JPH10321764A

JPH10321764A - 配線基板

Info

Publication number: JPH10321764A
Application number: JP14356697A
Authority: JP
Inventors: Junichi Washino; 順一鷲野
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1997-05-16
Filing date: 1997-05-16
Publication date: 1998-12-04
Anticipated expiration: 2017-05-16
Also published as: JP3614277B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の裏面に金属膜を形成する手法で、キャ
スタレーション用凹部の配線層との導通をとる際におい
て、その凹部の深さを格別大きくすることなく、基板裏
面の周縁に必要なマスキングを容易に行う。【解決手段】キャスタレーション用凹部４の基板側面
２からの深さのうち、裏面２を形成する一のセラミック
層３１における深さＤｕを、この一のセラミック層以外
の複数のセラミック層３２〜３６における深さＤｈより
深くする。マスク２０１は、裏面２を形成する一のセラ
ミック層３１における凹部の深さＤｕを基準に、基板周
縁のマスキングの幅Ｍａを設定できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣパッケージ等
に用いられる配線基板に関し、詳しくはセラミック積層
タイプの配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の配線基板（以下、単に基板とも
いう）のうち高周波用のものでは、その内部配線と基板
の裏面の配線層（導電層）との導通をとるため、従来は
基板の厚さ方向に設けたビアによるのが一般であった。
しかし、こうしたビアは、タングステンやモリブデン等
の高融点金属からなるため、高抵抗となり電気的特性が
悪い。そこで、近時は図１１に示したように基板１０１
の裏面（図示上）１０２に同時焼成により配線層（同拡
大図中のダブルハッチング部）１０２ａを形成すると共
に、側面１０３に対して裏面１０２に連なるキャスタレ
ーション用凹部１０４を設けてその内面にも裏面１０２
の配線層１０２ａと同様に同時焼成により配線層（同拡
大図中のダブルハッチング部）１０４ａを形成してい
る。そして、これらの配線層の上にＮｉ（ニッケル）鍍
金及びＡｕ（金）鍍金を施して、低抵抗のキャスタレー
ションとし、基板１０１の図示しない内部配線と裏面１
０２の配線層１０２ａとの導通を確保するようにしてい
る。

【０００３】このようなキャスタレーションを備えた配
線基板１０１は、従来、次のようにして製造されてい
た。すなわち、セラミックの各グリーンシートに、必要
なビアと共にキャスタレーション用凹部（以下、単に凹
部ともいう）をなすスルーホールを穿孔、形成する。次
いで、そのシートの主面にタングステン等の高融点金属
を成分とするメタライズ（導体）ペーストを印刷（塗
布）すると共にスルーホール等に充填し、真空引きする
ことによりその内面に同ペーストを塗布する。そして、
各グリーンシートを積層、熱圧着し、キャスタレーショ
ン用凹部をなすスルーホールの中心を通る基板区画用の
境界線で切断して多数の基板とし、これらを同時焼成す
る。その後、裏面１０２の配線層１０２ａやキャスタレ
ーション用凹部１０４などの各配線層１０４ａにＮｉ鍍
金やＡｕ鍍金をすることで、配線基板完成品とするとい
うものである。

【０００４】ところが、このような製法では焼成により
基板１０１に大きな反りが発生するため、裏面１０２に
例えば５０μｍといった高度のコーポラナリティ（平滑
性ないし平面度）が要請される基板を作ることはできな
い。こうした高度のコーポラナリティの要請がある場合
には、基板裏面の配線層については同時焼成によること
なく、基板の焼成後、その裏面を研磨した後でその研磨
面にメタライズペーストを印刷して二次焼成することで
形成することが考えられる。しかし、この手法でも結
局、二次焼成による反りの発生は避けられず、満足のい
くコーポラナリティは得られない。

