つの
収納用カセットＣ２を並べることができ純水が供給され
満たされている水槽部１２５と、該水槽部１２５内に配
され前記収納用カセットＣ２が個別に載置されて位置決
めされる４つのカセット用ハンド１２６と、水槽部１２
５と基台１６との間に設置され各カセット用ハンド１２
６を個別に昇降可能に支持する４つのカセット昇降用エ
アシリンダ１２７とを備えている。

【００６８】前記収納用カセットＣ２は、半導体ウェー
ハＷの載置位置がその表裏面が基台１６の長手方向に平
行にかつ半導体ウェーハＷの軸線が水平状態になるよう
に設定されている。また、前記カセット用ハンド１２６
は、縦断面Ｌ字状に形成され、その上部が対応する前記
カセット昇降用エアシリンダ１２７のシリンダロッド１
２７ａ先端に固定されている。

【００６９】次に、本発明に係る半導体ウェーハの面取
り面研磨装置の第１実施形態における半導体ウェーハの
面取り面研磨方法について、〔ウェーハ取り出し工
程〕、〔ウェーハ位置決め工程〕、〔表面研磨工程〕、
〔ウェーハ反転工程〕、〔裏面研磨工程〕および〔ウェ
ーハ収納工程〕とに分けて説明する。

【００７０】〔ウェーハ取り出し工程〕まず、研磨処理
前の半導体ウェーハＷを入れたカセットＣ１を、半導体
ウェーハＷの表面が下方に向くようにカセット載置用テ
ーブル１３上の所定位置にセットする。

【００７１】ローダーユニット１５を駆動して、取り出
し用ハンド１４を上下動させるとともにカセット載置用
テーブル１３の中央部から所定位置の半導体ウェーハＷ
の上部に移動させ、半導体ウェーハＷを吸着保持する。
吸着後、取り出し用ハンド１４を再びカセット載置用テ
ーブル１３の中央部に戻すとともに垂直軸線を中心に回
転させ、半導体ウェーハＷを保持した先端部をウェーハ
位置決めユニット２に向ける。

【００７２】〔ウェーハ位置決め工程〕ローダーユニッ
ト１５によって半導体ウェーハＷを保持した取り出し用
ハンド１４を上方に移動させ、ウェーハ位置決めユニッ
ト２の載置台２ａに対応した高さに設定した後、取り出
し用ハンド１４をウェーハ位置決めユニット２の載置台
２ａ上へ水平移動させる。このとき、載置台２ａの下部
には、予め第１ハンド２８を配しておく。

【００７３】そして、半導体ウェーハＷを載置台２ａ上
に配した状態で吸着を解除するとともに、半導体ウェー
ハＷを開放してウェーハ位置決めユニット２に移載す
る。次に、ウェーハ位置決めユニット２を駆動して、載
置台２ａ上の半導体ウェーハＷの芯出しおよびオリフラ
の方向決めを行い、半導体ウェーハＷを所定の向きに位
置決めする。

【００７４】〔表面研磨工程〕次に、第１上下動シリン
ダ３０によって第１ハンド２８を上昇させるとともに位
置決めされた半導体ウェーハＷを上面に載置し、吸着溝
２８ａによって吸着保持する。そして、第１ロッドレス
シリンダ２９によって第１受け渡し部２０の上方へと第
１ハンド２８を水平移動して半導体ウェーハＷを第１受
け渡し部２０へ移送する。

【００７５】この状態において、予め第１受け渡し部２
０の上方に位置させたウェーハ吸着盤５４を、吸着盤昇
降用エアシリンダ７０によって吸着盤支持部５５ととも
に下降させ、半導体ウェーハＷ上に当接させる。このと
き、第１ハンド２８の吸着を解除し半導体ウェーハＷを
解放するとともに、ウェーハ吸着盤５４によって半導体
ウェーハＷを、軸線を同じくして吸着保持する。

【００７６】ウェーハ吸着盤５４が半導体ウェーハＷを
保持した状態で、旋回用ロータリーアクチュエータ５８
を駆動させて旋回軸部材５６を１８０゜回転させるとと
もにウェーハ吸着盤５４を１８０゜旋回させ、表面研磨
室４の上方に位置させる。そして、表面研磨室４の研磨
室シャッタ７７を、シャッタ用エアシリンダ８０の作動
によってスライドさせ、研磨室天板７６の天板開口部７
６ａを開口させる。

【００７７】天板開口部７６ａが開いた状態で、吸着盤
昇降用エアシリンダ７０によってウェーハ吸着盤５４を
下降させ、表面研磨室４内の所定位置に配される。この
とき、ウェーハ吸着盤５４に保持状態の半導体ウェーハ
Ｗの向きは、オリフラが基台１６の長手方向に直交する
方向に沿って配されている。さらに、この状態で、研磨
室シャッタ７７を、再びシャッタ用エアシリンダ８０の
作動によってスライドさせ、研磨室天板７６の天板開口
部７６ａを閉じる。このとき、支持ロッド７４が、互い
に当接した研磨室シャッタ７７の切欠部７７ａで形成さ
れた円形の開口部内に配される。

【００７８】次に、表面研磨室４内の一対の研磨ドラム
９０を、ドラム直動ユニット部９３を駆動することによ
って基台１６側から保持状態の半導体ウェーハＷの両側
へと移動させる。さらに、押圧用エアシリンダ１０１を
作動させ、揺動腕部９６を押し上げることによって一対
の研磨ドラム９０の研磨布１１１を、半導体ウェーハＷ
の両側から表面側の面取り面に所定の押圧力で押圧状態
に当接させる。このとき、半導体ウェーハＷのオリフラ
は、一方の研磨ドラム９０の研磨布１１１において研磨
液用ブラシ１０５の下方近傍に当接される。

【００７９】この状態で、スラリーポンプ１０８を駆動
させてスラリータンク１０７から吸い上げた研磨液を、
一方の供給ノズル１０４から研磨布１１１上に供給す
る。そして、図示しない回転駆動源を駆動させて、オリ
フラの面取り面に当接する研磨ドラム９０を、研磨布１
１１がオリフラの面取り面に沿って半導体ウェーハＷの
軸線に向かう方向に摺動する方向に回転させることによ
って研磨を行う。

