JPH10330297A - 重合を抑制する方法 - Google Patents
重合を抑制する方法Info
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- JPH10330297A JPH10330297A JP10090923A JP9092398A JPH10330297A JP H10330297 A JPH10330297 A JP H10330297A JP 10090923 A JP10090923 A JP 10090923A JP 9092398 A JP9092398 A JP 9092398A JP H10330297 A JPH10330297 A JP H10330297A
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C15/00—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts
- C07C15/40—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts substituted by unsaturated carbon radicals
- C07C15/42—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts substituted by unsaturated carbon radicals monocyclic
- C07C15/44—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts substituted by unsaturated carbon radicals monocyclic the hydrocarbon substituent containing a carbon-to-carbon double bond
- C07C15/46—Styrene; Ring-alkylated styrenes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C5/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms
- C07C5/32—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by dehydrogenation with formation of free hydrogen
- C07C5/327—Formation of non-aromatic carbon-to-carbon double bonds only
- C07C5/333—Catalytic processes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特に芳香族モノビニル化合物の脱水素反応の
排気ガス副産物をきれいに処理するための方法およびシ
ステムの提供。 【解決手段】 エチルベンゼンを脱水素してスチレンに
することによるスチレンの製造中のスチレンモノマーの
早期重合を防止する方法であって、該方法が、脱水素反
応器内で脱水素触媒上にエチルベンゼンの給送流を通過
させてスチレン生成物流を形成すること；前記反応器か
ら、Ｈ、エチルベンゼン蒸気、スチレン、ベンゼンおよ
びトルエン蒸気、ＣＯ、ＣＯ2 および水蒸気を含有する
副産物を含む排気ガス流を除去すること；前記排気ガス
流にスチレン重合抑制剤を注入すること；および上記ス
チレン製造システムでポリスチレンの痕跡量以外を形成
することなく次の処理のために前記ガス流を圧縮するこ
とからなる方法、ならびに該方法を利用するシステム。
排気ガス副産物をきれいに処理するための方法およびシ
ステムの提供。 【解決手段】 エチルベンゼンを脱水素してスチレンに
することによるスチレンの製造中のスチレンモノマーの
早期重合を防止する方法であって、該方法が、脱水素反
応器内で脱水素触媒上にエチルベンゼンの給送流を通過
させてスチレン生成物流を形成すること；前記反応器か
ら、Ｈ、エチルベンゼン蒸気、スチレン、ベンゼンおよ
びトルエン蒸気、ＣＯ、ＣＯ2 および水蒸気を含有する
副産物を含む排気ガス流を除去すること；前記排気ガス
流にスチレン重合抑制剤を注入すること；および上記ス
チレン製造システムでポリスチレンの痕跡量以外を形成
することなく次の処理のために前記ガス流を圧縮するこ
とからなる方法、ならびに該方法を利用するシステム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は重合性モノマー成分
を含む材料流における重合、より特別には脱水素ユニッ
トから分離した排気ガス(vent gas)に含まれるスチレン
のような芳香族モノビニルモノマーの重合の抑制に関す
る。
を含む材料流における重合、より特別には脱水素ユニッ
トから分離した排気ガス(vent gas)に含まれるスチレン
のような芳香族モノビニルモノマーの重合の抑制に関す
る。
【０００２】
【従来の技術・発明が解決しようとする課題】エチルベ
ンゼンのような化学供給原料からのスチレンのような芳
香族モノビニルモノマーの製造では、モノマーは脱水素
反応（dehydrogenation)または「脱水素(dehydro) 」ユ
ニットにおいて供給原料を脱水素することによって製造
される。例えばエチルベンゼン（「ＥＢ」）供給源量は
ＥＢをＥＢ分子から水素原子を除去してスチレン分子を
生成するＥＢ脱水素ユニットに通過させることによって
スチレンに変換する。大部分水素を含む化学反応のガス
状副産物は次の工程のため脱水素排気ガスとしてＥＢ脱
水素ユニットから減圧下に引き出される。
ンゼンのような化学供給原料からのスチレンのような芳
香族モノビニルモノマーの製造では、モノマーは脱水素
反応（dehydrogenation)または「脱水素(dehydro) 」ユ
ニットにおいて供給原料を脱水素することによって製造
される。例えばエチルベンゼン（「ＥＢ」）供給源量は
ＥＢをＥＢ分子から水素原子を除去してスチレン分子を
生成するＥＢ脱水素ユニットに通過させることによって
スチレンに変換する。大部分水素を含む化学反応のガス
状副産物は次の工程のため脱水素排気ガスとしてＥＢ脱
水素ユニットから減圧下に引き出される。
【０００３】脱水素ユニットからの排気ガスは通常水
素、ＣＯ2 、ＣＯ、Ｈ2 Ｏ蒸気および炭化水素蒸気を含
む。一例として、排気ガスは、ＥＢ脱水素ユニットおよ
びスチレン生成物ライン中にそれぞれ再循環される「重
量物（heavies)（ＥＢおよびスチレン）を除去するため
に、燃料価に応じて燃焼される、水素を含む「軽量物
（lights) 」とともに、蒸留されるであろう。そうでな
ければ排気ガス流全体は燃料ガスの代わりに燃焼させる
ことができる。
素、ＣＯ2 、ＣＯ、Ｈ2 Ｏ蒸気および炭化水素蒸気を含
