JPH1032191A - マルチコンポーネントアロイのエッチングのためのプラズマプロセス - Google Patents
マルチコンポーネントアロイのエッチングのためのプラズマプロセスInfo
- Publication number
- JPH1032191A JPH1032191A JP9058241A JP5824197A JPH1032191A JP H1032191 A JPH1032191 A JP H1032191A JP 9058241 A JP9058241 A JP 9058241A JP 5824197 A JP5824197 A JP 5824197A JP H1032191 A JPH1032191 A JP H1032191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- substrate
- ions
- gas
- decomposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000012545 processing Methods 0.000 title abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 124
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 121
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 145
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 119
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 98
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 98
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 57
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 22
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 12
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 5
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims description 5
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 148
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 229910001203 Alloy 20 Inorganic materials 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- -1 CuCl Chemical compound 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 241000894007 species Species 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014036 Castanea Nutrition 0.000 description 1
- 241001070941 Castanea Species 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013386 optimize process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000006276 transfer reaction Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 エッチャント残留物を実質的に形成すること
なく、基板上の多成分アロイををエッチングする。 【解決手段】 (i)プラズマジェネレータに第１の電力
レベルでＲＦ電流を与え、(ii)プラズマ電極に第２の電
力レベルでＲＦ電流を与えることにより、プロセスガス
をイオン化してプラズマイオンを生成し、これを基板に
エネルギーをもって衝突させる。 (i)プロセスガスの体積流量比Ｖｒと、(ii)第１の電力
レベル 対 第２の電力レベルの電力比Ｐｒとの組み合わ
せを選択して、塩素含有ガスがイオン化して分解Ｃｌ+
プラズマイオンと非分解Ｃｌ2 +イオンとを数の比が少な
くとも約０．６：１となるように生成する。非分解Ｃｌ
2 +イオンとに較べて分解Ｃｌ+プラズマイオンの量が高
くなれば、これが基板上の多成分アロイを少なくとも約
５００ｎｍ／ｍｉｎ．のエッチレイトでエッチングし、
同時に基板上のエッチャント残留物の実質的全部が除去
される。
なく、基板上の多成分アロイををエッチングする。 【解決手段】 (i)プラズマジェネレータに第１の電力
レベルでＲＦ電流を与え、(ii)プラズマ電極に第２の電
力レベルでＲＦ電流を与えることにより、プロセスガス
をイオン化してプラズマイオンを生成し、これを基板に
エネルギーをもって衝突させる。 (i)プロセスガスの体積流量比Ｖｒと、(ii)第１の電力
レベル 対 第２の電力レベルの電力比Ｐｒとの組み合わ
せを選択して、塩素含有ガスがイオン化して分解Ｃｌ+
プラズマイオンと非分解Ｃｌ2 +イオンとを数の比が少な
くとも約０．６：１となるように生成する。非分解Ｃｌ
2 +イオンとに較べて分解Ｃｌ+プラズマイオンの量が高
くなれば、これが基板上の多成分アロイを少なくとも約
５００ｎｍ／ｍｉｎ．のエッチレイトでエッチングし、
同時に基板上のエッチャント残留物の実質的全部が除去
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上のマルチコ
ンポーネントアロイ（ないし多成分の合金）をエッチン
グするためのプロセスに関する。
ンポーネントアロイ（ないし多成分の合金）をエッチン
グするためのプロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造工程では、図１（ａ）に
示されるように、導電性の表面形状１０を用いて、半導
体基板１１上に形成された電子部品間を相互に接続す
る。導電性表面形状１０は代表的には、バリア層と、多
成分（マルチコンポーネント）のアロイ（合金）を有す
る導電層と、反射防止層とを有している。導電表面形状
１０の形成は、(i)基板１１上に複数の別々の層１２を
続けて堆積し、(ii)この堆積層の上にパターニングをも
つレジスト１３を形成し、(iii)堆積層の露出部分をエ
ッチングして、表面形状を形成する。代表的には、堆積
層１２のエッチングには塩素系エッチングガス、例えば
Ｃｌ2やＣＣｌ4などのプラズマを用いて行われ、これは
概説的に、S. Wolf 及び R.N. Tauber 著の"Silicon Pr
ocessing forthe VLSI Era, Vol.1, Chap. 16: Dry Etc
hing for VLSI", （「ＶＬＳＩ時代のシリコン処理，第
１巻１６章：ＶＬＳＩのためのドライエッチング」）La
ttice Press, Sunset Beach, California(1986) に記
載されている。
示されるように、導電性の表面形状１０を用いて、半導
体基板１１上に形成された電子部品間を相互に接続す
る。導電性表面形状１０は代表的には、バリア層と、多
成分（マルチコンポーネント）のアロイ（合金）を有す
る導電層と、反射防止層とを有している。導電表面形状
１０の形成は、(i)基板１１上に複数の別々の層１２を
続けて堆積し、(ii)この堆積層の上にパターニングをも
つレジスト１３を形成し、(iii)堆積層の露出部分をエ
ッチングして、表面形状を形成する。代表的には、堆積
層１２のエッチングには塩素系エッチングガス、例えば
Ｃｌ2やＣＣｌ4などのプラズマを用いて行われ、これは
概説的に、S. Wolf 及び R.N. Tauber 著の"Silicon Pr
ocessing forthe VLSI Era, Vol.1, Chap. 16: Dry Etc
hing for VLSI", （「ＶＬＳＩ時代のシリコン処理，第
１巻１６章：ＶＬＳＩのためのドライエッチング」）La
ttice Press, Sunset Beach, California(1986) に記
載されている。
【０００３】従来技術によるエッチングプロセスの問題
点の１つに、エッチング選択比を制御する能力が相対的
にないことであり、このエッチング選択比とは、導電層
１２のエッチング速度とレジストのエッチング速度との
比のことである。レジスト１３がその下の導電層を効果
的に保護するためには、導電層のエッチレイトをレジス
トのエッチレイトよりも大きくする必要がある。更に、
エッチャントガスはレジスト層１３と反応してポリマー
副生成物を生成し、エッチングが済んだばかりの表面形
状の側壁にこれが堆積して「パッシベーション」層１４
を形成し、側壁のエッチングを制限してエッチングが
「等方的」となることを防止する。等方的なエッチング
が生じるのは、表面形状１０の側壁のエッチングが過剰
となるかあるいは不十分となるときであり、その結果、
側壁が内向き又は外向きに傾斜する。垂直方向に「異方
的」なエッチングが望ましいのであるが、側壁のパッシ
ベーション堆積物１４が過剰となれば、クリーニングが
困難になる。更に、チャンバ壁へポリマー副生成物が堆
積すれば、これが剥がれ落ちて基板１１をポリマー副生
成物の堆積物で汚染し得る。従って、このエッチングプ
ロセスのエッチング選択比は少なくとも約２．５である
ことが好ましく、更に好ましくは少なくとも約３であ
る。
点の１つに、エッチング選択比を制御する能力が相対的
にないことであり、このエッチング選択比とは、導電層
１２のエッチング速度とレジストのエッチング速度との
比のことである。レジスト１３がその下の導電層を効果
的に保護するためには、導電層のエッチレイトをレジス
トのエッチレイトよりも大きくする必要がある。更に、
エッチャントガスはレジスト層１３と反応してポリマー
副生成物を生成し、エッチングが済んだばかりの表面形
状の側壁にこれが堆積して「パッシベーション」層１４
を形成し、側壁のエッチングを制限してエッチングが
「等方的」となることを防止する。等方的なエッチング
が生じるのは、表面形状１０の側壁のエッチングが過剰
となるかあるいは不十分となるときであり、その結果、
側壁が内向き又は外向きに傾斜する。垂直方向に「異方
的」なエッチングが望ましいのであるが、側壁のパッシ
ベーション堆積物１４が過剰となれば、クリーニングが
困難になる。更に、チャンバ壁へポリマー副生成物が堆
積すれば、これが剥がれ落ちて基板１１をポリマー副生
成物の堆積物で汚染し得る。従って、このエッチングプ
ロセスのエッチング選択比は少なくとも約２．５である
ことが好ましく、更に好ましくは少なくとも約３であ
る。
【０００４】従来技術のエッチングプロセスについての
別の問題点は、マルチコンポーネントアロイを用いて導
電性層１２を形成する場合に生じるものである。ここで
典型的なアロイは、アルミニウム９７％に、２％の珪素
と銅を不純物として備えている。アルミニウムは塩素含
有エッチャントガスにより容易に除去されるが、珪素及
び銅不純物はエッチングが困難であり、これらは基板上
に残留するエッチャント残留物１５を形成する。エッチ
ャント残留物が形成することは、いくつかの理由があ
る。第１に、珪素と銅の不純物のエッチングはアルミニ
ウムのエッチレイトよりも低いエッチレイトで生じるた
め、基板上に銅と珪素を含んだ残留物が形成されること
が挙げられる。第２に、銅及び珪素から形成されるエッ
チャント副生成物、例えばＣｕＣｌ等の蒸気圧は、通常
のエッチング条件の下では、ＡｌＣｌ3 の蒸気圧と比較
して低いことが挙げられる。また、残留物の形成が生じ
るのは、銅と珪素の不純物がアルミニウムの粒界に蓄積
するからであり、また、アルミニウム層とバリア層（Ｔ
ｉＯ2 等）との界面に形成される非反応性拡散層をエ
ッチングすることは困難だからである。
別の問題点は、マルチコンポーネントアロイを用いて導
電性層１２を形成する場合に生じるものである。ここで
典型的なアロイは、アルミニウム９７％に、２％の珪素
と銅を不純物として備えている。アルミニウムは塩素含
有エッチャントガスにより容易に除去されるが、珪素及
び銅不純物はエッチングが困難であり、これらは基板上
に残留するエッチャント残留物１５を形成する。エッチ
ャント残留物が形成することは、いくつかの理由があ
る。第１に、珪素と銅の不純物のエッチングはアルミニ
ウムのエッチレイトよりも低いエッチレイトで生じるた
め、基板上に銅と珪素を含んだ残留物が形成されること
が挙げられる。第２に、銅及び珪素から形成されるエッ
チャント副生成物、例えばＣｕＣｌ等の蒸気圧は、通常
のエッチング条件の下では、ＡｌＣｌ3 の蒸気圧と比較
して低いことが挙げられる。また、残留物の形成が生じ
るのは、銅と珪素の不純物がアルミニウムの粒界に蓄積
するからであり、また、アルミニウム層とバリア層（Ｔ
ｉＯ2 等）との界面に形成される非反応性拡散層をエ
ッチングすることは困難だからである。
【０００５】エッチャント残留物１５除去のための従来
技術による方法の１つでは、塩素エッチャントの濃度を
下げてアルミニウムのエッチレイトを低下させ、珪素と
銅のエッチング又はスパッタを、アルミニウムのエッチ
ングと同じ速度で行うようにしている。しかし、これら
のエッチレイトを正確にバランスさせていても、不純物
の存在等でアロイの組成が少し変化しただけでこのバラ
ンスは簡単に損なわれる。その結果、アロイの組成とプ
ロセス条件が狭い範囲に限って、エッチングプロセスを
効率よく行うことができる。また、塩素エッチャントの
濃度を下げることにより、多成分のアロイに対するエッ
チレイトを低下させ、プロセスのスループットが低下し
てしまう。
技術による方法の１つでは、塩素エッチャントの濃度を
下げてアルミニウムのエッチレイトを低下させ、珪素と
銅のエッチング又はスパッタを、アルミニウムのエッチ
ングと同じ速度で行うようにしている。しかし、これら
のエッチレイトを正確にバランスさせていても、不純物
の存在等でアロイの組成が少し変化しただけでこのバラ
ンスは簡単に損なわれる。その結果、アロイの組成とプ
ロセス条件が狭い範囲に限って、エッチングプロセスを
効率よく行うことができる。また、塩素エッチャントの
濃度を下げることにより、多成分のアロイに対するエッ
チレイトを低下させ、プロセスのスループットが低下し
てしまう。
