JPH10303157A - 基板洗浄装置 - Google Patents

基板洗浄装置

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JPH10303157A
JPH10303157A JP9112794A JP11279497A JPH10303157A JP H10303157 A JPH10303157 A JP H10303157A JP 9112794 A JP9112794 A JP 9112794A JP 11279497 A JP11279497 A JP 11279497A JP H10303157 A JPH10303157 A JP H10303157A
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cassette
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Joichi Nishimura
讓一 西村
Masami Otani
正美 大谷
Yasuo Imanishi
保夫 今西
Masao Tsuji
雅夫 辻
Masaki Iwami
優樹 岩見
Akihiko Morita
彰彦 森田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダウンタイムの発生が少なく、効果的な洗浄
処理を行うことができる基板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 装置の立ち上げ時に作業者がブラシスキ
ャンの開始位置および終了位置等のティーチング処理を
行った(ステップS1)後、作業者が各カセットをカセ
ットステージ11に投入し(ステップS2)、その後、
作業者が対象とするカセットに応じてブラシ回転速度、
洗浄スキャン速度、洗浄スキャン幅等が異なった洗浄処
理レシピを設定する(ステップS3)。その後、順次、
カセットごとにそれに対応した洗浄処理レシピに従って
それらのカセットに収納された基板に対して洗浄処理が
自動的に行われていく。そのため、カセット毎に洗浄ス
キャン速度の設定が必要ないため、ダウンタイムの発生
が少なく、効果的な洗浄処理を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、回転する半導体
ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス
基板、光ディスク用基板等の基板(以下「基板」とい
う。)表面に対し洗浄ヘッドを支持する支持アームを相
対的に移動させて基板の洗浄スキャンを行う基板洗浄装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、基板洗浄装置とりわけスピン
スクラバにおいては基板を回転しながらブラシを押圧し
て回転しつつ、ブラシがその先端に取り付けられた支持
アームを回動することにより洗浄スキャン動作を行い基
板の洗浄を行っている。
【0003】このような装置においては基板の膜種や膜
厚等の特性に応じてカセット単位でブラシの洗浄スキャ
ン速度を設定して洗浄処理を行っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な洗浄スキャン速度の設定作業においては、例えばカセ
ット毎に基板種類が異なる場合に1つのカセットにおけ
る基板の洗浄処理の終了ごとに装置を停止させて、洗浄
スキャン速度の設定をダイヤル設定を手動操作して変更
しているため、ダウンタイムが頻繁に発生し、また人為
的な設定ミスにより基板の特性に応じた効果的な洗浄を
行うことができなかった。
【0005】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、ダウンタイムの発生が少なく、
効果的な基板洗浄を行うことができる基板洗浄装置を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項1の装置は、洗浄ヘッドを支持す
る支持アームを回転する基板表面に対して相対的に移動
させて基板の洗浄スキャンを行い基板を洗浄する基板洗
浄装置であって、複数の洗浄スキャン速度パターンを記
憶する記憶手段と、予め記憶手段に記憶された複数の洗
浄スキャン速度パターンのうちから任意のものを選択し
て指定するパターン指定手段と、指定された洗浄スキャ
ン速度パターンに基づいて支持アームの移動速度を制御
する制御手段と、を備える。
【0007】また、この発明の請求項2の装置は、請求
項1の基板洗浄装置であって、記憶手段が洗浄スキャン
速度パターンを含む基板洗浄の各種パラメータの集合で
ある洗浄処理パラメータ群を複数記憶するものであり、
