JPH10328864A - レーザ加工装置および加工対象物の位置測定方法 - Google Patents
レーザ加工装置および加工対象物の位置測定方法Info
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- JPH10328864A JPH10328864A JP9140012A JP14001297A JPH10328864A JP H10328864 A JPH10328864 A JP H10328864A JP 9140012 A JP9140012 A JP 9140012A JP 14001297 A JP14001297 A JP 14001297A JP H10328864 A JPH10328864 A JP H10328864A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の加工対象物の位置を高い検出精度でか
つ短時間に測定することができるレーザ加工装置および
加工対象物の位置測定方法を提供する。 【解決手段】 レーザマーキング装置は、ＹＡＧレーザ
光を発生するＹＡＧレーザ発振器１と、ＹＡＧレーザ発
振器１にて発生したレーザ光を、治具上に載置された複
数の加工対象物１０上で走査するガルバノメータスキャ
ナ２ａ，２ｂと、ＹＡＧレーザ発振器１およびガルバノ
メータスキャナ２ａ，２ｂを制御するマーカコントロー
ラ７と、加工対象物１０または治具から反射されたレー
ザ光の光量を検出するＰＩＮフォトダイオード４と、Ｐ
ＩＮフォトダイオード４により検出された反射光の光量
変化に基づいて加工対象物１０の位置を算出する光量処
理装置５と、光量処理装置５による処理結果を表示する
モニタ６とを備えている。
つ短時間に測定することができるレーザ加工装置および
加工対象物の位置測定方法を提供する。 【解決手段】 レーザマーキング装置は、ＹＡＧレーザ
光を発生するＹＡＧレーザ発振器１と、ＹＡＧレーザ発
振器１にて発生したレーザ光を、治具上に載置された複
数の加工対象物１０上で走査するガルバノメータスキャ
ナ２ａ，２ｂと、ＹＡＧレーザ発振器１およびガルバノ
メータスキャナ２ａ，２ｂを制御するマーカコントロー
ラ７と、加工対象物１０または治具から反射されたレー
ザ光の光量を検出するＰＩＮフォトダイオード４と、Ｐ
ＩＮフォトダイオード４により検出された反射光の光量
変化に基づいて加工対象物１０の位置を算出する光量処
理装置５と、光量処理装置５による処理結果を表示する
モニタ６とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ光を用いて加
工対象物を加工するレーザ加工装置に係り、とりわけガ
ルバノメータスキャナ等によりレーザ光を走査しつつ加
工対象物を加工するレーザ加工装置に関する。
工対象物を加工するレーザ加工装置に係り、とりわけガ
ルバノメータスキャナ等によりレーザ光を走査しつつ加
工対象物を加工するレーザ加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、レーザ光の光路上に配置され
たガルバノメータスキャナ等によりレーザ光を走査しつ
つ加工対象物を加工するレーザマーキング装置等のレー
ザ加工装置が知られている。このようなレーザ加工装置
においては一般に、加工対象物の位置を測定するため
に、ＣＣＤ（Charge Coupled Device ）カメラにより加
工対象物を撮影するとともに、この撮影された画像を静
止画像認識機構等を有する画像処理装置により認識する
方法が採られている。なお、ＣＣＤカメラを用いて加工
対象物の位置を測定する従来の方法としては、例えば図
５および図６に示すようなものがある。
たガルバノメータスキャナ等によりレーザ光を走査しつ
つ加工対象物を加工するレーザマーキング装置等のレー
ザ加工装置が知られている。このようなレーザ加工装置
においては一般に、加工対象物の位置を測定するため
に、ＣＣＤ（Charge Coupled Device ）カメラにより加
工対象物を撮影するとともに、この撮影された画像を静
止画像認識機構等を有する画像処理装置により認識する
方法が採られている。なお、ＣＣＤカメラを用いて加工
対象物の位置を測定する従来の方法としては、例えば図
５および図６に示すようなものがある。
【０００３】まず、図５により、従来のレーザ加工装置
（レーザマーキング装置）の一例について説明する。図
５に示すように、従来のレーザマーキング装置は、レー
ザ光を発生するレーザ発振器１と、レーザ発振器１にて
発生したレーザ光を複数の加工対象物１０上で走査する
ガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂと、レーザ発振器１
およびガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを制御するマ
ーカコントローラ７と、複数の加工対象物１０の全体に
照明光を照射する照明灯９と、照明灯９により照明光が
照射された加工対象物１０を撮影するＣＣＤカメラ１３
と、ＣＣＤカメラ１３により撮影された画像を認識する
ための静止画像認識機構を有する画像処理装置１４と、
画像処理装置１４により認識された画像を表示するモニ
タ１５とを備えている。
（レーザマーキング装置）の一例について説明する。図
５に示すように、従来のレーザマーキング装置は、レー
ザ光を発生するレーザ発振器１と、レーザ発振器１にて
発生したレーザ光を複数の加工対象物１０上で走査する
ガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂと、レーザ発振器１
およびガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを制御するマ
ーカコントローラ７と、複数の加工対象物１０の全体に
照明光を照射する照明灯９と、照明灯９により照明光が
照射された加工対象物１０を撮影するＣＣＤカメラ１３
と、ＣＣＤカメラ１３により撮影された画像を認識する
ための静止画像認識機構を有する画像処理装置１４と、
画像処理装置１４により認識された画像を表示するモニ
タ１５とを備えている。
【０００４】図５に示すレーザマーキング装置におい
て、加工対象物１０に対するマーキングは、マーカコン
トローラ７によりガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを
制御しつつレーザ発振器１にて発生したレーザ光をガル
バノメータスキャナ２ａ，２ｂを介して加工対象物１０
上に照射することにより行われる。これに対し、加工対
象物１０の位置測定は、照明灯９により照明光が照射さ
れた複数の加工対象物１０の全体をＣＣＤカメラ１３に
より撮影するとともに、この撮影された画像を画像処理
装置１４により認識することにより行われる。なお、画
像処理装置１４により認識された複数の加工対象物１０
の画像はモニタ１５上に表示される。
て、加工対象物１０に対するマーキングは、マーカコン
トローラ７によりガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを
制御しつつレーザ発振器１にて発生したレーザ光をガル
バノメータスキャナ２ａ，２ｂを介して加工対象物１０
上に照射することにより行われる。これに対し、加工対
象物１０の位置測定は、照明灯９により照明光が照射さ
れた複数の加工対象物１０の全体をＣＣＤカメラ１３に
より撮影するとともに、この撮影された画像を画像処理
装置１４により認識することにより行われる。なお、画
像処理装置１４により認識された複数の加工対象物１０
の画像はモニタ１５上に表示される。
【０００５】次に、図６により、従来のレーザ加工装置
（レーザマーキング装置）の別の例について説明する。
ここで図６に示すレーザマーキング装置は、加工対象物
１０に対する照明および撮影がガルバノメータスキャナ
２ａ，２ｂを介して行われる点を除いて、他は図５に示
すレーザマーキング装置と略同一である。図６に示すレ
ーザマーキング装置において、図５に示すレーザマーキ
ング装置と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は
省略する。
（レーザマーキング装置）の別の例について説明する。
ここで図６に示すレーザマーキング装置は、加工対象物
１０に対する照明および撮影がガルバノメータスキャナ
２ａ，２ｂを介して行われる点を除いて、他は図５に示
すレーザマーキング装置と略同一である。図６に示すレ
ーザマーキング装置において、図５に示すレーザマーキ
ング装置と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は
省略する。
【０００６】図６に示すレーザマーキング装置におい
て、加工対象物１０に対するマーキングは、マーカコン
トローラ７によりガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを
制御しつつレーザ発振器１にて発生したレーザ光をガル
バノメータスキャナ２ａ，２ｂを介して加工対象物１０
上に照射することにより行われる。これに対し、加工対
象物１０の位置測定は、ガルバノメータスキャナ２ａ，
２ｂを介してライト１１にて発生した光（可視光）を加
工対象物１０上に照射しつつ加工対象物１０からの反射
光をガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを介してＣＣＤ
カメラ１３に取り込み、この取り込まれた反射光（画
像）を画像処理装置１４により認識することにより行わ
れる。ここでライト１１にて発生した光は、各加工対象
物１０の大きさに対応した範囲にのみ照射される。そし
て、この照射箇所はガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂ
の回動動作により順次変更され、各加工対象物１０ごと
にその位置が測定される。なお、画像処理装置１４によ
り認識された各加工対象物１０の画像はモニタ１５上に
表示される。
て、加工対象物１０に対するマーキングは、マーカコン
トローラ７によりガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを
制御しつつレーザ発振器１にて発生したレーザ光をガル
バノメータスキャナ２ａ，２ｂを介して加工対象物１０
上に照射することにより行われる。これに対し、加工対
象物１０の位置測定は、ガルバノメータスキャナ２ａ，
２ｂを介してライト１１にて発生した光（可視光）を加
工対象物１０上に照射しつつ加工対象物１０からの反射
光をガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを介してＣＣＤ
カメラ１３に取り込み、この取り込まれた反射光（画
像）を画像処理装置１４により認識することにより行わ
れる。ここでライト１１にて発生した光は、各加工対象
物１０の大きさに対応した範囲にのみ照射される。そし
て、この照射箇所はガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂ
の回動動作により順次変更され、各加工対象物１０ごと
にその位置が測定される。なお、画像処理装置１４によ
り認識された各加工対象物１０の画像はモニタ１５上に
表示される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のレーザ加工装置においては、加工対象物の位置を測定
するために、ＣＣＤカメラにより加工対象物を撮影する
とともに、この撮影された画像を静止画像認識機構等を
有する画像処理装置により認識している。
のレーザ加工装置においては、加工対象物の位置を測定
するために、ＣＣＤカメラにより加工対象物を撮影する
とともに、この撮影された画像を静止画像認識機構等を
有する画像処理装置により認識している。
【０００８】しかしながら、図５に示すようなレーザ加
工装置（レーザマーキング装置）では、複数の加工対象
物１０の位置を一括して測定しているので、分解能が上
がらず所望の検出精度が得られないという問題がある。
工装置（レーザマーキング装置）では、複数の加工対象
物１０の位置を一括して測定しているので、分解能が上
がらず所望の検出精度が得られないという問題がある。
【０００９】また、図６に示すレーザ加工装置（レーザ
マーキング装置）では、複数の加工対象物１０のそれぞ
れの位置を順次測定していくので、図５に示すレーザマ
ーキング装置よりも高い検出精度を得ることはできる
が、各加工対象物１０ごとに拡大して測定しているため
視野が狭くなり、全体の位置測定に長時間を要してしま
うという問題がある。
マーキング装置）では、複数の加工対象物１０のそれぞ
れの位置を順次測定していくので、図５に示すレーザマ
ーキング装置よりも高い検出精度を得ることはできる
が、各加工対象物１０ごとに拡大して測定しているため
視野が狭くなり、全体の位置測定に長時間を要してしま
うという問題がある。
【００１０】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、複数の加工対象物の位置を高い検出精度で
かつ短時間に測定することができるレーザ加工装置およ
び加工対象物の位置測定方法を提供することを目的とす
る。
ものであり、複数の加工対象物の位置を高い検出精度で
かつ短時間に測定することができるレーザ加工装置およ
び加工対象物の位置測定方法を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ光を発
生するレーザ発振器と、前記レーザ発振器にて発生した
レーザ光を加工対象物上で走査するスキャナ手段と、前
記スキャナ手段により走査されたレーザ光の反射光の光
量を検出する光量検出手段と、前記光量検出手段により
検出された反射光の光量変化に基づいて前記加工対象物
の位置を算出する位置算出手段とを備え、前記スキャナ
手段は前記加工対象物上で少なくとも所定方向に向けて
レーザ光を走査し、前記位置算出手段は前記加工対象物
からの反射光の光量変化に基づいて前記加工対象物の位
置を算出することを特徴とするレーザ加工装置を提供す
る。
生するレーザ発振器と、前記レーザ発振器にて発生した