【０００６】エッチャント残留物１５を除去するための
また別の方法では、基板に電気的バイアスを与えエネル
ギーを有するプラズマイオンを基板１１上に衝突させる
ために電界が用いられるが、この電界を高めて、高いエ
ネルギーのプラズマイオンがエッチャント残留物１５を
スパッタして基板１１から取り去るようにする。しか
し、この高いエネルギーのプラズマイオンは、エッチン
グしたばかりの表面形状１０の側壁に形成されたパッシ
ベーション堆積物１４もスパッタしエッチングする。間
隔が近接する表面形状１０の側壁上にあるパッシベーシ
ョン堆積物１４の方が高い速度でエッチングされ、何故
なら、プラズマイオンは間隔が近接する表面形状の側壁
で「流路形成」しバウンドするからである。対称的に、
間隔が開いた表面形状１０の側壁上にあるパッシベーシ
ョン堆積物１４のエッチングの速度は高くない。このこ
とにより、プロファイルマイクロローディングが高くな
り、表面形状１０の断面プロファイルが表面形状１０同
士の間隔ないし距離に関連して変化する。表面形状１０
同士の間隔ないし距離に関わりなく全ての表面形状１０
が均一な断面を有することが望ましい。チャンバ内で基
板に近接した（すなわち、基板から６〜９ｃｍの距離を
もつ）天井部を有するプラズマ電極やインダクタコイル
に比較的高いレベルのＲＦ電流を印加することにより、
プラズマを基板１１に近接した限られたスペースの中に
形成したときに、このプロファイルマイクロローディン
グの問題は更に悪くなる。このような問題を防止するた
めには、このような従来技術のチャンバのプラズマＲＦ
バイアス又はソース電力が最高出力で約９００ワットに
制限されることがしばしばであり、この制限により基板
１１上のエッチャント残留物１５の除去が制限を受け、
プロセスのウインドウが狭くなる。
また別の方法では、基板に電気的バイアスを与えエネル
ギーを有するプラズマイオンを基板１１上に衝突させる
ために電界が用いられるが、この電界を高めて、高いエ
ネルギーのプラズマイオンがエッチャント残留物１５を
スパッタして基板１１から取り去るようにする。しか
し、この高いエネルギーのプラズマイオンは、エッチン
グしたばかりの表面形状１０の側壁に形成されたパッシ
ベーション堆積物１４もスパッタしエッチングする。間
隔が近接する表面形状１０の側壁上にあるパッシベーシ
ョン堆積物１４の方が高い速度でエッチングされ、何故
なら、プラズマイオンは間隔が近接する表面形状の側壁
で「流路形成」しバウンドするからである。対称的に、
間隔が開いた表面形状１０の側壁上にあるパッシベーシ
ョン堆積物１４のエッチングの速度は高くない。このこ
とにより、プロファイルマイクロローディングが高くな
り、表面形状１０の断面プロファイルが表面形状１０同
士の間隔ないし距離に関連して変化する。表面形状１０
同士の間隔ないし距離に関わりなく全ての表面形状１０
が均一な断面を有することが望ましい。チャンバ内で基
板に近接した（すなわち、基板から６〜９ｃｍの距離を
もつ）天井部を有するプラズマ電極やインダクタコイル
に比較的高いレベルのＲＦ電流を印加することにより、
プラズマを基板１１に近接した限られたスペースの中に
形成したときに、このプロファイルマイクロローディン
グの問題は更に悪くなる。このような問題を防止するた
めには、このような従来技術のチャンバのプラズマＲＦ
バイアス又はソース電力が最高出力で約９００ワットに
制限されることがしばしばであり、この制限により基板
１１上のエッチャント残留物１５の除去が制限を受け、
プロセスのウインドウが狭くなる。
【０００７】別の従来技術のプロセスチャンバは、遠隔
にあるプラズマソース、例えばマイクロ波プラズマソー
ス等を有してプラズマを発生させ、このプラズマが基板
１１へとガイドされる。この遠隔のプラズマプロセスチ
ャンバはプラズマの発生のために非常に高いソース電力
を用いることができ、低電力のプラズマに関する問題点
のいくつかを緩和することができる。しかし、プラズマ
発生ソースから基板１１までの比較的長い距離を移動す
る場合は、プラズマ中の分解イオンの大部分が再結合し
てしまい、非分解プラズマ種を生成してしまう。このこ
とにより、プロセスのウインドウが更に狭くなり、エッ
チレイトや残留物の制御等のプロセスパラメータの最適
化を容易ならざるものとしてしまう。
にあるプラズマソース、例えばマイクロ波プラズマソー
ス等を有してプラズマを発生させ、このプラズマが基板
１１へとガイドされる。この遠隔のプラズマプロセスチ
ャンバはプラズマの発生のために非常に高いソース電力
を用いることができ、低電力のプラズマに関する問題点
のいくつかを緩和することができる。しかし、プラズマ
発生ソースから基板１１までの比較的長い距離を移動す
る場合は、プラズマ中の分解イオンの大部分が再結合し
てしまい、非分解プラズマ種を生成してしまう。このこ
とにより、プロセスのウインドウが更に狭くなり、エッ
チレイトや残留物の制御等のプロセスパラメータの最適
化を容易ならざるものとしてしまう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、エッチレイト
を高め且つエッチャント残留物の形成を低減するような
エッチングプロセスに対する要求がある。また、エッチ
ングされた表面形状の側壁上に形成されるパッシベーシ
ョン堆積物の量を制御することにより、プロファイルマ
イクロローディングを小さくし且つ実質的に異方的なエ
ッチングを提供するようなエッチングプロセスが望まれ
る。更に、エッチング選択比の高いエッチングプロセス
が望まれる。また、分解プラズマイオンを大量に含有す
る高い電力のプラズマを基板に十分近接して発生して優
れたエッチング特性を与えることが望ましい。
を高め且つエッチャント残留物の形成を低減するような
エッチングプロセスに対する要求がある。また、エッチ
ングされた表面形状の側壁上に形成されるパッシベーシ
ョン堆積物の量を制御することにより、プロファイルマ
イクロローディングを小さくし且つ実質的に異方的なエ
ッチングを提供するようなエッチングプロセスが望まれ
る。更に、エッチング選択比の高いエッチングプロセス
が望まれる。また、分解プラズマイオンを大量に含有す
る高い電力のプラズマを基板に十分近接して発生して優
れたエッチング特性を与えることが望ましい。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、エッチャント
残留物を実質的に形成することなく、基板上の多成分
（マルチコンポーネント）アロイををエッチングするた
めの方法に関する。本発明の１態様では、プラズマジェ
ネレータとプラズマ電極とを備えたプロセスチャンバの
中に基板が置かれる。(i)電界で分解して分解イオンと
非分解イオンとを生成することができるエッチャントガ
スと、(ii)エッチャントガスの分解を促進することがで
きる不活性なガスとを備えるプロセスガスが、プロセス
チャンバ内に導入される。好ましくは、プロセスガス
は、(i)分解Ｃｌ+プラズマイオンと非分解Ｃｌ2 +イオン
とを生成するイオン化可能な塩素含有ガスと、(ii)塩素
含有ガスの分解を促進することが可能な不活性なガス、
との体積流量比Ｖｒを備えている。(i)プラズマジェネ
レータに第１の電力レベルでＲＦ電流を与え、(ii)プラ
ズマ電極に第２の電力レベルでＲＦ電流を与えることに
より、プロセスガスをイオン化してプラズマイオンを生
成し、これが基板にエネルギーをもって衝突する。(i)
プロセスガスの体積流量比Ｖｒと、(ii)第１の電力レベ
ル 対 第２の電力レベルの電力比Ｐｒとの組み合わせを
選択して、塩素含有ガスがイオン化して分解Ｃｌ+プラ
ズマイオンと非分解Ｃｌ2 +イオンとを数の比が少なくと
も約０．６：１となるように生成する。非分解Ｃｌ2 +イ
オンとに較べて分解Ｃｌ+プラズマイオンの量が高くな
れば、これが基板上の多成分アロイを少なくとも約５０
０ｎｍ／ｍｉｎ．のエッチレイトでエッチングし、同時
に基板上のエッチャント残留物の実質的全部が除去され
る。
残留物を実質的に形成することなく、基板上の多成分
（マルチコンポーネント）アロイををエッチングするた
めの方法に関する。本発明の１態様では、プラズマジェ
ネレータとプラズマ電極とを備えたプロセスチャンバの
中に基板が置かれる。(i)電界で分解して分解イオンと
非分解イオンとを生成することができるエッチャントガ
スと、(ii)エッチャントガスの分解を促進することがで
きる不活性なガスとを備えるプロセスガスが、プロセス
チャンバ内に導入される。好ましくは、プロセスガス
は、(i)分解Ｃｌ+プラズマイオンと非分解Ｃｌ2 +イオン
とを生成するイオン化可能な塩素含有ガスと、(ii)塩素
含有ガスの分解を促進することが可能な不活性なガス、
との体積流量比Ｖｒを備えている。(i)プラズマジェネ
レータに第１の電力レベルでＲＦ電流を与え、(ii)プラ
ズマ電極に第２の電力レベルでＲＦ電流を与えることに
より、プロセスガスをイオン化してプラズマイオンを生
成し、これが基板にエネルギーをもって衝突する。(i)
プロセスガスの体積流量比Ｖｒと、(ii)第１の電力レベ
ル 対 第２の電力レベルの電力比Ｐｒとの組み合わせを
選択して、塩素含有ガスがイオン化して分解Ｃｌ+プラ
ズマイオンと非分解Ｃｌ2 +イオンとを数の比が少なくと
も約０．６：１となるように生成する。非分解Ｃｌ2 +イ
オンとに較べて分解Ｃｌ+プラズマイオンの量が高くな
れば、これが基板上の多成分アロイを少なくとも約５０
０ｎｍ／ｍｉｎ．のエッチレイトでエッチングし、同時
に基板上のエッチャント残留物の実質的全部が除去され
る。
【００１０】本発明の別の特徴では、(i)基板からの高
さＨが、直径Ｄが約１５０ｍｍ〜約３０４ｍｍの基板に
対して１００ｍｍ〜１７０ｍｍであるような頂部を有す
る天井部と、(ii)天井部の下方且つ基板の上方にプラズ
マを形成することが可能なプラズマジェネレータとを備
えるプロセスチャンバの疑似遠隔プラズマ領域に、基板
が置かれる。プロセスガスは、(i)塩素含有ガスと(ii)
不活性なガスとの体積流量比Ｖｒを有している。プロセ
スガスは疑似遠隔プラズマ領域内でイオン化し、塩素含
有ガスが基板のほぼ真上でイオン化して、分解Ｃｌ+プ
ラズマイオンと非分解Ｃｌ2 +イオンとを少なくとも０．
６：１の数比で生成することにより、エッチャント残留
物を実質的に生成することなく、基板上の多成分アロイ
をエッチングする。疑似遠隔プラズマソースが、基板の
すぐ隣接且つ真上に比較的大きな体積でプラズマを発生
させるため、基板をエッチングするプラズマは、非分解
Ｃｌ2 +イオンと比較して分解Ｃｌ+プラズマイオンの量
が多く含有するようになる。疑似遠隔プラズマ領域内に
プラズマを発生させるため、大量の分解Ｃｌ+プラズマ
イオンが非分解Ｃｌ2 +イオンと再結合する前に、基板の
エッチングを行うことが可能となる。
さＨが、直径Ｄが約１５０ｍｍ〜約３０４ｍｍの基板に
対して１００ｍｍ〜１７０ｍｍであるような頂部を有す
る天井部と、(ii)天井部の下方且つ基板の上方にプラズ
マを形成することが可能なプラズマジェネレータとを備
えるプロセスチャンバの疑似遠隔プラズマ領域に、基板
が置かれる。プロセスガスは、(i)塩素含有ガスと(ii)
不活性なガスとの体積流量比Ｖｒを有している。プロセ
スガスは疑似遠隔プラズマ領域内でイオン化し、塩素含
有ガスが基板のほぼ真上でイオン化して、分解Ｃｌ+プ
ラズマイオンと非分解Ｃｌ2 +イオンとを少なくとも０．
６：１の数比で生成することにより、エッチャント残留
物を実質的に生成することなく、基板上の多成分アロイ
をエッチングする。疑似遠隔プラズマソースが、基板の
すぐ隣接且つ真上に比較的大きな体積でプラズマを発生
させるため、基板をエッチングするプラズマは、非分解
Ｃｌ2 +イオンと比較して分解Ｃｌ+プラズマイオンの量
が多く含有するようになる。疑似遠隔プラズマ領域内に
プラズマを発生させるため、大量の分解Ｃｌ+プラズマ
イオンが非分解Ｃｌ2 +イオンと再結合する前に、基板の
エッチングを行うことが可能となる。
【００１１】本発明のまた別の特徴では、プロセスチャ
ンバの周りのインダクタコイルに印加するＲＦ電流の周
波数は、約６ＭＨｚ未満の低い周波数に下げられ、更に
好ましくは約１〜約３ＭＨｚに下げられる。この低い周
波数では、インダクタコイルからの容量結合が低減し、
プラズマ電力レベルを７５０ワットよりも高いレベル、
更に好ましくは１０００ワットより高いレベルに上げる
ことが可能であり、プラズマイオンの運動衝突エネルギ
ーを高めることなく、高密度誘導結合プラズマを提供
し、高いエッチレイトとエッチャント残留物の低減とプ
ロファイルマイクロローディングの低減を実現する。
ンバの周りのインダクタコイルに印加するＲＦ電流の周
波数は、約６ＭＨｚ未満の低い周波数に下げられ、更に
好ましくは約１〜約３ＭＨｚに下げられる。この低い周
波数では、インダクタコイルからの容量結合が低減し、
プラズマ電力レベルを７５０ワットよりも高いレベル、
更に好ましくは１０００ワットより高いレベルに上げる
ことが可能であり、プラズマイオンの運動衝突エネルギ
ーを高めることなく、高密度誘導結合プラズマを提供
し、高いエッチレイトとエッチャント残留物の低減とプ
ロファイルマイクロローディングの低減を実現する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、基板２５上にエッチャ
ント残留物を実質的に形成することなく、基板２５上の
多成分アロイ層２０ををエッチングするための方法に関
する。図１６は、本発明に従って処理された基板２５の
一部を示す。多成分アロイ２０は典型的には、第１の成
分と第２の成分とを備え、第１の成分は第２の成分に比
べて、エッチャントプラズマに対して実質的に反応性が
高く、あるいは蒸気圧が高い。この多成分アロイはエッ
チングが困難であり、何故なら、第１の成分は第２の成
分よりも高い速度でエッチングされ、あるいは蒸気圧が
高いためより早く気化するからである。このことによ
り、従来技術のエッチングプロセスでは、第２の成分が
基板２５上にエッチャント残留物を形成する。
ント残留物を実質的に形成することなく、基板２５上の
多成分アロイ層２０ををエッチングするための方法に関
する。図１６は、本発明に従って処理された基板２５の
一部を示す。多成分アロイ２０は典型的には、第１の成
分と第２の成分とを備え、第１の成分は第２の成分に比
べて、エッチャントプラズマに対して実質的に反応性が
高く、あるいは蒸気圧が高い。この多成分アロイはエッ
チングが困難であり、何故なら、第１の成分は第２の成
分よりも高い速度でエッチングされ、あるいは蒸気圧が
高いためより早く気化するからである。このことによ
り、従来技術のエッチングプロセスでは、第２の成分が
基板２５上にエッチャント残留物を形成する。
【００１３】エッチングプロセスは、典型的には、半導
体シリコンやガリウムヒ素の基板２５に行われる。導電