パターン指定手段が任意の洗浄処理パラメータ群を指定
することによって任意の洗浄スキャン速度パターンを指
定するものであることを特徴とする。
【0008】また、この発明の請求項3の装置は、請求
項1または請求項2の基板洗浄装置において、1枚の基
板の洗浄に際して洗浄スキャンを複数回行うものであっ
て、洗浄スキャン速度パターンが洗浄スキャンの周期に
よって指定されるものであることを特徴とする。
【0009】さらに、この発明の請求項4の装置は、請
求項1ないし請求項3のうちのいずれかの基板洗浄装置
であって、洗浄ヘッドがブラシであることを特徴とす
る。
【0010】
【発明の実施の形態】
【0011】
【1.実施の形態における機構的構成と装置配列】図1
(a)は第1の実施の形態の基板洗浄装置1の平面図で
あり、図1(b)はその正面図である。以下、図1を用
いてこの基板洗浄装置1について説明していく。
【0012】図1に示すようにこの装置は、主にインデ
クサ10、基板搬送部20、スピンスクラバ30、メイ
ンコンピュータ40、メインパネル50、ティーチング
パネル60、レシピ設定パネル70を備えている。
【0013】インデクサ10はカセットCSをその投入
時に載置するカセットステージ11およびそれらのカセ
ットCSと基板搬送部20の間で基板の搬送を行う搬送
ユニット12を備えている。
【0014】基板搬送部20は図示しない基板搬送ロボ
ットを備えており、インデクサ10とスピンスクラバ3
0との間の基板の搬送を行う。
【0015】スピンスクラバ30は後に詳述するように
カップ内に基板を保持して回転しながら洗浄する。
【0016】メインコンピュータ40はその内部にメモ
リを備え、上記各部の制御を行う。
【0017】さらに、この装置は後に詳述する3種のコ
ンソールパネルであるメインパネル50、ティーチング
パネル60、レシピ設定パネル70を備えている。
【0018】そして、以上のような装置構成により、イ
ンデクサ10に投入される各カセットCSの基板Wを搬
送ユニット12により取り出し、基板搬送部20に受け
渡し、基板搬送部20は基板搬送ロボットによりその基
板をスピンスクラバ30に搬送し、そこでその基板を洗
浄し、洗浄が終了すると逆の手順でその基板をもとのカ
セットCSに戻すといった動作を各基板に対して順次繰
り返して、インデクサ10に投入された各カセットCS
の基板Wを順次洗浄する。
【0019】つぎに、この実施の形態のスピンスクラバ
30を図面を用いて説明する。図2はスピンスクラバ3
0の要部の概略縦断面図であり、図3は平面図である。
【0020】スピンチャック31は電動モータ311が
その駆動軸周りに設けられた軸受け312を介して鉛直
方向の軸芯周りで回転する回転軸313に連結されてお
り、さらに、その回転軸上端には基板Wを吸着保持する
回転台314とを備えるとともに、回転軸313の内部
には軸方向に沿って図示しない真空経路が設けられてお
り、その一端は回転台314上面に設けられた図示しな
い吸引口に連結されているとともに、他端は軸受け31
4を通じて外部の真空配管315に連結され、真空配管
315は1つのポートが大気解放された三方弁316を
介して外部の真空ラインに連結されている。
【0021】そして、回転台314上面に基板Wを載置
した状態で、吸引口から真空経路等を通じて真空源に連
通させることによって基板Wを吸着保持した状態で電動
モータ311の駆動により鉛直方向の軸芯周りで回転す
る。
【0022】カップ32はスピンチャック31およびそ
れによって保持された基板W等の周囲を覆うように設け
られ、図示しない昇降駆動機構によって昇降可能となっ
ており、洗浄処理中に上昇して基板Wから飛散する洗浄
液の飛沫の外部への飛散を防止し、基板Wの搬出入時に
は降下、退避する。
【0023】バックリンスノズル33はカップ32の内
部に設けられており、スピンチャック31に保持された
基板Wの裏面に純水等の洗浄液を噴射する。
【0024】リンスノズル34はカップ32の側方に設
けられており、基板Wの回転中心側に向けて純水などの
洗浄液を噴射供給する。
【0025】ブラシ部35はカップ32側方に設けられ
ている。図4はブラシ部35の機構的構成を示す図であ
る。図4に示すように、アングル形状の支持アーム35
1の回転支軸352が前述のスピンチャック31、カッ
プ32、バックリンスノズル33、リンスノズル34が
設けられた基台36に固設された支持体353に昇降お
よび鉛直方向の第1の軸芯P1周りで回動可能に設けら
れるとともに、その回転筒354に昇降のみ可能に設け
られ、その支持アーム351の先端部分の下部に、鉛直
方向の第2の軸芯P2周りで回転可能に、基板W表面を
洗浄する洗浄ブラシ355が設けられている。
【0026】さらに、回転支軸352の下方には、出力
ロッド356aを回転支軸352の下端に押し当てて進