レーザ光を加工対象物上で走査するスキャナ手段と、前
記スキャナ手段により走査されたレーザ光の反射光の光
量を検出する光量検出手段と、前記光量検出手段により
検出された反射光の光量変化に基づいて前記加工対象物
の位置を算出する位置算出手段とを備え、前記スキャナ
手段は前記加工対象物上で少なくとも所定方向に向けて
レーザ光を走査し、前記位置算出手段は前記加工対象物
からの反射光の光量変化に基づいて前記加工対象物の位
置を算出することを特徴とするレーザ加工装置を提供す
る。
【００１２】また本発明は、加工対象物上で少なくとも
所定方向に向けてレーザ光を走査する工程と、走査され
たレーザ光の反射光の光量を検出する工程と、前記加工
対象物からの反射光の光量変化に基づいて前記加工対象
物の位置を算出する工程とを備えたことを特徴とする加
工対象物の位置測定方法を提供する。
所定方向に向けてレーザ光を走査する工程と、走査され
たレーザ光の反射光の光量を検出する工程と、前記加工
対象物からの反射光の光量変化に基づいて前記加工対象
物の位置を算出する工程とを備えたことを特徴とする加
工対象物の位置測定方法を提供する。
【００１３】本発明によれば、加工対象物上で所定方向
に向けてレーザ光を走査するとともに、加工対象物から
の反射光の光量変化に基づいて加工対象物の位置を算出
しているので、各加工対象物の位置を高い検出精度でか
つ短時間に測定することができる。
に向けてレーザ光を走査するとともに、加工対象物から
の反射光の光量変化に基づいて加工対象物の位置を算出
しているので、各加工対象物の位置を高い検出精度でか
つ短時間に測定することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１乃至図３は本発明によ
るレーザ加工装置および加工対象物の位置測定方法の一
実施の形態を示す図であり、図１は加工対象物１０上に
文字や図形等のマーキングを行うレーザマーキング装置
を示している。
施の形態について説明する。図１乃至図３は本発明によ
るレーザ加工装置および加工対象物の位置測定方法の一
実施の形態を示す図であり、図１は加工対象物１０上に
文字や図形等のマーキングを行うレーザマーキング装置
を示している。
【００１５】図１に示すように、レーザマーキング装置
は、ＹＡＧレーザ光を発生するＹＡＧレーザ発振器１
と、可視光であるＨｅ−Ｎｅレーザ光を発生するＨｅ−
Ｎｅレーザ発振器３と、ＹＡＧレーザ発振器１およびＨ
ｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生したレーザ光を、治具
（図示せず）上に載置された複数の加工対象物１０上で
走査するガルバノメータスキャナ（スキャナ手段）２
ａ，２ｂと、ＹＡＧレーザ発振器１およびガルバノメー
タスキャナ２ａ，２ｂを制御するマーカコントローラ７
と、加工対象物１０または治具から反射されたレーザ光
の光量を検出するＰＩＮフォトダイオード（光量検出手
段）４と、ＰＩＮフォトダイオード４により検出された
反射光の光量変化に基づいて加工対象物１０の位置を算
出する光量処理装置（位置算出手段）５と、光量処理装
置５による処理結果を表示するモニタ６とを備えてい
る。
は、ＹＡＧレーザ光を発生するＹＡＧレーザ発振器１
と、可視光であるＨｅ−Ｎｅレーザ光を発生するＨｅ−
Ｎｅレーザ発振器３と、ＹＡＧレーザ発振器１およびＨ
ｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生したレーザ光を、治具
（図示せず）上に載置された複数の加工対象物１０上で
走査するガルバノメータスキャナ（スキャナ手段）２
ａ，２ｂと、ＹＡＧレーザ発振器１およびガルバノメー
タスキャナ２ａ，２ｂを制御するマーカコントローラ７
と、加工対象物１０または治具から反射されたレーザ光
の光量を検出するＰＩＮフォトダイオード（光量検出手
段）４と、ＰＩＮフォトダイオード４により検出された
反射光の光量変化に基づいて加工対象物１０の位置を算
出する光量処理装置（位置算出手段）５と、光量処理装
置５による処理結果を表示するモニタ６とを備えてい
る。
【００１６】ここで、ＹＡＧレーザ発振器１およびＨｅ
−Ｎｅレーザ発振器３にて発生したレーザ光の光路上に
は一対のハーフミラー１２ａ，１２ｂが配置されてお
り、一方のハーフミラー１２ａはＹＡＧレーザ発振器１
にて発生したレーザ光を透過させるとともに加工対象物
１０または治具からの反射光をＰＩＮフォトダイオード
４に向けて反射させるものである。また他方のハーフミ
ラー１２ｂは、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生した
Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を一方のハーフミラー１２ａに向け
て反射させるとともに一方のハーフミラー１２ａにて反
射された加工対象物１０または治具からの反射光をＰＩ
Ｎフォトダイオード４に向けて透過させるものである。
なお、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生したＨｅ−Ｎ
ｅレーザ光は、一方のハーフミラー１２ａにおいてＹＡ
Ｇレーザ発振器１にて発生したＹＡＧレーザ光と同軸と
なるように重ね合わされるようになっている。
−Ｎｅレーザ発振器３にて発生したレーザ光の光路上に
は一対のハーフミラー１２ａ，１２ｂが配置されてお
り、一方のハーフミラー１２ａはＹＡＧレーザ発振器１
にて発生したレーザ光を透過させるとともに加工対象物
１０または治具からの反射光をＰＩＮフォトダイオード
４に向けて反射させるものである。また他方のハーフミ
ラー１２ｂは、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生した
Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を一方のハーフミラー１２ａに向け
て反射させるとともに一方のハーフミラー１２ａにて反
射された加工対象物１０または治具からの反射光をＰＩ
Ｎフォトダイオード４に向けて透過させるものである。
なお、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生したＨｅ−Ｎ
ｅレーザ光は、一方のハーフミラー１２ａにおいてＹＡ
Ｇレーザ発振器１にて発生したＹＡＧレーザ光と同軸と
なるように重ね合わされるようになっている。
【００１７】また、複数の加工対象物１０の上方には照
明灯９が設けられている。なお照明灯９は、加工対象物
１０の配置作業等を容易にするために設けられたもので
あり、加工対象物１０の位置測定に直接必要とされるも
のではない。
明灯９が設けられている。なお照明灯９は、加工対象物
１０の配置作業等を容易にするために設けられたもので
あり、加工対象物１０の位置測定に直接必要とされるも
のではない。
【００１８】次に、このような構成からなる本実施の形
態の作用について説明する。
態の作用について説明する。
【００１９】まず、加工対象物１０上に文字や図形等の
マーキングを行う前に、治具上における加工対象物１０