表面形状３０は、基板２５上に堆積した導電層からエッ
チングにより形成されるが、この導電層は、典型的に
は、(i)チタン、タングステン、チタン−タングステン
あるいは窒化チタン等の拡散バリア層３５と、(ii)アル
ミニウム等の第１の成分と銅及び珪素等の第２の成分と
を備える導電性多成分アロイ２０と、(iii)珪素、窒化
チタン又はチタン−タングステンを備える反射防止層４
０とを有している。層はそれぞれ、典型的には約１００
０ｎｍ〜１０００００ｎｍの厚さを有している。フォト
レジスト等のエッチングレジスト４５を導電層の上に形
成し、フォトリソグラフィーの方法を用いてパターニン
グを行い導電層のこの下にある部分がエッチングされる
ことを防止する。エッチング済みの表面形状３０は典型
的には約０．２〜約１０ミクロンのサイズを有し、表面
形状３０同士の間の間隔は典型的には約０．２ミクロン
〜１０ミクロンである。
体シリコンやガリウムヒ素の基板２５に行われる。導電
表面形状３０は、基板２５上に堆積した導電層からエッ
チングにより形成されるが、この導電層は、典型的に
は、(i)チタン、タングステン、チタン−タングステン
あるいは窒化チタン等の拡散バリア層３５と、(ii)アル
ミニウム等の第１の成分と銅及び珪素等の第２の成分と
を備える導電性多成分アロイ２０と、(iii)珪素、窒化
チタン又はチタン−タングステンを備える反射防止層４
０とを有している。層はそれぞれ、典型的には約１００
０ｎｍ〜１０００００ｎｍの厚さを有している。フォト
レジスト等のエッチングレジスト４５を導電層の上に形
成し、フォトリソグラフィーの方法を用いてパターニン
グを行い導電層のこの下にある部分がエッチングされる
ことを防止する。エッチング済みの表面形状３０は典型
的には約０．２〜約１０ミクロンのサイズを有し、表面
形状３０同士の間の間隔は典型的には約０．２ミクロン
〜１０ミクロンである。
【００１４】本発明に従ったプロセスの実施に適するプ
ロセスチャンバ５０が図２に示されており、これは米国
カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル
ズ社から商品名ＤＰＳプロセスチャンバで商業的に入手
可能である。ここに示されるプロセスチャンバ５０の特
定の具体例は、半導体基板２５の処理に適しているが、
本発明の例示のためだけに与えられるものであり、本発
明の範囲を制限するために用いられるべきではない。例
えば、本発明のエッチングプロセスは、あらゆる基板２
５に用いることができ、また、半導体の製造以外の製造
プロセスに用いることができる。
ロセスチャンバ５０が図２に示されており、これは米国
カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル
ズ社から商品名ＤＰＳプロセスチャンバで商業的に入手
可能である。ここに示されるプロセスチャンバ５０の特
定の具体例は、半導体基板２５の処理に適しているが、
本発明の例示のためだけに与えられるものであり、本発
明の範囲を制限するために用いられるべきではない。例
えば、本発明のエッチングプロセスは、あらゆる基板２
５に用いることができ、また、半導体の製造以外の製造
プロセスに用いることができる。
【００１５】エッチングプロセスでは、基板２５はプロ
セスチャンバ５０内に置かれる。塩素含有ガス 対 不活
性なガスの体積流量比がＶｒであるプロセスガスをプロ
セスチャンバ５０に導入する。塩素含有ガスは、プラズ
マ中で分解して分解Ｃｌ＋プラズマイオンと非分解Ｃｌ
２＋イオンとを生成することができ、不活性なガスは塩
素含有ガスの分解を促進することができる。プラズマイ
オンは、プロセスチャンバ５０に隣接するプラズマジェ
ネレータ５５にＲＦ電流を第１の電力レベルで与えるこ
とにより、プラズマが生成する。プロセスチャンバ内の
プラズマ電極６０にＲＦ電流を第２のレベルで与えるこ
とにより、プラズマイオンが基板に引きつけられる。
(i)プロセスガスの体積流量比Ｖｒと(ii)第１の電力レ
ベルと第２の電力レベルの電力比Ｐｒとの組み合わせを
選択して、塩素含有ガスがイオン化して、Ｃｌ+イオン
とＣｌ2 +イオンとを、その数の比が少なくとも０．６：
１となるよう生成する。非分解Ｃｌ2 +イオンと比較した
分解Ｃｌ+プラズマイオンの量が増加することにより、
多成分アロイ２０の第１の成分を高速（約５００ｎｍ／
ｍｉｎ．を越えるエッチレイト）でエッチングすること
ができると考えられており、このとき、第２の成分のエ
ッチレイトを犠牲にすることはなく、また、基板２５上
にエッチャント残留物を実質的に形成することはないと
考えられている。
セスチャンバ５０内に置かれる。塩素含有ガス 対 不活
性なガスの体積流量比がＶｒであるプロセスガスをプロ
セスチャンバ５０に導入する。塩素含有ガスは、プラズ
マ中で分解して分解Ｃｌ＋プラズマイオンと非分解Ｃｌ
２＋イオンとを生成することができ、不活性なガスは塩
素含有ガスの分解を促進することができる。プラズマイ
オンは、プロセスチャンバ５０に隣接するプラズマジェ
ネレータ５５にＲＦ電流を第１の電力レベルで与えるこ
とにより、プラズマが生成する。プロセスチャンバ内の
プラズマ電極６０にＲＦ電流を第２のレベルで与えるこ
とにより、プラズマイオンが基板に引きつけられる。
(i)プロセスガスの体積流量比Ｖｒと(ii)第１の電力レ
ベルと第２の電力レベルの電力比Ｐｒとの組み合わせを
選択して、塩素含有ガスがイオン化して、Ｃｌ+イオン
とＣｌ2 +イオンとを、その数の比が少なくとも０．６：
１となるよう生成する。非分解Ｃｌ2 +イオンと比較した
分解Ｃｌ+プラズマイオンの量が増加することにより、
多成分アロイ２０の第１の成分を高速（約５００ｎｍ／
ｍｉｎ．を越えるエッチレイト）でエッチングすること
ができると考えられており、このとき、第２の成分のエ
ッチレイトを犠牲にすることはなく、また、基板２５上
にエッチャント残留物を実質的に形成することはないと
考えられている。
【００１６】チャンバ内で遂行されるエッチングプロセ
スに対して最適な性能を得るために、疑似遠隔プラズマ
領域６０を有するプロセスチャンバ５０を用いることが
好ましい。プロセスチャンバ５０の疑似遠隔プラズマ領
域６０は、(i)基板からの高さＨが、直径Ｄが約１５０
ｍｍ〜約３０４ｍｍ（６〜１２インチ）の基板に対して
１００ｍｍ〜１７０ｍｍ（４〜７インチ）であるような
頂部を有する天井部６２と、(ii)天井部６２の下方且つ
基板２５の上方にプラズマを形成することが可能なプラ
ズマジェネレータ５５とを備えている。更に好ましく
は、プロセスチャンバの疑似遠隔プラズマ領域６０は、
基板に隣接する側壁６３によって包囲されており、少な
くとも約１００００ｃｍ3、更に好ましくは約１０００
０〜５００００ｃｍ3の体積を備えている。最も好まし
くは、疑似遠隔プラズマ領域６０は、基板２５の真上約
５０〜１５０ｍｍの距離のところに配置された中心６４
を有し、更に好ましくは、この距離は基板から約７５ｍ
ｍ以上約１２５ｍｍ以下である。プロセスガスは、基板
２５の周縁に配置されたガスディストリビュータ６５を
用いて散布される。
スに対して最適な性能を得るために、疑似遠隔プラズマ
領域６０を有するプロセスチャンバ５０を用いることが
好ましい。プロセスチャンバ５０の疑似遠隔プラズマ領
域６０は、(i)基板からの高さＨが、直径Ｄが約１５０
ｍｍ〜約３０４ｍｍ（６〜１２インチ）の基板に対して
１００ｍｍ〜１７０ｍｍ（４〜７インチ）であるような
頂部を有する天井部６２と、(ii)天井部６２の下方且つ
基板２５の上方にプラズマを形成することが可能なプラ
ズマジェネレータ５５とを備えている。更に好ましく
は、プロセスチャンバの疑似遠隔プラズマ領域６０は、
基板に隣接する側壁６３によって包囲されており、少な
くとも約１００００ｃｍ3、更に好ましくは約１０００
０〜５００００ｃｍ3の体積を備えている。最も好まし
くは、疑似遠隔プラズマ領域６０は、基板２５の真上約
５０〜１５０ｍｍの距離のところに配置された中心６４
を有し、更に好ましくは、この距離は基板から約７５ｍ
ｍ以上約１２５ｍｍ以下である。プロセスガスは、基板
２５の周縁に配置されたガスディストリビュータ６５を
用いて散布される。
【００１７】疑似遠隔プラズマ領域６０では塩素含有ガ
スを分解して、Ｃｌ+イオンとＣｌ2 +イオンとを、その
数の比が少なくとも０．６：１、好ましくは少なくとも
約１：１、最も好ましくは約５：１以上となるよう生成
して、基板２５上にエッチャント残留物を形成すること
なく高いエッチレイトで基板２５上の多成分アロイ２０
をエッチングすることができることが、見出されてい
る。基板をエッチングするプラズマは、非分解Ｃｌ2 +イ
オンと比較して分解Ｃｌ+プラズマイオンの量を多く含
有すると考えられており、何故なら、プラズマの発生は
基板２５にすぐ隣接した体積の比較的大きな空間で発生
し、これにより、大量の分解Ｃｌ＋プラズマイオンが非
分解Ｃｌ2 +イオンと再結合する前に、基板２５のエッチ
ングを行うことが可能となる。プラズマ領域６０の中心
６４が基板と離れているとき、例えば約３０ｃｍを超え
る距離がある場合は、分解プラズマイオンは、遠隔プラ
ズマソースから基板へと移動する間に、再結合して非分
解イオンを生成する。これとは逆に、プラズマ領域６０
の中心６４が基板２５に近すぎたとき、即ち約１０ｃｍ
未満であったような場合は、プラズマソースにより高い
電流が印加され、プラズマイオンの分解が促進され、プ
ラズマイオンが非常に高い運動エネルギーをもつように
なり、エッチングの性能が下がってしまう。同様に、プ
ラズマ領域６０の体積が非常に大きい場合は、プラズマ
領域内の分解イオンが再結合して非分解種を生成してし
まう。また、プラズマ領域６０の体積が小さすぎる場合
は、分解イオンを生成することが困難となり、何故な
ら、エネルギーを得た不活性なガスのイオンの平均自由
行程が非常に小さくなり、その結果不活性なガスのイオ
ンとエッチャントガスの分子の衝突がほとんどなくなる
からである。このような理由で、疑似遠隔プラズマ領域
６０を用いることが好ましい。
スを分解して、Ｃｌ+イオンとＣｌ2 +イオンとを、その
数の比が少なくとも０．６：１、好ましくは少なくとも
約１：１、最も好ましくは約５：１以上となるよう生成
して、基板２５上にエッチャント残留物を形成すること
なく高いエッチレイトで基板２５上の多成分アロイ２０
をエッチングすることができることが、見出されてい
る。基板をエッチングするプラズマは、非分解Ｃｌ2 +イ
オンと比較して分解Ｃｌ+プラズマイオンの量を多く含
有すると考えられており、何故なら、プラズマの発生は
基板２５にすぐ隣接した体積の比較的大きな空間で発生
し、これにより、大量の分解Ｃｌ＋プラズマイオンが非
分解Ｃｌ2 +イオンと再結合する前に、基板２５のエッチ
ングを行うことが可能となる。プラズマ領域６０の中心
６４が基板と離れているとき、例えば約３０ｃｍを超え
る距離がある場合は、分解プラズマイオンは、遠隔プラ
ズマソースから基板へと移動する間に、再結合して非分
解イオンを生成する。これとは逆に、プラズマ領域６０
の中心６４が基板２５に近すぎたとき、即ち約１０ｃｍ
未満であったような場合は、プラズマソースにより高い
電流が印加され、プラズマイオンの分解が促進され、プ
ラズマイオンが非常に高い運動エネルギーをもつように
なり、エッチングの性能が下がってしまう。同様に、プ
ラズマ領域６０の体積が非常に大きい場合は、プラズマ
領域内の分解イオンが再結合して非分解種を生成してし
まう。また、プラズマ領域６０の体積が小さすぎる場合
は、分解イオンを生成することが困難となり、何故な
ら、エネルギーを得た不活性なガスのイオンの平均自由
行程が非常に小さくなり、その結果不活性なガスのイオ
ンとエッチャントガスの分子の衝突がほとんどなくなる
からである。このような理由で、疑似遠隔プラズマ領域
６０を用いることが好ましい。
【００１８】プロセスチャンバ５０の天井部６２は、平
坦でも、方形でも、弓状でも、円錐状でも、ドーム状で
も、多半径ドーム状でもよい。好ましくは、プロセスチ
ャンバ５０は、基板２５の上方に多半径ドーム状の天井
部６２を有して、プラズマ領域６０の全体積にわたって
均一なプラズマソース電力分布を与え、エッチャントガ
スの分解を促進する。ドーム状の天井部６２は、基板２
５の近くでの分解イオン再結合によるロスが、平坦な天
井部でみられるよりも少ないため、プラズマイオン密度
が基板２５全体に均一になるという利点を提供する。こ
のことは、イオン再結合のロスが天井部６２が近接する
ことによって影響を受け、また、ドーム状天井部は平坦
な天井部よりも、基板中心から遠いからである。
坦でも、方形でも、弓状でも、円錐状でも、ドーム状で
も、多半径ドーム状でもよい。好ましくは、プロセスチ
ャンバ５０は、基板２５の上方に多半径ドーム状の天井
部６２を有して、プラズマ領域６０の全体積にわたって
均一なプラズマソース電力分布を与え、エッチャントガ
スの分解を促進する。ドーム状の天井部６２は、基板２
５の近くでの分解イオン再結合によるロスが、平坦な天
井部でみられるよりも少ないため、プラズマイオン密度
が基板２５全体に均一になるという利点を提供する。こ
のことは、イオン再結合のロスが天井部６２が近接する
ことによって影響を受け、また、ドーム状天井部は平坦
な天井部よりも、基板中心から遠いからである。
【００１９】プラズマジェネレータ５５は、プロセスチ
ャンバ５０の側壁６６の周りに巻かれるインダクタコイ
ルを備えていることが好ましい。インダクタコイルプラ
ズマジェネレータ５５は、ＲＦ電源６８に接続される。
第１の電力レベルを有するＲＦ電流をコイルに与えれ
ば、コイルはチャンバ内にエネルギーを誘導結合して、
プロセス領域６０内のプロセスガスからプラズマを生成
する。好ましくは、プラズマジェネレータ５５は、多半
径のドーム状のインダクタコイルを備え、このインダク
タコイルは図２に示されるような「平坦化した」多半径
のドーム状天井部を備え、これにより、プラズマソース
電力を更に有効に用いることができまた基板中心の上の
プラズマイオン密度が更に高くなるといった利点を提供
する。このことは、イオン密度がインダクタコイルの局
所的なイオン化により影響を受けるからであり、また、
多半径インダクタコイルは半球コイルに比べて、基板中
心により近くなるからである。別の好適な具体例では、
天井部６２は、少なくとも中心半径Ｒと、中心半径Ｒよ
りも小さなコーナー半径ｒとを有し、Ｒ／ｒが約２〜約
１０程度の範囲にある。
ャンバ５０の側壁６６の周りに巻かれるインダクタコイ
ルを備えていることが好ましい。インダクタコイルプラ
ズマジェネレータ５５は、ＲＦ電源６８に接続される。
第１の電力レベルを有するＲＦ電流をコイルに与えれ
ば、コイルはチャンバ内にエネルギーを誘導結合して、
プロセス領域６０内のプロセスガスからプラズマを生成
する。好ましくは、プラズマジェネレータ５５は、多半
