JPH10337699A - 配線基板の穴開け加工方法 - Google Patents
配線基板の穴開け加工方法Info
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- JPH10337699A JPH10337699A JP9146879A JP14687997A JPH10337699A JP H10337699 A JPH10337699 A JP H10337699A JP 9146879 A JP9146879 A JP 9146879A JP 14687997 A JP14687997 A JP 14687997A JP H10337699 A JPH10337699 A JP H10337699A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 穴内壁面に発生する微細な凹凸や炭化物を除
去することによって、加工特性に優れた配線基板の穴開
け加工方法。 【解決手段】 樹脂部の表面に導電性箔を付与してなる
配線基板にレーザビームを照射して穴開けを行い、その
形成された穴の内壁面を酸素プラズマによってアッシン
グすることにより、内壁面に発生した微細な凹凸や炭化
物を除去し、その除去後の内壁面に導体膜を付与する。
去することによって、加工特性に優れた配線基板の穴開
け加工方法。 【解決手段】 樹脂部の表面に導電性箔を付与してなる
配線基板にレーザビームを照射して穴開けを行い、その
形成された穴の内壁面を酸素プラズマによってアッシン
グすることにより、内壁面に発生した微細な凹凸や炭化
物を除去し、その除去後の内壁面に導体膜を付与する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザビームを用
いてプリント配線基板（以下、単に「プリント板」とも
称す）を穴開け加工する方法に関する。
いてプリント配線基板（以下、単に「プリント板」とも
称す）を穴開け加工する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント板において、両面間の導
通をとるための導体膜が形成されるスルーホールは、た
とえばドリルを用いる穴開けにより形成されている。こ
のドリルによる穴開けは加工穴数の少ない場合にはある
程度の精度が得られるが、連続加工すると加工中の発熱
によりドリル切削性能の低下およびドリルの損傷を生
じ、加工時間が長くなり、穴内壁面の表面粗さ精度も低
下してくる。
通をとるための導体膜が形成されるスルーホールは、た
とえばドリルを用いる穴開けにより形成されている。こ
のドリルによる穴開けは加工穴数の少ない場合にはある
程度の精度が得られるが、連続加工すると加工中の発熱
によりドリル切削性能の低下およびドリルの損傷を生
じ、加工時間が長くなり、穴内壁面の表面粗さ精度も低
下してくる。
【０００３】また、ドリル加工の場合、直径０．１ｍｍ
Φ以下のドリルは折損しやすく、加工の自動化が困難で
ある。さらに、ドリル加工の場合、穴内壁面の粗さが粗
くなりがちであるので、穴開け後のメッキ処理の際に穴
内壁面に均一かつ十分な厚さの導体膜が形成できないと
いう難点がある。
Φ以下のドリルは折損しやすく、加工の自動化が困難で
ある。さらに、ドリル加工の場合、穴内壁面の粗さが粗
くなりがちであるので、穴開け後のメッキ処理の際に穴
内壁面に均一かつ十分な厚さの導体膜が形成できないと
いう難点がある。
【０００４】従来のドリルによる穴開け加工を、図６に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【０００５】図６（ａ）は、加工前のプリント板３０を
示すものである。このプリント板３０は、ガラスエポキ
シ絶縁層３０Ａの両面に銅箔３０Ｂ，３０Ｃを張り付け
て構成されている。図６（ｂ）に示すように、ドリル３
２による穴開け加工で形成された穴の内壁面は、ランダ
ムな凹凸や上下両面の開口位置のズレ（ドリルのシュー
ティングによる）等が生じている。そして、図６（ｃ）
に示すように、上記ドリル加工による穴の内壁面にメッ
キにより導電層３４を形成すると、その内壁面の凹凸が
激しいため、導電層３４が均一に形成されない。
示すものである。このプリント板３０は、ガラスエポキ
シ絶縁層３０Ａの両面に銅箔３０Ｂ，３０Ｃを張り付け
て構成されている。図６（ｂ）に示すように、ドリル３
２による穴開け加工で形成された穴の内壁面は、ランダ
ムな凹凸や上下両面の開口位置のズレ（ドリルのシュー
ティングによる）等が生じている。そして、図６（ｃ）
に示すように、上記ドリル加工による穴の内壁面にメッ
キにより導電層３４を形成すると、その内壁面の凹凸が
激しいため、導電層３４が均一に形成されない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のド
リル穴開けは、機械的加工であるため、穴径が小さくな
ればなるほど、次のような問題が生じてくる。
リル穴開けは、機械的加工であるため、穴径が小さくな
ればなるほど、次のような問題が生じてくる。
【０００７】（１）ドリル径が小さいため、ドリルの強
度が低下し、折れやすくなり、寿命が短い。