の位置測定を行う。このような位置測定時には、マーカ
コントローラ７の制御の下で、ＹＡＧレーザ発振器１に
てＹＡＧレーザ光を発生させ、この発生したＹＡＧレー
ザ光をハーフミラー１２ａを介してガルバノメータスキ
ャナ２ａ，２ｂに導く。なお、このような位置測定時に
おけるレーザ光の出力はマーキング時の出力よりも低く
設定されている。また、ＹＡＧレーザ光は波長が１．０
６μｍで目に見えないため、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３
にて発生した可視光であるＨｅ−Ｎｅレーザ光をハーフ
ミラー１２ａ，１２ｂを介してＹＡＧレーザ光と同軸と
なるように重ね合わせる。
マーキングを行う前に、治具上における加工対象物１０
の位置測定を行う。このような位置測定時には、マーカ
コントローラ７の制御の下で、ＹＡＧレーザ発振器１に
てＹＡＧレーザ光を発生させ、この発生したＹＡＧレー
ザ光をハーフミラー１２ａを介してガルバノメータスキ
ャナ２ａ，２ｂに導く。なお、このような位置測定時に
おけるレーザ光の出力はマーキング時の出力よりも低く
設定されている。また、ＹＡＧレーザ光は波長が１．０
６μｍで目に見えないため、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３
にて発生した可視光であるＨｅ−Ｎｅレーザ光をハーフ
ミラー１２ａ，１２ｂを介してＹＡＧレーザ光と同軸と
なるように重ね合わせる。
【００２０】また同時に、マーカコントローラ７の制御
の下で、ガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを作動さ
せ、これによりＹＡＧレーザ発振器１およびＨｅ−Ｎｅ
レーザ発振器３にて発生したレーザ光を治具上に載置さ
れた複数の加工対象物１０上で走査する。ここで、複数
の加工対象物１０が図１に示すように治具上で一列に並
んでいる場合には、複数の加工対象物１０のそれぞれを
レーザ光が順次横切るよう直線的に走査する。
の下で、ガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを作動さ
せ、これによりＹＡＧレーザ発振器１およびＨｅ−Ｎｅ
レーザ発振器３にて発生したレーザ光を治具上に載置さ
れた複数の加工対象物１０上で走査する。ここで、複数
の加工対象物１０が図１に示すように治具上で一列に並
んでいる場合には、複数の加工対象物１０のそれぞれを
レーザ光が順次横切るよう直線的に走査する。
【００２１】このようにして走査されたレーザ光は加工
対象物１０の表面または治具の表面で反射され、この反
射光はガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂおよびハーフ
ミラー１２ａ，１２ｂを介してＰＩＮフォトダイオード
４に戻される。
対象物１０の表面または治具の表面で反射され、この反
射光はガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂおよびハーフ
ミラー１２ａ，１２ｂを介してＰＩＮフォトダイオード
４に戻される。
【００２２】そして、ＰＩＮフォトダイオード４によ
り、加工対象物１０の表面または治具の表面で反射され
た反射光の光量が検出され、さらに光量処理装置５によ
り、ＰＩＮフォトダイオード４により検出された反射光
の光量変化に基づいて加工対象物１０の位置が算出され
る。なお、光量処理装置５による処理結果はモニタ６上
に表示される。
り、加工対象物１０の表面または治具の表面で反射され
た反射光の光量が検出され、さらに光量処理装置５によ
り、ＰＩＮフォトダイオード４により検出された反射光
の光量変化に基づいて加工対象物１０の位置が算出され
る。なお、光量処理装置５による処理結果はモニタ６上
に表示される。
【００２３】ここで例えば、レーザ光を所定方向に直線
的に走査する場合には、レーザ光の反射光の光量は加工
対象物１０の反射率と治具の反射率との相違や、加工対
象物１０および治具の高低差等に応じて変化するので、
このような反射光の光量変化に基づいて所定方向に向か
う走査直線上での加工対象物１０の端部の位置を測定す
ることができる。
的に走査する場合には、レーザ光の反射光の光量は加工
対象物１０の反射率と治具の反射率との相違や、加工対
象物１０および治具の高低差等に応じて変化するので、
このような反射光の光量変化に基づいて所定方向に向か
う走査直線上での加工対象物１０の端部の位置を測定す
ることができる。
【００２４】図２（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、このよ
うな位置測定時におけるＰＩＮフォトダイオード４での
検出例を示す図であり、治具１８上に載置された１つの
加工対象物１０（図２（ａ）参照）に対してレーザ光を
図面の左右方向に走査した場合の検出例を図２（ｂ）
（ｃ）（ｄ）に示す。図２（ｂ）（ｃ）（ｄ）のうち、
図２（ｂ）は加工対象物１０の表面の反射率が治具１８
の表面の反射率よりもはるかに大きい場合の検出例を示
す図、図２（ｃ）は加工対象物１０の表面の反射率と治
具１８の表面の反射率とが略同一でかつ加工対象物１０
の両端Ｍ2 ，Ｍ3および治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4
の高低差が少ない場合の検出例を示す図、図２（ｄ）は
加工対象物１０の表面の反射率と治具１８の表面の反射
率とが略同一でかつ加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 お
よび治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4の高低差が極端に大
きい場合の検出例を示す図である。
うな位置測定時におけるＰＩＮフォトダイオード４での
検出例を示す図であり、治具１８上に載置された１つの
加工対象物１０（図２（ａ）参照）に対してレーザ光を
図面の左右方向に走査した場合の検出例を図２（ｂ）
（ｃ）（ｄ）に示す。図２（ｂ）（ｃ）（ｄ）のうち、
図２（ｂ）は加工対象物１０の表面の反射率が治具１８
の表面の反射率よりもはるかに大きい場合の検出例を示
す図、図２（ｃ）は加工対象物１０の表面の反射率と治
具１８の表面の反射率とが略同一でかつ加工対象物１０
の両端Ｍ2 ，Ｍ3および治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4
の高低差が少ない場合の検出例を示す図、図２（ｄ）は
加工対象物１０の表面の反射率と治具１８の表面の反射
率とが略同一でかつ加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 お
よび治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4の高低差が極端に大
きい場合の検出例を示す図である。
【００２５】図２（ｂ）に示すように、加工対象物１０
の表面の反射率が治具１８の表面の反射率よりもはるか
に大きい場合には、加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 に
