JPH10311878A - 半導体放射線検出素子 - Google Patents
半導体放射線検出素子Info
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- JPH10311878A JPH10311878A JP9122246A JP12224697A JPH10311878A JP H10311878 A JPH10311878 A JP H10311878A JP 9122246 A JP9122246 A JP 9122246A JP 12224697 A JP12224697 A JP 12224697A JP H10311878 A JPH10311878 A JP H10311878A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
Abstract
(57)【要約】
【課題】検出素子の温度変動や放射線の照射強度の変動
による検出素子の発熱等の影響を受けることなく高精度
の検出を可能とする。 【解決手段】絶縁層１２と、この絶縁層１２上に形成さ
れ、抵抗値変化率の温度依存性が同じであり、放射線量
による抵抗値変化量が異なるように厚さを違えたｐ型Ｓ
ｉ層１３ａ及び１３ｂと、その周囲を覆う絶縁膜１４
と、絶縁膜１４に形成されたｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３
ｂの各一対の両端に達するコンタクトホールに蒸着され
た電極１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂと、近接する電
極１５ｂ及び１６ａ間を接続するＡｌ配線１７から構成
される。
による検出素子の発熱等の影響を受けることなく高精度
の検出を可能とする。 【解決手段】絶縁層１２と、この絶縁層１２上に形成さ
れ、抵抗値変化率の温度依存性が同じであり、放射線量
による抵抗値変化量が異なるように厚さを違えたｐ型Ｓ
ｉ層１３ａ及び１３ｂと、その周囲を覆う絶縁膜１４
と、絶縁膜１４に形成されたｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３
ｂの各一対の両端に達するコンタクトホールに蒸着され
た電極１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂと、近接する電
極１５ｂ及び１６ａ間を接続するＡｌ配線１７から構成
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線を析出する
半導体放射線検出素子に係わり、特に大線量の放射線ト
ータルドーズ量を検出する半導体放射線検出素子に関す
る。
半導体放射線検出素子に係わり、特に大線量の放射線ト
ータルドーズ量を検出する半導体放射線検出素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】宇宙および原子力分野において、大線量
（〜１０6 Ｇｙ）の放射線トータルドーズ量を検出する
素子として、ＭＯＳトランジスタ等を用いた半導体放射
線検出素子が広く用いられている。そして、放射線トー
タルドーズ量の検出は、放射線照射による電気的特性の
変動量を測定する方法が採られていた。
（〜１０6 Ｇｙ）の放射線トータルドーズ量を検出する
素子として、ＭＯＳトランジスタ等を用いた半導体放射
線検出素子が広く用いられている。そして、放射線トー
タルドーズ量の検出は、放射線照射による電気的特性の
変動量を測定する方法が採られていた。
【０００３】この従来のＭＯＳ構造を有する半導体放射
線検出素子を図３に示す。図３に示すように、ｐ型半導
体基板１中にソース・ドレインとなる２つのｎ型拡散層
２ａ，２ｂが形成されている。また、２つのｎ型拡散層
２ａ，２ｂ間のチャネル領域上にはゲート絶縁層３を介
してゲート電極４が設けられ、ゲートを構成している。
そして、これらの上には絶縁膜７が堆積され、また２つ
のｎ型拡散層２ａ，２ｂに対応して電極５，６が設けら
れている。
線検出素子を図３に示す。図３に示すように、ｐ型半導
体基板１中にソース・ドレインとなる２つのｎ型拡散層
２ａ，２ｂが形成されている。また、２つのｎ型拡散層
２ａ，２ｂ間のチャネル領域上にはゲート絶縁層３を介
してゲート電極４が設けられ、ゲートを構成している。
そして、これらの上には絶縁膜７が堆積され、また２つ
のｎ型拡散層２ａ，２ｂに対応して電極５，６が設けら
れている。
【０００４】この半導体放射線検出素子の電極５，６間
に電圧を印加し、ゲート電極に負電圧を印加する。これ
ら電圧により、２つのｎ型拡散層２ａ，２ｂ間には空乏
層が生じる。この空乏層に放射線が入射するとイオン化
が起こり、正負の電荷が生じる。この正負の電荷により
変動する電極５，６間の電気量を測定することにより、
放射線トータルドーズ量が求まる。
に電圧を印加し、ゲート電極に負電圧を印加する。これ
ら電圧により、２つのｎ型拡散層２ａ，２ｂ間には空乏