径のドーム状のインダクタコイルを備え、このインダク
タコイルは図２に示されるような「平坦化した」多半径
のドーム状天井部を備え、これにより、プラズマソース
電力を更に有効に用いることができまた基板中心の上の
プラズマイオン密度が更に高くなるといった利点を提供
する。このことは、イオン密度がインダクタコイルの局
所的なイオン化により影響を受けるからであり、また、
多半径インダクタコイルは半球コイルに比べて、基板中
心により近くなるからである。別の好適な具体例では、
天井部６２は、少なくとも中心半径Ｒと、中心半径Ｒよ
りも小さなコーナー半径ｒとを有し、Ｒ／ｒが約２〜約
１０程度の範囲にある。
【００２０】この誘導結合ＲＦプロセスチャンバ５０で
は、エッチングの選択性が向上し、イオンダメージが低
減し、エッチングプロファイルが向上し、プラズマイオ
ン密度又はソース電力効率を最適化しつつイオン密度の
均一性が改善する。この結果は、基板に対する天井部ド
ーム頂上部の特定の高さを含む、コイルとドームの幾何
的関係を特に共形となるように守ることにより実現され
る。エッチング選択性は、プラズマからパッシベーショ
ン種を基板２５の上に堆積することにより与えられる。
例えば、ポリシリコン層の上の二酸化珪素層をエッチン
グする場合、ポリマーを含むパッシベーション種の方が
二酸化珪素に比べて強くポリシリコンに接着するため、
ポリシリコンの方が二酸化珪素よりもゆっくりとエッチ
ングされ、所望のエッチング選択性を提供する。二酸化
シリコンエッチングプロセスでは、プラズマ中のフルオ
ロカーボンガスからポリマー類が生成する。アルミニウ
ムエッチングプロセスでは、とりわけ、基板２５からプ
ラズマ中へスパッタされたフォトレジストからポリマー
が生成する。ここで問題点は、コイルのドーム形状を平
坦にするか、あるいはコイルを基板に近接させて、基板
２５中心での局所的イオン化を促進し、他方で基板中心
上方のイオン密度を促進すれば、基板中心近くでのポリ
マーの堆積や形成が制限されることである。このような
ポリマーの形成がなされなければ、エッチングの選択性
は低下し、またはなくなってしまう。逆に、基板中心の
局所イオン化を低下（ドーム状コイルを平坦ではなくす
ることにより）させてエッチング選択性を促進すれば、
基板中心のイオン密度が低下し、イオン密度の均一性が
損なわれる。
は、エッチングの選択性が向上し、イオンダメージが低
減し、エッチングプロファイルが向上し、プラズマイオ
ン密度又はソース電力効率を最適化しつつイオン密度の
均一性が改善する。この結果は、基板に対する天井部ド
ーム頂上部の特定の高さを含む、コイルとドームの幾何
的関係を特に共形となるように守ることにより実現され
る。エッチング選択性は、プラズマからパッシベーショ
ン種を基板２５の上に堆積することにより与えられる。
例えば、ポリシリコン層の上の二酸化珪素層をエッチン
グする場合、ポリマーを含むパッシベーション種の方が
二酸化珪素に比べて強くポリシリコンに接着するため、
ポリシリコンの方が二酸化珪素よりもゆっくりとエッチ
ングされ、所望のエッチング選択性を提供する。二酸化
シリコンエッチングプロセスでは、プラズマ中のフルオ
ロカーボンガスからポリマー類が生成する。アルミニウ
ムエッチングプロセスでは、とりわけ、基板２５からプ
ラズマ中へスパッタされたフォトレジストからポリマー
が生成する。ここで問題点は、コイルのドーム形状を平
坦にするか、あるいはコイルを基板に近接させて、基板
２５中心での局所的イオン化を促進し、他方で基板中心
上方のイオン密度を促進すれば、基板中心近くでのポリ
マーの堆積や形成が制限されることである。このような
ポリマーの形成がなされなければ、エッチングの選択性
は低下し、またはなくなってしまう。逆に、基板中心の
局所イオン化を低下（ドーム状コイルを平坦ではなくす
ることにより）させてエッチング選択性を促進すれば、
基板中心のイオン密度が低下し、イオン密度の均一性が
損なわれる。
【００２１】エッチングプロセスでは、基板２５はチャ
ンバ５０内のカソードプラズマ電極５７ａの上に置か
れ、チャンバ５０の壁６３は電気的に接地されアノード
プラズマ電極５７ｂを形成する。エッチングプロセス中
は、基板２５を機械的ないし静電的なチャック７３を用
いて保持することができる。カソード電極５７にＲＦ電
圧を印加することによりカソード電極５７にアノード電
極５７ｂに対する電気的バイアスを与えれば、チャンバ
５０内に生成するプラズマは、基板２５の方に引き寄せ
られ、基板にエネルギーをもって入射し、基板をエッチ
ングする。プラズマ電極５７ａ、５７ｂに印加するＲＦ
電圧は、約１００〜約５００ワットの第２の電力レベル
を有し、これは更に典型的には１００〜２５０ワットで
ある。随意、磁場（図示せず）を用いてプラズマの密度
や均一性を高めてもよい。疑似遠隔プラズマ領域６０の
中のプラズマは、(i)プロセスチャンバ５０を取り囲む
インダクタコイルプラズマジェネレータ５５にＲＦ電流
を印加することによる誘導的な形成か、(ii)プロセスチ
ャンバ５０内のプラズマ電極５７ａ、５７ｂにＲＦ電流
を印加することによる容量的な形成か、あるいは(iii)
誘導的な形成と容量的な形成の両方により、形成され
る。
ンバ５０内のカソードプラズマ電極５７ａの上に置か
れ、チャンバ５０の壁６３は電気的に接地されアノード
プラズマ電極５７ｂを形成する。エッチングプロセス中
は、基板２５を機械的ないし静電的なチャック７３を用
いて保持することができる。カソード電極５７にＲＦ電
圧を印加することによりカソード電極５７にアノード電
極５７ｂに対する電気的バイアスを与えれば、チャンバ
５０内に生成するプラズマは、基板２５の方に引き寄せ
られ、基板にエネルギーをもって入射し、基板をエッチ
ングする。プラズマ電極５７ａ、５７ｂに印加するＲＦ
電圧は、約１００〜約５００ワットの第２の電力レベル
を有し、これは更に典型的には１００〜２５０ワットで
ある。随意、磁場（図示せず）を用いてプラズマの密度
や均一性を高めてもよい。疑似遠隔プラズマ領域６０の
中のプラズマは、(i)プロセスチャンバ５０を取り囲む
インダクタコイルプラズマジェネレータ５５にＲＦ電流
を印加することによる誘導的な形成か、(ii)プロセスチ
ャンバ５０内のプラズマ電極５７ａ、５７ｂにＲＦ電流
を印加することによる容量的な形成か、あるいは(iii)
誘導的な形成と容量的な形成の両方により、形成され
る。
【００２２】インダクタコイルに印加されるＲＦ電流の
第１の電力レベルとプラズマ電極５７ａ、５７ｂに印加
されるＲＦ電流の第２の電力レベルとの比Ｐｒについて
は、プラズマイオンの全数又は衝突エネルギーを増加さ
せずに分解イオンの数を増加するように、この比Ｐｒを
選択する。電力比Ｐｒが過剰に高くなれば、基板２５の
過剰なスパッタリングが生じ得ることとなり、その結
果、エッチングが非均一になりプロファイルマイクロロ
ーディングが高くなってしまう。逆に、電力比Ｐｒが非
常に低ければ、エッチャントガスが分解して分解イオン
となることが不充分となることがあり、その結果、基板
２５上にエッチャント残留物が形成されることになる。
従って、電力費Ｐｒは少なくとも約４：１であることが
好ましく、更に好ましくは少なくとも約７：１、最も好
ましくは約４：１〜約１０：１である。
第１の電力レベルとプラズマ電極５７ａ、５７ｂに印加
されるＲＦ電流の第２の電力レベルとの比Ｐｒについて
は、プラズマイオンの全数又は衝突エネルギーを増加さ
せずに分解イオンの数を増加するように、この比Ｐｒを
選択する。電力比Ｐｒが過剰に高くなれば、基板２５の
過剰なスパッタリングが生じ得ることとなり、その結
果、エッチングが非均一になりプロファイルマイクロロ
ーディングが高くなってしまう。逆に、電力比Ｐｒが非
常に低ければ、エッチャントガスが分解して分解イオン
となることが不充分となることがあり、その結果、基板
２５上にエッチャント残留物が形成されることになる。
従って、電力費Ｐｒは少なくとも約４：１であることが
好ましく、更に好ましくは少なくとも約７：１、最も好
ましくは約４：１〜約１０：１である。
【００２３】エッチングプロセスを行うため、チャンバ
５０を脱気して約１ミリトールとし、真空に維持された
移送チャンバ（図示せず）からチャンバ５０へ基板２５
を移送する。ガスディストリビュータ６５を介してエッ
チャントプロセスガスをチャンバ５０内へ導入し、チャ
ンバ５０の圧力を、約１〜約１０００ミリトール、更に
典型的には１０〜３０トールに維持する。インダクタコ
イルにＲＦ電流を流してプロセスガスに電界束Ｅｆを有
する電界をプロセスガスに印加することにより、プラズ
マイオンを生成する。基板２５の下のカソード電極５７
ｂにＲＦバイアス電圧を印加して、誘導により生成した
プラズマイオンを基板にエネルギーをもって入射させ基
板をエッチングする。使用済みのプロセスガスとエッチ
ング副生成物のプロセスチャンバからの排気は、プロセ
スチャンバ５０内に約１０−３ミリトールの最小圧力を
実現することが可能な排気システム７４によって行われ
る。チャンバ５０内の圧力を調節するため、スロットル
バルブ７６が排気部に具備される。
５０を脱気して約１ミリトールとし、真空に維持された
移送チャンバ（図示せず）からチャンバ５０へ基板２５
を移送する。ガスディストリビュータ６５を介してエッ
チャントプロセスガスをチャンバ５０内へ導入し、チャ
ンバ５０の圧力を、約１〜約１０００ミリトール、更に
典型的には１０〜３０トールに維持する。インダクタコ
イルにＲＦ電流を流してプロセスガスに電界束Ｅｆを有
する電界をプロセスガスに印加することにより、プラズ
マイオンを生成する。基板２５の下のカソード電極５７
ｂにＲＦバイアス電圧を印加して、誘導により生成した
プラズマイオンを基板にエネルギーをもって入射させ基
板をエッチングする。使用済みのプロセスガスとエッチ
ング副生成物のプロセスチャンバからの排気は、プロセ
スチャンバ５０内に約１０−３ミリトールの最小圧力を
実現することが可能な排気システム７４によって行われ
る。チャンバ５０内の圧力を調節するため、スロットル
バルブ７６が排気部に具備される。
【００２４】(i)電界の印加によりイオン化して分解イ
オンと非分解イオンとを生成することができる塩素含有
エッチャントガスと、(ii)不活性なガスとを備えるプロ
セスガスが、プロセスチャンバ５０内に導入される。
(i)エッチャントガス 対 不活性なガスの体積流量比Ｖ
ｒと、(ii)プラズマ生成に用いる電流とプラズマにエネ
ルギーを与えるために用いる電流との電力比Ｐｒとを選
択して、エッチャントガスの分解イオンへの分解を向上
させて、プラズマ中の全イオン数のうちで、分解イオン
の数が少なくとも約６０％、更に好ましくは少なくとも
８０％となるようにする。好ましくは、プロセスガスの
体積流量比Ｖｒと電力比Ｐｒを選択して、エッチャント
ガスをイオン化して、分解Ｃｌ+プラズマイオンと非分
解Ｃｌ2 +イオンとを生成する質量比を少なくとも約０．
６：１、更に好ましくは少なくとも約１：１となるよう
にする。分解Ｃｌ+プラズマイオン 対 非分解Ｃｌ2 +イ
オンとの比が高くなれば、良好なエッチレイトを与えつ
つ、基板２５上のエッチャント残留物の実質的に全てを
取り除くことが見出された。塩素含有ガスが過剰にある
場合は、多成分アロイ２０の第１の成分（例えばアルミ
ニウム）が、第２の成分（例えば珪素及び銅）よりも高
い速度でエッチングを受け、その結果、基板２５上にエ
ッチャント残留物を形成する。不活性なガスが過剰にあ
る場合は、基板２５上のレジスト過剰にスパッタリング
してしまい、その結果、レジストのファセティングが生
じ、酸化物が失われ、プロファイルマイクロローディン
グが高くなってしまう。体積流量比Ｖｒと電力比Ｐｒと
を選択して組み合わせることにより、プラズマイオンの
全数又は運動衝突エネルギーを増加させずに、形成され
る分解イオンの数を増加させると考えられている。この
プラズマの化学により、多成分アロイ２０の第１の成分
のエッチングを、第２の成分のエッチングの速度と実質
的に等しいエッチレイトで行うことが可能となり、これ
により、基板２５上にエッチャント残留物を形成するこ
となく、高いエッチレイトで多成分アロイ２０エッチン
グできるようになる。
オンと非分解イオンとを生成することができる塩素含有
エッチャントガスと、(ii)不活性なガスとを備えるプロ
セスガスが、プロセスチャンバ５０内に導入される。
(i)エッチャントガス 対 不活性なガスの体積流量比Ｖ
ｒと、(ii)プラズマ生成に用いる電流とプラズマにエネ
ルギーを与えるために用いる電流との電力比Ｐｒとを選
択して、エッチャントガスの分解イオンへの分解を向上
させて、プラズマ中の全イオン数のうちで、分解イオン
の数が少なくとも約６０％、更に好ましくは少なくとも
８０％となるようにする。好ましくは、プロセスガスの
体積流量比Ｖｒと電力比Ｐｒを選択して、エッチャント
ガスをイオン化して、分解Ｃｌ+プラズマイオンと非分
解Ｃｌ2 +イオンとを生成する質量比を少なくとも約０．
６：１、更に好ましくは少なくとも約１：１となるよう
にする。分解Ｃｌ+プラズマイオン 対 非分解Ｃｌ2 +イ
オンとの比が高くなれば、良好なエッチレイトを与えつ
つ、基板２５上のエッチャント残留物の実質的に全てを
取り除くことが見出された。塩素含有ガスが過剰にある
場合は、多成分アロイ２０の第１の成分（例えばアルミ
ニウム）が、第２の成分（例えば珪素及び銅）よりも高
い速度でエッチングを受け、その結果、基板２５上にエ
ッチャント残留物を形成する。不活性なガスが過剰にあ
る場合は、基板２５上のレジスト過剰にスパッタリング
してしまい、その結果、レジストのファセティングが生
じ、酸化物が失われ、プロファイルマイクロローディン
グが高くなってしまう。体積流量比Ｖｒと電力比Ｐｒと
を選択して組み合わせることにより、プラズマイオンの
全数又は運動衝突エネルギーを増加させずに、形成され
る分解イオンの数を増加させると考えられている。この
プラズマの化学により、多成分アロイ２０の第１の成分
のエッチングを、第２の成分のエッチングの速度と実質
的に等しいエッチレイトで行うことが可能となり、これ
により、基板２５上にエッチャント残留物を形成するこ
となく、高いエッチレイトで多成分アロイ２０エッチン
グできるようになる。
【００２５】インダクタコイルプラズマジェネレータに
与えられるＲＦ電流の周波数は、約４００ｋＨｚ〜１
３．５６ＭＨｚであってもよい。低い周波数の電流を用
いることが好ましく、この周波数は約６ＭＨｚ未満であ
り、更に好ましくは約１〜３ＭＨｚであり、最も好まし
くは約２ＭＨｚであり、これは米国特許出願第０８／３
０７，８７０号に記載される通りである。このような低
い周波数では、プラズマ電源からの容量結合が低減し、
プラズマソース電力レベルを約７５０ワット以上に、更
に好ましくは１０００〜１６００ワットに上げることが
できるようになる。これにより、プラズマイオンの運動
