JPH10341034A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- JPH10341034A JPH10341034A JP14825197A JP14825197A JPH10341034A JP H10341034 A JPH10341034 A JP H10341034A JP 14825197 A JP14825197 A JP 14825197A JP 14825197 A JP14825197 A JP 14825197A JP H10341034 A JPH10341034 A JP H10341034A
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- Japan
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- light emitting
- layer
- emitting diode
- light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速かつ高出力の発光ダイオードを提供す
る。 【解決手段】 p型GaAs基板2の表面に形成された
複数の凹部が、AlGaAs層で埋められ、AlGaA
s層を含むGaAs基板上に、AlGaAsからなるダ
ブルヘテロ構造の発光層6が形成され、AlGaAs層
が除去された後の空洞部10と発光層6との界面で光を
反射させるようにした発光ダイオード20或いは、p型G
aAs基板2上にAlGaAsからなるダブルヘテロ構
造の発光層6が形成された後p型GaAs基板2が除去
された発光層6の裏面側で光を反射させるようにした発
光ダイオード30において、活性層4の成長溶液としての
GaAs溶液中にp型ドーパントとしてのMgを0.1
〜4mg/Ga1gの高いキャリア濃度で添加すると共
に、活性層4の膜厚を0.5〜0.05μmの間に薄く
設定することにより、高速かつ高出力が得られる。
る。 【解決手段】 p型GaAs基板2の表面に形成された
複数の凹部が、AlGaAs層で埋められ、AlGaA
s層を含むGaAs基板上に、AlGaAsからなるダ
ブルヘテロ構造の発光層6が形成され、AlGaAs層
が除去された後の空洞部10と発光層6との界面で光を
反射させるようにした発光ダイオード20或いは、p型G
aAs基板2上にAlGaAsからなるダブルヘテロ構
造の発光層6が形成された後p型GaAs基板2が除去
された発光層6の裏面側で光を反射させるようにした発
光ダイオード30において、活性層4の成長溶液としての
GaAs溶液中にp型ドーパントとしてのMgを0.1
〜4mg/Ga1gの高いキャリア濃度で添加すると共
に、活性層4の膜厚を0.5〜0.05μmの間に薄く
設定することにより、高速かつ高出力が得られる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、AlGaAs系の
発光ダイオードに関する。
発光ダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】発光ダイオードは、インジケータのよう
な表示素子に用いられているが、光通信用の発光源とし
ても広く用いられている。光通信用の発光ダイオードと
しては、光ファイバ用と光空間伝送用の二つに大きく分
けられる。光空間伝送用としては、最近伝送情報密度が
高くなってきたことから、より高速で高出力の発光ダイ
オードが要求されるようになってきた。
な表示素子に用いられているが、光通信用の発光源とし
ても広く用いられている。光通信用の発光ダイオードと
しては、光ファイバ用と光空間伝送用の二つに大きく分
けられる。光空間伝送用としては、最近伝送情報密度が
高くなってきたことから、より高速で高出力の発光ダイ
オードが要求されるようになってきた。
【0003】光ファイバ用としては、ファイバへ光をい
かに有効に入れることができるかということが重要であ
る。このため、通常、電流狭窄構造が用いられ、この電
流狭窄構造により高速化が実現されている。
かに有効に入れることができるかということが重要であ
る。このため、通常、電流狭窄構造が用いられ、この電
流狭窄構造により高速化が実現されている。
【0004】しかし、光空間伝送用の発光ダイオードと
しては、いかにして電気を光に変えてチップから光を取
出すかが重要となり、電流狭窄構造は採用されていなか
った。
しては、いかにして電気を光に変えてチップから光を取
出すかが重要となり、電流狭窄構造は採用されていなか
った。
【0005】これに対して、光空間伝送用の発光ダイオ
ードとして界面反射型構造の発光ダイオードが開示され
ている(特開平7−193275号公報)。
ードとして界面反射型構造の発光ダイオードが開示され
ている(特開平7−193275号公報)。
【0006】図6は従来の発光ダイオードの断面図であ
