JPH10303486A - 出力波形安定化回路 - Google Patents

出力波形安定化回路

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JPH10303486A
JPH10303486A JP10614597A JP10614597A JPH10303486A JP H10303486 A JPH10303486 A JP H10303486A JP 10614597 A JP10614597 A JP 10614597A JP 10614597 A JP10614597 A JP 10614597A JP H10303486 A JPH10303486 A JP H10303486A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザダイオードをFETによってスイッチ
ングする際、レーザダイオードの駆動電流のデューティ
を一定にすると共に、当該駆動電流のオーバーシュート
を防止することである。 【解決手段】 差動増幅器によって構成され、一対の相
補的な入力信号が与えられる前置増幅器を備え、前置増
幅器の出力信号によって、レーザダイオードに接続され
たFETをスイッチングして、レーザダイオードに駆動
電流を流す構成を有する回路において、レーザダイオー
ドの発光強度に応じた電流を前置増幅器に供給する一
方、FETにも、相似的な電流を供給する。この構成に
より、前置増幅器からの出力信号の振幅は、レーザダイ
オードの発光強度に依存して変化すると共に、その幅も
実質上一定となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
(LD)等の発光素子を駆動する駆動回路に関し、特
に、発光素子を駆動する駆動電流の波形を安定化できる
駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、この種のレーザダイオードのよ
うな発光素子は、温度特性を有しており、このため、周
囲温度の変化によって、発光素子に流れる電流と発光強
度との関係が大きく変化する。例えば、レイザーダイオ
ードでは、温度が低い場合、数mAの電流で最大の発光
パワー、即ち、発光強度が得られるが、温度が高くなる
と、数十mAから100数十mA程度の電流を流さなけ
れば最大の発光強度が得られない。
【0003】一方、光通信等では、送信すべき電気信号
に応じて、レーザダイオードを断続的に動作させること
により、光パルスをディジタル的に出力している。この
ような光パルスを発生する場合、レーザダイオードの発
光強度を一定に保ち、且つ、光パルスのデューティを一
定に保つことが必要である。
【0004】通常、温度が変化しても、光の発光強度を
一定に維持するために、レーザダイオードを駆動するパ
ルス電流を制御する回路構成が提案されている。このよ
うな回路構成の一例として、一対のFET、例えば、2
つのNMOSのソースを共通に接続すると共に、一方の
NMOSのドレインをレーザダイオードに接続し、他方
のNMOSのドレインを抵抗を介して電源に接続し、更
に、両NMOSのゲートを互いに相補的な出力信号を発
生する前置増幅器に接続した構成がある。また、この回
路構成では、共通に接続したソースに、バイポーラトラ
ンジスタのコレクタが接続され、且つ、そのエミッタは
抵抗を介して接地している。この場合、当該バイポーラ
トランジスタのベースには、レーザダイオードの光パワ
ーをモニターするモニター回路の出力及びバイポーラト
ランジスタのエミッタの出力が与えられるパルス電流制
御増幅器が接続されている。
【0005】この構成では、レーザダイオードの温度特
性に応じて変化する発光パワーをモニター回路でモニタ
ーし、このモニター結果を使用して、バイポーラトラン
ジスタに流れる電流をパルス電流制御増幅器の出力信号
により制御している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た回路構成を採用した場合、バイポーラトランジスタに
流れる電流波形(電流振幅)の立上がり及び立ち下がり
時点が、電流の大きさに応じて大きく変化するため、レ
ーザダイオードからの光パルスのデューティが変化する
と言う欠点がある。更に、この構成では、レーザダイオ
ードからの光パルスにオーバーシュートが発生すると言
う欠点もある。
