JPH10333161A - 液晶セル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 シール及び複数のストライプ状隔壁を介装し
てなる両電極基板への液晶の注入構造に工夫を凝らし、
注入液晶の廻り込み現象の発生を防止するようにした液
晶セル及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 堰６０が、複数の隔壁４０のうち右側隔
壁とこれに隣接するシール３０の並行シール部３３との
間にて形成される右シール側通路４１内にてスメクチッ
ク液晶の流れを抑制するように設けられている。堰７０
が、複数の隔壁４０のうち左側隔壁とこれに隣接する並
行シール部３４との間にて形成される左シール側通路４
２内にてスメクチック液晶の流れを抑制するように設け
られている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反強誘電性液晶や
強誘電性液晶等のスメクチック液晶やネマチック液晶等
を用いる液晶セル及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の液晶セルには、両電極基
板の一方の内表面外周部にシール（図２４及び図２５に
て符号１参照）を環状に形成し、他方の電極基板の内表
面にシール１の内側に対応する領域にて複数の隔壁（図
示しない）をストライプ状に並行に形成し、両電極基板
をシール１及び各隔壁を介し重ね合わせて空セルとした
上で、この空セル内に液晶注入口（図２４及び図２５に
て符号１ａ参照）を通してスメクチック液晶（図２４及
び図２５にて符号２参照）を注入して構成したものがあ
る。

【０００３】ここで、上記液晶セルにおいて電極基板の
間にスメクチック液晶２を注入する場合、上記空セルを
真空室内の真空状態内に置いて空セルの液晶注入口近傍
にスメクチック液晶２を滴下する。そして、加熱により
軟化したスメクチック液晶２により液晶注入口１ａを塞
いだ後、真空室の内部を大気圧に開放する。これに伴い
発生する空セルの内外の差圧に基づきスメクチック液晶
２を空セル内に液晶注入口１ａを通して流動させて注入
する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記空セル
では、その各隔壁がシール１の液晶注入口１ａ側からこ
れに対する対向シール部（図２４及び図２５にて符号１
ｂ参照）に向けて並行に延びているのが通常である。こ
のため、スメクチック液晶２は、複数の隔壁のうち互い
に隣接する両隔壁の間及びシール１の隔壁に並行なシー
ル部（図２４及び図２５にて符号１ｃ参照）とこれに隣
接する隔壁との間を通り、空セル内に注入されることと
なる。

【０００５】しかし、スメクチック液晶２の注入速度
は、その注入環境に大きく左右される。例えば、スメク
チック液晶２に対するシール１や隔壁の濡れ性の良否や
両電極基板間のセルギャップの違いのため、スメクチッ
ク液晶の注入速度に差が生ずる。具体的には、シール１
の近傍では表示領域外であるため、空セルの中央領域
（以下、表示領域という）に設けられているカラーフィ
ルタ（以下、表示画素層という）が存在しない箇所があ
る。このため、表示画素層のない部分は両電極基板間の
セルギャップが空セルの中央領域に比較して広くなって
いる。よって、シール近傍におけるスメクチック液晶２
の注入が、空セルの中央領域に比べて速く進む（図２４
に各符号Ａ２、Ａ１による示す各矢印参照）。

【０００６】従って、液晶注入口１ａから注入したスメ
クチック液晶のうちシール近傍の液晶部分が、空セルの
奥からストライプ状の隔壁の壁面に引き寄せられる。こ
のため、当該液晶部分が空セルの中央部側へ廻り込むと
いう現象（図２５にて符号Ｂにて示す矢印参照）が発生
するという不具合が生ずる。その結果、空セルの中央部
を進む液晶部分が、廻り込んだ液晶部分と衝突し、この
衝突境界にてスメクチック液晶の注入方向への均一な注
入が乱されて流れ模様を形成し、液晶セルの表示むらを
招いている。

【０００７】また、上記表示領域とシール１との間、即
ち、非表示領域において、ダミー画素層を上記表示領域
の周囲に沿い形成した場合には、空セルに対するスメク
チック液晶の注入状況は、空セルの断面形状及び外形寸
法の大きさによって異なる。即ち、スメクチック液晶の
注入は圧力差及び毛細管現象を利用してなされる。ま
た、空セルのうちダミー画素層に対応する部分の断面
は、空セルのうちシール１とダミー画素層の間の断面及
び表示領域に対応する部分の断面の双方よりも狭く、空
セルのうちシール１とダミー画素層の間の断面は、空セ
ルのうち表示領域に対応する部分の断面よりも広い。

【０００８】このため、空セルの外形寸法が小さい（例
えば、空セルの対角線寸法が６×２４．５ｍｍ）の場
合、スメクチック液晶の注入の開始から終了まで、圧力
差が毛細管現象よりも優位に作用する。従って、スメク
チック液晶の注入速度は、空セルのうちシール１とダミ
ー画素層の間の断面において他の断面よりも常に高く維
持される。その結果、シール１とダミー画素層の間の断
面を通る液晶部分が空セルの中央部側へ廻り込むこと
で、上述と同様の不具合が生ずる。

【０００９】また、空セルの外形寸法が大きい（例え
ば、空セルの対角線寸法が１７×２４．５ｍｍ）の場
合、スメクチック液晶の注入の開始直後には、圧力差が
毛細管現象よりも優位に作用する。従って、スメクチッ
ク液晶の注入速度は、空セルのうちシール１とダミー画
素層の間の断面において他の断面よりも高く維持され
る。しかし、空セルが大きいため、圧力が空セルの奥ま
では到達しない。従って、スメクチック液晶の注入が進
むにつれて、毛細管現象が圧力差に代わって優位に作用
するようになる。これに伴い、スメクチック液晶の注入
速度は、空セルのうちダミー画素層に対応する部分の断
面において他の断面よりも高く維持される。その結果、
ダミー画素層に対応する断面を通る液晶部分が空セルの
中央部側へ廻り込むことで、上述と同様の不具合が生ず
る。

