JPH10320267A - メモリ制御装置及び方法 - Google Patents

メモリ制御装置及び方法

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JPH10320267A
JPH10320267A JP12742097A JP12742097A JPH10320267A JP H10320267 A JPH10320267 A JP H10320267A JP 12742097 A JP12742097 A JP 12742097A JP 12742097 A JP12742097 A JP 12742097A JP H10320267 A JPH10320267 A JP H10320267A
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data
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eeprom
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Naoki Oyama
直樹 大山
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Abstract

(57)【要約】 【課題】タイプの異なる少なくとも2種類のメモリを選
択的に装着することを可能とする。 【解決手段】メモリ制御装置は、1バイト単位のパラレ
ルアクセスが可能なパラレルEEPROMと、1ワード
単位のシリアルアクセスが可能なシリアルEEPROM
を選択的に装着可能である。ライトリード信号生成器6
は、外部よりの指定アドレスから2つのアドレスを生成
し、両メモリのアドレス空間を整合させる。ライトリー
ド信号生成器6によって発生した2つのアドレスでパラ
レルEEPROMにアクセスし、得られた2つのバイト
データはバス合成部7でワードデータとなる。一方、指
定アドレスはアドレスレジスタ10を介してシリアル形
態でシリアルEEPROMに提供され、16ビットのシ
リアルデータが読み出され、リードデータレジスタで1
6ビットパラレルデータに変換される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、EEPROMに制
御プログラム等を格納する印字装置、パーソナルコンピ
ュータ、ワークステーション等に適用可能なメモリ制御
装置及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】現在EEPROMには大きく分類してパ
ラレルタイプのEEPROM(以下、パラレルEEPR
OMという)と、シリアルタイプのEEPROM(シリ
アルEEPROM)の2タイプが存在している。
【0003】シリアルEEPROMは小型で基板実装面
積をとらないということ、単価が安いという利点がある
反面、メモリ容量が比較的小さい(1996年で16k
bit)、ソフトウェアの制御がやや複雑である、1ワ
ードのアクセスに時間がかかるというような問題があっ
た。
【0004】パラレルEEPROMはその逆で、基板実
装面積はシリアルEEPROMの数倍の面積を必要とす
ること、シリアルのものと比べるとやや高価であるとい
う問題を有し、その反面、ソフトウェアの制御は行いや
すく、大容量である(1996年で256kbit)。
また、ライトすること以外はアクセスに時間がかからな
い。
【0005】シリアルEEPROMの制御方法は大きく
分けて2種類あり、2線式と3線式タイプのものがあ
る。以下、3線式によるシリアルEEPROMの制御方
法を簡単に説明する。
【0006】シリアルEEPROMでは、チップセレク
ト信号(CS信号)がTrueのときに、シリアル同期
用クロック(SK)に同期してインストラクション用コ
マンド、アドレス、データを連続で送ることになる。通
常システム設計を行う場合はCS(チップセレクト信
号)、SK(シリアル同期用クロック)、SO(出力デ
ータ)、SI(入力データ)に対応したIOレジスタを
用意して各信号をBit操作するか、もしくは1本のレ
ジスタにライト、リード等のオペレーションコマンドと
アドレス、データ書き込みのときは更に書き込みデータ
をレジスタにセットしてクロックに同期させてパラレル
/シリアル変換をさせ1bitずつデータを出力させて
いた。
【0007】一方、パラレルEEPROMはアドレス信
号を持ち、データバス幅を持ち、CS信号の他にライト
信号、リード信号を持ち、CPUのメモリ領域にマッピ
ングして使用していた。パラレルEEPROMには、い
わゆるSRAMと同じ使用方法が採用される。
【0008】以上のようにシリアルEEPROMとパラ
レルEEPROMとでは、書き込み、読み出しの制御方
法が全く異なる。このため、従来はシステム設計時点で
