JPH10316495A - 強誘電体およびメモリ素子ならびにそれらの製造方法 - Google Patents
強誘電体およびメモリ素子ならびにそれらの製造方法Info
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- JPH10316495A JPH10316495A JP9143126A JP14312697A JPH10316495A JP H10316495 A JPH10316495 A JP H10316495A JP 9143126 A JP9143126 A JP 9143126A JP 14312697 A JP14312697 A JP 14312697A JP H10316495 A JPH10316495 A JP H10316495A
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 169
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 17
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 11
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical group C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 7
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract description 14
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100136092 Drosophila melanogaster peng gene Proteins 0.000 description 1
- -1 M. Naga ta Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H01L21/02104—Forming layers
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- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
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- H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31691—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass with perovskite structure
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- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
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- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な強誘電性を示す強誘電体を提供する。
【解決手段】 Ｂｉと第１の元素Ｍｅと第２の元素Ｒと
Ｏ（酸素）とからなる層状結晶構造酸化物により構成さ
れる。第１の元素ＭｅはＮａ，Ｋ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，
ＰｂおよびＢｉのうちの少なくとも１種、第２の元素Ｒ
はＦｅ，Ｔｉ，Ｎｂ，ＴａおよびＷのうちの少なくとも
１種である。この強誘電体は全体の９８％以上が強誘電
性を示す。気相法により層状結晶構造酸化物を成長させ
たのち（結晶成長工程）、層状結晶構造酸化物に電極を
取り付け電圧を印加する（電圧印加工程）。これによ
り、結晶格子の歪みの少なくとも一部が補正され、結晶
格子の対象性がくずれるほどの歪みにより強誘電性を示
さなかった部分や優れた強誘電性を示さなかった部分が
優れた強誘電性を示すように変化する。
Ｏ（酸素）とからなる層状結晶構造酸化物により構成さ
れる。第１の元素ＭｅはＮａ，Ｋ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，
ＰｂおよびＢｉのうちの少なくとも１種、第２の元素Ｒ
はＦｅ，Ｔｉ，Ｎｂ，ＴａおよびＷのうちの少なくとも
１種である。この強誘電体は全体の９８％以上が強誘電
性を示す。気相法により層状結晶構造酸化物を成長させ
たのち（結晶成長工程）、層状結晶構造酸化物に電極を
取り付け電圧を印加する（電圧印加工程）。これによ
り、結晶格子の歪みの少なくとも一部が補正され、結晶
格子の対象性がくずれるほどの歪みにより強誘電性を示
さなかった部分や優れた強誘電性を示さなかった部分が
優れた強誘電性を示すように変化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、いわゆるオーリビ
リウス結晶群といわれる層状結晶構造酸化物などの結晶
格子に歪みを有しやすい強誘電体およびそれを用いたメ
モリ素子ならびにそれらの製造方法に関する。
リウス結晶群といわれる層状結晶構造酸化物などの結晶
格子に歪みを有しやすい強誘電体およびそれを用いたメ
モリ素子ならびにそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電体は電場−分極特性にヒステリシ
スを有していることから、これを利用して電源のバック
アップ無しにデータを保持できる不揮発性メモリ素子を
作製しようという提案が１９６０年代になされていた。
しかし、当時は強誘電体薄膜の成膜技術が確立しておら
ず、またメモリセル間の干渉などの問題が生じたため、
不揮発性メモリ素子の開発は中断されてしまった。とこ
ろが、その後の薄膜技術の著しい向上により、近年、強
誘電体による不揮発性メモリ素子の開発が再び活発とな
ってきている（C. Araujo, J. Scott, R. Goddfrey and
L. McMillan, Appl. Phys. Lett., 48 (1986) 1439.；
W. Kinney, W. Shepherd, W. Miller, J.Evans and R.
Womack, IEDM Tech.Dig., (1987) 850 など）。
スを有していることから、これを利用して電源のバック
アップ無しにデータを保持できる不揮発性メモリ素子を
作製しようという提案が１９６０年代になされていた。
しかし、当時は強誘電体薄膜の成膜技術が確立しておら
ず、またメモリセル間の干渉などの問題が生じたため、
不揮発性メモリ素子の開発は中断されてしまった。とこ
ろが、その後の薄膜技術の著しい向上により、近年、強
誘電体による不揮発性メモリ素子の開発が再び活発とな
ってきている（C. Araujo, J. Scott, R. Goddfrey and
L. McMillan, Appl. Phys. Lett., 48 (1986) 1439.；
W. Kinney, W. Shepherd, W. Miller, J.Evans and R.
Womack, IEDM Tech.Dig., (1987) 850 など）。
【０００３】不揮発性メモリ素子を構成する強誘電体と
しては、疲労特性に優れるいわゆるオーリビリウス結晶
群の１種であるビスマス・ストロンチウム・タンタレー
ト（Ｂｉ2 ＳｒＴａ2 Ｏ9 ；以下、ＢｉＳＴａという）
が特に注目されている（C. A-Paz de Araujo, J. D. Cu
chiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott and J. F. Scot
t, Nature, 374 (1995) 627.；K. Amanuma, T. Hase an
d Y. Miyasaka, Appl.Phys. Lett., 66 (1995) 221.；
S. B. Desu and D. P. Vijay, Master. Sci. and Eng.,
B32 (1995) 75. など）。なお、オーリビリウス結晶群
というのは化学量論的な組成式が〔Ｂｉ2 Ｏ2 〕2+〔Ｍ
ｅm-1 Ｒm Ｏ3 m+1 〕2-で表されるものである（ｍは２
以上の整数、Ｍｅはナトリウム（Ｎａ），カリウム
（Ｋ），カルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ），スト
ロンチウム（Ｓｒ），鉛（Ｐｂ），ビスマス（Ｂｉ）か
らなる群のうちの少なくとも１種、Ｒは鉄（Ｆｅ），ニ
オブ（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ）
からなる群のうちの少なくとも１種）。
しては、疲労特性に優れるいわゆるオーリビリウス結晶
群の１種であるビスマス・ストロンチウム・タンタレー
ト（Ｂｉ2 ＳｒＴａ2 Ｏ9 ；以下、ＢｉＳＴａという）
が特に注目されている（C. A-Paz de Araujo, J. D. Cu
chiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott and J. F. Scot
t, Nature, 374 (1995) 627.；K. Amanuma, T. Hase an
d Y. Miyasaka, Appl.Phys. Lett., 66 (1995) 221.；
S. B. Desu and D. P. Vijay, Master. Sci. and Eng.,
B32 (1995) 75. など）。なお、オーリビリウス結晶群
というのは化学量論的な組成式が〔Ｂｉ2 Ｏ2 〕2+〔Ｍ
ｅm-1 Ｒm Ｏ3 m+1 〕2-で表されるものである（ｍは２
以上の整数、Ｍｅはナトリウム（Ｎａ），カリウム
（Ｋ），カルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ），スト
ロンチウム（Ｓｒ），鉛（Ｐｂ），ビスマス（Ｂｉ）か
らなる群のうちの少なくとも１種、Ｒは鉄（Ｆｅ），ニ
オブ（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ）
からなる群のうちの少なくとも１種）。
【０００４】最近では、ＢｉＳＴａについてＭＯＣＶＤ
（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）法によ
り薄膜の作製に成功したとの報告もなされている（T. A
mi,K. Hironaka, C. Isobe, N. Nagel, M. Sugiyama,
Y. Ikeda, K. Watanabe, A.Machida, K. Miura and M.
Tanaka, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 415 (1996) 1
95.；T. Li, Y. Zhu, S. B. Desu, C-H. Peng, M. Naga
ta, Appl. Phys. Lett., 68 (1996) 616.）。