衝突エネルギーをさほど上げずに、高密度誘導結合プラ
ズマが与えられる。また、この様な条件では、エッチャ
ントガスの濃度を約８０％に上げることにより、高いエ
ッチレイトと、良好なエッチング均一性と、プロファイ
ルマイクロローディングの低減と、基板２５上のエッチ
ャント残留物の低減とを提供することができる。本発明
のこの特徴に従い、低いＲＦ周波数の電流を、高い電力
レベルでインダクタコイルプラズマジェネレータ５５に
印加することにより、プラズマイオンの運動エネルギー
を上げずに、プラズマソース電力が少なくとも１．５倍
上がる。更に好ましくは、６ＭＨｚより高い周波数、更
に典型的には約１３．５６ＭＨｚの周波数を有するＲＦ
電圧をプラズマ電極５７ａ、５７ｂに印加することによ
り、インダクタコイルとプラズマ電極とが全く異なる周
波数で動作するため、ＲＦの干渉とＲＦ整合の不安定性
とが防止される。
与えられるＲＦ電流の周波数は、約４００ｋＨｚ〜１
３．５６ＭＨｚであってもよい。低い周波数の電流を用
いることが好ましく、この周波数は約６ＭＨｚ未満であ
り、更に好ましくは約１〜３ＭＨｚであり、最も好まし
くは約２ＭＨｚであり、これは米国特許出願第０８／３
０７，８７０号に記載される通りである。このような低
い周波数では、プラズマ電源からの容量結合が低減し、
プラズマソース電力レベルを約７５０ワット以上に、更
に好ましくは１０００〜１６００ワットに上げることが
できるようになる。これにより、プラズマイオンの運動
衝突エネルギーをさほど上げずに、高密度誘導結合プラ
ズマが与えられる。また、この様な条件では、エッチャ
ントガスの濃度を約８０％に上げることにより、高いエ
ッチレイトと、良好なエッチング均一性と、プロファイ
ルマイクロローディングの低減と、基板２５上のエッチ
ャント残留物の低減とを提供することができる。本発明
のこの特徴に従い、低いＲＦ周波数の電流を、高い電力
レベルでインダクタコイルプラズマジェネレータ５５に
印加することにより、プラズマイオンの運動エネルギー
を上げずに、プラズマソース電力が少なくとも１．５倍
上がる。更に好ましくは、６ＭＨｚより高い周波数、更
に典型的には約１３．５６ＭＨｚの周波数を有するＲＦ
電圧をプラズマ電極５７ａ、５７ｂに印加することによ
り、インダクタコイルとプラズマ電極とが全く異なる周
波数で動作するため、ＲＦの干渉とＲＦ整合の不安定性
とが防止される。
【００２６】好ましくは、エッチャントガス 対 不活性
なガスの体積流量比Ｖｒと電力比Ｐｒとを選択して、エ
ッチングした表面形状３０の側壁がスムーズな表面を有
し且つ基板２５に対して少なくとも約８５゜の角度
（α）を形成するようにし、また、多成分アロイ２０エ
ッチングの速度とレジスト４５のエッチング速度との比
が約２．５より高く、更に好ましくは３より高くなるよ
うにする。また、バリア層３５が多成分層２０の下に堆
積している場合は、体積流量比Ｖｒと電力比Ｐｒとを選
択して、多成分アロイ層２０のエッチレイトがバリア層
３５のエッチレイトの少なくとも約５倍となるようにす
る。バリア層３５のエッチレイトが低いため、エッチン
グがバリア層３５を貫くことなく、バリア層３５へのエ
ッチングを停止することができる。従って、多成分層２
０のエッチレイトが約５００ｎｍ／ｍｉｎ．である場合
は、バリア層３５のエッチレイトは約１００ｎｍ／ｍｉ
ｎ．よりも低くあるべきである。
なガスの体積流量比Ｖｒと電力比Ｐｒとを選択して、エ
ッチングした表面形状３０の側壁がスムーズな表面を有
し且つ基板２５に対して少なくとも約８５゜の角度
（α）を形成するようにし、また、多成分アロイ２０エ
ッチングの速度とレジスト４５のエッチング速度との比
が約２．５より高く、更に好ましくは３より高くなるよ
うにする。また、バリア層３５が多成分層２０の下に堆
積している場合は、体積流量比Ｖｒと電力比Ｐｒとを選
択して、多成分アロイ層２０のエッチレイトがバリア層
３５のエッチレイトの少なくとも約５倍となるようにす
る。バリア層３５のエッチレイトが低いため、エッチン
グがバリア層３５を貫くことなく、バリア層３５へのエ
ッチングを停止することができる。従って、多成分層２
０のエッチレイトが約５００ｎｍ／ｍｉｎ．である場合
は、バリア層３５のエッチレイトは約１００ｎｍ／ｍｉ
ｎ．よりも低くあるべきである。
【００２７】適切な塩素含有エッチャントガスの選択
は、エッチングしようとする多成分アロイ層２０の組成
に依存する。多成分アロイ層２０に対しては、適切な塩
素含有エッチャントガスには、Ｃｌ2、ＨＣｌ、ＢＣ
ｌ3、ＨＢｒ、ＣＣｌ4、ＳｉＣｌ4及びこれらの混合物
が含まれる。エッチャントガスは、印加された電界の中
でイオン化して分解Ｃｌ+プラズマイオンと非分解Ｃｌ2
+イオンとを生成し、これらがアルミニウムと反応して
揮発性の塩化アルミニウムを生成し、これはチャンバ５
０から排気される。本発明は、アルミニウム含有層のエ
ッチングのために用いる塩素含有エッチャントガスを用
いて例示しているが、エッチャントガスは、分解して分
解イオンを生成しこれが多成分アロイ層２０と化学反応
を生じて、プロセスチャンバ５０から排気可能な揮発性
種を生成するようなあらゆるエッチャントガスを用いる
ことができることが理解されるべきである。例えば、エ
ッチャントガスは、Ｆ、ＮＦ3、ＨＦ、ＣＨＦ3、ＣＯＨ
2Ｆ2、ＣＨ3Ｆ、ＣＦ2Ｃｌ2、ＳＦ6、ＣＦＣｌ3、ＣＦ4
又はＳｉＣｌ4等の、他のハロゲン含有ガスを備えてい
てもよい。従って、本発明は、発明の例示に用いた塩素
含有エッチャントガスに限定されるものではない。ま
た、エッチャントガスは、(i)基板２５の表面の「自
然」酸化物膜のエッチングと、(ii)基板２５上のエッチ
ングされた表面形状３０の側壁上にパッシベーション層
を形成して表面形状３０の等方的エッチングを防止する
こととに、適していることが好ましい。Ｎ2、ＨＣｌ、
ＣＨＦ3、ＣＦ4、ＣＨ4及びこれらの混合物等のガスパ
ッシベータをプロセスガスに添加してエッチレイトを制
御することも可能である。
は、エッチングしようとする多成分アロイ層２０の組成
に依存する。多成分アロイ層２０に対しては、適切な塩
素含有エッチャントガスには、Ｃｌ2、ＨＣｌ、ＢＣ
ｌ3、ＨＢｒ、ＣＣｌ4、ＳｉＣｌ4及びこれらの混合物
が含まれる。エッチャントガスは、印加された電界の中
でイオン化して分解Ｃｌ+プラズマイオンと非分解Ｃｌ2
+イオンとを生成し、これらがアルミニウムと反応して
揮発性の塩化アルミニウムを生成し、これはチャンバ５
０から排気される。本発明は、アルミニウム含有層のエ
ッチングのために用いる塩素含有エッチャントガスを用
いて例示しているが、エッチャントガスは、分解して分
解イオンを生成しこれが多成分アロイ層２０と化学反応
を生じて、プロセスチャンバ５０から排気可能な揮発性
種を生成するようなあらゆるエッチャントガスを用いる
ことができることが理解されるべきである。例えば、エ
ッチャントガスは、Ｆ、ＮＦ3、ＨＦ、ＣＨＦ3、ＣＯＨ
2Ｆ2、ＣＨ3Ｆ、ＣＦ2Ｃｌ2、ＳＦ6、ＣＦＣｌ3、ＣＦ4
又はＳｉＣｌ4等の、他のハロゲン含有ガスを備えてい
てもよい。従って、本発明は、発明の例示に用いた塩素
含有エッチャントガスに限定されるものではない。ま
た、エッチャントガスは、(i)基板２５の表面の「自
然」酸化物膜のエッチングと、(ii)基板２５上のエッチ
ングされた表面形状３０の側壁上にパッシベーション層
を形成して表面形状３０の等方的エッチングを防止する
こととに、適していることが好ましい。Ｎ2、ＨＣｌ、
ＣＨＦ3、ＣＦ4、ＣＨ4及びこれらの混合物等のガスパ
ッシベータをプロセスガスに添加してエッチレイトを制
御することも可能である。
【００２８】適切な不活性なガスには、アルゴン、キセ
ノン、クリプトン及びネオンが含まれる。不活性なガス
は印加された電界の中でイオン化して、一次エッチャン
トの分解を促進する役割を果たす多数のイオン化準安定
状態を形成する事が好ましい。また、不活性なガスが広
い範囲の励起エネルギーを有して、エッチャントガスお
分解を促進するエネルギー移動反応が励起不活性ガスと
一次エッチャントガスとの間に生じることができるよう
にすることが望ましい。
ノン、クリプトン及びネオンが含まれる。不活性なガス
は印加された電界の中でイオン化して、一次エッチャン
トの分解を促進する役割を果たす多数のイオン化準安定
状態を形成する事が好ましい。また、不活性なガスが広
い範囲の励起エネルギーを有して、エッチャントガスお
分解を促進するエネルギー移動反応が励起不活性ガスと
一次エッチャントガスとの間に生じることができるよう
にすることが望ましい。
【００２９】プロセスガスは塩素とアルゴンとを、体積
流量比Ｖｒが約４：１〜約１：４で備えていることが好
ましく、更に好ましくは１．５：１〜１：１である。こ
のプロセスガスの組成は、高いエッチレイトを提供し、
基板２５上に残留する残留物がほとんどないし全くなく
なり、３より高いエッチング選択比を提供する。エッチ
ャントガスは、Ｃｌ2とＢＣｌ3とを、体積流量比が１
０：１〜１：１で有している事が更に好ましい。このプ
ロセスガスの組成では、５００〜１０００ｎｍ／ｍｉ
ｎ．の高いエッチレイトを提供し、側壁の角度が８５゜
〜９０゜の実質的に垂直な表面形状３０を提供し、２．
５より高いエッチング選択性を提供する。ここに説明し
たプロセスチャンバ５０に対して、適切な塩素の流量
は、約４０ｓｃｃｍ〜約２５０ｓｃｃｍ、好ましくは７
０〜１８５ｓｃｃｍであり；アルゴンの適切な流量は、
約１０〜約１５０ｓｃｃｍ、好ましくは５０〜１００ｓ
ｃｃｍであり、ＢＣｌ3の適切な流量は、約１０〜約１
５０ｓｃｃｍ、好ましくは１０〜６０ｓｃｃｍである。
実際のプロセスガスの流量はチャンバ５０の容量に依存
し、従って本発明の範囲はここに列挙した流量に制限さ
れるものではないことが理解されるべきである。
流量比Ｖｒが約４：１〜約１：４で備えていることが好
ましく、更に好ましくは１．５：１〜１：１である。こ
のプロセスガスの組成は、高いエッチレイトを提供し、
基板２５上に残留する残留物がほとんどないし全くなく
なり、３より高いエッチング選択比を提供する。エッチ
ャントガスは、Ｃｌ2とＢＣｌ3とを、体積流量比が１
０：１〜１：１で有している事が更に好ましい。このプ
ロセスガスの組成では、５００〜１０００ｎｍ／ｍｉ
ｎ．の高いエッチレイトを提供し、側壁の角度が８５゜
〜９０゜の実質的に垂直な表面形状３０を提供し、２．
５より高いエッチング選択性を提供する。ここに説明し
たプロセスチャンバ５０に対して、適切な塩素の流量
は、約４０ｓｃｃｍ〜約２５０ｓｃｃｍ、好ましくは７
０〜１８５ｓｃｃｍであり；アルゴンの適切な流量は、
約１０〜約１５０ｓｃｃｍ、好ましくは５０〜１００ｓ
ｃｃｍであり、ＢＣｌ3の適切な流量は、約１０〜約１
５０ｓｃｃｍ、好ましくは１０〜６０ｓｃｃｍである。
実際のプロセスガスの流量はチャンバ５０の容量に依存
し、従って本発明の範囲はここに列挙した流量に制限さ
れるものではないことが理解されるべきである。
【００３０】
【実施例】以下の実施例は、半導体基板２５の処理のた
めの本発明の装置及び方法を用いて例示する。しかし、
この装置及び方法は、当業者に自明な他の用途に用いる
こともできる。従って、本発明の範囲は、ここに記載す
る例示の実施例に限定されるべきではない。
めの本発明の装置及び方法を用いて例示する。しかし、
この装置及び方法は、当業者に自明な他の用途に用いる
こともできる。従って、本発明の範囲は、ここに記載す
る例示の実施例に限定されるべきではない。
【００３１】（実施例１）実施例１では、電力比Ｐｒが
約８．３で一定でアルゴン 対 塩素の流量比を上げるこ
とにより、プラズマ中のイオンの総数を増加させること
なく、分解塩素イオン（Ｃｌ+）の数が非分解塩素イオ
ン（Ｃｌ2 +）に対して増加することを例証する。この実
施例では、アルミニウム、塩素とアルゴンを様々なプロ
セスガス流量比で用いて、珪素及び銅を備える多成分ア
ロイ層２０のエッチングを行った。塩素の流量はこれら
の実施例では、体積流量比Ｖｒが約１のときに塩素の流
量を７５ｓｃｃｍに維持したのを除いて、１００ｓｃｃ
ｍに維持された。プロセスチャンバ５０は、圧力１０ミ
リトールに維持された。電力レベル約１０００ワットの
ＲＦ電流をインダクタコイルプラズマジェネレータ５５
に印加し、電力レベル約１２０ワットのＲＦ電流をプラ
ズマ電極５７ａ、５７ｂに印加した。
約８．３で一定でアルゴン 対 塩素の流量比を上げるこ
とにより、プラズマ中のイオンの総数を増加させること
なく、分解塩素イオン（Ｃｌ+）の数が非分解塩素イオ
ン（Ｃｌ2 +）に対して増加することを例証する。この実
施例では、アルミニウム、塩素とアルゴンを様々なプロ
セスガス流量比で用いて、珪素及び銅を備える多成分ア
ロイ層２０のエッチングを行った。塩素の流量はこれら
の実施例では、体積流量比Ｖｒが約１のときに塩素の流
量を７５ｓｃｃｍに維持したのを除いて、１００ｓｃｃ
ｍに維持された。プロセスチャンバ５０は、圧力１０ミ
リトールに維持された。電力レベル約１０００ワットの
ＲＦ電流をインダクタコイルプラズマジェネレータ５５
に印加し、電力レベル約１２０ワットのＲＦ電流をプラ
ズマ電極５７ａ、５７ｂに印加した。
【００３２】図３は、(i)プラズマ中の分解Ｃｌ+プラズ
マイオンと非分解Ｃｌ2 +イオンとの比の変化と、(ii)プ
ラズマのイオン総数の変化を、塩素 対 アルゴンの体積
流量比の増加量の関数として示すグラフである。ここ
で、イオンとは、電子を失ったり得たりすることにより
正味の電荷を得た原子又は分子を意味する。電力比Ｐｒ
約８．３でアルゴン 対 塩素の体積流量比を増加するこ
とにより、チャンバ５０内のイオンの総数を増加させる
ことなく、分解塩素イオン（Ｃｌ+）の数が非分解塩素
イオン（Ｃｌ2 +）に対して増加することがわかる。アル
ゴン 対 塩素の流量比を０から１に上げることにより、
分解塩素Ｃｌ+イオンの量が非分解塩素Ｃｌ2 +イオンに
対して０．４〜１に増加し、イオンの総数は４Ｘ１０+6
ｃ／ｓで実質的に一定のままである。
マイオンと非分解Ｃｌ2 +イオンとの比の変化と、(ii)プ
ラズマのイオン総数の変化を、塩素 対 アルゴンの体積
流量比の増加量の関数として示すグラフである。ここ
で、イオンとは、電子を失ったり得たりすることにより
正味の電荷を得た原子又は分子を意味する。電力比Ｐｒ
約８．３でアルゴン 対 塩素の体積流量比を増加するこ
とにより、チャンバ５０内のイオンの総数を増加させる
ことなく、分解塩素イオン（Ｃｌ+）の数が非分解塩素
イオン（Ｃｌ2 +）に対して増加することがわかる。アル
ゴン 対 塩素の流量比を０から１に上げることにより、
分解塩素Ｃｌ+イオンの量が非分解塩素Ｃｌ2 +イオンに
対して０．４〜１に増加し、イオンの総数は４Ｘ１０+6
ｃ／ｓで実質的に一定のままである。
【００３３】分解Ｃｌ+プラズマイオンの数と非分解Ｃ
ｌ2 +イオンの数の測定は、"The EQPMass Spectrometer