度が低下し、折れやすくなり、寿命が短い。
【０００８】（２）ドリル寿命を延ばすためには、加工
送り速度を遅くすることが必要であり、加工時間が長く
なる。
送り速度を遅くすることが必要であり、加工時間が長く
なる。
【０００９】（３）ドリルの直行性および加工位置精度
が十分とはいえない。
が十分とはいえない。
【００１０】（４）穴の内壁面の凹凸が、穴径に比べて
大きくなり、次工程の導体膜形成の際、穴内壁面に均一
かつ十分な厚さの導体膜が形成されず、これにより、各
種の原因に基づき発生する応力によってクラックが発生
したりして導電特性が劣化し、信頼性が損なわれやす
い。
大きくなり、次工程の導体膜形成の際、穴内壁面に均一
かつ十分な厚さの導体膜が形成されず、これにより、各
種の原因に基づき発生する応力によってクラックが発生
したりして導電特性が劣化し、信頼性が損なわれやす
い。
【００１１】一方、従来、微小径の穴開けを行う方法と
して、レーザビームを用いて穴開け加工する方法が提案
されている（たとえば、特開昭５８−２０３９０号公
報、特開昭５８−１６８４８９号公報、特開昭６２−２
５４１１１７号公報、特開昭６２−２８９３９０号公報
参照）。しかし、レーザビーム加工は熱による加工のた
め、加工面（穴の内壁面）の炭化および複合材料等にお
いては、各材料の沸点の相違により加工面（穴の内壁
面）に凹凸が生じて、次工程の導体膜形成の際に均一厚
さが得られず、ときには、導電膜の形成ができない場合
もある。
して、レーザビームを用いて穴開け加工する方法が提案
されている（たとえば、特開昭５８−２０３９０号公
報、特開昭５８−１６８４８９号公報、特開昭６２−２
５４１１１７号公報、特開昭６２−２８９３９０号公報
参照）。しかし、レーザビーム加工は熱による加工のた
め、加工面（穴の内壁面）の炭化および複合材料等にお
いては、各材料の沸点の相違により加工面（穴の内壁
面）に凹凸が生じて、次工程の導体膜形成の際に均一厚
さが得られず、ときには、導電膜の形成ができない場合
もある。
【００１２】そこで、本発明の目的は、プリント板に穴
開け加工を行った際、穴内壁面に発生する微細な凹凸や
炭化物を除去することによって、加工特性に優れた穴開
け加工方法を提供することにある。
開け加工を行った際、穴内壁面に発生する微細な凹凸や
炭化物を除去することによって、加工特性に優れた穴開
け加工方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂部の表面
に導電性箔を付与してなる配線基板にレーザビームを照
射して穴開けする工程と、該開けられた穴の内壁面を酸
素プラズマによってアッシングする工程と、該アッシン
グ後の穴の内壁面に導体膜を付与する工程とを用い、該
アッシング処理により前記穴の内壁面を微細に加工する
配線基板の穴開け加工方法を提供する。
に導電性箔を付与してなる配線基板にレーザビームを照
射して穴開けする工程と、該開けられた穴の内壁面を酸
素プラズマによってアッシングする工程と、該アッシン
グ後の穴の内壁面に導体膜を付与する工程とを用い、該
アッシング処理により前記穴の内壁面を微細に加工する
配線基板の穴開け加工方法を提供する。
【００１４】また、本発明は、樹脂部の表面に導電性箔
を付与してなる配線基板にレーザビームを照射して穴開
けする工程と、該開けられた穴の内壁面をプラズマによ
ってエッチングする工程と、該エッチング後の穴の内壁
面に導体膜を付与する工程とを用い、該エッチング処理
により前記穴の内壁面を微細に加工する配線基板の穴開
け加工方法を提供する。
を付与してなる配線基板にレーザビームを照射して穴開
けする工程と、該開けられた穴の内壁面をプラズマによ
ってエッチングする工程と、該エッチング後の穴の内壁
面に導体膜を付与する工程とを用い、該エッチング処理
により前記穴の内壁面を微細に加工する配線基板の穴開
け加工方法を提供する。
【００１５】また、本発明は、樹脂部の表面に導電性箔
を付与してなる配線基板にレーザビームの照射と高圧水
の噴射による加工とを同時に行って穴開けする工程と、
該開けられた穴の内壁面に導体膜を付与する工程とを用
い、該高圧水の噴射により前記穴の内壁面を微細に加工
する配線基板の穴開け加工方法を提供する。
を付与してなる配線基板にレーザビームの照射と高圧水
の噴射による加工とを同時に行って穴開けする工程と、
該開けられた穴の内壁面に導体膜を付与する工程とを用
い、該高圧水の噴射により前記穴の内壁面を微細に加工
する配線基板の穴開け加工方法を提供する。
【００１６】ここで、レーザビームの照射軸と高圧水の
噴射加工軸とを同一軸上にして穴開け加工することがで
きる。
噴射加工軸とを同一軸上にして穴開け加工することがで
きる。
【００１７】前記レーザビームとしては、ＣＯ2 レーザ
ビーム、Ｎｄ−ＹＡＧレーザビーム、Ｎｄ−ＹＡＧレー
ザビームの第２高調波、Ｎｄ−ＹＡＧレーザビームの第
３高調波を用いることができ、また、Ｎｄ−ＹＡＧレー
ザビームの第４高調波を用いることができる。
ビーム、Ｎｄ−ＹＡＧレーザビーム、Ｎｄ−ＹＡＧレー
ザビームの第２高調波、Ｎｄ−ＹＡＧレーザビームの第
３高調波を用いることができ、また、Ｎｄ−ＹＡＧレー