層が生じる。この空乏層に放射線が入射するとイオン化
が起こり、正負の電荷が生じる。この正負の電荷により
変動する電極５，６間の電気量を測定することにより、
放射線トータルドーズ量が求まる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体放射
線検出素子により放射線トータルドーズ量を検出する場
合には、次の問題がある。すなわち、検出素子の出力値
である電気的特性は、検出素子の温度が変動することに
よっても変動してしまう。このため、放射線トータルド
ーズ量を検出する際に温度変化量も同時に検出してしま
うため、放射線トータルドーズ量のみを検出することが
できず、温度変動による電気的特性の変動分の誤差を生
じていた。
線検出素子により放射線トータルドーズ量を検出する場
合には、次の問題がある。すなわち、検出素子の出力値
である電気的特性は、検出素子の温度が変動することに
よっても変動してしまう。このため、放射線トータルド
ーズ量を検出する際に温度変化量も同時に検出してしま
うため、放射線トータルドーズ量のみを検出することが
できず、温度変動による電気的特性の変動分の誤差を生
じていた。
【０００６】従って、宇宙空間や原子力関連施設等、周
囲温度が時間的あるいは空間的に変化する環境下や、放
射線強度が時間的あるいは空間的に変化する環境下にお
ける高精度の放射線トータルドーズ量の測定が困難であ
った。
囲温度が時間的あるいは空間的に変化する環境下や、放
射線強度が時間的あるいは空間的に変化する環境下にお
ける高精度の放射線トータルドーズ量の測定が困難であ
った。
【０００７】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、検出環境の温度
変動や放射線の照射強度の変動による発熱等の影響を受
けることなく、放射線量を高精度に検出できる半導体放
射線検出素子を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、検出環境の温度
変動や放射線の照射強度の変動による発熱等の影響を受
けることなく、放射線量を高精度に検出できる半導体放
射線検出素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体放射線検
出素子は、絶縁基板と、この絶縁基板上に形成され、抵
抗値変化率の温度依存性が同じであり、放射線量による
抵抗値変化量が異なるように厚さを違えた複数の同一導
電型の半導体とを具備してなり、これら複数の半導体の
抵抗値の比に基づいて放射線量を検出することを特徴と
する。
出素子は、絶縁基板と、この絶縁基板上に形成され、抵
抗値変化率の温度依存性が同じであり、放射線量による
抵抗値変化量が異なるように厚さを違えた複数の同一導
電型の半導体とを具備してなり、これら複数の半導体の
抵抗値の比に基づいて放射線量を検出することを特徴と
する。
【０００９】本発明の望ましい形態は以下の通りであ
る。 （１）２つの同一導電型の半導体を具備する。 （２）同一導電型の半導体としてｐ型Ｓｉを用いる。 （３）絶縁基板としてＳｉ上にＳｉＯ2 を形成したもの
を用いる。
る。 （１）２つの同一導電型の半導体を具備する。 （２）同一導電型の半導体としてｐ型Ｓｉを用いる。 （３）絶縁基板としてＳｉ上にＳｉＯ2 を形成したもの
を用いる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の一実施形態を説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係る半導体放射線検出素子の横断面図、図２はその上
面図である。図１に示すように、単結晶Ｓｉからなる基
板１１の上にＳｉＯ2 からなる絶縁層１２が形成され、
これにより絶縁基板が構成されている。絶縁層１２上
に、キャリア密度が等しく厚さの異なる２つのｐ型Ｓｉ
層１３ａ，１３ｂが形成され、その周囲をＣＶＤ法等に
より堆積されたＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4，ＰＳＧ等の層間
絶縁膜１４が覆っている。
の一実施形態を説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係る半導体放射線検出素子の横断面図、図２はその上
面図である。図１に示すように、単結晶Ｓｉからなる基
板１１の上にＳｉＯ2 からなる絶縁層１２が形成され、
これにより絶縁基板が構成されている。絶縁層１２上
に、キャリア密度が等しく厚さの異なる２つのｐ型Ｓｉ
層１３ａ，１３ｂが形成され、その周囲をＣＶＤ法等に
より堆積されたＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4，ＰＳＧ等の層間
絶縁膜１４が覆っている。
【００１１】絶縁膜１４には、ｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１