for Plasma Diagnosis and Reserch," （「プラズマ診
断及び研究のためのＥＱＰ質量分析器」）、Hiden Anal
ytical(1995)に記載されるように、英国ウォーリントン
の Hiden Analytical 社から商業的な入手可能であるＥ
ＱＰ質量分析器を用いて行われた。このＥＱＰ質量分析
器は、静電セクタエネルギーアナライザに四重のフィル
タを組み合わせたものである。正イオン又は負イオンの
動作のために構成することができるパルスカウンティン
グ電子マルチプライヤを、イオン検出のために用いる。
この分析器は、プラズマイオン及び中性子に対して高い
ダイナミックレンジ、典型的には１０6 を与える。
ｌ2 +イオンの数の測定は、"The EQPMass Spectrometer
for Plasma Diagnosis and Reserch," （「プラズマ診
断及び研究のためのＥＱＰ質量分析器」）、Hiden Anal
ytical(1995)に記載されるように、英国ウォーリントン
の Hiden Analytical 社から商業的な入手可能であるＥ
ＱＰ質量分析器を用いて行われた。このＥＱＰ質量分析
器は、静電セクタエネルギーアナライザに四重のフィル
タを組み合わせたものである。正イオン又は負イオンの
動作のために構成することができるパルスカウンティン
グ電子マルチプライヤを、イオン検出のために用いる。
この分析器は、プラズマイオン及び中性子に対して高い
ダイナミックレンジ、典型的には１０6 を与える。
【００３４】（実施例２及び３）実施例２及び３は、体
積流量比Ｖｒ及び電力比Ｐｒを選択することにより、平
均プラズマイオン流束が増加し、プラズマＤＣ電圧が一
定に維持され、プラズマイオンの平均エネルギーがより
低い値に実際に移行することを例証する。
積流量比Ｖｒ及び電力比Ｐｒを選択することにより、平
均プラズマイオン流束が増加し、プラズマＤＣ電圧が一
定に維持され、プラズマイオンの平均エネルギーがより
低い値に実際に移行することを例証する。
【００３５】これら両方の実施例では、基板２５上にア
ルミニウムと珪素と銅とを備える多成分アロイ２０をエ
ッチングした。チャンバ５０は、圧力１０ミリトールに
維持された。電力が約１０００ワットのＲＦ電流をイン
ダクタコイルプラズマジェネレータ５５に印加し、１２
０ワットのＲＦ電流をプラズマ電極５７ａ、５７ｂに印
加した。
ルミニウムと珪素と銅とを備える多成分アロイ２０をエ
ッチングした。チャンバ５０は、圧力１０ミリトールに
維持された。電力が約１０００ワットのＲＦ電流をイン
ダクタコイルプラズマジェネレータ５５に印加し、１２
０ワットのＲＦ電流をプラズマ電極５７ａ、５７ｂに印
加した。
【００３６】実施例２では、塩素１００ｓｃｃｍと、Ｂ
Ｃｌ3 ４５ｓｃｃｍと、アルゴン１３ｓｃｃｍとを備え
るプロセスガスを用い、チャンバ５０を１０ミリトール
の圧力に維持した。電力が約１０００ワットのＲＦ電流
をインダクタコイル６４に印加し、１００ワットのＲＦ
電流をプラズマ電極７０、７２に印加した。図４には、
アルゴン 対 塩素の体積流量比を上げれば、プラズマの
平均イオン流束が約１．８ ｍÅ／ｃｍ2 から２．３ ｍ
Å／ｃｍ2 まで上昇したことが示される。
Ｃｌ3 ４５ｓｃｃｍと、アルゴン１３ｓｃｃｍとを備え
るプロセスガスを用い、チャンバ５０を１０ミリトール
の圧力に維持した。電力が約１０００ワットのＲＦ電流
をインダクタコイル６４に印加し、１００ワットのＲＦ
電流をプラズマ電極７０、７２に印加した。図４には、
アルゴン 対 塩素の体積流量比を上げれば、プラズマの
平均イオン流束が約１．８ ｍÅ／ｃｍ2 から２．３ ｍ
Å／ｃｍ2 まで上昇したことが示される。
【００３７】実施例３では、２つの異なるプロセスガス
組成が用いられた。第１のガス組成（図５の黒丸に対
応）は、塩素１００ｓｃｃｍとＢＣｌ3 ４５ｓｃｃｍを
備え、アルゴンは含んでいないものであった。第２のガ
ス組成（図５の白四角に対応）は、塩素１００ｓｃｃｍ
と、ＢＣｌ3 ４５ｓｃｃｍと、アルゴン１３ｓｃｃｍと
を備えたものであった。図５は、２つの異なるプロセス
ガス組成に対するプラズマイオンエネルギー分布の変化
を示し、体積流量比Ｖｒと電界束Ｅｆとを選択すること
により、エッチャントプラズマが、イオンエネルギーの
メディアン値が低い方へ移行するような分布を有するよ
うになる。
組成が用いられた。第１のガス組成（図５の黒丸に対
応）は、塩素１００ｓｃｃｍとＢＣｌ3 ４５ｓｃｃｍを
備え、アルゴンは含んでいないものであった。第２のガ
ス組成（図５の白四角に対応）は、塩素１００ｓｃｃｍ
と、ＢＣｌ3 ４５ｓｃｃｍと、アルゴン１３ｓｃｃｍと
を備えたものであった。図５は、２つの異なるプロセス
ガス組成に対するプラズマイオンエネルギー分布の変化
を示し、体積流量比Ｖｒと電界束Ｅｆとを選択すること
により、エッチャントプラズマが、イオンエネルギーの
メディアン値が低い方へ移行するような分布を有するよ
うになる。
【００３８】（実施例４〜６）インダクタコイルプラズ
マジェネレータ５５へ印加するＲＦ電流の周波数の重要
性が、図６及び７で例証される。図６は、インダクタコ
イルに印加するＲＦ電流の周波数を変えることによるア
ルゴンスパッタリング速度の変化を示すグラフである。
図６は、基板２５上のシリコン酸化物層のアルゴンスパ
ッタリング速度が、以下の２つの方法で低くなる：(i)
第１に、スパッタリング速度は、プラズマソース電力の
全てのレベルで、２ＭＨｚの場合の方が１３．５６ＭＨ
ｚの場合よりも低い；(ii)第２に、２ＭＨｚでのスパッ
タリング速度は、プラズマソース電力レベルが約７５０
ワットよりも高く上昇すれば、低下する。
マジェネレータ５５へ印加するＲＦ電流の周波数の重要
性が、図６及び７で例証される。図６は、インダクタコ
イルに印加するＲＦ電流の周波数を変えることによるア
ルゴンスパッタリング速度の変化を示すグラフである。
図６は、基板２５上のシリコン酸化物層のアルゴンスパ
ッタリング速度が、以下の２つの方法で低くなる：(i)
第１に、スパッタリング速度は、プラズマソース電力の
全てのレベルで、２ＭＨｚの場合の方が１３．５６ＭＨ
ｚの場合よりも低い；(ii)第２に、２ＭＨｚでのスパッ
タリング速度は、プラズマソース電力レベルが約７５０
ワットよりも高く上昇すれば、低下する。
【００３９】図７は、インダクタコイルプラズマジェネ
レータ５５に印加するＲＦ電流の周波数を変えることに
よるレジストエッチレイトの変化を示すグラフである。
従来技術では、プラズマ電力レベルが１０００ワットを
越えて上昇すれば、レジストエッチング速度が有害なほ
どに上昇することが予想されるが、２ＭＨｚという低い
ＲＦ周波数ではこの様なレジストエッチレイトはみられ
ず、何故なら、この周波数ではプラズマの容量結合は低
いからである。図７では、２ＭＨｚでのレジストエッチ
レイトは、広い範囲のプラズマソース電力レベルで、１
３.５６ＭＨｚでのエッチレイトよりも低いことがわか
る。
レータ５５に印加するＲＦ電流の周波数を変えることに
よるレジストエッチレイトの変化を示すグラフである。
従来技術では、プラズマ電力レベルが１０００ワットを
越えて上昇すれば、レジストエッチング速度が有害なほ
どに上昇することが予想されるが、２ＭＨｚという低い
ＲＦ周波数ではこの様なレジストエッチレイトはみられ
ず、何故なら、この周波数ではプラズマの容量結合は低
いからである。図７では、２ＭＨｚでのレジストエッチ
レイトは、広い範囲のプラズマソース電力レベルで、１
３.５６ＭＨｚでのエッチレイトよりも低いことがわか
る。
【００４０】ここまで本発明を好ましい態様に関して説
明してきたが、他の態様も可能である。例えば、塩素含
有ガスや不活性なガスと機能が等価であるようなガスを
用いることも可能である。従って、添付の特許請求の範
囲は、ここにある好ましい態様の説明に限定されるべき
でない。
明してきたが、他の態様も可能である。例えば、塩素含
有ガスや不活性なガスと機能が等価であるようなガスを
用いることも可能である。従って、添付の特許請求の範
囲は、ここにある好ましい態様の説明に限定されるべき
でない。
【図１】（ａ）（従来技術）は、傾斜する側壁を有する
エッチングされた表面形状と基板上へのエッチャント残
留物の形成とを示す、従来技術の基板の縦断面図であ
る。（ｂ）は、基板上にエッチャント残留物が実質的に
なく実質的に異方的にエッチングされた表面形状を示
す、本発明に従った基板の縦断面図である。
エッチングされた表面形状と基板上へのエッチャント残
留物の形成とを示す、従来技術の基板の縦断面図であ
る。（ｂ）は、基板上にエッチャント残留物が実質的に
なく実質的に異方的にエッチングされた表面形状を示
す、本発明に従った基板の縦断面図である。
【図２】本発明のプロセスを実施するために適するプロ
セスチャンバの縦断面図である。
セスチャンバの縦断面図である。
【図３】(i)分解塩素イオンの数 対 非分解塩素イオン
の数の比と、(ii)アルゴン 対塩素の体積流量比を上げ
るための、プラズマ中の全イオン数と、を示すグラフで
ある。
の数の比と、(ii)アルゴン 対塩素の体積流量比を上げ
るための、プラズマ中の全イオン数と、を示すグラフで
ある。
【図４】(i)プラズマ中のイオン流束の変化と、(ii)ア
ルゴン 対 塩素の体積流量比を上げるための、プラズマ
の電圧の変化と、を示すグラフである。
ルゴン 対 塩素の体積流量比を上げるための、プラズマ
の電圧の変化と、を示すグラフである。
【図５】アルゴン 対 塩素の体積流量比を上げるため
の、プラズマのイオンエネルギーの分布の変化を示すグ
ラフである。
の、プラズマのイオンエネルギーの分布の変化を示すグ
ラフである。
【図６】インダクタコイルプラズマジェネレータに与え
られるＲＦ電流の周波数が異なる場合の、アルゴンスパ
ッタリング速度の変化を示すグラフである。
られるＲＦ電流の周波数が異なる場合の、アルゴンスパ
ッタリング速度の変化を示すグラフである。
【図７】インダクタコイルプラズマジェネレータに与え
られるＲＦ電流の周波数が異なる場合の、レジストエッ
チレイトの変化を示すグラフである。
られるＲＦ電流の周波数が異なる場合の、レジストエッ
チレイトの変化を示すグラフである。
１０…導電性表面形状、１１…半導体基板、１２…層、
１３…レジスト、１４…パッシベーション層、１５…エ
ッチャント残留物、２０…多成分アロイ層、２５…基
板、３０…導電表面形状、３５…拡散バリア層、４０…
反射防止層、４５…エッチングレジスト、５０…プロセ
スチャンバ、５５…プラズマジェネレータ、５７…電
極、６０…プラズマ電極、６２…天井部、６３…側壁、
６４…中心、６５…ガスディストリビュータ、６６…側
壁、６８…ＲＦ電源、７０，７２…プラズマ電極、７４
…排気システム、７６…スロットルバルブ。
１３…レジスト、１４…パッシベーション層、１５…エ
ッチャント残留物、２０…多成分アロイ層、２５…基
板、３０…導電表面形状、３５…拡散バリア層、４０…
反射防止層、４５…エッチングレジスト、５０…プロセ
スチャンバ、５５…プラズマジェネレータ、５７…電
極、６０…プラズマ電極、６２…天井部、６３…側壁、
６４…中心、６５…ガスディストリビュータ、６６…側
壁、６８…ＲＦ電源、７０，７２…プラズマ電極、７４
…排気システム、７６…スロットルバルブ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田島 大輔 日本国千葉県成田市新泉14−３野毛平工業 団地内 アプライド マテリアルズ ジャ パン 株式会社内 (72)発明者 アレン ザオ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， マウンテン ヴュー， カリフォルニア ストリート 1900， ナンバー６ (72)発明者 ピーター ケー． ローヴェンハート アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， ペッパー ツリー レ ーン 812−900 (72)発明者 ティモシー アール． ウェッブ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン フランシスコ， チェスナット ス トリート 1207， ナンバー５
Claims (35)
- 【請求項１】 基板上にエッチャント残留物を実質的に
形成せずに基板上の多成分アロイをエッチングする方法
であって、 （ａ）プラズマジェネレータとプラズマ電極とを備える
プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、 （ｂ）(i)イオン化して分解Ｃｌ+プラズマイオンと非分
解Ｃｌ2 + プラズマイオンとを生成することが可能な塩
素含有ガスと、(ii)塩素含有ガスの分解を促進すること
が可能な不活性なガスとの体積流量比Ｖｒを備えるプロ
セスガスを、プロセスチャンバ内に導入するステップ
と、 （ｃ）(i)プラズマジェネレータに第１の電力レベルで
ＲＦ電流を与え、(ii)プラズマ電極に第２の電力レベル
でＲＦ電流を与えることにより、プロセスガスをイオン
化して、基板にエネルギーをもって入射するプラズマイ
オンを生成するステップとを有し、(i)第１の電力レベ
ル 対 第２の電力レベルの電力比Ｐｒと(ii)プロセスガ
スの体積流量比Ｖｒとを選択して、塩素含有エッチャン
トガスがイオン化して分解Ｃｌ+プラズマイオンと非分
解Ｃｌ2 +イオンとを数の比が少なくとも約０．６：１と
なるように生成し、これにより、基板上のエッチャント
残留物を実質的に形成することなく、基板上の多成分ア
ロイを少なくとも約５００ｎｍ／ｍｉｎ．のエッチレイ
トでエッチングする方法。 - 【請求項２】基板上の多成分アロイが、第２の成分と、
第２の成分よりも反応性が実質的に高い第１の成分とを
備え、また、第２の成分のエッチングの速度と実質的に
等価なエッチレイトで第１の成分がエッチングされるよ
うに、体積流量比Ｖｒと電力比Ｐｒとが選択される請求
項１に記載の方法。 - 【請求項３】 多成分アロイがエッチングを受けて側壁
を有する表面形状を形成し、ここで、表面形状の側壁が
基板と少なくとも約８５゜の角度を形成するように、体
積流量比Ｖｒと電力比Ｐｒとが選択される請求項１に記
載の方法。 - 【請求項４】 多成分アロイが自身の上にレジストを備
え、多成分アロイのエッチング速度 対 レジストのエッ
チング速度の比が少なくとも約２．５となるように、体
積流量比Ｖｒと電力比Ｐｒとを選択する請求項１に記載
の方法。 - 【請求項５】 塩素含有ガスがイオン化して、分解Ｃｌ
+プラズマイオンと非分解Ｃｌ2 +イオンとを数の比が少
なくとも約１：１となるように生成する請求項１に記載
の方法。 - 【請求項６】 基板が多成分アロイの下にバリア層を備
え、バリア層のエッチレイトが約１００ｎｍ／分未満と