【０００５】このような問題に対しては、基板裏面の配
線層については同時焼成で形成することなく基板を焼
成、形成した後、基板裏面を研磨し、その後でスパッタ
リングなどの物理蒸着法でその配線層を形成する技術を
提案できる。すなわち、前記製法において基板裏面をな
すグリーンシートのその面については配線層用のメタラ
イズペーストを印刷せずにおき、このグリーンシートを
含む各グリーンシートを積層、熱圧着し、キャスタレー
ション用凹部をなすスルーホールの中心を通る基板区画
用の境界線で切断して基板単位とし、同時焼成するとい
うものである。

【０００６】こうして、裏面には配線層がないがキャス
タレーション用凹部には配線層（厚膜）を備えた配線基
板（仕掛品）を製造し、その後、基板裏面を研磨して反
りを解消する。こうすることで、基板裏面のコーポラナ
リティが確保されると共に、側面のキャスタレーション
用凹部に配線層が形成されている配線基板（仕掛品）が
得られる。次いで、その裏面にスパッタリング、真空蒸
着、イオンプレーティングなどの物理蒸着法によりＴｉ
−Ｍｏなどの配線層（金属膜）を被着、形成し、その際
の金属膜の基板の側面（以下、基板側面ともいう）への
回り込み（たれ込み）を利用して、キャスタレーション
用凹部の配線層（厚膜）との導通を確保する、というも
のである。

【０００７】ところが、図１２に示したように、スパッ
タリングなどの物理蒸着法（以下、単にスパッタリング
ともいう）により基板裏面１０２の全面に配線層（金属
膜）を形成する場合には、その金属膜１５１の基板側面
１０３への回り込みは、キャスタレーション用凹部１０
４のみならず基板の外周縁に沿う側面１０３の全体に及
ぶことになる。このような回り込みは基板裏面（配線
層）１０２と凹部１０４の配線層１０４ａの導通確保に
必要である一方、外観不良を招き、また側面１０３に露
出する異電位の内部配線（図示せず）にショートする危
険がある。したがって、金属膜１５１のこのような被着
は、これを事後的に研磨（ないし研削）などで除去する
必要があり、製造工程を複雑化させ、コストの上昇を招
いてしまう。

【０００８】そこで、凹部１０４の配線層１０４ａとの
導通確保を図り、しかもこのようなキャスタレーション
用凹部１０４以外の基板側面１０３への金属膜１５１の
被着を防止する必要がある。このため、基板裏面１０２
へのスパッタリングにおいては、図１３に示したよう
に、基板裏面１０２でキャスタレーション用凹部１０４
をある程度開口させつつその裏面１０２における外周縁
を所定の幅Ｍａで被覆するように形成されたマスク（カ
バー）２０１を被せ、金属膜が凹部１０４以外の側面１
０３に回り込まないようにした下でスパッタリングする
ことを提案できる。この際、図示のような矩形の基板１
０１に用いるマスク２０１は、基板裏面１０２の輪郭よ
りやや小さめで、マスキング時においてその全ての凹部
１０４がある程度開口されるように方形に開口、形成さ
れたものを用いることになる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、キャスタレ
ーション用凹部１０４の基板側面１０３からの深さ（以
下、単に深さともいう）Ｄは、通常０．２〜０．３ｍｍ
程度と極めて小さい。したがって、マスキング（押え
代）の幅Ｍａは、これ以下に設定しないといけないが、
このような寸法範囲では、配線基板１０１自体及びマス
ク２０１自体の精度（誤差）やマスキング時の位置ずれ
（誤差）により所望とするマスキングをすることは困難
であり、マスキング不良を招いてしまう。すなわち、マ
スク２０１がずれて基板の一方側のマスキングの幅が大
きくなり、その一方側にあるキャスタレーション用凹部
が閉塞されると、その凹部中への金属膜の回り込みが不
能となって導通が確保されない。また反対側では確実な
マスキングがされず、金属膜がその凹部以外の基板側面
に被着してしまい、外観不良や短絡などの問題を発生さ
せる。