シリアルかパラレルのどちらのEEPROMを使用する
かを決定している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このため、シリアルE
EPROMとパラレルEEPROMとの切換えを行なう
ということは、システム設計終了後においては困難なも
のとなる。従って、システム設計段階で容量的にシリア
ルEEPROMで対応できる容量と見積もっていても開
発途中で容量が足りないという事態が発生しても、機能
を削り、シリアルEEPROMの容量で対応するという
ことが余儀なくされる。また、パラレルEEPROMの
使用を検討していて、開発途中で検討段階より少ない容
量で済むことがわかり、シリアルEEPROMに変更で
きることが判明しても、システム設計終了後では変更が
できず、コストダウン及び基板の空き面積を広げること
は容易にはできない。
【0010】また、メモリ容量の変動が予め予測できる
場合は、同じシステム上で使用する場合、予め全く異な
る方法で2タイプ用意してソフトウェアも2タイプ用意
しておくしか方法はなかった。
【0011】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、タイプの異なる少なくとも2種類のメモリを選択
的に装着可能とするメモリ制御装置及び方法を提供する
ことを目的とする。
【0012】特に、シリアルEEPROMのメモリマッ
ピングをパラレルEEPROMと同じようなメモリマッ
ピングに展開することにより同一ソフトウェアでどちら
のタイプのEEPROMも制御可能とするメモリ制御装
置及び方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のメモリ制御装置は以下の構成を備える。す
なわち、アクセス形態の異なる第1メモリと第2メモリ
を選択的に装着可能なメモリ制御装置であって前記第1
メモリと第2メモリのアドレス空間を整合させるべく外
部よりの指定アドレスを変換するアドレス整合手段と、
前記アドレス整合手段によって変換されたアドレスの形
態を変換し、前記第1メモリ及び第2メモリのそれぞれ
に対応するアドレスデータを生成する生成手段と、前記
生成手段で生成された各アドレスデータを前記第1及び
第2メモリの対応するメモリに供給してアクセスするア
クセス手段とを備える。
【0014】また、上記の目的を達成するための本発明
のメモリ制御方法は以下の工程を備える。すなわち、ア
クセス形態の異なる第1メモリと第2メモリを選択的に
装着可能とするためのメモリ制御方法であって、前記第
1メモリと第2メモリのアドレス空間を整合させるべく
外部よりの指定アドレスを変換するアドレス整合工程
と、前記アドレス整合工程によって変換されたアドレス
の形態を変換し、前記第1メモリ及び第2メモリのそれ
ぞれに対応するアドレスデータを生成する生成工程と、
前記生成工程で生成された各アドレスデータを前記第1
及び第2メモリの対応するメモリに供給してアクセスす
るアクセス工程とを備える。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明の好適な一実施形態を説明する。
【0016】図1は本実施形態によるメモリ制御装置を
適用した印刷装置の概略構成を表すブロック図である。
同図において101はCPUであり、本印刷装置の全体
的な制御を司る。102はホストインターフェースであ
り、ホストコンピュータより画像記録すべき印刷データ
を受信する。103はRAMであり、CPU101が各
種制御を実行するに際しての作業領域を提供する。10
4はメモリ制御部であり、シリアルEEPROM10
5、パラレルEEPROM106の所望の一方を接続す
る。107はプリンタエンジン部109との通信を制御
するインターフェースである。また、108はシステム
バスであり、上記各構成を接続する。以上、101〜1
08で示した構成がプリンタコントローラ部を構成す
る。また、109はプリンタエンジンであり、記録媒体
へ所定の記録方式で画像記録を行なう。なお、記録方式
としては、レーザビーム方式、インクジェット方式、サ
ーマル方式等いかなるものであっても良い。
【0017】以下、メモリ制御部104について詳細に
説明する。図2はメモりマッピングを説明する図であ
る。通常シリアルEEPROMは16bit、すなわち
1ワードを単位としてデータの読み書きを行なうのに対
して、パラレルEEPROMは8bit、すなわち1バ
イトを単位としてデータの読み書きを行なうのが基本で
ある。本実施形態では、バス幅が広い方に合わせること
とし、16bit1ワードを単位としてのメモリアクセ
スを考える。以下、同じメモリサイズである16kbi
tのシリアルEEPROM、パラレルEEPROMを用
いた場合を説明する。現在、16kbitの容量を有す