おいて反射レベルが急激に変化する。このため光量処理
装置５は、ＰＩＮフォトダイオード４により検出された
このような反射レベルの変化に基づいて走査直線上での
加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 の位置を検出すること
ができる。なお、加工対象物１０の左端Ｍ2 より左側、
または加工対象物１０の右端Ｍ3 より右側には治具１８
の表面しか存在しないので、この部分では反射レベルが
ほとんど変化しない（治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 に
おいてはその高低差に対応したわずかな変化のみが検出
される）。
の表面の反射率が治具１８の表面の反射率よりもはるか
に大きい場合には、加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 に
おいて反射レベルが急激に変化する。このため光量処理
装置５は、ＰＩＮフォトダイオード４により検出された
このような反射レベルの変化に基づいて走査直線上での
加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 の位置を検出すること
ができる。なお、加工対象物１０の左端Ｍ2 より左側、
または加工対象物１０の右端Ｍ3 より右側には治具１８
の表面しか存在しないので、この部分では反射レベルが
ほとんど変化しない（治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 に
おいてはその高低差に対応したわずかな変化のみが検出
される）。
【００２６】また図２（ｃ）に示すように、加工対象物
１０の表面の反射率と治具１８の表面の反射率とが略同
一でかつ加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 および治具１
８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 の高低差が少ない場合には、レ
ーザ光に略垂直な反射面からの反射レベルは略同一であ
るが、加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 および治具１８
の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 においては反射レベルがいったん
急激に下降する。このため光量処理装置５は、ＰＩＮフ
ォトダイオード４により検出されたこのような反射レベ
ルの変化と、治具１８上における加工対象物１０のおお
よその位置関係とに基づいて走査直線上での加工対象物
１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 の位置を検出することができる。
１０の表面の反射率と治具１８の表面の反射率とが略同
一でかつ加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 および治具１
８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 の高低差が少ない場合には、レ
ーザ光に略垂直な反射面からの反射レベルは略同一であ
るが、加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 および治具１８
の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 においては反射レベルがいったん
急激に下降する。このため光量処理装置５は、ＰＩＮフ
ォトダイオード４により検出されたこのような反射レベ
ルの変化と、治具１８上における加工対象物１０のおお
よその位置関係とに基づいて走査直線上での加工対象物
１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 の位置を検出することができる。
【００２７】さらに図２（ｄ）に示すように、加工対象
物１０の表面の反射率と治具１８の表面の反射率とが略
同一でかつ加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 および治具
１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 の高低差が極端に大きい場合
には、加工対象物１０の表面または治具１８の表面から
の反射レベルが反射面の高低差に対応して変化し、加工
対象物１０の表面または治具１８の表面からの反射レベ
ルは加工対象物１０および治具１８の断面とほぼ同一形
状の波形として検出される。このため光量処理装置５
は、ＰＩＮフォトダイオード４により検出されたこのよ
うな反射レベルの変化に基づいて走査直線上での加工対
象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 の位置を検出することができ
る。
物１０の表面の反射率と治具１８の表面の反射率とが略
同一でかつ加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 および治具
１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 の高低差が極端に大きい場合
には、加工対象物１０の表面または治具１８の表面から
の反射レベルが反射面の高低差に対応して変化し、加工
対象物１０の表面または治具１８の表面からの反射レベ
ルは加工対象物１０および治具１８の断面とほぼ同一形
状の波形として検出される。このため光量処理装置５
は、ＰＩＮフォトダイオード４により検出されたこのよ
うな反射レベルの変化に基づいて走査直線上での加工対
象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 の位置を検出することができ
る。
【００２８】なお図２（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すよう
に、加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3および治具１８の
段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 において、反射レベルの波形の変化
点位置と加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 等の位置とは
完全には一致していない。このため光量処理装置５にお
いては、例えば反射レベルの上昇（下降）開始点位置お
よび上昇（下降）終了点位置の位置座標の平均値等を算
出することにより両端Ｍ2 ，Ｍ3 等の位置を求めるよう
にするとよい。
に、加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3および治具１８の
段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 において、反射レベルの波形の変化