【００１０】なお、このような問題に対してはキャスタ
レーション用凹部１０４の深さＤを十分大きくすること
で対処できるようにも考えられるが、単に深さＤを大き
くすると、基板中の内部配線用の有効エリアの減少を招
いてしまうなど基板自体の性能を低下させる。また、側
面１０４にあらかじめ研磨代を設けておくことで、スパ
ッタリング時のキャスタレーション用凹部１０４の深さ
Ｄを大きく確保し、後で研磨することも考えられるが、
これまた工程の複雑化やコスト上から実現が困難であ
る。

【００１１】本発明は、こうした問題点に鑑みて案出し
たものであって、その目的とするところは次のようであ
る。すなわち基板の裏面に物理蒸着法により配線層を形
成する手法でもってキャスタレーション用凹部に形成さ
れた配線層との導通をとる際において、キャスタレーシ
ョン用凹部の基板側面からの深さを格別大きくすること
なく、基板裏面の周縁に必要なマスキングを容易に行う
ことのできる配線基板の構造を得ることにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、セラミック積層タイプの配線基板であっ
て、裏面に連なるキャスタレーション用凹部を側面に有
するとともに該キャスタレーション用凹部に配線層が形
成されているものにおいて、前記キャスタレーション用
凹部の前記側面からの深さのうち、前記裏面を形成する
一のセラミック層における深さが、この一のセラミック
層以外の複数のセラミック層における深さより深く形成
されていることにある。

【００１３】このような基板は、基板裏面をなすグリー
ンシートについてはその裏面の全面に配線層用のメタラ
イズペーストを印刷することなく形成する。次いで、こ
のグリーンシートも含め、各グリーンシートともにキャ
スタレーション用凹部をなすスルーホールにメタライズ
ペーストを塗布して真空引きし、各シートを積層、熱圧
着する。そして、キャスタレーション用凹部をなすスル
ーホールの中心を通る基板区画用の境界線で切断して基
板単位とする。その後、各基板単位で同時焼成した後、
要すれば所望とするコーポラナリティ（平滑性）となる
ように裏面を研磨する。

【００１４】こうして製造された配線基板（仕掛品）
は、その裏面に例えばスパッタリングで金属膜（スパッ
タ膜）を形成することで、キャスタレーション用凹部に
形成された配線層との導通が確保される。この際の裏面
周縁のマスキングにおいては凹部をある程度開口させて
凹部内の配線層への金属膜の付着を確保するとともに、
それ以外の基板側面に金属膜が被着しないように必要な
幅をマスキングしないといけないが、本発明によればこ
れを容易に行うことができる。本発明に係る基板におい
てはその裏面の外周縁に沿って所定の幅でマスキングを
する場合、基板裏面でキャスタレーション用凹部の深さ
が深くなっていることから、その深い範囲で必要なマス
キングの幅を設定できるからである。

【００１５】しかして、このようにマスキングした下で
スパッタリングにより基板の裏面に配線層（金属膜）を
形成する際には、その金属膜はマスクの内側にて露出す
る基板裏面の部位とともにこの裏面に連なるキャスタレ
ーション用凹部の開口中にも入り込み、その内面の配線
層に被着する。すなわち、スパッタリングなどの物理蒸
着法によって金属膜を基板裏面に形成するにあたり、こ
のようにマスキングすることで、平面視、凹部以外の基
板側面に金属膜を回り込ませることなく、基板裏面とキ
ャスタレーション用凹部に形成された配線層に金属膜を
被着させることができる。したがって以後は、これらの
配線層の表面にＮｉ鍍金及びＡｕ鍍金をすることで、そ
の裏面の配線層と内部配線とに低抵抗の導通を効率的に
確保することができる。