【００１０】なお、特開平５−３１３１１０号公報にて
示すように、スメクチック液晶の注入時の圧力制御によ
り、空セル内へでの液晶の流速を一定にしようとするも
のもあるが、これによっても、シール近傍の液晶部分と
空セルの中央の液晶部分との間の流速の差を解消するこ
とはできない。そこで、本発明は、以上のようなことに
対処するため、シール及び複数のストライプ状隔壁を介
装してなる両電極基板への液晶の注入構造に工夫を凝ら
し、注入液晶の廻り込み現象の発生を防止するようにし
た液晶セル及びその製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１乃至５に記載の発明によれば、複数の隔壁
のうち一側隔壁とこれに隣接するシールの一側シール部
との間にて形成される一側通路内にて液晶の流れを抑制
するように、第１堰が設けられている。また、複数の隔
壁のうち他側隔壁とこれに隣接するシールの他側シール
部との間にて形成される他側通路内にて液晶の流れを抑
制するように第２堰が設けられている。

【００１２】このため、両電極基板の間に液晶注入口か
ら液晶を注入すると、この液晶は、第１及び第２の堰の
もと、上記一側及び他側の各通路内へは流入しにくいか
或いはこの流入を阻止された状態で、各隔壁間に流入す
る。従って、上記一側及び他側の各通路内にも各隔壁と
同様に液晶を注入した場合に生ずるであろう一側及び他
側の各通路から各隔壁間への液晶の廻り込みが確実に防
止され得る。その結果、液晶セルに表示むらが発生する
ことがない。

【００１３】ここで、請求項２に記載の発明のように、
両電極基板間にて一側及び他側の各通路内に帯状にそれ
ぞれ形成した一側及び他側の各ダミー画素層を備えてい
ても、液晶セルの外形寸法の大小にかかわりなく、請求
項１に記載の発明と同様の作用効果を達成できる。ま
た、請求項６に記載の発明によれば、複数の隔壁のうち
一側隔壁とこれに隣接するシールの一側シール部との間
にて形成される一側通路内にて液晶の注入時にその流れ
を第１堰により抑制するように制御し、また、複数の隔
壁のうち他側隔壁とこれに隣接するシールの他側シール
部との間にて形成される他側通路内にて液晶の注入時に
その流れを抑制するように第２堰により制御する。

【００１４】これによれば、両電極基板の間に液晶注入
口から液晶を注入すると、この液晶は、第１及び第２の
堰のもと、上記一側及び他側の各通路内へは流入しにく
く、各隔壁間に流入する。その結果、請求項１に記載の
発明と同様の作用効果を達成できる。また、請求項７に
記載の発明によれば、シール形成工程及び隔壁形成工程
の少なくとも一方にて、両電極基板の少なくとも一方の
内表面のうち一側及び他側の各通路に対応する各領域に
第１及び第２の堰を形成し、重ね合わせ工程にて、第１
及び第２の堰が一側及び他側の各通路内にそれぞれ位置
するように、両電極基板の重ね合わせを行い、液晶注入
工程にて、液晶の一側及び他側の各通路での流れを一側
及び他側の各堰により抑制する。

【００１５】これにより、請求項１乃至６に記載の発明
の作用効果を達成できる液晶セルの提供が可能となる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態を図面
に基づいて説明する。 （第１実施形態）図１及び図２は、本発明に係る液晶セ
ルの第１実施形態を示している。この液晶セルは、両電
極基板１０、２０を備えており、これら両電極基板１
０、２０は、帯状シール３０、複数のストライプ状隔壁
４０及びスメクチック液晶５０を介し併設されている。

【００１７】下側電極基板１０は、カラーフィルタ付き
電極基板である。この電極基板１０は、透明基板の内表
面に複数のストライプ状透明電極及び絶縁膜を積層して
なる積層体１０ａの内表面に、複数のカラーフィルタと
しての画素層１４及び複数のブラックマスク層１５が交
互に形成されている。また、配向膜１１が、これら画素
層１４及びブラックマスク層１５上に形成されている。
なお、配向膜１１のスメクチック液晶５０とは反対側の
面にはオーバーコート膜（図示しない）が形成されてい
る。

【００１８】また、積層体１０ａの内表面には、ブラッ
クマスク層１２が配向膜１１の外周に沿い帯状に形成さ
れている（図１及び図２参照）。また、このブラックマ
スク層１２上には、両ダミー画素層１３が配向膜１１の
外周に沿い帯状に形成されている（図１及び図２参
照）。但し、本第１実施形態では、各画素層１４及び各
ブラックマスク層１５は、液晶セルの表示領域Ｒ１内に
位置しており、ブラックマスク層１２及び両ダミー画素
層１３は、液晶セルの非表示領域Ｒ２内に位置している
（図２参照）。また、ブラックマスク層１２は、図２に
て示すごとく、ダミー画素層１３の断面の５倍の断面を
有するため、両ダミー画素層１３は、ブラックマスク層
１２のうち配向膜１１の外周側断面部分（ダミー画素層
１３の断面の２倍の断面部分）上に積層されている。

【００１９】一方、上側電極基板２０は、透明基板の内
表面に複数のストライプ状透明電極、絶縁膜及び配向膜
２１を順次積層して形成されている。ここで、電極基板
２０の複数の透明電極は、スメクチック液晶５０及び電
極基板１０の複数の透明電極と共にマトリックス状の複
数の画素を形成する。なお、表示領域Ｒ１には、上述の
ごとく、カラーフィルタとしての各画素層１４及び各ブ
ラックマスク層１５が形成されているが、後述する図７
乃至図１０、図１３及び図１４乃至図２１では、これら
各画素層１４及び各ブラックマスク層１５の図示は省略
されている。