（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）法によ
り薄膜の作製に成功したとの報告もなされている（T. A
mi,K. Hironaka, C. Isobe, N. Nagel, M. Sugiyama,
Y. Ikeda, K. Watanabe, A.Machida, K. Miura and M.
Tanaka, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 415 (1996) 1
95.；T. Li, Y. Zhu, S. B. Desu, C-H. Peng, M. Naga
ta, Appl. Phys. Lett., 68 (1996) 616.）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＢｉＳ
Ｔａの単結晶を作製してその特性を調べてみたところ、
１つの結晶内において組成に差がなくても異方性を示す
部分と示さない部分とがあることが分かった。また、こ
の異方性を示さない部分を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；
Transmission Electron Microscope）により観察してみ
ると、結晶格子の対象性がくずれるほどの歪みが存在し
ていることが分かった。ちなみに、ＢｉＳＴａの多結晶
薄膜についても同様の格子歪みがＴＥＭにより観察され
た。すなわち、ＢｉＳＴａのように複雑な結晶構造を有
するものは、結晶格子の対象性がくずれるほどの歪みを
有しやすく、そのために異方性を示さない部分や異方性
を示しても優れた特性を示さない部分を有しやすいとい
う問題があることが分かった。
Ｔａの単結晶を作製してその特性を調べてみたところ、
１つの結晶内において組成に差がなくても異方性を示す
部分と示さない部分とがあることが分かった。また、こ
の異方性を示さない部分を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；
Transmission Electron Microscope）により観察してみ
ると、結晶格子の対象性がくずれるほどの歪みが存在し
ていることが分かった。ちなみに、ＢｉＳＴａの多結晶
薄膜についても同様の格子歪みがＴＥＭにより観察され
た。すなわち、ＢｉＳＴａのように複雑な結晶構造を有
するものは、結晶格子の対象性がくずれるほどの歪みを
有しやすく、そのために異方性を示さない部分や異方性
を示しても優れた特性を示さない部分を有しやすいとい
う問題があることが分かった。
【０００６】従って、ＢｉＳＴａのように複雑な結晶構
造を有する強誘電体によりメモリ素子を作製すると、異
方性を示さない部分や優れた特性を示さない部分の体積
比に応じて素子の特性が劣化する結果となっていた。ま
た、異方性を示さない部分や優れた特性を示さない部分
の割合に応じて素子の特性にばらつきが生じてしまう結
果となっていた。
造を有する強誘電体によりメモリ素子を作製すると、異
方性を示さない部分や優れた特性を示さない部分の体積
比に応じて素子の特性が劣化する結果となっていた。ま
た、異方性を示さない部分や優れた特性を示さない部分
の割合に応じて素子の特性にばらつきが生じてしまう結
果となっていた。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、良好な特性を示す強誘電体およびそ
れを用いたメモリ素子ならびにそれらの製造方法を提供
することにある。
ので、その目的は、良好な特性を示す強誘電体およびそ
れを用いたメモリ素子ならびにそれらの製造方法を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の強誘電体は、全
体の９８％以上が強誘電性を示すものである。
体の９８％以上が強誘電性を示すものである。
【０００９】本発明のメモリ素子は、強誘電体膜に一対
の電極を接続したものであって、強誘電体膜は、電極を
介して電圧が印加される領域のうちの９８％以上が強誘
電性を示す強誘電体により構成されたものである。
の電極を接続したものであって、強誘電体膜は、電極を
介して電圧が印加される領域のうちの９８％以上が強誘
電性を示す強誘電体により構成されたものである。
【００１０】本発明の強誘電体の製造方法は、強誘電体
を構成する結晶を成長させる結晶成長工程と、その結晶
の少なくとも一部を成長させたのち、その少なくとも一
部に電圧を印加してその結晶に存在する結晶格子の歪み
の少なくとも一部を補正する電圧印加工程とを含むもの
である。
を構成する結晶を成長させる結晶成長工程と、その結晶
の少なくとも一部を成長させたのち、その少なくとも一
部に電圧を印加してその結晶に存在する結晶格子の歪み
の少なくとも一部を補正する電圧印加工程とを含むもの
である。
【００１１】本発明のメモリ素子の製造方法は、強誘電
体膜に一対の電極を接続したメモリ素子を製造するもの
であって、強誘電体膜を形成する強誘電体膜形成工程
と、強誘電体膜の少なくとも一部を成長させたのち、強
誘電体膜の少なくとも一部に電圧を印加して強誘電体膜
に存在する結晶格子の歪みの少なくとも一部を補正する
電圧印加工程とを含むものである。
体膜に一対の電極を接続したメモリ素子を製造するもの
であって、強誘電体膜を形成する強誘電体膜形成工程
と、強誘電体膜の少なくとも一部を成長させたのち、強
誘電体膜の少なくとも一部に電圧を印加して強誘電体膜
に存在する結晶格子の歪みの少なくとも一部を補正する
電圧印加工程とを含むものである。
【００１２】この強誘電体では、全体の９８％以上が強
誘電性を示すようになっている。これにより、この強誘
電体は優れた特性を示す。
誘電性を示すようになっている。これにより、この強誘
電体は優れた特性を示す。
【００１３】このメモリ素子では、一対の電極間に電圧
が印加されると、強誘電体膜において分極がおこる。こ
の電圧−分極特性にはヒステリシスがあり、このヒステ
リシスを利用してデータの記憶および読み出しが行われ
る。ここでは、電極を介して電圧が印加される領域のう
ちの９８％以上が強誘電性を示す強誘電体により強誘電
体膜を構成しているので、優れた特性が得られる。
が印加されると、強誘電体膜において分極がおこる。こ
の電圧−分極特性にはヒステリシスがあり、このヒステ
リシスを利用してデータの記憶および読み出しが行われ
る。ここでは、電極を介して電圧が印加される領域のう
ちの９８％以上が強誘電性を示す強誘電体により強誘電
体膜を構成しているので、優れた特性が得られる。
【００１４】この強誘電体の製造方法では、結晶成長工
程により強誘電体を構成する結晶の少なくとも一部を成
長させたのち、電圧印加工程によりその結晶の少なくと
も一部に電圧を印加する。これにより、結晶に存在する
結晶格子の歪みの少なくとも一部が補正される。
程により強誘電体を構成する結晶の少なくとも一部を成
長させたのち、電圧印加工程によりその結晶の少なくと
も一部に電圧を印加する。これにより、結晶に存在する
結晶格子の歪みの少なくとも一部が補正される。
【００１５】このメモリ素子の製造方法では、強誘電体
膜形成工程により強誘電体膜の少なくとも一部を形成し
たのち、電圧印加工程により強誘電体膜の少なくとも一
部に電圧を印加する。これにより、強誘電体膜に存在す
る結晶格子の歪みの少なくとも一部が補正される。
膜形成工程により強誘電体膜の少なくとも一部を形成し
たのち、電圧印加工程により強誘電体膜の少なくとも一
部に電圧を印加する。これにより、強誘電体膜に存在す
る結晶格子の歪みの少なくとも一部が補正される。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】（第１の実施の形態）本実施の形態に係る
強誘電体は、ビスマスと第１の元素Ｍｅと第２の元素Ｒ
と酸素とからなる単結晶の層状結晶構造酸化物により構
成されている。なお、第１の元素Ｍｅはナトリウム，カ
リウム，カルシウム，バリウム，ストロンチウム，鉛お
よびビスマスからなる群のうちの少なくとも１種であ
り、第２の元素Ｒは鉄，チタン，ニオブ，タンタルおよ
びタングステンからなる群のうちの少なくとも１種であ
る。ちなみに、第１の元素Ｍｅとしてはストロンチウ
ム，鉛，バリウムおよびカルシウムからなる群のうちの
少なくとも１種、第２の元素Ｒとしてはニオブおよびタ
ンタルからなる群のうちの少なくとも１種が好ましい。
特には、第１の元素Ｍｅがストロンチウムであり第２の
元素Ｒがタンタルのものが最も好ましい。
強誘電体は、ビスマスと第１の元素Ｍｅと第２の元素Ｒ
と酸素とからなる単結晶の層状結晶構造酸化物により構
成されている。なお、第１の元素Ｍｅはナトリウム，カ
リウム，カルシウム，バリウム，ストロンチウム，鉛お
よびビスマスからなる群のうちの少なくとも１種であ
り、第２の元素Ｒは鉄，チタン，ニオブ，タンタルおよ
びタングステンからなる群のうちの少なくとも１種であ
る。ちなみに、第１の元素Ｍｅとしてはストロンチウ
ム，鉛，バリウムおよびカルシウムからなる群のうちの
少なくとも１種、第２の元素Ｒとしてはニオブおよびタ
ンタルからなる群のうちの少なくとも１種が好ましい。
特には、第１の元素Ｍｅがストロンチウムであり第２の
元素Ｒがタンタルのものが最も好ましい。
【００１８】この層状結晶構造酸化物の化学量論的な組
成式を化１に示す。但し、本実施の形態に係る強誘電体
は、化学量論的な組成のものに限らず化学量論的な組成
からずれているものも含んでいる。
成式を化１に示す。但し、本実施の形態に係る強誘電体
は、化学量論的な組成のものに限らず化学量論的な組成
からずれているものも含んでいる。
【００１９】
【化１】〔Ｂｉ2 Ｏ2 〕2+〔Ｍｅm-1 Ｒm Ｏ3m+1〕2- Ｍｅ ；第１の元素 Ｒ ；第２の元素 ｍ ；２，３，４または５のいずれかの整数
【００２０】また、化１に示した組成式におけるｍが２
の層状結晶構造酸化物の結晶構造を図１に示す。このよ
うに、この層状結晶構造酸化物は、［Ｂｉ2 Ｏ2 ］2+に
該当する層１１と［ＭｅＲ2 Ｏ7 ］2-に該当する層１２
とが交互に積層されており、異方的なｃ軸劈開性を有し
ている（H. Maeda, Y. Tanaka, M. Fukutomi and T.Asa
no, Jpn. J. Appl. Phys., 27 (1988) L209. ； K. Hir
aga, M. Hirabayashi, M. Kikuchi and Y. Syono, Jpn.
J. Appl. Phys., 27 (1988) L573. を参照）。また、
この層状結晶構造酸化物は、ａ軸の格子定数とｂ軸の格
子定数とが等しくなく、ｃ軸の面内において強誘電性を
示すという特性を有している。
の層状結晶構造酸化物の結晶構造を図１に示す。このよ
うに、この層状結晶構造酸化物は、［Ｂｉ2 Ｏ2 ］2+に
該当する層１１と［ＭｅＲ2 Ｏ7 ］2-に該当する層１２
とが交互に積層されており、異方的なｃ軸劈開性を有し
ている（H. Maeda, Y. Tanaka, M. Fukutomi and T.Asa
no, Jpn. J. Appl. Phys., 27 (1988) L209. ； K. Hir
aga, M. Hirabayashi, M. Kikuchi and Y. Syono, Jpn.