【００１６】前記凹部の前記側面からの深さのうち、前
記裏面を形成する一のセラミック層における深さが大き
いほど、マスキングにかかわる基板やマスク自体の精
度、さらにはマスクの位置決め精度を低くでき、したが
って必要なマスキングを容易に行うことができるが、こ
れが大きいほど、そのセラミック層における配線領域の
低減を招く。凹部の基板側面からの深さは、これらの精
度を考慮した上で、凹部の平面（裏面から見た）形状や
幅、さらには凹部に形成された配線層の拡がり状態など
を考慮して設定すればよい。

【００１７】また前記手段では、キャスタレーション用
凹部の側面からの深さのうち、前記裏面を形成する一の
セラミック層における深さを、この一のセラミック層以
外の複数のセラミック層における深さより深く形成した
ため、内部配線の有効活用領域を損なうことが極めて少
なくなる。もっとも、本発明は、前記手段に比較すれ
ば、内部配線の有効活用領域を損なうことになるが次の
ようにしてもよい。すなわち、セラミック積層タイプの
配線基板であって、裏面に連なるキャスタレーション用
凹部を側面に有するとともに該キャスタレーション用凹
部に配線層が形成されているものにおいて、前記キャス
タレーション用凹部の前記側面からの深さを、前記裏面
を形成する一のセラミック層を含む裏面寄りの複数のセ
ラミック層における深さが、該裏面寄りの複数のセラミ
ック層以外の複数のセラミック層における深さより深く
形成されているものとしてもよい。

【００１８】このように本発明においては、キャスタレ
ーション用凹部の基板側面からの深さのうち、裏面を形
成する一のセラミック層における深さが、この一のセラ
ミック層以外の複数のセラミック層における深さより深
く形成されているか、裏面を形成する一のセラミック層
を含む裏面寄りの複数のセラミック層における深さが、
該裏面寄りの複数のセラミック層以外の複数のセラミッ
ク層における深さより深く形成されていればよい。した
がって、これには裏面を形成する一のセラミック層にお
けるキャスタレーション用凹部の深さが一番深くなるよ
うに、その他のセラミック層における深さが断面視、階
段状に或いは傾斜状になっているものも含まれる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態例を図１〜５
を参照しながら詳細に説明する。図１は、基板１を裏面
２から見た斜視図である。この基板１は複数の所定のグ
リーンシートを積層、熱圧着した後、焼成することによ
り略矩形の薄板状に形成されたセラミック積層タイプの
配線基板であり、この基板１の各辺の側面３にはキャス
タレーションをなす凹部４が適所に複数形成されてい
る。そして、このいずれの凹部４についてもその略全内
面にはタングステンなどの厚膜メタライズからなる配線
層（図１中ダブルハッチング部）４ａが同時焼成により
形成されており、図示しない内部配線に接続されてい
る。本例では、凹部４は基板１の裏面２から反対側の表
面５に向けてその厚さ方向の全体に及んでいるものと、
その厚さの中間までのものがあるが、この相違点を除け
ば両者とも同じであり、以下、主としてその厚さ方向の
全体に及んでいるものにおいてその構造を説明する。な
お、図示はしないが裏面２と反対側の表面５には、平面
視、略正方形をなすＩＣ搭載用キャビティを備えるとと
もにボンディングパッドをなすパッド用配線層などが同
時焼成により形成されている。

【００２０】さて、本例基板におけるキャスタレーショ
ン用凹部４は、所定の深さ、幅をもつ平面視矩形をなし
ている。ただし、その深さのうち、基板裏面２を形成す
る一（層）のセラミック層（図示最上面）３１における
深さＤｕは、それ以外のセラミック層３２〜３６におけ
る深さＤｈより深くされている。本例ではＤｕが０．８
ｍｍ、Ｄｈが０．３ｍｍとされ、これらは全ての凹部に
ついてそれぞれ一定深さとされている。また、幅Ｗは１
〜２ｍｍ程度に設定されている。なお、基板裏面２を形
成する一セラミック層３１の厚さは、焼成時において
０．４ｍｍとなるように設定されており、その研磨後に
おいて０．２ｍｍとなるように設定されている。そし
て、その他のセラミック層３２〜３６の厚さは、０．３
〜０．５ｍｍに設定されている。

