JPH1041709A - マイクロ波回路用シールドケース - Google Patents
マイクロ波回路用シールドケースInfo
- Publication number
- JPH1041709A JPH1041709A JP8190304A JP19030496A JPH1041709A JP H1041709 A JPH1041709 A JP H1041709A JP 8190304 A JP8190304 A JP 8190304A JP 19030496 A JP19030496 A JP 19030496A JP H1041709 A JPH1041709 A JP H1041709A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield case
- slit groove
- depth
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＮＢ等のような局部発振回路を備えたマイ
クロ波回路に使用するシールドケースの構造に関し、特
定周波数に対するシールド効果を向上する。 【解決手段】 マイクロストリップライン基板の表面
（部品側）を覆うように設ける箱状の第２のシールドケ
ース１の垂直辺の全辺1a、1b、1c等にスリット溝11を設
ける。このスリット溝11の深さは、例えば、局部発振信
号のように外部への漏洩を抑制したい特定周波数の波長
の略１／２の長さに設定し、同スリット溝の幅は同波長
の略１／２０以下にする。これによりその特定周波数に
対する外部漏洩が一層抑制される。
クロ波回路に使用するシールドケースの構造に関し、特
定周波数に対するシールド効果を向上する。 【解決手段】 マイクロストリップライン基板の表面
（部品側）を覆うように設ける箱状の第２のシールドケ
ース１の垂直辺の全辺1a、1b、1c等にスリット溝11を設
ける。このスリット溝11の深さは、例えば、局部発振信
号のように外部への漏洩を抑制したい特定周波数の波長
の略１／２の長さに設定し、同スリット溝の幅は同波長
の略１／２０以下にする。これによりその特定周波数に
対する外部漏洩が一層抑制される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波回路用シ
ールドケースに係り、より詳細には、例えば衛星放送受
信用コンバータ（ＬＮＢ）等のような、局部発振回路等
を備えたマイクロ波回路に使用するシールドケースの構
造に関する。
ールドケースに係り、より詳細には、例えば衛星放送受
信用コンバータ（ＬＮＢ）等のような、局部発振回路等
を備えたマイクロ波回路に使用するシールドケースの構
造に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、衛星放送受信用コンバータ（Ｌ
ＮＢ）のように、局部発振回路等を備えたマイクロ波装
置は従来、図５のように構成していた。なお、同図は理
解の便宜から各構成部分を離して描いてあるが、実際に
は以下に述べるように接触している。同図において、２
はマイクロストリップライン基板であり、表面には回路
パターン及び接地パターン2aが設けられ、この面に局部
発振回路やその他回路の部品を実装する。また、裏面に
は接地導体2bを全面に設ける。３は主にアルミダイキャ
ストを材質とした本体筐体としてのシールドケース（第
１のシールドケースとする）であり、箱状の形態のもの
である。この第１のシールドケース３に前記基板２を図
示のように取り付ける。図のように、基板裏面の接地導
体2bと同シールドケース３の内部底面とを面接触させ
る。
ＮＢ）のように、局部発振回路等を備えたマイクロ波装
置は従来、図５のように構成していた。なお、同図は理
解の便宜から各構成部分を離して描いてあるが、実際に
は以下に述べるように接触している。同図において、２
はマイクロストリップライン基板であり、表面には回路
パターン及び接地パターン2aが設けられ、この面に局部
発振回路やその他回路の部品を実装する。また、裏面に
は接地導体2bを全面に設ける。３は主にアルミダイキャ
ストを材質とした本体筐体としてのシールドケース（第
１のシールドケースとする）であり、箱状の形態のもの
である。この第１のシールドケース３に前記基板２を図
示のように取り付ける。図のように、基板裏面の接地導
体2bと同シールドケース３の内部底面とを面接触させ
る。
【０００３】また、１は前記同様、主にアルミダイキャ
ストを材質としたシールドケース（第２のシールドケー
スとする）であり、箱状の形態のものである。この第２
のシールドケース１を第１のシールドケース３の内側に
接するように、且つ、同第２のシールドケース１の開口
辺（1a、1b等）が基板表面の接地パターン2aに接するよ
うに取り付ける。以上のようにして基板２をシールドす
ることにより、局部発振回路等からの外部への電磁波漏
洩、又は外部からの不要電磁波の飛び込み等を防止して