退させることにより支持アーム351を昇降させる昇降
用エアシリンダ356が設けられている。また、回転筒
354にタイミングベルト357を介してアーム回動モ
ータ358が連動連結されている。図中、エンコーダ3
59は、洗浄ブラシ355が基板Wの中心位置CP(図
3参照)付近の洗浄スキャン開始位置、基板Wの外周縁
位置EP(図3参照)付近の洗浄スキャン終了位置、お
よび、基板Wの上方から外れた非洗浄時の待機位置WP
のいずれにあるかを検出する。
【0027】このエンコーダの検出結果を監視しつつ、
アーム回動モータ358の駆動を制御することにより後
述する設定された洗浄処理レシピの「洗浄スキャン周
期」や「洗浄スキャン幅」の項目に応じて、洗浄ブラシ
355による洗浄スキャン周期や洗浄スキャン幅を変更
することができる。
【0028】そして、バックリンスノズル33やリンス
ノズル34から洗浄液を回転している基板W上に噴出し
つつ、基板W上方に洗浄ブラシ355が位置するように
支持アーム351が移動し(図3参照)、支持アーム3
51が降下して基板W上面に当接又は近接した(図2参
照)後、洗浄ブラシ355が回転することによって基板
Wの洗浄を行う。
【0029】なお、基板Wの洗浄中、洗浄ブラシ355
を回転しつつ、支持アーム351が図3の矢符A1のよ
うに基板中心付近から基板外周付近へ回動動作を行うこ
とによって基板W上面の全面を洗浄する。この際の支持
アーム351の矢符A1方向の回動を以下、洗浄スキャ
ンと呼ぶ。
【0030】図5は支持アーム351の断面図である。
支持アーム351の先端部にはブラシ回転押圧機構37
が設けられている。ブラシ回転押圧機構37において、
洗浄ブラシ355は角軸として形成された回転軸371
下端に設けられ、ベアリング372は回転軸371の4
つの側面にそれぞれ2個ずつローラ372aの外周面が
当接したベアリングとなっており、回転軸371は上下
方向に移動可能であるとともに、ベアリング372に取
り付けられた回転体373の回転とともに回転軸371
は回転可能となっている。
【0031】回転体373の外周に取り付けられたプー
リ374と支持アーム351のブラシ回転モータ381
に取り付けられたプーリ382との間にはタイミングベ
ルト375が掛けられており、回転スピード可変可能な
ブラシ回転モータ381と連動して回転体373が回転
し、その回転の駆動力がベアリング372を介して回転
軸371を回転させ、それによって洗浄ブラシ355が
鉛直方向を軸として回転する。ブラシ回転モータ381
の回転スピードを制御することにより後述する設定され
た洗浄処理レシピの「ブラシ回転速度」の項目に応じ
て、洗浄ブラシ355の回転速度を変更することができ
る。
【0032】さらに、回転体373上部にはバネ376
が設けられ、その上部には押圧板377が設けられてい
る。そしてエアシリンダ378には圧力計391、電空
レギュレータ392、開閉弁393を介して給排気管3
9が連結され、その給排気管39はエア供給源394
(図6参照)に連結している。そして、圧力計391に
よる圧力信号をもとにCPU300(図6参照)が電空
レギュレータ392を制御し、エア流量を調節してエア
シリンダ378に供給するエアの圧力を制御する。そし
て、エアシリンダ378の押圧力に応じて押圧板377
が押下されることによって回転軸371が押下され、そ
れにより洗浄ブラシ355が基板W上に押圧される圧力
が制御される。
【0033】つぎに、主要部についてさらに詳細に説明
していく。
【0034】図6は第1の実施の形態の基板洗浄装置1
における全体構成図である。CPU41およびメモリ4
2を備えたメインコンピュータ40にはメインパネル5
0、4機のレシピ設定パネル70、基板搬送部20の制
御機構、インデクサ10の制御機構およびスピンスクラ
バ30のCPU300が接続されており、さらにそのC
PU300には主に洗浄液供給源331,341、電動
モータ311、三方弁316、昇降用エアシリンダ35
6、アーム回動モータ358、エンコーダ359、ブラ
シ回転モータ381、電空レギュレータ392、開閉弁
393およびティーチングパネル60が接続されてい
る。
【0035】以上各部のうち、メインパネル50は作業
者が自動モード、手動モードの切換えや、後述する各種
洗浄処理のパラメータをまとめたデータである洗浄処理
レシピを新たに作成したり、洗浄処理レシピの各項目の
部分的変更等を行うためのコンソールパネルである。
【0036】また、4機のレシピ設定パネル70は、そ
れぞれカセットステージ11上の各カセット載置位置に
対応しており、各カセットの基板Wの洗浄処理条件を指
定するデータである洗浄処理レシピ(「洗浄処理パラメ
ータ群」に相当)を選択指定するためのコンソールパネ
ルである。