点位置と加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 等の位置とは
完全には一致していない。このため光量処理装置５にお
いては、例えば反射レベルの上昇（下降）開始点位置お
よび上昇（下降）終了点位置の位置座標の平均値等を算
出することにより両端Ｍ2 ，Ｍ3 等の位置を求めるよう
にするとよい。
【００２９】このようにして、レーザ光を加工対象物１
０の所定の一方向に走査することにより、ＰＩＮフォト
ダイオード４および光量処理装置５により走査直線上で
の加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 の位置を測定するこ
とができる。ここで、治具上における加工対象物１０の
ずれが一方向にのみ生じる場合には、上述したような一
方向への走査のみで加工対象物１０の位置を測定するこ
とも可能である。しかしながら、図３（ａ）に示すよう
に、治具上において加工対象物１０が任意の方向にずれ
るような場合には、上述したような一方向への走査のみ
では加工対象物１０の位置を確実に測定することができ
ない。
０の所定の一方向に走査することにより、ＰＩＮフォト
ダイオード４および光量処理装置５により走査直線上で
の加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 の位置を測定するこ
とができる。ここで、治具上における加工対象物１０の
ずれが一方向にのみ生じる場合には、上述したような一
方向への走査のみで加工対象物１０の位置を測定するこ
とも可能である。しかしながら、図３（ａ）に示すよう
に、治具上において加工対象物１０が任意の方向にずれ
るような場合には、上述したような一方向への走査のみ
では加工対象物１０の位置を確実に測定することができ
ない。
【００３０】ここで図３（ａ）（ｂ）により、加工対象
物１０が治具上で任意の方向にずれる場合の位置測定方
法について説明する。なおここでは、図３（ａ）に示す
ように、矩形状の加工対象物１０が加工予定位置（図３
（ａ）の２点鎖線）から実際の位置（図３（ａ）の実
線）までずれているものとする。
物１０が治具上で任意の方向にずれる場合の位置測定方
法について説明する。なおここでは、図３（ａ）に示す
ように、矩形状の加工対象物１０が加工予定位置（図３
（ａ）の２点鎖線）から実際の位置（図３（ａ）の実
線）までずれているものとする。
【００３１】この場合には、第１に、レーザ光を加工対
象物１０上で符号の方向に走査することにより各
走査直線上での加工対象物１０の端部の位置を測
定する。
象物１０上で符号の方向に走査することにより各
走査直線上での加工対象物１０の端部の位置を測
定する。
【００３２】具体的には、まず第１に、直線ｘ＝Ｘ１に
沿ってＹ軸方向にレーザ光を走査し（符号）、この走
査されたレーザ光に対応する反射光の光量変化に基づい
て加工対象物１０の位置Ａ（Ｘ１，Ｙ１），Ｂ（Ｘ１，
Ｙ１′）を測定する。第２に、直線ｘ＝Ｘ２（＝Ｘ１＋
Δｘ）に沿ってＹ軸方向にレーザ光を走査し（符号
）、この走査されたレーザ光に対応する反射光の光量
変化に基づいて加工対象物１０の位置Ｃ（Ｘ２，Ｙ
２），Ｄ（Ｘ２，Ｙ２′）を測定する。第３に、直線ｙ
＝Ｙ３に沿ってＸ軸方向にレーザ光を走査し（符号
）、この走査されたレーザ光に対応する反射光の光量
変化に基づいて加工対象物１０の位置Ｅ（Ｘ３，Ｙ
３），Ｆ（Ｘ３′，Ｙ３）を測定する。
沿ってＹ軸方向にレーザ光を走査し（符号）、この走
査されたレーザ光に対応する反射光の光量変化に基づい
て加工対象物１０の位置Ａ（Ｘ１，Ｙ１），Ｂ（Ｘ１，
Ｙ１′）を測定する。第２に、直線ｘ＝Ｘ２（＝Ｘ１＋
Δｘ）に沿ってＹ軸方向にレーザ光を走査し（符号
）、この走査されたレーザ光に対応する反射光の光量
変化に基づいて加工対象物１０の位置Ｃ（Ｘ２，Ｙ
２），Ｄ（Ｘ２，Ｙ２′）を測定する。第３に、直線ｙ
＝Ｙ３に沿ってＸ軸方向にレーザ光を走査し（符号
）、この走査されたレーザ光に対応する反射光の光量
変化に基づいて加工対象物１０の位置Ｅ（Ｘ３，Ｙ
３），Ｆ（Ｘ３′，Ｙ３）を測定する。
【００３３】このようにして３つの走査直線上で
の加工対象物１０の端部の位置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅおよ
びＦを測定した後、これらの位置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅお
よびＦの座標に基づいて加工対象物１０の実際の位置を
特定する。
の加工対象物１０の端部の位置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅおよ
びＦを測定した後、これらの位置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅお
よびＦの座標に基づいて加工対象物１０の実際の位置を
特定する。
【００３４】具体的には、まず、位置Ａ，Ｃの座標値Ｘ
１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２に基づいて次式（１）により、加
工対象物１０のＸ軸に対する傾きθを計算する。なお次
式（１）においてΔｘ＝Ｘ２−Ｘ１，Δｙ＝Ｙ２−Ｙ１
である。
１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２に基づいて次式（１）により、加
工対象物１０のＸ軸に対する傾きθを計算する。なお次
式（１）においてΔｘ＝Ｘ２−Ｘ１，Δｙ＝Ｙ２−Ｙ１
である。
【００３５】 θ＝Ｔａｎ-1（Δｙ／Δｘ） … （１） ここで、加工対象物１０の加工予定位置における仮想原
点Ｏ１の座標を（Ｘ０，Ｙ０）、仮想原点Ｏ１に対応す
る実際の原点Ｏ２の座標を（Ｘ０″，Ｙ０″）とする
と、加工対象物１０の実際の位置における特定の点Ｐ２
の座標（Ｘ″，Ｙ″）は、点Ｐ２に対応する加工予定位
置における点Ｐ１の座標（Ｘ，Ｙ）の関数として次式
（２）（３）により求められる。
点Ｏ１の座標を（Ｘ０，Ｙ０）、仮想原点Ｏ１に対応す
る実際の原点Ｏ２の座標を（Ｘ０″，Ｙ０″）とする
と、加工対象物１０の実際の位置における特定の点Ｐ２
の座標（Ｘ″，Ｙ″）は、点Ｐ２に対応する加工予定位
置における点Ｐ１の座標（Ｘ，Ｙ）の関数として次式
（２）（３）により求められる。
【００３６】 Ｘ″＝Ｘｃｏｓθ−Ｙｓｉｎθ＋（Ｘ０″−Ｘ０） … （２） Ｙ″＝Ｘｓｉｎθ＋Ｙｃｏｓθ＋（Ｙ０″−Ｙ０） … （３） なお上式（２）（３）において、 Ｘ０″＝｛（ｍ2 ・Ｘ１＋Ｘ３）−ｍ・（Ｙ１−Ｙ
３）｝／（ｍ2 ＋１） Ｙ０″＝｛（ｍ2 ・Ｙ３＋Ｙ１）−ｍ・（Ｘ１−Ｘ
３）｝／（ｍ2 ＋１） ｍ＝Δｙ／Δｘ である。
３）｝／（ｍ2 ＋１） Ｙ０″＝｛（ｍ2 ・Ｙ３＋Ｙ１）−ｍ・（Ｘ１−Ｘ
３）｝／（ｍ2 ＋１） ｍ＝Δｙ／Δｘ である。
【００３７】以上のようにして加工対象物１０の実際の
位置（Ｘ″，Ｙ″）が求められた場合には、加工予定位
置（Ｘ，Ｙ）を基準として規定されているマーキング情
報を上式（２）（３）に従って加工対象物１０の実際の
