JPH10321660A - ボールボンダおよびそれを用いたバンプ電極の形成方法 - Google Patents

ボールボンダおよびそれを用いたバンプ電極の形成方法

Info

Publication number
JPH10321660A
JPH10321660A JP9132318A JP13231897A JPH10321660A JP H10321660 A JPH10321660 A JP H10321660A JP 9132318 A JP9132318 A JP 9132318A JP 13231897 A JP13231897 A JP 13231897A JP H10321660 A JPH10321660 A JP H10321660A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bump electrode
wire
ball
cutter
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9132318A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Ito
治 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP9132318A priority Critical patent/JPH10321660A/ja
Publication of JPH10321660A publication Critical patent/JPH10321660A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた形状のバンプ電極を簡単に形成できる
ボールボンダおよびそれを用いたバンプ電極の形成方法
を提供する。 【解決手段】 トーチユニットにおけるトーチ電極１２
の下部にカッタ１３が設置されているボールボンダを用
いて、基板１９の表面に配置されている配線層１９ａの
表面に、キャピラリ４を使用して、ワイヤ１７の下部に
形成されているボールをボンディングすると共にボール
を加圧して、バンプ電極１８ａを形成する工程と、トー
チユニットにおけるカッタ１３を使用して、バンプ電極
１８ａの上のワイヤ１７を切断する工程とを有するもの
である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ボールボンダおよ
びそれを用いたバンプ電極の形成方法に関し、特に、優
れた形状のバンプ電極を簡単に形成できるボールボンダ
およびそれを用いたバンプ電極の形成方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ところで、本発明者は、ボールボンダを
用いたバンプ電極の形成方法について検討した。以下
は、本発明者によって検討された技術であり、その概要
は次のとおりである。
【０００３】すなわち、半導体装置の基板などにバンプ
電極を形成するバンプ電極形成装置として、例えば特公
平４−４１５１９号公報に記載されているものがある。
【０００４】そのバンプ電極形成装置を用いたバンプ電
極の形成方法は、キャピラリの下端面により、ワイヤの
ボール近くに、ワイヤの切り欠き部を付与し、基板の接
点領域（バンプ電極が形成される領域）にボールをキャ
ピラリにより押さえることにより、バンプ電極を形成し
た後、キャピラリを移動させて、ワイヤの切り欠き部に
よって、バンプ電極に接続されているワイヤを引き切っ
て、バンプ電極を形成している（第１の方式）。
【０００５】また、他の態様として、硬度の高いワイヤ
を用いて、ボールのすぐ上に脆弱部を形成し、その領域
を引き切っている（第２の方式）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した第
１の方式によるバンプ電極の形成方法によれば、ファー
スト（first)ボンディングしたボール上に、セカンド(s
econd)ボンディングするために、バンプ電極に連結され
ていて、バンプ電極の表面に押しつけられているワイヤ
が残存していることによって、バンプ電極の上が平坦化
できないと共にバンプ電極の高さが大きくなるので、各
バンプ電極の形状のばらつきが発生するという問題点が
ある。
【０００７】また、前述した第２の方式によるバンプ電
極の形成方法によれば、バンプ電極を形成した後に、ワ
イヤを引き切っているために、バンプ電極に連結されて
いて、バンプ電極の表面にワイヤ片が残存すると共にワ