いる。また、シールド効果を強化するため、基板２の表
面接地パターン1aと裏面接地導体2b間とをスルーホール
で接続する方法が一般に併用される。
ストを材質としたシールドケース（第２のシールドケー
スとする）であり、箱状の形態のものである。この第２
のシールドケース１を第１のシールドケース３の内側に
接するように、且つ、同第２のシールドケース１の開口
辺（1a、1b等）が基板表面の接地パターン2aに接するよ
うに取り付ける。以上のようにして基板２をシールドす
ることにより、局部発振回路等からの外部への電磁波漏
洩、又は外部からの不要電磁波の飛び込み等を防止して
いる。また、シールド効果を強化するため、基板２の表
面接地パターン1aと裏面接地導体2b間とをスルーホール
で接続する方法が一般に併用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のシール
ド方法の場合、第２のシールドケース１の開口辺と基板
表面の接地パターン2aとの接触が不十分となる場合があ
る。このような場合、シールド効果が低下し、外部への
電磁波漏洩が増大する。特に、局部発振信号のレベルは
通常大きいので、上記のような接触不十分箇所があると
同信号成分の外部漏洩が増大する。そのため、上記のよ
うな接触不十分な状態であっても局部発振信号等、特定
周波数の外部への漏洩を抑制するシールド技術が望まれ
る。本発明はこのような背景からなされたものであり、
マイクロ波回路におけるシールド効果の強化を可能とし
たマイクロ波回路用シールドケースを提供することを目
的とする。
ド方法の場合、第２のシールドケース１の開口辺と基板
表面の接地パターン2aとの接触が不十分となる場合があ
る。このような場合、シールド効果が低下し、外部への
電磁波漏洩が増大する。特に、局部発振信号のレベルは
通常大きいので、上記のような接触不十分箇所があると
同信号成分の外部漏洩が増大する。そのため、上記のよ
うな接触不十分な状態であっても局部発振信号等、特定
周波数の外部への漏洩を抑制するシールド技術が望まれ
る。本発明はこのような背景からなされたものであり、
マイクロ波回路におけるシールド効果の強化を可能とし
たマイクロ波回路用シールドケースを提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面に回路パ
ターン及び接地パターンを設け、裏面に接地導体を設け
てなるマイクロストリップライン基板を、上部が開口さ
れてなる箱状の第１のシールドケースの内部底面に前記
基板裏面の接地導体が面接触するように取り付けるとと
もに、下部が開口されてなる箱状の第２のシールドケー
スの開口辺を前記第１のシールドケースに取り付けた前
記基板表面の周縁に設けた接地パターンに接するように
取り付けてなるものにおいて、前記第２のシールドケー
スの開口周縁に、所要の幅と深さとを有するスリット溝
を設け、同周縁を前記基板表面の周縁に接するようにし
たマイクロ波回路用シールドケースを提供するものであ
る。
ターン及び接地パターンを設け、裏面に接地導体を設け
てなるマイクロストリップライン基板を、上部が開口さ
れてなる箱状の第１のシールドケースの内部底面に前記
基板裏面の接地導体が面接触するように取り付けるとと
もに、下部が開口されてなる箱状の第２のシールドケー
スの開口辺を前記第１のシールドケースに取り付けた前
記基板表面の周縁に設けた接地パターンに接するように
取り付けてなるものにおいて、前記第２のシールドケー
スの開口周縁に、所要の幅と深さとを有するスリット溝
を設け、同周縁を前記基板表面の周縁に接するようにし
たマイクロ波回路用シールドケースを提供するものであ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】マイクロストリップライン基板の
表面（部品側）を覆うように設ける箱状の第２のシール
ドケースの開口辺（全辺）にスリット溝を設ける。この
スリット溝の深さは、例えば、局部発振信号のように外
部への漏洩を抑制したい特定周波数の波長の略１／２の
長さに設定し、スリット溝の幅は同波長の略１／２０以
下にする。これによりその特定周波数に対する外部漏洩
が一層抑制される。また、スリット溝を開口辺全辺でな
く、局部発振回路の近傍等、発振レベルの大きい近傍の
開口辺に設けるようにしてもよい。また、上記スリット
溝の中に誘電体を充填するようにしてもよい。これによ
り、前記スリット溝の深さを、その誘電体の比誘電率で
定まる長さ分短くすることができる。
表面（部品側）を覆うように設ける箱状の第２のシール
ドケースの開口辺（全辺）にスリット溝を設ける。この
スリット溝の深さは、例えば、局部発振信号のように外
部への漏洩を抑制したい特定周波数の波長の略１／２の
長さに設定し、スリット溝の幅は同波長の略１／２０以
下にする。これによりその特定周波数に対する外部漏洩
が一層抑制される。また、スリット溝を開口辺全辺でな
く、局部発振回路の近傍等、発振レベルの大きい近傍の
