JPH10325814A - 2次ターゲット装置および蛍光x線分析装置 - Google Patents
2次ターゲット装置および蛍光x線分析装置Info
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- JPH10325814A JPH10325814A JP13409397A JP13409397A JPH10325814A JP H10325814 A JPH10325814 A JP H10325814A JP 13409397 A JP13409397 A JP 13409397A JP 13409397 A JP13409397 A JP 13409397A JP H10325814 A JPH10325814 A JP H10325814A
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Abstract
線を発生できる2次ターゲット装置を提供する。また、
直接照射法と2次ターゲット法との切換えが容易な蛍光
X線分析装置を提供する。 【解決手段】 2次ターゲット装置20は、X線遮蔽材
料で形成され、X線入射開口21aおよびX線出射開口
21bを空間的に接続する中空部を有しターゲット本体
21と、ターゲット本体21の中空部に面する内面に形
成され、入射X線A1によって励起され測定用の蛍光X
線A2を発生するターゲット層22と、X線遮蔽材料で
形成され、X線入射開口21aを通過する入射X線A1
がそのままX線出射開口21bを通過しないように、入
射X線A1を部分的に阻止するX線阻止板23などで構
成される。
Description
るX線によって励起され、特性X線を含む蛍光X線を発
生する2次ターゲット装置に関し、さらに2次ターゲッ
ト装置から発生する蛍光X線を試料に照射して、試料か
ら発生する蛍光X線を分析する蛍光X線分析装置に関す
る。
照射法の一例を示す構成図である。X線管1からX線A
1を発生させて、試料Sに直接照射し、試料Sから発生
する蛍光X線ASを半導体検出器などのX線検出器を用
いて分析している。直接照射法は、広い元素範囲を一度
に分析できるため、未知の微量元素を探索するのに適し
ている。
る場合、試料を照射する励起X線、試料母体からの蛍光
X線、微量元素からの蛍光X線の各スペクトルが同時に
検出されるため、励起X線のスペクトルが狭く、その背
景スペクトルが小さいほど、すなわち単色であるほど微
量元素の検出限界を向上できる。
や分光結晶法などの手法が知られている。
ットとは異なる物質で形成された2次ターゲットを用意
して、X線管から発生したX線をいったん2次ターゲッ
トに照射して、2次ターゲット固有の特性X線を含む蛍
光X線を発生させることによってほぼ単色化して、この
蛍光X線を試料に照射する手法である。励起X線の波長
切換えは、2次ターゲット物質の交換によって容易に実
現できる。
ーゲット法の一例を示す構成図である。X線管1からの
X線A1をいったん2次ターゲット2に照射し、2次タ
ーゲット2からターゲット物質固有の蛍光X線A2を発
生させ、蛍光X線A2を試料Sに照射し、試料Sから発
生する蛍光X線ASを半導体検出器などのX線検出器を
用いて分析している。
線をいったん分光結晶に照射して、分光結晶によるX線
回折によってほぼ単色化して、回折した蛍光X線を試料
に照射する手法である。X線回折によるため、波長純度
は高くなるが、X線強度はかなり低下する。具体的に
は、図5(b)に示す2次ターゲット2の代わりに分光
結晶を配置し、さらにX線管1および試料Sとの位置関
係が回折条件を満足するように微調整する必要がある。
分光結晶法と比べてX線光学系の調整が容易で、得られ
る測定X線強度も高いという利点がある。
X線の光軸が2次ターゲットの位置で曲げられるため、
直接照射法と2次ターゲット法とを同一装置で実現する
ためにはX線管の回転などの移動機構が不可欠となり、
装置全体が大型になる。また、直接照射法によるX線照
射条件(角度や照射位置など)と2次ターゲット法によ
るX線照射条件とが必ずしも一致しないため、両者の測
定データ同士の対応が不正確となる。
方向に測定用蛍光X線を発生できる2次ターゲット装置
を提供することである。
軸と同じ方向に測定用蛍光X線を発生することによっ
て、直接照射法と2次ターゲット法とを切換える際に、
X線照射光軸の調整機構が不要で、しかも両者のX線照
射条件を一致させることができる蛍光X線分析装置を提
供することである。
で形成され、X線入射開口およびX線出射開口を空間的
に接続する中空部を有するターゲット本体と、ターゲッ
ト本体の中空部に面する内面に形成され、入射X線によ
って励起され測定用の蛍光X線を発生するターゲット層
と、X線遮蔽材料で形成され、X線入射開口を通過する
入射X線がそのままX線出射開口を通過しないように、
入射X線を部分的に阻止するX線阻止部材とを備えるこ
とを特徴とする2次ターゲット装置である。
X線がターゲット層に到達すると、ターゲット層から測