るパラレル、シリアルEEPROMが存在するからであ
る。
【0018】32bitのCPUに対してEEPROM
に対して16bitのバス幅を与えることとする。16
kbitEEPROMの先頭アドレスを8000000
0hとすると、パラレルEEPROMのアドレスエリア
は80000000h−80000800h(2KB)
まで、シリアルEEPROMのアドレスエリアは800
00000h−80000400hまでで、ともに上位
2バイトはUNKNOWNである。
【0019】なお、例えば64kbitのEEPROM
を使用した場合は80000000h−8000200
0h(8KB)になり、256kbitのEEPROM
を使用した場合は80008000h(32KB)まで
になる。
【0020】また80040000hをシリアルEEP
ROMの拡張機能に使用するアドレスとする。
【0021】図3は、メモリ制御部104の回路構成を
説明するブロック図である。1はアドレスデコーダであ
り、CPU101からシステムバス108を介して入力
されるアドレスをもとに、EEPROMに対するチップ
セレクト(Chip Select)信号(EEPCS)を生成
し、出力する。2はCPU−I/Fであり、CPU10
1からのnADS、WnRと、このシステムを動作させ
るためのCLKが入力される。また、CPU−I/F2
は、CPU101に対してEEPROMのアクセスが完
了したことを示すnRDYを返す。
【0022】3はCLK分周器であり、上記CLKを分
周してシリアルEEPROMに対して用いられる同期ク
ロックSKの基準となるクロックを生成する。4はSK
ジェネレータであり、CLK分周器3で生成されたクロ
ックをもとに、シリアルEEPROMに対して必要な回
数だけ同期クロックSKを与える。
【0023】8はライトデータレジスタであり、16b
itのパラレルシリアル変換レジスタで構成され、シリ
アルEEPROMに書き込むためのデータを保持し、か
つシリアルEEPROMに対してシリアルデータを送る
のに用いられる。9はリードデータレジスタであり、1
6bitシリアルパラレル変換レジスタで構成され、シ
リアルEEPROMからのシリアルデータをクロックに
同期して受け取り、16bitパラレルデータとする。
この16bitパラレルデータは、CPU101に対し
て16bitのバス幅で送信される。
【0024】10はアドレスレジスタであり、10bi
tのパラレルシリアル変換レジスタで構成され、CPU
101よりのアドレス値をロードし、シリアルにて出力
する。11はインストラクションレジスタであり、後述
のセレクタ12を介して入力されるインストラクション
データをロードし、これをシリアルで出力する。
【0025】13はライトオペレーションバリューであ
り、ライトオペレーションの実行を指示する固定値(イ
ンストラクションコード)を格納するレジスタである。
なお、値はスタートビットも含んで「0101」が格納
されているものとする。14はリードオペレーションバ
リューであり、リードオペレーションの実行を指示する
固定値(インストラクションコード)である「011
0」を格納する。15は他オペレーションバリューであ
り、その他書き込み禁止、書き込み許可等を与える固定
値「0100」を格納する。12はセレクタでありCP
U101よりのオペレーション(ライト、リード等)に
応じて、上記13〜15のレジスタに格納されたいずれ
かの値を選択し、インストラクションレジスタ11に出
力する。
【0026】17はCPU101との間でデータの送受
信を行なうための入出力バッファである。また、16は
バスセレクタであり、シリアルEEPROMからのデー
タバスもしくはパラレルEEPROMからのデータバス
のいずれか一方を選択して、入出力バッファと接続す
る。なお、バスセレクタ16には、不図示のジャンパー
機構等を用いて、いずれのデータバスを選択するかを指
定するセレクト信号が供給される。
【0027】5はバス分離部であり、8bitのパラレ
ルEEPROMに対して16bitのデータを各々8ビ
ットずつのデータに分離するバス分離装置。6はライト
リード信号生成器であり、パラレルEEPROMに対し
て2回のリードパルスあるいはライトパルスを出力す
る。なお、本実施形態では、アドレスデータの下位10
ビットを1ビット左へシフトし、最下位ビットにライト
リード信号生成器6が「0」か「1」を与えることで、
2つのアドレス値(与えられるアドレスをnとすると
「2n」と「2n+1」)が生成される。7はバス合成
部であり、パラレルEEPROMよりの8bitデータ
を16bitデータにする。
【0028】次に、上記メモリ制御部における動作を、
パラレルEEPROMを接続した場合と、シリアルEE
PROMを接続した場合に分けて説明する。まず、図3
をもとにパラレルEEPROMへのアクセス方法を記載