開口辺に設けるようにしてもよい。また、上記スリット
溝の中に誘電体を充填するようにしてもよい。これによ
り、前記スリット溝の深さを、その誘電体の比誘電率で
定まる長さ分短くすることができる。
【０００７】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明によるマイクロ
波回路用シールドケースを前記（従来の技術）と同様、
ＬＮＢ（衛星放送受信用コンバータ）を例に説明する。
なお、説明の便宜から前記従来の技術の説明で利用した
図５を併用する。図１は本発明によるマイクロ波回路用
シールドケースの一実施例であって、図５の第２のシー
ルドケース１の要部底面図（Ａ）及び要部側面断面図
（Ｂ）である。また、図２は図１を説明するためのもの
であり、図５を基にした要部側面断面の拡大図、図３は
入力インピーダンスの説明図、図４は他の実施例を示す
前記第２のシールドケース１の要部底面図である。ＬＮ
Ｂは図５で既に説明したように、マイクロストリップラ
イン基板２を、本体筐体としての第１のシールドケース
３と、第２のシールドケース１とでシールドするように
して構成する（図５）。
波回路用シールドケースを前記（従来の技術）と同様、
ＬＮＢ（衛星放送受信用コンバータ）を例に説明する。
なお、説明の便宜から前記従来の技術の説明で利用した
図５を併用する。図１は本発明によるマイクロ波回路用
シールドケースの一実施例であって、図５の第２のシー
ルドケース１の要部底面図（Ａ）及び要部側面断面図
（Ｂ）である。また、図２は図１を説明するためのもの
であり、図５を基にした要部側面断面の拡大図、図３は
入力インピーダンスの説明図、図４は他の実施例を示す
前記第２のシールドケース１の要部底面図である。ＬＮ
Ｂは図５で既に説明したように、マイクロストリップラ
イン基板２を、本体筐体としての第１のシールドケース
３と、第２のシールドケース１とでシールドするように
して構成する（図５）。
【０００８】本発明は図１に示すように、上記構成中の
第２のシールドケース１の開口辺1a、1b、1c（1dは断面
図のため省略）にスリット溝11を設ける点を特徴とす
る。図１は開口辺全てにスリット溝を設けたものである
（１部に辺に設ける方法については後述）。このスリッ
ト溝の近傍を図５を基に拡大したものが図２であり、１
が第２のシールドケース、２がマイクロストリップライ
ン、３が第１のシールドケースである。なお、これらの
構造上の関係は図５で既に説明した通りであり、マイク
ロストリップライン基板２を、同基板裏面の接地導体面
2bが第１のシールドケース３の内部底面に面接触するよ
うに取り付け、更に、第２のシールドケース１を、その
開口辺1a等が同基板表面の周縁に設けた接地パターン2a
と接するように取り付ける。
第２のシールドケース１の開口辺1a、1b、1c（1dは断面
図のため省略）にスリット溝11を設ける点を特徴とす
る。図１は開口辺全てにスリット溝を設けたものである
（１部に辺に設ける方法については後述）。このスリッ
ト溝の近傍を図５を基に拡大したものが図２であり、１
が第２のシールドケース、２がマイクロストリップライ
ン、３が第１のシールドケースである。なお、これらの
構造上の関係は図５で既に説明した通りであり、マイク
ロストリップライン基板２を、同基板裏面の接地導体面
2bが第１のシールドケース３の内部底面に面接触するよ
うに取り付け、更に、第２のシールドケース１を、その
開口辺1a等が同基板表面の周縁に設けた接地パターン2a
と接するように取り付ける。
【０００９】第２のシールドケース１に設けるスリット
溝11の深さ及び幅については次のように設定する。スリ
ット溝11の深さL1については、L1＝λ／２に設定する。
スリット溝11の幅ｔについては、ｔ≦λ／２０に設定す
る。ここに、λは波長であり、例えば、局部発振信号に
対しシールド効果をもたせる場合には同発振信号の波長
である。
溝11の深さ及び幅については次のように設定する。スリ
ット溝11の深さL1については、L1＝λ／２に設定する。
スリット溝11の幅ｔについては、ｔ≦λ／２０に設定す
る。ここに、λは波長であり、例えば、局部発振信号に
対しシールド効果をもたせる場合には同発振信号の波長
である。
【００１０】スリット溝11の深さL1を上記のように設定
することにより以下の結果が得られる。図２及び図３に
おいて、接地パターン2aと接するスリット溝11の端Ａ若
しくは端Ｂからその先端Ｃを見たときの入力インピーダ
ンスＺinは次のように表される。 Ｚin＝ｊZo・tan （β・L1） ここに、Zoはスリット溝の特性インピーダンス、βは位
相定数である。また、上記βについては、β＝２π／λ
である。従って、L1＝λ／２、β＝２π／λを上記Ｚin
の式に代入すれば次のようになる。 Ｚin＝ｊZo・tan ｛（２π／λ）・（λ／２）｝＝ｊZo
・tan π＝０
することにより以下の結果が得られる。図２及び図３に
おいて、接地パターン2aと接するスリット溝11の端Ａ若