【００２１】このような配線基板は次のようにして製造
される。すなわち裏面２を形成するグリーンシートにつ
いては、キャスタレーション用凹部をなすスルーホール
が切断後においてＤｕの深さを有する大きさとされ、そ
の裏面には配線層用の高融点金属ペーストは印刷しない
が、キャスタレーション用凹部をなすスルーホールには
タングステン等の高融点金属ペーストを真空引き等によ
り印刷（塗布）する。そして、その他のグリーンシート
には、切断後において従来と同様の浅い深さＤｈとなる
キャスタレーション用凹部をなすスルーホールを穿設
し、その主面にタングステン等の高融点金属ペーストを
印刷し、同スルーホール内面に真空引き等により印刷
（塗布）する。そして、これらのシートを積層、熱圧着
し、その後、シート主面のキャスタレーション用凹部の
スルーホールの中心を通る境界線に沿って配線基板の単
位に切断し、各基板を同時焼成する。なお、キャスタレ
ーション用凹部をなすスルーホール内面への高融点金属
ペーストの印刷（塗布）は、各シートを積層、熱圧着し
た後、基板単位の切断前におこなうこともできる。

【００２２】次に、このように同時焼成された配線基板
は、要すれば焼成による反りを解消するため、基板裏面
を例えば０．２ｍｍ研磨して所望とするコーポラナリテ
ィに仕上げられる。こうして、図１〜３に示したよう
に、凹部４に配線層４ａを備えた配線基板１が作られ
る。なお、図示はしないが銅タングステンなどからなる
放熱部材をキャビティに設けるものでは、それをキャビ
ィティ部位（基板の貫通孔）にロー付けした後、その裏
面を含め基板裏面の全体を面一に研磨すればよい。

【００２３】さて、こうして形成された本例の配線基板
（仕掛品）１は、その裏面２にスパッタリングなどによ
り配線層（金属膜）を形成すると同時に、キャスタレー
ション用凹部４の配線層４ａとの導通を確保することに
なるが、この際は図４、５に示したように、基板裏面２
の外周縁を所定の幅Ｍａ（例えば０．５ｍｍ）でカバー
するように形成されたマスク２０１をその裏面２に同芯
状に被せる。すなわち、本例では、基板１の縦横外寸よ
り各１ｍｍ小さく矩形に開口された開口部２０２を備え
たマスク２０１を、その内周縁２０３がキャスタレーシ
ョン用凹部４をその深さ方向に０．３ｍｍ開口させるよ
うにして基板１の裏面２に同芯状に被せる。

【００２４】しかして、この下で例えばＴｉ−Ｍｏをス
パッタリングする。すると、金属膜５１は、裏面２の外
周縁（側面）から０．５ｍｍの幅Ｍａ部分を除き、基板
裏面２の露出部の全体に被着、形成される。と同時に開
口するキャスタレーション用凹部４内に入り込み、その
凹部４に形成された配線層４ａの上にも被着、形成され
る。かくして、キャスタレーション用凹部４を除く基板
側面３には不要の金属膜５１は形成されない一方、凹部
４内の配線層４ａとの導通が確保される。そして、この
マスキングにおいては、裏面２を形成するセラミック層
３１における凹部４の深さＤｕが他のセラミック層３２
〜３６における凹部４の深さＤｈより著しく深く形成さ
れているため、その分、基板やマスク自体の精度、さら
にはマスクの位置決め精度を低くできるので、所望とす
るマスキング作業を容易かつ効率的に行うことができ
る。

