JPH10317152A - 銅層を有する基材及びその製造方法 - Google Patents
銅層を有する基材及びその製造方法Info
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- JPH10317152A JPH10317152A JP12377597A JP12377597A JPH10317152A JP H10317152 A JPH10317152 A JP H10317152A JP 12377597 A JP12377597 A JP 12377597A JP 12377597 A JP12377597 A JP 12377597A JP H10317152 A JPH10317152 A JP H10317152A
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- copper
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はポリイミドフィルムと銅層とを強固
に接着することを目的とする。 【解決手段】 ポリイミドフィルムに特定のカルボン
酸,アミン及びシリコーン化合物の少なくとも三種類の
構成単位からなる介在層を形成し、この介在層に銅層を
形成し、その後熱処理すること。
に接着することを目的とする。 【解決手段】 ポリイミドフィルムに特定のカルボン
酸,アミン及びシリコーン化合物の少なくとも三種類の
構成単位からなる介在層を形成し、この介在層に銅層を
形成し、その後熱処理すること。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的にメッキ法
と称される接着剤レス(接着剤なし)の銅層を有する基
材、具体的には銅張りポリイミドフィルムを製造する方
法の改良に関するものであり、より詳しくは、ポリイミ
ドフィルムに銅層がより強固に密着したもので、特に電
気・電子材料分野において好適に使用されるものであ
る。
と称される接着剤レス(接着剤なし)の銅層を有する基
材、具体的には銅張りポリイミドフィルムを製造する方
法の改良に関するものであり、より詳しくは、ポリイミ
ドフィルムに銅層がより強固に密着したもので、特に電
気・電子材料分野において好適に使用されるものであ
る。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】銅層を
有するポリイミドフィルムの製造方法としては、一般に
銅箔上にポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を塗布
後、熱硬化することによって得られるキャスティング基
板と,ポリイミドフィルムにスパッタリング,蒸着,無
電解メッキなどで導通層となる金属薄膜,一般的には銅
層を直接形成した後、電気メッキで銅層の厚付けを行う
ことによって得られるメタライジング基板とがある(特
開平6−158337号,電子材料1996年10月号
P13〜P16)。
有するポリイミドフィルムの製造方法としては、一般に
銅箔上にポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を塗布
後、熱硬化することによって得られるキャスティング基
板と,ポリイミドフィルムにスパッタリング,蒸着,無
電解メッキなどで導通層となる金属薄膜,一般的には銅
層を直接形成した後、電気メッキで銅層の厚付けを行う
ことによって得られるメタライジング基板とがある(特
開平6−158337号,電子材料1996年10月号
P13〜P16)。
【0003】前者は、金属層の密着強度が高く安定して
いるという長所を有する。
いるという長所を有する。
【0004】一方、後者は銅層の厚さを任意に調整し得
るという長所を有するものの銅層の密着強度がそれ程高
くないという欠点を有する。
るという長所を有するものの銅層の密着強度がそれ程高
くないという欠点を有する。
【0005】そこで、後者の場合にはポリイミドフィル
ムの表面に、例えばアルカリ処理,プラズマ処理,コロ
ナ処理,シリコーンカップリング剤処理を施して銅層と
の密着強度を高める工夫をしているが、未だ不十分であ
る。特に高温雰囲気下に長時間放置後の密着力が不十分
である。
ムの表面に、例えばアルカリ処理,プラズマ処理,コロ
ナ処理,シリコーンカップリング剤処理を施して銅層と
の密着強度を高める工夫をしているが、未だ不十分であ