なるように、体積流量比Ｖｒと電力比Ｐｒとが選択され
る請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 塩素含有ガス 対 不活性なガスの体積流
量比Ｖｒが、約４：１〜約１：４である請求項１に記載
の方法。 - 【請求項８】 第１の電力レベル 対 第２の電力レベル
の電力比Ｐｒが少なくとも約４：１である請求項１に記
載の方法。 - 【請求項９】 第１の電力レベル 対 第２の電力レベル
の電力比Ｐｒが少なくとも約７：１である請求項８に記
載の方法。 - 【請求項１０】 第１の電力レベルが少なくとも約７５
０ワットである請求項１に記載の方法。 - 【請求項１１】 第２の電力レベルが約５００ワット未
満である請求項１に記載の方法。 - 【請求項１２】 インダクタコイルに印加するＲＦ電流
の周波数が約６ＭＨｚ未満である請求項１に記載の方
法。 - 【請求項１３】 プラズマ電極に印加するＲＦ電流の周
波数が約６ＭＨｚよりも高い請求項１に記載の方法。 - 【請求項１４】 塩素含有ガスが、Ｃｌ2、ＨＣｌ、Ｂ
Ｃｌ3、ＨＢｒ、ＣＣｌ4、ＳｉＣｌ4及びこれらの混合
物から成る群より選択される請求項１に記載の方法。 - 【請求項１５】 不活性なガスが、アルゴンと、キセノ
ンと、ネオンとから成る群より選択される請求項１に記
載の方法。 - 【請求項１６】 プロセスガスが、Ｃｌ2と、ＢＣｌ
3と、アルゴンとから本質的に成る請求項１に記載の方
法。 - 【請求項１７】 基板上にエッチャント残留物を実質的
に形成せずに基板上の多成分アロイをプラズマエッチン
グする方法であって、 （ａ）(i)基板からの高さＨが、直径Ｄが約１５０ｍｍ
〜約３０４ｍｍの基板に対して１００ｍｍ〜１７０ｍｍ
であるような頂部を有する天井部と、(ii)天井部の下方
且つ基板の上方にプラズマを形成することが可能なプラ
ズマジェネレータとを備えるプロセスチャンバの疑似遠
隔プラズマ領域に、基板を配置するステップと、 （ｂ）(i)イオン化して分解Ｃｌ+プラズマイオンと非分
解Ｃｌ2 + プラズマイオンとを生成することが可能な塩
素含有ガスと、(ii)塩素含有ガスの分解を促進すること
が可能な不活性なガスとの体積流量比Ｖｒを備えるプロ
セスガスを、プロセスチャンバ内に導入するステップ
と、 （ｃ）疑似遠隔プラズマ領域内でプロセスガスをイオン
化して、塩素含有ガスがイオン化して分解Ｃｌ+プラズ
マイオンと非分解Ｃｌ2 +イオンとを数の比が少なくとも
約０．６：１となるように生成し、これにより、エッチ
ャント残留物を実質的に形成することなく、基板上の多
成分アロイをエッチングするステップとを有する方法。 - 【請求項１８】 ステップ（ａ）において、プロセスチ
ャンバの疑似遠隔プラズマ領域が、基板と隣接する側壁
に包囲され、且つ、少なくとも約１００００ｃｍ3 の容
量を有する請求項１７に記載の方法。 - 【請求項１９】 ステップ（ａ）において、プロセスチ
ャンバの疑似遠隔プラズマ領域が、基板から約５０〜約
１５０ｍｍの距離に位置する中心を有する請求項１８に
記載の方法。 - 【請求項２０】 ステップ（ａ）において、プロセスチ
ャンバの疑似遠隔プラズマ領域の天井部が、 （ａ）平坦状と、 （ｂ）円錐状と、 （ｃ）弓状と、 （ｄ）多半径ドーム状との少なくとも１つの形状を有す
る請求項１８に記載の方法。 - 【請求項２１】 疑似遠隔プラズマ領域内で塩素含有ガ
スがイオン化して、分解Ｃｌ+プラズマイオンと非分解
Ｃｌ2 +イオンとを数の比が少なくとも約１：１となるよ
うに生成する請求項１７に記載の方法。 - 【請求項２２】 塩素含有ガス 対 不活性なガスの体積
流量比Ｖｒが、約１：１〜約１０：１である請求項１７
に記載の方法。 - 【請求項２３】 疑似遠隔プラズマ領域に隣接するイン
ダクタコイルを備えるプラズマジェネレータに、少なく
とも約７５０ワットの第１の電力レベルを有するＲＦ電
流を印加することにより、疑似遠隔プラズマ領域内でプ
ロセスガスがイオン化される請求項１７に記載の方法。 - 【請求項２４】 疑似遠隔プラズマ領域内のプラズマ電
極に、約５００ワット未満の第２の電力レベルを有する
ＲＦ電流を印加することにより、疑似遠隔プラズマ領域
内の分解Ｃｌ+プラズマイオンと非分解Ｃｌ2 +イオンと
が基板に引き寄せられる請求項２３に記載の方法。 - 【請求項２５】 第１の電力レベル 対 第２の電力レベ
ルの電力比Ｐｒが少なくとも約４：１である請求項２４
に記載の方法。 - 【請求項２６】 第１の電力レベル 対 第２の電力レベ
ルの電力比Ｐｒが少なくとも約７：１である請求項２５
に記載の方法。 - 【請求項２７】 インダクタコイルに印加するＲＦ電流
の周波数が約６ＭＨｚ未満である請求項２３に記載の方
法。 - 【請求項２８】 プラズマ電極に印加するＲＦ電流の周
波数が約６ＭＨｚよりも高い請求項２４に記載の方法。 - 【請求項２９】 塩素含有ガスが、Ｃｌ2、ＨＣｌ、Ｂ
Ｃｌ3、ＨＢｒ、ＣＣｌ4、ＳｉＣｌ4及びこれらの混合
物から成る群より選択される請求項１７に記載の方法。 - 【請求項３０】 不活性なガスが、アルゴンと、キセノ
ンと、ネオンとから成る群より選択される請求項１７に
記載の方法。 - 【請求項３１】 エッチャント残留物を実質的に形成す
ることなく多成分アロイを備える基板をエッチングする
ための方法であって、 （ａ）基板をプロセスチャンバ内に配置するステップ
と、 （ｂ）(i)電界中で分解して分解イオンと非分解イオン
とを生成することが可能なエッチャントガスと、(ii)エ
ッチャントガスの分解を促進することが可能な不活性な
ガスとを備えるプロセスガスをプロセスチャンバ内に導
入するステップと、 （ｃ）プロセスチャンバを包囲するインダクタコイル
に、少なくとも約７５０ワットの電力レベルと、約６Ｍ
Ｈｚ未満のＲＦ周波数とを有するＲＦ電流を維持するこ
とによりプロセスガスに電界を印加して、基板上にエッ
チャント残留物を実質的に形成することなく、高いエッ
チレイトで基板上の多成分アロイをエッチングするため
に十分な、分解イオン 対 非分解イオンの高い比を得る
ステップとを備える方法。 - 【請求項３２】 エッチャントガス 対 不活性なガスの
体積流量比Ｖｒが、約１：１〜約１０：１である請求項
３１に記載の方法。 - 【請求項３３】 電界の形成が、約１〜３ＭＨｚの周波
数でＲＦ電流をインダクタコイルに印加することにより
行われる請求項３１に記載の方法。 - 【請求項３４】 インダクタコイルに印加される電力
が、少なくとも約１０００ワットである請求項３１に記
載の方法。 - 【請求項３５】 プロセスチャンバが、プラズマを基板
に引き寄せるためのプラズマ電極を備え、プロセスが更
に６ＭＨｚよりも高い周波数でＲＦ電圧をプラズマ電極
に印加するステップを備える請求項３１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/596,960 US5779926A (en) | 1994-09-16 | 1996-02-05 | Plasma process for etching multicomponent alloys |
| US08/596960 | 1996-02-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032191A true JPH1032191A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=24389459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9058241A Withdrawn JPH1032191A (ja) | 1996-02-05 | 1997-02-05 | マルチコンポーネントアロイのエッチングのためのプラズマプロセス |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5779926A (ja) |
| EP (1) | EP0788147A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1032191A (ja) |
| KR (1) | KR100443118B1 (ja) |
| TW (1) | TW316324B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002510841A (ja) * | 1998-03-31 | 2002-04-09 | ラム リサーチ コーポレーション | 並列アンテナ・トランスフォーマー・カップルド・プラズマ発生システム |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6090717A (en) * | 1996-03-26 | 2000-07-18 | Lam Research Corporation | High density plasma etching of metallization layer using chlorine and nitrogen |
| US6008139A (en) * | 1996-06-17 | 1999-12-28 | Applied Materials Inc. | Method of etching polycide structures |
| US5866483A (en) * | 1997-04-04 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | Method for anisotropically etching tungsten using SF6, CHF3, and N2 |
| US6087266A (en) * | 1997-06-27 | 2000-07-11 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for improving microloading while etching a substrate |
| US6071820A (en) * | 1997-09-30 | 2000-06-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for patterning integrated circuit conductors |
| JPH11176805A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-07-02 | Siemens Ag | 半導体装置の製造方法 |
| US6177337B1 (en) * | 1998-01-06 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Method of reducing metal voids in semiconductor device interconnection |
| US6177353B1 (en) * | 1998-09-15 | 2001-01-23 | Infineon Technologies North America Corp. | Metallization etching techniques for reducing post-etch corrosion of metal lines |
| JP2002530844A (ja) * | 1998-11-12 | 2002-09-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 残渣を残さずにアルミニウム及びその合金を異方性エッチングするための方法 |
| US6797189B2 (en) | 1999-03-25 | 2004-09-28 | Hoiman (Raymond) Hung | Enhancement of silicon oxide etch rate and nitride selectivity using hexafluorobutadiene or other heavy perfluorocarbon |
| US6544429B1 (en) | 1999-03-25 | 2003-04-08 | Applied Materials Inc. | Enhancement of silicon oxide etch rate and substrate selectivity with xenon addition |
| US20020003126A1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-01-10 | Ajay Kumar | Method of etching silicon nitride |
| US6383938B2 (en) | 1999-04-21 | 2002-05-07 | Alcatel | Method of anisotropic etching of substrates |
| US6352081B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-03-05 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a semiconductor device processing chamber after a copper etch process |
| JP2001035808A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線およびその作製方法、この配線を備えた半導体装置、ドライエッチング方法 |
| US6402974B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Method for etching polysilicon to have a smooth surface |
| US6399507B1 (en) * | 1999-09-22 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Stable plasma process for etching of films |
| US6613682B1 (en) | 1999-10-21 | 2003-09-02 | Applied Materials Inc. | Method for in situ removal of a dielectric antireflective coating during a gate etch process |
| US7013834B2 (en) * | 2002-04-19 | 2006-03-21 | Nordson Corporation | Plasma treatment system |