する。
【0029】CPU101は1度に16bitのデータ
を書き込むが、パラレルEEPROMは8bitバスな
のでリードライト発生器6によってEEPWR信号を2
度発生させる。また、バス分離器5を使ってパラレルE
EPROMに書き込むライトデータをバイト0、バイト
1に分離し、各々のタイミングでパラレルEEPROM
にデータを書き込む。また、アドレスについては下位の
1bitを途中でインクリメントする必要があるため、
下位の1bitについてはライトリード信号生成器6よ
り供給を行ない、インクリメントする。
【0030】従って、パラレルEEPROMの場合、ア
クセスは必ず16bitのワード単位である0×800
…0h,0×800…2h,0×800…4h,0×8
00…6hでアクセスする必要がある。
【0031】nEEPCSは、「L」Trueの信号
で、EEPROMのメモリエリアにアクセスした場合に
Lとなる。
【0032】なお、パラレルEEPROMのリード動作
については特に図示しないが、上述のライト動作と同じ
ような処理が行なわれる。すなわち、ライトリード信号
生成器6によって2バイト分のアドレスを生成し、2バ
イト(8bit×2=16bit)のデータを読み出
し、これをバス合成部7にて合成して、16bit幅の
データとし、バスセレクタ16、入出力バッファ17を
介してシステムバス108のデータバスへ出力される。
【0033】以上のようにして、パラレルEEPROM
へのデータの書き込み、読み出しが終了すると、CPU
−I/F2より、nRDY信号が発行され、パラレルE
EPROMへのメモリアクセスが完了したことをCPU
101に伝える。一方、nRDYを受信したCPU10
1は、ライト時にはデータバス上へのデータ出力を終了
し、リード時にはデータバス上のデータの読み取りを行
なう。
【0034】次に図5及び図6を参照して、シリアルE
EPROMへのアクセスを説明する。なお、図3のパラ
レルEEPROMのときと同じように、CPU101は
16bitのデータを書き込むものとする。
【0035】図5はシリアルEEPROMへのライトア
クセス動作を説明する図である。シリアルEEPROM
に対するチップセレクト信号(EEPCS)は「H」T
rueである。GA内部のLT信号が「H」となるタイ
ミングで、ライトデータレジスタ8、アドレスレジスタ
10、インストラクションレジスタ11に必要な値をロ
ードする。データライト時では、このロードタイミング
で、ライトデータレジスタにCPU101よりの書込デ
ータ(16bit)が格納され、アドレスレジスタには
CPU101よりの書き込みアドレスに基づいて得られ
るアドレス(10bit)が格納され、更に、インスト
ラクションレジスタ11にライトオペレーションバリュ
ー13の固定値(4bit)が格納される。
【0036】上記ロードタイミングに続いてSKジェネ
レータ4に起動がかかり、ライトデータレジスタ8、ア
ドレスレジスタ10。インストラクションレジスタ11
の各レジスタに格納されたデータはパラレルデータから
シリアルデータ(計30bit)に変換されて出力され
ることになる。
【0037】本実施形態では、説明のためにSKクロッ
クの周期をCLKの2倍の周期としたが、実際にはSK
クロックはかなり長いタイミングにする必要がある。C
LK分周器3でCLKを分周し、SKジェネレータ4は
分周されたクロック信号に基づいて、EEPCS信号が
Trueになり、上記ラッチ処理が終了した後に、SK
クロックを生成、出力する。
【0038】このSKクロックはシリアルEEPROM
に対して送られる。上述のように、データライト時は、
30bitをシリアルEEPROMに送る必要があるの
で、SKクロックは30回送られることになる。即ち、
SKクロックに同期して、スタートビット2bit、オ
ペコード2bit、アドレス10bit、データ16b
itのシリアルデータが送信される。
【0039】上記送信を終了すると(即ち30回のSK
クロックを出力し終えると)、SKジェネレータ4はC
PU−I/F2に対して終了を知らせる(DEND)。
DENDを受信したCPU−I/F2は、CPU101
に対してnRDY信号を送る。
【0040】次に図6を参照してシリアルEEPROM
からデータをリードするアクセス方法を記載する。図6
はシリアルEEPROMへのリードアクセスを説明する
図である。
【0041】SKクロックの生成方法は上述のライトア
クセスの場合と同様である。但し、リードアクセスの場
合は、ライトアクセスと異なり、GA内部のLT信号が
「H」となるタイミングで行なわれるラッチにおいて
は、アドレスレジスタ10、インストラクションレジス
タ11に対して必要な値がロードされる。当然、ライト
データレジスタ8へのデータロードは有り得ない。ま
た、インストラクションレジスタ11には、リードオペ