る。特に高温雰囲気下に長時間放置後の密着力が不十分
である。
【0006】本発明は、これまでにない簡便にして密着
性を高めた銅層を有する基材及びその製造方法を提供す
るものである。
性を高めた銅層を有する基材及びその製造方法を提供す
るものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】添付図面を参照して本発
明の要旨を説明する。
明の要旨を説明する。
【0008】ポリイミドフィルムに下記の構造式で表さ
れる酸成分,アミン成分及びシリコーン化合物を必須構
成単位として含有するポリイミドシリコーンワニスをコ
ーティングした後熱処理し、続いて、ポリイミドシリコ
ーンワニスの上に蟻酸銅の熱分解,無電解メッキ,蒸
着,スパッタリング,イオンプレーティング,CVDな
どにより銅粒子を堆積せしめることを特徴とする銅層を
有する基材の製造方法に係るものである。
れる酸成分,アミン成分及びシリコーン化合物を必須構
成単位として含有するポリイミドシリコーンワニスをコ
ーティングした後熱処理し、続いて、ポリイミドシリコ
ーンワニスの上に蟻酸銅の熱分解,無電解メッキ,蒸
着,スパッタリング,イオンプレーティング,CVDな
どにより銅粒子を堆積せしめることを特徴とする銅層を
有する基材の製造方法に係るものである。
【0009】記
【化3】 また、請求項1記載の銅層を有する基材の製造方法にお
いて、銅粒子を堆積せしめた後、更に熱処理することを
特徴とする銅層を有する基材の製造方法に係るものであ
る。
いて、銅粒子を堆積せしめた後、更に熱処理することを
特徴とする銅層を有する基材の製造方法に係るものであ
る。
【0010】また、ポリイミドフィルムに特定のカルボ
ン酸,アミン及びシリコーン化合物の少なくとも三種類
の構成単位からなる介在層を形成し、この介在層に銅層
を形成し、その後熱処理することを特徴とする銅層を有
する基材の製造方法に係るものである。
ン酸,アミン及びシリコーン化合物の少なくとも三種類
の構成単位からなる介在層を形成し、この介在層に銅層
を形成し、その後熱処理することを特徴とする銅層を有
する基材の製造方法に係るものである。
【0011】また、下記の構造式で表される化合物を必
須構成単位として含有する介在層を採用したことを特徴
とする請求項3記載の銅層を有する基材の製造方法に係
るものである。
須構成単位として含有する介在層を採用したことを特徴
とする請求項3記載の銅層を有する基材の製造方法に係
るものである。
【0012】記
【化4】 また、前記ポリイミドフィルムが、ピロメリット酸若し
くはピロメリット酸誘導体、及び/またはビフェニルカ
ルボン酸若しくはビフェニルカルボン酸誘導体と芳香族
ジアミンとを縮合してなることを特徴とする請求項3,
4いずれか1項に記載の銅層を有する基材の製造方法に
係るものである。
くはピロメリット酸誘導体、及び/またはビフェニルカ
ルボン酸若しくはビフェニルカルボン酸誘導体と芳香族
ジアミンとを縮合してなることを特徴とする請求項3,
4いずれか1項に記載の銅層を有する基材の製造方法に
係るものである。
【0013】また、ピロメリット酸若しくはピロメリッ
ト酸誘導体、及び/または、ビフェニルカルボン酸若し
くはビフェニルカルボン酸誘導体と芳香族ジアミンとを
縮合してなるポリイミドフィルムの表面にポリイミドシ
リコーンを付着し、続いて、蟻酸銅の熱分解,無電解メ
ッキ,蒸着,スパッタリング,イオンプレーティング,
CVD等によって銅層を形成し、続いて、熱処理するこ
とを特徴とする銅層を有する基材の製造方法に係るもの
である。
ト酸誘導体、及び/または、ビフェニルカルボン酸若し
くはビフェニルカルボン酸誘導体と芳香族ジアミンとを
縮合してなるポリイミドフィルムの表面にポリイミドシ
リコーンを付着し、続いて、蟻酸銅の熱分解,無電解メ
ッキ,蒸着,スパッタリング,イオンプレーティング,
CVD等によって銅層を形成し、続いて、熱処理するこ
とを特徴とする銅層を有する基材の製造方法に係るもの
である。
【0014】また、ポリイミドシリコーンをポリイミド
フィルムの表面に0.1〜2g/m2付着させることを特徴
とする請求項6記載の銅層を有する基材の製造方法に係
るものである。
フィルムの表面に0.1〜2g/m2付着させることを特徴
とする請求項6記載の銅層を有する基材の製造方法に係
るものである。
【0015】また、ポリイミドフィルムの表面に熱処理
温度を200℃から400℃で銅層形成を行うことを特