【００２５】すなわち、適切なマスキングのため、その
幅Ｍａに０．５ｍｍを要する場合には、従来のキャスタ
レーション用凹部のように、その深さが厚さ方向にわた
って一律に例えば０．３ｍｍと浅いものでは、方形の開
口を備えたマスクによって全キャスタレーション用凹部
を開口させることは不可能である。これに対し、本実施
形態では、必要な幅Ｍａの大きさ０．５ｍｍに対し、基
板裏面２を形成するセラミック層３１の部位における深
さＤｕを０．８ｍｍと大きくされているから、これが容
易に実現できる。かくして、凹部４内の配線層への金属
膜５１の被着を確保しつつ、その他の側面３に金属膜５
１が被着形成されるのが防止される。

【００２６】また、こうして形成される本例基板にあっ
ては、その裏面２のコーポラナリティは研磨後のままで
ある。そしてこのような配線基板１は、以後、金属膜５
１を含め露出する配線層４ａなどにＮｉ鍍金及びＡｕ鍍
金することで、裏面の配線層をなす金属膜５１と内部配
線とに低抵抗の導通を確保した配線基板の完成品とな
る。なお、本例では凹部４の深さについて、裏面２を形
成する一層分のセラミック層３１のみその深さＤｕを深
くしただけであるから、内部配線エリアの減少を最低限
にとめることができる。

【００２７】なお、前記形態例においては裏面２を形成
する一層分のセラミック層３１の凹部４深さＤｕが大き
いほど、マスク自体や基板自体の寸法誤差或いはマスク
の設置位置ずれを大きく許容できることは明らかであ
る。この深さＤｕは、マスクを被せてスパッタリングし
た際に凹部４内にそれが被着すると共に、裏面２におけ
る周縁のその他側面の部位を確実にカバーできる範囲
で、基板１やマスク２０１の精度に応じて適宜に設定す
ればよい。なお、深さＤｕは、１基板において一定とす
るのが好ましいが、必ずしも同一である必要はない。

【００２８】また、凹部に形成される配線層は、上記実
施形態例のようになるべくその内面の全体に形成するの
が好ましいが、図６に示したように、マスク２０１を被
せてスパッタリングした際において金属膜５１が配線層
４ａに被着して導通が確保されるかぎり、必ずしもその
全体に形成されていなくともよい。すなわち、配線層４
ａが裏面２を形成するセラミック層３１の側面３１ｂに
なく、裏面２から二層目のセラミック層３２の主面（棚
部）３２ａ上の中間まで形成されているだけでも、それ
に金属膜が被着して導通が確保されればよい。

【００２９】また、図７に示したように、凹部４におい
て裏面２から二層目のセラミック層３２の側面３２ｂよ
りも表面５側にしか配線層４ａがない場合でも同様であ
る。すなわち、この配線層４ａは、マスク２０１を被せ
てスパッタリングした際において金属膜５１が開口から
凹部４内に入り込み、結果として凹部４の配線層４ａと
導通が確保されるものであればよく、その形成面の拡が
り状態は必ずしも凹部４の内面の全面になくともよい。
ただし、マスキングの幅Ｍａなどにもよるが、導通の信
頼性の向上のためには、図２に示したようになるべくそ
の全面に配線層４ａが存在するのが好ましい。

【００３０】さらに、図８に示したように、凹部４の基
板側面３からの深さは、基板１の表面５側から裏面２に
向かうに従い深くなるように傾斜状若しくは階段状にな
っていてもよい。図９は、基板１の側面３からの凹部４
の深さのうち、裏面２を形成する一のセラミック層３１
を含む裏面寄りの例えば２層分のセラミック層３１，３
２における深さＤｕが、それら以外の複数のセラミック
層３３〜３６における深さＤｈより深く形成されている
形態例を示す。なお裏面２への金属膜の形成に際しての
マスキングにおける作用効果は前例と同じであるからそ
の説明は省略する。

