JPH10312461A - パターン検査方法及びパターン検査装置 - Google Patents

パターン検査方法及びパターン検査装置

Info

Publication number
JPH10312461A
JPH10312461A JP9124044A JP12404497A JPH10312461A JP H10312461 A JPH10312461 A JP H10312461A JP 9124044 A JP9124044 A JP 9124044A JP 12404497 A JP12404497 A JP 12404497A JP H10312461 A JPH10312461 A JP H10312461A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
master pattern
master
measured
contour
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9124044A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3127434B2 (ja
Inventor
Toru Ida
徹 井田
Toshiya Takei
俊哉 竹井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Avionics Co Ltd
Original Assignee
Nippon Avionics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Avionics Co Ltd filed Critical Nippon Avionics Co Ltd
Priority to JP09124044A priority Critical patent/JP3127434B2/ja
Publication of JPH10312461A publication Critical patent/JPH10312461A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3127434B2 publication Critical patent/JP3127434B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大容量のメモリを用いることなく被測定パタ
ーンを検査する。 【解決手段】 被測定パターンの設計時のCADデータ
あるいは被測定パターンの良品の画像データからマスタ
パターンの輪郭を示す直線を抽出する。この直線の始点
座標、終点座標をマスタパターン情報として登録する
(ステップ101、102)。被測定パターンをカメラ
で撮像して2値化する(ステップ103、104)。所
定の大きさの分割領域ごとに、マスタパターン情報に基
づいてマスタパターンの輪郭線を描き、対向する輪郭線
間を塗りつぶしてマスタパターンを画像メモリ上に展開
する(ステップ105)。このマスタパターンと被測定
パターンを比較する(ステップ108、109)。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、グリーンシートあ
るいはフィルムキャリア等に形成されたパターンを検査
する検査方法及び検査装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、IC、LSIの多ピン化要求
に適した実装技術として、PGA(Pin Grid Array)が
知られている。PGAは、チップを付けるパッケージの
ベースとしてセラミック基板を用い、リード線の取り出
し位置まで配線を行っている。このセラミック基板を作
るために、アルミナ粉末を液状のバインダで練り合わせ
てシート状にしたグリーンシートと呼ばれるものが使用
され、このグリーンシート上に高融点の金属を含むペー
ストがスクリーン印刷される。そして、このようなシー
トを焼成することにより、グリーンシートを焼結させる
と共にペーストを金属化させる、いわゆる同時焼成が行
われる。
【0003】また、その他の実装技術として、TAB
(Tape Automated Bonding)が知られている。TAB法
は、ポリイミド製のフィルムキャリア(TABテープ)
上に形成された銅箔パターンをICチップの電極に接合
して外部リードとする。銅箔パターンは、フィルムに銅
箔を接着剤で貼り付け、これをエッチングすることによ
って形成される。
【0004】このようなグリーンシートあるいはフィル
ムキャリアでは、パターン形成後に顕微鏡を用いて人間
により目視でパターンの検査が行われる。ところが、微
細なパターンを目視で検査するには、熟練を要すると共
に、目を酷使するという問題点があった。そこで、目視
検査に代わるものとして、フィルムキャリア等に形成さ
れたパターンをTVカメラで撮像して自動的に検査する
技術が提案されている(例えば、特開平6−27313
2号公報、特開平7−110863号公報)。ところ
が、このような検査方法では、被測定パターンの全体に
わたってマスタパターンとの比較による詳細な検査を繰
り返すため、パターン検査に時間がかかってしまうとい
う問題点があった。そこで、パターンの突起、欠損、断
線又は短絡を高速に検査することができる検査方法が提
案されている(特願平8−302807号)。