【0007】一方、特開昭62−81084号公報(以
下、引用例1と呼ぶ)には、レーザダイオードにパルス
電流を供給するFET回路の前段に、振幅可変増幅回路
を備えたレーザダイオード駆動回路が提案されている。
このレーザダイオード駆動回路では、FET回路を構成
するFETの特性の変動による出力電流値の変動を防止
することができる。また、振幅可変増幅回路と、FET
回路との間に、クランプ回路を設け、FETのピンチオ
フ電圧のバラツキによる影響を除去することも、開示さ
れている。
【0008】ここで、振幅可変増幅回路は、入力信号で
あるデータと、光パルスのモニター結果とを比較して、
モニター結果が小さくなると、振幅可変増幅回路の増幅
率を高め、FET回路に入力される信号を大きくして、
レーザダイオードの光出力を大きくする一方、モニター
結果が大きくなると、振幅可変増幅回路の増幅率を小さ
くし、レーザダイオードの光出力を小さくしている。こ
の構成により、FETの特性上のバラツキによる駆動電
流の変化に基く光出力の変化を防止できる。
【0009】しかしながら、引用例1では、データと光
出力のモニター結果とを比較しているため、データ自体
に外乱等により変動が生じた場合、引用例1では、光出
力の変化を防止することができない。
【0010】更に、振幅可変増幅回路の増幅率を変化さ
せているため、振幅可変増幅回路の増幅特性にも影響を
受ける場合がある。
【0011】更に、特開平5−344064号公報(以
下、引用例2と呼ぶ)には、周囲温度が変化しても、光
出力のデューティが変化せず、且つ、LSI化が容易な
光ディジタル変調回路が開示されている。ここでは、ク
ランプ部によりディジタル入力信号をクランプすると共
に、光出力に応じて入力信号の振幅を制御し、制御され
たパルス信号により、レーザダイオード駆動部を駆動す
る構成が示されている。この場合、レーザダイオード駆
動部に供給される信号は、大きくなったり、小さくなっ
たりする振幅を有しているが、振幅の中心は変化しない
信号である。この信号をレーザダイオード駆動部に供給
して、レーザダイオードで発光する光を変調することに
よりデューティ一定の光出力を得ることができる。
【0012】引用例2では、クランプ部をダイオードに
よって構成し、ダイオードにより直接信号をクランプし
ているため、ダイオードの容量の影響によって高速化が
できないと言う問題がある。更に、引用例2では、光出
力におけるオーバーシュートについては、何等、考慮さ
れていない。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施の形態に
よれば、光信号を発生する発光素子と、電気信号発生源
に接続され、当該電気信号発生減からの入力信号に応じ
て互いに相補的な一対の電気信号を発生する制御可能な
前置増幅器と、前記互いに相補的な一対の電気信号を受
け、前記発光素子を前記一対の電気信号のいずれか一方
の信号により、駆動すると共に、出力電流を生成する駆
動部と、前記駆動部に接続され、前記発光素子によって
発光された光信号に応じた電流制御信号を発生する電流
制御部と、前記駆動部及び前記電流制御部とに接続さ
れ、前記発光素子を駆動するための駆動電流を発生する
電流駆動部と、前記電流制御部と前記前置増幅器との間
に接続され、前記電流制御信号の変化に関係なく、前記
前置増幅器から実質上、一定の時間幅を有する電気信号
が出力されるように、制御するための制御回路とを備
え、前記光信号の出力波形を安定化できる出力波形安定
化回路が得られる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
一実施の形態に係る出力波形安定化回路を説明する。図
示された例では、出力波形安定化回路は、レーザダイオ
ードLDを駆動する駆動回路として動作するものとして
説明する。まず、入力信号VI 、VI'としてのデータ信
号は、互いに相補的な形で、信号源11及び12によっ
て発生される。両入力信号は差動増幅器によって構成さ
れた前置増幅器A1に供給され、前置増幅器A1からは
互いに相補的な一対の出力信号Vo及びVo´が送出さ
れる。尚、図示された前置増幅器A1は、後述するよう
に、振幅及び幅を制御された出力信号Vo及びVo´を
出力することができる。
【0015】前置増幅器A1からの一対の出力信号Vo
及びVo´は、それぞれ一対のNMOSトランジスタT