【0037】さらに、ティーチングパネル60はその取
り付けられたスピンスクラバ30の初期設定としてスキ
ャン開始位置および終了位置を設定する作業であるティ
ーチングを作業者が行う際に支持アーム351の位置の
移動量等を入力するためのコンソールパネルである。
【0038】そして、この装置では作業者は初期設定と
して予めティーチングを行っておく。より詳細にはティ
ーチングは、図3のようにブラシアームがスキャン開始
位置の初期設定としてチャック上に保持された基板Wの
中心位置CPと、スキャン終了位置の初期設定として洗
浄ブラシ355が基板Wの周縁に接する外周縁位置EP
をティーチングしてメモリ42に記憶させる。なお、中
心位置CPおよび外周縁位置EPが「基準位置」に相当
する。
【0039】さらに、この装置ではティーチング以外
に、洗浄処理対象の基板Wの膜種、膜厚、ブラシ種類、
前工程の種類等の特性に応じて洗浄処理の各種洗浄処理
のパラメータをまとめたデータである洗浄処理レシピを
多数、メインコンピュータ40内のメモリ42に予め記
憶している。そして、作業者はレシピ設定パネル70に
よって洗浄処理にあたり各カセット毎にそれに収納され
た基板Wの上記特性に応じた洗浄処理レシピを選択す
る。さらに、その洗浄処理レシピをそのまま利用するこ
ともできるが、基板Wの種類によってはさらに微妙な洗
浄処理の条件を指定したい場合などには、作業者はメイ
ンパネル50により洗浄処理レシピの各項目のデータ
(「洗浄処理パラメータ」に相当)を部分的に変更して
設定することも可能となっている。なお、メインパネル
50を洗浄処理レシピを選択指定するパネルとして使用
することもできる。
【0040】具体的には、洗浄処理レシピの例としては
表1〜表3のようなものが挙げられる。
【0041】
【表1】
【0042】
【表2】
【0043】
【表3】
【0044】これらの表に示すように、洗浄処理レシピ
には洗浄処理における各ステップ毎に各ステップの「時
間」、「基板回転速度」、「ブラシ回転速度」、「洗浄
スキャン周期」、「洗浄スキャン幅」、「薬液等」、
「ブラシ荷重」といった項目が設けられている。
【0045】このうち、「ブラシ回転速度」は洗浄ブラ
シ355の回転速度を表わしている。なお、表3では洗
浄処理中にもブラシ回転速度を0rpmに保っている。
すなわち洗浄処理ブラシを回転しないとするものであ
る。このようにこの実施の形態の装置では洗浄処理ブラ
シを回転しないで洗浄スキャンした方が洗浄効率がいい
場合等にもレシピ変更だけで対応することができる。
【0046】また、「洗浄スキャン周期」の項目は洗浄
ブラシ355の1回のスキャンに要する時間を秒単位で
あらわし、洗浄スキャン速度に相当するものである。こ
の実施の形態では1回の洗浄処理に対して1回または複
数回の洗浄スキャンを行うものである。例えば表1のス
テップ3では1回の洗浄スキャンを8秒とし、ステップ
3は24秒行うものと設定されているため、洗浄スキャ
ンは表1の場合には24/8回すなわち、3回の洗浄ス
キャンを行うものである。
【0047】また、「洗浄スキャン幅」の項目は洗浄対
象の基板Wに対して洗浄スキャンの開始位置および終了
位置がそれぞれティーチングされた基板Wの中心位置C
Pおよび外周縁位置EPとの相対的な位置として設定さ
れる。なお、表1〜表3において「洗浄スキャン幅」の
項目における正負の符号は図3中、反時計回り方向を正
としている。表1のステップ3ではティーチング開始位
置である中心位置CPより10mm負側、すなわち洗浄
ブラシ355外周が基板W中心にスキャンの手前側から
接する位置からスキャンを開始し、ティーチング終了位
置である外周縁位置EPより10mm正側、すなわち洗
浄ブラシ355外周が基板W周縁に外側で接する位置で
終了することを表わしている。そしてこれらの値(正負
も含めて)は洗浄処理レシピごとに異なる値をとること
が可能となっている。
【0048】また、「薬液等」の項目は洗浄時に基板W
の表面および裏面に洗浄液を供給する際に純水リンス、
バックリンスの洗浄液の供給を指定するものである。
【0049】さらに、「ブラシ荷重」の項目は洗浄時に
基板Wに当接される洗浄ブラシの押圧における荷重を表
わし、実際には、前述のブラシ回転押圧機構37に対す
るCPUによるエア供給圧の制御値を指定するものであ
る。表1、表2では20gであるが表3では10gと異
なっており、これらは前述のブラシ回転押圧機構37の
CPU300による制御により実現される。
【0050】また、このような洗浄処理レシピの選択に
際して、メインパネル50には上記の表1〜表3のよう
な洗浄処理レシピが表示されることができるとともに、
図7のような、その洗浄処理レシピによる基板Wの回転
速度の時間変化を表わすグラフを同時に表示させること