む。一例として、排気ガスは、ＥＢ脱水素ユニットおよ
びスチレン生成物ライン中にそれぞれ再循環される「重
量物（heavies)（ＥＢおよびスチレン）を除去するため
に、燃料価に応じて燃焼される、水素を含む「軽量物
（lights) 」とともに、蒸留されるであろう。そうでな
ければ排気ガス流全体は燃料ガスの代わりに燃焼させる
ことができる。
【０００４】他の例では脱水素排気ガスは、触媒反応器
であって、それによってフェニルアセチレン混入物を含
むスチレンモノマーを排気ガスに含まれる水素と反応さ
せることによりフェニルアセチレン混入物を還元してス
チレンにするために適当な触媒上を通過させるものの１
またはそれ以上からなるフェニルアセチレン還元システ
ム内に循環されるであろう。
であって、それによってフェニルアセチレン混入物を含
むスチレンモノマーを排気ガスに含まれる水素と反応さ
せることによりフェニルアセチレン混入物を還元してス
チレンにするために適当な触媒上を通過させるものの１
またはそれ以上からなるフェニルアセチレン還元システ
ム内に循環されるであろう。
【０００５】上記各々の例において脱水素排気ガスは脱
水素反応器から除去し、圧縮しおよび他の反応器、蒸留
ユニットまたはバーナーへ送らなければならない。その
最終的な使用には関係なく、減圧下にある排気ガスは工
程の次段階にそれを輸送するために約４５ｐｓｉ（６．
５×１０-3Ｐａ）に圧縮しなければならない。
水素反応器から除去し、圧縮しおよび他の反応器、蒸留
ユニットまたはバーナーへ送らなければならない。その
最終的な使用には関係なく、減圧下にある排気ガスは工
程の次段階にそれを輸送するために約４５ｐｓｉ（６．
５×１０-3Ｐａ）に圧縮しなければならない。
【０００６】ＥＢ脱水素排気ガスを圧縮しようとする場
合、スチレンはかなりの反応性要素であり重合が早いも
のであるので、ガスのスチレンモノマー成分（content)
のために問題が生じる。排気ガスコンプレッサー中の圧
縮の熱により、コンプレッサー内部の部品および表面上
でスチレンモノマーは容易に重合しコンプレッサー内で
故障および非効率を引き起こすであろう。コンプレッサ
ーが停止すればポリマーはそれを「動かなく」させたこ
とになる。再起動は困難であり、そして費用のかかる処
置である。
合、スチレンはかなりの反応性要素であり重合が早いも
のであるので、ガスのスチレンモノマー成分（content)
のために問題が生じる。排気ガスコンプレッサー中の圧
縮の熱により、コンプレッサー内部の部品および表面上
でスチレンモノマーは容易に重合しコンプレッサー内で
故障および非効率を引き起こすであろう。コンプレッサ
ーが停止すればポリマーはそれを「動かなく」させたこ
とになる。再起動は困難であり、そして費用のかかる処
置である。
【０００７】排気ガスコンプレッサー中のポリマーの蓄
積（build-up) を排除するための慣用の溶液はコンプレ
ッサー内に排気ガスとともに注入されたＥＢの連続的
に”洗浄”または”フラッシュ”する。これはモノマー
の重合において著しく有益な効果はもたらさないが、コ
ンプレッサー構成部品のポリマーを物理的に溶かし除き
およびコンプレッサーの連続的な運転を可能にする。生
じたＥＢ／ポリマー溶液は次いで、通常商業的な価値を
殆ど持たない低級の低分子量材料である重合したポリマ
ーからＥＢを除去する加工処理をしなければならない。
この方法の欠点はＥＢ／ポリマー溶液の再加工処理に費
用がかかることである。このポリマーはプラントタール
を増加させそしてそれは高価な原料の損失となる。
積（build-up) を排除するための慣用の溶液はコンプレ
ッサー内に排気ガスとともに注入されたＥＢの連続的
に”洗浄”または”フラッシュ”する。これはモノマー
の重合において著しく有益な効果はもたらさないが、コ
ンプレッサー構成部品のポリマーを物理的に溶かし除き
およびコンプレッサーの連続的な運転を可能にする。生
じたＥＢ／ポリマー溶液は次いで、通常商業的な価値を
殆ど持たない低級の低分子量材料である重合したポリマ
ーからＥＢを除去する加工処理をしなければならない。
この方法の欠点はＥＢ／ポリマー溶液の再加工処理に費
用がかかることである。このポリマーはプラントタール
を増加させそしてそれは高価な原料の損失となる。
【０００８】スチレン、α−メチルスチレンおよび他の
置換されたビニルベンゼンのような芳香族ビニル化合物
は高められた温度におかれた場合に強い重合傾向をもつ
ことは良く知られている。慣用の工業的方法により製造
された芳香族ビニル化合物が副産物および不純物を含む
ことによりこれらの化合物はそれ以後の工業的適用に適
当にするために分離および精製工程に供しなければなら
ない。このような分離および精製は一般に蒸留技術によ
って行われる。
置換されたビニルベンゼンのような芳香族ビニル化合物
は高められた温度におかれた場合に強い重合傾向をもつ
ことは良く知られている。慣用の工業的方法により製造
された芳香族ビニル化合物が副産物および不純物を含む
ことによりこれらの化合物はそれ以後の工業的適用に適
当にするために分離および精製工程に供しなければなら
ない。このような分離および精製は一般に蒸留技術によ
って行われる。
【０００９】蒸留精製工程中の芳香族ビニルモノマーの
早期重合を防ぐために、種々の化合物が重合抑制剤とし
て使用されている。硫黄は芳香族ビニル化合物の重合を
抑制するために従来広く使用されていた。しかし、最近
では、重合抑制用途において硫黄の代わりに多くの化合
物が開示されまたは開発されている。これらの化合物は
蒸留工程における工業的な使用に対し多様な成功の程度
を有する。
早期重合を防ぐために、種々の化合物が重合抑制剤とし
て使用されている。硫黄は芳香族ビニル化合物の重合を
抑制するために従来広く使用されていた。しかし、最近
では、重合抑制用途において硫黄の代わりに多くの化合
物が開示されまたは開発されている。これらの化合物は
蒸留工程における工業的な使用に対し多様な成功の程度
を有する。
【００１０】重合抑制剤を使用する芳香族ビニル化合物
のための代表的な蒸留工程では、蒸留される芳香族ビニ
ル化合物を含む混合物は一般に蒸留装置中で蒸留条件に
おかれる前に重合抑制剤と接触される。蒸留システム中
およびそこから回収される高純度生成物において形成さ
れるポリマーの量は所望の量よりもおおむね高いという
重要な問題を残す。さらにより一層悪いことには、蒸留
システムにおいて時折、かなりの経済的な損失を引き起
こす芳香族ビニル化合物の完全な重合が発生する。代表
的な蒸留システムは米国特許第4,252,615 号および4,34
1,600 号に記載され、その関連部分は参照によりそのま
ま本明細書に編入される。
のための代表的な蒸留工程では、蒸留される芳香族ビニ
ル化合物を含む混合物は一般に蒸留装置中で蒸留条件に
おかれる前に重合抑制剤と接触される。蒸留システム中
およびそこから回収される高純度生成物において形成さ