1及びT2のゲートに与えられている。NMOSトラン
ジスタ、即ち、FET T1及びT2のソースは互いに
共通に接続されると共に、FET T1のドレインは抵
抗R1を介して、電源(電源電圧Vcc)に接続され、
他方、NMOSトランジスタT2のドレインはレーザダ
イオードLDを介して、電源に接続されている。
【0016】更に、共通に接続されたFET T1及び
T2のソースは、NPNバイポーラトランジスタT3の
コレクタに接続されており、且つ、バイポーラトランジ
スタT3のエミッタは抵抗R3を介して接地されてい
る。また、バイポーラトランジスタT3のベースには、
OPアンプによって形成されたパルス電流制御増幅器A
2の出力端子が接続されており、且つ、当該パルス電流
制御増幅器A2の一方の入力端子は、レーザダイオード
LDの発光出力、即ち、光パワーをモニターするモニタ
ー回路A3に接続されている。また、パルス電流制御増
幅器A2の他方の入力端子には、バイポーラトランジス
タT3のエミッタ出力が反転されて与えられている。
【0017】上述した構成では、レーザダイオードLD
の温度特性によって、光パワーが変動すると、モニター
回路A3の出力も変動し、結果として、バイポーラトラ
ンジスタT3のベースに与えられるベース電流及びエミ
ッタ電流も変化する。一方、バイポーラトランジスタT
3のエミッタ電流が変化すると、エミッタ電圧が変化し
て、パルス電流増幅回路A2の他の入力端子に加わる電
圧が変化して、バイポーラトランジスタT3に流れる電
流Ipが、モニター結果に応じた定電流となるように制
御される。
【0018】しかしながら、この構成により、電流Ip
を制御しただけでは、電流Ipが小さくなるにしたがっ
て、発光出力のデューティーが小さくなると共に、オー
バーシュートも発生することが判明した。このことは、
レーザダイオードLDに流れる電流が小さくなるにした
がって、当該電流のデューティが小さくなり、且つ、レ
ーザーダイオードLDに流れる電流のオーバーシュート
が大きくなることを意味している。
【0019】ここで、上記構成の回路のFET T1及
びT2のスイッチング特性は、閾値Vtと、各FET
T1及びT2のゲート、ソース間電圧に依存している。
即ち、共通接続されたFET T1及びT2のスイッチ
ング特性は、両ソース電流をIpとした時、次式によっ
てあらわすことができる。
【0020】 Ip =k(Vgs−Vt) (1) 上式において、Vgsは、各FETのスイッチングに必
要なゲート、ソース間電圧をあらわしている。(1)式
からも明らかな通り、電流Ipが小さいほど、小さいV
gsでFETはスイッチングする。このため、各FET
は入力信号のハイレベルから必要なVgs分の電圧で制
御されるが、それぞれの中心レベルでのデューティは、
各Ipに必要なVgs(ハイレベルからの電位)により
異なることになる。換言すれば、上記したFETのスイ
ッチング特性は、Vgsと閾値Vtに依存したデューテ
ィを有している。
【0021】一方、Vgsが一定の振幅を有している場
合、Ipが小さい領域では、オーバーシュートがIpの
大きい領域に比較して、著しく増大し、その結果、レー
ザダイオードLDに流れる電流にもオーバーシュートを
発生させる。
【0022】(1)式を考慮して、本発明の実施の形態
は、Ipに連動して、前置増幅器A1からの入力信号の
振幅を制御すると共に、入力信号の幅をも制御すること
により、Ipの大小に関係なく、実質上等しいデューテ
ィが得られ、且つ、オーバーシュートが発生しないよう
に、構成されている。
【0023】図1を更に参照すると、上記した動作を行
うために、パルス電流制御増幅器A2の出力端子は、カ
レントミラー回路(トランジスタT7、T8)に接続さ
れたトランジスタT9のベースに接続されている。この
例の場合、カレントミラー回路を構成するトランジスタ
T7に、トランジスタT9のコレクタが接続されてお
り、且つ、当該トランジスタT9のエミッタは抵抗R7
を介して接地されている。他方、トランジスタT8のコ
レクタは抵抗R6を介して接地されており、抵抗R6の
一端は差動増幅器A4の一方の入力端子に接続されてい
る。
【0024】また、差動増幅器A4の出力端子はトラン
ジスタT6のベースに接続されており、トランジスタT
6のエミッタ出力は反転されて、差動増幅器A4の他方
の端子に接続されている。更に、トランジスタT6のエ
ミッタは抵抗R5を介して接地されると共に、コレクタ