【００２０】帯状のシール３０は、電極基板２０の内表
面に配向膜２１の外周側領域に沿い形成されており、こ
のシール３０には液晶注入口３１が形成されている。ま
た、このシール３０は、図１にて示すごとく、液晶注入
口３１に対向する対向シール部３２と、右側及び左側の
両並行シール部３３、３４とを備えている。複数の隔壁
４０は、電極基板１０の配向膜２１上に、液晶注入口３
１側からこれに対するシール３０の対向シール部３２に
向けて互いに並行に形成されている。これにより、各隔
壁４０は、シール３０と共に両電極基板１０、２０間の
間隔（以下、セルギャップという）を確保しつつ、両電
極基板１０、２０を接着支持している。

【００２１】但し、各隔壁４０は、図２にて例示するご
とく、配向膜１１を介しカラーフィルタとしての各画素
層１４上に位置している。なお、各隔壁４０は、図２に
て、その長手方向にて、電極基板２０の各透明電極の長
手方向に沿いかつこれら各透明電極の直下にそれぞれ位
置している。また、図１及び図２にて図示右側隔壁４０
とこれに隣接するシール３０の並行シール部３３との間
には、右シール側通路４１が形成されており、一方、図
示左側隔壁４０とこれに隣接するシール３０の並行シー
ル部３４との間には、左シール側通路４２が形成されて
いる。また、各隔壁４０のうち互いに隣接する各両隔壁
４０の間には、隔壁間通路４３がそれぞれ形成されてい
る。

【００２２】なお、非表示領域Ｒ２のうち並行シール部
３３と右側隔壁４０との間の領域が右シール側通路４１
に対応する。また、非表示領域Ｒ２のうち並行シール部
３４と左側隔壁４０との間の領域が左シール側通路４２
に対応する。ここで、本発明の要部を構成する右側堰６
０及び左側堰７０は以下のような構成を有するように形
成されている。

【００２３】上述した両ダミー画素層１３のうち外側ダ
ミー画素層１３は、断面３画素からなる右側画素部１３
ａ及び左側画素部１３ｂを備えている。右側画素部１３
ａは、図１乃至図４にて示すごとく、右シール側通路４
１内の液晶注入口３１近傍にて、外側ダミー画素層１３
の右側部から並行シール部３３に向け突出してブラック
マスク層１２の右側部（右シール側通路４１内に位置し
ている）上に沿い形成されている。

【００２４】一方、左側画素部１３ｂは、左シール側通
路４２内の液晶注入口３１近傍にて、外側ダミー画素層
１３の左側部から並行シール部３４に向け突出してブラ
ックマスク層１２の左側部（左シール側通路４２内に位
置している）上に沿い形成されている。また、右側隔壁
４０は、図１乃至図４にて示すごとく、右側突出壁４４
を備えており、この突出壁４４は、両ダミー画素層１３
の各右側部及び右側画素部１３ａを介し並行シール部３
３に向けて突出している。

【００２５】一方、左側隔壁４０は、図１にて示すごと
く、左側突出壁４５を備えており、この突出壁４５は、
両ダミー画素層１３の各左側部及び左側画素部１３ｂを
介し並行シール部３４に向けて突出している。また、シ
ール３０では、右側並行シール部３３が、図１乃至図４
にて示すごとく、突出壁３３Ａを備えており、この突出
壁３３Ａは、右シール側通路４１内にて、右側並行シー
ル部３３の液晶注入口３１側近傍内壁部からブラックマ
スク層１２の右側部、右側画素部１３ａ及び右側突出壁
４４の並行シール部３３側各端面に向け突出形成されて
いる。これにより、シール３０は、その突出壁３３Ａに
て、ブラックマスク層１２の右側部、右側画素部１３ａ
及び右側突出壁４４と共に、液晶注入口３１の近傍で、
右シール側通路４１を塞ぐ。

【００２６】一方、左側並行シール部３４は、図１にて
示すごとく、突出壁３３Ｂを備えており、この突出壁３
３Ｂは、左シール側通路４２内にて、左側並行シール部
３４の液晶注入口３１側近傍内壁部からブラックマスク
層１２の左側部、左側画素部１３ｂ及び左側突出壁４５
の並行シール部３４側各端面に向け突出形成されてい
る。これにより、シール３０は、その突出壁３３Ｂに
て、ブラックマスク層１２の左側部、左側画素部１３ｂ
及び左側突出壁４５と共に、液晶注入口３１の近傍で、
左シール側通路４２を塞ぐ。

【００２７】これにより、両突出壁４４、３３Ａ、右側
画素部１３ａ、並びにこれらに対応するブラックマスク
１２及び両ダミー画素層１３の各部分が右側堰６０を構
成する（図１乃至図３参照）。また、両突出壁４５、３
３Ｂ、左側画素部１３ｂ、並びにこれらに対応するブラ
ックマスク１２及び両ダミー画素層１３の各部分が左側
堰７０を構成する（図１参照）。

【００２８】なお、図２において、各ダミー画素層１３
及び画素部１３ａの各断面形状は、便宜的に、画素層１
４の断面形状とは異なるように描かれているが、各ダミ
ー画素層１３及び画素部１３ａの各断面形状は画素層１
４の断面形状と同一である。その他の図においても同様
である。次に、上述のように構成した液晶セルの製造方
法について図５を参照して説明する。

【００２９】まず、上側電極基板形成工程Ｓ１におい
て、上側電極基板２０を上記構成を有するように形成す
る。ラビング工程Ｓ２において、上側電極基板２０の配
向膜２１にラビング処理を施す。その後、シール印刷工
程Ｓ３において、帯状のシール３０を、熱硬化性エポキ
シ樹脂により、電極基板２０の内表面外周縁部上に沿い
印刷形成する。このとき、液晶注入口３１も形成する。