イヤ片の長さが変動することによって、キャピラリ先端
から出るワイヤの長さがばらつくので、その領域のワイ
ヤに形成するボールの径が変動し、ボールの大きさのば
らつきが発生するという問題点がある。
【０００８】本発明の目的は、優れた形状のバンプ電極
を簡単に形成できるボールボンダおよびそれを用いたバ
ンプ電極の形成方法を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１１】すなわち、本発明のボールボンダは、ワイ
ヤの下部に形成されているボールを用いてバンプ電極を
形成するボールボンダであって、トーチユニットにおけ
るトーチ電極の下部にカッタが設置されており、カッタ
により、バンプ電極に接続されているワイヤにおけるバ
ンプ電極の上の領域を切断するものである。
【００１２】また、本発明のバンプ電極の形成方法は、
前記ボールボンダを用いて、基板の表面に配置されてい
る配線層の表面に、キャピラリを使用して、ワイヤの下
部に形成されているボールをボンディングすると共にボ
ールを加圧して、バンプ電極を形成する工程と、トーチ
ユニットにおけるカッタを使用して、バンプ電極の上の
ワイヤを切断する工程とを有するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
【００１４】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１であるボールボンダを示す概略上面図である。
【００１５】図２は、本発明の実施の形態１であるボー
ルボンダの一部を断面化して示す概略側面図である。
【００１６】図１および図２に示すように、本実施の形
態のボールボンダは、基体１の上にボンディングヘッド
におけるボンディング機構部２とトーチユニット３およ
び基板搭載加熱部２１とが配置されている。
【００１７】ボンディング機能部２には、軸心にワイヤ
１７を通している細穴を有するキャピラリ４を装備して
いるボンディングホーン５が設置されている。この場
合、本実施の形態のワイヤ１７は、その下部にボールを
形成し、そのボールを使用してバンプ電極を形成するも
のであるので、金線を使用している。なお、ワイヤ１７
は、金線以外に、設計仕様に応じたバンプ電極となる導
電性の材料からなる種々の態様のものを適用できる。
【００１８】トーチユニット３には、トーチユニット本
体６に縦（垂直方向）動作アーム７が縦揺動支点８を介
して設置されている。
【００１９】縦動作アーム７の下部には、縦動作アーム
７を縦方向に移動させるための駆動源であるアクチュエ
ータ９が配置されている。
【００２０】また、縦動作アーム７の先端側には、横
（水平方向）動作アーム１０が横揺動支点１１を介して
設置されている。
【００２１】横動作アーム１０の先端部には、ワイヤ１
７の先端にボール１８を形成するための電気トーチにお
けるトーチ電極１２が設置されており、そのトーチ電極
１２の下部にワイヤ１７を切断するためのカッタ１３が
設置されている。
【００２２】カッタ１３を設置していることは、本実施
の形態のボールボンダの特徴であり、カッタ１３は、例
えばセラミックなどの絶縁材料から形成されており、導
電性の材料であるトーチ電極１２と電気的に絶縁されて
いる。また、カッタ１３の形状は、ワイヤ１７を高精度
に切断できるように、長方形状からなる薄い板としてお
り、その一辺に傾斜面を有する切り込み部を備えている
ものである。なお、カッタ１３の形状の他の態様として
は、ワイヤ１７を切断できるための種々の形状の切り込
み部を有するカッタの態様とすることができる。
【００２３】トーチ電極１２は、キャピラリ４の先端に
出ているワイヤ１７を放電エネルギーにより溶融し、そ
の領域にボール１８を形成するためのものである。
【００２４】横動作アーム１０の横下部には、横動作ア
ーム１０を横方向に移動させるための駆動源であるアク
チュエータ１４が配置されている。
【００２５】また、横動作アーム１０の横上部には、横
動作アーム１０を横上方向の所定の位置に停止させるス
トッパ１５が設けられていると共に横動作アーム１０を
横上方向に引っ張っているバネとしてのコイルバネ１６
が設けられている。
【００２６】さらに、縦動作アーム７の縦上部には、縦
動作アーム７を縦上方向の所定の位置に停止させるスト
ッパ（図示を省略）が設けられていると共に縦動作アー
ム７を縦上方向に引っ張っているコイルバネ（図示を省
略）が設けられている。
【００２７】また、本実施の形態のボールボンダにおけ
る基板搭載加熱部２１の上に、バンプ電極が形成される
基板１９の位置決めを行う位置決め機能部２０が設置さ