る。
る。
【0007】この発光ダイオード1は、p型GaAs基
板2上に、p型AlGaAsクラッド層3、p型AlG
aAs活性層4a及びn型AlGaAsウィンドウ層5
からなるDH(ダブルヘテロ)構造の発光層6aが形成
されている。p型GaAs基板2にはp側全面電極7が
形成され、n型AlGaAsウィンドウ層5にはn型円
形電極8がそれぞれ形成されている。p型GaAs基板
2のクラッド層側表面には凸状のメサ部9が形成され、
p型GaAs基板2とp型AlGaAsクラッド層3と
の間に空洞部10が形成されている。空洞部10と発光
層6aとの界面で光を反射させるようになっている。
板2上に、p型AlGaAsクラッド層3、p型AlG
aAs活性層4a及びn型AlGaAsウィンドウ層5
からなるDH(ダブルヘテロ)構造の発光層6aが形成
されている。p型GaAs基板2にはp側全面電極7が
形成され、n型AlGaAsウィンドウ層5にはn型円
形電極8がそれぞれ形成されている。p型GaAs基板
2のクラッド層側表面には凸状のメサ部9が形成され、
p型GaAs基板2とp型AlGaAsクラッド層3と
の間に空洞部10が形成されている。空洞部10と発光
層6aとの界面で光を反射させるようになっている。
【0008】この発光ダイオード1には、光空間伝送用
の発光ダイオードに、光ファイバ用の発光ダイオードに
用いられている電流狭窄効果を生じさせる構造が採用さ
れている。この構造により高速・高出力の発光ダイオー
ドの製造が可能となった。
の発光ダイオードに、光ファイバ用の発光ダイオードに
用いられている電流狭窄効果を生じさせる構造が採用さ
れている。この構造により高速・高出力の発光ダイオー
ドの製造が可能となった。
【0009】ここで、光空間伝送に関しては、従来は文
書データの伝送のみであったが、最近ではイメージデー
タの伝送が中心になりつつあり、さらに動画像のデータ
伝送も開発されている。このため、光空間伝送用の発光
ダイオードとして遮断周波数の高い発光ダイオードが要
求されており、従来の20MHzレベルから50MH
z、100MHzから更に200MHzまで要求される
ようになってきた。
書データの伝送のみであったが、最近ではイメージデー
タの伝送が中心になりつつあり、さらに動画像のデータ
伝送も開発されている。このため、光空間伝送用の発光
ダイオードとして遮断周波数の高い発光ダイオードが要
求されており、従来の20MHzレベルから50MH
z、100MHzから更に200MHzまで要求される
ようになってきた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6に
示した従来構造の発光ダイオードで応答速度を速くして
いこうとすると、p型AlGaAs活性層4aのキャリ
ア濃度を高くして行かなければならない。そうすると、
発光出力が低下していき、高速・高出力を両立できなく
なってしまう。このため、高速と高出力とを両立できる
発光ダイオードの開発が待たれていた。
示した従来構造の発光ダイオードで応答速度を速くして
いこうとすると、p型AlGaAs活性層4aのキャリ
ア濃度を高くして行かなければならない。そうすると、
発光出力が低下していき、高速・高出力を両立できなく
なってしまう。このため、高速と高出力とを両立できる
発光ダイオードの開発が待たれていた。
【0011】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、高速かつ高出力の発光ダイオードを提供することに
ある。
し、高速かつ高出力の発光ダイオードを提供することに
ある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、p型GaAs基板の表面に形成された複数
の凹部が、犠牲層となる高AlAs混晶比のAlGaA
s層で埋められ、該AlGaAs層を含むGaAs基板
上に、GaAs又はAlGaAsからなるダブルヘテロ
構造の発光層が形成され、上記AlGaAs層が除去さ
れた後の空洞部と上記発光層との界面で光を反射させる
ようにした発光ダイオードにおいて、発光ダイオード用
のエピタキシャルウェハを液相エピタキシャル法により
成長させるための活性層の成長溶液としてのGaAs溶
液中にp型ドーパントとしてのMgを0.1〜4mg/
Ga1gの間で添加すると共に、活性層の膜厚を0.5
〜0.05μmの間に設定したものである。
に本発明は、p型GaAs基板の表面に形成された複数
の凹部が、犠牲層となる高AlAs混晶比のAlGaA
s層で埋められ、該AlGaAs層を含むGaAs基板
上に、GaAs又はAlGaAsからなるダブルヘテロ
構造の発光層が形成され、上記AlGaAs層が除去さ
れた後の空洞部と上記発光層との界面で光を反射させる
ようにした発光ダイオードにおいて、発光ダイオード用
のエピタキシャルウェハを液相エピタキシャル法により