J. Appl. Phys., 27 (1988) L573. を参照）。また、
この層状結晶構造酸化物は、ａ軸の格子定数とｂ軸の格
子定数とが等しくなく、ｃ軸の面内において強誘電性を
示すという特性を有している。
【００２１】なお、この層状結晶構造酸化物は結晶格子
の対象性がくずれるほどの歪みを有しやすい。このよう
に結晶格子の歪んでいる部分は、その歪みの程度に応じ
て強誘電性の特性が低下し、強誘電性を示さないことも
ある。但し、この強誘電体では結晶格子の歪みの少なく
とも一部が補正されており、全体の９８％以上が強誘電
性を示すようになっている。
の対象性がくずれるほどの歪みを有しやすい。このよう
に結晶格子の歪んでいる部分は、その歪みの程度に応じ
て強誘電性の特性が低下し、強誘電性を示さないことも
ある。但し、この強誘電体では結晶格子の歪みの少なく
とも一部が補正されており、全体の９８％以上が強誘電
性を示すようになっている。
【００２２】このような構成の強誘電体は、次のように
して製造することができる。
して製造することができる。
【００２３】まず、適宜な酸化物原料とフラックスとし
ての酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）とを混合する。そのの
ち、これを適宜な坩堝に入れてから適宜な加熱炉に挿入
し、加熱して気化させる。例えば、原料とフラックスと
の混合物の融点以上の温度（例えば１３５０℃以上１５
００℃以下）で第１の加熱を所定時間行って原料を完全
に融解させたのち、融点よりも低い温度（例えば１００
０℃以上１３００℃以下）で第２の加熱を所定時間行っ
て融解した原料を気化させる。これにより、炉内の適宜
な位置に設けた析出部において、原料が気化した気相か
ら層状結晶構造酸化物の単結晶が析出する（結晶成長工
程）。なお、析出部の温度は原料の加熱温度よりも若干
（例えば５℃〜２０℃程度）低くする。
ての酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）とを混合する。そのの
ち、これを適宜な坩堝に入れてから適宜な加熱炉に挿入
し、加熱して気化させる。例えば、原料とフラックスと
の混合物の融点以上の温度（例えば１３５０℃以上１５
００℃以下）で第１の加熱を所定時間行って原料を完全
に融解させたのち、融点よりも低い温度（例えば１００
０℃以上１３００℃以下）で第２の加熱を所定時間行っ
て融解した原料を気化させる。これにより、炉内の適宜
な位置に設けた析出部において、原料が気化した気相か
ら層状結晶構造酸化物の単結晶が析出する（結晶成長工
程）。なお、析出部の温度は原料の加熱温度よりも若干
（例えば５℃〜２０℃程度）低くする。
【００２４】次いで、このようにして析出させた単結晶
の層状結晶構造酸化物に適宜な電極を取り付け、ｃ軸に
対して垂直方向に電圧を印加する（電圧印加工程）。こ
れにより、層状結晶構造酸化物に存在する結晶格子の歪
みの少なくとも一部が補正される。すなわち、結晶格子
の対象性がくずれるほどの歪みにより強誘電性を示さな
かった部分や優れた強誘電性を示さなかった部分が優れ
た強誘電性を示すようになる。
の層状結晶構造酸化物に適宜な電極を取り付け、ｃ軸に
対して垂直方向に電圧を印加する（電圧印加工程）。こ
れにより、層状結晶構造酸化物に存在する結晶格子の歪
みの少なくとも一部が補正される。すなわち、結晶格子
の対象性がくずれるほどの歪みにより強誘電性を示さな
かった部分や優れた強誘電性を示さなかった部分が優れ
た強誘電性を示すようになる。
【００２５】なお、この電圧印加工程において印加する
電圧は交流電圧でも直流電圧でもよいが、直流電圧を用
いる場合には電界の向きを変えながら１パルスづつ交互
に印加する。印加する電圧の大きさは、抗電圧の１．５
倍以上が好ましい。ちなみに、印加電圧は大きい方が高
い効果を得ることができる。また、電圧を印加する際に
は層状結晶構造酸化物を適宜に加熱してもよく、また加
熱せず室温の状態（すなわち温度調節をしない状態）と
してもよい。但し、温度が高い方が抗電界が低くなるの
で、加熱をすれば印加する電圧が低くても高い効果を得
ることができる。以上により、本実施の形態に係る強誘
電体が得られる。
電圧は交流電圧でも直流電圧でもよいが、直流電圧を用
いる場合には電界の向きを変えながら１パルスづつ交互
に印加する。印加する電圧の大きさは、抗電圧の１．５
倍以上が好ましい。ちなみに、印加電圧は大きい方が高
い効果を得ることができる。また、電圧を印加する際に
は層状結晶構造酸化物を適宜に加熱してもよく、また加
熱せず室温の状態（すなわち温度調節をしない状態）と
してもよい。但し、温度が高い方が抗電界が低くなるの
で、加熱をすれば印加する電圧が低くても高い効果を得
ることができる。以上により、本実施の形態に係る強誘
電体が得られる。
【００２６】このように本実施の形態に係る強誘電体に
よれば、全体の９８％以上が強誘電性を示すようにした
ので、強誘電性の特性を向上させることができる。よっ
て、これにより強誘電体不揮発性メモリ素子を形成すれ
ば、その品質を改善することができると共に、各メモリ
素子間における品質のばらつきを小さくすることができ
る。
よれば、全体の９８％以上が強誘電性を示すようにした
ので、強誘電性の特性を向上させることができる。よっ
て、これにより強誘電体不揮発性メモリ素子を形成すれ
ば、その品質を改善することができると共に、各メモリ
素子間における品質のばらつきを小さくすることができ
る。
【００２７】また、本実施の形態に係る強誘電体の製造
方法によれば、析出させた層状結晶構造酸化物に電圧を
印加するようにしたので、層状結晶構造酸化物に存在す
る結晶格子の歪みを補正することができる。よって、結
晶格子の対象性がくずれるほどの歪みにより強誘電性を
示さなかった部分や優れた強誘電性を示さなかった部分
についても優れた強誘電性を示すようにすることができ
る。従って、本実施の形態に係る強誘電体を容易に実現
することができる。
方法によれば、析出させた層状結晶構造酸化物に電圧を
印加するようにしたので、層状結晶構造酸化物に存在す
る結晶格子の歪みを補正することができる。よって、結
晶格子の対象性がくずれるほどの歪みにより強誘電性を
示さなかった部分や優れた強誘電性を示さなかった部分
についても優れた強誘電性を示すようにすることができ
る。従って、本実施の形態に係る強誘電体を容易に実現
することができる。
【００２８】なお、この強誘電体およびその製造方法に
関し、更に具体的な実施例について説明する。ちなみ
に、ここでは、ビスマスとストロンチウム（第１の元素
Ｍｅ）とタンタル（第２の元素Ｒ）と酸素とからなり、
化学量論的な組成が化２に示した化学式で表される層状
結晶構造酸化物（すなわちＢｉＳＴａ）により構成され
る強誘電体を製造する場合について説明する。
関し、更に具体的な実施例について説明する。ちなみ
に、ここでは、ビスマスとストロンチウム（第１の元素
Ｍｅ）とタンタル（第２の元素Ｒ）と酸素とからなり、
化学量論的な組成が化２に示した化学式で表される層状
結晶構造酸化物（すなわちＢｉＳＴａ）により構成され
る強誘電体を製造する場合について説明する。
【００２９】
【化２】〔Ｂｉ2 Ｏ2 〕2+〔ＳｒＴａ2 Ｏ7 〕2-
【００３０】まず、原料として酸化ビスマスと炭酸スト
ロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）と酸化タンタル（Ｔａ
2 Ｏ5 ）の粉末（いずれも特級試薬；高純度化学研究所
製）を用意し、酸化ビスマス７９．０，炭酸ストロンチ
ウム１０．５，酸化タンタル１０．５のモル比でそれぞ
れ混合した。すなわち、ここではフラックスとして酸化
ビスマスを用いた。
ロンチウム（ＳｒＣＯ3 ）と酸化タンタル（Ｔａ
2 Ｏ5 ）の粉末（いずれも特級試薬；高純度化学研究所
製）を用意し、酸化ビスマス７９．０，炭酸ストロンチ
ウム１０．５，酸化タンタル１０．５のモル比でそれぞ
れ混合した。すなわち、ここではフラックスとして酸化
ビスマスを用いた。
【００３１】次いで、この原料を白金坩堝の中に入れ、
それを更にアルミナ坩堝の中に入れて蓋を被せたのち、
適宜な加熱炉に挿入して加熱し気化させた。具体的に
は、１３５０℃で２０時間第１の加熱を行って原料を融
解したのち、１２００℃で８５０時間第２の加熱を行っ
て原料を気化させた。なお、ここでは、白金坩堝の上部
側壁を析出部として結晶を析出させた。これにより、白
金坩堝の上部側壁に複数の結晶が析出した（結晶成長工
程）。
それを更にアルミナ坩堝の中に入れて蓋を被せたのち、
適宜な加熱炉に挿入して加熱し気化させた。具体的に
は、１３５０℃で２０時間第１の加熱を行って原料を融
解したのち、１２００℃で８５０時間第２の加熱を行っ
て原料を気化させた。なお、ここでは、白金坩堝の上部
側壁を析出部として結晶を析出させた。これにより、白
金坩堝の上部側壁に複数の結晶が析出した（結晶成長工
程）。
【００３２】なお、得られた結晶が強誘電性を有するＢ
ｉＳＴａであることを確認するために、得られた結晶
（結晶１，結晶２）について、Ｘ線回折による同定分
析，光学顕微鏡による表面観察，クロスニコル下に
おける偏光顕微鏡による斜方晶系か否かの観察，ＥＰ
ＭＡによる化学組成分析および強誘電性ヒステリシス
の観測をそれぞれ行った。その際、のＸ線回折にはＸ
線回折装置ＲｉｇａｋｕＲＡＤ−ＩＩＩＢを用いた。
のＥＰＭＡにはＣＡＭＥＢＡＸＳＸ−５０を用い、波長
分散による分析（ＷＤＳ；Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｄｉ
ｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏ
ｐｙ）を行った。それらの結果を以下に示す。
ｉＳＴａであることを確認するために、得られた結晶
（結晶１，結晶２）について、Ｘ線回折による同定分
析，光学顕微鏡による表面観察，クロスニコル下に
おける偏光顕微鏡による斜方晶系か否かの観察，ＥＰ
ＭＡによる化学組成分析および強誘電性ヒステリシス
の観測をそれぞれ行った。その際、のＸ線回折にはＸ
線回折装置ＲｉｇａｋｕＲＡＤ−ＩＩＩＢを用いた。
のＥＰＭＡにはＣＡＭＥＢＡＸＳＸ−５０を用い、波長
分散による分析（ＷＤＳ；Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｄｉ
ｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏ
ｐｙ）を行った。それらの結果を以下に示す。
【００３３】Ｘ線回折による分析結果 図２に結晶１のＸ線回折パターン（ＸＲＤＰ；Ｘ−ｒａ
ｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎｓ）を示
す。なお、図２には、結晶１のＸＲＤＰ（ａ）と共にリ
ートベルト・シミュレーション・パターン（ｂ）を示
す。このリートベルト・シミュレーション・パターンは
ＢｉＳＴａの基準パターンであり、Ｒａｅらが求めた格
子定数（ａ＝０．５５３０６５ｎｍ，ｂ＝０．５５３４
４５ｎｍ，ｃ＝２．４９８３９ｎｍ； A. D. Rae, J.
G. Thompson and R. L. Withers, Acta. Cryst., B48
(1992) 418. ）に基づいてリートベルト・シミュレーシ
ョンにより求めたものである。ちなみに、このリートベ
ルト・シミュレーションにおいては、空間群に関しＲａ
ｅらが主張する“Ａ２1am ”ではなく、より対象性の高
い“Ｆmmm ”を用いた。
ｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎｓ）を示
す。なお、図２には、結晶１のＸＲＤＰ（ａ）と共にリ
ートベルト・シミュレーション・パターン（ｂ）を示
す。このリートベルト・シミュレーション・パターンは
ＢｉＳＴａの基準パターンであり、Ｒａｅらが求めた格
子定数（ａ＝０．５５３０６５ｎｍ，ｂ＝０．５５３４
４５ｎｍ，ｃ＝２．４９８３９ｎｍ； A. D. Rae, J.