れるポリマーの量は所望の量よりもおおむね高いという
重要な問題を残す。さらにより一層悪いことには、蒸留
システムにおいて時折、かなりの経済的な損失を引き起
こす芳香族ビニル化合物の完全な重合が発生する。代表
的な蒸留システムは米国特許第4,252,615 号および4,34
1,600 号に記載され、その関連部分は参照によりそのま
ま本明細書に編入される。
【００１１】米国特許第3,733,326 号はフリーラジカル
前駆体によるビニルモノマーの重合抑制を開示する。ソ
ヴィエト特許第1,027,150 号はニトロキシ官能基を使用
するスチレンの安定化を開示する。ソヴィエト特許第1,
139,722 号はスチレン用の熱重合抑制剤としてのビス−
ニトロキシ官能基の使用を開示する。特願平1-165534号
はスチレン用の重合抑制剤としての１−ピペリジルオキ
シ誘導体の使用を開示する。ソヴィエト特許第1,588,88
8 号はニトロキシ官能基によるスチレンの重合抑制を開
示する。
前駆体によるビニルモノマーの重合抑制を開示する。ソ
ヴィエト特許第1,027,150 号はニトロキシ官能基を使用
するスチレンの安定化を開示する。ソヴィエト特許第1,
139,722 号はスチレン用の熱重合抑制剤としてのビス−
ニトロキシ官能基の使用を開示する。特願平1-165534号
はスチレン用の重合抑制剤としての１−ピペリジルオキ
シ誘導体の使用を開示する。ソヴィエト特許第1,588,88
8 号はニトロキシ官能基によるスチレンの重合抑制を開
示する。
【００１２】米国特許第4,087,147 号は重合抑制剤とし
て２−ニトロ−ｐ−クレゾールを使用する方法を開示す
る。米国特許第4,105,506 号および第4,252,615 号は重
合抑制剤として２，６−ジニトロ−ｐ−クレゾールを使
用する方法を開示する。米国特許第4,132,602 号および
4,132,603 号は芳香族ビニル化合物の蒸留中における重
合抑制剤としてハロゲン化芳香族ニトロ化合物の使用を
開示する。しかしながら、これらの芳香族ニトロ化合物
は比較的弱い活性を有し、このためかなり高い濃度で、
特により高い蒸留温度で使用しなければならない。ヒト
への曝露に対する比較的高い毒性を考慮するれば、これ
らの芳香族ニトロ化合物は重合を抑制するために許容さ
れ得る試薬とみることはできない。
て２−ニトロ−ｐ−クレゾールを使用する方法を開示す
る。米国特許第4,105,506 号および第4,252,615 号は重
合抑制剤として２，６−ジニトロ−ｐ−クレゾールを使
用する方法を開示する。米国特許第4,132,602 号および
4,132,603 号は芳香族ビニル化合物の蒸留中における重
合抑制剤としてハロゲン化芳香族ニトロ化合物の使用を
開示する。しかしながら、これらの芳香族ニトロ化合物
は比較的弱い活性を有し、このためかなり高い濃度で、
特により高い蒸留温度で使用しなければならない。ヒト
への曝露に対する比較的高い毒性を考慮するれば、これ
らの芳香族ニトロ化合物は重合を抑制するために許容さ
れ得る試薬とみることはできない。
【００１３】さらに、米国特許第3,988,212 号および4,
341,600 号は減圧蒸留条件下での芳香族ビニル化合物の
重合を抑制するためのＮ−ニトロソジフェニルアミンを
ジニトロ−クレゾール誘導体と組合せる使用を開示す
る。米国特許第4,466,904 号は芳香族ビニル化合物の加
熱中、酸素の存在下の重合抑制システムとしてフェノチ
アジン、４−第三ブチルカテコールおよび２，６−ジニ
トロ−ｐ−クレゾールの使用を開示する。米国特許第4,
468,343 号は加熱中の芳香族化合物の重合を妨げるため
に酸素の存在下で２，６−ジニトロ−ｐ−クレゾール
と、フェニレンジアミンもしくは４−第三ブチルカテコ
ールのいずれかを利用するための組成物および方法を開
示する。欧州特許出願第240,297 Ａ１号は蒸留法におい
て高温における芳香族ビニル化合物の重合を抑制するた
めに置換されたヒドロキシルアミンおよびジニトロフェ
ノールの使用を教示する。しかしながら、前記システム
の有効性は酸素に依存する。このことは、蒸留カラム中
の一様でない空気分布により一様でない抑制を生じさせ
および爆発安全性に対する危険を増加させる可能性を高
める。
341,600 号は減圧蒸留条件下での芳香族ビニル化合物の
重合を抑制するためのＮ−ニトロソジフェニルアミンを
ジニトロ−クレゾール誘導体と組合せる使用を開示す
る。米国特許第4,466,904 号は芳香族ビニル化合物の加
熱中、酸素の存在下の重合抑制システムとしてフェノチ
アジン、４−第三ブチルカテコールおよび２，６−ジニ
トロ−ｐ−クレゾールの使用を開示する。米国特許第4,
468,343 号は加熱中の芳香族化合物の重合を妨げるため
に酸素の存在下で２，６−ジニトロ−ｐ−クレゾール
と、フェニレンジアミンもしくは４−第三ブチルカテコ
ールのいずれかを利用するための組成物および方法を開
示する。欧州特許出願第240,297 Ａ１号は蒸留法におい
て高温における芳香族ビニル化合物の重合を抑制するた
めに置換されたヒドロキシルアミンおよびジニトロフェ
ノールの使用を教示する。しかしながら、前記システム
の有効性は酸素に依存する。このことは、蒸留カラム中
の一様でない空気分布により一様でない抑制を生じさせ
および爆発安全性に対する危険を増加させる可能性を高
める。
【００１４】より最近では、米国特許第5,254,760 号が
芳香族ビニルモノマーの蒸留および精製中のそれらの重
合を抑制することを意図した抑制剤組成物を開示する。
水の凝縮があるためおよび水の凝縮におけるこのような
抑制剤の溶解性により、排気ガス流出システムにおいて
このような抑制剤は利用できるかまたは利用できないで
あろう。水相の混入は、流出処理の見地、ならびにさら
には反応器への水相の再循環から起こる触媒毒（cataly
st poisoning) を避けることの好ましさとから望ましく
ない。
芳香族ビニルモノマーの蒸留および精製中のそれらの重
合を抑制することを意図した抑制剤組成物を開示する。
水の凝縮があるためおよび水の凝縮におけるこのような
抑制剤の溶解性により、排気ガス流出システムにおいて
このような抑制剤は利用できるかまたは利用できないで
あろう。水相の混入は、流出処理の見地、ならびにさら
には反応器への水相の再循環から起こる触媒毒（cataly
st poisoning) を避けることの好ましさとから望ましく
ない。
【００１５】上に言及した特許および文献の引用の全て
は参照によりそのまま本明細書に編入される。
は参照によりそのまま本明細書に編入される。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明では、本発明の方
法が排気ガスコンプレッサー中のモノマーの重合を防止
する方法であるため排気ガスコンプレッサー構成部品か
らポリマー蓄積を除去するためのＥＢフラッシュを要し
ないシステムおよび方法を提供することによって、これ