３ｂの各一対の両端に達するコンタクトホールがそれぞ
れ２つずつ形成されている。これらコンタクトホールに
Ａｌ等の導体を蒸着させることによりｐ型Ｓｉ層１３ａ
に接続された電極１５ａ，１５ｂと、ｐ型Ｓｉ層１３ｂ
に接続された電極１６ａ，１６ｂがそれぞれ形成されて
いる。そして、これら４つの電極のうち近接する電極１
５ｂ，１６ａ間はＡｌ等の配線１７で接続され、ｐ型Ｓ
ｉ層１３ａ及び１３ｂが直列接続される構造となってい
る。
３ｂの各一対の両端に達するコンタクトホールがそれぞ
れ２つずつ形成されている。これらコンタクトホールに
Ａｌ等の導体を蒸着させることによりｐ型Ｓｉ層１３ａ
に接続された電極１５ａ，１５ｂと、ｐ型Ｓｉ層１３ｂ
に接続された電極１６ａ，１６ｂがそれぞれ形成されて
いる。そして、これら４つの電極のうち近接する電極１
５ｂ，１６ａ間はＡｌ等の配線１７で接続され、ｐ型Ｓ
ｉ層１３ａ及び１３ｂが直列接続される構造となってい
る。
【００１２】上記構成を有する半導体放射線検出素子に
おける具体的なスケールとしては、例えば以下に示す値
となる。すなわち、ｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂの厚さ
はそれぞれ、ｐ型Ｓｉ層１３ａが５μｍ程度、ｐ型Ｓｉ
層１３ｂが０．５μｍ程度とする。また、ｐ型Ｓｉ層１
３ａ及びｐ型Ｓｉ層１３ｂ間の距離は１０μｍ程度、ｐ
型Ｓｉ層１３ａに設けられた電極１５ａ及び電極１５ｂ
間の長さを５００μｍ程度、ｐ型Ｓｉ層１３ｂに設けら
れた電極１６ａ及び１６ｂ間の長さを５０μｍ程度とす
る。
おける具体的なスケールとしては、例えば以下に示す値
となる。すなわち、ｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂの厚さ
はそれぞれ、ｐ型Ｓｉ層１３ａが５μｍ程度、ｐ型Ｓｉ
層１３ｂが０．５μｍ程度とする。また、ｐ型Ｓｉ層１
３ａ及びｐ型Ｓｉ層１３ｂ間の距離は１０μｍ程度、ｐ
型Ｓｉ層１３ａに設けられた電極１５ａ及び電極１５ｂ
間の長さを５００μｍ程度、ｐ型Ｓｉ層１３ｂに設けら
れた電極１６ａ及び１６ｂ間の長さを５０μｍ程度とす
る。
【００１３】本発明の半導体放射線検出素子の製造に際
しては、検出素子自体の温度分布を一様にするために、
半導体製造技術等を用いて超小型に構成する。すなわ
ち、以下の２種類の製造方法により実現することができ
る。
しては、検出素子自体の温度分布を一様にするために、
半導体製造技術等を用いて超小型に構成する。すなわ
ち、以下の２種類の製造方法により実現することができ
る。
【００１４】（ａ）まず、ＳＯＩ（Silicon On Insulat
or）ウェハ等、内部にＳｉＯ2 等の絶縁層を有するｐ型
ＳｉウェハのＳｉ活性層をエッチング加工して、島状の
２つのｐ型Ｓｉ層を形成する。次に、一方のｐ型Ｓｉ層
を、機械的研磨あるいはプラズマ研磨により選択的に研
磨する。
or）ウェハ等、内部にＳｉＯ2 等の絶縁層を有するｐ型
ＳｉウェハのＳｉ活性層をエッチング加工して、島状の
２つのｐ型Ｓｉ層を形成する。次に、一方のｐ型Ｓｉ層
を、機械的研磨あるいはプラズマ研磨により選択的に研
磨する。
【００１５】このようにして形成された厚さの異なる２
つのｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂの上からＣＶＤ法等に
より絶縁膜１４を堆積させる。この絶縁膜１４から、そ
の下部に形成されている２つのｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１
３ｂの各一対の両端に達するコンタクトホールを形成
し、これらのコンタクトホールを埋め込むようにＡｌ等
の導体を蒸着し、さらにパターニングすることによっ
て、合計４つの電極１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂを
形成する。そして、これら４つの電極のうち近接する電
極１５ｂ及び１６ａ間をＡｌ等の配線により接続する。
つのｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂの上からＣＶＤ法等に
より絶縁膜１４を堆積させる。この絶縁膜１４から、そ
の下部に形成されている２つのｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１
３ｂの各一対の両端に達するコンタクトホールを形成
し、これらのコンタクトホールを埋め込むようにＡｌ等
の導体を蒸着し、さらにパターニングすることによっ
て、合計４つの電極１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂを
形成する。そして、これら４つの電極のうち近接する電
極１５ｂ及び１６ａ間をＡｌ等の配線により接続する。
【００１６】（ｂ）まず、ＳＯＩ（Silicon On Insulat
or）ウェハ等、内部にＳｉＯ2 等の絶縁層を有するｐ型