しくは端Ｂからその先端Ｃを見たときの入力インピーダ
ンスＺinは次のように表される。 Ｚin＝ｊZo・tan （β・L1） ここに、Zoはスリット溝の特性インピーダンス、βは位
相定数である。また、上記βについては、β＝２π／λ
である。従って、L1＝λ／２、β＝２π／λを上記Ｚin
の式に代入すれば次のようになる。 Ｚin＝ｊZo・tan ｛（２π／λ）・（λ／２）｝＝ｊZo
・tan π＝０
【００１１】上式のように、入力インピーダンスＺinは
零になる。このことは、波長λの信号成分（局部発振信
号等）がＡ点及びＢ点を経て接地され、外部へ漏洩しな
いことを意味する。このように、スリット溝を設けるこ
とで特定周波数成分（局部発振信号等）に対し、シール
ド効果を発揮する。従って、このスリット溝11を第２の
シールドケース１の全開口辺に設けることによりシール
ド効果が最大となる。これに対し、局部発振回路等、特
定周波数成分のレベルによってはスリット溝11を発振回
路の近傍の開口辺のみに設けるようにしてもよい（図
４）。この場合のスリット長Ｓ（図４）は求める効果に
応じて設定すればよい。
零になる。このことは、波長λの信号成分（局部発振信
号等）がＡ点及びＢ点を経て接地され、外部へ漏洩しな
いことを意味する。このように、スリット溝を設けるこ
とで特定周波数成分（局部発振信号等）に対し、シール
ド効果を発揮する。従って、このスリット溝11を第２の
シールドケース１の全開口辺に設けることによりシール
ド効果が最大となる。これに対し、局部発振回路等、特
定周波数成分のレベルによってはスリット溝11を発振回
路の近傍の開口辺のみに設けるようにしてもよい（図
４）。この場合のスリット長Ｓ（図４）は求める効果に
応じて設定すればよい。
【００１２】次に、スリット溝11に誘電体を充填する方
法につき説明する。前述まではスリット溝11の内部は空
気であった。このスリット溝中に誘電体を充填した場
合、必要なスリット溝深さL2は次のようになる。 L2＝L1／（εs の平方根） ここに、εs は充填する誘電体の比誘電率である。この
ように、誘電体を充填した場合、そのスリット溝深さL2
は、誘電体を充填しない場合の深さL1に比し短くするこ
とができ、スリット溝の作成を容易化することができ
る。
法につき説明する。前述まではスリット溝11の内部は空
気であった。このスリット溝中に誘電体を充填した場
合、必要なスリット溝深さL2は次のようになる。 L2＝L1／（εs の平方根） ここに、εs は充填する誘電体の比誘電率である。この
ように、誘電体を充填した場合、そのスリット溝深さL2
は、誘電体を充填しない場合の深さL1に比し短くするこ
とができ、スリット溝の作成を容易化することができ
る。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、衛
星放送受信用コンバータ（ＬＮＢ）等のような、発振回
路を備え、シールドケースでマイクロストリップライン
基板を覆うようにしたマイクロ波機器において、シール
ドケースの所要箇所に、特定周波数における波長の略１
／２の深さを有するスリット溝を設けることにより同特
定周波数の外部漏洩を一層抑制することができることと
なる。従って、従来における通常のシールド効果に対
し、上記特定周波数の外部漏洩抑制効果が加わることに
なる。また、従来においては上記特定周波数の外部漏洩
の抑制強化のため、二重のシールド構造にする等で対処
していたが、本発明によりこれらが不要となり、安価で
容易且つ信頼度の高いシールド構造とすることができ
る。
星放送受信用コンバータ（ＬＮＢ）等のような、発振回
路を備え、シールドケースでマイクロストリップライン
基板を覆うようにしたマイクロ波機器において、シール
ドケースの所要箇所に、特定周波数における波長の略１
／２の深さを有するスリット溝を設けることにより同特
定周波数の外部漏洩を一層抑制することができることと
なる。従って、従来における通常のシールド効果に対
し、上記特定周波数の外部漏洩抑制効果が加わることに
なる。また、従来においては上記特定周波数の外部漏洩
の抑制強化のため、二重のシールド構造にする等で対処
していたが、本発明によりこれらが不要となり、安価で
容易且つ信頼度の高いシールド構造とすることができ
る。
【図１】本発明によるマイクロ波機器用シールドケース
の一実施例を示す図であって、（Ａ）は第２のシールド
ケース１の要部底面図、（Ｂ）は同シールドケース１の
要部側面断面図である。
の一実施例を示す図であって、（Ａ）は第２のシールド
ケース１の要部底面図、（Ｂ）は同シールドケース１の
要部側面断面図である。
【図２】図１を説明するためのものであり、ＬＮＢを例
にしたマイクロ波機器の要部側面断面の拡大図である。
にしたマイクロ波機器の要部側面断面の拡大図である。
【図３】入力インピーダンスの説明図である。
【図４】本発明によるマイクロ波機器用シールドケース
の他の実施例を示す図であって、第２のシールドケース