位置に対応したマーキング情報に変換する。その後、マ
ーカコントローラ７の制御の下で、この変換されたマー
キング情報に基づいてガルバノメータスキャナ２ａ，２
ｂを作動させ、ＹＡＧレーザ発振器１にて発生したＹＡ
Ｇレーザ光を加工対象物１０上に照射することにより、
加工対象物１０上に文字や図形等のマーキングを行う。
なお、このようなマーキング時には、レーザ光の出力が
加工に適した出力レベルとなるようＹＡＧレーザ発振器
１が再設定される。また、このようなマーキング中にお
いても、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生した可視光
であるＨｅ−Ｎｅレーザ光をＹＡＧレーザ発振器１にて
発生したＹＡＧレーザ光に重ね合わせ、これによりマー
キング状況を目で確認できるようにしてもよい。
位置（Ｘ″，Ｙ″）が求められた場合には、加工予定位
置（Ｘ，Ｙ）を基準として規定されているマーキング情
報を上式（２）（３）に従って加工対象物１０の実際の
位置に対応したマーキング情報に変換する。その後、マ
ーカコントローラ７の制御の下で、この変換されたマー
キング情報に基づいてガルバノメータスキャナ２ａ，２
ｂを作動させ、ＹＡＧレーザ発振器１にて発生したＹＡ
Ｇレーザ光を加工対象物１０上に照射することにより、
加工対象物１０上に文字や図形等のマーキングを行う。
なお、このようなマーキング時には、レーザ光の出力が
加工に適した出力レベルとなるようＹＡＧレーザ発振器
１が再設定される。また、このようなマーキング中にお
いても、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生した可視光
であるＨｅ−Ｎｅレーザ光をＹＡＧレーザ発振器１にて
発生したＹＡＧレーザ光に重ね合わせ、これによりマー
キング状況を目で確認できるようにしてもよい。
【００３８】このように本実施の形態によれば、マーカ
コントローラ７の制御の下で、ＹＡＧレーザ発振器１に
て発生したレーザ光を治具上に載置された複数の加工対
象物１０上で走査するとともに、このようにして走査さ
れたレーザ光の反射光の光量をＰＩＮフォトダイオード
４により検出し、さらにＰＩＮフォトダイオード４によ
り検出された反射光の光量変化に基づいて光量処理装置
５により加工対象物１０の位置を算出しているので、各
加工対象物１０の位置を高い検出精度でかつ短時間に測
定することができ、また加工対象物１０の外形があらか
じめ分かっている場合には任意の形状の加工対象物１０
についてその位置を測定することができる。
コントローラ７の制御の下で、ＹＡＧレーザ発振器１に
て発生したレーザ光を治具上に載置された複数の加工対
象物１０上で走査するとともに、このようにして走査さ
れたレーザ光の反射光の光量をＰＩＮフォトダイオード
４により検出し、さらにＰＩＮフォトダイオード４によ
り検出された反射光の光量変化に基づいて光量処理装置
５により加工対象物１０の位置を算出しているので、各
加工対象物１０の位置を高い検出精度でかつ短時間に測
定することができ、また加工対象物１０の外形があらか
じめ分かっている場合には任意の形状の加工対象物１０
についてその位置を測定することができる。
【００３９】さらに、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発
生したＨｅ−Ｎｅレーザ光をハーフミラー１２ａ，１２
ｂを介してＹＡＧレーザ光と同軸となるように重ね合わ
せているので、位置測定時等においてＹＡＧレーザ光の
走査状況を目で確認することができる。
生したＨｅ−Ｎｅレーザ光をハーフミラー１２ａ，１２
ｂを介してＹＡＧレーザ光と同軸となるように重ね合わ
せているので、位置測定時等においてＹＡＧレーザ光の
走査状況を目で確認することができる。
【００４０】以上、本発明の一実施の形態について説明
してきたが、本発明はこのような実施の形態に限定され
るものではない。例えば図４に示すように、ＰＩＮフォ
トダイオード４の入射部の近傍にピンホール８を設け、
これにより正反射光以外の乱反射光および外部光の入射
を防ぐようにしてもよく、またＹＡＧレーザ光の走査状
況およびマーキング状況を目で確認する必要がない場合
には、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３をレーザマーキング装
置の構成から除外するようにしてもよい。
してきたが、本発明はこのような実施の形態に限定され
るものではない。例えば図４に示すように、ＰＩＮフォ
トダイオード４の入射部の近傍にピンホール８を設け、
これにより正反射光以外の乱反射光および外部光の入射
を防ぐようにしてもよく、またＹＡＧレーザ光の走査状
況およびマーキング状況を目で確認する必要がない場合
には、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３をレーザマーキング装
置の構成から除外するようにしてもよい。
【００４１】また、上述した実施の形態では、加工対象
物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 等における反射レベルの変化に
基づいて加工対象物１０の位置を測定しているが、加工
対象物１０の一部に凸部や刻印マーク等がある場合には
これらの端部等における反射レベルの変化に基づいて加
工対象物１０の位置を測定することも可能である。
物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 等における反射レベルの変化に
基づいて加工対象物１０の位置を測定しているが、加工
対象物１０の一部に凸部や刻印マーク等がある場合には
これらの端部等における反射レベルの変化に基づいて加
工対象物１０の位置を測定することも可能である。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、加
工対象物上で所定方向に向けてレーザ光を走査するとと
もに、加工対象物からの反射光の光量変化に基づいて加
工対象物の位置を算出しているので、各加工対象物の位
置を高い検出精度でかつ短時間に測定することができ
る。
工対象物上で所定方向に向けてレーザ光を走査するとと
もに、加工対象物からの反射光の光量変化に基づいて加
工対象物の位置を算出しているので、各加工対象物の位
置を高い検出精度でかつ短時間に測定することができ
る。
【図１】本発明によるレーザ加工装置の一実施の形態を
示す図。
示す図。
【図２】図１に示すレーザ加工装置における反射光の光
量変化の検出例を示す図。
量変化の検出例を示す図。
【図３】図１に示すレーザ加工装置における加工対象物
の位置算出方法を説明するための図。
の位置算出方法を説明するための図。
【図４】本発明によるレーザ加工装置の別の実施の形態
を示す図。
を示す図。
【図５】従来のレーザ加工装置の一例を示す図。
【図６】従来のレーザ加工装置の別の例を示す図。
１ ＹＡＧレーザ発振器 ２ａ，２ｂ ガルバノメータスキャナ（スキャナ手段） ４ ＰＩＮフォトダイオード（光量検出手段） ５ 光量処理装置（位置算出手段） ７ マーカコントローラ １０ 加工対象物