は前置増幅器A1に接続されている。
【0025】この構成において、抵抗R5とトランジス
タT6のエミッタとの接続点の電位が、抵抗R6とトラ
ンジスタT8のコレクタとの接続点の電位と一致するよ
うに、差動増幅器A4がトランジスタT6のバイアスを
制御している。このことは、出力電流に追従して、前置
増幅器A1の出力が制御され、この結果として、出力段
のトランジスタT1及びT2に入力される信号の振幅が
出力電流に追従して制御されている。
【0026】ここで、図2を参照すると、トランジスタ
T6と、前置増幅器A1との接続関係が示されており、
図2からも明らかな通り、前置増幅器A1はエミッタを
共通に接続されたトランジスタT4及びT5を有してお
り、両トランジスタT4及びT5のベースには、互いに
相補的な入力信号VI 及びVI'が供給されている。
【0027】更に、トランジスタT4及びT5のコレク
タからは、出力信号Vo及びVo´が取り出される一
方、各コレクタは抵抗Ra及びRbを介して電源に接続
されている。
【0028】図1及び図2を併せ参照して、図示された
レーザダイオードLDの駆動回路、即ち、出力波形安定
化回路の動作を説明する。まず、前置増幅器A1に、入
力信号VI 及びVI'が与えられると、トランジスタT6
のベース電圧によって定まる電流がトランジスタT4及
びT5に流れ、両トランジスタT4及びT5のコレクタ
からは、相補的な出力信号Vo及びVo´が図1のFE
T T1及びT2のゲートに供給される。ここで、トラ
ンジスタT6のベースには、差動増幅器A4から、時間
的に実質上一定幅を持ち、且つ、FET T1及びT2
からの電流Ipに依存して振幅を制御された制御信号が
与えられている。このため、前置増幅器A1の出力信号
Vo及びVo´は、電流Ipによって定まる振幅を持つ
と共に、時間的に一定の幅を有している。
【0029】FET T2に流れる電流の大きさに応じ
て、レーザダイオードLDは発光し、その光パワーは光
パワーモニター回路A3によってモニターされる。モニ
ター結果はパルス電流制御増幅器A2に与えられ、この
パルス電流制御増幅器A2の出力により、トランジスタ
T3に流れる電流が制御される。
【0030】図示された例では、パルス電流制御増幅器
A2の出力はトランジスタT9のベースにも与えられ、
当該トランジスタT9に電流が流れる。この時、抵抗R
6には、カレントミラー回路から、トランジスタT9に
流れる電流に比例した電流が流れ、この電流によって生
じる抵抗R6の両端電圧は差動増幅器A4の一方の入力
端子に供給される。差動増幅器A4は両入力端子に与え
られる電圧の差に応じた出力信号をトランジスタT6に
送出する。
【0031】図示された例では、差動増幅器A4の出力
信号が大きくなるにしたがって、トランジスタT6に流
れる電流も大きくなり、結果として、トランジスタT6
のエミッタ電圧は上昇して、差動増幅器A4の両入力端
子間の電圧差が小さくなるようにする。この結果とし
て、トランジスタT6に流れる電流は、レーザダイオー
ドLDの特性が温度によって変化しない限り、定電流に
保たれるように制御される。
【0032】このトランジスタT6に流れる電流の制御
は、トランジスタT3に流れる電流Ipの制御と実質上
同様である。したがって、トランジスタT6に流れる電
流と、トランジスタT3に流れる電流Ipとは互いに相
似的な波形を有しており、両電流は、光パワーモニター
回路A3で検出された光パワーに応じた大きさを有する
電流となる。
【0033】一方、前置増幅器A1の出力信号Vo及び
Vo´の振幅は、トランジスタT6に流れる電流に依存
している。具体的には、トランジスタT6の電流値が小
さい時には、出力信号の振幅Vo、Vo´も小さくな
り、他方、トランジスタT6の電流値が大きい時には、
出力信号の振幅Vo、Vo´も大きくなる。
【0034】このような制御を行えば、レーザダイオー
ドLDの温度特性により、レーザダイオードLDに流れ
る電流(ILD)と発光強度(光パワー)との関係をあら
わす特性が変化しても、レーザダイオードLDに流れる
電流(ILD)のデューティ、即ち、発光される光のデュ
ーティを一定に保つことができると共に、低電流でFE
T T1、T2を駆動する場合、即ち、低温で所定の発
光強度が得られる場合において、レーザダイオードLD
に流れる電流のオーバーシュートを防止することができ
る。更に、低電流でFET T1、T2を駆動する場合