【0005】特願平8−302807号に開示された検
査方法では、被測定パターンの設計時のCADデータあ
るいは被測定パターンの良品から作成した第1のマスタ
パターンを収縮処理して第2のマスタパターンを作成す
ると共に、第1のマスタパターンを膨張処理して第3の
マスタパターンを作成する。被測定パターンと第2のマ
スタパターンの論理積をとると、この論理積の結果は、
被測定パターンに欠損や断線があるか否かによって異な
り、被測定パターンと第3のマスタパターンの論理積を
とると、この論理積の結果は、被測定パターンに突起や
短絡があるか否かによって異なるので、被測定パターン
の欠陥候補を検出することができる。被測定パターンと
第2、第3のマスタパターンの論理積処理はハードウェ
アで実現でき、検出した欠陥候補を含む所定の領域だけ
処理時間のかかる被測定パターンと第1のマスタパター
ンの比較によって検査するので、被測定パターンの欠陥
を従来よりも高速に検査することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上のような
マスタパターンと被測定パターンとの論理演算により被
測定パターンの欠陥候補を検出して、欠陥候補を含む所
定の領域について被測定パターンとマスタパターンの誤
差を求めることにより被測定パターンを検査する検査方
法では、パターンエッジとその内側が画素「1」で塗り
つぶされたマスタパターンを用意しなければならず、こ
のようなマスタパターンはデータ量が非常に大きくなる
ので、マスタパターンを記憶するために大容量の画像メ
モリが必要になるという問題点があった。本発明は、上
記課題を解決するためになされたもので、大容量の画像
メモリを必要としない検査方法及び検査装置を提供する
ことを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、請求項1に記
載のように、被測定パターンの設計時のCADデータあ
るいは被測定パターンの良品の画像データからマスタパ
ターンの輪郭を示す直線を抽出して、抽出した直線の始
点座標、終点座標をマスタパターン情報として登録し、
所定の大きさの分割領域ごとに、マスタパターン情報に
基づいてマスタパターンの輪郭線を描き、対向する輪郭
線間を塗りつぶしてマスタパターンを画像メモリ上に展
開し、このマスタパターンと被測定パターンを比較する
ようにしたものである。このように、マスタパターンの
輪郭を示す直線を抽出して、この直線の始点座標、終点
座標をマスタパターン情報として登録することにより、
マスタパターンのデータ量を圧縮することができる。そ
して、所定の大きさの分割領域ごとに、マスタパターン
情報に基づいてマスタパターンの輪郭線を描き、対向す
る輪郭線間を塗りつぶしてマスタパターンを画像メモリ
上に展開し、このマスタパターンと被測定パターンを比
較すれば、マスタパターンを記憶する画像メモリは分割
領域の分だけの容量で足りることになる。
【0008】また、請求項2に記載のように、被測定パ
ターンの設計時のCADデータあるいは被測定パターン
の良品の画像データからマスタパターンの輪郭を示す直
線を抽出して、抽出した直線の始点座標、終点座標をマ
スタパターン情報として登録するマスタパターン作成手
段と、所定の大きさの分割領域ごとに、マスタパターン
情報に基づいてマスタパターンの輪郭線を描き、対向す
る輪郭線間を塗りつぶしてマスタパターンを画像メモリ
上に展開し、このマスタパターンと被測定パターンを比
較する画像処理手段とを有するものである。また、請求
項3に記載のように、画像処理手段は、マスタパターン
を記憶するための画像メモリと、この画像メモリ上に所
定の大きさの分割領域ごとにマスタパターンの輪郭線を
描く描画手段と、このマスタパターンの対向する輪郭線
間を塗りつぶす塗りつぶし手段と、画像メモリに記憶さ
れたマスタパターンとカメラで撮像された被測定パター
ンを比較する検査手段とからなるものである。
【0009】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は本発明の実施の形態
となるパターン検査方法を示すフローチャート図、図2
はこの検査方法で用いるパターン検査装置のブロック図
である。図2において、1はグリーンシート、2はグリ
ーンシート1を載せるX−Yテーブル、3はグリーンシ
ート1を撮像するラインセンサカメラ、4は被測定パタ
ーンの欠陥を検出して、この欠陥の位置を示すアドレス
情報を出力する第1の画像処理装置、5はこのアドレス
情報により欠陥を含む所定の領域について、被測定パタ
ーンとマスタパターンの誤差を求め、被測定パターンを
検査する第2の画像処理装置、6は装置全体を制御する
ホストコンピュータ、7は検査結果を表示するための表
示装置である。
【0010】最初に、検査の前に予め作成しておくマス
タパターンについて説明する。ホストコンピュータ6
は、CAD(Computer Aided Design )システムによっ
て作成され例えば磁気ディスクに書き込まれたグリーン
シートの設計値データ(以下、CADデータとする)を
図示しない磁気ディスク装置によって読み出す(図1ス
テップ101)。
【0011】続いて、ホストコンピュータ6は、読み出
したCADデータからパターンのエッジデータを抽出す
る。このエッジデータは、パターンエッジを示す直線の
集合である。そして、抽出した直線の始点座標、終点座
標がマスタパターン情報として画像処理装置4に送ら