ザビームの第４高調波を用いることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１９】本発明の第１の実施の形態を、図１〜図４
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００２０】まず、本発明に係るレーザ加工方法の工程
の概略を、図１および図２に基づいて説明する。
の概略を、図１および図２に基づいて説明する。
【００２１】図１は、レーザ加工方法に用いるレーザ加
工装置の構成を示す。ワークＷ（樹脂部の表面に導電性
箔７を付与してなるプリント配線基板６）に対し、ＣＯ
2 レーザ装置１によって発生されたＣＯ2 レーザ光Ｌ１
をミラー２で反射させて加工レンズ３へ導く。そして、
この加工レンズ３によって集光させてワークＷのプリン
ト配線基板６の穴開けを加工すべき部位の表面の導電性
箔７に照射するとともに、加工ノズル４よりアシストガ
ス５を供給することによって、ワークＷを貫通する穴８
を形成する。
工装置の構成を示す。ワークＷ（樹脂部の表面に導電性
箔７を付与してなるプリント配線基板６）に対し、ＣＯ
2 レーザ装置１によって発生されたＣＯ2 レーザ光Ｌ１
をミラー２で反射させて加工レンズ３へ導く。そして、
この加工レンズ３によって集光させてワークＷのプリン
ト配線基板６の穴開けを加工すべき部位の表面の導電性
箔７に照射するとともに、加工ノズル４よりアシストガ
ス５を供給することによって、ワークＷを貫通する穴８
を形成する。
【００２２】この穴形成工程において、ワークＷの穴開
け加工部である穴８の内壁面に微細な凹凸が生じると共
に炭化物が発生する。
け加工部である穴８の内壁面に微細な凹凸が生じると共
に炭化物が発生する。
【００２３】図２は、大気圧プラズマのアッシング装置
の構成を示す。１５の基板ホルダと穴８が形成されたプ
リント配線基板１４を中心導体とする内部電極を構成
し、この内部電極と外部電極である外側導体１０との間
に絶縁体１２を配する。そして、中心導体と外側導体１
０とをそれぞれ電極として、交流電源１１より電磁エネ
ルギーとして交流電界を印加する。これによって、放電
空間１３に大気圧のグロー放電を形成し、穴８を有する
プリント配線基板１４のアッシング処理を行った。
の構成を示す。１５の基板ホルダと穴８が形成されたプ
リント配線基板１４を中心導体とする内部電極を構成
し、この内部電極と外部電極である外側導体１０との間
に絶縁体１２を配する。そして、中心導体と外側導体１
０とをそれぞれ電極として、交流電源１１より電磁エネ
ルギーとして交流電界を印加する。これによって、放電
空間１３に大気圧のグロー放電を形成し、穴８を有する
プリント配線基板１４のアッシング処理を行った。
【００２４】上述したように、レーザ光を照射して穴開
けを行った後、その穴８の内壁面を酸素プラズマによっ
てアッシングすることにより、内壁面に発生した微細な
凹凸や炭化物を除去することができる。また、アッシン
グ処理の代わりに、図３に示すようなプラズマＣＶＤ装
置を用いて、プラズマエッチングを行うことによって
も、凹凸や炭化物を同様に除去することができる。な
お、後処理として、アッシングまたはエッチング後の穴
内壁面に導体膜を形成しても良好なメッキを行うことが
できる。
けを行った後、その穴８の内壁面を酸素プラズマによっ
てアッシングすることにより、内壁面に発生した微細な
凹凸や炭化物を除去することができる。また、アッシン
グ処理の代わりに、図３に示すようなプラズマＣＶＤ装
置を用いて、プラズマエッチングを行うことによって
も、凹凸や炭化物を同様に除去することができる。な
お、後処理として、アッシングまたはエッチング後の穴
内壁面に導体膜を形成しても良好なメッキを行うことが
できる。
【００２５】以下、具体例を挙げて説明する。
【００２６】（具体例１）プリント配線基板１４とし
て、ガラスエポキシ銅張り積層板（東芝ケミカル社製Ｔ
ＣＬ−Ｗ−５５１ 厚さ０．６ｍｍ 銅箔部片面１８
μ）を使用する。
て、ガラスエポキシ銅張り積層板（東芝ケミカル社製Ｔ
ＣＬ−Ｗ−５５１ 厚さ０．６ｍｍ 銅箔部片面１８
μ）を使用する。
【００２７】このプリント配線基板１４に対し、出力５
００ＷのＣＯ2 レーザ装置によって発生したパルスオン
タイム１ｍｓ、パルスオフタイム５０ｍｓのＣＯ2 レー
ザ光Ｌ1 を照射するとともに、アシストガスを加工ノズ
ル４より穴開け加工部へ供給し、ワークＷを貫通する穴
８を形成する。
００ＷのＣＯ2 レーザ装置によって発生したパルスオン
タイム１ｍｓ、パルスオフタイム５０ｍｓのＣＯ2 レー
ザ光Ｌ1 を照射するとともに、アシストガスを加工ノズ
ル４より穴開け加工部へ供給し、ワークＷを貫通する穴
８を形成する。
【００２８】加工レンズ３は焦点距離５ｉｎレンズ、ア
シストガスはガス圧０．５ｋｇ／ｃｍ2 の酸素ガスを用
いた。この場合、パルスオフタイムの時間を短くする
と、穴内壁面の凹凸が大きくなり、炭化物の発生量も多
くなる。オフタイム時間を長くしても、凹凸の大きさお
よび炭化物の発生量は変わらず加工時間が長くなった。
シストガスはガス圧０．５ｋｇ／ｃｍ2 の酸素ガスを用
いた。この場合、パルスオフタイムの時間を短くする