におけるデューティの低下をも防止できる。
【0035】図3(a)及び(b)を参照すると、前置
増幅器A1の出力信号Vo、Vo´の波形及びレーザダ
イオードLDに流れる電流ILDの波形が示されている。
まず、図3(a)には、周期Tを持ち、且つ、デューテ
ィ50%のディジタル入力信号が与えられた場合の出力
信号Vo、Vo´の波形が示されている。この図におい
て、実線は、レーザダイオードLDに大きな電流ILDを
供給する必要がある場合、即ち、レーザダイオードLD
が高い温度状態にある場合に、前置増幅器A1の出力信
号Vo、Vo´の波形であり、図示されているように、
大きな振幅を有している。一方、破線は、レーザダイオ
ードLDに小さな電流ILDを供給することにより、所望
の発光強度が得られる場合、即ち、レーザダイオードL
Dが低い温度状態にある場合に、前置増幅器A1から出
力される出力信号Vo及びVo´を示しており、この場
合には、小振幅の出力信号Vo及びVo´が前置増幅器
A1から出力されることが分かる。図3(a)の実線及
び破線を比較しても明らかなように、前置増幅器A1の
出力信号Vo、Vo´の周期T及び遷移点は、小振幅の
場合も、大振幅の場合も、実質的に一致していることが
分かる。
【0036】図3(a)に示されたような出力信号V
o、Vo´がFET T1、T2に与えられた場合、レ
ーザダイオードLDに流れる電流ILDが図3(b)に示
されている。図3(a)の関係からも明らかなように、
図3(b)の実線は、図3(a)の実線で示された大振
幅の出力信号Vo、Vo´で駆動された時の大電流ILD
波形であり、図3(b)の破線は、図3(a)の破線で
示された小振幅の出力信号Vo、Vo´で駆動された時
の小電流ILD' 波形である。
【0037】図3(b)の実線及び破線を比較しても明
らかなように、大電流ILD波形及び小電流ILD' 波形
は、いずれも同じデューティ(t)を示している。ま
た、小電流ILD' 波形においては、オーバーシュートも
抑制されている。
【0038】したがって、図1及び図2に示した回路
は、レーザダイオードLDに対して、デューティ及び振
幅の安定した出力波形を供給でき、したがって、レーザ
ダイオードLDは、その温度特性によらず、安定した光
パワーで発光できる。
【0039】尚、図示された実施の形態では、トランジ
スタT3、T6、T7、T8、T9をバイポーラトラン
ジスタによって構成した例を示したが、これらのトラン
ジスタT3、T6、T7、T8、T9は、MOSトラン
ジスタに置き換えられても良い。
【0040】図4を参照すると、本発明の他の実施の形
態に係る出力波形安定化回路は、図1に示された構成
に、OPアンプA5、トランスファゲートS1、S2、
トランジスタT10、抵抗R8、R9を付け加えた構成
を有している。OPアンプA5の一方の入力端子には、
抵抗R6の端子電圧V1が与えられており、他方の入力
端子には、所定の電圧V2が与えられている。OPアン
プA5の出力端子はそれぞれトランスファゲートS1及
びS2に供給されている。
【0041】図示されたトランスファゲートS1及びS
2の内、トランスファゲートS1がオンの時、トランス
ファゲートS2はオフとなり、他方、トランスファゲー
トS2がオンの時、トランスファゲートS1はオフとな
るように、OPアンプA5の出力が両トランスファゲー
トS1及びS2に与えられている。
【0042】また、トランスファゲートS1がオンの
時、差動増幅器A4の出力がトランジスタT6のベース
へ供給され、トランスファゲートS2がオンの時には、
トランジスタT10のベースがトランジスタT6のベー
スに接続される。
【0043】図1に関連して説明したように、抵抗R6
の端子電圧V1は、パルス電流制御増幅器A2の出力に
よって制御される電流Ipに比例して変動する。
【0044】図示された例では、電圧V1とV2との間
の大小関係により、トランジスタT6のベースに印加さ
れる電圧が変化する。即ち、トランジスタT6のベース
には、差動増幅器A4の出力信号が加えられる場合と、
トランジスタT10、抵抗R8、R9で構成されるカレ
ントミラー回路からの電圧が加えられる場合とがある。
【0045】具体的に説明すると、トランスファゲート
S1がオンの時、前置増幅器A1の出力信号Vo、Vo
´は、電流Ipに比例して変化するように、差動増幅器
A4により制御され、一方、トランスファゲートS2が