ＳｉウェハのＳｉ活性層をエッチング加工し、島状の１
つのｐ型Ｓｉ層１３ａを形成する。次に、形成したｐ型
Ｓｉ層１３ａと同じ組成のｐ型Ｓｉをエピタキシャル成
長法で絶縁層１２上に成長させる。そして、成長させた
ｐ型Ｓｉをエッチング加工し、もう１つのｐ型Ｓｉ層１
３ｂを形成する。以降の工程は上記（ａ）と同様であ
る。
or）ウェハ等、内部にＳｉＯ2 等の絶縁層を有するｐ型
ＳｉウェハのＳｉ活性層をエッチング加工し、島状の１
つのｐ型Ｓｉ層１３ａを形成する。次に、形成したｐ型
Ｓｉ層１３ａと同じ組成のｐ型Ｓｉをエピタキシャル成
長法で絶縁層１２上に成長させる。そして、成長させた
ｐ型Ｓｉをエッチング加工し、もう１つのｐ型Ｓｉ層１
３ｂを形成する。以降の工程は上記（ａ）と同様であ
る。
【００１７】上記実施形態に係る半導体放射線検出素子
の動作を説明する。外部より電極１５ａに電圧を印加
し、電極１６ｂを接地する。出力端子は電極１５ｂであ
り、出力値は電極１５ａ及び電極１６ｂ間の電位差をｐ
型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂにより分圧した電圧値として
検出するものとする。
の動作を説明する。外部より電極１５ａに電圧を印加
し、電極１６ｂを接地する。出力端子は電極１５ｂであ
り、出力値は電極１５ａ及び電極１６ｂ間の電位差をｐ
型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂにより分圧した電圧値として
検出するものとする。
【００１８】本実施形態に係る半導体放射線検出素子が
放射線を吸収すると、絶縁層１２及び絶縁膜１４内部に
は放射線トータルドーズ量に応じた量の固定正電荷が発
生する。この固定正電荷は、ｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３
ｂにおいて絶縁層１２および絶縁膜１４に接している部
分の抵抗値を増加させる。すなわち、放射線トータルド
ーズ量の増加と共に、ｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂの抵
抗値は増加することとなる。
放射線を吸収すると、絶縁層１２及び絶縁膜１４内部に
は放射線トータルドーズ量に応じた量の固定正電荷が発
生する。この固定正電荷は、ｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３
ｂにおいて絶縁層１２および絶縁膜１４に接している部
分の抵抗値を増加させる。すなわち、放射線トータルド
ーズ量の増加と共に、ｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂの抵
抗値は増加することとなる。
【００１９】このときの、ｐ型Ｓｉ層１３ａの抵抗値の
変化率とｐ型Ｓｉ層１３ｂのそれぞれの抵抗値変化率
は、その厚さにより異なる。すなわち、Ｓｉの厚さを
０．５μｍ程度にしたｐ型Ｓｉ層１３ｂの方が、Ｓｉの
厚さを５μｍ程度にしたｐ型Ｓｉ層１３ａよりも大き
く、例えば放射線トータルドーズ量が１０6 Ｇｙの時で
は、それらの抵抗値変化率は１０倍程度異なる。
変化率とｐ型Ｓｉ層１３ｂのそれぞれの抵抗値変化率
は、その厚さにより異なる。すなわち、Ｓｉの厚さを
０．５μｍ程度にしたｐ型Ｓｉ層１３ｂの方が、Ｓｉの
厚さを５μｍ程度にしたｐ型Ｓｉ層１３ａよりも大き
く、例えば放射線トータルドーズ量が１０6 Ｇｙの時で
は、それらの抵抗値変化率は１０倍程度異なる。
【００２０】このようなｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂそ
れぞれの抵抗値変化率の相違により、電極１５ａに印加
された電圧をｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂで分圧した電
極１５ｂの出力電圧値を検出することで、放射線トータ
ルドーズ量を計測することができる。
れぞれの抵抗値変化率の相違により、電極１５ａに印加
された電圧をｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂで分圧した電
極１５ｂの出力電圧値を検出することで、放射線トータ
ルドーズ量を計測することができる。
【００２１】また、上記出力電圧値を検出するに際し、
温度による検出結果の誤差は、ｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１
３ｂの温度変動による抵抗値変化率の偏差によって生じ
るが、検出素子自体が上記製造方法により超小型に形成
されるため、ｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂが同一温度と
なるようになっている。
温度による検出結果の誤差は、ｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１