【００３０】一方、下側電極基板形成工程Ｓ４におい
て、下側電極基板１０を上記構成を有するように形成す
る。このとき、ブラックマスク層１２、１５並びにダミ
ー画素層１３及び画素層１４を、両画素部１３ａ、１３
ｂと共に、積層体１０ａの内表面にパターニング形成す
る。ついで、隔壁形成工程Ｓ５において、光硬化性樹脂
を用い紫外線照射によりパターニング処理でもって複数
の隔壁４０を下側電極基板１０の配向膜１１にストライ
プ状に形成する。このとき、各隔壁４０が、液晶注入口
３１から対向シール部３２に向けて、両並行シール部３
３、３４に並行に位置するように、上記パターニング処
理を行う。また、右側隔壁４０及び左側隔壁４０も、そ
れぞれ、突出壁４４、４５を有するようにパターニング
形成する。

【００３１】ついで、ラビング工程Ｓ６において、下側
電極基板１０の配向膜１１にラビング処理を施す。その
後、重ね合わせ工程Ｓ７において、上側電極基板２０を
シール３０及び各隔壁４０を介し下側電極基板１０に重
ね合わせる。この重ね合わせは、両配向膜２１、１１が
各隔壁４０を介し互いに対向するように行う。

【００３２】そして、シール硬化工程Ｓ８にて、両電極
基板１０、２０に加熱加圧処理を施して、シール３０を
硬化させながら両電極基板１０、２０のセルギャップを
所定の値にする。これにより、空セルの形成が終了す
る。このようにして空セルを形成した後は、液晶注入工
程Ｓ９において、次のようにしてスメクチック液晶４０
を上記空セル内に注入する。

【００３３】まず、上記空セルを真空容器内に収容す
る。そして、当該空セルの電極基板２０の液晶注入口３
１の近傍にスメクチック液晶を滴下する。そして、真空
容器の内部を真空状態にする。このとき、上記空セルの
内部も真空状態になる。このような状態にて、真空容器
の内部を加熱すると、スメクチック液晶が軟化して液晶
注入口３１を塞ぐ。その後、真空容器の内部を大気圧に
開放すると、上記空セルの内外に差圧が発生し、軟化し
たスメクチック液晶が液晶注入口３１を通り上記空セル
内に吸引され始める。

【００３４】このように吸引が開始されると、上記空セ
ル内に液晶注入口３１から流入したスメクチック液晶
は、上記空セル内に、各隔壁間通路４３を通り注入され
る。このとき、右シール側通路４１及び左シール側通路
４２は、右側堰６０及び左側堰７０により塞がれている
から、これら右シール側通路４１及び左シール側通路４
２を通して上記空セル内にスメクチック液晶５０が注入
されることはない。

【００３５】従って、上記空セルの外形寸法の大小にか
かわりなく、当該空セル内にて、右シール側通路４１及
び左シール側通路４２から各隔壁間通路４３内にスメク
チック液晶５０が廻り込むことがない。その結果、右シ
ール側通路４１及び左シール側通路４２をも通してスメ
クチック液晶を注入した場合に生ずるであろう上記廻り
込みによるスメクチック液晶の流れ模様が発生すること
がない。よって、液晶セルの外形寸法の大小にかかわり
なく、当該液晶セルに表示むらが発生することがない。

【００３６】なお、ダミー画素層１３及びブラックマス
ク層１２のために、液晶セルの非表示領域における表示
を確実に防止しつつ、上記作用効果を達成できる。ま
た、上記第１実施形態では、両堰６０、７０は、それぞ
れ、１箇所ずつ設ける例について説明したが、これに限
ることなく、両堰６０、７０は、それぞれ、複数ずつ設
けるようにしてもよい。また、両堰６０、７０は、液晶
注入口３１の近傍に限ることなく、両並行シール部３
３、３４に沿う方向であればどの位置に設けるようにし
てもよい。

【００３７】（第２実施形態）図６及び図７は、本発明
に係る液晶セルの第２実施形態を示している。本第２実
施形態では、ブラックマスク層１２Ａが、上記第１実施
形態にて述べたブラックマスク層１２に代えて、配向膜
１１の外周に沿い帯状に形成されており（図６及び図７
参照）、このブラックマスク層１２Ａは、ダミー画素層
１３の断面の３倍の断面を有する。これに伴い、上記第
１実施形態にて述べた各ダミー画素層１３は、図７にて
示すごとく、一画素層だけ増えた形で、ブラックマスク
層１２Ａ上に積層されている。

【００３８】また、上記第１実施形態にて述べたシール
３０の両突出壁３３Ａ、３３Ｂは、本第２実施形態では
廃止されている。これに伴い、ブラックマスク層１２Ａ
は、右側マスク部１２ａ及び左側マスク部１２ｂを備え
ており、右側マスク部１２ａは、廃止した突出壁３３Ａ
に対応する位置にて、並行シール部３３に向け突出形成
されている。一方、左側マスク部１２ｂは、廃止した突
出壁３３Ｂに対応する位置にて、並行シール部３４に向
け突出形成されている。

【００３９】また、３つのダミー画素層１３のうち外側
ダミー画素層１３は、右側画素部１３ａ及び右側画素部
１３ｂを備えている。右側画素部１３ａは、上記第１実
施形態の場合よりも一画素少ない２画素にて、右側マス
ク部１２ａ上に形成されており、一方、左側画素部１３
ｂは、同様に２画素にて、左側マスク部１２ｂ上に形成
されている。

【００４０】上記第１実施形態にて述べた突出壁４４
は、当該第１実施形態にて述べた右側隔壁４０を廃止
し、これよりも１層分だけ図１にて左側に位置する隔壁
４０（以下、第２右側隔壁４０という）から３つのダミ
ー画素層１３及び右側画素部１３ａに沿い並行シール部
３３に向けて突出形成されている。これにより、この突
出壁４４は、右側画素部１３ａ及び右側マスク部１２ａ
と共に右シール側通路４１を塞ぐように、右側堰６０Ａ
を構成している。