G. Thompson and R. L. Withers, Acta. Cryst., B48
(1992) 418. ）に基づいてリートベルト・シミュレーシ
ョンにより求めたものである。ちなみに、このリートベ
ルト・シミュレーションにおいては、空間群に関しＲａ
ｅらが主張する“Ａ２1am ”ではなく、より対象性の高
い“Ｆmmm ”を用いた。
【００３４】図２に示したように、結晶１のＸＲＤＰ
（ａ）の回折ピークはリートベルト・シミュレーション
・パターン（ｂ）の回折ピークと一致しており、結晶１
はＢｉＳＴａであることが確認された。また、結晶１の
ＸＲＤＰ（ａ）の回折ピーク（００６），（００１０）
などがリートベルト・シミュレーション・パターン
（ｂ）に比べて大きいことから、結晶１は薄片状である
ことに起因する強いｃ軸配向性を有していることも確認
された。ちなみに、結晶２についても図示しないが結晶
１と同様の結果が得られた。
（ａ）の回折ピークはリートベルト・シミュレーション
・パターン（ｂ）の回折ピークと一致しており、結晶１
はＢｉＳＴａであることが確認された。また、結晶１の
ＸＲＤＰ（ａ）の回折ピーク（００６），（００１０）
などがリートベルト・シミュレーション・パターン
（ｂ）に比べて大きいことから、結晶１は薄片状である
ことに起因する強いｃ軸配向性を有していることも確認
された。ちなみに、結晶２についても図示しないが結晶
１と同様の結果が得られた。
【００３５】光学顕微鏡による表面観察の結果 図３に結晶１の光学顕微鏡写真を示す。このように、結
晶１は表面が滑らかであることが確認された。図１に示
した結晶構造から分かるようにＢｉＳＴａはｃ軸劈開性
を有するので、この滑らかな表面はｃ面であると考えら
れる。ちなみに、結晶２についても図示しないが結晶１
と同様の結果が得られた。
晶１は表面が滑らかであることが確認された。図１に示
した結晶構造から分かるようにＢｉＳＴａはｃ軸劈開性
を有するので、この滑らかな表面はｃ面であると考えら
れる。ちなみに、結晶２についても図示しないが結晶１
と同様の結果が得られた。
【００３６】クロスニコル下における偏光顕微鏡によ
る観察の結果 クロスニコル状態に配設された一対の偏光子の間の回転
ステージ上に得られた結晶を置き、ｃ面についてステー
ジを回転させることにより同期した明暗の有無を調べた
ところ、結晶１，結晶２共に周期的な明暗反応がそれぞ
れ観察された。図４と図５に結晶１を４５℃回転させた
前と後における偏光顕微鏡写真を示す。このように、結
晶２については図示しないが、結晶１および結晶２はａ
軸とｂ軸の格子定数が等しくないということがそれぞれ
確認された。また、図５から分かるように、結晶１には
周期的な明暗反応を示す部分と示さない部分とが共に存
在していた。これは結晶２についても同様であった。な
お、図５は明暗反応を示す部分と示さない部分とがあま
り明確に表れていないので、明確に表れている結晶２の
偏光顕微鏡写真を図６に示す。
る観察の結果 クロスニコル状態に配設された一対の偏光子の間の回転
ステージ上に得られた結晶を置き、ｃ面についてステー
ジを回転させることにより同期した明暗の有無を調べた
ところ、結晶１，結晶２共に周期的な明暗反応がそれぞ
れ観察された。図４と図５に結晶１を４５℃回転させた
前と後における偏光顕微鏡写真を示す。このように、結
晶２については図示しないが、結晶１および結晶２はａ
軸とｂ軸の格子定数が等しくないということがそれぞれ
確認された。また、図５から分かるように、結晶１には
周期的な明暗反応を示す部分と示さない部分とが共に存
在していた。これは結晶２についても同様であった。な
お、図５は明暗反応を示す部分と示さない部分とがあま
り明確に表れていないので、明確に表れている結晶２の
偏光顕微鏡写真を図６に示す。
【００３７】ＥＰＭＡによる化学組成分析の結果 表１にビスマスとストロンチウムとタンタルの組成比を
示す。このように、結晶１および結晶２は、化学量論的
な組成に近くのＸ線回折パターンにおいても違いがで
ない程度ではあるが、共に化学量論的な組成から若干ず
れていることが分かった。また、これらの組成は、の
クロスニコル下における偏光顕微鏡観察で明暗反応を示
した部分と示さなかった部分（図５，図６参照）とで差
がそれぞれ無いことも分かった。
示す。このように、結晶１および結晶２は、化学量論的
な組成に近くのＸ線回折パターンにおいても違いがで
ない程度ではあるが、共に化学量論的な組成から若干ず
れていることが分かった。また、これらの組成は、の
クロスニコル下における偏光顕微鏡観察で明暗反応を示
した部分と示さなかった部分（図５，図６参照）とで差
がそれぞれ無いことも分かった。
【００３８】
【表１】 結晶１；Ｂｉ：Ｓｒ：Ｔａ＝２．０７：１．１０：２．
００ 結晶２；Ｂｉ：Ｓｒ：Ｔａ＝２．１０：１．０１：２．
００
００ 結晶２；Ｂｉ：Ｓｒ：Ｔａ＝２．１０：１．０１：２．
００
【００３９】強誘電性ヒステリシスの観測結果 結晶１の一面（ｃ面）に金（Ａｕ）の電極を５００μｍ
の間隔で蒸着し、ｃ軸に対して垂直方向に２５０℃で８
２０Ｖの電圧をかけ強誘電性ヒステリシスを観測した。
また、結晶２の一面（ｃ面）に金の電極を１００μｍの
間隔で蒸着し、ｃ軸に対して垂直方向に２００℃で５０
０Ｖの電圧をかけ同じく強誘電性ヒステリシスを観測し
た。その結果、結晶１，結晶２共に強誘電性ヒステリシ
スループがそれぞれ観測された。
の間隔で蒸着し、ｃ軸に対して垂直方向に２５０℃で８
２０Ｖの電圧をかけ強誘電性ヒステリシスを観測した。
また、結晶２の一面（ｃ面）に金の電極を１００μｍの
間隔で蒸着し、ｃ軸に対して垂直方向に２００℃で５０
０Ｖの電圧をかけ同じく強誘電性ヒステリシスを観測し
た。その結果、結晶１，結晶２共に強誘電性ヒステリシ
スループがそれぞれ観測された。
【００４０】以上の結果から、得られた結晶１および結
晶２は、強誘電性を有するＢｉＳＴａの単結晶であるこ
とがそれぞれ確認された。また、これらの結晶は、組成
的にはそれぞれ均一でありながら、結晶格子に異方性を
持たない（いわゆる強誘電性を示さない）部分をそれぞ
れ有するということが分かった。そこで、得られた結晶
を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；Transmission Electron
Microscope）で観察したところ、整った結晶格子の中に
結晶格子の乱れた（歪んだ）箇所が存在することが分か
った。なお、この結晶格子の乱れた箇所は強誘電性を示
さない部分に対応していた。
晶２は、強誘電性を有するＢｉＳＴａの単結晶であるこ
とがそれぞれ確認された。また、これらの結晶は、組成
的にはそれぞれ均一でありながら、結晶格子に異方性を
持たない（いわゆる強誘電性を示さない）部分をそれぞ
れ有するということが分かった。そこで、得られた結晶
を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；Transmission Electron
Microscope）で観察したところ、整った結晶格子の中に
結晶格子の乱れた（歪んだ）箇所が存在することが分か
った。なお、この結晶格子の乱れた箇所は強誘電性を示
さない部分に対応していた。
【００４１】続いて、結晶１および結晶２にそれぞれ電
圧を印加し（電圧印加工程）、その時の結晶の変化の様
子をそれぞれ観察した。
圧を印加し（電圧印加工程）、その時の結晶の変化の様
子をそれぞれ観察した。
【００４２】図７はこの観察において用いた装置の構成
を表すものである。この装置は、回転ステージ２１ａに
載置された結晶Ｍを挟むように一対の偏光子２１ｂがク
ロスニコル状態に設けられた偏光顕微鏡２１を備えてい
る。この偏光顕微鏡２１には、回転ステージ２１ａの上
に載置された結晶Ｍに対して電圧を印加する電圧印加装
置２２が配設されている。この電圧印加装置２２にはコ
ンピュータ２３が配設され、結晶Ｍの電場−分極特性を
分析できるようになっている。偏光顕微鏡２１の上方に
はＣＣＤカメラ２４が配設され、電圧を印加した時の結
晶Ｍの変化の様子を画面２５に拡大して映しだすと共
に、カラービデオプリンタ２６にも出力できるようにな
っている。また、偏光顕微鏡２１の回転ステージ２１ａ
には、温度調節装置２７が配設され、結晶Ｍの温度を調
節できるようになっている。
を表すものである。この装置は、回転ステージ２１ａに
載置された結晶Ｍを挟むように一対の偏光子２１ｂがク
ロスニコル状態に設けられた偏光顕微鏡２１を備えてい
る。この偏光顕微鏡２１には、回転ステージ２１ａの上
に載置された結晶Ｍに対して電圧を印加する電圧印加装
置２２が配設されている。この電圧印加装置２２にはコ
ンピュータ２３が配設され、結晶Ｍの電場−分極特性を
分析できるようになっている。偏光顕微鏡２１の上方に
はＣＣＤカメラ２４が配設され、電圧を印加した時の結
晶Ｍの変化の様子を画面２５に拡大して映しだすと共
に、カラービデオプリンタ２６にも出力できるようにな
っている。また、偏光顕微鏡２１の回転ステージ２１ａ
には、温度調節装置２７が配設され、結晶Ｍの温度を調
節できるようになっている。
【００４３】このような装置を用い、結晶１をまず回転
ステージ２１ａに載置して温度調節装置２７で２００℃
に加熱しつつｃ軸に対して垂直に約８２０Ｖの直流電圧
（約１６ｋＶ／ｃｍの電界）を印加したのち、更に電界
の向きを変えて約８２０Ｖの直流電圧を印加した。な
お、このときの電界の大きさは抗電界の約１．７倍であ
る。図８に電流を印加する前の結晶１の偏光顕微鏡写真
を示す。図９に電流を印加した後の結晶１の偏光顕微鏡
写真を示す。このように、電流印加前はクロスニコル状
態で回転させても周期的な明暗反応を生じなかった部分
の一部が、電圧の印加により明暗反応を生ずるように変
化した。
ステージ２１ａに載置して温度調節装置２７で２００℃
に加熱しつつｃ軸に対して垂直に約８２０Ｖの直流電圧
（約１６ｋＶ／ｃｍの電界）を印加したのち、更に電界
の向きを変えて約８２０Ｖの直流電圧を印加した。な
お、このときの電界の大きさは抗電界の約１．７倍であ
る。図８に電流を印加する前の結晶１の偏光顕微鏡写真
を示す。図９に電流を印加した後の結晶１の偏光顕微鏡
写真を示す。このように、電流印加前はクロスニコル状
態で回転させても周期的な明暗反応を生じなかった部分
の一部が、電圧の印加により明暗反応を生ずるように変
化した。
【００４４】次いで、２００℃に加熱しつつｃ軸に対し
て垂直に６０Ｈｚ，約８２０Ｖの交流電圧（約１６ｋＶ
／ｃｍの電界）を印加しながら結晶１の変化を偏光顕微
鏡２１およびＣＣＤカメラ２４で観察した。図１０に交
流電圧を１２０分印加した後の結晶１の偏光顕微鏡写真
を示す。このように、電圧の印加により、クロスニコル
状態で回転させても周期的な明暗反応を生じなかった部
分が徐々に電圧印加方向に対して垂直に伸びるように存
在するようになり、その面積も次第に減少した。これに
より、電圧の印加前は明暗反応を示す部分が全体の約８
０％（図８参照）であったのが、交流電圧を約１２０分
間印加した後には全体の約９９％以上が明暗反応を生ず
る部分に変化した。
て垂直に６０Ｈｚ，約８２０Ｖの交流電圧（約１６ｋＶ
／ｃｍの電界）を印加しながら結晶１の変化を偏光顕微
鏡２１およびＣＣＤカメラ２４で観察した。図１０に交
流電圧を１２０分印加した後の結晶１の偏光顕微鏡写真
を示す。このように、電圧の印加により、クロスニコル
状態で回転させても周期的な明暗反応を生じなかった部
分が徐々に電圧印加方向に対して垂直に伸びるように存
在するようになり、その面積も次第に減少した。これに
より、電圧の印加前は明暗反応を示す部分が全体の約８
０％（図８参照）であったのが、交流電圧を約１２０分
間印加した後には全体の約９９％以上が明暗反応を生ず
る部分に変化した。
【００４５】また、この電圧の印加による結晶の変化を