と、穴内壁面の凹凸が大きくなり、炭化物の発生量も多
くなる。オフタイム時間を長くしても、凹凸の大きさお
よび炭化物の発生量は変わらず加工時間が長くなった。
【００２９】次工程として、前記穴８が形成されたプリ
ント配線基板１４を、図２に示すようなチャンバ内に設
置し、酸素プラズマによってアッシングを行い、凹凸お
よび炭化物を除去した。
ント配線基板１４を、図２に示すようなチャンバ内に設
置し、酸素プラズマによってアッシングを行い、凹凸お
よび炭化物を除去した。
【００３０】具体的には、基板ホルダ１５にレーザ光で
光加工されたプリント配線基板１４を設置し、装置内に
ガス供給系よりヘリウム９０ｓｃｃｍ、酸素１０ｓｃｃ
ｍを導入し、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を１
５０Ｗを投入して安定なグロー放電を形成し、穴内壁部
の凹凸と炭化物をアッシングした。
光加工されたプリント配線基板１４を設置し、装置内に
ガス供給系よりヘリウム９０ｓｃｃｍ、酸素１０ｓｃｃ
ｍを導入し、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を１
５０Ｗを投入して安定なグロー放電を形成し、穴内壁部
の凹凸と炭化物をアッシングした。
【００３１】アッシング速度は３μｍ／ｍｉｎ、約１分
で凹凸はなくなり、炭化物も除去された。処理後の穴内
壁面の粗さは１μｍ以下であった。また、ＥＳＣＡによ
るＸ線分析では、Ｃ（カーボン）は検出されなかった。
で凹凸はなくなり、炭化物も除去された。処理後の穴内
壁面の粗さは１μｍ以下であった。また、ＥＳＣＡによ
るＸ線分析では、Ｃ（カーボン）は検出されなかった。
【００３２】また、後工程の穴内壁面の導体膜形成にお
いても、メッキ性に関して良好な結果が得られ、通常品
以上の高性能、高品質が得られた。
いても、メッキ性に関して良好な結果が得られ、通常品
以上の高性能、高品質が得られた。
【００３３】（具体例２）図３は、ＲＦ−プラズマＣＶ
Ｄ装置の構成を示す。２０は真空槽、２１はガス導入
系、２２，２３は電極、２６はＣＯ2 レーザ光Ｌ1 で加
工されたプリント配線基板、２４は排気系、２５はＲＦ
電源である。真空槽を１×１０-3Ｐａに排気した後、ガ
ス導入系よりガス圧が３０ＰａとなるようにＣＦ4 ＋Ｏ
2 （５％）を導入した。引き続き、１３．５６ＭＨｚの
ＲＦ電源により４５０ＷのＲＦ電力を供給し、ＲＦプラ
ズマを形成してプリント配線基板２６上の穴８をエッチ
ングした。
Ｄ装置の構成を示す。２０は真空槽、２１はガス導入
系、２２，２３は電極、２６はＣＯ2 レーザ光Ｌ1 で加
工されたプリント配線基板、２４は排気系、２５はＲＦ
電源である。真空槽を１×１０-3Ｐａに排気した後、ガ
ス導入系よりガス圧が３０ＰａとなるようにＣＦ4 ＋Ｏ
2 （５％）を導入した。引き続き、１３．５６ＭＨｚの
ＲＦ電源により４５０ＷのＲＦ電力を供給し、ＲＦプラ
ズマを形成してプリント配線基板２６上の穴８をエッチ
ングした。
【００３４】エッチング速度は２μｍ／ｍｉｎ、約１．
５分で凹凸はなくなり、炭化物も除去された。処理後の
穴内壁面の粗さは１μｍ以下であった。また、ＥＳＣＡ
によるＸ線分析ではＣは検出されなかった。
５分で凹凸はなくなり、炭化物も除去された。処理後の
穴内壁面の粗さは１μｍ以下であった。また、ＥＳＣＡ
によるＸ線分析ではＣは検出されなかった。
【００３５】そして、後工程の穴内壁面の導体膜形成に
おいても、メッキ性に関して良好な結果が得られ、通常
品以上の高性能、高品質が得られた。
おいても、メッキ性に関して良好な結果が得られ、通常
品以上の高性能、高品質が得られた。
【００３６】（具体例３）図４は、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ
の第３高調波を用いて穴開けするための加工装置であ
る。なお、この加工装置は、ＣＯ2 レーザ加工装置とほ
ぼ同様な構成である。
の第３高調波を用いて穴開けするための加工装置であ
る。なお、この加工装置は、ＣＯ2 レーザ加工装置とほ
ぼ同様な構成である。
【００３７】プリント配線基板６の穴開けにおいて、Ｎ
ｄ−ＹＡＧレーザの第３高調波を用いて穴８を形成し
た。
ｄ−ＹＡＧレーザの第３高調波を用いて穴８を形成し
た。
【００３８】出力７８０ｍｗのレーザを使用し、Ｑスイ
ッチを使用したレーザ光Ｌ1 をプリント配線基板６上に
照射した。レーザ光を焦点距離１００ｍｍレンズで絞
り、周波数３ｋＨｚで穴開け加工した後、前記具体例
１，２の方法にて後処理（穴内壁面の導体膜形成）を行
い、良好な結果を得た。なお、Ｎｄ−ＹＡＧレーザの第
２高調波を用いても同様な加工を行うことができる。
ッチを使用したレーザ光Ｌ1 をプリント配線基板６上に
照射した。レーザ光を焦点距離１００ｍｍレンズで絞
り、周波数３ｋＨｚで穴開け加工した後、前記具体例
１，２の方法にて後処理（穴内壁面の導体膜形成）を行
い、良好な結果を得た。なお、Ｎｄ−ＹＡＧレーザの第
２高調波を用いても同様な加工を行うことができる。
【００３９】次に、本発明の第２の実施の形態を、図５