【００４１】一方、上記第１実施形態にて述べた突出壁
４５は、当該第１実施形態にて述べた左側隔壁４０を廃
止し、これよりも１層分だけ図１にて右側に位置する隔
壁４０（以下、第２左側隔壁４０という）から３つのダ
ミー画素層１３及び左側画素部１３ｂに沿い並行シール
部３４に向けて突出形成されている。これにより、この
突出壁４５は、左側画素部１３ｂ及び左側マスク部１２
ｂと共に左シール側通路４２を塞ぐように、左側堰７０
Ａを構成している。その他の構成は上記第１実施形態と
同様である。

【００４２】このように構成した本第２実施形態におい
ては、上記第１実施形態と同様に空セル内に液晶注入口
３１からスメクチック液晶を注入すると、このスメクチ
ック液晶は、上記空セル内に、各隔壁間通路４３を通り
注入される。このとき、右シール側通路４１及び左シー
ル側通路４２は、右側堰６０Ａ及び左側堰７０Ａにより
塞がれているから、これら右シール側通路４１及び左シ
ール側通路４２を通して上記空セル内にスメクチック液
晶５０が注入されることはない。

【００４３】その結果、上記第１実施形態と同様の作用
効果を達成できる。次に、上記第２実施形態の各変形例
について説明する。図８は上記第２実施形態の第１変形
例を示している。この第１変形例では、上記第２実施形
態にて述べたダミー画素層１３及び両画素部１３ａ、１
３ｂが、図８にて例示するごとく、ブラックマスク層１
２Ａ及び両マスク部１２ａ、１２ｂに代えて電極基板２
０の内表面に直接形成してある。このため、両画素部１
３ａ、１３ｂが右シール側通路４１及び左シール側通路
４２内底壁に直接形成されたこととなる。

【００４４】また、第２右側隔壁４０は、上記第２実施
形態にて述べた突出壁４４に代えて、突出壁４４Ａを備
えており、この突出壁４４Ａは、両画素部１３ａ及びこ
れらに対応するダミー画素層１３の各部分を介し右シー
ル側通路４１を塞ぐように形成されている。一方、第２
左側隔壁４０は、上記第１実施形態にて述べた突出壁４
５に代えて、突出壁を備えており、この突出壁は、両画
素部１３ｂ及びこれらに対応するダミー画素層１３の各
部分を介し左シール側通路４２を塞ぐように形成されて
いる。

【００４５】これによっても、上記第２実施形態と同様
の作用効果を達成できる。図９は上記第２実施形態の第
２変形例を示している。この第２変形例では、上記第２
実施形態にて述べた両画素部１３ａのうち並行シール部
３３側の画素部が廃止されている。また、第２右側隔壁
４０は、上記第２実施形態にて述べた突出壁４４に代え
て、突出壁４４Ｂを備えており、この突出壁４４Ｂは、
画素部１３ａ及びこれに対応するダミー画素層１３の部
分を介し右シール側通路４１内に突出している。

【００４６】また、上記第２実施形態にて述べたシール
３０の並行シール部３３は、突出壁３５を有しており、
この突出壁３５は、画素部１３ａ及び突出壁４４Ｂに向
けて突出して右シール側通路４１を塞いでいる。左シー
ル側通路４２も同様の構成で塞がれている。これによっ
ても、上記第２実施形態と同様の作用効果を達成でき
る。

【００４７】この場合、図１０にて示すごとく、画素部
１３ａを両画素とし、突出壁３５に代えて突出壁３６を
隣接シール部３３から突出させるようにしてもよい。図
１１は、上記第２実施形態の第３変形例を示している。
この第３変形例では、上記第２実施形態にて述べた各突
出壁４４、４５の形成箇所が、第２右側隔壁４０及び第
２左側隔壁４０の各液晶注入口３１側端部に、各マスク
部１２ａ、１２ｂ及び各画素部１３ａ、１３ｂと共に変
更されている。これによっても、上記第２実施形態と同
様の作用効果を達成できる。

【００４８】図１２は、上記第２実施形態の第４変形例
を示している。この第４変形例では、上記第２実施形態
にて述べた各突出壁４４、４５に代わる各突出壁３３
ａ、３４ａが、両並行シール部３３、３４の各液晶注入
口３１側端部にて、各マスク部１２ａ、１２ｂ及び各画
素部１３ａ、１３ｂと共に形成されて、右シール側通路
４１及び左シール側通路４２を塞いでいる。

【００４９】これによっても、上記第２実施形態と同様
の作用効果を達成できる。 （第３実施形態）図１３は、本発明の第３実施形態を示
している。この第３実施形態では、上記第２実施形態に
て述べた両堰６０Ａ、７０Ａの両マスク部１２ａ、１２
ｂ及び両画素部１３ａ、１３ｂが廃止されている。

【００５０】また、第２右側隔壁４０は、上記第２実施
形態にて述べた突出壁４４に代えて、突出壁４４Ｄを備
えており、この突出壁４４Ｄは、ダミー画素層１３及び
ブラックマスク層１２のうち突出壁４４Ｄに対応する部
分を介し右シール側通路４１内にて隣接シール部３３に
向けて突出形成されている。この突出壁４４Ｄには、図
１３にて示すごとく、並行シール部３３の内壁上端隅角
部に断面四角形状の貫通部４４ｄが形成されている。

【００５１】但し、貫通部４４ｄの断面積は、この貫通
部４４ｄを通り右シール側通路４１内を流れるスメクチ
ック液晶の速度が隔壁間通路４３内を流れるスメクチッ
ク液晶の速度とほぼ同一か或いはこの速度よりも遅くな
るように設定されている。なお、左シール側通路４２の
堰も右シール側通路４１と同様の構成となっている。そ
の他の構成は上記第２実施形態と同様である。