偏光顕微鏡２１で観察しなから、コンピュータ２３によ
り結晶１の電場−分極特性を随時分析した。図１１に１
００分交流電圧を印加した後の結晶１の強誘電性ヒステ
リシスループを示す。また、図１２に交流電圧の印加に
よるＰｒ（自発分極値）の変化を示す。このように、電
圧を印加すると強誘電性が向上することが明確となっ
た。
偏光顕微鏡２１で観察しなから、コンピュータ２３によ
り結晶１の電場−分極特性を随時分析した。図１１に１
００分交流電圧を印加した後の結晶１の強誘電性ヒステ
リシスループを示す。また、図１２に交流電圧の印加に
よるＰｒ（自発分極値）の変化を示す。このように、電
圧を印加すると強誘電性が向上することが明確となっ
た。
【００４６】続いて、結晶２を回転ステージ２１ａに載
置して温度調節装置２７で２００℃に加熱しつつｃ軸に
対して垂直に約５００Ｖの直流電圧（約５０ｋＶ／ｃｍ
の電界）を印加したのち、更に電界の向きを変えて約５
００Ｖの直流電圧を印加した。なお、このときの電界の
大きさは抗電界の約５．２倍である。これにより、結晶
１と同様に、電流印加前はクロスニコル状態で回転させ
ても周期的な明暗反応を生じなかった部分の一部が、電
圧の印加により明暗反応を生ずるように変化した。
置して温度調節装置２７で２００℃に加熱しつつｃ軸に
対して垂直に約５００Ｖの直流電圧（約５０ｋＶ／ｃｍ
の電界）を印加したのち、更に電界の向きを変えて約５
００Ｖの直流電圧を印加した。なお、このときの電界の
大きさは抗電界の約５．２倍である。これにより、結晶
１と同様に、電流印加前はクロスニコル状態で回転させ
ても周期的な明暗反応を生じなかった部分の一部が、電
圧の印加により明暗反応を生ずるように変化した。
【００４７】更に、２００℃に加熱しつつｃ軸に対して
垂直に６０Ｈｚ，約５００Ｖの交流電圧（約５０ｋＶ／
ｃｍの電界）を印加しながら結晶２の変化を偏光顕微鏡
２１およびＣＣＤカメラ２４で観察したところ、結晶１
と同様に、クロスニコル状態で回転させても周期的な明
暗反応を生じなかった部分が徐々に電圧印加方向に対し
て垂直に伸びるように存在するようになり、その面積も
次第に減少した。これにより、電圧の印加前は明暗反応
を示す部分が全体の約８５％であったのが、交流電圧を
約１２０分間印加した後には全体の約９９％以上が明暗
反応を生ずる部分に変化した。また、強誘電性ヒステリ
シスループについても、結晶１と同様の結果が得られ
た。
垂直に６０Ｈｚ，約５００Ｖの交流電圧（約５０ｋＶ／
ｃｍの電界）を印加しながら結晶２の変化を偏光顕微鏡
２１およびＣＣＤカメラ２４で観察したところ、結晶１
と同様に、クロスニコル状態で回転させても周期的な明
暗反応を生じなかった部分が徐々に電圧印加方向に対し
て垂直に伸びるように存在するようになり、その面積も
次第に減少した。これにより、電圧の印加前は明暗反応
を示す部分が全体の約８５％であったのが、交流電圧を
約１２０分間印加した後には全体の約９９％以上が明暗
反応を生ずる部分に変化した。また、強誘電性ヒステリ
シスループについても、結晶１と同様の結果が得られ
た。
【００４８】すなわち、これらの結果から、電圧の印加
により強誘電性を示さない部分が強誘電性を示すように
変化し、強誘電性の特性が向上することが確認された。
により強誘電性を示さない部分が強誘電性を示すように
変化し、強誘電性の特性が向上することが確認された。
【００４９】（第２の実施の形態）図１３は本実施の形
態に係るメモリセルの構成を表すものである。このメモ
リセルは、スイッチング用のトランジスタ３０とメモリ
素子４０とから構成されている。このトランジスタ３０
はいわゆるＭＯＳ（Metal-Oxide-Semicondtor ）トラン
ジスタであり、半導体基板（例えばＮ型シリコン（Ｓ
ｉ）半導体基板）５１の上にボロン（Ｂ）などの不純物
が注入されたＰウエル層３１が形成されている。Ｐウエ
ル層３１のうちソース電極形成領域には、燐（Ｐ）など
の不純物が注入されたＮ+ 層よりなるソース電極３２が
形成されており、ドレイン電極形成領域には、同じくＮ
+ 層よりなるドレイン電極３３が形成されている。ソー
ス電極３２とドレイン電極３３は適宜の間隔をあけて形
成されており、その間の上には二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）
よりなるゲート絶縁膜３４を介して多結晶シリコンなど
よりなるゲート電極３５が形成されている。
態に係るメモリセルの構成を表すものである。このメモ
リセルは、スイッチング用のトランジスタ３０とメモリ
素子４０とから構成されている。このトランジスタ３０
はいわゆるＭＯＳ（Metal-Oxide-Semicondtor ）トラン
ジスタであり、半導体基板（例えばＮ型シリコン（Ｓ
ｉ）半導体基板）５１の上にボロン（Ｂ）などの不純物
が注入されたＰウエル層３１が形成されている。Ｐウエ
ル層３１のうちソース電極形成領域には、燐（Ｐ）など
の不純物が注入されたＮ+ 層よりなるソース電極３２が
形成されており、ドレイン電極形成領域には、同じくＮ
+ 層よりなるドレイン電極３３が形成されている。ソー
ス電極３２とドレイン電極３３は適宜の間隔をあけて形
成されており、その間の上には二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）
よりなるゲート絶縁膜３４を介して多結晶シリコンなど
よりなるゲート電極３５が形成されている。
【００５０】メモリ素子４０は、半導体基板５１のメモ
リ素子形成領域に、二酸化珪素よりなる層間絶縁膜４１
を介してアルミニウム（Ａｌ）などの適宜の金属よりな
る下部電極４２が形成されている。この下部電極４２の
上の一部領域には、ビスマスとストロンチウムとタンタ
ルと酸素とからなる層状結晶構造酸化物などの強誘電体
よりなる強誘電体膜４３が形成されている。この強誘電
体膜４３の上には、アルミニウムなどの適宜の金属より
なる上部電極４４が形成されている。すわなち、このメ
モリ素子４０は、強誘電体膜４３に下部電極４２と上部
電極４４とからなる一対の電極が接続されている。
リ素子形成領域に、二酸化珪素よりなる層間絶縁膜４１
を介してアルミニウム（Ａｌ）などの適宜の金属よりな
る下部電極４２が形成されている。この下部電極４２の
上の一部領域には、ビスマスとストロンチウムとタンタ
ルと酸素とからなる層状結晶構造酸化物などの強誘電体
よりなる強誘電体膜４３が形成されている。この強誘電
体膜４３の上には、アルミニウムなどの適宜の金属より
なる上部電極４４が形成されている。すわなち、このメ
モリ素子４０は、強誘電体膜４３に下部電極４２と上部
電極４４とからなる一対の電極が接続されている。
【００５１】なお、強誘電体膜４３を構成する強誘電体
は、上部電極４４および下部電極４２を介して電圧が印
加される領域のうちの９８％以上が強誘電性を示すよう
になっている。また、強誘電体膜４３をビスマスとスト
ロンチウムとタンタルと酸素とからなる層状結晶構造酸
化物により構成する場合には、単結晶により構成しても
多結晶により構成してもよい。但し、電圧の印加方向に
対してｃ軸が垂直になるようにする。
は、上部電極４４および下部電極４２を介して電圧が印
加される領域のうちの９８％以上が強誘電性を示すよう
になっている。また、強誘電体膜４３をビスマスとスト
ロンチウムとタンタルと酸素とからなる層状結晶構造酸
化物により構成する場合には、単結晶により構成しても
多結晶により構成してもよい。但し、電圧の印加方向に
対してｃ軸が垂直になるようにする。
【００５２】トランジスタ３０およびメモリ素子４０の
上には、二酸化珪素よりなる層間絶縁膜５２が形成され
ている。この層間絶縁膜５２には、ドレイン電極３３と
コンタクトをとるためのコンタクトホール５２ａ，上部
電極４４とコンタクトを取るためのコンタクトホール５
２ｂおよび下部電極４２とコンタクトを取るためのコン
タクトホール５２ｃがそれぞれ開口されている。
上には、二酸化珪素よりなる層間絶縁膜５２が形成され
ている。この層間絶縁膜５２には、ドレイン電極３３と
コンタクトをとるためのコンタクトホール５２ａ，上部
電極４４とコンタクトを取るためのコンタクトホール５
２ｂおよび下部電極４２とコンタクトを取るためのコン
タクトホール５２ｃがそれぞれ開口されている。
【００５３】コンタクトホール５２ａにより露出された
ドレイン電極３３の上には、多結晶シリコンなどよりな
る取り出し電極５３が形成されている。また、コンタク
トホール５２ｂにより露出された上部電極４４と取り出
し電極５３の上には、アルミニウムなどの適宜の金属よ
りなる配線５４が形成されており、上部電極４４と取り
出し電極５３（すなわちドレイン電極３３）とを電気的
に接続するようになっている。更に、コンタクトホール
５２ｃにより露出された下部電極４２の上には、アルミ
ニウムなどの適宜の金属よりなる配線５５が形成されて
おり、下部電極４２を図示しない他の素子に対して電気
的に接続するようになっている。
ドレイン電極３３の上には、多結晶シリコンなどよりな
る取り出し電極５３が形成されている。また、コンタク
トホール５２ｂにより露出された上部電極４４と取り出
し電極５３の上には、アルミニウムなどの適宜の金属よ
りなる配線５４が形成されており、上部電極４４と取り
出し電極５３（すなわちドレイン電極３３）とを電気的
に接続するようになっている。更に、コンタクトホール
５２ｃにより露出された下部電極４２の上には、アルミ
ニウムなどの適宜の金属よりなる配線５５が形成されて
おり、下部電極４２を図示しない他の素子に対して電気
的に接続するようになっている。
【００５４】なお、図１３においては図示しないが、層
間絶縁膜５２にはソース電極３２およびゲート電極３５
に接続するコンタクトホールがそれぞれ形成されてい
る。ソース電極３２およびゲート電極３５には各コンタ
クトホールを介して適宜の配線がそれぞれ接続されてお
り、ゲート電極３５に電圧を加えることによりソース電
極３２とドレイン電極３３の間に電流が流れるようにな
っている。
間絶縁膜５２にはソース電極３２およびゲート電極３５
に接続するコンタクトホールがそれぞれ形成されてい
る。ソース電極３２およびゲート電極３５には各コンタ
クトホールを介して適宜の配線がそれぞれ接続されてお
り、ゲート電極３５に電圧を加えることによりソース電
極３２とドレイン電極３３の間に電流が流れるようにな
っている。
【００５５】このような構成を有するメモリセルは、例
えば、次のようにして製造することができる。
えば、次のようにして製造することができる。
【００５６】まず、半導体基板５１にボロンなどの不純
物を打ち込みＰウエル層３１を形成する。次いで、ソー
ス電極形成領域およびドレイン電極形成領域に選択的に
燐などの不純物を打ち込み、Ｎ+ 層よりなるソース電極
３２およびドレイン電極３３を形成する。続いて、ソー
ス電極３２およびドレイン電極３３を形成したＰエウル
層３１の表面を酸化し、ゲート酸化膜３４を形成する。
そののち、ソース電極３２とドレイン電極３３との間の
上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法
により多結晶シリコン膜を選択的に積層し、ゲート電極
３５を形成する。これにより、トランジスタ３０が形成
される。
物を打ち込みＰウエル層３１を形成する。次いで、ソー
ス電極形成領域およびドレイン電極形成領域に選択的に
燐などの不純物を打ち込み、Ｎ+ 層よりなるソース電極
３２およびドレイン電極３３を形成する。続いて、ソー
ス電極３２およびドレイン電極３３を形成したＰエウル
層３１の表面を酸化し、ゲート酸化膜３４を形成する。
そののち、ソース電極３２とドレイン電極３３との間の
上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法
により多結晶シリコン膜を選択的に積層し、ゲート電極