３ｂの温度変動による抵抗値変化率の偏差によって生じ
るが、検出素子自体が上記製造方法により超小型に形成
されるため、ｐ型Ｓｉ層１３ａ及び１３ｂが同一温度と
なるようになっている。
【００２２】さらに、本検出素子は、これらｐ型Ｓｉ層
１３ａ及び１３ｂを同一の製造工程で形成可能なため、
キャリア密度が等しくなることにより、温度変動による
抵抗値変化率の誤差が１００ｐｐｍ／℃以下に抑えられ
る。この誤差量は、上記放射線トータルドーズ量による
抵抗値の比の変化率に比べて無視できるほど小さい。
１３ａ及び１３ｂを同一の製造工程で形成可能なため、
キャリア密度が等しくなることにより、温度変動による
抵抗値変化率の誤差が１００ｐｐｍ／℃以下に抑えられ
る。この誤差量は、上記放射線トータルドーズ量による
抵抗値の比の変化率に比べて無視できるほど小さい。
【００２３】このように、温度による抵抗値変化率の等
しく厚さの違えた２つのｐ型Ｓｉ層の抵抗値の比の変動
量として放射線トータルドーズ量を検出するため、検出
素子自体の温度変動による誤差の影響をほとんど受ける
ことなく高精度の検出が可能となる。
しく厚さの違えた２つのｐ型Ｓｉ層の抵抗値の比の変動
量として放射線トータルドーズ量を検出するため、検出
素子自体の温度変動による誤差の影響をほとんど受ける
ことなく高精度の検出が可能となる。
【００２４】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではない。例えば、厚さの違えた２つのｐ型Ｓｉ層
１３ａ，１３ｂを形成する場合を示したが、キャリア密
度が等しいものであれば厚さの違えた２つのｎ型Ｓｉ半
導体を形成する場合であってもよい。また、形成される
ｐ型Ｓｉ層の個数は２つに限らず、複数のものであれば
よい。さらに、具体的なスケールとして示された数値に
限定されるものでもない。
ものではない。例えば、厚さの違えた２つのｐ型Ｓｉ層
１３ａ，１３ｂを形成する場合を示したが、キャリア密
度が等しいものであれば厚さの違えた２つのｎ型Ｓｉ半
導体を形成する場合であってもよい。また、形成される
ｐ型Ｓｉ層の個数は２つに限らず、複数のものであれば
よい。さらに、具体的なスケールとして示された数値に
限定されるものでもない。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、絶
縁基板と、この絶縁基板上に形成され、抵抗値変化率の
温度依存性が同じであり、放射線量による抵抗値変化量
が異なるように厚さを違えた複数の同一導電型の半導体
とを具備してなり、これら複数の半導体の抵抗値の比に
基づいて放射線量を検出するため、検出素子の温度変動
や放射線の照射強度の変動による検出素子の発熱等の影
響を受けることなく高精度の検出が可能となる。
縁基板と、この絶縁基板上に形成され、抵抗値変化率の
温度依存性が同じであり、放射線量による抵抗値変化量
が異なるように厚さを違えた複数の同一導電型の半導体
とを具備してなり、これら複数の半導体の抵抗値の比に
基づいて放射線量を検出するため、検出素子の温度変動
や放射線の照射強度の変動による検出素子の発熱等の影
響を受けることなく高精度の検出が可能となる。
【００２６】従って、周囲温度が時間的あるいは空間的
に変化する環境下や、放射線強度が時間的あるいは空間
的に変化する宇宙空間や原子力関連施設等の環境下にお
いても、信頼性の高い放射線量の測定が可能となる。
に変化する環境下や、放射線強度が時間的あるいは空間
的に変化する宇宙空間や原子力関連施設等の環境下にお
いても、信頼性の高い放射線量の測定が可能となる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体放射線検出素
子の断面図。
子の断面図。
【図２】同実施形態における半導体放射線検出素子の上
面図。
面図。
【図３】従来の半導体検出素子の断面図。
１１ 基板 １２ 絶縁層 １３ａ，１３ｂ ｐ型Ｓｉ層 １４ 絶縁膜 １５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂ 電極 １７ 配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 茂 愛知県小牧市大字東田中1200番地 三菱重 工業株式会社名古屋誘導推進システム製作 所内 (72)発明者 黒田 能克 愛知県小牧市大字東田中1200番地 三菱重 工業株式会社名古屋誘導推進システム製作 所内
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板と、この絶縁基板上に形成さ
れ、抵抗値変化率の温度依存性が同じであり、放射線量
による抵抗値変化量が異なるように厚さを違えた複数の
同一導電型の半導体とを具備してなり、これら複数の半
導体の抵抗値の比に基づいて放射線量を検出することを
特徴とする半導体放射線検出素子。
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