徴とする請求項6記載の銅層を有する基材の製造方法に
係るものである。
温度を200℃から400℃で銅層形成を行うことを特
徴とする請求項6記載の銅層を有する基材の製造方法に
係るものである。
【0016】また、銅層の形成後さらに電解銅メッキし
て重ねて銅層を形成することを特徴とする請求項6記載
の銅層を有する基材の製造方法に係るものである。
て重ねて銅層を形成することを特徴とする請求項6記載
の銅層を有する基材の製造方法に係るものである。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明は種々に実験により確認さ
れたものであり、請求項はその実験結果をまとめたもの
である。
れたものであり、請求項はその実験結果をまとめたもの
である。
【0018】ただ、明確ではないが、本発明に於ける密
着性の顕著な改善効果の機構は、単にポリイミドフィル
ムと銅層間に介在層を設けただけでは密着性は得られ
ず、熱処理して初めて優れた密着性と耐熱性が得られる
こと、またSEM観察(図1,図2はSEM写真のコピ
ー)によれば熱処理後の介在層には熱処理前には見られ
ない微細な突起が新たに生成していることが観察される
ことから、介在層と銅層及びポリイミドフィルム表面と
が相互拡散を起こし特異的に強固な投錨効果が生じたこ
とに基づくものと考えられる。
着性の顕著な改善効果の機構は、単にポリイミドフィル
ムと銅層間に介在層を設けただけでは密着性は得られ
ず、熱処理して初めて優れた密着性と耐熱性が得られる
こと、またSEM観察(図1,図2はSEM写真のコピ
ー)によれば熱処理後の介在層には熱処理前には見られ
ない微細な突起が新たに生成していることが観察される
ことから、介在層と銅層及びポリイミドフィルム表面と
が相互拡散を起こし特異的に強固な投錨効果が生じたこ
とに基づくものと考えられる。
【0019】
【実施例】ピロメリット酸またはピロメリット酸誘導
体、及び/または、ビフェニルカルボン酸またはビフェ
ニルカルボン酸誘導体と芳香族ジアミンとを縮合してな
るポリイミド製フィルムとしては、例えばカプトン(東
レ・デュポン株式会社製),ユーピレックス(宇部興産
株式会社製),アピカル(鐘淵化学工業株式会社)など
の商品名で市販されているポリイミド樹脂からなるもの
である。
体、及び/または、ビフェニルカルボン酸またはビフェ
ニルカルボン酸誘導体と芳香族ジアミンとを縮合してな
るポリイミド製フィルムとしては、例えばカプトン(東
レ・デュポン株式会社製),ユーピレックス(宇部興産
株式会社製),アピカル(鐘淵化学工業株式会社)など
の商品名で市販されているポリイミド樹脂からなるもの
である。
【0020】ポリイミドシリコーンワニスは次の構造式
で表される化合物を必須構成単位として含有するもの
で、カルボン酸,アミン及びシリコーン化合物の少なく
とも三種類の構成単位から成る。
で表される化合物を必須構成単位として含有するもの
で、カルボン酸,アミン及びシリコーン化合物の少なく
とも三種類の構成単位から成る。
【化5】 このポリイミドシリコーンによる介在層はポリイミドシ
リコーンワニスの溶液を用いて、上記のポリイミドフィ
ルムの表面にポリイミドシリコーンワニスの溶液を薄く
均一に付着させ150〜250℃程度の温度で1〜10
0分間程度、乾燥しポリイミドシリコーンの固形分樹脂
量として0.1〜2g/m2位付着させる。0.1g/m2より
少ないと改善効果が見られないので好ましくない。ま
た、2g/m2以上は付着が困難であるので好ましくな
い。
リコーンワニスの溶液を用いて、上記のポリイミドフィ
ルムの表面にポリイミドシリコーンワニスの溶液を薄く
均一に付着させ150〜250℃程度の温度で1〜10
0分間程度、乾燥しポリイミドシリコーンの固形分樹脂
量として0.1〜2g/m2位付着させる。0.1g/m2より
少ないと改善効果が見られないので好ましくない。ま
た、2g/m2以上は付着が困難であるので好ましくな
い。
【0021】ポリイミドシリコーンワニスの溶液は、ケ
トン類,ラクタム類などの溶媒を選択し、濃度は1.0
〜6.0wt%の範囲である。
トン類,ラクタム類などの溶媒を選択し、濃度は1.0
〜6.0wt%の範囲である。
【0022】ポリイミドシリコーンワニスを均一に付着
させる方法としては、浸漬,スプレー塗布,リバースコ
ート,キスコート,グラビアコート,など公知の方法か
ら適宜選択できる。