成長させるための活性層の成長溶液としてのGaAs溶
液中にp型ドーパントとしてのMgを0.1〜4mg/
Ga1gの間で添加すると共に、活性層の膜厚を0.5
〜0.05μmの間に設定したものである。
【0013】また本発明は、GaAs基板上にGaAs
又はAlGaAsからなるダブルヘテロ構造の発光層が
形成された後GaAs基板が除去された発光層の裏面側
で光を反射させるようにした発光ダイオードにおいて、
発光ダイオード用のエピタキシャルウェハを液相エピタ
キシャル法により成長させるための活性層の成長溶液と
してのGaAs溶液中にp型ドーパントとしてのMgを
0.1〜4mg/Ga1gの間で添加すると共に、活性
層の膜厚を0.5〜0.05μmの間に設定したもので
ある。
又はAlGaAsからなるダブルヘテロ構造の発光層が
形成された後GaAs基板が除去された発光層の裏面側
で光を反射させるようにした発光ダイオードにおいて、
発光ダイオード用のエピタキシャルウェハを液相エピタ
キシャル法により成長させるための活性層の成長溶液と
してのGaAs溶液中にp型ドーパントとしてのMgを
0.1〜4mg/Ga1gの間で添加すると共に、活性
層の膜厚を0.5〜0.05μmの間に設定したもので
ある。
【0014】ここで、活性層の厚さを薄くすると発光出
力が高くなることが分かってきた。特に高速を得るため
キャリア濃度を高くしていくと発光出力が低くなる場合
に活性層の厚さを薄くすると効果が顕著であることが分
かった。しかし、ドーパントとしてZnやGeを用いた
場合には活性層の厚さを薄くすると(例えば0.5μm
以下の場合)発光しなくなる。
力が高くなることが分かってきた。特に高速を得るため
キャリア濃度を高くしていくと発光出力が低くなる場合
に活性層の厚さを薄くすると効果が顕著であることが分
かった。しかし、ドーパントとしてZnやGeを用いた
場合には活性層の厚さを薄くすると(例えば0.5μm
以下の場合)発光しなくなる。
【0015】これに対して本発明によれば、活性層の成
長溶液としてのGaAs溶液中にp型ドーパントとして
のMgを0.1〜4mg/Ga1gの高いキャリア濃度
で添加すると共に、活性層の膜厚を0.5〜0.05μ
mの間に薄く設定することにより、高速かつ高出力の発
光ダイオードが得られる。
長溶液としてのGaAs溶液中にp型ドーパントとして
のMgを0.1〜4mg/Ga1gの高いキャリア濃度
で添加すると共に、活性層の膜厚を0.5〜0.05μ
mの間に薄く設定することにより、高速かつ高出力の発
光ダイオードが得られる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。尚、図6に示した従来例と同
様の部材には共通の符号を用いた。
図面に基づいて詳述する。尚、図6に示した従来例と同
様の部材には共通の符号を用いた。
【0017】図1は本発明の発光ダイオードの一実施の
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【0018】この発光ダイオード20は、p型GaAs
基板2上に、p型AlGaAsクラッド層3、p型Al
GaAs活性層4及びn型AlGaAsウィンドウ層5
からなるDH構造の発光層6が形成されている。p型G
aAs基板2にはp側全面電極7が形成され、n型Al
GaAsウィンドウ層5にはn型円形電極8がそれぞれ
形成されている。
基板2上に、p型AlGaAsクラッド層3、p型Al
GaAs活性層4及びn型AlGaAsウィンドウ層5
からなるDH構造の発光層6が形成されている。p型G
aAs基板2にはp側全面電極7が形成され、n型Al
GaAsウィンドウ層5にはn型円形電極8がそれぞれ
形成されている。
【0019】p型GaAs基板2のクラッド層側表面に
は凸状のメサ部9が形成されている。p型AlGaAs
クラッド層3はメサ部9の上部がp型AlGaAsクラ
ッド層3内に食い込むような形でメサ部9と直接に接続
されている。この接続は部分的に行われるため、p型G
aAs基板2とp型AlGaAsクラッド層3との間に
空洞部10が形成されることになる。
は凸状のメサ部9が形成されている。p型AlGaAs
クラッド層3はメサ部9の上部がp型AlGaAsクラ
ッド層3内に食い込むような形でメサ部9と直接に接続
されている。この接続は部分的に行われるため、p型G
aAs基板2とp型AlGaAsクラッド層3との間に
空洞部10が形成されることになる。
【0020】ここで、この発光ダイオード用のエピタキ
シャルウェハは、液相エピタキシャル法により成長した
ものであり、活性層のドーパントとしてZn、GeとM
gが用いられた。また、各ドーパントについてドープ量
を変えながらキャリア濃度を制御し、1×1018cm-3
から2×1019cm-3までの間で成長させた。Mgドー
プでのキャリア濃度を制御するには、GaへのMgドー