れ、後述するマスタメモリに格納される。こうして、検
査の基準となる第1のマスタパターンが作成される(ス
テップ102)。
【0012】図3に第1のマスタパターンの輪郭線とそ
れに対応するマスタパターン情報の構造を示す。図3
(a)に示すように、マスタパターンMの輪郭を示す直
線がL1〜L6のとき、これに対応するマスタパターン
情報は、図3(b)に示すように、各直線の始点座標、
終点座標の集合となる。マスタパターン情報のフィール
ド21には始点あるいは終点のx座標が格納され、フィ
ールド22には始点あるいは終点のy座標が格納され
る。
【0013】例えば、直線L1の始点の座標x0,y0
がマスタパターン情報の1行目に格納され、同じく終点
の座標x1,y1がマスタパターン情報の2行目に格納
される。直線L2の始点は直線L1の終点と同一なの
で、直線L1と重複して格納する必要がない。したがっ
て、直線L2の終点の座標x2,y2がマスタパターン
情報の3行目に格納される。同様に、直線L3の始点は
直線L2の終点と同一なので、直線L3の終点の座標x
3,y3が4行目に格納される。以下、同様にして直線
L4〜L6の始点座標、終点座標が格納される。
【0014】なお、マスタパターン情報に座標が格納さ
れる順番は、反時計回りの方向である。また、ここでは
第1のマスタパターンの輪郭のみを抽出しているが、パ
ターン検査に使用される実際の第1のマスタパターン
は、パターンエッジとその内側が画素「1」で塗りつぶ
されたものである。
【0015】次に、被測定パターンの検査について説明
する。まず、グリーンシート1をカメラ3によって撮像
する。そして、第1の画像処理装置4は、カメラ3から
出力された濃淡画像をディジタル化して、図示しない内
部の画像メモリにいったん記憶する(ステップ10
3)。カメラ3は、X方向に画素が配列されたラインセ
ンサなので、X−Yテーブル2あるいはカメラ3をY方
向に移動させることにより、2次元の画像データが画像
メモリに記憶される。
【0016】続いて、画像処理装置4は、画像メモリに
記憶された被測定パターンの濃淡画像を2値化する(ス
テップ104)。被測定パターンの濃淡画像データに
は、パターンとそれ以外の背景(グリーンシート等の基
材)とが含まれているが、パターンと背景には濃度差が
あるので、パターンの濃度値と背景の濃度値の間の値を
しきい値として設定すれば、パターンは「1」に変換さ
れ、背景は「0」に変換される。こうして、パターンエ
ッジとその内側が画素「1」で塗りつぶされた被測定パ
ターンを得ることができる。
【0017】次いで、画像処理装置4は、マスタメモリ
に記憶されたマスタパターン情報に基づいて所定の大き
さの分割領域ごとに第1のマスタパターンを画像メモリ
である解凍メモリ上に展開する(ステップ105)。以
下、このようなマスタパターンの生成処理を解凍処理と
呼ぶ。図4はこの解凍処理を示すフローチャート図、図
5は解凍処理を実行する処理部のブロック図、図6は解
凍処理を説明するための図である。なお、図6では、パ
ターンに相当する画素「1」のみを図示し、背景に相当
する画素「0」を不図示としている。
【0018】解凍処理を実行する処理部は、マスタパタ
ーン情報を記憶しているマスタメモリ11、マスタパタ
ーン情報から生成された第1のマスタパターンを記憶す
る解凍メモリ12、解凍メモリ12のデータをクリアす
るクリア処理部13、マスタパターン情報に基づいてマ
スタパターンの輪郭線を描く描画処理部14、マスタパ
ターンの対向する輪郭線間を塗りつぶす塗りつぶし処理
部15、クリア処理部13、描画処理部14、塗りつぶ
し処理部15のうち何れかを選択して解凍メモリ12と
接続するセレクタ16から構成されている。
【0019】まず、セレクタ16は、図示しないCPU
の制御によってクリア処理部13と解凍メモリ12を接
続し、クリア処理部13は、解凍メモリ12の画像デー
タをクリア(全て「0」)する(ステップ201)。
【0020】続いて、セレクタ16は、CPUの制御に
よって描画処理部14と解凍メモリ12を接続し、描画
処理部14は、図6(a)に示すように、マスタメモリ
11に格納されたマスタパターン情報を基にマスタパタ
ーンの輪郭線を描く(ステップ202)。このとき、描
画処理部14は、以下に示すような規則1〜5に従って
輪郭線を描く。
【0021】1.始点座標と終点座標で表される直線の
x方向の変化量をdx、同じくy方向の変化量をdyと
し、y方向に座標を1ずつ移動しながらx座標を算出し
て、座標(x,y)で指定される解凍メモリ12上のア
ドレスのデータを「1」とする。ここで、始点x座標を
xa、始点y座標をya、終点x座標をxb、終点y座
標をybとすると、変化量dx、dyは次式となる。 dx=(xb−xa) ・・・(1) dy=(yb−ya) ・・・(2)
【0022】そして、x座標は、例えば次式のように算
出することができる。 x=(dx/dy)×(y−ya)+xa ・・・(3) 式(3)において、yを始点のy座標yaから終点のy
座標ybまで1つずつ変化させながら、xを算出して、
座標(x,y)で指定される解凍メモリ12上のアドレ
スのデータを「1」とすればよい。ただし、xの小数点
以下は例えば四捨五入することによって整数値に近似す
る。
【0023】2.輪郭線が下り線の場合、始点は描き、
終点は描かないものとする。例えば図6(a)におい
て、座標(xc,yc)の始点と座標(xd,yd)の
終点で表される輪郭線は下り線である。したがって、座