【００８０】このとき、供給ノズル１０４から研磨布１
１１上に供給される研磨液は、自重と研磨ドラム９０の
回転とによって半導体ウェーハＷ側へと移動するととも
に研磨液用ブラシ１０５の先端に当接して、研磨ドラム
９０の軸線方向に広げられる。すなわち、研磨液を研磨
ドラム９０の軸線方向に一様に供給するとともに、研磨
布１１１に馴染ませるので、前記軸線方向のどの位置の
研磨布１１１においても良好な研磨性能が得られる。

【００８１】オリフラの面取り面の研磨を終了した後、
他方の研磨ドラム９０も同様に回転させるとともに、他
方の供給ノズル１０４から研磨布１１１に研磨液を供給
する。同時に、回転モータ７２を駆動させ、ウェーハ吸
着盤５４とともに半導体ウェーハＷを１８０゜（半周）
回転させる。このとき、回転モータ７２の回転は減速機
７３ａによって所定回転速度に減速されるとともに、ウ
ェーハ吸着盤５４の回転角が回転角検出センサ７３ｂに
よって検出され、半導体ウェーハＷは正確に１８０゜回
転される。すなわち、回転状態の半導体ウェーハＷの両
側に、一対の研磨ドラム９０が半導体ウェーハＷの軸線
を中心に対称的に配置されているので、半導体ウェーハ
Ｗを半周させることにより、全周に亙って表面側の面取
り面が研磨される。

【００８２】このとき、研磨布１１１を面取り面に沿っ
て半導体ウェーハＷの軸線に向かう方向に摺動させるの
で、図１３に示すように、研磨布１１１と半導体ウェー
ハＷの面取り面Ｍとの接触点において研磨布１１１が移
動する方向（図中の矢印Ａ方向）と半導体ウェーハＷの
面取り面Ｍの移動する方向とが直交するので、研磨によ
る円周方向のすじの発生が防止される。

【００８３】さらに、研磨布１１１を面取り面Ｍに押圧
状態に当接させ弾性変形させるとともに摺動させるの
で、半導体ウェーハＷの外側面Ｓに当接する研磨布１１
１の盛り上がり部１１１ｂが形成され、該盛り上がり部
１１１ｂが前記外側面Ｓに押圧状態で当接するとともに
外側面Ｓから面取り面Ｍに向かって摺動する。すなわ
ち、研磨布１１１によって面取り面Ｍの研磨が行われる
とともに、外側面Ｓについても円周方向にすじを発生さ
せることなく同時に研磨が行われる。

【００８４】また、単位研磨布１１１ａが不織布で形成
され、単位研磨布１１１ａの繊維がばらばらな向きで配
されているので、単位研磨布１１１ａの外周縁および外
周縁近傍の表裏面のいずれの部分が面取り面Ｍに当接し
ても良好な研磨特性が得られる。そして、研磨布１１１
の軸線方向両端側に該研磨布１１１より高い剛性を有す
る円環状の補強板１１２が設けられているので、研磨布
１１１の軸線方向両端側における単位研磨布１１１ａを
軸線方向に支持し、単位研磨布１１１ａが軸線方向に広
がって互いに離間したり折り曲がってしまうことが防止
される。

【００８５】また、上記研磨時において使用された研磨
液は、研磨ドラム９０から直接研磨室底板７８上に流れ
落ちるか、またはドラム用カバー１０２の円弧状板部１
０２ｂによって下方に誘導されて研磨室底板７８上に流
れ落ちる。なお、ドラム用カバー１０２の円盤部１０２
ａは、ドラム用筒状部材９８の周囲へ研磨液が飛び散る
ことを防ぎ、円弧状板部１０２ｂは、研磨室側板７５へ
研磨液が飛び散ることを防いでいる。

【００８６】研磨室底板７８上に流れ落ちた研磨液は、
傾斜に従って研磨液排水孔７９へ流れて、排液貯留部
（図示せず）へと排出される。なお、該排液貯留部の使
用済み研磨液は、再使用するためにサイクロン１０９に
よってミスト除去処理が施される。また、前記研磨ドラ
ム９０は、研磨する半導体ウェーハＷ毎にドラム直動ユ
ニット部９３によって軸線方向に所定量移動され、研磨
布１１１の外周面における広い範囲で研磨することによ
って、研磨ドラム９０の長寿命化が図られている。

【００８７】表面側の面取り面Ｍを研磨した後、研磨室
シャッタ７７をスライドさせて研磨室天板７６の天板開
口部７６ａを開口させる。そして、半導体ウェーハＷを
保持したウェーハ吸着盤５４を吸着盤昇降用エアシリン
ダ７０によって研磨室天板７６の上方まで上昇させる。

【００８８】なお、表面研磨室４において一方のウェー
ハ吸着盤５４に保持された半導体ウェーハＷの表面側の
面取り面Ｍが研磨されている間に、他方のウェーハ吸着
盤５４は、前記ウェーハ取り出し工程および前記ウェー
ハ位置決め工程を経て第１受け渡し部２０に搬送された
別の半導体ウェーハＷを、一方のウェーハ吸着盤５４と
同様にして吸着保持している。

【００８９】この状態で、旋回用ロータリーアクチュエ
ータ５８を駆動して旋回軸部材５６を回転させ、一方お
よび他方のウェーハ吸着盤５４をそれぞれ１８０゜旋回
させる。すなわち、一方のウェーハ吸着盤５４に保持さ
れた半導体ウェーハＷは、再び第１受け渡し部２０の上
方に移送されるとともに、他方のウェーハ吸着盤５４に
保持された半導体ウェーハＷは、表面研磨室４の上方に
移送され一方のウェーハ吸着盤５４に保持された半導体
ウェーハＷと同様に表面側の面取り面Ｍの研磨が行われ
る。