れている。この場合、バンプ電極が形成される基板１９
は、例えば半導体集積回路装置などの半導体装置が形成
されている半導体チップまたはその半導体チップを実装
するための配線基板などであり、基板１９の表面には、
例えばアルミニウム層からなる配線層１９ａが形成され
ている。また、位置決め機能部２０は、基板１９を位置
決めするものであり、基板１９をＸ方向（図１における
水平方向）およびＹ方向（図１における上下方向）に移
動させたり、基板１９の位置を固定させたりする機能を
有するものである。
【００２８】本実施の形態のボールボンダを用いたバン
プ電極の形成方法を説明する。
【００２９】まず、本実施の形態のボールボンダにおけ
る基板搭載加熱部２１の上に基板１９をセットし、位置
決め機能部２０によって、基板１９の位置決めを行う。
このとき、基板１９は下部から真空吸着されている。
【００３０】次に、横動作アーム１０の先端に設置され
ているトーチ電極１２を移動させて、キャピラリ４の下
部に位置付けした状態とし、トーチ電極１２とキャピラ
リ４の先端に出ているワイヤ１７との間に放電を行い、
ワイヤ１７の先端にボール１８を形成する（図２）。
【００３１】この場合、横動作アーム１０は、縦動作ア
ーム７に設置されていることにより、Ｘ方向（水平方
向）とＹ方向（上下方向）に移動できる。
【００３２】また、ボール１８を形成する場合、例えば
３０μｍ（直径）の金線からなるワイヤ１７とトーチ電
極１２との間に３０００〜５０００Ｖの高電圧と２０ｍ
Ａの電流を２ミリ秒与えて、ボール１８を形成すること
ができる。
【００３３】次に、キャピラリ４の下部からトーチ電極
１２をキャピラリ４の外部に移動させる。その後、キャ
ピラリ４を下方向に移動させて、基板１９の表面の配線
層１９ａにボール１８を接触させた後、キャピラリ４に
より、ボール１８を配線層１９ａにボンディングすると
共にボール１８を加圧してその形状を変化させてバンプ
電極１８ａを形成する（図３）。
【００３４】この場合、キャピラリ４により、ボール１
８を配線層１９ａにボンディングし、ボール１８の形状
を変化させてバンプ電極１８ａを形成するための条件と
して、例えばアルミニウム層からなる配線層１９ａの場
合、加熱温度を２００℃とし、キャピラリ４の圧力を５
０ｇとし、キャピラリ４の超音波出力を0.５Ｗとし、３
０ミリ秒としている。
【００３５】次に、キャピラリ４を上昇させる。その
後、横動作アーム１０をＸＹ方向に移動させて、横動作
アーム１０の先端に設置されているカッタ１３をバンプ
電極１８ａの上に位置付けした後、カッタ１３を水平方
向に移動させる（本発明者の検討の結果、１００ｇの圧
力をもってワイヤ１７を切断処理する）ことによって、
カッタ１３を用いてバンプ電極１８ａからワイヤ１７を
切断して、切り離す（図４）。
【００３６】次に、横動作アーム１０をＸＹ方向に移動
させて、横動作アーム１０の先端に設置されているカッ
タ１３をバンプ電極１８ａの外部に移動させる（図
５）。
【００３７】図５において、１７ａは、バンプ電極１８
ａの上に切断されたワイヤ１７における残存ワイヤを示
している。本実施の形態のボールボンダにおけるカッタ
１３を使用してワイヤ１７を切断していることにより、
残存ワイヤ１７ａの高さは、小さくすることができる。
【００３８】次に、前述したバンプ電極１８ａの形成工
程を、繰り返し行って、各々の配線層１９ａの表面にバ
ンプ電極１８ａを形成すると共にカッタ１３を用いてバ
ンプ電極１８ａからワイヤ１７を切断して、切り離す。
【００３９】前述した本実施の形態のボールボンダによ
れば、ワイヤ１７の下部にボール１８を形成した後に、
ボール１８を用いてバンプ電極１８ａを形成し、その後
に、トーチユニット３におけるトーチ電極１２の下部に
カッタ１３が設置されていることにより、カッタ１３に
より、バンプ電極１８ａに接続されているワイヤ１７に
おけるバンプ電極１８ａの上の領域を切断し、バンプ電
極１８ａからワイヤ１７を切り離すことができる。
【００４０】本実施の形態のボールボンダによれば、基
板搭載加熱部２１の上に、バンプ電極１８ａが形成され
る配線層１９ａを有する基板１９の位置決めを行う位置
決め機能部２０が設置されていることにより、基板１９
をＸ方向およびＹ方向に移動させたり、基板１９の位置
を固定させたりすることができる。
【００４１】また、カッタ１３により、バンプ電極１８
ａに接続されているワイヤ１７におけるバンプ電極１８
ａの上の領域を切断する際に、基板１９に余計な力が付
加されても、基板１９が位置決め機能部２０によって固