らの欠点を克服する。
法が排気ガスコンプレッサー中のモノマーの重合を防止
する方法であるため排気ガスコンプレッサー構成部品か
らポリマー蓄積を除去するためのＥＢフラッシュを要し
ないシステムおよび方法を提供することによって、これ
らの欠点を克服する。
【００１７】本明細書に開示しおよび請求の範囲に記載
される方法およびシステムは排気ガスコンプレッサーの
内側にポリマーが形成するのを防ぐため前記コンプレッ
サーの上流のＥＢ脱水素排気ガスに注入される重合抑制
剤を利用する。
される方法およびシステムは排気ガスコンプレッサーの
内側にポリマーが形成するのを防ぐため前記コンプレッ
サーの上流のＥＢ脱水素排気ガスに注入される重合抑制
剤を利用する。
【００１８】特には本発明はエチルベンゼンを脱水素し
てスチレンにすることによるスチレンの製造中のスチレ
ンモノマーの早期重合を防止する方法であって、該方法
が、脱水素反応器内で脱水素触媒上にエチルベンゼンの
給送流を通過させてスチレン生成物流を形成すること；
前記反応器から、水素、エチルベンゼン蒸気、スチレ
ン、ベンゼンおよびトルエン蒸気、ＣＯ、ＣＯ2 および
水蒸気を含有する副産物を含む排気ガス流を除去するこ
と；前記排気ガス流にスチレン重合抑制剤を注入するこ
と；および上記スチレン製造システムにおいてポリスチ
レンの痕跡量以外を形成することなくそれ以降の処理の
ために前記ガス流を圧縮することからなる方法である。
てスチレンにすることによるスチレンの製造中のスチレ
ンモノマーの早期重合を防止する方法であって、該方法
が、脱水素反応器内で脱水素触媒上にエチルベンゼンの
給送流を通過させてスチレン生成物流を形成すること；
前記反応器から、水素、エチルベンゼン蒸気、スチレ
ン、ベンゼンおよびトルエン蒸気、ＣＯ、ＣＯ2 および
水蒸気を含有する副産物を含む排気ガス流を除去するこ
と；前記排気ガス流にスチレン重合抑制剤を注入するこ
と；および上記スチレン製造システムにおいてポリスチ
レンの痕跡量以外を形成することなくそれ以降の処理の
ために前記ガス流を圧縮することからなる方法である。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１はスチレン製造工程に設けら
れたシステムの概略流れ図である。スチレン製造システ
ムの概略図である図１について述べると、エチルベンゼ
ン給送流ＥＢＦはエチルベンゼン脱水素反応器ＥＢＤに
給送される。反応器ＥＢＤでは水素がエチルベンゼンか
ら除去されならびにスチレンモノマーの流れＳＭは上記
反応器から取り出される。副産物排気ガスは反応器ＥＢ
ＤからラインＶＧを介して引き出されそして排気ガスコ
ンプレッサーＶＧＣ中で圧縮され、また抑制剤供給タン
クＩは抑制剤供給ラインＩＳを介してラインＶＧと連絡
する。スチレン抑制剤はラインＩＳを介してコンプレッ
サーＶＧＣの上流にあるラインＶＧ中に注入される。次
いで圧縮された排気ガス／抑制剤混合物はバルブＶを通
り、廃物加熱ボイラーＢに送られそして燃料として燃焼
させるか、さもなくばバルブＶを介し再循環ラインＲＣ
を介して再送されそして反応器ＥＢＤからの粗スチレン
へ注入し戻される。あるいは、圧縮された排気ガスの全
てまたは一部をフェニルアセチレン還元反応器ＰＡＲ中
に再循環させる第二バルブＰＶの使用によってフェニル
アセチレン除去システム、ＰＡＲが本発明に関連して利
用できる。同様にＥＢＤからのスチレンモノマー給送流
はフェニルアセチレンバルブＰＡＶを介して反応器ＰＡ
Ｒ中へ循環される。バルブＰＶを介してＰＡＲ反応器シ
ステム中へ流れる抑制された排気ガスはスチレンモノマ
ー流と混合し、そして排気ガスの水素成分はスチレンモ
ノマーのフェニルアセチレン成分をスチレンに還元し、
それは次いで精製モノマーラインＰＭによって取り出さ
れる。
れたシステムの概略流れ図である。スチレン製造システ
ムの概略図である図１について述べると、エチルベンゼ
ン給送流ＥＢＦはエチルベンゼン脱水素反応器ＥＢＤに
給送される。反応器ＥＢＤでは水素がエチルベンゼンか
ら除去されならびにスチレンモノマーの流れＳＭは上記
反応器から取り出される。副産物排気ガスは反応器ＥＢ
ＤからラインＶＧを介して引き出されそして排気ガスコ
ンプレッサーＶＧＣ中で圧縮され、また抑制剤供給タン
クＩは抑制剤供給ラインＩＳを介してラインＶＧと連絡
する。スチレン抑制剤はラインＩＳを介してコンプレッ
サーＶＧＣの上流にあるラインＶＧ中に注入される。次
いで圧縮された排気ガス／抑制剤混合物はバルブＶを通
り、廃物加熱ボイラーＢに送られそして燃料として燃焼
させるか、さもなくばバルブＶを介し再循環ラインＲＣ
を介して再送されそして反応器ＥＢＤからの粗スチレン
へ注入し戻される。あるいは、圧縮された排気ガスの全
てまたは一部をフェニルアセチレン還元反応器ＰＡＲ中
に再循環させる第二バルブＰＶの使用によってフェニル
アセチレン除去システム、ＰＡＲが本発明に関連して利
用できる。同様にＥＢＤからのスチレンモノマー給送流
はフェニルアセチレンバルブＰＡＶを介して反応器ＰＡ
Ｒ中へ循環される。バルブＰＶを介してＰＡＲ反応器シ
ステム中へ流れる抑制された排気ガスはスチレンモノマ
ー流と混合し、そして排気ガスの水素成分はスチレンモ
ノマーのフェニルアセチレン成分をスチレンに還元し、
それは次いで精製モノマーラインＰＭによって取り出さ
れる。
【００２０】他の１つの具体例では（図示せず）、バル
ブＰＶは、バルブＶを介して再循環ラインＲＣに流れる
エチルベンゼンのようなより重い揮発物とスチレンとを
分離しそしてこれらのより重い方の揮発物を再循環して
エチルベンゼン給送流ＥＢＦ中へ戻すための蒸留装置の
ような精製システムと置き換えることができる。より重
い方の揮発物を除いた排気ガスの残りの部分は反応器Ｅ
ＢＤからのスチレンモノマー流をさらに精製するために
フェニルアセチレン還元反応器ＰＡＲ中に循環される。
ブＰＶは、バルブＶを介して再循環ラインＲＣに流れる
エチルベンゼンのようなより重い揮発物とスチレンとを
分離しそしてこれらのより重い方の揮発物を再循環して
エチルベンゼン給送流ＥＢＦ中へ戻すための蒸留装置の
ような精製システムと置き換えることができる。より重
い方の揮発物を除いた排気ガスの残りの部分は反応器Ｅ
ＢＤからのスチレンモノマー流をさらに精製するために
フェニルアセチレン還元反応器ＰＡＲ中に循環される。
【００２１】使用される特別な抑制剤はガス流に注入す
ることのできるいずれかの適当なスチレン重合抑制剤で
あってよい。例えば特に有利な抑制剤は立体障害性アミ
ンラジカルトラップタイプ（hindred amine radical tr
ap type)の抑制剤である、ビス（１−オキシル−２，
２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）セバ
ケートに見出される。
ることのできるいずれかの適当なスチレン重合抑制剤で
あってよい。例えば特に有利な抑制剤は立体障害性アミ