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００４０】まず、本発明に係るレーザ加工方法の工程
の概略について説明する。
の概略について説明する。
【００４１】図５は、レーザ加工方法に用いるレーザ加
工装置の概略構成を示す。ワークＷ（樹脂部の表面に導
電性箔７を付与してなるプリント配線基板６）に対し、
Ｎｄ−ＹＡＧレーザ装置１によって発生されたＮｄ−Ｙ
ＡＧレーザ光Ｌ1 をファイバ５０を通して加工レンズ３
へ導く。そして、この加工レンズ３によって集光させて
ワークＷのプリント配線基板６の穴開けを加工すべき部
位の表面の導電性箔７に照射するとともに、高圧水発生
装置５１で発生させた高圧水をノズル４に送り込み、ノ
ズル４の先端より噴射してワークＷを貫通する穴８を形
成する。
工装置の概略構成を示す。ワークＷ（樹脂部の表面に導
電性箔７を付与してなるプリント配線基板６）に対し、
Ｎｄ−ＹＡＧレーザ装置１によって発生されたＮｄ−Ｙ
ＡＧレーザ光Ｌ1 をファイバ５０を通して加工レンズ３
へ導く。そして、この加工レンズ３によって集光させて
ワークＷのプリント配線基板６の穴開けを加工すべき部
位の表面の導電性箔７に照射するとともに、高圧水発生
装置５１で発生させた高圧水をノズル４に送り込み、ノ
ズル４の先端より噴射してワークＷを貫通する穴８を形
成する。
【００４２】このような穴形成工程によって、ワークＷ
の穴開け加工部である穴８の内壁面に微細な凹凸および
炭化物が発生することなく、高精度な穴開け加工が可能
となる。
の穴開け加工部である穴８の内壁面に微細な凹凸および
炭化物が発生することなく、高精度な穴開け加工が可能
となる。
【００４３】以下、具体例を挙げて説明する。
【００４４】（具体例１）プリント配線基板６はガラス
エポキシ銅張り積層板（東芝ケミカル社製ＴＣＬ−Ｗ−
５５１、厚さ０．６ｍｍ、銅箔部片面１８μｍ）を使用
する。
エポキシ銅張り積層板（東芝ケミカル社製ＴＣＬ−Ｗ−
５５１、厚さ０．６ｍｍ、銅箔部片面１８μｍ）を使用
する。
【００４５】このプリント配線基板６に対し、Ｎｄ−Ｙ
ＡＧレーザ装置１によって発生したレーザ光Ｌ1 をファ
イバ５０を通して加工レンズ３に導き、加工銅箔面に焦
点を合わせた。加工条件はＱスイッチを使用して１ｋＨ
ｚ、２０Ｗで照射すると同時に、高圧水発生装置５１で
発生させた高圧水をパイプ５２を通して圧力２０００〜
２５００ｋｇｆ／ｃｍ2 で、ノズル４へ送り込み、Φ
０．２５ｍｍのノズル４の先端より噴射してワークＷへ
吹き付けて貫通する穴８を形成した。
ＡＧレーザ装置１によって発生したレーザ光Ｌ1 をファ
イバ５０を通して加工レンズ３に導き、加工銅箔面に焦
点を合わせた。加工条件はＱスイッチを使用して１ｋＨ
ｚ、２０Ｗで照射すると同時に、高圧水発生装置５１で
発生させた高圧水をパイプ５２を通して圧力２０００〜
２５００ｋｇｆ／ｃｍ2 で、ノズル４へ送り込み、Φ
０．２５ｍｍのノズル４の先端より噴射してワークＷへ
吹き付けて貫通する穴８を形成した。
【００４６】その結果、穴８の内壁面の凹凸はみられ
ず、炭化物の発生や付着物も見られなかった。また、後
工程の穴内壁面の導体膜形成においても、メッキ性に関
して良好な結果が得られ、通常品以上の高性能、高品質
が得られた。
ず、炭化物の発生や付着物も見られなかった。また、後
工程の穴内壁面の導体膜形成においても、メッキ性に関
して良好な結果が得られ、通常品以上の高性能、高品質
が得られた。
【００４７】（具体例２）ここでは、具体例１と同様の
装置を用い、不図示の波長変換素子によりＮｄ−ＹＡＧ
レーザ１の基本波を第２高調波に変換した。そして、具
体例１と同様に、ガラスエポキシ銅張り積層板（東芝ケ
ミカル社製ＴＣＬ−Ｗ−５５１、厚さ０．６ｍｍ、銅箔
部片面１８μｍ）にファイバ５０を通して加工レンズ３
へ導く。そして、この加工レンズ３によって集光させて
ワークＷのプリント配線基板６の穴開けを加工すべき部
位の表面の導電性箔７に照射するとともに、高圧水発生
装置５１で発生させた高圧水をノズル４に送り込み、ノ
ズル４の先端より噴射してワークＷを貫通する穴８を形
成した。
装置を用い、不図示の波長変換素子によりＮｄ−ＹＡＧ
レーザ１の基本波を第２高調波に変換した。そして、具
体例１と同様に、ガラスエポキシ銅張り積層板（東芝ケ
ミカル社製ＴＣＬ−Ｗ−５５１、厚さ０．６ｍｍ、銅箔
部片面１８μｍ）にファイバ５０を通して加工レンズ３
へ導く。そして、この加工レンズ３によって集光させて
ワークＷのプリント配線基板６の穴開けを加工すべき部
位の表面の導電性箔７に照射するとともに、高圧水発生
装置５１で発生させた高圧水をノズル４に送り込み、ノ
ズル４の先端より噴射してワークＷを貫通する穴８を形
成した。
【００４８】このときのレーザ条件は、４００Ｈｚ平均
出力パワー４００ｍＷ、ワーク上で２ｍＪ／ｐｕｌｓｅ
とした。
出力パワー４００ｍＷ、ワーク上で２ｍＪ／ｐｕｌｓｅ
とした。
【００４９】その結果、具体例１と同様に、穴８の内壁
面の凹凸はみられず、炭化物の発生や付着物も見られな
かった。また、後工程の穴内壁面の導体膜形成において
も、メッキ性に関して良好な結果が得られ、通常品以上
の高性能、高品質が得られた。