【００９０】旋回時において、旋回中の一方のウェーハ
吸着盤５４および保持された半導体ウェーハＷから、研
磨室天板７６および中間部天板８４上に研磨液が落ちる
場合がある。しかしながら、研磨室天板７６および中間
部天板８４には、研磨室天板周壁部８３および中間部天
板周壁部８５によって周縁部が高くされ洗浄水が貯めら
れているので、落ちた研磨液は、研磨室天板周壁部８３
および中間部天板周壁部８５から他の部分に流れ落ちな
いとともに乾いて付着することがない。

【００９１】また、中間部天板８４が研磨室天板７６よ
り低く設定されるとともに第１受け渡し部２０および第
３受け渡し部２４より高く設定され、研磨室天板周壁部
８３および中間部天板周壁部８５には第１低壁部８３ａ
および第２低壁部８５ａがそれぞれ形成されているの
で、研磨室天板７６上に落ちた研磨液は、洗浄水ととも
に第１低壁部８３ａを介して研磨室天板７６から中間部
天板８４へと流れ落ち、さらに第２低壁部８５ａを介し
て中間部天板８４から第１受け渡し部２０および第３受
け渡し部２４へと流れ落ちる。

【００９２】〔ウェーハ反転工程〕表面研磨済みの半導
体ウェーハＷを第１受け渡し部２０の上方に移送した
後、保持しているウェーハ吸着盤５４を下降させて、第
１受け渡し部２０の純水中に水没状態で位置させるとと
もに、ウェーハ吸着盤５４を所定量回転させる。このと
き、半導体ウェーハＷおよびウェーハ吸着盤５４に付着
している研磨液が、純水によって洗い落とされる。

【００９３】研磨液を洗い落とした後、再びウェーハ吸
着盤５４を上昇させ第１受け渡し部２０の上方に位置さ
せ、さらに第２ハンド３５を第２上下動シリンダ３７で
ウェーハ吸着盤５４より低い位置に設定するとともに第
１受け渡し部２０のウェーハ吸着盤５４の下方に第２ロ
ッドレスシリンダ３６によって水平移動させる。この状
態で、ウェーハ吸着盤５４を下降させるとともに半導体
ウェーハＷを第２ハンド３５上に載置する。このとき、
ウェーハ吸着盤５４の吸着を解除して半導体ウェーハＷ
を開放するとともに、第２ハンド３５の吸着孔３５ａで
半導体ウェーハＷの下面、すなわち表面側を吸着して半
導体ウェーハＷを保持する。

【００９４】次に、半導体ウェーハＷを保持した第２ハ
ンド３５を、第２ロッドレスシリンダ３６によって第２
受け渡し部２２へと水平移動する。なお、第２受け渡し
部２２に移送された第２ハンド３５は、第２受け渡し部
２２の底部に対して半導体ウェーハＷの半径より高い位
置に設定される。この状態で、反転用アクチュエータ４
２を駆動して第２ハンド３５を延在方向を軸線として１
８０゜回転させる。そして、第３ハンド４３を、第３上
下動シリンダ４５および第３ロッドレスシリンダ４４に
よって第２ハンド３５に保持された半導体ウェーハＷの
下方に移動させる。

【００９５】第３ハンド４３が第２ハンド３５の下方に
位置した後、第２ハンド３５を下降させて半導体ウェー
ハＷを第３ハンド４３上に載置する。このとき、第２ハ
ンド３５の吸着を解除して半導体ウェーハＷを開放する
とともに、第３ハンド４３の吸着孔３５ａで半導体ウェ
ーハＷの下面、すなわち裏面側を吸着して半導体ウェー
ハＷを保持する。第３ハンド４３は、半導体ウェーハＷ
を吸着した後、第３受け渡し部２４へと第３ロッドレス
シリンダ４４によって水平移動される。

【００９６】〔裏面研磨工程〕第３ハンド４３が第３受
け渡し部２４に配された後、予め第３受け渡し部２４の
上方に位置させた裏面研磨室移送機構８のウェーハ吸着
盤５４を、下降させるとともに第３ハンド４３上の半導
体ウェーハＷの上面に当接させる。このとき、第３ハン
ド４３の吸着を解除して半導体ウェーハＷを開放すると
ともに、裏面研磨室移送機構８のウェーハ吸着盤５４で
半導体ウェーハＷの上面、すなわち表面側を吸着して半
導体ウェーハＷを保持する。

【００９７】この後、表面研磨工程と同様に、裏面研磨
室移送機構８によって、裏面を下方に向けて保持した半
導体ウェーハＷを裏面研磨室７内へと移送し、裏面側の
オリフラおよび外縁部全周の面取り面の研磨を行う。こ
のとき、表面側の研磨と同様に、裏面側においても外側
面の研磨も同時に行われる。そして、裏面側の面取り面
の研磨が終了した後、表面研磨工程と同様に、裏面研磨
室移送機構８のウェーハ吸着盤５４に保持状態の半導体
ウェーハＷは、再び第３受け渡し部２４の上方に移送さ
れる。

【００９８】なお、表面研磨工程と同様に、裏面研磨室
７において一方のウェーハ吸着盤５４に保持された半導
体ウェーハＷの裏面側の面取り面Ｍが研磨されている間
に、他方のウェーハ吸着盤５４は、前記表面研磨工程お
よび前記ウェーハ反転工程を経て第３受け渡し部２４に
搬送された別の半導体ウェーハＷを、一方のウェーハ吸
着盤５４と同様にして吸着保持している。

【００９９】この状態で、旋回用ロータリーアクチュエ
ータ５８を駆動して旋回軸部材５６を回転させ、一方お
よび他方のウェーハ吸着盤５４をそれぞれ１８０゜旋回
させる。すなわち、一方のウェーハ吸着盤５４に保持さ
れた半導体ウェーハＷは、再び第３受け渡し部２４の上
方に移送されるとともに、他方のウェーハ吸着盤５４に
保持された半導体ウェーハＷは、裏面研磨室７の上方に
移送され一方のウェーハ吸着盤５４に保持された半導体
ウェーハＷと同様に裏面側の面取り面Ｍの研磨が行われ
る。