ンラジカルトラップタイプ（hindred amine radical tr
ap type)の抑制剤である、ビス（１−オキシル−２，
２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）セバ
ケートに見出される。
【００２２】本発明において有用な好ましい立体障害性
アミンニトロキシル化合物は分子中に下式（Ｉ）で表さ
れる基の少なくとも１つ含む。 特に有益なものはEP-A-592 363に記載される相当する立
体障害性アミンから誘導される立体障害性アミンニトロ
キシル化合物である。
アミンニトロキシル化合物は分子中に下式（Ｉ）で表さ
れる基の少なくとも１つ含む。 特に有益なものはEP-A-592 363に記載される相当する立
体障害性アミンから誘導される立体障害性アミンニトロ
キシル化合物である。
【００２３】これらのうち下記のものが好ましい：１−
オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−
４−イルアセテート；１−オキシル−２，２，６，６−
テトラメチルピペリジン−４−イル２−エチルヘキサノ
エート；１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジン−４−イルステアレート；１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イルベ
ンゾエート；１−オキシル−２，２，６，６−テトラメ
チルピペリジン−４−イル４−第三ブチルベンゾエー
ト；ビス（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチ
ルピペリジン−４−イル）スクシネート；ビス（１−オ
キシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４
−イル）アジペート；ビス（１−オキシル−２，２，
６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）セバケー
ト；ビス（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチ
ルピペリジン−４−イル）ｎ−ブチルマロネート；ビス
（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリ
ジン−４−イル）フタレート；ビス（１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）
イソフタレート；ビス（１−オキシル−２，２，６，６
−テトラメチルピペリジン−４−イル）テレフタレー
ト；ビス（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチ
ルピペリジン−４−イル）ヘキサヒドロテレフタレー
ト；Ｎ，Ｎ’−ビス（１−オキシル−２，２，６，６−
テトラメチルピペリジン−４−イル）アジパミド Ｎ−（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピ
ペリジン−４−イル）−カプロラクタム；Ｎ−（１−オ
キシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４
−イル）−ドデシルスクシンイミド；２，４，６−トリ
ス−［Ｎ−ブチル−Ｎ−（１−オキシル−２，２，６，
６−テトラメチルピペリジン−４−イル）］−ｓ−トリ
アジンおよび４，４’−エチレンビス（１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペラジン−３−オ
ン）。
オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−
４−イルアセテート；１−オキシル−２，２，６，６−
テトラメチルピペリジン−４−イル２−エチルヘキサノ
エート；１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジン−４−イルステアレート；１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イルベ
ンゾエート；１−オキシル−２，２，６，６−テトラメ
チルピペリジン−４−イル４−第三ブチルベンゾエー
ト；ビス（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチ
ルピペリジン−４−イル）スクシネート；ビス（１−オ
キシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４
−イル）アジペート；ビス（１−オキシル−２，２，
６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）セバケー
ト；ビス（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチ
ルピペリジン−４−イル）ｎ−ブチルマロネート；ビス
（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリ
ジン−４−イル）フタレート；ビス（１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）
イソフタレート；ビス（１−オキシル−２，２，６，６
−テトラメチルピペリジン−４−イル）テレフタレー
ト；ビス（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチ
ルピペリジン−４−イル）ヘキサヒドロテレフタレー
ト；Ｎ，Ｎ’−ビス（１−オキシル−２，２，６，６−
テトラメチルピペリジン−４−イル）アジパミド Ｎ−（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピ
ペリジン−４−イル）−カプロラクタム；Ｎ−（１−オ
キシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４
−イル）−ドデシルスクシンイミド；２，４，６−トリ
ス−［Ｎ−ブチル−Ｎ−（１−オキシル−２，２，６，
６−テトラメチルピペリジン−４−イル）］−ｓ−トリ
アジンおよび４，４’−エチレンビス（１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペラジン−３−オ
ン）。
【００２４】さらに好ましいのは上記化合物が、ビス
（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリ
ジン−４−イル）セバケート；２，４，６−トリス−
［Ｎ−ブチル−Ｎ−（１−オキシル−２，２，６，６−
テトラメチルピペリジン−４−イル）］−ｓ−トリアジ
ン；または４，４’−エチレンビス（１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペラジン−３−オン）