定されているので、基板１９の移動を防止することがで
きる。
【００４２】さらに、カッタ１３により、バンプ電極１
８ａに接続されているワイヤ１７におけるバンプ電極１
８ａの上の領域を切断する際に、位置決め機能部２０は
カッタ１３の剪断力を受け、基板１９の位置ずれを防止
する役割を果たしている。
【００４３】前述した本実施の形態のボールボンダを用
いたバンプ電極の形成方法によれば、１回のボンディン
グによって、基板１９の表面の配線層１９ａにバンプ電
極１８ａを形成することができる。また、カッタ１３に
より、バンプ電極１８ａの表面に近接した領域のワイヤ
１７の領域を切断し、バンプ電極１８ａからワイヤ１７
を切り離すことができる。
【００４４】したがって、簡単な製造工程によって、バ
ンプ電極１８ａを形成でき、しかも、バンプ電極１８ａ
の表面の残存ワイヤ１７ａの高さを極めて小さくできる
ことによって、優れた形状のバンプ電極１８ａを簡単に
形成できる。また、各々のバンプ電極１８ａの形状のば
らつきを極めて小さくすることができることによって、
各々のバンプ電極１８ａの形状を同一化することができ
る。
【００４５】さらに、バンプ電極１８ａの表面の残存ワ
イヤ１７ａの高さを極めて小さくできることによって、
バンプ電極１８ａの表面の平面度（平坦度）を向上する
ことができるので、従来の方式で必要であったフラット
ニング工程を使用してバンプ電極１８ａの表面の平面度
を高める作業が不要となる。したがって、その効果と前
述したバンプ電極１８ａの簡単な製造工程という効果と
により、スループットの向上と原価低減ができ、しかも
バンプ電極１８ａの形状の安定化ができるので、製造歩
留りを向上することができる。
【００４６】（実施の形態２）図６は、本発明の実施の
形態２であるボールボンダを用いたバンプ電極の形成方
法を示す概略側面図である。
【００４７】図６に示すように、本実施の形態のボール
ボンダを用いたバンプ電極の形成方法は、前述した実施
の形態１のボールボンダを用いたバンプ電極の形成方法
によって、カッタ１３によってワイヤ１７を切断した
後、バンプ電極１８ａの上の残存ワイヤ１７ａをカッタ
１３によって例えば５０〜１００ｇの加圧力を用いて加
圧することにより、バンプ電極１８ａの表面に残存ワイ
ヤ１７ａを埋め込ませて、バンプ電極１８ａの表面を平
坦化するものである。
【００４８】したがって、本実施の形態のボールボンダ
を用いたバンプ電極の形成方法によれば、バンプ電極１
８ａの上の残存ワイヤ１７ａをカッタ１３によって加圧
することにより、バンプ電極１８ａに残存ワイヤ１７ａ
を埋め込ませて、バンプ電極１８ａの表面を平坦化して
いることによって、バンプ電極１８ａの表面の平面度を
向上させてことができる。
【００４９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５０】例えば、本発明のボールボンダにおけるト
ーチユニットおよびボンディング機構部および基板搭載
加熱部は、図１に示す態様以外に、種々の態様のものを
適用することができる。
【００５１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００５２】（１）．本発明のボールボンダによれば、
ワイヤの下部にボールを形成した後に、ボールを用いて
バンプ電極を形成し、その後に、トーチユニットにおけ
るトーチ電極の下部にカッタが設置されていることによ
り、カッタにより、バンプ電極に接続されているワイヤ
におけるバンプ電極の上の領域を切断し、バンプ電極か
らワイヤを切り離すことができる。
【００５３】（２）．本発明のボールボンダによれば、
基板搭載加熱部の上に、バンプ電極が形成される配線層
を有する基板の位置決めを行う位置決め機能部が設置さ
れていることにより、基板をＸ方向およびＹ方向に移動
させたり、基板の位置を固定させたりすることができ
る。
【００５４】また、カッタにより、バンプ電極に接続さ
れているワイヤにおけるバンプ電極の上の領域を切断す
る際に、基板に余計な力が付加されても、基板が位置決
め機能部によって固定されているので、基板の移動を防
止することができる。
【００５５】（３）．本発明のボールボンダを用いたバ
ンプ電極の形成方法によれば、１回のボンディングによ
って、基板の表面の配線層にバンプ電極を形成すること
ができる。また、カッタにより、バンプ電極の表面に近
接した領域のワイヤの領域を切断し、バンプ電極からワ
イヤを切り離すことができる。
【００５６】したがって、簡単な製造工程によって、バ