標(xc,yc)のデータは「1」となり、座標(x
d,yd)のデータは「0」となる(図6(a)では破
線で図示)。始点と終点の間の画素は上記の規則1に基
づいて描かれる。なお、次の直線が座標(xd,yd)
を始点とする下り線であれば、この直線を描画する時点
で座標(xd,yd)のデータが「1」となる。
【0024】3.輪郭線が上り線の場合、終点は描き、
始点は描かないものとする。例えば図6(a)におい
て、座標(xe,ye)の始点と座標(xf,yf)の
終点で表される輪郭線は上り線である。よって、座標
(xe,ye)のデータは「0」となり(図6(a)で
は破線で図示)、座標(xf,yf)のデータは「1」
となる。始点と終点の間の画素は上記の規則1に基づい
て描かれる。なお、次の直線が座標(xf,yf)を始
点とする上り線であっても、始点は描かないので、座標
(xf,yf)の値は「1」のままである。
【0025】4.「1」を描こうとした位置のデータが
既に「1」であった場合は、このデータを「0」にす
る。 5.真横の線(dyが0の線)は描かない。この規則
4,5の理由については後述する。
【0026】次に、セレクタ16は、CPUの制御によ
って塗りつぶし処理部15と解凍メモリ12を接続し、
塗りつぶし処理部15は、図6(b)に示すように、対
向する輪郭線間を塗りつぶす(ステップ203)。この
とき、塗りつぶし処理部15は、矢印で示すように各水
平ラインを左端から走査し、データ「1」を検出する
と、これより後のアドレスのデータを「0」から「1」
に反転する。そして、次にデータ「1」を検出すると、
このデータを「0」に反転する。このような処理を1水
平ラインごとに繰り返す。
【0027】例えば、左端から走査を開始して、最初に
座標(xc,yc)のデータ「1」を検出すると、これ
より後のアドレスのデータを順次「1」に反転し、座標
(xf,yf)のデータ「1」を検出すると、このデー
タを「0」に反転する(図6(b)では破線で図示)。
以後、同様の処理を繰り返せばよい。
【0028】以上のような輪郭線の描画と塗りつぶし処
理によれば、塗りつぶしの対象となる輪郭線の内側、す
なわちパターンの内側かどうかを確認する必要がない。
このような確認を不要とすることにより、塗りつぶしを
ハードウェアで容易に行うことができ、その結果、高速
な処理が可能となる。
【0029】次に、規則4,5の理由について説明す
る。例えば図7のように、座標(xg,yg)で始まっ
て同座標で終わる菱形状の輪郭線を描いて、これの内部
を塗りつぶすことを考える。座標(xg,yg)が
「1」になっていると、上記の塗りつぶし規則により、
これより後のアドレスのデータを「1」にしてしまう。
これは、菱形の外側を塗りつぶすことを意味する。
【0030】そこで、最初に座標(xg,yg)を描い
た後に、再度描くときには、座標(xg,yg)のデー
タ「1」を検出して、これを「0」にする。これによ
り、上記のような問題を避けることができる。規則5の
理由も同様である。なお、座標(xh,yh)について
も同様の問題が発生するが、これは規則2,3によって
回避することができる。こうして、解凍メモリ12のメ
モリ領域上に第1のマスタパターンを生成することがで
きる。
【0031】次に、画像処理装置4は、第1のマスタパ
ターンから欠損、ピンホール又は断線検出用の第2のマ
スタパターン、突起、飛び散り又は短絡検出用の第3の
マスタパターンを以下のように作成する(ステップ10
6)。図8は第2、第3のマスタパターンの作成方法を
説明するための図であり、第1のマスタパターンの一部
を示している。
【0032】まず、図8(a)に示すように、第1のマ
スタパターンをその中心線と直角の方向に収縮させて、
第2のマスタパターンM1を作成する。これは、第1の
マスタパターンの両エッジを示す対向する直線A1とA
4(中心線はL1)の間隔、及びA2とA3(中心線は
L2)の間隔を狭くして第1のマスタパターンを細らせ
ることにより作成することができる。
【0033】この第2のマスタパターンM1による欠陥
検出の精度は、第1のマスタパターンをどれだけ収縮さ
せるかによって決まる。例えば、第1のマスタパターン
の幅の1/5を超える欠損が存在するときに欠陥と認識
したい場合は、第2のマスタパターンM1の幅を第1の
マスタパターンの幅の3/5となるように縮小すればよ
い。検出精度は、画素単位や実際の寸法で決めてもよい
ことは言うまでもない。こうして、欠損、ピンホール又
は断線検出用の第2のマスタパターンM1が作成され
る。
【0034】続いて、図8(b)に示すように、第1の
マスタパターンをその中心線と直角の方向に膨張させ
て、第3のマスタパターンM2を作成する。これは、第
1のマスタパターンの両エッジを示す対向する直線A5
とA8(中心線はL3)、A6とA7(中心線はL
4)、A9とA12(中心線はL5)及びA10とA1
1(中心線はL6)の間隔をそれぞれ広くして第1のマ
スタパターンを太らせることにより作成することができ
る。
【0035】ただし、実際に第3のマスタパターンM2
になるのは、直線A5〜A8からなるマスタパターンM
aと、直線A9〜A12からなるマスタパターンMbを
それぞれ膨張処理して生じた2つのパターンに挟まれた
領域(パターンが存在しない基材の部分)である。つま
り、膨張処理した結果を論理反転したものである。
【0036】この第3のマスタパターンM2による欠陥