レーションバリュー14に格納されている固定値がセッ
トされることになる。すなわち、セレクタ12によって
ライトかリードかを判定し、リードアクセスの場合はリ
ードオペレーションバリュー14の値が選択されてイン
ストラクションレジスタ11に格納される。
【0042】SKジェネレータ4をSKクロックを30
回発生させるが、インストラクションレジスタ11の4
bit及びアドレスレジスタ10の10bitを転送し
終えると、途中から(即ち、15個目のSKクロックか
ら)シリアルEEPROMは当該アドレスに対応するデ
ータをシリアルに出力してくる。このシリアルな出力デ
ータはリードデータレジスタ9にSKクロックに同期し
て入力され、16bitのデータが格納されると、バス
セレクタ16及び入出力バッファ17を介してシステム
バス108上へ出力される。
【0043】データを16bit読み出すと、ちょうど
30個のSKクロックを出力し終えるので、DENDが
SKジェネレータ4からCPU−I/F2に出力され
る。すると、EEPRDをツルーにし、CPU101に
対してのデータバスを開けてリードデータレジスタ9の
値をCPU101に送る。
【0044】またシリアルEEPROMにはパラレルE
EPROMにない機能である書き込み許可、禁止等のよ
うなコマンドがある。80040000hをアクセスし
た場合、その拡張機能の内部信号EXTがツルーになる
こととする。EXT信号がツルーになった場合、セレク
タ12はその他のインストラクション(他オペレーショ
ンバリュー15)を選択し、またSKジェネレータ4で
はその際に必要なSKクロックの回数14回が発生す
る。
【0045】以上説明したように、上記のメモリ制御部
104により、同一ソフトウェアでパラレル/シリアル
EEPROMに対応するハードウェア回路が構成され
る。
【0046】但し、シリアルEEPROMのみに必要な
コマンドはパラレルEEPROMを使用する際にでもプ
ログラム中にダミーアクセスさせておく必要がある。
【0047】また、本実施形態では特に説明しなかった
が、シリアルEEPROMはその容量によって発生させ
る同期クロックSKの値が変化する(例えば、アドレス
指定に必要なビット数が変化するため)。従って、SK
クロックの発生数については、IOレジスタで設定す
る、あるいはGA外部のピン等でセレクトできる等の構
成を設けておくとよい。
【0048】また、上記実施形態によれば、シリアルE
EPROMに対して、メモリ上にマッピングして使用す
ることが可能となるので、パラレルEEPROMかシリ
アルEEPROMのいずれを使うかという前提は不要と
なる。
【0049】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、シリアルEEPROMをメモリ上にマッピングする
ようなハード回路を構成するとともに、8bitのパラ
レルEEPROMをシリアルEEPROMと同じ16b
itのバス幅として扱えるようにGA内部にハードウェ
アを構成する。これにより同じソフトウェアでシリア
ル、パラレルEEPROMを制御することが可能にな
り、システム設計終了後、GA設計終了後でも、シリア
ルEEPROMとパラレルEEPROMの交換が容易に
行なえる。即ち、ハードウェアでアドレス、データを変
換することにより同一ソフトウェアでどちらのタイプの
EEPROMも制御できるようになるので、システム設
計終了後でもその時点の状況に応じて設計者はどちらか
のタイプのEEPROMを選択できる。
【0050】また、シリアルEEPROMを使用するだ
けでもCPUのメモリ領域にマッピングされることにな
る。即ち、シリアルEEPROMもCPUのメモリエリ
アにメモリマッピングするハードウェアの回路が構成さ
れ、通常のパラレルEEPROMやSRAMと同じよう
にアクセスが可能となる。
【0051】なお、本発明は、複数の機器(例えばホス
トコンピュータ,インタフェイス機器,リーダ,プリン
タなど)から構成されるシステムに適用しても、一つの
機器からなる装置(例えば、複写機,ファクシミリ装置
など)に適用してもよい。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
タイプの異なる少なくとも2種類のメモリを選択的に装
着することが可能となる。
【0053】特に、シリアルEEPROMのメモリマッ
ピングをパラレルEEPROMと同じようなメモリマッ
ピングに展開するので、同一ソフトウェアでどちらのタ
イプのEEPROMも制御可能となる。
【0054】
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態によるメモリ制御装置を適用した印
刷装置の概略構成を表すブロック図である。
【図2】メモりマッピングを説明する図である。