【０１００】〔ウェーハ収納工程〕裏面研磨済みの半導
体ウェーハＷを第３受け渡し部２４の上方に移送した
後、保持しているウェーハ吸着盤５４を下降させて、第
３受け渡し部２４の純水中に水没状態で位置させるとと
もに、ウェーハ吸着盤５４を所定量回転させる。このと
き、半導体ウェーハＷおよびウェーハ吸着盤５４に付着
している研磨液が、純水によって洗い落とされる。

【０１０１】研磨液を洗い落とした後、ウェーハ吸着盤
５４をさらに下降させ、予め第３受け渡し部２４の底部
近傍に配した第４ハンド５０上に半導体ウェーハＷを載
置する。このとき、ウェーハ吸着盤５４の吸着を解除し
て半導体ウェーハＷを開放するとともに、第４ハンド５
０上で突起部５０ａによって半導体ウェーハＷを位置決
め保持する。

【０１０２】次に、半導体ウェーハＷを保持した第４ハ
ンド５０を、第４ロッドレスシリンダ５１によって水没
状態で第４受け渡し部２６へと水平移動する。このと
き、第４受け渡し部２６へ移動された第４ハンド５０の
移動方向側部がハンド昇降用エアシリンダ５３の第４ハ
ンド支持部材５３ｂにはめ込まれる。この後、ハンド昇
降用エアシリンダ５３によって、第４ハンド５０は半導
体ウェーハＷを載置した状態で第４受け渡し部２６の上
方へと上昇される。

【０１０３】このとき、予めアンローダーユニット１５
を駆動させて収納用ハンド１１６の先端部を、吸着孔を
下方に向けて第４受け渡し部２６の上方に配しておき、
第４ハンド５０は、半導体ウェーハＷが収納用ハンド１
１６に当接する位置で上昇が停止される。この状態で、
収納用ハンド１１６の吸着孔で半導体ウェーハＷの上面
を吸着するとともに、半導体ウェーハＷを保持する。こ
の後、第４ハンド５０は、再びハンド昇降用エアシリン
ダ５３によって、第４受け渡し部２６の底部近傍へと下
降退避される。

【０１０４】次に、半導体ウェーハＷを水平状態で保持
した収納用ハンド１１６を、回転用ロータリーアクチュ
エータ１２４を作動させて延在方向を軸線として９０゜
回転させ、半導体ウェーハＷを垂直状態とする。そし
て、この状態で収納用ハンド１１６を、収納用エアシリ
ンダ１２１を作動させてハンド揺動回転部１２２ととも
に上昇させた後、揺動用ロータリーアクチュエータ１２
３を作動させて基台１６の長手方向に直交する水平軸線
を中心に下方（図中の矢印方向）に１０５゜回転させて
揺動し、収納用カセット載置部１１７の水槽部１２５上
方に半導体ウェーハＷを位置させる。

【０１０５】さらに、水平方向移動装置１２０を駆動さ
せ、収納用ハンド１１６を梁部材１１９の延在方向に移
動させて所定の収納用カセットＣ２の収納位置の直上に
半導体ウェーハＷを位置決めする。この後、収納用エア
シリンダ１２１を伸ばして、収納用ハンド１１６に保持
状態の半導体ウェーハＷを収納用カセットＣ２の収納位
置まで下降させる。そして、収納用ハンド１１６の吸着
を解除し、半導体ウェーハＷを開放するとともに収納用
カセットＣ２に収納する。

【０１０６】上記各工程によって所定枚数の半導体ウェ
ーハＷが収納用カセットＣ２に収納された後、該収納用
カセットＣ２が載置されたカセット用ハンド１２６をカ
セット昇降用エアシリンダ１２７によって上昇させ、収
納用カセットＣ２の取手部分を水槽部１２５から上方に
出した状態とする。この後、半導体ウェーハＷは収納用
カセットＣ２ごと水槽部１２５から取り出されて次工程
へと移送される。

【０１０７】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、研磨布１１１が本体ホイール１１０に外挿かつ積層
状態の複数の円環状の単位研磨布１１１ａによって形成
されているので、研磨布１１１を取り付ける際には、本
体ホイール１１０に単位研磨布１１１ａを複数枚外挿さ
せて積層するだけで容易に円筒状の研磨布１１１が研磨
ドラム９０に形成される。また、円環状の単位研磨布１
１１ａで形成される研磨布１１１の円周方向は継ぎ目の
無い無端状であるため、剥がれ等が生じないとともに半
導体ウェーハＷにダメージを与え難い。

【０１０８】さらに、研磨布１１１の厚みは単位研磨布
１１１ａの内径および外径で設定され、該設定を変える
ことによって所定の弾性が得られる。また、研磨布１１
１表面が摩耗によって品質が低下しても、該表面を削り
落とすことによって新たな研磨布１１１表面が得られ、
該研磨布１１１を交換することなく長期に亙って使用が
可能である。

【０１０９】そして、研磨布１１１の軸線方向両端側に
該研磨布１１１を軸線方向に押圧状態に挟持する円環状
の押え板１１３が設けられているので、弾性体である各
単位研磨布１１１ａを軸線方向に所定の押圧力で挟持す
ることによって、研磨布１１１が軸線方向に所定量圧縮
されて弾性の調整が可能となる。

【０１１０】次に、第１実施形態における面取り面研磨
装置を、ノッチ部分を有する半導体ウェーハに適用する
場合について、図１４を参照しながら説明する。

【０１１１】ノッチ部分を有する半導体ウェーハにおけ
る面取り面を研磨する場合、上記各工程において、オリ
フラにおける面取り面を研磨する工程に代えて、ノッチ
部分における面取り面を研磨する工程が行われる。この
場合、一対の研磨ドラム９０のうち少なくともノッチ部
分を研磨する一方は、図１４に示すように、他の小径単
位研磨布１４０ａより大きな外径に設定された一枚の大
径単位研磨布１４０ｂを軸線方向一端側に配した研磨布
１４０を備えている。なお、大径単位研磨布１４０ｂと
小径単位研磨布１４０ａとの外径差は、研磨するノッチ
部分Ｎの切込み深さより大きく設定される。