検出の精度は、第1のマスタパターンをどれだけ膨張さ
せるかによって決まる。例えば、第1のマスタパターン
の幅の1/5を超える欠損が存在するときに欠陥と認識
したい場合は、第3のマスタパターンM2の幅を第1の
マスタパターンの幅の7/5となるように拡大すればよ
い。また、画素単位や実際の寸法で検出精度を決めても
よいことは第2のマスタパターンと同様である。こうし
て、突起、飛び散り又は短絡検出用の第3のマスタパタ
ーンM2が作成される。
【0037】なお、図8では、説明を簡単にするため
に、パターンエッジを意味する直線のみで第1のマスタ
パターンを表し、パターンエッジを意味する直線とその
内側を意味する斜線で第2、第3のマスタパターンを表
しているが、実際の第1〜第3のマスタパターンは、パ
ターンエッジとその内側が画素「1」で塗りつぶされた
ものである。
【0038】次いで、被測定パターンとマスタパターン
の位置合わせを行う(ステップ107)。なお、第1の
マスタパターンから作成した第2のマスタパターンM1
と第3のマスタパターンM2間の位置関係は分かってい
るので、マスタパターンと被測定パターンの位置合わせ
は1回行えばよい。
【0039】続いて、画像処理装置4は、第2、第3の
マスタパターンの各々と2値化された被測定パターンを
比較して、被測定パターンを検査する(ステップ10
8)。これらの検査は、後述するハードウェアによって
同時に実施される。
【0040】まず、第2のマスタパターンとの比較によ
る検査について説明する。図9はこの検査方法を説明す
るための図である。なお、図9では、第2のマスタパタ
ーンM1をパターンエッジを意味する直線とその内側を
意味する斜線で表し、被測定パターンPをパターンエッ
ジを意味する直線とその内側を意味する梨地で表してい
る。
【0041】画像処理装置4内の図示しない論理積回路
は、被測定パターンPと第2のマスタパターンM1の論
理積をとる。この論理積の結果は、被測定パターンPに
欠損や断線等があるか否かによって異なる。被測定パタ
ーンPに欠損や断線等がない場合は、マスタパターンM
1と対応する領域(図9において、パターンM1と重な
っている領域)の被測定パターンPの画素が全て「1」
なので、マスタパターンM1と対応する領域における論
理積の結果が全て「1」となる。
【0042】これに対し、被測定パターンPに欠損(画
素「0」)が存在する場合は、マスタパターンM1と対
応する領域において論理積の結果が「0」となる画素が
存在することになる。これは、マスタパターンM1と対
応する領域にピンホールや断線が存在する場合も同様で
ある。こうして、被測定パターンの欠損、ピンホールあ
るいは断線を検出することができる。そして、画像処理
装置4は、論理積の結果が「0」となって欠陥と認識し
た位置(図9では、Cの位置)を記憶する。
【0043】次に、第3のマスタパターンとの比較によ
る検査について説明する。図10はこの検査方法を説明
するための図である。なお、図10では、第3のマスタ
パターンM2をパターンエッジを意味する直線とその内
側を意味する斜線で表し、被測定パターンPをパターン
エッジを意味する直線とその内側を意味する梨地で表し
ている。
【0044】画像処理装置4内の図示しない論理積回路
は、被測定パターンPと第3のマスタパターンM2の論
理積をとる。この論理積の結果は、被測定パターンPに
突起や短絡等があるか否かによって異なる。被測定パタ
ーンPに突起や短絡等がない場合は、マスタパターンM
2と対応する領域(図10において、パターンM2と重
なっている領域)の被測定パターンPの画素が全て
「0」なので、マスタパターンM2と対応する領域にお
ける論理積の結果が全て「0」となる。
【0045】これに対し、被測定パターンPに突起(画
素「1」)が存在する場合は、マスタパターンM2と対
応する領域において論理積の結果が「1」となる画素が
存在することになる。同様に2本の被測定パターンPが
短絡していると、マスタパターンM2と対応する領域に
おいて論理積の結果が「1」となる画素が存在する。こ
れは、マスタパターンM2と対応する領域に飛び散りが
存在する場合も同様である。
【0046】こうして、被測定パターンの突起、飛び散
りあるいは短絡を検出することができる。そして、画像
処理装置4は、論理積の結果が「1」となって欠陥と認
識した位置(図10では、D,Eの位置)を記憶する。
【0047】以上のような検査を上記分割領域について
行った後、画像処理装置4は記憶した欠陥の位置をアド
レス情報として出力する。第2の画像処理装置5は、第
1の画像処理装置4から送られたアドレス情報に基づ
き、検出された欠陥を中心とする所定の大きさの領域に
ついて、被測定パターンと上記第1のマスタパターンを
ソフトウエア処理で比較して誤差を求め、被測定パター
ンの検査を行う(ステップ109)。
【0048】以上のようなステップ105〜109の処
理をマスタパターンの全領域を所定の大きさに分割した
分割領域及びこれに対応する被測定パターンの分割領域
ごとに繰り返すことにより、被測定パターン全体を検査
することができる。第2、第3のマスタパターンの各々
と被測定パターンとの比較検査は、ハードウェアで実現
でき、検出した欠陥を含む所定の領域だけ、処理時間の
かかる被測定パターンと第1のマスタパターンの比較に
よって検査するので、被測定パターンの欠陥を高速に検
査することができる。
【0049】なお、本実施の形態では、CADデータか