【００３１】なお、キャスタレーション用凹部は、前記
においては基板の裏面から表面まですなわち基板の厚さ
全体に及ぶもので説明したが、図１０に示したように、
その凹部４が基板１の裏面２から表面５に向かう中間部
位までのものであっても、本発明によれば同様の効果が
あることは明らかである。キャスタレーション用凹部の
平面形状（裏面２から見た形状）は、矩形でなくとも円
弧状であってもよいなど、その形状にかかわらず本発明
は同様の効果があることはいうまでもない。なお、凹部
の平面形状（基板裏面から見た形状）が円弧状などの場
合には、その基板側面からの深さは最深部を基準に設定
すればよい。

【００３２】本発明は、セラミック積層タイプの配線基
板であって、裏面に連なるキャスタレーション用凹部を
側面に有するとともに該凹部に配線層が形成されている
ものにおいて、その配線層と基板裏面との導通をその裏
面に物理蒸着法によって配線層を形成する際において、
その基板周縁をマスキングする場合において効果がある
ものであり、上記した基板に限定されるものではない。

【００３３】

【発明の効果】本発明の配線基板の構造によれば、以上
の説明から明らかなように次のような効果がある。すな
わち、基板の裏面にスパッタリングなどの物理蒸着法に
より配線層を形成する手法でもってキャスタレーション
用凹部に形成された配線層との導通をとる際において、
キャスタレーション用凹部の深さを格別大きくすること
なく、すなわち内部配線の有効活用領域を損なうことな
く、基板裏面の周縁に必要なマスキングを容易に行うこ
とができる。かくして、本発明によれば、基板裏面のコ
ーポラナリティを損なうことなく、露出する配線層にＮ
ｉ鍍金及びＡｕ鍍金を施すことで、その裏面の配線層と
内部配線とに低抵抗の導通を効率的に確保することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る配線基板の実施形態を裏面側から
みた斜視図及びキャスタレーション用凹部の拡大図。

【図２】図１中Ａ−Ａ線で示すキャスタレーション用凹
部の拡大縦断面図。

【図３】キャスタレーション用凹部を裏面側から見た拡
大図。

【図４】図１の配線基板にマスクを被せた状態の説明
図。

【図５】図４中のＢ−Ｂ線拡大断面図。

【図６】図２において凹部に形成された配線層の別例を
示す断面図。

【図７】図２において凹部に形成された配線層の別例を
示す断面図。

【図８】キャスタレーション用凹部の別例を示す断面
図。

【図９】キャスタレーション用凹部の別例を示す断面
図。

【図１０】キャスタレーション用凹部の別例を示す断面
図。

【図１１】従来の配線基板を裏面側から見た斜視図及び
そのキャスタレーション用凹部の拡大図。

【図１２】裏面に金属膜を形成することでキャスタレー
ションとの導通を確保する際の問題点を説明する部分拡
大斜視図。

【図１３】裏面に金属膜を形成することでキャスタレー
ションとの導通を確保する際の問題点を解消するため、
基板の裏面にマスクを被せた状態の説明図。

【符号の説明】

１セラミック積層タイプの配線基板２裏面３側面４キャスタレーション用凹部４ａキャスタレーション用凹部の配線層５表面３１裏面を形成するセラミック層５１金属膜２０１マスクＤｕ，Ｄｈキャスタレーション用凹部の基板側面から
の深さ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック積層タイプの配線基板であっ
て、裏面に連なるキャスタレーション用凹部を側面に有
するとともに該キャスタレーション用凹部に配線層が形
成されているものにおいて、前記キャスタレーション用
凹部の前記側面からの深さのうち、前記裏面を形成する
一のセラミック層における深さが、この一のセラミック
層以外の複数のセラミック層における深さより深く形成
されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】セラミック積層タイプの配線基板であっ
て、裏面に連なるキャスタレーション用凹部を側面に有
するとともに該キャスタレーション用凹部に配線層が形
成されているものにおいて、前記キャスタレーション用
凹部の前記側面からの深さのうち、前記裏面を形成する
一のセラミック層を含む裏面寄りの複数のセラミック層
における深さが、該裏面寄りの複数のセラミック層以外
の複数のセラミック層における深さより深く形成されて
いることを特徴とする配線基板。