ンプ電極を形成でき、しかも、バンプ電極の表面の残存
ワイヤの高さを極めて小さくできることによって、優れ
た形状のバンプ電極を簡単に形成できる。また、各々の
バンプ電極の形状のばらつきを極めて小さくすることが
できることによって、各々のバンプ電極の形状を同一化
することができる。
【００５７】さらに、バンプ電極の表面の残存ワイヤの
高さを極めて小さくできることによって、バンプ電極の
表面の平面度（平坦度）を向上することができるので、
従来の方式で必要であったフラットニング工程を使用し
てバンプ電極の表面の平面度を高める作業が不要とな
る。したがって、その効果と前述したバンプ電極の簡単
な製造工程という効果とにより、スループットの向上と
原価低減ができ、しかもバンプ電極の形状の安定化がで
きるので、製造歩留りを向上することができる。
【００５８】（４）．本発明のボールボンダを用いたバ
ンプ電極の形成方法によれば、バンプ電極の上の残存ワ
イヤをカッタによって加圧することにより、バンプ電極
に残存ワイヤを埋め込ませて、バンプ電極の表面を平坦
化していることによって、バンプ電極の表面の平面度を
向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１であるボールボンダを示
す概略上面図である。
【図２】本発明の実施の形態１であるボールボンダの一
部を断面化して示す概略側面図である。
【図３】本発明の実施の形態１であるボールボンダを用
いたバンプ電極の形成方法を示す概略側面図である。
【図４】本発明の実施の形態１であるボールボンダを用
いたバンプ電極の形成方法を示す概略側面図である。
【図５】本発明の実施の形態１であるボールボンダを用
いたバンプ電極の形成方法を示す概略側面図である。
【図６】本発明の実施の形態２であるボールボンダを用
いたバンプ電極の形成方法を示す概略側面図である。
【符号の説明】
１ 基体 ２ ボンディング機構部 ３ トーチユニット ４ キャピラリ ５ ボンディングホーン ６ トーチユニット本体 ７ 縦動作アーム ８ 縦揺動支点 ９ アクチュエータ １０ 横動作アーム １１ 横揺動支点 １２ トーチ電極 １３ カッタ １４ アクチュエータ １５ ストッパ １６ コイルバネ １７ ワイヤ １７ａ 残存ワイヤ １８ ボール １８ａ バンプ電極 １９ 基板 １９ａ 配線層 ２０ 位置決め機能部 ２１ 基板搭載加熱部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ワイヤの下部に形成されているボールを
    用いてバンプ電極を形成するボールボンダであって、ト
    ーチユニットにおけるトーチ電極の下部にカッタが設置
    されており、前記カッタにより、バンプ電極に接続され
    ているワイヤにおける前記バンプ電極の上の領域を切断
    することを特徴とするボールボンダ。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のボールボンダであって、
    前記バンプ電極が形成される基板を位置決めする位置決
    め機能部を備えていることを特徴とするボールボンダ。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載のボールボンダで
    あって、前記カッタの材料は、セラミックなどの絶縁材
    料であることを特徴とするボールボンダ。
  4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載のボ
    ールボンダであって、ワイヤは、金線であることを特徴
    とするボールボンダ。
  5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載のボ
    ールボンダを用いて、基板の表面に配置されている配線
    層の表面に、キャピラリを使用して、ワイヤの下部に形
    成されているボールをボンディングすると共に前記ボー
    ルを加圧して、バンプ電極を形成する工程と、トーチユ
    ニットにおけるカッタを使用して、前記バンプ電極の上
    の前記ワイヤを切断する工程とを有することを特徴とす
    るバンプ電極の形成方法。
  6. 【請求項６】 請求項５記載のバンプ電極の形成方法で
    あって、前記トーチユニットにおける前記カッタを使用
    して、前記バンプ電極の上の前記ワイヤを切断する工程
    の後に、前記カッタを使用して、前記バンプ電極の表面
    の残存ワイヤを前記バンプ電極に埋め込む工程を有する