させる方法としては、浸漬,スプレー塗布,リバースコ
ート,キスコート,グラビアコート,など公知の方法か
ら適宜選択できる。
【0023】ポリイミドフィルムと蟻酸銅とを共存さ
せ、蟻酸銅を200℃〜400℃の範囲で熱分解させ
て、フィルム表面に銅を析出させる方法としては、例え
ば特開平2−305965号公報の方法が挙げられる。
尚、蟻酸銅とは、通常蟻酸第二銅化合物であり、無水蟻
酸銅,蟻酸銅四水和物或いはこれからの混合物などが挙
げられ、特に無水蟻酸銅が好ましい。
せ、蟻酸銅を200℃〜400℃の範囲で熱分解させ
て、フィルム表面に銅を析出させる方法としては、例え
ば特開平2−305965号公報の方法が挙げられる。
尚、蟻酸銅とは、通常蟻酸第二銅化合物であり、無水蟻
酸銅,蟻酸銅四水和物或いはこれからの混合物などが挙
げられ、特に無水蟻酸銅が好ましい。
【0024】該銅層は蟻酸銅の熱分解の他に無電解メッ
キ,蒸着,スパッタリング,イオンプレーティング,C
VD等により銅粒子を堆積させる方法によって形成し得
るものである。
キ,蒸着,スパッタリング,イオンプレーティング,C
VD等により銅粒子を堆積させる方法によって形成し得
るものである。
【0025】このような種々の手段により銅層を形成し
たポリイミドフィルムは、ポリイミドフィルムをアルカ
リによるエッチング処理等することなしに、密着強度が
強く熱老化後の強度低下が実質的にないか或いは少ない
信頼性の高いものとなる。
たポリイミドフィルムは、ポリイミドフィルムをアルカ
リによるエッチング処理等することなしに、密着強度が
強く熱老化後の強度低下が実質的にないか或いは少ない
信頼性の高いものとなる。
【0026】銅層が薄い場合には、電解銅メッキをして
当該銅層を厚く出来る。通常、電解銅メッキが使用され
るが、ニッケル,金,その他の金属を無電解、或いは電
解メッキすることも可能である。
当該銅層を厚く出来る。通常、電解銅メッキが使用され
るが、ニッケル,金,その他の金属を無電解、或いは電
解メッキすることも可能である。
【0027】以下、具体的な実施例,比較例によって更
に詳述する。
に詳述する。
【0028】〔実施例1〕厚さ25μmのポリイミドフ
ィルム(商品名:カプトン100V,東レデュポン株式
会社製)の片面にポリイミドシリコーンワニス(商品
名:KJR−663,信越化学工業株式会社製)の3.
0%N−メチルピロリドン/シクロヘキサノン(45/
55wt%比)溶液を塗工し、風乾後180〜190℃で
約2〜3分加熱を行った。ポリイミドシリコーンの固形
分樹脂量として0.60g/m2付着した。
ィルム(商品名:カプトン100V,東レデュポン株式
会社製)の片面にポリイミドシリコーンワニス(商品
名:KJR−663,信越化学工業株式会社製)の3.
0%N−メチルピロリドン/シクロヘキサノン(45/
55wt%比)溶液を塗工し、風乾後180〜190℃で
約2〜3分加熱を行った。ポリイミドシリコーンの固形
分樹脂量として0.60g/m2付着した。
【0029】次いで、無水蟻酸銅25gを乳鉢にて粉砕
し、これに80gのブタノールを加え超音波撹拌してス
ラリーとしたものを300mm角のアルミニウム製の皿の
底に均一に塗布し、乾燥した。
し、これに80gのブタノールを加え超音波撹拌してス
ラリーとしたものを300mm角のアルミニウム製の皿の
底に均一に塗布し、乾燥した。
【0030】上記のポリイミドフィルムをアルミニウム
板に固定し、ポリイミドフィルム側を内面としてアルミ
ニウム製の皿に蓋をした。これをアルミニウム箔で包
み、減圧容器に入れた。容器内を0.2〜0.6Torrまで
減圧し、300〜400℃で15分間、加熱した。
板に固定し、ポリイミドフィルム側を内面としてアルミ
ニウム製の皿に蓋をした。これをアルミニウム箔で包
み、減圧容器に入れた。容器内を0.2〜0.6Torrまで
減圧し、300〜400℃で15分間、加熱した。
【0031】室温まで冷却した後、ポリイミドフィルム
を取り出した。ポリイミドフィルム表面には、厚さ0.
29μmの光沢性の銅層が形成されていた。この銅層が
形成されたポリイミドフィルムを公知の電解銅メッキを
し、銅層の厚みを18μmとした。この銅層が形成され
たポリイミドフィルムの90°引き剥がし強度は常態で
は1.08kg・f/cm得られ、150℃×240Hr加熱後
は0.92kg・f/cm、177℃×240Hr後は0.65kg
・f/cmであった。
を取り出した。ポリイミドフィルム表面には、厚さ0.