ら第1のマスタパターンを作成しているが、良品と判定
された被測定パターンを撮像し、このパターンのエッジ
を直線化して、マスタパターン情報を作成するようにし
てもよい。また、画像処理装置4,5の構成を複数設け
て、複数の分割領域の処理を並行して行うようにしても
よい。このようにすれば、検査を更に高速化することが
できる。
【0050】
【発明の効果】本発明によれば、請求項1に記載のよう
に、マスタパターンの輪郭を示す直線を抽出して、この
直線の始点座標、終点座標をマスタパターン情報として
登録することにより、マスタパターンのデータ量を圧縮
することができる。そして、分割領域ごとに、マスタパ
ターン情報に基づいてマスタパターンの輪郭線を描き、
対向する輪郭線間を塗りつぶして、このマスタパターン
と被測定パターンを比較することにより、マスタパター
ンを記憶する画像メモリは分割領域の分だけの容量で足
りることになる。その結果、大容量のメモリを用いるこ
となく被測定パターンを高速に検査することができる。
【0051】また、請求項2に記載のように、パターン
検査装置をマスタパターン作成手段及び画像処理手段か
ら構成することにより、大容量のメモリを用いることな
く被測定パターンを高速に検査することができるパター
ン検査装置を容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態となるパターン検査方法
を示すフローチャート図である。
【図2】 パターン検査装置のブロック図である。
【図3】 第1のマスタパターンの輪郭線とマスタパタ
ーン情報の構造を示す図である。
【図4】 解凍処理を示すフローチャート図である。
【図5】 解凍処理を実行する処理部のブロック図であ
る。
【図6】 解凍処理を説明するための図である。
【図7】 解凍処理を説明するための図である。
【図8】 第2、第3のマスタパターンの作成方法を説
明するための図である。
【図9】 第2のマスタパターンとの比較による検査方
法を説明するための図である。
【図10】 第3のマスタパターンとの比較による検査
方法を説明するための図である。
【符号の説明】
1…グリーンシート、2…X−Yテーブル、3…ライン
センサカメラ、4…第1の画像処理装置、5…第2の画
像処理装置、6…ホストコンピュータ、7…表示装置。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基準となるマスタパターンとカメラで撮
    像した被測定パターンを比較することにより被測定パタ
    ーンを検査するパターン検査方法において、 被測定パターンの設計時のCADデータあるいは被測定
    パターンの良品の画像データからマスタパターンの輪郭
    を示す直線を抽出して、抽出した直線の始点座標、終点
    座標をマスタパターン情報として登録し、 所定の大きさの分割領域ごとに、前記マスタパターン情
    報に基づいてマスタパターンの輪郭線を描き、対向する
    輪郭線間を塗りつぶしてマスタパターンを画像メモリ上
    に展開し、このマスタパターンと被測定パターンを比較
    することを特徴とするパターン検査方法。
  2. 【請求項2】 被測定パターンの設計時のCADデータ
    あるいは被測定パターンの良品の画像データからマスタ
    パターンの輪郭を示す直線を抽出して、抽出した直線の
    始点座標、終点座標をマスタパターン情報として登録す
    るマスタパターン作成手段と、 所定の大きさの分割領域ごとに、前記マスタパターン情
    報に基づいてマスタパターンの輪郭線を描き、対向する
    輪郭線間を塗りつぶしてマスタパターンを画像メモリ上
    に展開し、このマスタパターンと被測定パターンを比較
    する画像処理手段とを有することを特徴とするパターン
    検査装置。
  3. 【請求項3】 前記画像処理手段は、マスタパターンを
    記憶するための画像メモリと、 この画像メモリ上に所定の大きさの分割領域ごとにマス
    タパターンの輪郭線を描く描画手段と、 このマスタパターンの対向する輪郭線間を塗りつぶす塗
    りつぶし手段と、 前記画像メモリに記憶されたマスタパターンとカメラで
    撮像された被測定パターンを比較する検査手段とからな
    るものであることを特徴とするパターン検査装置。
JP09124044A 1997-05-14 1997-05-14 パターン検査方法及びパターン検査装置 Expired - Lifetime JP3127434B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09124044A JP3127434B2 (ja) 1997-05-14 1997-05-14 パターン検査方法及びパターン検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09124044A JP3127434B2 (ja) 1997-05-14 1997-05-14 パターン検査方法及びパターン検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10312461A true JPH10312461A (ja) 1998-11-24
JP3127434B2 JP3127434B2 (ja) 2001-01-22

Family