【００５２】このように構成した本第３実施形態では、
上述したごとく、右シール側通路４１内にて貫通部４４
ｄを通り流れるスメクチック液晶５０の速度及び左シー
ル側通路４２内にてその貫通部を通り流れるスメクチッ
ク液晶の速度が、各隔壁間通路４３を流れるスメクチッ
ク液晶の速度とほぼ同一か或いはこの速度よりも遅い。

【００５３】従って、右シール側通路４１及び左シール
側通路４２から各隔壁間通路４３内にスメクチック液晶
が廻り込むことがなく、上記第２実施形態と同様の作用
効果を達成できる。図１４は上記第３実施形態の変形例
を示している。この変形例では、ブラックマスク層１２
及び両マスク部１２ａ、１２ｂ及びダミー画素層１３及
び両画素部１３ａ、１３ｂの構成は上記第２実施形態と
同様となっている。

【００５４】また、突出壁４４Ｅが、上記第３実施形態
にて述べた突出壁４４Ｄに代えて、断面四角形状の貫通
部４４ｅを形成するように、ブラックマスク層１２及び
ダミー画素層１３を介し隣接シール部３３に向けて突出
形成されている。ここで、貫通部４４ｅの断面積は、こ
の貫通部４４ｅを通り右シール側通路４１内を流れるス
メクチック液晶の速度が、隔壁間通路４３内を流れるス
メクチック液晶の速度とほぼ同一か或いはこの速度によ
りも遅くなるように設定されている。

【００５５】なお、左シール側通路４２においても右シ
ール側通路４１と同様の堰構成となっている。このよう
に構成した本変形例によっても、上記第３実施形態と同
様の作用効果を達成できる。なお、この変形例におい
て、図１５にて示すごとく、ダミー画素層１３ａの画素
を一つ減らして、断面長四角形状の貫通部４４ｆを形成
するように、突出壁４４Ｆを、突出壁４４Ｅに代えて、
ブラックマスク層１２及びダミー画素層１３を介し並行
シール部３３に向けて突出形成するようにしてもよい。

【００５６】この場合、図１６にて示すごとく、突出壁
４４Ｆに代えて、断面長方形状の貫通部４４ｇを有する
突出壁４４Ｇを突出形成するようにしてもよい。また、
さらに、図１７にて示すごとく、マスク部１２ａをダミ
ー画素層１３の一画素分短くして、上記貫通部４４ｇを
貫通部４４ｈとしてもよい。 （第４実施形態）図１８は、本発明の第４実施形態を示
している。

【００５７】この第４実施形態では、図１８にて例示す
るごとく、上記第２実施形態にて述べたブラックマスク
層１２及び両マスク部１２ａ、１２ｂが廃止され、ダミ
ー画素層１３及び両画素部１３ａ、１３ｂが電極基板１
０の内表面に直接形成されている。また、第２右側隔壁
４０は、上記第２実施形態にて述べた突出壁４４に代え
て、突出壁４４Ｉを備えており、この突出壁４４Ｉは、
両画素部１３ａ及びこれらに対応するダミー画素層１３
の部分を介し並行シール部３３に向けて突出形成されて
いる。

【００５８】また、突出壁４４Ｉには、電極基板２０の
内表面にて、並行シール部３３の内壁上端部から図１８
にて図示第２右側隔壁４０の右壁近傍に亘り、図１８に
て図示断面形状の貫通部４４ｉが形成されている。ここ
で、貫通部４４ｉの底壁は、図１８にて示すごとく、並
行シール部３３の内壁上端部から離れるにつれてクラン
ク状に電極基板２０の内表面に近づくように形成されて
いる。

【００５９】これによっても、上記第３実施形態にて述
べたと同様の作用効果を達成できる。また、上記第４実
施形態において、図１９にて示すごとく、両画素部１３
ａに画素部１３ａを一つ追加し、かつ、突出壁４４Ｉに
代えて、突出壁４４Ｊを形成するようにしてもよい。こ
こで、突出壁４４Ｊには、追加画素部１３ａと並行シー
ル部３３の内壁に接して、電極基板２０の内表面に沿
い、断面逆Ｌ字状のの貫通部４４ｊが形成されている。

【００６０】これによっても、上記第４実施形態と同様
の作用効果が達成できる。また、上記第４実施形態にお
いて、突出壁４４Ｉに代えて、図２０にて示すごとく、
突出壁４４Ｋを設けてもよい。ここで、突出壁４４Ｋ
は、並行シール部３３の内壁及び及び電極基板２０の内
表面に接する断面逆Ｌ字状の貫通部４４ｋを有してい
る。

【００６１】これによっても、上記第４実施形態と同様
の作用効果が達成できる。また、上記第４実施形態にお
いて、突出壁４４Ｉに代えて、図２１にて示すごとく、
突出壁４４Ｌを設けてもよい。ここで、突出壁４４Ｌ
は、断面逆Ｌ字状の貫通部４４ｌを有しており、この貫
通部４４ｌは、並行シール部３３の内壁のうち電極基板
１０側端部、ダミー画素層１３、両画素部１３ａ及び電
極基板１０の内表面に接するように形成されている。

【００６２】これによっても、上記第４実施形態と同様
の作用効果が達成できる。 （第５実施形態）図２２は、本発明の第５実施形態を示
している。この第４実施形態では、上記第２実施形態に
て述べた両堰６０Ａ、７０Ａが廃止されている。

【００６３】また、上記第２実施形態にて述べた並行シ
ール部３３のうち液晶注入口３１側部分が、クランク状
に変化する凹凸壁部３３ｂとして形成されている。一
方、並行シール部３４のうち液晶注入口３１側部分が、
クランク状に変化する凹凸壁部３４ｂとして形成されて
いる。その他の構成は上記第２実施形態と同様である。
このように構成した本第５実施形態では、右シール側通
路４１内に流入するスメクチック液晶５０の流れ速度が
凹凸壁部３３ｂにより抑制されるとともに、左シール側
通路４２内に流入するスメクチック液晶５０の流れ速度
が凹凸壁部３４ｂにより抑制される。この場合、上記各
流れ速度は、隔壁間通路４３のスメクチック液晶の流れ
速度とほぼ等しいか或いは遅くなるように抑制される。