もできる。このような表示により作業者は洗浄処理レシ
ピの特徴を捉えて、その選択を容易に行うことができ
る。
【0051】そして、この装置はこのような洗浄処理レ
シピの指定に従って動作する。このようにこの装置では
容易にそれらの設定を変更することができ、その変更の
度に装置を停止してティーチングを行う必要がない。
【0052】
【2.実施の形態における処理手順】図7はこの実施の
形態の基板洗浄装置の洗浄処理手順を示すフローチャー
トである。以下、図7に従って基板洗浄処理の手順につ
いて説明していく。
【0053】まず、装置の立ち上げ時に作業者が洗浄ス
キャンの開始位置および終了位置を前述のように基板W
中央および外周縁に設定する等のティーチング処理を行
う(ステップS1)。
【0054】つぎに、作業者が各カセットをカセットス
テージ11に投入する(ステップS2)。
【0055】つぎに、作業者が対象とするカセットに応
じて洗浄処理レシピを設定する(ステップS3)。な
お、この設定は前述のように予めメモリ42に記憶され
た複数の洗浄処理レシピの中から選択してそのまま利用
することもできるし、それに部分的な変更を加えて設定
することもできる。
【0056】つぎに、自動的に洗浄対象のカセットが設
定される(ステップS4)。すなわち、カセットステー
ジ11のカセット載置順に洗浄対象のカセットが順次設
定される。
【0057】つぎに、装置が自動的に基板洗浄の対象と
なるカセットが終了したかどうかを判断し、終了してい
れば洗浄処理自体を終了し、終了していなければステッ
プS5に進む(ステップS5)。
【0058】つぎに、選択されたカセットにおいてスピ
ンスクラバ30により、各基板Wの洗浄を行い(ステッ
プS6)、ステップS4に戻る。
【0059】そして、ステップS4〜ステップS6の処
理を繰返して各カセットの各基板Wの洗浄を行い、洗浄
の対象となるカセットに対して全て洗浄したことを装置
が確認するとステップS4において終了に進み洗浄処理
を終了する。
【0060】以上のようにこの実施の形態の基板洗浄装
置では、予めメモリ42に記憶された複数の洗浄処理レ
シピのうちから任意のものを選択して指定し、それに基
づいてブラシ回転速度、洗浄スキャン速度および洗浄ス
キャン幅等を制御して基板洗浄を行うので、ブラシ回転
速度、洗浄スキャン速度および洗浄スキャン幅等を容易
に変更できる。
【0061】また、異なる種類の基板Wを収容したカセ
ット毎にそれに対応した洗浄処理レシピを設定しておく
ことにより、洗浄処理対象のカセットが変わる度にティ
ーチングをしたり、ブラシ回転速度や洗浄スキャン周期
等の設定を変更したりする必要がないので、ダウンタイ
ムの発生を抑えることができ、手動操作の機会が少ない
ので人為的ミスの発生も抑えることができる。
【0062】さらに、カセットごとの基板Wの特性に応
じたブラシ回転速度、洗浄スキャン速度および洗浄スキ
ャン幅等の洗浄処理パラメータを含んだ洗浄処理レシピ
を選択することができるので、基板の種類に応じた効果
的な基板洗浄を行うことができる。
【0063】
【3.変形例】この実施の形態ではスピンスクラバ30
においてブラシ部35による洗浄スキャンを基板Wの半
径に相当する分だけ行うものとしたが、この発明はこれ
に限られず、基板Wの直径に相当する分を行う等その他
の範囲を行うものとしてもよい。
【0064】また、この実施の形態ではスピンスクラバ
30においてブラシ部35による洗浄スキャンを支持ア
ーム351を回動させて円弧状に行うものとしたが、こ
の発明はこれに限られず、支持アームに沿ってブラシが
並進移動するものとして直線状に洗浄スキャンを行う等
のものとしてもよい。
【0065】また、この実施の形態では洗浄処理レシピ
において各ステップではブラシ回転速度および洗浄スキ
ャン速度は一定のものとして指定しているが、この発明
はこれに限られず、ステップ内での初期速度と終了速度
を指定して変化するものとしてもよい。
【0066】また、この実施の形態ではカセットごとに
洗浄処理レシピを異なるものとしたが、この発明はこれ
に限られず、同一カセット内において異なる特性の基板
Wを収納している場合に基板Wごとに洗浄処理レシピを
異なるものを指定する等としてもよい。
【0067】また、この実施の形態では洗浄処理レシピ
を選択した後に各処理毎に微少な設定の変更を行えるも
のとしたが、この発明はこれに限られず、洗浄処理レシ
ピは選択するのみで変更できないものとしてもよい。
【0068】また、この実施の形態では洗浄処理レシピ
において洗浄スキャン周期の指定を含んでいるが、この
発明はこれに限られず、洗浄スキャン周期の代わりにそ
の速度を指定するものとしてもよい。
【0069】また、この実施の形態では洗浄ヘッドとし
て洗浄ブラシ355を備えるものとしたが、この発明は