３５を形成する。これにより、トランジスタ３０が形成
される。
【００５７】トランジスタ３０を形成したのち、表面に
層間絶縁膜４１を形成する。次いで、メモリ素子形成領
域にアルミニウムなどよりなる金属膜を選択的に蒸着
し、下部電極４２を形成する。続いて、下部電極４２の
上の一部領域に強誘電体よりなる薄膜を選択的に積層
し、強誘電体膜４３を形成する（強誘電体膜形成工
程）。なお、この強誘電体膜４３をビスマスとストロン
チウムとタンタルと酸素とからなる層状結晶構造酸化物
により構成する場合には、気相法により層状結晶構造酸
化物の結晶を析出させて形成してもよく、ＭＯＣＶＤ
法，ＭＯＤ（Metal Organic Decomposition ）法，ゾル
ゲル（Sol-Gel ）法，スパッタリング法あるいはＭＢＥ
（Molecular Beam Epitaxy）法により形成してもよい。
層間絶縁膜４１を形成する。次いで、メモリ素子形成領
域にアルミニウムなどよりなる金属膜を選択的に蒸着
し、下部電極４２を形成する。続いて、下部電極４２の
上の一部領域に強誘電体よりなる薄膜を選択的に積層
し、強誘電体膜４３を形成する（強誘電体膜形成工
程）。なお、この強誘電体膜４３をビスマスとストロン
チウムとタンタルと酸素とからなる層状結晶構造酸化物
により構成する場合には、気相法により層状結晶構造酸
化物の結晶を析出させて形成してもよく、ＭＯＣＶＤ
法，ＭＯＤ（Metal Organic Decomposition ）法，ゾル
ゲル（Sol-Gel ）法，スパッタリング法あるいはＭＢＥ
（Molecular Beam Epitaxy）法により形成してもよい。
【００５８】このようにして強誘電体膜４３を形成した
のち、この強誘電体膜４３の上にアルミニウムなどより
なる金属膜を選択的に蒸着し、上部電極４４を形成す
る。そののち、上部電極４４および下部電極４２を介し
て、強誘電体膜４３に電圧を印加する（電圧印加工
程）。これにより、電圧の印加領域における強誘電体膜
４３に存在する結晶格子の歪みの少なくとも一部が補正
される。すなわち、結晶格子の対象性がくずれるほどの
歪みにより強誘電性を示さなかった部分や優れた強誘電
性を示さなかった部分が優れた強誘電性を示すようにな
る。
のち、この強誘電体膜４３の上にアルミニウムなどより
なる金属膜を選択的に蒸着し、上部電極４４を形成す
る。そののち、上部電極４４および下部電極４２を介し
て、強誘電体膜４３に電圧を印加する（電圧印加工
程）。これにより、電圧の印加領域における強誘電体膜
４３に存在する結晶格子の歪みの少なくとも一部が補正
される。すなわち、結晶格子の対象性がくずれるほどの
歪みにより強誘電性を示さなかった部分や優れた強誘電
性を示さなかった部分が優れた強誘電性を示すようにな
る。
【００５９】なお、この電圧印加工程において印加する
電圧は交流電圧でも直流電圧でもよいが、直流電圧を用
いる場合には電界の向きを変えながら１パルスづつ交互
に印加する。印加する電圧の大きさは、抗電圧の１．５
倍以上あるいはメモリ駆動電圧以上が好ましい。ちなみ
に、印加する電圧は大きい方が高い効果を得ることがで
きる。また、電圧を印加する際には強誘電体膜４３を適
宜に加熱してもよく、また加熱せず室温の状態（すなわ
ち温度調節をしない状態）としてもよい。電圧を印加す
る際の温度は高い方が抗電界が低くなり印加する電圧が
低くても高い効果を得ることができるが、温度を高くす
ると他の素子に悪い影響を与える可能性があるので、あ
まり高温にしない方が好ましい。これにより、メモリ素
子４０が形成される。
電圧は交流電圧でも直流電圧でもよいが、直流電圧を用
いる場合には電界の向きを変えながら１パルスづつ交互
に印加する。印加する電圧の大きさは、抗電圧の１．５
倍以上あるいはメモリ駆動電圧以上が好ましい。ちなみ
に、印加する電圧は大きい方が高い効果を得ることがで
きる。また、電圧を印加する際には強誘電体膜４３を適
宜に加熱してもよく、また加熱せず室温の状態（すなわ
ち温度調節をしない状態）としてもよい。電圧を印加す
る際の温度は高い方が抗電界が低くなり印加する電圧が
低くても高い効果を得ることができるが、温度を高くす
ると他の素子に悪い影響を与える可能性があるので、あ
まり高温にしない方が好ましい。これにより、メモリ素
子４０が形成される。
【００６０】メモリ素子４０を形成したのち、このメモ
リ素子４０およびトランジスタ３０の上に層間絶縁膜５
２を形成し、ドレイン電極３３，上部電極４４および下
部電極４２の一部表面をそれぞれ露出するコンタクトホ
ール５２ａ，５２ｂ，５２ｃおよび図示しないがソース
電極３２およびゲート電極３５の一部表面をそれぞれ露
出するコンタクトホールをそれぞれ開口する。次いで、
コンタクトホール５２ａに例えばＣＶＤ法により多結晶
シリコン層を選択的に積層し、取り出し電極５３を形成
する。続いて、アルミニウムなどよりなる金属膜を選択
的に蒸着し、配線５４，５５などを形成する。これによ
り、トランジスタ３０とメモリ素子４０が電気的に接続
され、図１３に示したメモリセルが形成される。
リ素子４０およびトランジスタ３０の上に層間絶縁膜５
２を形成し、ドレイン電極３３，上部電極４４および下
部電極４２の一部表面をそれぞれ露出するコンタクトホ
ール５２ａ，５２ｂ，５２ｃおよび図示しないがソース
電極３２およびゲート電極３５の一部表面をそれぞれ露
出するコンタクトホールをそれぞれ開口する。次いで、
コンタクトホール５２ａに例えばＣＶＤ法により多結晶
シリコン層を選択的に積層し、取り出し電極５３を形成
する。続いて、アルミニウムなどよりなる金属膜を選択
的に蒸着し、配線５４，５５などを形成する。これによ
り、トランジスタ３０とメモリ素子４０が電気的に接続
され、図１３に示したメモリセルが形成される。
【００６１】このようにして製造されるメモリセルは、
次のように作用する。
次のように作用する。
【００６２】このメモリセルでは、トランジスタ３０の
ゲート電極３５に電圧が加えられると、トランジスタ３
０のスイッチが“オン”となり、ソース電極３２とドレ
イン電極３３との間に電流が流れる。これにより、取り
出し電極５３および配線５４を介してメモリ素子４０に
電流が流れ、上部電極４４と下部電極４２の間に電圧が
加えられる。メモリ素子４０では、電圧が加えられると
強誘電体膜４３において分極がおこる。この電圧−分極
特性にはヒステリシスがあることから、このヒステリシ
スを利用して“１”または“０”のデータの記憶あるい
は読み出しが行なわれる。この際、この強誘電体膜４３
は電圧の印加領域のうちの９８％以上が強誘電性を示す
強誘電体により構成されているので、優れた特性を有
し、精度良くデータの記憶あるいは読み出しを行うこと
ができる。
ゲート電極３５に電圧が加えられると、トランジスタ３
０のスイッチが“オン”となり、ソース電極３２とドレ
イン電極３３との間に電流が流れる。これにより、取り
出し電極５３および配線５４を介してメモリ素子４０に
電流が流れ、上部電極４４と下部電極４２の間に電圧が
加えられる。メモリ素子４０では、電圧が加えられると
強誘電体膜４３において分極がおこる。この電圧−分極
特性にはヒステリシスがあることから、このヒステリシ
スを利用して“１”または“０”のデータの記憶あるい
は読み出しが行なわれる。この際、この強誘電体膜４３
は電圧の印加領域のうちの９８％以上が強誘電性を示す
強誘電体により構成されているので、優れた特性を有
し、精度良くデータの記憶あるいは読み出しを行うこと
ができる。
【００６３】このように本実施の形態に係るメモリ素子
によれば、強誘電体膜４３を電圧が印加される領域のう
ちの９８％以上が強誘電性を示す強誘電体により構成す
るようにしたので、特性を向上させることができ、各素
子間のばらつきも小さくすることができる。
によれば、強誘電体膜４３を電圧が印加される領域のう
ちの９８％以上が強誘電性を示す強誘電体により構成す
るようにしたので、特性を向上させることができ、各素
子間のばらつきも小さくすることができる。
【００６４】また、本実施の形態に係るメモリ素子の製
造方法によれば、強誘電体膜４３に電圧を印加するよう
にしたので、強誘電体膜４３に存在する結晶格子の歪み
を補正することができる。よって、結晶格子の対象性が
くずれるほどの歪みにより強誘電性を示さなかった部分
や優れた強誘電性を示さなかった部分についても優れた
強誘電性を示すようにすることができる。従って、本実
施の形態に係るメモリ素子を容易に実現することができ
る。
造方法によれば、強誘電体膜４３に電圧を印加するよう
にしたので、強誘電体膜４３に存在する結晶格子の歪み
を補正することができる。よって、結晶格子の対象性が
くずれるほどの歪みにより強誘電性を示さなかった部分
や優れた強誘電性を示さなかった部分についても優れた
強誘電性を示すようにすることができる。従って、本実
施の形態に係るメモリ素子を容易に実現することができ
る。
【００６５】以上、各実施の形態を挙げて本発明を説明
したが、本発明はこれらの各実施の形態に限定されるも
のではなく、その均等の範囲内で種々変形可能である。
例えば、上記第１の実施の形態においては、ビスマスと
第１の元素Ｍｅと第２の元素Ｒと酸素とからなる層状結
晶構造酸化物（第１の元素Ｍｅはナトリウム，カリウ
ム，カルシウム，バリウム，ストロンチウム，鉛および
ビスマスからなる群のうちの少なくとも１種，第２の元
素Ｒは鉄，チタン，ニオブ，タンタルおよびタングステ
ンからなる群のうちの少なくとも１種）により構成され
る強誘電体について説明したが、本発明は他の強誘電体
についても含んでいる。
したが、本発明はこれらの各実施の形態に限定されるも
のではなく、その均等の範囲内で種々変形可能である。
例えば、上記第１の実施の形態においては、ビスマスと
第１の元素Ｍｅと第２の元素Ｒと酸素とからなる層状結
晶構造酸化物（第１の元素Ｍｅはナトリウム，カリウ
ム，カルシウム，バリウム，ストロンチウム，鉛および
ビスマスからなる群のうちの少なくとも１種，第２の元
素Ｒは鉄，チタン，ニオブ，タンタルおよびタングステ
ンからなる群のうちの少なくとも１種）により構成され
る強誘電体について説明したが、本発明は他の強誘電体
についても含んでいる。
【００６６】また、上記第１の実施の形態においては、
具体的な実施例としてＢｉＳＴａよりなる強誘電体につ
いて説明したが、他のビスマスと第１の元素Ｍｅと第２
の元素Ｒと酸素とからなる層状結晶構造酸化物（第１の
元素Ｍｅはナトリウム，カリウム，カルシウム，バリウ
ム，ストロンチウム，鉛およびビスマスからなる群のう
ちの少なくとも１種，第２の元素Ｒは鉄，チタン，ニオ
ブ，タンタルおよびタングステンからなる群のうちの少
なくとも１種）についても同様の結果を得ることができ
る。
具体的な実施例としてＢｉＳＴａよりなる強誘電体につ
いて説明したが、他のビスマスと第１の元素Ｍｅと第２
の元素Ｒと酸素とからなる層状結晶構造酸化物（第１の
元素Ｍｅはナトリウム，カリウム，カルシウム，バリウ
ム，ストロンチウム，鉛およびビスマスからなる群のう
ちの少なくとも１種，第２の元素Ｒは鉄，チタン，ニオ
ブ，タンタルおよびタングステンからなる群のうちの少
なくとも１種）についても同様の結果を得ることができ
る。
【００６７】更に、上記第１の実施の形態においては、
結晶成長工程ののちに成長させた結晶に対して電圧を印
加する場合について説明したが、本発明は、強誘電体を
構成する結晶の少なくとも一部を成長させたのちに電圧
を印加する場合も含んでいる。加えて、本発明は、成長
させた結晶の全体に対して電圧を印加する場合に加え
て、その一部に対して電圧を印加する場合も含んでい
る。
結晶成長工程ののちに成長させた結晶に対して電圧を印
加する場合について説明したが、本発明は、強誘電体を
構成する結晶の少なくとも一部を成長させたのちに電圧
を印加する場合も含んでいる。加えて、本発明は、成長