【図3】本実施形態のメモリ制御部の回路構成を説明す
るブロック図である。
【図4】本実施形態におけるパラレルEEPROMへの
ライトアクセスを説明する図である。
【図5】本実施形態におけるシリアルEEPROMへの
ライトアクセスを説明する図である。
【図6】本実施形態におけるシリアルEEPROMへの
リードアクセスを説明する図である。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アクセス形態の異なる第1メモリと第2
    メモリを選択的に装着可能なメモリ制御装置であって前
    記第1メモリと第2メモリのアドレス空間を整合させる
    べく外部よりの指定アドレスを変換するアドレス整合手
    段と、 前記アドレス整合手段によって変換されたアドレスの形
    態を変換し、前記第1メモリ及び第2メモリのそれぞれ
    に対応するアドレスデータを生成する生成手段と、 前記生成手段で生成された各アドレスデータを前記第1
    及び第2メモリの対応するメモリに供給してアクセスす
    るアクセス手段とを備えることを特徴とするメモリ制御
    装置。
  2. 【請求項2】 前記第1メモリと第2メモリのアクセス
    データ幅を整合させるデータ幅整合手段を更に備えるこ
    とを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。
  3. 【請求項3】 前記第1メモリの1回のアクセスにおけ
    るデータ幅が前記第2メモリのそれよりも小さい場合、 前記アドレス整合手段は、外部より指定された1つのア
    ドレスに対して前記第1メモリの複数のアドレスを発生
    し、 前記データ幅整合手段は、前記アドレス整合手段で発生
    した複数のアドレスで前記第1メモリをアクセスし、読
    み出されたデータを合成し、前記第2のメモリのデータ
    幅と同じデータ幅の読み出しデータを生成することを特
    徴とする請求項2に記載のメモリ制御装置。
  4. 【請求項4】 前記データ幅整合手段は、前記第1メモ
    リの前記アドレス整合手段で発生した複数のアドレスに
    対してデータの書き込みを行なうべく、外部より入力し
    た書き込みデータを分割することを特徴とする請求項2
    に記載のメモリ制御装置。
  5. 【請求項5】 前記第1メモリのデータライン及び前記
    第2メモリのデータラインのいずれかを選択し、外部の
    データバスと接続する接続手段を更に備えることを特徴
    とする請求項1に記載のメモリ制御装置。
  6. 【請求項6】 アクセス形態の異なる第1メモリと第2
    メモリを選択的に装着可能とするためのメモリ制御方法
    であって、 前記第1メモリと第2メモリのアドレス空間を整合させ
    るべく外部よりの指定アドレスを変換するアドレス整合
    工程と、 前記アドレス整合工程によって変換されたアドレスの形
    態を変換し、前記第1メモリ及び第2メモリのそれぞれ
    に対応するアドレスデータを生成する生成工程と、 前記生成工程で生成された各アドレスデータを前記第1
    及び第2メモリの対応するメモリに供給してアクセスす
    るアクセス工程とを備えることを特徴とするメモリ制御
    方法。
  7. 【請求項7】 前記第1メモリと第2メモリのアクセス
    データ幅を整合させるデータ幅整合工程を更に備えるこ
    とを特徴とする請求項6に記載のメモリ制御方法。
  8. 【請求項8】 前記第1メモリの1回のアクセスにおけ
    るデータ幅が前記第2メモリのそれよりも小さい場合、 前記アドレス整合工程は、外部より指定された1つのア
    ドレスに対して前記第1メモリの複数のアドレスを発生
    し、 前記データ幅整合工程は、前記アドレス整合工程で発生
    した複数のアドレスで前記第1メモリをアクセスし、読
    み出されたデータを合成し、前記第2のメモリのデータ
    幅と同じデータ幅の読み出しデータを生成することを特
    徴とする請求項7に記載のメモリ制御方法。
  9. 【請求項9】 前記データ幅整合工程は、前記第1メモ
    リの前記アドレス整合工程で発生した複数のアドレスに
    対してデータの書き込みを行なうべく、外部より入力し
    た書き込みデータを分割することを特徴とする請求項7
    に記載のメモリ制御方法。
  10. 【請求項10】 前記第1メモリのデータライン及び前
    記第2メモリのデータラインのいずれかを選択し、外部
    のデータバスと接続する接続工程を更に備えることを特
    徴とする請求項6に記載のメモリ制御方法。
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