定用の蛍光X線が発生し、X線出射開口から出射する。
一方、X線阻止部材およびターゲット本体はX線遮蔽材
料で形成されているため、入射X線がターゲットの後側
まで到達できない。したがって、入射側のX線光軸と同
じ方向に沿ってほぼ単色化された測定用蛍光X線を発生
できる。
らX線出射開口に向けて徐々に細くなるテーパー状に形
成されていることを特徴とする。
立体角を増加させることができるため、測定用蛍光X線
の変換効率および強度を向上させることができる。
光X線を単色化するためのX線フィルタが設けられるこ
とを特徴とする。
ゲット層の主要物質に固有の特性X線だけでなく、その
不純物や大気元素の特性X線、あるいは入射X線の散乱
線なども重畳されて出射されるため、X線スペクトルに
おいてローパスフィルタ特性やバンドパスフィルタ特性
を有するX線フィルタを設けることによって、測定用蛍
光X線をより単色化できる。
X線源からのX線によって励起され、測定用の蛍光X線
を発生する2次ターゲット装置と、測定用蛍光X線が試
料に照射されて、該試料から発生する蛍光X線を検出す
るX線検出器とを備え、2次ターゲット装置は、X線遮
蔽材料で形成され、X線入射開口およびX線出射開口を
空間的に接続する中空部を有するターゲット本体と、タ
ーゲット本体の中空部に面する内面に形成され、入射X
線によって励起され測定用の蛍光X線を発生するターゲ
ット層と、X線遮蔽材料で形成され、X線入射開口を通
過する入射X線がそのままX線出射開口を通過しないよ
うに、入射X線を部分的に阻止するX線阻止部材とを備
えることを特徴とする蛍光X線分析装置である。
入射開口に入射してターゲット層に到達すると、ターゲ
ット層から測定用の蛍光X線が発生し、X線出射開口か
ら出射する。一方、X線阻止部材およびターゲット本体
はX線遮蔽材料で形成されているため、入射X線がター
ゲットの後側まで到達できない。従って、入射側のX線
光軸と同じ方向に沿ってほぼ単色化された測定用蛍光X
線を発生できる。
外しによって直接照射法を実施する場合、X線源の角度
調整が不要となり、しかも直接照射法と2次ターゲット
法との間でX線照射条件、たとえばX線照射角度や照射
位置をほぼ一致させることができる。
状に絞って、試料に直接照射するためのコリメータ装置
と、該コリメータ装置と2次ターゲット装置とを交換し
て選択的に使用するための移動機構とを備えることを特
徴とする。
X線をビーム状に絞ることによって、直接照射法におけ
る空間分解能を向上できる。しかもコリメータ装置を用
いた直接照射法と2次ターゲット装置を用いた2次ター
ゲット法との切換えが容易になり、しかも両者の移動機
構を採用することによって測定条件の再現性も向上す
る。
ット装置の一実施形態を示す構成図である。2次ターゲ
ット装置20は、中空状に形成されたターゲット本体2
1と、ターゲット本体21の内面に形成されたターゲッ
ト層22と、入射X線を部分的に阻止するX線阻止板2
3などで構成される。
料で形成され、その表面および裏面にはX線入射開口2
1aおよびX線出射開口21bが同心で形成され、さら
にこれらの開口21a、21bを空間的に接続するよう
にテーパー状の中空部が形成されている。
じた物質、たとえばAl、Cu、Ge、Y、Snなどで
構成され、中空部の内面に接着や蒸着などによって形成
される。このターゲット層22は、X線管10からのX
線A1によって励起されて、層物質に固有の特性X線を
含む測定用蛍光X線を発生する。
形成され、X線入射開口21aを通過したX線A1がそ
のままX線出射開口21bを通過しないように、X線A
1の発散点から見てX線出射開口21bの立体角より大
きく、かつX線入射開口21aよりは小さい立体角を張
るような形状、たとえば円板状に形成される。
1と、熱電子の衝突によってX線A1を発生する陽極タ
ーゲット12などで構成される。陽極ターゲット12
は、Cu、Mo、W等の材料で形成される。
したX線A1は光軸k1を中心に円錐状に拡がってX線
入射開口21aに入射する。入射X線A1のうち、ター
ゲット本体21およびX線阻止板23に到達したものは
遮断され、残りのX線A1はターゲット層22に到達す
る。ターゲット層22はX線励起によって測定用の蛍光
X線A2を発生する。蛍光X線A2は、光軸k1と同じ
方向の光軸k2を中心として円錐状に拡がって進行し、
試料Sに到達する。
ることなく、入射光軸k1と同じ方向である光軸k2に
沿ってほぼ単色化された測定用蛍光X線A2を発生する
ことができる。
口21aからX線出射開口21bに向けて徐々に細くな
るテーパー状に形成することが好ましく、入射X線A1
の照射面積を大きく確保でき、測定用蛍光X線A2の変
換効率および強度を向上できる。
示す斜視図である。図2(a)において、ターゲット本
体21は、大きな開口面積を持つ円形のX線入射開口2
1aおよび小さな開口面積を持つ円形のX線出射開口2
1bを有するドーナツ状に形成され、両者の開口21
a、21bを連結するテーパー状の中空部が形成されて
いる。
は、大きな開口面積を持つ正方形のX線入射開口21a