ID=14875623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09124044A Expired - Lifetime JP3127434B2 (ja) 1997-05-14 1997-05-14 パターン検査方法及びパターン検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3127434B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6868175B1 (en) 1999-08-26 2005-03-15 Nanogeometry Research Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and recording medium
JP2008170198A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Ryoei Engineering Kk 輪郭部の欠け検査方法およびその装置
US7796801B2 (en) 1999-08-26 2010-09-14 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US7817844B2 (en) 1999-08-26 2010-10-19 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US7983471B2 (en) 2006-12-05 2011-07-19 Ngr Inc. Pattern inspection apparatus and method
US8077962B2 (en) 2008-02-13 2011-12-13 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern generating apparatus and pattern shape evaluating apparatus
US8150140B2 (en) 2008-12-22 2012-04-03 Ngr Inc. System and method for a semiconductor lithographic process control using statistical information in defect identification
US8422761B2 (en) 2008-12-22 2013-04-16 Ngr Inc. Defect and critical dimension analysis systems and methods for a semiconductor lithographic process
US8977034B2 (en) 2009-06-30 2015-03-10 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern shape evaluation method and pattern shape evaluation apparatus
US9679371B2 (en) 2013-06-24 2017-06-13 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern shape evaluation device and method

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7660455B2 (en) 1999-08-26 2010-02-09 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and recording medium
US7796801B2 (en) 1999-08-26 2010-09-14 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US7817844B2 (en) 1999-08-26 2010-10-19 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US8045785B2 (en) 1999-08-26 2011-10-25 Ngr Inc. Pattern inspection apparatus and method
US6868175B1 (en) 1999-08-26 2005-03-15 Nanogeometry Research Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and recording medium
US8285031B2 (en) 2006-12-05 2012-10-09 Ngr Inc. Pattern inspection apparatus and method
US7983471B2 (en) 2006-12-05 2011-07-19 Ngr Inc. Pattern inspection apparatus and method
US9189843B2 (en) 2006-12-05 2015-11-17 Ngr Inc. Pattern inspection apparatus and method
JP2008170198A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Ryoei Engineering Kk 輪郭部の欠け検査方法およびその装置