【０１１２】ノッチ部分Ｎにおける面取り面を研磨する
場合には、保持状態の半導体ウェーハＷ１の両側に配さ
れた一対の研磨ドラム９０のうち、ノッチ部分Ｎ側の研
磨ドラム９０Ａを、ドラム直動ユニット部９３を駆動す
ることによって大径単位研磨布１４０ｂがノッチ部分Ｎ
に対向状態となる位置に移動させる。さらに、押圧用エ
アシリンダ１０１を作動させ、揺動腕部９６を押し上げ
ることによって研磨ドラム９０Ａの大径単位研磨布１４
０ｂを、半導体ウェーハＷ１の両側からノッチ部分Ｎの
面取り面に所定の押圧力で押圧状態に当接させる。

【０１１３】この状態で、研磨液を研磨布１４０上に供
給し、研磨ドラム９０Ａを回転させることによって、大
径単位研磨布１４０ｂがノッチ部分Ｎの面取り面に沿っ
て半導体ウェーハＷ１の外縁から中心に向かって摺動す
る方向に回転させることによって研磨を行う。したがっ
て、外径の大きい大径単位研磨布１４０ｂの外周縁をノ
ッチ部分Ｎの面取り面に当接させることによって、ノッ
チ部分Ｎの奥まで面取り面の研磨が可能となる。また、
ノッチ部分Ｎ以外の面取り面を、小径単位研磨布１４０
ａの部分で研磨することによって、ノッチ部分Ｎを含ん
だ半導体ウェーハＷ１の全周の面取り面が一種類の研磨
ドラム９０Ａで研磨可能である。

【０１１４】さらに、ドラム駆動手段９１は、図１４に
示すように、大径単位研磨布１４０ｂを半導体ウェーハ
Ｗ１のノッチ部分Ｎに当接させた状態で研磨ドラム９０
Ａをノッチ部分Ｎ（当接部分）における接線方向に進退
させるドラム移動機構３００を備えている。該ドラム移
動機構３００は、前記ドラム直動ユニット部９３におけ
るボールネジおよびサーボモータ等によって研磨ドラム
９０Ａをその軸線方向（前記接線方向）に所定量移動さ
せるものである。

【０１１５】すなわち、ノッチ部分Ｎを研磨する際に、
ノッチ部分Ｎに大径単位研磨布１４０ｂの外周縁を半導
体ウェーハＷ１の径方向に押圧させて研磨するだけで
は、図１５に示す研磨面Ｎ０のように、ノッチ部分Ｎの
径方向が顕著に研磨されてノッチ部分Ｎの内側を一様に
研磨することが困難である。そこで、ノッチ部分Ｎを研
磨する際には、ノッチ部分Ｎに大径単位研磨布１４０ｂ
の外周縁を径方向（図１５の矢印Ｂ方向）に押圧状態に
当接させて研磨ドラム９０Ａを回転させ、さらに、ドラ
ム移動機構３００によって研磨ドラム９０Ａをノッチ部
分Ｎにおける接線方向、すなわち研磨ドラム９０Ａの軸
線方向（図１５の矢印Ｃ方向）に連続的に所定量だけ進
退させる。この結果、ノッチ部分Ｎの内側の径方向のみ
ならず周方向にも所定の押圧力が加わり、図１５に示す
研磨面Ｎ１のように、ノッチ部分Ｎの内側の全体が一様
に研磨される。

【０１１６】次に、本発明に係る半導体ウェーハの面取
り面研磨装置の第２実施形態を図１６から図１８を参照
しながら説明する。これらの図にあって、符号１３０
Ａ、１３０Ｂは研磨ドラムを示している。

【０１１７】第２実施形態と第１実施形態との異なる点
は、第１実施形態における研磨ドラム９０はどちらも半
導体ウェーハＷの表裏面に平行な軸線を有して配されて
いるのに対し、第２実施形態における研磨ドラム１３０
Ａ、１３０Ｂは、図１６および図１７に示すように、一
方の研磨ドラム１３０Ａの軸線Ｇ１が半導体ウェーハＷ
の表裏面に対して傾斜しているとともに半導体ウェーハ
Ｗの軸線Ｇ０に対してねじれの位置に配されている点で
ある。

【０１１８】すなわち、第１実施形態のように半導体ウ
ェーハＷの表裏面と平行な軸線を有する研磨ドラム９０
を採用した場合では、面取り面Ｍにおける研磨ドラム１
３０Ａの当接する位置が上下方向にずれないことから、
面取り面Ｍにおける研磨領域を増やすためには、面取り
面Ｍへの押圧力を強くすることにより面取り面Ｍを研磨
布１１１に深くくい込ませる必要がある。しかしなが
ら、この場合、研磨布１１１と面取り面Ｍとの接触面積
が増えるが、半導体ウェーハＷに加わる負荷が増大して
しまう問題がある。

【０１１９】これに対して、第２実施形態の半導体ウェ
ーハの面取り面研磨装置では、２つの研磨ドラム１３０
Ａ、１３０Ｂのうち一方の研磨ドラム１３０Ａは、その
軸線Ｇ１が半導体ウェーハＷの表裏面に対して傾斜して
いるとともに半導体ウェーハＷの軸線Ｇ０に対してねじ
れの位置に配されているので、半導体ウェーハＷの回転
に伴って、半導体ウェーハＷの面取り面Ｍにおける研磨
ドラム１３０Ａの当接する位置が上下方向に徐々にずれ
る。

【０１２０】すなわち、面取り面Ｍに当接する研磨ドラ
ム１３０Ａの表面が、図１８に示すように、表面Ｈ１か
らＨ４へと徐々に上方から下方に移動することにより、
面取り面Ｍが、上方から下方に亙って研磨されることと
なる。したがって、第２実施形態の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置では、第１実施形態に比べて、比較的少
ない押圧力でも面取り面Ｍの上下方向における研磨領域
が広くなるとともに面取り面Ｍがより滑らかな曲面に研
磨される。なお、本実施形態では、図１７に示すよう
に、研磨ドラム１３０Ａの軸線Ｇ１と半導体ウェーハＷ
の表裏面との傾斜角θが５〜２０゜位の範囲内に設定さ
れている。