面の凹凸はみられず、炭化物の発生や付着物も見られな
かった。また、後工程の穴内壁面の導体膜形成において
も、メッキ性に関して良好な結果が得られ、通常品以上
の高性能、高品質が得られた。
【００５０】（具体例３）ここでは、具体例１と同様の
装置を用い、不図示の波長変換素子によりＮｄ−ＹＡＧ
レーザ１の基本波を第３高調波に変換した。そして、具
体例１と同様に、ガラスエポキシ銅張り積層板（東芝ケ
ミカル社製ＴＣＬ−Ｗ−５５１、厚さ０．６ｍｍ、銅箔
部片面１８μｍ）にファイバ５０を通して加工レンズ３
へ導く。そして、この加工レンズ３によって集光させて
ワークＷのプリント配線基板６の穴開けを加工すべき部
位の表面の導電性箔７に照射するとともに、高圧水発生
装置５１で発生させた高圧水をノズル４に送り込み、ノ
ズル４の先端より噴射してワークＷを貫通する穴８を形
成した。
装置を用い、不図示の波長変換素子によりＮｄ−ＹＡＧ
レーザ１の基本波を第３高調波に変換した。そして、具
体例１と同様に、ガラスエポキシ銅張り積層板（東芝ケ
ミカル社製ＴＣＬ−Ｗ−５５１、厚さ０．６ｍｍ、銅箔
部片面１８μｍ）にファイバ５０を通して加工レンズ３
へ導く。そして、この加工レンズ３によって集光させて
ワークＷのプリント配線基板６の穴開けを加工すべき部
位の表面の導電性箔７に照射するとともに、高圧水発生
装置５１で発生させた高圧水をノズル４に送り込み、ノ
ズル４の先端より噴射してワークＷを貫通する穴８を形
成した。
【００５１】このときのレーザ条件は、２００Ｈｚ平均
出力パワー４００ｍＷ、ワーク上で２ｍＪ／ｐｕｌｓｅ
とした。
出力パワー４００ｍＷ、ワーク上で２ｍＪ／ｐｕｌｓｅ
とした。
【００５２】その結果、具体例１と同様に、穴８の内壁
面の凹凸はみられず、炭化物の発生や付着物も見られな
かった。また、後工程の穴内壁面の導体膜形成において
も、メッキ性に関して良好な結果が得られ、通常品以上
の高性能、高品質が得られた。
面の凹凸はみられず、炭化物の発生や付着物も見られな
かった。また、後工程の穴内壁面の導体膜形成において
も、メッキ性に関して良好な結果が得られ、通常品以上
の高性能、高品質が得られた。
【００５３】（具体例４）ここでは、具体例１と同様の
装置を用い、不図示の波長変換素子によりＮｄ−ＹＡＧ
レーザ１の基本波を第４高調波に変換した。そして、具
体例１と同様に、ガラスエポキシ銅張り積層板（東芝ケ
ミカル社製ＴＣＬ−Ｗ−５５１、厚さ０．６ｍｍ、銅箔
部片面１８μｍ）にファイバ５０を通して加工レンズ３
へ導く。そして、この加工レンズ３によって集光させて
ワークＷのプリント配線基板６の穴開けを加工すべき部
位の表面の導電性箔７に照射するとともに、高圧水発生
装置５１で発生させた高圧水をノズル４に送り込み、ノ
ズル４の先端より噴射してワークＷを貫通する穴８を形
成した。
装置を用い、不図示の波長変換素子によりＮｄ−ＹＡＧ
レーザ１の基本波を第４高調波に変換した。そして、具
体例１と同様に、ガラスエポキシ銅張り積層板（東芝ケ
ミカル社製ＴＣＬ−Ｗ−５５１、厚さ０．６ｍｍ、銅箔
部片面１８μｍ）にファイバ５０を通して加工レンズ３
へ導く。そして、この加工レンズ３によって集光させて
ワークＷのプリント配線基板６の穴開けを加工すべき部
位の表面の導電性箔７に照射するとともに、高圧水発生
装置５１で発生させた高圧水をノズル４に送り込み、ノ
ズル４の先端より噴射してワークＷを貫通する穴８を形
成した。
【００５４】このとき、レーザ条件を２００Ｈｚ平均出
力パワー２００ｍＷ、ワーク上で１．５ｍＪ／ｐｕｌｓ
ｅとした。また、レーザ光を透過するファイバ、レンズ
等の光学系を石英製に換えると共にウォータジェットの
水を純水に換えた。
力パワー２００ｍＷ、ワーク上で１．５ｍＪ／ｐｕｌｓ
ｅとした。また、レーザ光を透過するファイバ、レンズ
等の光学系を石英製に換えると共にウォータジェットの
水を純水に換えた。
【００５５】その結果、具体例１と同様に、穴８の内壁
面の凹凸はみられず、炭化物の発生や付着物も見られな
かった。また、後工程の穴内壁面の導体膜形成において
も、メッキ性に関して、良好な結果が得られ、通常品以
上の高性能、高品質が得られた。
面の凹凸はみられず、炭化物の発生や付着物も見られな
かった。また、後工程の穴内壁面の導体膜形成において
も、メッキ性に関して、良好な結果が得られ、通常品以
上の高性能、高品質が得られた。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
樹脂部の表面に導電性箔を付与してなる配線基板にレー
ザ光を照射して穴開け加工を行った後、穴開け加工され
た基板の穴内壁面を酸素プラズマでアッシングまたはプ
ラズマエッチングするようにしたので、穴開け加工され
た穴内壁面に発生した微細な凹凸や炭化物を完全に取り
除くことができ、これにより、微細な穴加工が可能にな
るため、高性能、高品質の穴を形成することができる。
樹脂部の表面に導電性箔を付与してなる配線基板にレー
ザ光を照射して穴開け加工を行った後、穴開け加工され
た基板の穴内壁面を酸素プラズマでアッシングまたはプ
ラズマエッチングするようにしたので、穴開け加工され
た穴内壁面に発生した微細な凹凸や炭化物を完全に取り