および小さな開口面積を持つ正方形のX線出射開口21
bを有する矩形ドーナツ状に形成され、両者の開口21
a、21bを連結する角錐台状の中空部が形成されてい
る。
は、くさび状に形成された2枚の板部材が対向して配置
され、各板部材はホルダー24で挟持され、下面には大
きな開口面積を持つ長方形のX線入射開口21a、上面
には小さな開口面積を持つ長方形のX線出射開口21b
がそれぞれ形成される。
出射開口21bの形状は、楕円形や多角形などでも構わ
ない。
一実施形態を示す構成図である。蛍光X線分析装置は、
X線を発生するX線管10と、図1に示した2次ターゲ
ット装置20と、試料Sから発生する蛍光X線ASを検
出するX線検出器15と、直接照射法のためのピンホー
ルコリメータ25と、2次ターゲット装置20およびピ
ンホールコリメータ25を支持する移動テーブル30な
どで構成される。
とが選択的に実施可能なように構成され、移動テーブル
30の水平位置決めによって、2次ターゲット法のとき
は2次ターゲット装置20、直接照射法のときはピンホ
ールコリメータ25がそれぞれ選択される。
接照射法において、同じ光軸k1に沿ってX線A1が発
生するように固定されている。
らのX線A1が入射すると、ターゲット層22の物質に
固有の特性X線を含む蛍光X線A2を光軸k2に沿って
発生する。
料で形成された筒状のホルダ26によって支持され、X
線管10からのX線A1をビーム状に絞って、試料Sに
直接照射している。
レーションカウンタなどで構成され、蛍光X線の強度に
応じた電気信号を出力する。
法において、X線管10から発生したX線A1は光軸k
1を中心に円錐状に拡がってX線入射開口21aに入射
する。入射X線A1のうち、ターゲット本体21および
X線阻止板23に到達したものは遮断され、残りのX線
A1はターゲット層22に到達する。ターゲット層22
はX線励起によって測定用の蛍光X線A2を発生する。
蛍光X線A2は、光軸k1と同じ方向の光軸k2を中心
として円錐状に拡がって進行し、試料Sに到達する。試
料Sは、蛍光X線A2で励起されて、組成物質に応じた
蛍光X線ASを発生し、X線検出器15によって検出さ
れる。
0を移動して、光軸k1、k2とピンホールコリメータ
25の光軸とを一致させる。次にX線管10から発生し
たX線A1は光軸k1を中心に円錐状に拡がって進行
し、ピンホールコリメータ25によってビーム状に整形
され、そのまま試料Sに到達する。試料Sは、X線管1
0からのX線A1で直接励起されて、組成物質に応じた
蛍光X線ASを発生し、X線検出器15によって検出さ
れる。
を使用することによって、入射X線A1が試料S側に漏
洩することなく、入射光軸k1と同じ方向である光軸k
2に沿ってほぼ単色化された測定用蛍光X線A2を発生
できる。そのため、2次ターゲット法と直接照射法との
切換えにおいてX線管10の角度調整が不要となり、し
かも2次ターゲット法と直接照射法との間でX線照射条
件、たとえばX線照射角度や照射位置をほぼ一致させる
ことができる。
図である。2次ターゲット装置20のX線出射開口21
bの出口付近に、測定用蛍光X線を単色化するためのX
線フィルタ27が設けられる。
長側を吸収するローパスフィルタ特性や特定波長領域だ
けを通過させるバンドパスフィルタ特性を持つような物
質で形成され、ターゲット層22で発生した測定用蛍光
X線のうち特定の特性X線だけを通過させることによっ
て、測定用蛍光X線をより単色化できる。こうしたX線
フィルタ27は、図3に示す蛍光X線分析装置でも同様
に使用可能である。
射側のX線光軸と同じ方向に沿ってほぼ単色化された測
定用蛍光X線を発生できるため、X線光学系への組込み
が容易になる。
に形成することによって、入射X線から見た内面の立体
角を増加させることができるため、測定用蛍光X線の変
換効率および強度を向上できる。
単色化するためのX線フィルタを設けることによって、
測定用蛍光X線をより単色化できる。
方向に沿ってほぼ単色化された測定用蛍光X線を発生で
きるため、直接照射法と2次ターゲット法との選択的実
施が可能となり、その場合X線源の角度調整が不要とな
り、X線照射条件をほぼ一致させることができる。
を示す構成図である。
ある。
示す構成図である。
2次ターゲット法を示す構成図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 X線遮蔽材料で形成され、X線入射開口
およびX線出射開口を空間的に接続する中空部を有する
ターゲット本体と、 ターゲット本体の中空部に面する内面に形成され、入射
X線によって励起され測定用の蛍光X線を発生するター
ゲット層と、 X線遮蔽材料で形成され、X線入射開口を通過する入射
X線がそのままX線出射開口を通過しないように、入射
X線を部分的に阻止するX線阻止部材とを備えることを
特徴とする2次ターゲット装置。 - 【請求項2】 前記内面は、X線入射開口からX線出射
開口に向けて徐々に細くなるテーパー状に形成されてい
ることを特徴とする請求項1記載の2次ターゲット装