29μmの光沢性の銅層が形成されていた。この銅層が
形成されたポリイミドフィルムを公知の電解銅メッキを
し、銅層の厚みを18μmとした。この銅層が形成され
たポリイミドフィルムの90°引き剥がし強度は常態で
は1.08kg・f/cm得られ、150℃×240Hr加熱後
は0.92kg・f/cm、177℃×240Hr後は0.65kg
・f/cmであった。
【0032】〔実施例2〕実施例1において、ポリイミ
ドシリコーンワニスの固形分樹脂量を0.8g/m2にした
以外は、他は同じ。90°引き剥がし強度は常態では
1.05kg・f/cm、150℃×240Hr後は0.97kg・
f/cm、177℃×240Hr後は0.81kg・f/cmであっ
た。
ドシリコーンワニスの固形分樹脂量を0.8g/m2にした
以外は、他は同じ。90°引き剥がし強度は常態では
1.05kg・f/cm、150℃×240Hr後は0.97kg・
f/cm、177℃×240Hr後は0.81kg・f/cmであっ
た。
【0033】〔実施例3〕実施例1において、ポリイミ
ドフィルムを厚さ20μmのポリイミドフィルム(商品
名:ユーピレックス20S,宇部興産株式会社製)に変
えポリイミドシリコーンワニスの固形分樹脂量を0.3
5g/m2にした以外他は同じ。90°引き剥がし強度は常
態では1.10kg・f/cm、150℃×240Hr後は1.0
1kg・f/cm、177℃×240Hr後は0.78kg・f/cm
であった。
ドフィルムを厚さ20μmのポリイミドフィルム(商品
名:ユーピレックス20S,宇部興産株式会社製)に変
えポリイミドシリコーンワニスの固形分樹脂量を0.3
5g/m2にした以外他は同じ。90°引き剥がし強度は常
態では1.10kg・f/cm、150℃×240Hr後は1.0
1kg・f/cm、177℃×240Hr後は0.78kg・f/cm
であった。
【0034】〔比較例1〕実施例1において、ポリイミ
ドシリコーンワニスの固形分樹脂量を0.08g/m2にし
た以外、他は同じ。90°引き剥がし強度は、常態で
1.03kg・f/cm、150℃×240Hr後は0.44kg・
f/cm、177℃×240Hr後は0.35kg・f/cmであっ
た。
ドシリコーンワニスの固形分樹脂量を0.08g/m2にし
た以外、他は同じ。90°引き剥がし強度は、常態で
1.03kg・f/cm、150℃×240Hr後は0.44kg・
f/cm、177℃×240Hr後は0.35kg・f/cmであっ
た。
【0035】〔比較例2〕実施例1において、ポリイミ
ドワニス(商品名:Uワニス(濃度20%液)、宇部興
産株式会社製)をN−メチルピロリドン/シクロヘキサ
ノン(45/55wt%比)溶剤で希釈し3.0%溶液に
てポリイミドワニスの固形分樹脂量を0.60g/m2にし
た以外他は同じ。90°引き剥がし強度は常態で1.0
5kg・f/cm、150℃×240Hrは測定不可、177℃
×240Hr後も測定不可であった。
ドワニス(商品名:Uワニス(濃度20%液)、宇部興
産株式会社製)をN−メチルピロリドン/シクロヘキサ
ノン(45/55wt%比)溶剤で希釈し3.0%溶液に
てポリイミドワニスの固形分樹脂量を0.60g/m2にし
た以外他は同じ。90°引き剥がし強度は常態で1.0
5kg・f/cm、150℃×240Hrは測定不可、177℃
×240Hr後も測定不可であった。
【0036】以下の結果を下記の表1に示す。
【表1】 以上の如くである本発明の製造方法によれば、ポリイミ
ドフィルムにアルカリ処理等を行わなくとも、剥離強度
に優れ、熱老化後の剥離強度にも優れた銅層を有するポ
リイミドフィルムを製造し得る。
ドフィルムにアルカリ処理等を行わなくとも、剥離強度
に優れ、熱老化後の剥離強度にも優れた銅層を有するポ
リイミドフィルムを製造し得る。
【0037】従って、特に2層タイプの銅層を有するポ
リイミドフィルムなどを工業的に実用化可能なレベルで
提供可能とし得るものである。
リイミドフィルムなどを工業的に実用化可能なレベルで
提供可能とし得るものである。
【図1】熱処理前の介在層の銅側界面のSEM写真のコ
ピーである。
ピーである。
【図2】熱処理後の介在層の銅側界面のSEM写真のコ
ピーである。
ピーである。
【図3】図1の説明図である。
【図4】図2の説明図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H05K 3/00 H05K 3/00 R // B32B 15/08 B32B 15/08 R (72)発明者 工藤 博章 茨城県つくば市和台22 三菱瓦斯化学株式 会社総合研究所内 (72)発明者 東海林 靖宏 茨城県つくば市和台22 三菱瓦斯化学株式 会社総合研究所内
Claims (9)
- 【請求項1】 ポリイミドフィルムに下記の構造式で表
される酸成分,アミン成分及びシリコーン化合物を必須
構成単位として含有するポリイミドシリコーンワニスを
コーティングした後熱処理し、続いて、ポリイミドシリ
コーンワニスの上に蟻酸銅の熱分解,無電解メッキ,蒸
着,スパッタリング,イオンプレーティング,CVDな
どにより銅粒子を堆積せしめることを特徴とする銅層を