除くことができ、これにより、微細な穴加工が可能にな
るため、高性能、高品質の穴を形成することができる。
【００５７】また、本発明によれば、樹脂部の表面に導
電性箔を付与してなるプリント配線基板に、レーザ光を
照射して穴開け加工を行うと同時にウォータジェット加
工を行うようにしたので、基板の穴内壁面に微細な凹凸
や炭化物を発生することがなくなり、これにより、高精
度な穴開け加工が可能になるため、高性能、高品質の穴
を形成することができる。
電性箔を付与してなるプリント配線基板に、レーザ光を
照射して穴開け加工を行うと同時にウォータジェット加
工を行うようにしたので、基板の穴内壁面に微細な凹凸
や炭化物を発生することがなくなり、これにより、高精
度な穴開け加工が可能になるため、高性能、高品質の穴
を形成することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態であるレーザ加工方
法に用いるレーザ加工装置の構成図である。
法に用いるレーザ加工装置の構成図である。
【図２】プリント配線基板をアッシングするのに使用す
る大気圧プラズマ装置の構成図である。
る大気圧プラズマ装置の構成図である。
【図３】プリント配線基板をエッチングするのに使用す
るＲＦプラズマＣＶＤ装置の構成図である。
るＲＦプラズマＣＶＤ装置の構成図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態であるレーザ加工方
法に用いるレーザ加工装置の構成図である。
法に用いるレーザ加工装置の構成図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態であるレーザ加工方
法に用いるレーザ加工装置の構成図である。
法に用いるレーザ加工装置の構成図である。
【図６】従来のドリルによる穴開け加工処理を示す説明
図である。
図である。
１ レーザ加工装置（ＣＯ2 ／Ｎｄ−ＹＡＧ） ６ プリント配線基板 ７ 導電性箔 ８ 穴 １４ プリント配線基板 ２６ プリント配線基板
Claims (9)
- 【請求項１】 樹脂部の表面に導電性箔を付与してなる
配線基板にレーザビームを照射して穴開けする工程と、 該開けられた穴の内壁面を酸素プラズマによってアッシ
ングする工程と、 該アッシング後の前記穴の内壁面に導体膜を付与する工
程とからなり、該アッシング処理により前記穴の内壁面
を微細に加工することを特徴とする配線基板の穴開け加
工方法。 - 【請求項２】 樹脂部の表面に導電性箔を付与してなる
配線基板にレーザビームを照射して穴開けする工程と、 該開けられた穴の内壁面をプラズマによってエッチング
する工程と、 該エッチング後の前記穴の内壁面に導体膜を付与する工
程とからなり、該エッチング処理により前記穴の内壁面
を微細に加工することを特徴とする配線基板の穴開け加
工方法。 - 【請求項３】 樹脂部の表面に導電性箔を付与してなる
配線基板にレーザビームの照射と高圧水の噴射による加
工とを同時に行って穴開けする工程と、 該開けられた穴の内壁面に導体膜を付与する工程とから
なり、該高圧水の噴射により前記穴の内壁面を微細に加
工することを特徴とする配線基板の穴開け加工方法。 - 【請求項４】 レーザビームの照射軸と高圧水の噴射加
工軸とは、同一軸上にあることを特徴とする請求項３記
載の配線基板の穴開け加工方法。 - 【請求項５】 前記レーザビームは、ＣＯ2 レーザビー
ムであることを特徴とする請求項１又は２記載の配線基
板の穴開け加工方法。 - 【請求項６】 前記レーザビームは、Ｎｄ−ＹＡＧレー
ザビームであることを特徴とする請求項１ないし４のい
ずれかに記載の配線基板の穴開け加工方法。 - 【請求項７】 前記レーザビームは、Ｎｄ−ＹＡＧレー
ザビームの第２高調波であることを特徴とする請求項１
ないし４のいずれかに記載の配線基板の穴開け加工方
法。 - 【請求項８】 前記レーザビームは、Ｎｄ−ＹＡＧレー
ザビームの第３高調波であることを特徴とする請求項１
ないし４のいずれかに記載の配線基板の穴開け加工方
法。 - 【請求項９】 前記レーザビームは、Ｎｄ−ＹＡＧレー
ザビームの第４高調波であることを特徴とする請求項３
又は４記載の配線基板の穴開け加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9146879A JPH10337699A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 配線基板の穴開け加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9146879A JPH10337699A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 配線基板の穴開け加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10337699A true JPH10337699A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15417643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9146879A