【０１２１】次に、本発明に係る半導体ウェーハの面取
り面研磨装置の第３実施形態を図１９から図２１を参照
しながら説明する。

【０１２２】第３実施形態における単位研磨布３１１ａ
には、図１９に示すように、外周に周方向と交差する方
向（研磨ドラム９０の軸線方向）に切り込み部Ｋが形成
されている。切り込み部Ｋは、単位研磨布３１１ａの中
心を基準とした対称な位置に２箇所、すなわち１８０゜
周方向に離間して等間隔に配されている。なお、切り込
み部Ｋの切り込み量（切り込みの深さ）は研磨条件等に
よって適宜設定される。前記研磨布３１１は、図２０に
示すように、隣接する単位研磨布３１１ａの切り込み部
Ｋが互いに周方向に９０゜離間するように配されてい
る。

【０１２３】特に、切り込み部Ｋが形成された部分で
は、図１３に示す切り込み部Ｋのない部分に比べて、図
２１に示すように、半導体ウェーハＷの外周面Ｓおよび
面取り面Ｍが深く研磨布３１１にくい込みながら研磨さ
れる。

【０１２４】第３実施形態における半導体ウェーハの面
取り面研磨装置では、研磨布３１１に外周に周方向と交
差する方向に切り込み部Ｋが形成されているので、研磨
液が切り込み部Ｋに入り込み保持される。また、切り込
み部Ｋによって、その周辺に弾性がさらに付与されるの
で、研磨ドラム９０の回転時に、切り込み部Ｋのない部
分に比べて、半導体ウェーハＷの周縁（外周面Ｓおよび
面取り面Ｍ）が切り込み部Ｋおよびその周辺において研
磨布３１１にくい込み易くなり、面取り面Ｍとの抵抗が
増えるとともに、研磨速度が早くなることから、研磨時
間が短縮可能となる。

【０１２５】さらに、研磨布３１１の切り込み部Ｋが周
方向に等間隔で配されているので、研磨布３１１の周方
向における研磨能力が均一化されるとともに、研磨布３
１１の周方向における偏摩耗等が抑制される。そして、
研磨布３１１がホイール本体１１０に外挿かつ積層状態
の複数の円環状の単位研磨布３１１ａによって形成され
ているので、各単位研磨布３１１ａごとに切り込み部Ｋ
の深さ、数および配置等を設定でき、複数の単位研磨布
３１１ａを適宜組み合わせることにより、多様な研磨性
能が得られる。

【０１２６】しかも、研磨布３１１において隣接する単
位研磨布３１１ａの切り込み部Ｋが周方向に互いに離間
して配されているので、隣接する単位研磨布３１１ａの
切り込み部Ｋが研磨ドラム９０の軸方向に連続しないこ
とから、半導体ウェーハＷのくい込み量が制限され、必
要以上のくい込みが防止される。

【０１２７】次に、本発明に係る半導体ウェーハの面取
り面研磨装置の第４実施形態を図２２を参照しながら説
明する。

【０１２８】第４実施形態と第１実施形態との異なる点
は、第１実施形態では第３受け渡し部２４から第４受け
渡し部２６まで半導体ウェーハＷを水平移動可能な第４
ハンド５０上に載置して水中搬送しているのに対し、第
４実施形態では、第３受け渡し部２４から第４受け渡し
部２６までの水槽中に水没状態に設けられた複数の洗浄
用ローラ５００によって水中搬送される点である。

【０１２９】前記洗浄用ローラ５００は、筒状のスポン
ジまたはブラシで形成されたものであって、前記水槽中
の下部にかつ第３受け渡し部２４から第４受け渡し部２
６に亙って並べて配された複数の下部ローラ５００Ａと
前記水槽中の上部にかつ第３受け渡し部２４と第４受け
渡し部２６との中間部分５０１に並べて配された複数の
上部ローラ５００Ｂとから構成されている。

【０１３０】下部ローラ５００Ａと上部ローラ５００Ｂ
との上下位置は、半導体ウェーハＷが下部ローラ５００
Ａと上部ローラ５００Ｂとの間を上部ローラ５００Ｂに
接触した状態で通過可能な間隔に設定されている。これ
ら洗浄用ローラ５００は、半導体ウェーハＷの搬送方向
に軸線を直交状態に配して回転可能に設けられ、少なく
とも下部ローラ５００Ａが図示しないモータ等の駆動手
段によって回転駆動される。

【０１３１】すなわち、第４実施形態における半導体ウ
ェーハの面取り面研磨装置では、以下のように半導体ウ
ェーハＷを第３受け渡し部２４から第４受け渡し部２６
まで搬送する。まず、裏面側が研磨された半導体ウェー
ハＷを第３受け渡し部２４の下部ローラ５００Ａ上に載
置する。

【０１３２】この後、載置した半導体ウェーハＷを、下
部ローラ５００Ａを回転させて第３受け渡し部２４から
前記中間部分５０１を介して第４受け渡し部２６へと水
中を移送する。このとき、中間部分５０１において、半
導体ウェーハＷは下部ローラ５００Ａと上部ローラ５０
０Ｂとの間をこれらに挟持状態で通過搬送される。そし
て、中間部分５０１から第４受け渡し部２６の下部ロー
ラ５００Ａ上へと搬送された半導体ウェーハＷは、第１
実施形態と同様に、ウェーハ収納機構１０に受け渡され
る。

【０１３３】したがって、この半導体ウェーハの面取り
面研磨装置では、研磨が終了した半導体ウェーハＷを単
に水中搬送するだけでなく、洗浄用ローラ５００に接触
させながら搬送するため、洗浄用ローラ５００のスポン
ジまたはブラシが物理的なスクラブとなって、半導体ウ
ェーハＷの表面に付着した研磨液をより効果的に除去す
ることができる。