プ量は0.1〜4mg/Ga1gが好ましい。またp型
AlGaAs活性層4の厚さを1.0μmから0.05
μmまで変えてエピタキシャルウェハを成長させた。
尚、ドープ量とキャリア濃度とは図2に示すような関係
となっている。
シャルウェハは、液相エピタキシャル法により成長した
ものであり、活性層のドーパントとしてZn、GeとM
gが用いられた。また、各ドーパントについてドープ量
を変えながらキャリア濃度を制御し、1×1018cm-3
から2×1019cm-3までの間で成長させた。Mgドー
プでのキャリア濃度を制御するには、GaへのMgドー
プ量は0.1〜4mg/Ga1gが好ましい。またp型
AlGaAs活性層4の厚さを1.0μmから0.05
μmまで変えてエピタキシャルウェハを成長させた。
尚、ドープ量とキャリア濃度とは図2に示すような関係
となっている。
【0021】図2はMgの添加量とキャリア濃度との関
係を示す図であり、横軸がMg添加量を示し、縦軸がキ
ャリア濃度を示す。
係を示す図であり、横軸がMg添加量を示し、縦軸がキ
ャリア濃度を示す。
【0022】このようにして得られたエピタキシャルウ
ェハに電極を形成し、発光ダイオードチップを製作し
た。この発光ダイオードチップを実装し、樹脂モールド
発光ダイオードにして、発光出力と遮断周波数との関係
について測定した。
ェハに電極を形成し、発光ダイオードチップを製作し
た。この発光ダイオードチップを実装し、樹脂モールド
発光ダイオードにして、発光出力と遮断周波数との関係
について測定した。
【0023】図3は各ドーパントについての遮断周波数
と発光ダイオードの発光出力との関係を示す図であり、
横軸が遮断周波数、縦軸が発光出力を示している。
と発光ダイオードの発光出力との関係を示す図であり、
横軸が遮断周波数、縦軸が発光出力を示している。
【0024】ドーパントがZnやGeはキャリア濃度を
高くしていくと、遮断周波数も高くなっていくが、発光
出力が急速に低下していく。Znドープの場合は蒸気圧
が大きいため、飛散しやすくキャリア濃度の制御が難し
く、遮断周波数が50MHzでは発光出力は0である。
また、高濃度にドープした場合拡散しやすく、高濃度の
エピタキシャル層を成長させることが難しい。さらに、
Geドープでは、遮断周波数70MHzで発光出力はほ
とんど0である。
高くしていくと、遮断周波数も高くなっていくが、発光
出力が急速に低下していく。Znドープの場合は蒸気圧
が大きいため、飛散しやすくキャリア濃度の制御が難し
く、遮断周波数が50MHzでは発光出力は0である。
また、高濃度にドープした場合拡散しやすく、高濃度の
エピタキシャル層を成長させることが難しい。さらに、
Geドープでは、遮断周波数70MHzで発光出力はほ
とんど0である。
【0025】これに対して、Mgドープでは発光出力は
低下していくものの、遮断周波数100MHzでも最高
値の半分程度の発光出力が得られる。また、発光出力は
相当低くなるものの、遮断周波数200MHzの発光ダ
イオードが得られた。これは、Mgが高濃度にドープし
ても活性層に欠陥を形成しにくいドーパントであるため
と考えられる。この差は遮断周波数が15MHzとなる
エピタキシャル成長条件である0.1mg/Ga1gか
ら現れ始める。Mgが4mg/Ga1g間では効果が確
認できた。
低下していくものの、遮断周波数100MHzでも最高
値の半分程度の発光出力が得られる。また、発光出力は
相当低くなるものの、遮断周波数200MHzの発光ダ
イオードが得られた。これは、Mgが高濃度にドープし
ても活性層に欠陥を形成しにくいドーパントであるため
と考えられる。この差は遮断周波数が15MHzとなる
エピタキシャル成長条件である0.1mg/Ga1gか
ら現れ始める。Mgが4mg/Ga1g間では効果が確
認できた。
【0026】次にMgドープで、活性層のキャリア濃度
と共に膜厚を変化させ、遮断周波数と発光出力との関係
を調べた。その結果を図4に示す。図4は活性層の膜厚
についての遮断周波数と発光出力との関係を示す図であ
り、横軸が遮断周波数、縦軸が発光出力を示している。
と共に膜厚を変化させ、遮断周波数と発光出力との関係
を調べた。その結果を図4に示す。図4は活性層の膜厚
についての遮断周波数と発光出力との関係を示す図であ
り、横軸が遮断周波数、縦軸が発光出力を示している。
【0027】活性層の膜厚を薄くしていくと、発光出力
が高くなると共に遮断周波数も高くなっていく。これは
遮断周波数が高い場合により顕著である。より効果がは
っきりするのは、活性層の膜厚が0.5μm以下であ
り、活性層の厚さが0.05μmではそれが顕著であ
る。
が高くなると共に遮断周波数も高くなっていく。これは
遮断周波数が高い場合により顕著である。より効果がは
っきりするのは、活性層の膜厚が0.5μm以下であ
り、活性層の厚さが0.05μmではそれが顕著であ
る。
【0028】以上において、Ge及びZnは、高濃度で