これに限られず、高圧の洗浄液を吐出するジェット洗浄
ヘッドや超音波洗浄ヘッド等のその他のものでもよい。
【0070】さらに、この実施の形態においては、回転
台314を吸着式のものとしてスピンチャック31を構
成しているが、この発明はこれに限られるものではな
く、例えぱ、回転台に基板Wの外縁を支持する基板支持
部材を複数設けるとともに、この基板支持部材の上端に
基板Wの水平方向位置を規制する位置決めピンを設けて
基板保持手段を成し、基板Wを回転台の上面から離隔し
た状態で回転可能に保持させるようにしてもよい。
【0071】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1ないし請
求項4の発明によれば、パターン指定手段により、予め
記憶手段に記憶された複数の洗浄スキャン速度パターン
のうちから任意のものを選択して指定し、それに基づい
て制御手段が支持アームの移動速度を制御するので、洗
浄スキャン速度を容易に変更でき、それにより、ダウン
タイムの発生を抑えることができる。
【0072】さらに、基板の特性に応じた洗浄スキャン
速度パターンを選択することができるので、効果的な基
板洗浄を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の基板洗浄装置の平
面図および正面図である。
【図2】スピンスクラバの主要部の概略縦断面図であ
る。
【図3】スピンスクラバの平面図である。
【図4】スピンスクラバのブラシ部の機構的構成を示す
図である。
【図5】ブラシアームの断面図である。
【図6】基板洗浄装置の全体構成図である。
【図7】この実施の形態の洗浄処理手順を示すフローチ
ャートである。
【符号の説明】
1 基板洗浄装置 42 メモリ 60 ティーチングパネル 70 レシピ設定パネル 300 CPU 351 支持アーム 355 洗浄ブラシ CP 中心位置 EP 外周縁位置 W 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今西 保夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 辻 雅夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 森田 彰彦 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 洗浄ヘッドを支持する支持アームを回転
    する基板表面に対して相対的に移動させて基板の洗浄ス
    キャンを行い基板を洗浄する基板洗浄装置であって、 複数の洗浄スキャン速度パターンを記憶する記憶手段
    と、 予め前記記憶手段に記憶された前記複数の洗浄スキャン
    速度パターンのうちから任意のものを選択して指定する
    パターン指定手段と、 前記指定された洗浄スキャン速度パターンに基づいて前
    記支持アームの移動速度を制御する制御手段と、を備え
    ることを特徴とする基板洗浄装置。
  2. 【請求項2】 請求項1の基板洗浄装置であって、 前記記憶手段が前記洗浄スキャン速度パターンを含む基
    板洗浄の各種パラメータの集合である洗浄処理パラメー
    タ群を複数記憶するものであり、 前記パターン指定手段が任意の洗浄処理パラメータ群を
    指定することによって任意の前記洗浄スキャン速度パタ
    ーンを指定するものであることを特徴とする基板洗浄装
    置。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2の基板洗浄装置
    において、1枚の基板の洗浄に際して前記洗浄スキャン
    を複数回行うものであって、 前記洗浄スキャン速度パターンが前記洗浄スキャンの周
    期によって指定されるものであることを特徴とする基板
    洗浄装置。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のうちのいずれ
    かの基板洗浄装置であって、 前記洗浄ヘッドがブラシであることを特徴とする基板洗
    浄装置。
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US7737049B2 (en) 2007-07-31 2010-06-15 Qimonda Ag Method for forming a structure on a substrate and device
US10331049B2 (en) 2016-09-05 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same
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