置。 - 【請求項3】 X線出射開口に、測定用蛍光X線を単色
化するためのX線フィルタが設けられることを特徴とす
る請求項1記載の2次ターゲット装置。 - 【請求項4】 X線を発生するX線源と、 X線源からのX線によって励起され、測定用の蛍光X線
を発生する2次ターゲット装置と、 測定用蛍光X線が試料に照射されて、該試料から発生す
る蛍光X線を検出するX線検出器とを備え、 2次ターゲット装置は、X線遮蔽材料で形成され、X線
入射開口およびX線出射開口を空間的に接続する中空部
を有するターゲット本体と、 ターゲット本体の中空部に面する内面に形成され、入射
X線によって励起され測定用の蛍光X線を発生するター
ゲット層と、 X線遮蔽材料で形成され、X線入射開口を通過する入射
X線がそのままX線出射開口を通過しないように、入射
X線を部分的に阻止するX線阻止部材とを備えることを
特徴とする蛍光X線分析装置。 - 【請求項5】 X線源からのX線をビーム状に絞って、
試料に直接照射するためのコリメータ装置と、 該コリメータ装置と2次ターゲット装置とを交換して選
択的に使用するための移動機構とを備えることを特徴と
する請求項4記載の蛍光X線分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13409397A JP3860641B2 (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 蛍光x線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13409397A JP3860641B2 (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 蛍光x線分析装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10325814A true JPH10325814A (ja) | 1998-12-08 |
JP3860641B2 JP3860641B2 (ja) | 2006-12-20 |
Family
ID=15120277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13409397A Expired - Fee Related JP3860641B2 (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 蛍光x線分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3860641B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6381303B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray microanalyzer for thin films |
US6389102B2 (en) | 1999-09-29 | 2002-05-14 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray array detector |
US7103142B1 (en) | 2005-02-24 | 2006-09-05 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Material analysis using multiple X-ray reflectometry models |
-
1997
- 1997-05-23 JP JP13409397A patent/JP3860641B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6381303B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray microanalyzer for thin films |
US6389102B2 (en) | 1999-09-29 | 2002-05-14 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray array detector |
US7103142B1 (en) | 2005-02-24 | 2006-09-05 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Material analysis using multiple X-ray reflectometry models |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3860641B2 (ja) | 2006-12-20 |
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