であるものである。
（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリ
ジン−４−イル）セバケート；２，４，６−トリス−
［Ｎ−ブチル−Ｎ−（１−オキシル−２，２，６，６−
テトラメチルピペリジン−４−イル）］−ｓ−トリアジ
ン；または４，４’−エチレンビス（１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペラジン−３−オン）
であるものである。
【００２５】抑制剤はモノマーの重量に基づいて好まし
くは０．１ｐｐｍないし１０００ｐｐｍの量、さらに好
ましくは１ｐｐｍないし５００ｐｐｍの量および最も好
ましくは５ｐｐｍないし１００ｐｐｍの量で注入され
る。
くは０．１ｐｐｍないし１０００ｐｐｍの量、さらに好
ましくは１ｐｐｍないし５００ｐｐｍの量および最も好
ましくは５ｐｐｍないし１００ｐｐｍの量で注入され
る。
【００２６】抑制剤は排気ガスコンプレッサーの上流に
あるラインＩＳを通って排気ガス流に注入されるため、
このような抑制剤はコンプレッサー構成部品においてス
チレンの重合を首尾よく抑制できる。発明者らによって
信じるところは、他の同様の注入可能なスチレン抑制剤
もまた内部コンプレッサー構成部品におけるスチレン重
合を防止するのに役立つであろうことである。この方法
は実際の排気ガスコンプレッサーで実際的に試験してい
ないけれども、発明者らが信ずるところは排気ガス適用
における抑制剤の性質およびスチレンモノマーの公知特
性によって、目下開示される抑制剤はコンプレッサー内
でポリマーを形成させないようにそこでの重合を十分に
抑制するであろう。
あるラインＩＳを通って排気ガス流に注入されるため、
このような抑制剤はコンプレッサー構成部品においてス
チレンの重合を首尾よく抑制できる。発明者らによって
信じるところは、他の同様の注入可能なスチレン抑制剤
もまた内部コンプレッサー構成部品におけるスチレン重
合を防止するのに役立つであろうことである。この方法
は実際の排気ガスコンプレッサーで実際的に試験してい
ないけれども、発明者らが信ずるところは排気ガス適用
における抑制剤の性質およびスチレンモノマーの公知特
性によって、目下開示される抑制剤はコンプレッサー内
でポリマーを形成させないようにそこでの重合を十分に
抑制するであろう。
【００２７】本発明の他の主題はエチルベンゼンのスチ
レンへの脱水素のためのシステムであって；該システム
はエチルベンゼンを脱水素してスチレンにするのに適合
する触媒脱水素反応器；前記反応器に接続したエチレン
ベンゼン給送流サプライ；前記反応器に接続しおよびエ
チルベンゼン脱水素の排気ガス副産物を前記反応器から
除去するために配置された排気ガス除去サブシステム；
前記除去システムに接続しおよびそこから排気ガスを受
けるために配置された排気ガスコンプレッサー；および
重合抑制剤を前記反応器からの排気ガスに注入するため
に、前記除去サブシステムと前記コンプレッサー間に配
置された重合抑制剤サブシステムとからなるシステムで
ある。
レンへの脱水素のためのシステムであって；該システム
はエチルベンゼンを脱水素してスチレンにするのに適合
する触媒脱水素反応器；前記反応器に接続したエチレン
ベンゼン給送流サプライ；前記反応器に接続しおよびエ
チルベンゼン脱水素の排気ガス副産物を前記反応器から
除去するために配置された排気ガス除去サブシステム；
前記除去システムに接続しおよびそこから排気ガスを受
けるために配置された排気ガスコンプレッサー；および
重合抑制剤を前記反応器からの排気ガスに注入するため
に、前記除去サブシステムと前記コンプレッサー間に配
置された重合抑制剤サブシステムとからなるシステムで
ある。
【００２８】方法のために上記に示された定義および好
ましい事例はまた、エチルベンゼンを脱水素するための
システムのためにも適用される。
ましい事例はまた、エチルベンゼンを脱水素するための
システムのためにも適用される。
【００２９】本発明の特定の好ましい具体例を上記詳細
な説明において記載したが、それらは制限的であるより
むしろ例証的と見なされ、そして本発明がそのように制
限されないことは当業者にとって明らかであるから、本
発明をその中で記載した特別な形態または具体例に限定
することを意図するものではない。例えば、本発明の具
体例がエチルベンゼン／スチレン反応器ユニットからの
排気ガスに関して開示するがゆえに、本発明が重合性の
モノマーを含む他のガスシステムに関係することは明ら
かである。従って、本発明は、本発明の精神および範囲
から離反することなく例示の目的のために本明細書に記
載される、本発明の特定の事例の変更および改良の全て
を包含することを言明する。特性もしくは特別の利益が
記載される、本発明の具体例は以下に明らかにされる。
な説明において記載したが、それらは制限的であるより
むしろ例証的と見なされ、そして本発明がそのように制
限されないことは当業者にとって明らかであるから、本
発明をその中で記載した特別な形態または具体例に限定
することを意図するものではない。例えば、本発明の具
体例がエチルベンゼン／スチレン反応器ユニットからの
排気ガスに関して開示するがゆえに、本発明が重合性の
モノマーを含む他のガスシステムに関係することは明ら
かである。従って、本発明は、本発明の精神および範囲
から離反することなく例示の目的のために本明細書に記
載される、本発明の特定の事例の変更および改良の全て
を包含することを言明する。特性もしくは特別の利益が
記載される、本発明の具体例は以下に明らかにされる。
【００３０】
【実施例】実施例１： 図１における概略図と同様に設計されたスチ
レン製造プラントを排気ガスコンプレッサーに導入され
る流れに抑制剤を添加することなく典型的な条件で運転
する。３ヵ月後、コンプレッサーの内部構成部品におい
てポリスチレンが蓄積する。コンプレッサータービンブ
レード上のポリマーの存在は不均衡および振動を生じさ
せる。ポリマーの増加はコンプレッサーの効率を減少さ
せる。約５ヵ月後、装置の永久的な損傷を防ぐために洗
浄のため運転停止させる必要があるだろう。
レン製造プラントを排気ガスコンプレッサーに導入され
る流れに抑制剤を添加することなく典型的な条件で運転
する。３ヵ月後、コンプレッサーの内部構成部品におい
てポリスチレンが蓄積する。コンプレッサータービンブ
レード上のポリマーの存在は不均衡および振動を生じさ
せる。ポリマーの増加はコンプレッサーの効率を減少さ
せる。約５ヵ月後、装置の永久的な損傷を防ぐために洗
浄のため運転停止させる必要があるだろう。
【００３１】実施例２：実施例１に記載したと同様に同
じプラントを作動させるが、しかし、水不溶性重合抑制
剤ビス（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジン−４−イル）セバケート２０ｐｐｍを排気ガ