【０１３４】なお、本発明は、次のような実施形態をも
含むものである。 （１）一対の研磨ドラム９０によって半導体ウェーハＷ
の面取り面Ｍの研磨を行ったが、研磨ドラムは一つまた
は複数でも構わない。なお、設置するスペースが許す限
り研磨ドラム９０を複数設置することによって、半導体
ウェーハの回転量を少なくでき、研磨処理時間を短縮す
ることができる。

【０１３５】（２）半導体ウェーハの表面側および裏面
側を別々に研磨処理したが、同時に両面の面取り面を研
磨するようにしても構わない。この場合、半導体ウェー
ハの表面側および裏面側の両方に研磨布を配する必要が
ある。 （３）ノッチ部分Ｎを研磨する際に用いた研磨ドラム９
０Ａにおいて、一枚の大径単位研磨布１４０ｂを採用し
たが、ノッチ部分の形状および大きさに対応して複数枚
の大径単位研磨布を取り付けても構わない。

【０１３６】（４）研磨液を研磨ドラム９０の上方から
研磨布１１１上に供給したが、他の手段によって供給し
ても構わない。例えば、本体ホイールの内部から外周面
に研磨液を供給する貫通孔を設け、研磨布には内周面か
ら半径方向外方に延びる誘導孔を複数形成することによ
って、本体ホイールの内部から貫通孔を介して誘導孔に
研磨液を注入し、研磨ドラムの回転による遠心力で各単
位研磨布の間から研磨布の表面に研磨液をしみ出させて
供給する手段でもよい。

【０１３７】（５）第２実施形態における研磨ドラム１
３０Ａ、１３０Ｂは、一方の研磨ドラム１３０Ａのみ半
導体ウェーハＷの表裏面に対して傾斜した軸線Ｇ１を有
するように配したが、両方の研磨ドラム１３０Ａ、１３
０Ｂを同様に傾斜させても構わない。なお、第２実施形
態では、他方の研磨ドラム１３０Ｂを第１実施形態と同
様に半導体ウェーハＷの表裏面に対して平行な軸線をも
って配しているのは、図１４に示すようなノッチ部分Ｎ
が形成された半導体ウェーハＷ１を研磨する際にノッチ
部分Ｎを他方の研磨ドラム１３０Ｂによって研磨するた
めである。すなわち、第１実施形態と同様に、ノッチ部
分Ｎの形状に対応するとともに他の単位研磨布より大径
の一枚または数枚の単位研磨布を他方の研磨ドラム１３
０Ｂに取り付け、この大径な単位研磨布をノッチ部分Ｎ
に当接させることによってノッチ部分Ｎを研磨すること
ができる。

【０１３８】（６）第３実施形態における単位研磨布３
１１ａに２つの切り込み部Ｋを形成したが、１つ若しく
は３以上の切り込み部を形成しても構わない。また、切
り込み部Ｋの切り込み量は、すべて同一としたが、個別
に異なる切り込み量に設定しても構わない。さらに、す
べて同一の切り込み部Ｋを有する単位研磨布３１１ａを
用いたが、異なる切り込み部を有する単位研磨布を組み
合わせても構わない。

【０１３９】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。 （１）請求項１記載の半導体ウェーハの面取り面研磨装
置によれば、研磨布が前記本体ホイールに外挿かつ積層
状態の複数の円環状の単位研磨布によって形成されてい
るので、本体ホイールに単位研磨布を複数枚外挿させて
積層するだけで円筒状の研磨布を研磨ドラムに容易にか
つ確実に形成することができるとともに、取り付け時間
の短縮化を図ることができる。また、円環状の単位研磨
布で形成される研磨布には継ぎ目が無いため、剥がれ等
が生じないとともに半導体ウェーハにダメージを与え難
く、良好な研磨特性が得られ、半導体ウェーハの特性の
劣化を抑制することができる。さらに、研磨布の厚みを
単位研磨布の内径および外径で設定することができると
ともに、この設定によって所定の弾性が得られるので、
半導体ウェーハのサイズや材質等に対応して研磨布の弾
性を変えることができる。また、研磨布表面が摩耗によ
って品質が低下しても、該表面を削り落とすことによっ
て新たな研磨布表面が得られるので、該研磨布を交換す
ることなく長期に亙って使用することができ、交換頻度
の低減および研磨布の高寿命化を図ることができる。

【０１４０】（２）請求項２記載の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置によれば、単位研磨布が不織布で形成さ
れ、単位研磨布の繊維がばらばらな向きで配されている
ので、単位研磨布の外周縁および外周縁近傍の表裏面の
いずれの部分が面取り面に当接しても良好な研磨特性を
得ることができる。

【０１４１】（３）請求項３記載の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置によれば、研磨布の軸線方向両端側に該
研磨布より高い剛性を有する円環状の補強板が設けられ
ているので、単位研磨布が軸線方向に広がって互いに離
間したり折れ曲がることが防止され、研磨ドラムの軸線
方向両端側においても軸線方向中央部と同様の良好な研
磨特性を得ることができる。したがって、研磨ドラムの
広範囲に亙って均一な研磨特性を得ることができる。

【０１４２】（４）請求項４記載の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置によれば、研磨布の軸線方向両端側に該
研磨布を軸線方向に押圧状態に挟持する円環状の押え板
が設けられているので、半導体ウェーハのサイズや材質
等に対応して弾性体である研磨布を軸線方向に所定量圧
縮して弾性調整をすることができる。

【０１４３】（５）請求項５記載の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置によれば、一部の単位研磨布の外径が他
の単位研磨布より大きく設定されているので、外径の大
きい単位研磨布の外周縁を半導体ウェーハのノッチ部分
の面取り面に当接させることによって、ノッチ部分の奥
まで面取り面の研磨を容易に行うことができる。また、
ノッチ部分以外の面取り面を、前記他の単位研磨布の部
分で研磨することによって、ノッチ部分専用の研磨ドラ
ムを用意する必要がなく、ノッチ部分を含んだ半導体ウ
ェーハの全周の面取り面を一種類の研磨ドラムで研磨す
ることができ、部材点数の削減を図ることができる。