ドープすると急速に光らなくなる。また、Znは蒸気圧
が大きいため、ドープする際に飛散しやすくキャリア濃
度の制御が難しく、さらに高濃度にドープすると、拡散
しやすくなり、高濃度のエピタキシャル層を成長させる
ことが難しい。Mgのドープ量が少ない場合には発光ダ
イオードの発光特性がZnドープやGeドープの場合と
同じになり、Mgの優位性がない。これに対して上記以
外のキャリア濃度ではGeドープやZnドープの場合よ
りも高い発光出力が得られる。
ドープすると急速に光らなくなる。また、Znは蒸気圧
が大きいため、ドープする際に飛散しやすくキャリア濃
度の制御が難しく、さらに高濃度にドープすると、拡散
しやすくなり、高濃度のエピタキシャル層を成長させる
ことが難しい。Mgのドープ量が少ない場合には発光ダ
イオードの発光特性がZnドープやGeドープの場合と
同じになり、Mgの優位性がない。これに対して上記以
外のキャリア濃度ではGeドープやZnドープの場合よ
りも高い発光出力が得られる。
【0029】本発明による発光ダイオードは、活性層よ
り放出された光(従来は基板に吸収されていた)がエピ
タキシャル層と空洞部との間の界面で反射され、チップ
表面側に取出すことができるため、高出力が得られる。
また、電流が基板からエピタキシャル層に流れる際、基
板とエピタキシャル層との接続部に狭窄されているた
め、活性層の電流密度が高くなり、応答速度が速くな
る。
り放出された光(従来は基板に吸収されていた)がエピ
タキシャル層と空洞部との間の界面で反射され、チップ
表面側に取出すことができるため、高出力が得られる。
また、電流が基板からエピタキシャル層に流れる際、基
板とエピタキシャル層との接続部に狭窄されているた
め、活性層の電流密度が高くなり、応答速度が速くな
る。
【0030】図5は本発明の発光ダイオードの他の実施
の形態を示す断面図である。
の形態を示す断面図である。
【0031】同図に示す発光ダイオード30は、GaA
s基板(図示せず)上にAlGaAsからなるダブルヘ
テロ構造の発光層6が形成された後GaAs基板が除去
された発光層6の裏面側で光を反射させるようにしたも
のである。
s基板(図示せず)上にAlGaAsからなるダブルヘ
テロ構造の発光層6が形成された後GaAs基板が除去
された発光層6の裏面側で光を反射させるようにしたも
のである。
【0032】p型AlGaAs活性層4は、図1に示す
活性層と同様にして形成されたものであり、この発光ダ
イオード30も図1に示した発光ダイオード20と同様
に高速、高出力が得られる。尚、本実施の形態では発光
層にAlGaAsを用いた場合で説明したが、これに限
定されず、GaAsを用いてもよい。
活性層と同様にして形成されたものであり、この発光ダ
イオード30も図1に示した発光ダイオード20と同様
に高速、高出力が得られる。尚、本実施の形態では発光
層にAlGaAsを用いた場合で説明したが、これに限
定されず、GaAsを用いてもよい。
【0033】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【0034】発光ダイオード用のエピタキシャルウェハ
を液相エピタキシャル法により成長させるための活性層
の成長溶液としてのGaAs溶液中にp型ドーパントと
してのMgを0.1〜4mg/Ga1gの間で添加する
と共に、活性層の膜厚を0.5〜0.05μmの間に設
定することにより、高速かつ高出力の発光ダイオードの
提供を実現することができる。
を液相エピタキシャル法により成長させるための活性層
の成長溶液としてのGaAs溶液中にp型ドーパントと
してのMgを0.1〜4mg/Ga1gの間で添加する
と共に、活性層の膜厚を0.5〜0.05μmの間に設
定することにより、高速かつ高出力の発光ダイオードの
提供を実現することができる。
【図1】本発明の発光ダイオードの一実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図2】Mgの添加量とキャリア濃度との関係を示す図
である。
である。
【図3】各ドーパントについての遮断周波数と発光ダイ
オードの発光出力との関係を示す図である。
オードの発光出力との関係を示す図である。
【図4】活性層の膜厚についての遮断周波数と発光出力
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図5】本発明の発光ダイオードの他の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図6】従来の発光ダイオードの断面図である。
2 p型GaAs基板 3 p型AlGaAsクラッド層 4 p型AlGaAs活性層 5 n型AlGaAsウィンドウ層 6 発光層 7 p側全面電極 8 n型円形電極 9 メサ部 10 空洞部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石黒 茂之 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社日高工場内