US8515155B2 (en) 2008-02-13 2013-08-20 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern generating apparatus and pattern shape evaluating apparatus
US8363923B2 (en) 2008-02-13 2013-01-29 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern generating apparatus and pattern shape evaluating apparatus
US8655050B2 (en) 2008-02-13 2014-02-18 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern generating apparatus and pattern shape evaluating apparatus
US8077962B2 (en) 2008-02-13 2011-12-13 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern generating apparatus and pattern shape evaluating apparatus
US8422761B2 (en) 2008-12-22 2013-04-16 Ngr Inc. Defect and critical dimension analysis systems and methods for a semiconductor lithographic process
US8150140B2 (en) 2008-12-22 2012-04-03 Ngr Inc. System and method for a semiconductor lithographic process control using statistical information in defect identification
US8977034B2 (en) 2009-06-30 2015-03-10 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern shape evaluation method and pattern shape evaluation apparatus
US9679371B2 (en) 2013-06-24 2017-06-13 Hitachi High-Technologies Corporation Pattern shape evaluation device and method

Also Published As

Publication number Publication date
JP3127434B2 (ja) 2001-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3127434B2 (ja) パターン検査方法及びパターン検査装置
JP2987565B2 (ja) パターン検査方法及びパターン検査装置
JP3049488B2 (ja) パターン検査方法及びパターン検査装置
JP3579247B2 (ja) パターンの位置合わせ方法
JP2004163348A (ja) 検査状況表示方法
JP2001202520A (ja) パターンの合成方法
JP3447538B2 (ja) パターン検査方法
JP3857668B2 (ja) パターンの位置合わせ方法
JPH10141930A (ja) パターン検査方法及びパターン検査装置
JP3704014B2 (ja) パターンの検査方法
JP4057479B2 (ja) パターン検査方法
JP2939582B2 (ja) パターンの位置合わせ方法
JPH10307918A (ja) パターン検査方法及びパターン検査装置
JP3480643B2 (ja) パターンの検査方法
JP2001202519A (ja) パターンの位置合わせ方法
JPH11312242A (ja) 検査状況表示方法
JP3283866B2 (ja) 回路パターンの欠陥検査方法及びその装置
JP3511456B2 (ja) パターン検査方法
JP2000149020A (ja) パターンの位置合わせ方法
JP3267950B2 (ja) ウエハ検査装置
CN109115782B (zh) 基于多分辨率图像的光学式瑕疵检测装置
JP3706375B2 (ja) パターン検査方法およびパターン検査装置
JPH04184244A (ja) プリント基板のパターン検査方法
JP3480641B2 (ja) パターンの検査方法
JP3575551B2 (ja) 残渣の検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071110

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081110

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131110

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term