オンの時には、前置増幅器A1の出力信号Vo、Vo´
の振幅は固定される。
【0046】このように、前置増幅器A1の出力信号V
o、Vo´の振幅を固定することによって、電流Ipが
大きくなって前置増幅器A1の出力信号Vo、Vo´の
振幅も大きくなった場合にも、前置増幅器A1の動作点
を確保することができる。このことは、図2に示した前
置増幅器A1のトランジスタT4或いはT5のコレク
タ、エミッタ間電圧VCEが小さくなって飽和し、動作点
が確保できなくなるのを防止できることを意味してい
る。このため、この実施の形態では、V1>V2の時、
トランスファゲートS1がオフ、トランスファゲートS
2がオンすることにより、前置増幅器A1の振幅が固定
されるように、OPアンプA5とトランスファゲートS
1及びS2とを接続している。
【0047】また、図示された構成では、V1<V2の
場合、トランスファゲートS1がオン、トランスファゲ
ートS2がオフするように、OPアンプA5の出力端子
とトランスファゲートS1、S2とが接続されると、前
置増幅器A1からの出力信号Vo、Vo´が”0”にな
るのを防止できる。即ち、前置増幅器A1の出力信号
が”0”になると、レーザダイオードLDは発光し続け
るか、発光を停止してしまい、正しい光信号を出力でき
なくなるが、上記した構成を採用することにより、レー
ザダイオードLDの誤動作を防ぐことができる。
【0048】図5を参照すると、本発明の更に他の実施
の形態に係る出力波形安定化回路は、図4に示された回
路に、更に、抵抗R11、R12、及び、トランジスタ
T11で構成されるカレントミラー回路を付加すると共
に、このカレントミラー回路によって制御されるトラン
ジスタT12を前置増幅器A1に、接続している。ま
た、トランジスタT12のエミッタは抵抗R10を介し
て接地されている。上記した回路は、前置増幅器A1の
もう一つの定電流源M1を形成している。
【0049】図示された例では、V1<V2でOPアン
プA5の出力信号によりトランスファゲートS1がオ
ン、トランスファゲートS2がオフとなり、トランジス
タT6に流れる電流が”0”になっても、付加された定
電流源M1からの電流を前置増幅器A1に供給すること
によって、前置増幅器A1の出力信号Vo、Vo´が”
0”になるのを防止できる。
【0050】
【発明の効果】本発明によれば、相補的な入力信号が入
力される前置増幅器に、光パワーに依存して変化する電
流を加え、前置増幅器の出力信号の振幅及び幅を制御す
ることにより、発光素子に加わる電流のデューティを実
質的に一定に保つことができると共に、発光素子に加わ
る電流値が小さい場合におけるオーバーシュートの現象
を抑制できると言う効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る出力波形安定化回
路を示す回路図である。
【図2】図1に使用される前置増幅器の構成を示す回路
図である。
【図3】図1に示された回路の動作を説明するための波
形図である。
【図4】本発明の他の実施の形態に係る出力波形安定化
回路を示す回路図である。
【図5】本発明の更に他の実施の形態に係る出力安定化
回路を示す回路図である。
【符号の説明】
A1 前置増幅器 A2 パルス電流制
御増幅器 A3 光パワーモニ
ター回路 A4 差動増幅器 T1、T2 FET T3〜T12 トランジスタ LD レーザダイオ
ード R1、R3、R5、R7、R8、R9 抵抗 Ra、Rb

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光信号を発生する発光素子と、電気信号
    発生源に接続され、当該電気信号発生源からの入力信号
    に応じて互いに相補的な一対の電気信号を発生する制御
    可能な前置増幅器と、前記互いに相補的な一対の電気信
    号を受け、前記発光素子に駆動電流を流す制御可能な駆
    動部と、前記駆動部に接続され、前記発光素子によって
    発光された光信号のパワーに応じた電流制御信号を発生
    する電流制御部と、前記電流制御部と前記前置増幅器と
    の間に接続され、前記電流制御信号に依存した振幅を有
    すると共に、実質上、一定の時間幅を有する電気信号
    が、前記前置増幅器から出力されるように、前記前置増
    幅器を制御するための制御回路とを備え、前記発光素子