させた結晶の全体に対して電圧を印加する場合に加え
て、その一部に対して電圧を印加する場合も含んでい
る。
【００６８】更にまた、上記第２の実施の形態において
は、下部電極４２，強誘電体膜４３および上部電極４４
をそれぞれ形成したのちに強誘電体膜４３に対して電圧
を印加する場合について説明したが、電圧の印加は、強
誘電体膜４３の少なくとも一部を形成した後であればい
つでもよい。
は、下部電極４２，強誘電体膜４３および上部電極４４
をそれぞれ形成したのちに強誘電体膜４３に対して電圧
を印加する場合について説明したが、電圧の印加は、強
誘電体膜４３の少なくとも一部を形成した後であればい
つでもよい。
【００６９】加えてまた、上記第２の実施の形態におい
ては、トランジスタ３０とメモリ素子４０とにより構成
されたメモリセルについて説明したが、本発明は、強誘
電体膜に一対の電極を接続したメモリ素子を有する場合
について広く適用される。よって、例えば、トランジス
タ３０の構成は、ＭＯＳトランジスタに限らず、ＭＥＳ
ＦＥＴ（Metal Semicondauctor Field Effect Transist
or）などでもよい。
ては、トランジスタ３０とメモリ素子４０とにより構成
されたメモリセルについて説明したが、本発明は、強誘
電体膜に一対の電極を接続したメモリ素子を有する場合
について広く適用される。よって、例えば、トランジス
タ３０の構成は、ＭＯＳトランジスタに限らず、ＭＥＳ
ＦＥＴ（Metal Semicondauctor Field Effect Transist
or）などでもよい。
【００７０】更にまた、上記第２の実施の形態において
は、１つのメモリセルについて説明したが、複数のメモ
リセルを集積したＬＳＩ（Large Scale Integrated Cir
cuit）メモリについても同様に適用することができる。
は、１つのメモリセルについて説明したが、複数のメモ
リセルを集積したＬＳＩ（Large Scale Integrated Cir
cuit）メモリについても同様に適用することができる。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の強誘電体に
よれば、全体の９８％以上が強誘電性を示すようにした
ので、強誘電性の特性を向上させることができる。よっ
て、これにより強誘電体不揮発性メモリ素子を形成すれ
ば、その品質を改善することができると共に、各メモリ
素子間における品質のばらつきを小さくすることができ
るという効果を奏する。
よれば、全体の９８％以上が強誘電性を示すようにした
ので、強誘電性の特性を向上させることができる。よっ
て、これにより強誘電体不揮発性メモリ素子を形成すれ
ば、その品質を改善することができると共に、各メモリ
素子間における品質のばらつきを小さくすることができ
るという効果を奏する。
【００７２】また、本発明のメモリ素子によれば、強誘
電体膜を電圧が印加される領域のうちの９８％以上が強
誘電性を示す強誘電体により構成するようにしたので、
特性を向上させることができ、各素子間のばらつきも小
さくすることができるという効果を奏する。
電体膜を電圧が印加される領域のうちの９８％以上が強
誘電性を示す強誘電体により構成するようにしたので、
特性を向上させることができ、各素子間のばらつきも小
さくすることができるという効果を奏する。
【００７３】更に、本発明の強誘電体の製造方法によれ
ば、強誘電体を構成する結晶の少なくとも一部を成長さ
せたのちにその少なくとも一部に電圧を印加するように
したので、その結晶に存在する結晶格子の歪みを補正す
ることができる。よって、結晶格子の対象性がくずれる
ほどの歪みにより強誘電性を示さなかった部分や優れた
強誘電性を示さなかった部分についても優れた強誘電性
を示すようにすることができる。従って、特性を向上さ
せることができると共に、本発明の強誘電体を容易に実
現することができるという効果を奏する。
ば、強誘電体を構成する結晶の少なくとも一部を成長さ
せたのちにその少なくとも一部に電圧を印加するように
したので、その結晶に存在する結晶格子の歪みを補正す
ることができる。よって、結晶格子の対象性がくずれる
ほどの歪みにより強誘電性を示さなかった部分や優れた
強誘電性を示さなかった部分についても優れた強誘電性
を示すようにすることができる。従って、特性を向上さ
せることができると共に、本発明の強誘電体を容易に実
現することができるという効果を奏する。
【００７４】加えて、本発明のメモリ素子の製造方法に
よれば、強誘電体膜の少なくとも一部を形成したのちに
その少なくとも一部に電圧を印加するようにしたので、
強誘電体膜に存在する結晶格子の歪みを補正することが
できる。よって、特性を向上させることができると共
に、本発明のメモリ素子を容易に実現することができる
という効果を奏する。
よれば、強誘電体膜の少なくとも一部を形成したのちに
その少なくとも一部に電圧を印加するようにしたので、
強誘電体膜に存在する結晶格子の歪みを補正することが
できる。よって、特性を向上させることができると共
に、本発明のメモリ素子を容易に実現することができる
という効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る層状結晶構造
酸化物の結晶構造を表す概念図である。
酸化物の結晶構造を表す概念図である。
【図２】結晶１の組成を示すＸ線回折パターン図（ａ）
であり、リートベルト・シミュレーション・パターン
（ｂ）と共に表している。
であり、リートベルト・シミュレーション・パターン
（ｂ）と共に表している。
【図３】結晶１の表面を表す光学顕微鏡写真である。
【図４】結晶１のクロスニコル下における明暗の変化を
表す偏光顕微鏡写真である。
表す偏光顕微鏡写真である。
【図５】図４から４５°回転させた結晶１のクロスニコ
ル下における明暗の変化を表す偏光顕微鏡写真である。
ル下における明暗の変化を表す偏光顕微鏡写真である。
【図６】結晶２のクロスニコル下における明暗の変化を
表す偏光顕微鏡写真である。
表す偏光顕微鏡写真である。
【図７】電圧印加工程における結晶の変化を観察する際
に用いる装置の構成を表す図である。
に用いる装置の構成を表す図である。
【図８】電圧印加工程における結晶１の光学的異方性の
変化を表す偏光顕微鏡写真である。
変化を表す偏光顕微鏡写真である。
【図９】図８に続く結晶１の光学的異方性の変化を表す
偏光顕微鏡写真である。
偏光顕微鏡写真である。
【図１０】図９に続く結晶１の光学的異方性の変化を表
す偏光顕微鏡写真である。
す偏光顕微鏡写真である。
【図１１】結晶１の強誘電性ヒステリシスループを表す
特性図である。
特性図である。
【図１２】結晶１に関する電圧印加時間とＰｒ（自発分
極値）との関係を表す特性図である。
極値）との関係を表す特性図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係るメモリセル
を表す構成図である。
を表す構成図である。
１１…［Ｂｉ2 Ｏ2 ］2+に該当する層、１２…［ＭｅＲ
2 Ｏ7 ］2-に該当する層、２１…偏光顕微鏡、２１ａ…
回転ステージ、２１ｂ…偏光子、２２…電圧印加装置、
２３…コンピュータ、２４…ＣＣＤカメラ、２５…画
面、２６…カラービデオプリンタ、２７…温度調節装
置、３０…トランジスタ、３１…Ｐウエル層、３２…ソ
ース電極、３３…ドレイン電極、３４…ゲート酸化膜、
３５…ゲート電極、４０…メモリ素子、４１，５２…層
間絶縁膜、４２…下部電極、４３…強誘電体膜、４４…
上部電極、５１…半導体基板、５２ａ，５２ｂ，５２ｃ
…コンタクトホール、５３…取り出し電極、５４，５５
…配線
2 Ｏ7 ］2-に該当する層、２１…偏光顕微鏡、２１ａ…
回転ステージ、２１ｂ…偏光子、２２…電圧印加装置、
２３…コンピュータ、２４…ＣＣＤカメラ、２５…画
面、２６…カラービデオプリンタ、２７…温度調節装
置、３０…トランジスタ、３１…Ｐウエル層、３２…ソ
ース電極、３３…ドレイン電極、３４…ゲート酸化膜、
３５…ゲート電極、４０…メモリ素子、４１，５２…層
間絶縁膜、４２…下部電極、４３…強誘電体膜、４４…
上部電極、５１…半導体基板、５２ａ，５２ｂ，５２ｃ
…コンタクトホール、５３…取り出し電極、５４，５５
…配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 真之 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 全体の９８％以上が強誘電性を示すこと
を特徴とする強誘電体。 - 【請求項２】 ビスマス（Ｂｉ）と第１の元素と第２の
元素と酸素（Ｏ）とからなると共に、第１の元素はナト
リウム（Ｎａ），カリウム（Ｋ），カルシウム（Ｃ
ａ），バリウム（Ｂａ），ストロンチウム（Ｓｒ），鉛
（Ｐｂ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群のうちの少
なくとも１種でかつ第２の元素は鉄（Ｆｅ），チタン
（Ｔｉ），ニオブ（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ）およびタ
ングステン（Ｗ）からなる群のうちの少なくとも１種の
層状結晶構造酸化物により構成されたことを特徴とする
請求項１記載の強誘電体。 - 【請求項３】 単結晶により構成されたことを特徴とす
る請求項２記載の強誘電体。 - 【請求項４】 強誘電体膜に一対の電極を接続したメモ
リ素子であって、 前記強誘電体膜は、電極を介して電圧が印加される領域
のうちの９８％以上が強誘電性を示す強誘電体により構
成されたことを特徴とするメモリ素子。 - 【請求項５】 前記強誘電体膜は、ビスマス（Ｂｉ）と
第１の元素と第２の元素と酸素（Ｏ）とからなる層状結
晶構造酸化物により少なくとも一部が構成されると共
に、第１の元素はナトリウム（Ｎａ），カリウム
（Ｋ），カルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ），スト
ロンチウム（Ｓｒ），鉛（Ｐｂ）およびビスマス（Ｂ
ｉ）からなる群のうちの少なくとも１種でありかつ第２
の元素は鉄（Ｆｅ），チタン（Ｔｉ），ニオブ（Ｎ
ｂ），タンタル（Ｔａ）およびタングステン（Ｗ）から
なる群のうちの少なくとも１種であることを特徴とする
請求項４記載のメモリ素子。 - 【請求項６】 強誘電体を構成する結晶を成長させる結
晶成長工程と、 その結晶の少なくとも一部を成長させたのち、その少な
くとも一部に電圧を印加してその結晶に存在する結晶格
子の歪みの少なくとも一部を補正する電圧印加工程とを
含むことを特徴とする強誘電体の製造方法。 - 【請求項７】 前記電圧印加工程では、交流電圧を印加
することを特徴とする請求項６記載の強誘電体の製造方
法。 - 【請求項８】 前記電圧印加工程では、直流電圧を電界
の向きを変えて１パルスづつ交互に少なくとも１回印加
することを特徴とする請求項６記載の強誘電体の製造方
法。 - 【請求項９】 前記電圧印加工程では、抗電界の１．５
倍以上の電界が発生する大きさの電圧を印加することを
特徴とする請求項６記載の強誘電体の製造方法。 - 【請求項１０】 前記電圧印加工程は加熱して行うこと
を特徴とする請求項６記載の強誘電体の製造方法。 - 【請求項１１】 前記電圧印加工程は温度調節せずに行
うことを特徴とする請求項６記載の強誘電体の製造方
法。 - 【請求項１２】 ビスマス（Ｂｉ）と第１の元素と第２
の元素と酸素（Ｏ）とからなると共に、第１の元素はナ
トリウム（Ｎａ），カリウム（Ｋ），カルシウム（Ｃ
ａ），バリウム（Ｂａ），ストロンチウム（Ｓｒ），鉛
（Ｐｂ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群のうちの少
なくとも１種でありかつ第２の元素は鉄（Ｆｅ），チタ