スコンプレッサーに入る流れに注入する。作動開始の４
カ月後コンプレッサーは振動の増加なくおよび効率の損
失なく作動する。ポリスチレンの痕跡はＥＢＤ反応器か
ら下流の水凝縮タンクに見出される。凝縮タンクの水相
中には抑制剤の痕跡は検出されない。
じプラントを作動させるが、しかし、水不溶性重合抑制
剤ビス（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジン−４−イル）セバケート２０ｐｐｍを排気ガ
スコンプレッサーに入る流れに注入する。作動開始の４
カ月後コンプレッサーは振動の増加なくおよび効率の損
失なく作動する。ポリスチレンの痕跡はＥＢＤ反応器か
ら下流の水凝縮タンクに見出される。凝縮タンクの水相
中には抑制剤の痕跡は検出されない。
【００３２】実施例３：実施例２に記載したと同様にプ
ラントを作動させる。本事例では水溶性重合抑制剤１−
オキシル−２，２，６，６−テトラメチル−４−ヒドロ
キシピペリジン２０ｐｐｍを排気ガスコンプレッサーに
入る流れに注入する。作動開始の１２カ月後コンプレッ
サーは振動の増加なくおよび効率の損失なく作動する。
凝縮タンクの水相中にポリマーの痕跡は検出されない。
凝縮タンクの水相中には抑制剤の少量が検出されるのみ
である。
ラントを作動させる。本事例では水溶性重合抑制剤１−
オキシル−２，２，６，６−テトラメチル−４−ヒドロ
キシピペリジン２０ｐｐｍを排気ガスコンプレッサーに
入る流れに注入する。作動開始の１２カ月後コンプレッ
サーは振動の増加なくおよび効率の損失なく作動する。
凝縮タンクの水相中にポリマーの痕跡は検出されない。
凝縮タンクの水相中には抑制剤の少量が検出されるのみ
である。
【００３３】実施例４：実施例２に記載したと同様にプ
ラントを作動させる。本事例では水溶性重合抑制剤１−
オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−
４−オン２０ｐｐｍを排気ガスコンプレッサーに入る流
れに注入する。作動開始の１２カ月後コンプレッサーは
振動の増加なくおよび効率の損失なく作動する。凝縮タ
ンクの水相中にポリマーの痕跡は検出されない。凝縮タ
ンクの水相中には抑制剤の少量が検出されるのみであ
る。
ラントを作動させる。本事例では水溶性重合抑制剤１−
オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−
４−オン２０ｐｐｍを排気ガスコンプレッサーに入る流
れに注入する。作動開始の１２カ月後コンプレッサーは
振動の増加なくおよび効率の損失なく作動する。凝縮タ
ンクの水相中にポリマーの痕跡は検出されない。凝縮タ
ンクの水相中には抑制剤の少量が検出されるのみであ
る。
【００３４】実施例５：実施例２に記載したと同様にプ
ラントを作動させる。本事例では重合抑制剤１−オキシ
ル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、１−オ
キシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４
−イルベンゾエート、２，４，６−トリス−［Ｎ−ブチ
ル−Ｎ−（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチ
ルピペリジン−４−イル］−ｓ−トリアジンまたは４，
４’−エチレンビス（１−オキシル−２，２，６，６−
テトラメチルピペラジン−３−オン）の２０ｐｐｍを排
気ガスコンプレッサーに入る流れに注入する。作動開始
の４カ月後コンプレッサーは振動の増加なくおよび効率
の損失なく作動する。
ラントを作動させる。本事例では重合抑制剤１−オキシ
ル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、１−オ
キシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４
−イルベンゾエート、２，４，６−トリス−［Ｎ−ブチ
ル−Ｎ−（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチ
ルピペリジン−４−イル］−ｓ−トリアジンまたは４，
４’−エチレンビス（１−オキシル−２，２，６，６−
テトラメチルピペラジン−３−オン）の２０ｐｐｍを排
気ガスコンプレッサーに入る流れに注入する。作動開始
の４カ月後コンプレッサーは振動の増加なくおよび効率
の損失なく作動する。
【図１】図１はスチレン製造工程に設けられたシステム
の概略流れ図である。
の概略流れ図である。
ＥＢＦ：エチルベンゼンの給送 ＥＢＤ：エチルベンゼン脱水素反応器 ＳＭ：スチレンモノマーの流れ ＶＧ：排気ガスライン Ｉ：抑制剤供給タンク ＩＳ：抑制剤供給ライン ＶＧＣ：排気ガスコンプレッサー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェイムズ ロイ バトラー アメリカ合衆国，テキサス 77059，ハウ ストン，クレストブルック 15718 (72)発明者 レスリー ロバート ゲイトチェア アメリカ合衆国，ニューヨーク 10606, ホワイトプレインズ，マーチン アヴェニ ュー ４ (72)発明者 シェング−シング リー アメリカ合衆国，コネティカット 06811, ダンブリー，ウエッジウッド ドライブ 16 (72)発明者 ローランド アーサー エドウィン ウィ ンター アメリカ合衆国，ニューヨーク 10504, アルモンク，バンクスヴィル ロード 23
Claims (8)
- 【請求項１】 エチルベンゼンを脱水素してスチレンに
することによるスチレンの製造中のスチレンモノマーの
早期重合を防止する方法であって、脱水素反応器内で脱
水素触媒上にエチルベンゼンの給送流を通過させてスチ
レン生成物流を形成すること；前記反応器から、水素、
エチルベンゼン蒸気、スチレン、ベンゼンおよびトルエ
ン蒸気、ＣＯ、ＣＯ2 および水蒸気を含有する副産物を
含む排気ガス流を除去すること；前記排気ガス流にスチ
レン重合抑制剤を注入すること；および上記スチレン製
造システムにおいてポリスチレンの痕跡量以外を形成す
ることなく次の処理のために前記ガス流を圧縮すること
からなる方法。 - 【請求項２】 前記重合抑制剤が立体障害性アミンラジ
カルトラップ抑制剤である請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記重合抑制剤が、１−オキシル−２，
２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イルアセテ
ート；１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピ
ペリジン−４−イル２−エチルヘキサノエート；１−オ
キシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４
−イルステアレート；１−オキシル−２，２，６，６−