有する基材の製造方法。 記 【化1】 - 【請求項2】 請求項1記載の銅層を有する基材の製造
方法において、銅粒子を堆積せしめた後、更に熱処理す
ることを特徴とする銅層を有する基材の製造方法。 - 【請求項3】 ポリイミドフィルムに特定のカルボン
酸,アミン及びシリコーン化合物の少なくとも三種類の
構成単位からなる介在層を形成し、この介在層に銅層を
形成し、その後熱処理することを特徴とする銅層を有す
る基材の製造方法。 - 【請求項4】 下記の構造式で表される化合物を必須構
成単位として含有する介在層を採用したことを特徴とす
る請求項3記載の銅層を有する基材の製造方法。 記 【化2】 - 【請求項5】 前記ポリイミドフィルムが、ピロメリッ
ト酸若しくはピロメリット酸誘導体、及び/またはビフ
ェニルカルボン酸若しくはビフェニルカルボン酸誘導体
と芳香族ジアミンとを縮合してなることを特徴とする請
求項3,4いずれか1項に記載の銅層を有する基材の製
造方法。 - 【請求項6】 ピロメリット酸若しくはピロメリット酸
誘導体、及び/または、ビフェニルカルボン酸若しくは
ビフェニルカルボン酸誘導体と芳香族ジアミンとを縮合
してなるポリイミドフィルムの表面にポリイミドシリコ
ーンを付着し、続いて、蟻酸銅の熱分解,無電解メッ
キ,蒸着,スパッタリング,イオンプレーティング,C
VD等によって銅層を形成し、続いて、熱処理すること
を特徴とする銅層を有する基材の製造方法。 - 【請求項7】 ポリイミドシリコーンをポリイミドフィ
ルムの表面に0.1〜2g/m2付着させることを特徴とす
る請求項6記載の銅層を有する基材の製造方法。 - 【請求項8】 ポリイミドフィルムの表面に熱処理温度
を200℃から400℃で銅層形成を行うことを特徴と
する請求項6記載の銅層を有する基材の製造方法。 - 【請求項9】 銅層の形成後さらに電解銅メッキして重
ねて銅層を形成することを特徴とする請求項6記載の銅
層を有する基材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12377597A JPH10317152A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 銅層を有する基材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12377597A JPH10317152A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 銅層を有する基材及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10317152A true JPH10317152A (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=14868983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12377597A Pending JPH10317152A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 銅層を有する基材及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10317152A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002094558A1 (en) | 2001-05-24 | 2002-11-28 | Toray Industries, Inc. | Heat-resistant resin film with metal layer and wiring board, and method for manufacturing them |
JP2016194934A (ja) * | 2008-01-23 | 2016-11-17 | タジェオTageos | 無線識別要素の製造方法、及び該方法によって得られる無線識別要素 |
-
1997
- 1997-05-14 JP JP12377597A patent/JPH10317152A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002094558A1 (en) | 2001-05-24 | 2002-11-28 | Toray Industries, Inc. | Heat-resistant resin film with metal layer and wiring board, and method for manufacturing them |
CN100344444C (zh) * | 2001-05-24 | 2007-10-24 | 东丽株式会社 | 带金属层的耐热性树脂膜与布线板及其制作方法 |
JP2016194934A (ja) * | 2008-01-23 | 2016-11-17 | タジェオTageos | 無線識別要素の製造方法、及び該方法によって得られる無線識別要素 |
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