ン（Ｔｉ），ニオブ（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ）および
タングステン（Ｗ）からなる群のうちの少なくとも１種
である層状結晶構造酸化物よりなる強誘電体を製造する
ことを特徴とする請求項６記載の強誘電体。 - 【請求項１３】 強誘電体膜に一対の電極を接続したメ
モリ素子を製造する方法であって、 強誘電体膜を形成する強誘電体膜形成工程と、 強誘電体膜の少なくとも一部を成長させたのち、強誘電
体膜の少なくとも一部に電圧を印加して強誘電体膜に存
在する結晶格子の歪みの少なくとも一部を補正する電圧
印加工程とを含むことを特徴とするメモリ素子の製造方
法。 - 【請求項１４】 前記電圧印加工程では、メモリ駆動電
圧以上の大きさの電圧を印加することを特徴とする請求
項１３記載のメモリ素子の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9143126A JPH10316495A (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 強誘電体およびメモリ素子ならびにそれらの製造方法 |
| TW087106678A TW408399B (en) | 1997-05-16 | 1998-04-30 | Ferroelectric material, memory device and the manufacture method of the same |
| US09/078,678 US6171871B1 (en) | 1997-05-16 | 1998-05-14 | Ferroelectric memory device and their manufacturing methods |
| DE69801612T DE69801612T2 (de) | 1997-05-16 | 1998-05-14 | Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Verfahren zur Herstellung |
| EP98108834A EP0878847B1 (en) | 1997-05-16 | 1998-05-14 | Nonvolatile memory device and manufacturing method |
| KR1019980017555A KR19980087104A (ko) | 1997-05-16 | 1998-05-15 | 강유전체 및 메모리 소자 및 이들의 제조 방법 |
| US09/430,479 US20020130337A1 (en) | 1997-05-16 | 1999-10-29 | Ferroelectric, memory device and their manufacturing methods |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9143126A JPH10316495A (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 強誘電体およびメモリ素子ならびにそれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10316495A true JPH10316495A (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=15331529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9143126A Pending JPH10316495A (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 強誘電体およびメモリ素子ならびにそれらの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6171871B1 (ja) |
| EP (1) | EP0878847B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10316495A (ja) |
| KR (1) | KR19980087104A (ja) |
| DE (1) | DE69801612T2 (ja) |
| TW (1) | TW408399B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10096619B2 (en) | 2014-03-17 | 2018-10-09 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and ferroelectric layer |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3907921B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2007-04-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20030124324A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-07-03 | Kappler Safety Group | Breathable blood and viral barrier fabric |
| US6621683B1 (en) * | 2002-09-19 | 2003-09-16 | Infineon Technologies Aktiengesellschaft | Memory cells with improved reliability |
| WO2005122260A1 (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Fujitsu Limited | 容量素子、集積回路および電子装置 |
| US10923501B2 (en) | 2017-02-23 | 2021-02-16 | SK Hynix Inc. | Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same |
| KR20180097378A (ko) | 2017-02-23 | 2018-08-31 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 강유전성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4714848A (en) | 1987-03-02 | 1987-12-22 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Electrically induced mechanical precompression of ferroelectric plates |
| JPH0451022A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 液晶の配向法 |
| US5155658A (en) | 1992-03-05 | 1992-10-13 | Bell Communications Research, Inc. | Crystallographically aligned ferroelectric films usable in memories and method of crystallographically aligning perovskite films |
| JPH05289081A (ja) | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 強誘電性液晶素子配向修復方法 |
| US5607632A (en) * | 1995-05-30 | 1997-03-04 | Rockwell International Corporation | Method of fabricating PLZT piezoelectric ceramics |
| JP3188179B2 (ja) * | 1995-09-26 | 2001-07-16 | シャープ株式会社 | 強誘電体薄膜素子の製造方法及び強誘電体メモリ素子の製造方法 |
| JP3478012B2 (ja) | 1995-09-29 | 2003-12-10 | ソニー株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
| US5998910A (en) * | 1997-01-28 | 1999-12-07 | The Penn State Research Foundation | Relaxor ferroelectric single crystals for ultrasound transducers |
-
1997
- 1997-05-16 JP JP9143126A patent/JPH10316495A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-30 TW TW087106678A patent/TW408399B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-05-14 DE DE69801612T patent/DE69801612T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-14 US US09/078,678 patent/US6171871B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-14 EP EP98108834A patent/EP0878847B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-15 KR KR1019980017555A patent/KR19980087104A/ko not_active Application Discontinuation
-
1999
- 1999-10-29 US US09/430,479 patent/US20020130337A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10096619B2 (en) | 2014-03-17 | 2018-10-09 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and ferroelectric layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6171871B1 (en) | 2001-01-09 |
| KR19980087104A (ko) | 1998-12-05 |
| DE69801612T2 (de) | 2002-06-20 |
| DE69801612D1 (de) | 2001-10-18 |
| EP0878847B1 (en) | 2001-09-12 |
| TW408399B (en) | 2000-10-11 |
| EP0878847A1 (en) | 1998-11-18 |
| US20020130337A1 (en) | 2002-09-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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