テトラメチルピペリジン−４−イルベンゾエート；１−
オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−
４−イル４−第三ブチルベンゾエート；ビス（１−オキ
シル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−
イル）スクシネート；ビス（１−オキシル−２，２，
６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）アジペー
ト；ビス（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチ
ルピペリジン−４−イル）セバケート；ビス（１−オキ
シル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−
イル）ｎ−ブチルマロネート；ビス（１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）
フタレート；ビス（１−オキシル−２，２，６，６−テ
トラメチルピペリジン−４−イル）イソフタレート；ビ
ス（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペ
リジン−４−イル）テレフタレート；ビス（１−オキシ
ル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イ
ル）ヘキサヒドロテレフタレート；Ｎ，Ｎ’−ビス（１
−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン
−４−イル）アジパミド Ｎ−（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピ
ペリジン−４−イル）−カプロラクタム；Ｎ−（１−オ
キシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４
−イル）−ドデシルスクシンイミド；２，４，６−トリ
ス−［Ｎ−ブチル−Ｎ−（１−オキシル−２，２，６，
６−テトラメチルピペリジン−４−イル）］−ｓ−トリ
アジンおよび４，４’−エチレンビス（１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペラジン−３−オン）
よりなる群から選択される請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記重合抑制剤がビス（１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）
セバケートである請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 エチルベンゼンを脱水素してスチレンに
するためのシステムであって、該システムが、エチルベ
ンゼンを脱水素してスチレンにするのに適合する触媒脱
水素反応器；前記反応器に接続したエチレンベンゼン給
送流サプライ；前記反応器に接続しおよびエチルベンゼ
ン脱水素の排気ガス副産物を前記反応器から除去するた
めに配置された排気ガス除去サブシステム；前記除去シ
ステムに接続しおよびそこから排気ガスを受けるために
配置された排気ガスコンプレッサー；および重合抑制剤
を前記反応器からの排気ガスに注入するために前記除去
サブシステムと前記コンプレッサー間に配置された重合
抑制剤サブシステムとからなるシステム。 - 【請求項６】 前記重合抑制剤が立体障害性アミンラジ
カルトラップ抑制剤である請求項５記載のシステム。 - 【請求項７】 前記重合抑制剤が、１−オキシル−２，
２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イルアセテ
ート；１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピ
ペリジン−４−イル２−エチルヘキサノエート；１−オ
キシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４
−イルステアレート；１−オキシル−２，２，６，６−
テトラメチルピペリジン−４−イルベンゾエート；１−
オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−
４−イル４−第三ブチルベンゾエート；ビス（１−オキ
シル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−
イル）スクシネート；ビス（１−オキシル−２，２，
６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）アジペー
ト；ビス（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチ
ルピペリジン−４−イル）セバケート；ビス（１−オキ
シル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−
イル）ｎ−ブチルマロネート；ビス（１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）
フタレート；ビス（１−オキシル−２，２，６，６−テ
トラメチルピペリジン−４−イル）イソフタレート；ビ
ス（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペ
リジン−４−イル）テレフタレート；ビス（１−オキシ
ル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イ
ル）ヘキサヒドロテレフタレート；Ｎ，Ｎ’−ビス（１
−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン
−４−イル）アジパミド Ｎ−（１−オキシル−２，２，６，６−テトラメチルピ
ペリジン−４−イル）−カプロラクタム；Ｎ−（１−オ
キシル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４
−イル）−ドデシルスクシンイミド；２，４，６−トリ
ス−［Ｎ−ブチル−Ｎ−（１−オキシル−２，２，６，
６−テトラメチルピペリジン−４−イル）］−ｓ−トリ
アジンおよび４，４’−エチレンビス（１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペラジン−３−オン）
よりなる群から選択される請求項６記載のシステム。 - 【請求項８】 前記重合抑制剤がビス（１−オキシル−
２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）
セバケートである請求項７記載のシステム。
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