Claims (2)
- 【請求項1】 p型GaAs基板の表面に形成された複
数の凹部が、犠牲層となる高AlAs混晶比のAlGa
As層で埋められ、該AlGaAs層を含むGaAs基
板上に、GaAs又はAlGaAsからなるダブルヘテ
ロ構造の発光層が形成され、上記AlGaAs層が除去
された後の空洞部と上記発光層との界面で光を反射させ
るようにした発光ダイオードにおいて、発光ダイオード
用のエピタキシャルウェハを液相エピタキシャル法によ
り成長させるための活性層の成長溶液としてのGaAs
溶液中にp型ドーパントとしてのMgを0.1〜4mg
/Ga1gの間で添加すると共に、活性層の膜厚を0.
5〜0.05μmの間に設定したことを特徴とする発光
ダイオード。 - 【請求項2】 GaAs基板上にGaAs又はAlGa
Asからなるダブルヘテロ構造の発光層が形成された後
GaAs基板が除去された発光層の裏面側で光を反射さ
せるようにした発光ダイオードにおいて、発光ダイオー
ド用のエピタキシャルウェハを液相エピタキシャル法に
より成長させるための活性層の成長溶液としてのGaA
s溶液中にp型ドーパントとしてのMgを0.1〜4m
g/Ga1gの間で添加すると共に、活性層の膜厚を
0.5〜0.05μmの間に設定したことを特徴とする
発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14825197A JPH10341034A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14825197A JPH10341034A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 発光ダイオード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10341034A true JPH10341034A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15448618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14825197A Pending JPH10341034A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10341034A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100831843B1 (ko) | 2006-11-07 | 2008-05-22 | 주식회사 실트론 | 금속층 위에 성장된 화합물 반도체 기판, 그 제조 방법 및이를 이용한 화합물 반도체 소자 |
JP2008141057A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US8530917B2 (en) | 2009-03-04 | 2013-09-10 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device having air gap forming reflective mirror and its manufacturing method |
-
1997
- 1997-06-05 JP JP14825197A patent/JPH10341034A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100831843B1 (ko) | 2006-11-07 | 2008-05-22 | 주식회사 실트론 | 금속층 위에 성장된 화합물 반도체 기판, 그 제조 방법 및이를 이용한 화합물 반도체 소자 |
TWI395259B (zh) * | 2006-11-07 | 2013-05-01 | Siltron Inc | 成長於金屬層上之複合半導體基板、其製造方法及利用該複合半導體基板形成之複合半導體元件 |
JP2008141057A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US8530917B2 (en) | 2009-03-04 | 2013-09-10 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device having air gap forming reflective mirror and its manufacturing method |
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