１の要部底面図である。
の他の実施例を示す図であって、第２のシールドケース
１の要部底面図である。
【図５】従来技術及び図１等を説明するための図であ
り、ＬＮＢを例にしたマイクロ波機器の要部側面断面図
（Ａ）、及び要部上面図（Ｂ）である。
り、ＬＮＢを例にしたマイクロ波機器の要部側面断面図
（Ａ）、及び要部上面図（Ｂ）である。
１ 第２のシールドケース 1a、1b 開口辺 ２ マイクロストリップライン基板 2a 接地パターン 2b 接地導体 ３ 第１のシールドケース 11 スリット溝
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に回路パターン及び接地パターンを
設け、裏面に接地導体を設けてなるマイクロストリップ
ライン基板を、上部が開口されてなる箱状の第１のシー
ルドケースの内部底面に前記基板裏面の接地導体が面接
触するように取り付けるとともに、下部が開口されてな
る箱状の第２のシールドケースの開口辺を前記第１のシ
ールドケースに取り付けた前記基板表面の周縁に設けた
接地パターンに接するように取り付けてなるものにおい
て、前記第２のシールドケースの開口周縁に、所要の幅
と深さとを有するスリット溝を設け、同周縁を前記基板
表面の周縁に接するようにしたことを特徴とするマイク
ロ波回路用シールドケース。 - 【請求項２】 前記スリット溝の深さを、外部への漏洩
を抑制する周波数の波長の略２分の１にしたことを特徴
とする請求項１記載のマイクロ波回路用シールドケー
ス。 - 【請求項３】 前記スリット溝の幅を、外部への漏洩を
抑制する周波数の波長の略２０分の１以下にしたことを
特徴とする請求項１記載のマイクロ波回路用シールドケ
ース。 - 【請求項４】 前記スリット溝を、前記第２のシールド
ケースの開口周縁の一部に設けてなることを特徴とする
請求項１記載のマイクロ波回路用シールドケース。 - 【請求項５】 前記スリット溝の中に、誘電体を充填
し、同誘電体の比誘電率で定まる長さ分前記スリット溝
の深さを浅くしたことを特徴とする請求項１又は請求項
４記載のマイクロ波回路用シールドケース。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19030496A JP3399747B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | マイクロ波回路用シールドケース |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19030496A JP3399747B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | マイクロ波回路用シールドケース |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041709A true JPH1041709A (ja) | 1998-02-13 |
| JP3399747B2 JP3399747B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=16255938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19030496A Expired - Fee Related JP3399747B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | マイクロ波回路用シールドケース |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3399747B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112491483A (zh) * | 2019-09-12 | 2021-03-12 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种usb信号的屏蔽装置和网络终端 |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP19030496A patent/JP3399747B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112491483A (zh) * | 2019-09-12 | 2021-03-12 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种usb信号的屏蔽装置和网络终端 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3399747B2 (ja) | 2003-04-21 |
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