| US7541283B2 (en) * | 2002-08-30 | 2009-06-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
| US7270761B2 (en) * | 2002-10-18 | 2007-09-18 | Appleid Materials, Inc | Fluorine free integrated process for etching aluminum including chamber dry clean |
| US7262137B2 (en) * | 2004-02-18 | 2007-08-28 | Northrop Grumman Corporation | Dry etching process for compound semiconductors |
| US20050241671A1 (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Dong Chun C | Method for removing a substance from a substrate using electron attachment |
| US20060075968A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-13 | Applied Materials, Inc. | Leak detector and process gas monitor |
| TWI333808B (en) * | 2005-05-05 | 2010-11-21 | Himax Tech Inc | A method of manufacturing a film printed circuit board |
| US7695633B2 (en) * | 2005-10-18 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Independent control of ion density, ion energy distribution and ion dissociation in a plasma reactor |
| KR100831572B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2008-05-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 배선 형성방법 |
| US7727413B2 (en) * | 2006-04-24 | 2010-06-01 | Applied Materials, Inc. | Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source to control plasma ion density |
| US20070245958A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source for controlling ion radial distribution |
| US7780864B2 (en) * | 2006-04-24 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Process using combined capacitively and inductively coupled plasma sources for controlling plasma ion radial distribution |
| US20070246163A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with independent capacitive and inductive plasma sources |
| US20070246443A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Process using combined capacitively and inductively coupled plasma process for controlling plasma ion dissociation |
| US7645357B2 (en) * | 2006-04-24 | 2010-01-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with a VHF capacitively coupled plasma source of variable frequency |
| US8338273B2 (en) * | 2006-12-15 | 2012-12-25 | University Of South Carolina | Pulsed selective area lateral epitaxy for growth of III-nitride materials over non-polar and semi-polar substrates |
| US8476125B2 (en) * | 2006-12-15 | 2013-07-02 | University Of South Carolina | Fabrication technique for high frequency, high power group III nitride electronic devices |
| US8076778B2 (en) * | 2009-09-30 | 2011-12-13 | Macronix International Co., Ltd. | Method for preventing Al-Cu bottom damage using TiN liner |
| US8796097B2 (en) | 2012-04-26 | 2014-08-05 | University Of South Carolina | Selectively area regrown III-nitride high electron mobility transistor |
| JP2015056578A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4256534A (en) * | 1978-07-31 | 1981-03-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Device fabrication by plasma etching |
| US4579618A (en) * | 1984-01-06 | 1986-04-01 | Tegal Corporation | Plasma reactor apparatus |
| GB2171360A (en) * | 1985-02-19 | 1986-08-28 | Oerlikon Buehrle Inc | Etching aluminum/copper alloy films |
| JP2673380B2 (ja) * | 1990-02-20 | 1997-11-05 | 三菱電機株式会社 | プラズマエッチングの方法 |
| EP0535540A3 (en) * | 1991-10-02 | 1994-10-19 | Siemens Ag | Etching process for aluminium-containing coatings |
| US5350488A (en) * | 1992-12-10 | 1994-09-27 | Applied Materials, Inc. | Process for etching high copper content aluminum films |
| US5387556A (en) * | 1993-02-24 | 1995-02-07 | Applied Materials, Inc. | Etching aluminum and its alloys using HC1, C1-containing etchant and N.sub.2 |
| US5783101A (en) * | 1994-09-16 | 1998-07-21 | Applied Materials, Inc. | High etch rate residue free metal etch process with low frequency high power inductive coupled plasma |
-
1996
- 1996-02-05 US US08/596,960 patent/US5779926A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-19 TW TW085112816A patent/TW316324B/zh active
-
1997
- 1997-01-29 EP EP97300554A patent/EP0788147A3/en not_active Withdrawn
- 1997-02-05 KR KR1019970003470A patent/KR100443118B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-02-05 JP JP9058241A patent/JPH1032191A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002510841A (ja) * | 1998-03-31 | 2002-04-09 | ラム リサーチ コーポレーション | 並列アンテナ・トランスフォーマー・カップルド・プラズマ発生システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100443118B1 (ko) | 2004-11-03 |
| KR970062080A (ko) | 1997-09-12 |
| US5779926A (en) | 1998-07-14 |
| EP0788147A3 (en) | 1997-10-29 |
| TW316324B (ja) | 1997-09-21 |
| EP0788147A2 (en) | 1997-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1032191A (ja) | マルチコンポーネントアロイのエッチングのためのプラズマプロセス | |
| US5866483A (en) | Method for anisotropically etching tungsten using SF6, CHF3, and N2 | |
| US6583065B1 (en) | Sidewall polymer forming gas additives for etching processes | |
| US6008139A (en) | Method of etching polycide structures | |
| US6110836A (en) | Reactive plasma etch cleaning of high aspect ratio openings | |
| US6475920B2 (en) | Plasma etching method using low ionization potential gas | |
| US5605601A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2915807B2 (ja) | 六弗化イオウ、臭化水素及び酸素を用いる珪化モリブデンのエッチング | |
| US4734157A (en) | Selective and anisotropic dry etching | |
| US6143649A (en) | Method for making semiconductor devices having gradual slope contacts | |
| US5880033A (en) | Method for etching metal silicide with high selectivity to polysilicon | |
| JPH1041274A (ja) | 誘電層のエッチング方法 | |
| JP2603217B2 (ja) | 表面処理方法及び表面処理装置 | |
| JPH05308062A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH1056001A (ja) | エッチング方法 | |
| Oehrlein et al. | Plasma-based dry etching techniques in the silicon integrated circuit technology | |
| JPH06151385A (ja) | ＳｉＯｘ材料をプラズマエッチングするための方法および集積回路内の層間の金属接続部を生成するための方法 | |
| US11688650B2 (en) | Etching method and substrate processing apparatus | |
| Abraham et al. | Performance of different etch chemistries on titanium nitride antireflective coating layers and related selectivity and microloading improvements for submicron geometries obtained with a high-density metal etcher | |
| JP7493378B2 (ja) | エッチング処理方法及び基板処理装置 | |
| TWI855094B (zh) | 蝕刻處理方法及基板處理裝置 | |
| Seta et al. | Profile Control of SiO2 Trench Etching for Damascene Interconnection Process | |
| Panda et al. | Effect of rare gas addition on deep trench silicon etch | |
| JPH0892768A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPH0629257A (ja) | 反応性イオン・エッチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040406 |