Claims (3)
- 【請求項１】レーザ光を発生するレーザ発振器と、 前記レーザ発振器にて発生したレーザ光を加工対象物上
で走査するスキャナ手段と、 前記スキャナ手段により走査されたレーザ光の反射光の
光量を検出する光量検出手段と、 前記光量検出手段により検出された反射光の光量変化に
基づいて前記加工対象物の位置を算出する位置算出手段
とを備え、 前記スキャナ手段は前記加工対象物上で少なくとも所定
方向に向けてレーザ光を走査し、前記位置算出手段は前
記加工対象物からの反射光の光量変化に基づいて前記加
工対象物の位置を算出することを特徴とするレーザ加工
装置。 - 【請求項２】前記スキャナ手段は前記加工対象物上で第
１の方向に向けて互いに平行な一対のレーザ光を走査す
るとともに、前記第１の方向に対して傾いた第２の方向
に向けてレーザ光を走査し、前記位置算出手段は前記第
１の方向に走査された一対のレーザ光および前記第２の
方向に走査されたレーザ光のそれぞれに対応する前記加
工対象物からの反射光の光量変化に基づいて前記加工対
象物の位置を算出することを特徴とする請求項１記載の
レーザ加工装置。 - 【請求項３】加工対象物上で少なくとも所定方向に向け
てレーザ光を走査する工程と、 走査されたレーザ光の反射光の光量を検出する工程と、 前記加工対象物からの反射光の光量変化に基づいて前記
加工対象物の位置を算出する工程とを備えたことを特徴
とする加工対象物の位置測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14001297A JP3984683B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | レーザ加工装置および加工対象物の位置測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14001297A JP3984683B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | レーザ加工装置および加工対象物の位置測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10328864A true JPH10328864A (ja) | 1998-12-15 |
| JP3984683B2 JP3984683B2 (ja) | 2007-10-03 |
Family
ID=15258889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14001297A Expired - Fee Related JP3984683B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | レーザ加工装置および加工対象物の位置測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3984683B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7078649B2 (en) * | 2002-07-18 | 2006-07-18 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method of forming semiconductor thin-film and laser apparatus used therefore |
| JP2006326644A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sunx Ltd | レーザマーキング装置、レーザマーキングシステム並びにガルバノミラーの制御方法 |
| JP2007504004A (ja) * | 2003-08-29 | 2007-03-01 | トルンプフ レーザー− ウント ジュステームテヒニク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | レーザ加工ビームを用いてワークピースを遠隔処理する装置 |
| KR100817821B1 (ko) | 2006-09-13 | 2008-03-31 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저 마킹시스템 및 이를 이용하는 레이저 마킹방법 |
| KR101087282B1 (ko) | 2008-12-31 | 2011-11-29 | (주)와이티에스 | 레이저 빔 출력 측정장치 |
| JP2020505619A (ja) * | 2017-01-24 | 2020-02-20 | リスオプテック リミテッド ライアビリティ カンパニー | 再帰反射表面を用いた加工物の位置、向き、及びスケールの検出 |
| JP2021037527A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ加工装置および光学調整方法 |
-
1997
- 1997-05-29 JP JP14001297A patent/JP3984683B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8084708B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-12-27 | Trumpf Laser-Und Systemtechnik Gmbh | Remote processing of workpieces |
| JP2006326644A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sunx Ltd | レーザマーキング装置、レーザマーキングシステム並びにガルバノミラーの制御方法 |
| KR100817821B1 (ko) | 2006-09-13 | 2008-03-31 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저 마킹시스템 및 이를 이용하는 레이저 마킹방법 |
| KR101087282B1 (ko) | 2008-12-31 | 2011-11-29 | (주)와이티에스 | 레이저 빔 출력 측정장치 |
| JP2020505619A (ja) * | 2017-01-24 | 2020-02-20 | リスオプテック リミテッド ライアビリティ カンパニー | 再帰反射表面を用いた加工物の位置、向き、及びスケールの検出 |
| JP2021037527A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ加工装置および光学調整方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3984683B2 (ja) | 2007-10-03 |
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