【０１４４】（６）請求項６記載の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置によれば、ドラム駆動手段が、研磨ドラ
ムを半導体ウェーハの当接部分の接線方向に進退させる
ドラム移動機構を備えているので、ノッチ部分に外径の
大きい単位研磨布の外周縁を当接させながらドラム移動
機構によって研磨ドラムを前記接線方向に所定量進退さ
せることにより、ノッチ部分内側の全体を一様に研磨す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の第１実施形態における研磨ドラムを示す断面図で
ある。

【図２】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の第１実施形態を示す正面図である。

【図３】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の第１実施形態を示す平面図である。

【図４】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の第１実施形態を示す左側面図である。

【図５】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の第１実施形態におけるウェーハ搬送機構を示す平
面図である。

【図６】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の第１実施形態におけるウェーハ搬送機構を示す正
面図である。

【図７】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の第１実施形態における第１〜第４搬送部を示す縦
断面図である。

【図８】 図３のＸ−Ｘ線矢視断面図である。

【図９】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の第１実施形態における表面研磨室および表面研磨
機構を示す縦断面図である。

【図１０】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第１実施形態における表面研磨室および表面研
磨機構を示す一部を破断した平面図である。

【図１１】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第１実施形態における表面研磨機構の要部を示
す縦断面図である。

【図１２】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第１実施形態におけるウェーハ収納機構を示す
縦断面図である。

【図１３】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第１実施形態における面取り面の研磨を説明す
るための要部を拡大した縦断面図である。

【図１４】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第１実施形態におけるノッチ部分の面取り面を
研磨するために用いる研磨ドラムの要部を拡大した断面
図である。

【図１５】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第１実施形態におけるノッチ部分の面取り面を
研磨するために用いる研磨布の要部を拡大した断面図で
ある。

【図１６】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第２実施形態における保持状態の半導体ウェー
ハと両研磨ドラムとの位置関係を示す概略正面図であ
る。

【図１７】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第２実施形態における保持状態の半導体ウェー
ハと一方の研磨ドラムとの位置関係を示す概略側面図で
ある。

【図１８】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第２実施形態における半導体ウェーハの面取り
面と一方の研磨ドラムとの接触状態を示す要部を拡大し
た概略断面図である。

【図１９】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第３実施形態における単位研磨布を示す側面図
である。

【図２０】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第３実施形態における研磨布の一部を示す平面
図である。

【図２１】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第３実施形態における面取り面の研磨を説明す
るため切り込み部のある部分を拡大した縦断面図であ
る。

【図２２】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の第４実施形態における第３受け渡し部および第
４受け渡し部を示す概略断面図である。

【符号の説明】

６ 表面研磨機構 ９ 裏面研磨機構 ５４ ウェーハ吸着盤 ９０，１３０Ａ，１３０Ｂ 研磨ドラム ９１ ドラム駆動手段 ９２ 研磨液供給手段 ９３ ドラム直動ユニット部 １１０ 本体ホイール １１１，１４０，３１１ 研磨布 １１１ａ，３１１ａ 単位研磨布 １１２ 補強板 １１３ 押え板 １４０ａ 小径単位研磨布 １４０ｂ 大径単位研磨布 ３００ ドラム移動機構 Ｎ ノッチ部分 Ｍ 面取り面 Ｓ 外側面 Ｗ，Ｗ１ 半導体ウェーハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 繁 兵庫県朝来郡生野町口銀谷字猪野々985番 地１ 三菱マテリアル株式会社生野製作所 内 (72)発明者 矢野尾 明仁 兵庫県朝来郡生野町口銀谷字猪野々985番 地１ 三菱マテリアル株式会社生野製作所 内 (72)発明者 高田 昌夫 兵庫県朝来郡生野町口銀谷字猪野々985番 地１ 三菱マテリアル株式会社生野製作所 内 (72)発明者 鶴田 捷二 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 熊部 重男 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェーハの周縁に形成された面取
   り面に研磨液を供給するとともに研磨布を押圧状態に摺
   動させて前記面取り面を研磨する半導体ウェーハの面取
   り面研磨装置であって、 回転可能に支持される本体ホイールの外周面に前記研磨
   布が設けられ回転状態で該研磨布を前記面取り面に当接
   させて該面取り面を研磨する研磨ドラムと、 該研磨ドラムを回転させるドラム駆動手段とを備え、 前記研磨布は、円環状の単位研磨布が前記本体ホイール
   に外挿状態に複数枚積層されて円筒状に形成されている
   ことを特徴とする半導体ウェーハの面取り面研磨装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウェーハの面取り
   面研磨装置において、 前記単位研磨布は、繊維の向きが一定でない不織布で形
   成されていることを特徴とする半導体ウェーハの面取り
   面研磨装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体ウェーハ
   の面取り面研磨装置において、 前記研磨布の軸線方向両端側には、該研磨布より高い剛
   性を有して研磨布を支持する円環状の補強板が設けられ
   ていることを特徴とする半導体ウェーハの面取り面研磨
   装置。
4. 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載の半導
   体ウェーハの面取り面研磨装置において、 前記研磨布の軸線方向両端側には、該研磨布を軸線方向
   に押圧状態に挟持する円環状の押え板が設けられている
   ことを特徴とする半導体ウェーハの面取り面研磨装置。
5. 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載の半導
   体ウェーハの面取り面研磨装置において、 前記研磨布は、一部の前記単位研磨布の外径が他の単位
   研磨布より大きく設定されていることを特徴とする半導
   体ウェーハの面取り面研磨装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体ウェーハの面取り
   面研磨装置において、 前記ドラム駆動手段は、前記研磨布を前記半導体ウェー
   ハの周縁に当接させた状態で該半導体ウェーハの当接部
   分の接線方向に前記研磨ドラムを進退させるドラム移動
   機構を備えていることを特徴とする半導体ウェーハの面
   取り面研磨装置。