    に供給される駆動電流の波形を安定化し、これによっ
    て、発光素子からの光信号の出力波形を安定化できるこ
    とを特徴とする出力波形安定化回路。
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記駆動部は、それ
    ぞれ閾値を有し、ソースを互いに共通に接続された一対
    のFETによって構成されており、前記発光素子は前記
    FETのいずれか一方に接続されていることを特徴とす
    る出力波形安定化回路。
  3. 【請求項3】 請求項2において、前記一対のFETの
    共通接続点には、前記電流制御信号を受けるトランジス
    タを備えていることを特徴とする出力波形安定化回路。
  4. 【請求項4】 光信号を発生する発光素子と、電気信号
    発生源に接続され、当該電気信号発生源からの入力信号
    に応じて互いに相補的な一対の電気信号を発生する制御
    可能な前置増幅器と、前記互いに相補的な一対の電気信
    号を受け、前記発光素子に駆動電流を流す制御可能な駆
    動部と、前記駆動部に接続され、前記発光素子によって
    発光された光信号のパワーに応じた電流制御信号を発生
    する電流制御部と、前記電流制御部と前記前置増幅器と
    の間に接続され、前記電流制御信号によって、前記前置
    増幅器を制御する制御回路を備え、前記制御回路は、前
    記発光素子の駆動電流におけるオーバーシュートを軽減
    するように、前記前置増幅器を制御することを特徴とす
    る出力波形安定化回路。
  5. 【請求項5】 請求項4において、前記制御回路は、前
    記前置増幅器に対して、前記発光素子の駆動電流の振幅
    に依存しない一定の時間幅を有するような出力信号を出
    力させるように、制御することを特徴とする出力波形安
    定化回路。
  6. 【請求項6】 請求項4において、前記駆動部は、それ
    ぞれ閾値を有し、ソースを互いに共通に接続された一対
    のFETによって構成されており、前記発光素子は前記
    FETのいずれか一方に接続されており、且つ、前記一
    対のFETの共通接続点には、前記電流制御信号を受け
    るトランジスタを備えていることを特徴とする出力波形
    安定化回路。
  7. 【請求項7】 請求項6において、前記トランジスタに
    与えられる電流制御信号と、前記前置増幅器に与えられ
    る信号とは、相互に相関関係を有していることを特徴と
    する出力波形安定化回路。
  8. 【請求項8】 請求項4において、前記制御回路は、前
    記電流制御信号の変化に比例した内部信号を生成する内
    部信号生成回路部と、前記内部信号に応じて、前記前置
    増幅器に対して、前記光信号のパワーに応じた定電流を
    供給する回路とを有することを特徴とする出力波形安定
    化回路。
  9. 【請求項9】 請求項8において、前記内部信号生成回
    路部は、電流ミラー回路を有していることを特徴とする
    出力波形安定化回路。
  10. 【請求項10】 請求項9において、前記定電流を供給
    する回路は、2つの入力端子を備え、前記内部信号を一
    方の入力端子において受ける差動増幅器と、当該差動増
    幅器からの出力によって制御されるトランジスタ回路と
    を備え、前記差動増幅器の他方の端子には、前記トラン
    ジスタ回路からの信号が与えられることを特徴とする出
    力波形安定化回路。
  11. 【請求項11】 レーザダイオードを駆動するレーザダ
    イオード駆動回路において、前記レーザダイオードに接
    続された駆動回路と、当該駆動回路の前段に設けられた
    電気信号増幅用前置増幅器とを備え、前記前置増幅器の
    出力信号の幅が実質的に一定となるように、制御する制
    御手段が前記前置増幅器に接続されていることを特徴と
    するレーザダイオード駆動回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1326299C (zh) * 2002-11-29 2007-07-11 松下电器产业株式会社 激光二极管驱动装置

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