Pending JPH10337699A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 配線基板の穴開け加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10337699A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002030636A1 (fr) * | 2000-10-11 | 2002-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d"une carte a circuits imprimes et donnees de production d"une carte a circuits imprimes |
| WO2007010783A1 (ja) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | Shibuya Kogyo Co., Ltd. | ハイブリッドレーザ加工装置 |
| CN103231418A (zh) * | 2013-05-14 | 2013-08-07 | 哈尔滨工业大学 | 模块化电极大气等离子体加工碳化硅密封环类零件的方法 |
| US8822837B2 (en) | 2010-12-07 | 2014-09-02 | Tdk Corporation | Wiring board, electronic component embedded substrate, method of manufacturing wiring board, and method of manufacturing electronic component embedded substrate |
| CN104625424A (zh) * | 2015-01-28 | 2015-05-20 | 中国科学院力学研究所 | 一种内燃机缸体内壁激光刻蚀加工装置 |
-
1997
- 1997-06-04 JP JP9146879A patent/JPH10337699A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002030636A1 (fr) * | 2000-10-11 | 2002-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d"une carte a circuits imprimes et donnees de production d"une carte a circuits imprimes |
| US7097394B2 (en) | 2000-10-11 | 2006-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit board production method and circuit board production data |
| WO2007010783A1 (ja) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | Shibuya Kogyo Co., Ltd. | ハイブリッドレーザ加工装置 |
| JP2007021569A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Shibuya Kogyo Co Ltd | ハイブリッドレーザ加工装置 |
| US8822837B2 (en) | 2010-12-07 | 2014-09-02 | Tdk Corporation | Wiring board, electronic component embedded substrate, method of manufacturing wiring board, and method of manufacturing electronic component embedded substrate |
| US9386697B2 (en) | 2010-12-07 | 2016-07-05 | Tdk Corporation | Wiring board, electronic component embedded substrate, method of manufacturing wiring board, and method of manufacturing electronic component embedded substrate |
| CN103231418A (zh) * | 2013-05-14 | 2013-08-07 | 哈尔滨工业大学 | 模块化电极大气等离子体加工碳化硅密封环类零件的方法 |
| CN104625424A (zh) * | 2015-01-28 | 2015-05-20 | 中国科学院力学研究所 | 一种内燃机缸体内壁激光刻蚀加工装置 |
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