【００６４】その結果、右シール側通路４１及び左シー
ル側通路４２から各隔壁間通路４３内へのスメクチック
液晶の回り込みが防止されて、上記第３実施形態にて述
べたと同様の作用効果を達成できる。図２３は、上記第
５実施形態の変形例を示している。この変形例では、第
２右側隔壁４０のうち液晶注入口３１側部分が、右シー
ル側通路４１内に歯形状に突出する壁部４４Ｍとして形
成されている。一方、第２左側隔壁４０のうち液晶注入
口３１側部分が、左シール側通路４２内に歯形状に突出
する壁部４５Ｎとして形成されている。なお、上記第５
実施形態にて述べた両凹凸壁部３３ｂ、３４ｂは廃止さ
れている。

【００６５】このように構成した本変形例では、上記第
５実施形態と同様に、右シール側通路４１内に流入する
スメクチック液晶５０の流れ速度が壁部４４Ｍにより抑
制されるとともに、左シール側通路４２内に流入するス
メクチック液晶５０の流れ速度が壁部４５Ｎにより抑制
される。その結果、右シール側通路４１及び左シール側
通路４２から各隔壁間通路４３内へのスメクチック液晶
の回り込みが防止されて、上記第５実施形態にて述べた
と同様の作用効果を達成できる。

【００６６】なお、本発明の実施にあたっては、カラー
フィルタを有する液晶セルに限ることなく、カラーフィ
ルタを有していない液晶セルに本発明を適用して実施し
てもよい。また、本発明の実施にあたっては、液晶セル
に用いる液晶は、スメクチック液晶に限ることなく、例
えば、ネマチック液晶等であってもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶セルの第１実施形態を示す平
面図である。