    ことを特徴とするバンプ電極の形成方法。
JP9132318A 1997-05-22 1997-05-22 ボールボンダおよびそれを用いたバンプ電極の形成方法 Pending JPH10321660A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9132318A JPH10321660A (ja) 1997-05-22 1997-05-22 ボールボンダおよびそれを用いたバンプ電極の形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9132318A JPH10321660A (ja) 1997-05-22 1997-05-22 ボールボンダおよびそれを用いたバンプ電極の形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10321660A true JPH10321660A (ja) 1998-12-04

Family

ID=15078518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9132318A Pending JPH10321660A (ja) 1997-05-22 1997-05-22 ボールボンダおよびそれを用いたバンプ電極の形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10321660A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8299620B2 (en) Semiconductor device with welded leads and method of manufacturing the same
EP0402756A2 (en) Process of forming bump on electrode of semiconductor chip and apparatus used therefor
JP2003197669A (ja) ボンディング方法及びボンディング装置
JPH0441519B2 (ja)
JPH0613427A (ja) 電子部品の電極とリードとの接合方法
US7259088B2 (en) Apparatus for singulating and bonding semiconductor chips, and method for the same
US7322507B2 (en) Transducer assembly, capillary and wire bonding method using the same
JP2007335708A (ja) ワイヤボンダ、ワイヤボンディング方法及びプログラム
JPH10321660A (ja) ボールボンダおよびそれを用いたバンプ電極の形成方法
US6467677B1 (en) Method and contact point for producing an electrical connection
US9799624B1 (en) Wire bonding method and wire bonding structure
JPH0212919A (ja) バンプ電極の形成方法
JP3322642B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0682701B2 (ja) ワイヤボンデイング方法および装置
JP2013093483A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3202193B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3552700B2 (ja) ワイヤボンダ及びボンディング方法
JPS62150854A (ja) 電極形成方法および装置
JPH05291260A (ja) バンプ形成方法
JPH10199913A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH07183303A (ja) バンプ電極の形成方法およびバンプ電極を含む半導体装置の製造方法
JPH09232386A (ja) ワイヤボンダ
JPH05347308A (ja) ボールバンプ形成方法
JP2001313307A (ja) 多段構造のバンプを有するフリップチップ及びこれを用いたフリップチップアセンブリ
JP2000243780A (ja) ワイヤボンダ