【図２】図１の２−２線に沿う拡大断面図である。

【図３】図１の液晶セルにて電極基板２０を除去してな
る要部拡大平面図である。

【図４】図１の液晶セルにて電極基板２０を除去してな
る要部拡大斜視図である。

【図５】図１の液晶セルの製造方法を示す工程図であ
る。

【図６】本発明に係る液晶セルの第２実施形態を示す平
面図である。

【図７】図６の７−７線に沿う拡大断面図である。

【図８】上記第２実施形態の第１変形例を示す部分拡大
断面図である。

【図９】上記第２実施形態の第２変形例を示す部分拡大
断面図である。

【図１０】図９の変形例の部分的変形例を示す部分拡大
断面図である。

【図１１】上記第２実施形態の第３変形例を示す平面図
である。

【図１２】上記第２実施形態の第４変形例を示す平面図
である。

【図１３】本発明に係る液晶セルの第３実施形態を示す
要部拡大断面図である。

【図１４】上記第３実施形態の変形例を示す部分拡大断
面図である。

【図１５】図１４の変形例を部分的に変形した例を示す
部分拡大断面図である。

【図１６】図１５の変形例をさらに変形した例を示す部
分拡大断面図である。

【図１７】図１６の変形例をさらに変形した例を示す部
分拡大断面図である。

【図１８】本発明の第４実施形態を示す部分拡大断面図
である。

【図１９】上記第４実施形態の変形例を示す部分拡大断
面図である。

【図２０】上記第４実施形態の他の変形例をを示す部分
拡大断面図である。

【図２１】上記第４実施形態のその他の変形例をを示す
部分拡大断面図である。

【図２２】本発明の第５実施形態を示す平面図である。

【図２３】上記第５実施形態の変形例を示す平面図であ
る。

【図２４】従来の液晶セルにおけるスメクチック液晶の
注入状態を示す平面図である。

【図２５】図２４の液晶セルにおいてスメクチック液晶
の回り込み状態を示す平面図である。

【符号の説明】

１０、２０…電極基板、１２、１２Ａ…ブラックマスク
層、１２ａ…マスク部、１３…ダミー画素層、１３ａ…
画素部、３０…シール、３１…液晶注入口、３２…対向
シール部、３３、３４…並行シール部、３３ｂ、３４ｂ
…凹凸部、４０…隔壁、４１…右シール側通路、４２…
左シール側通路、３３Ａ、３３Ｂ、４４、４４Ａ乃至４
４Ｌ…突出壁、４４ｄ乃至４４ｉ、４４ｌ…貫通部、４
４Ｍ、４５Ｎ…壁部、６０、６０Ａ、７０、７０Ａ…
堰、Ｓ３…シール印刷工程、Ｓ５…隔壁形成工程、Ｓ７
…重ね合わせ工程、Ｓ９…液晶注入工程。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾崎 正明 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向して配置される両電極基板
   （１０、２０）と、 液晶注入口（３１）を有するように前記両電極基板間外
   周部に沿い帯状に設けられるシール（３０）と、 前記シールの内側にて前記両電極基板間に挟持されて前
   記液晶注入口側からこれに対する前記シールの対向シー
   ル部（３２）側に向けてストライプ状に並行に延びる複
   数の隔壁（４０）と、 前記液晶注入口から前記両電極基板間に前記各隔壁に沿
   い注入される液晶（５０）とを備えてなる液晶セルにお
   いて、 前記複数の隔壁のうち一側隔壁とこれに隣接する前記シ
   ールの一側シール部（３３）との間にて形成される一側
   通路（４１）内にて前記液晶の流れを抑制するように設
   けた第１堰（６０、６０Ａ）と、 前記複数の隔壁のうち他側隔壁とこれに隣接する前記シ
   ールの他側シール部（３４）との間にて形成される他側
   通路（４２）内にて前記液晶の流れを抑制するように設
   けた第２堰（７０、７０Ａ）とを備えることを特徴とす
   る液晶セル。
2. 【請求項２】 前記両電極基板間にて前記一側及び他側
   の各通路内に帯状にそれぞれ形成した一側及び他側の各
   ダミー画素層（１３）を備えており、 前記第１堰が、前記一側ダミー画素層から前記一側シー
   ル部に向けて付加する画素部（１３ａ）及び前記一側隔
   壁及び一側シール部の少なくとも一方から他方へ突出す
   る一側突出壁（４４Ａ）でもって、前記一側通路内での
   前記液晶の流れを抑制するように形成されており、 前記第２堰が、前記他側ダミー画素層から前記他側シー
   ル部に向けて付加する画素部（１３ｂ）及び前記他側隔
   壁及び他側シール部の少なくとも一方から他方へ突出す
   る他側突出壁でもって、前記他側通路内での前記液晶の
   流れを抑制するように形成されていることを特徴とする
   請求項１に記載の液晶セル。
3. 【請求項３】 前記両電極基板間にて前記一側及び他側
   の各通路内に帯状にそれぞれ形成した一側及び他側の各
   ブラックマスク層（１２）と、 これら各ブラックマスク層上にそれぞれ形成した一側及
   び他側ダミー画素層（１３）とを備えており、 前記第１堰が、前記各一側のブラックマスク層及びダミ
   ー画素層から前記一側シール部に向けて付加するマスク
   部（１２ａ）及び画素部（１３ａ）並びに前記一側隔壁
   及び一側シール部の少なくとも一方から他方へ突出する
   一側突出壁（４４、４４Ｂ、４４Ｃ）でもって、前記一
   側通路内での前記液晶の流れを抑制するように形成され
   ており、 前記第２堰が、前記他側のブラックマスク層及びダミー
   画素層から前記他側シール部に向けて付加するマスク部
   （１２ｂ）及び画素部（１３ｂ）並びに前記他側隔壁及
   び他側シール部の少なくとも一方から他方へ突出する他
   側突出壁（４５）でもって、前記他側通路内での前記液
   晶の流れを抑制するように形成されていることを特徴と
   する請求項１に記載の液晶セル。
4. 【請求項４】 前記一側突出壁が、前記一側通路の一部
   を開いており、 前記他側突出壁が、前記他側通路の一部を開いているこ
   とを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶セル。
5. 【請求項５】 前記一側突出壁が、前記一側隔壁及び一
   側シール部の少なくとも一方から他方へ突出する複数の
   突出部（３３ｂ、４４Ｍ）を有しており、 また、前記他側突出壁が、前記他側隔壁及び一側シール
   部の少なくとも一方から他方へ突出する複数の突出部
   （３４ａ、４５Ｎ）を有していることを特徴とする請求
   項２又は３に記載の液晶セル。
6. 【請求項６】 互いに対向して配置される両電極基板
   （１０、２０）間外周部に沿い、液晶注入口（３１）を
   有するように帯状のシール（３０）を設け、 前記シールの内側にて前記液晶注入口側からこれに対す
   る前記シールの対向シール部（３２）側に向けてストラ
   イプ状に並行に延びるように複数の隔壁（４０）を前記
   両電極基板間に設け、 前記液晶注入口から前記両電極基板間に前記各隔壁に沿
   い液晶（５０）を注入する液晶セルにおいて、 前記複数の隔壁のうち一側隔壁とこれに隣接する前記シ
   ールの一側シール部（３３）との間にて形成される一側
   通路（４１）内にて前記液晶の注入時にその流れを第１
   堰（６０、６０Ａ）により抑制するように制御し、 また、前記複数の隔壁のうち他側隔壁とこれに隣接する
   前記シールの他側シール部（３４）との間にて形成され
   る他側通路（４２）内にて前記液晶の注入時にその流れ
   を抑制するように第２堰（７０、７０Ａ）により制御す
   ることを特徴とする液晶セル。
7. 【請求項７】 互いに対向して配置される両電極基板
   （１０、２０）の一方の内表面外周部に沿い、液晶注入
   口（３１）を有する帯状のシール（３０）を形成するシ
   ール形成工程（Ｓ３）と、 他方の電極基板の内表面の前記シールの内側に位置する
   領域にて複数のストライプ状の隔壁（４０）を並行に形
   成する隔壁形成工程（Ｓ５）と、 前記複数の隔壁が前記液晶注入口側からこれに対する前
   記シールの対向シール部（３２）側に向けて位置するよ
   うに、前記両電極基板を、前記シール及び各隔壁を介し
   重ね合わせる重ね合わせ工程であって、前記複数の隔壁
   のうち一側隔壁とこれに隣接する前記シールの一側シー
   ル部（３３）との間に一側通路（４１）を形成するとと
   もに、前記複数の隔壁のうち他側隔壁とこれに隣接する
   前記シールの他側シール部（３４）との間に他側通路
   （４２）を形成する重ね合わせ工程（Ｓ７）と、 前記両電極基板間に液晶（５０）を前記液晶注入口から
   前記各隔壁に沿い注入する液晶注入工程（Ｓ９）とを備
   える液晶セルの製造方法において、 前記シール形成工程及び隔壁形成工程の少なくとも一方
   にて、前記両電極基板の少なくとも一方の内表面のうち
   前記一側及び他側の各通路に対応する各領域に第１及び
   第２の堰（６０、６０Ａ、７０、７０Ａ）を形成し、 前記重ね合わせ工程にて、前記第１及び第２の堰が前記
   一側及び他側の各通路内にそれぞれ位置するように、前
   記両電極基板の重ね合わせを行い、 前記液晶注入工程にて、前記液晶の前記一側及び他側の
   各通路での流れを前記一側及び他側の各堰により抑制す
   ることを特徴とする液晶セルの製造方法。