JPH1029897A - 有機金属気相成長法による３−５族化合物半導体薄膜の成長方法 - Google Patents
有機金属気相成長法による３−５族化合物半導体薄膜の成長方法Info
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- JPH1029897A JPH1029897A JP18470496A JP18470496A JPH1029897A JP H1029897 A JPH1029897 A JP H1029897A JP 18470496 A JP18470496 A JP 18470496A JP 18470496 A JP18470496 A JP 18470496A JP H1029897 A JPH1029897 A JP H1029897A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡｓＨ3 ガスを流しながらＧａＡｓ基板温度
を昇温させる際のＡｓＨ 3 ガス流量を低下させることが
でき、ＧａＡｓ基板上に３−５族化合物半導体薄膜を成
長させるコストを低減させることができる有機金属気相
成長法による３−５族化合物半導体薄膜の成長方法を提
供する。 【解決手段】 ＧａＡｓ基板上に３−５族化合物半導体
薄膜を成長させる有機金属気相成長法による３−５族化
合物半導体薄膜の成長方法において、前記ＧａＡｓ基板
の表面に厚さが３０〜４５Åの表面酸化膜を設ける。
を昇温させる際のＡｓＨ 3 ガス流量を低下させることが
でき、ＧａＡｓ基板上に３−５族化合物半導体薄膜を成
長させるコストを低減させることができる有機金属気相
成長法による３−５族化合物半導体薄膜の成長方法を提
供する。 【解決手段】 ＧａＡｓ基板上に３−５族化合物半導体
薄膜を成長させる有機金属気相成長法による３−５族化
合物半導体薄膜の成長方法において、前記ＧａＡｓ基板
の表面に厚さが３０〜４５Åの表面酸化膜を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＦＥＴなどの高速
電子デバイスの作製に用いる３−５族化合物半導体薄膜
をＧａＡｓ基板上に成長させる有機金属気相成長法によ
る３−５族化合物半導体薄膜の成長方法に関する。
電子デバイスの作製に用いる３−５族化合物半導体薄膜
をＧａＡｓ基板上に成長させる有機金属気相成長法によ
る３−５族化合物半導体薄膜の成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＥＴ用のエピタキシャル積層基板を例
にとり、３−５族化合物半導体薄膜の有機金属気相成長
法について説明する。ＦＥＴ用のエピタキシャル積層基
板は、例えば、ＧａＡｓ基板上に、原料としてＡｓＨ3
ガス、３族原料ガス、ドーピングガスを用いて、アンド
ープのＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓからなるバッファ
層、高濃度ＳｉドープＧａＡｓ活性層を順次積層する。
この際、成長温度とガス流量を制御し、所望の膜厚、組
成およびキャリア濃度になるように成長を行う。
にとり、３−５族化合物半導体薄膜の有機金属気相成長
法について説明する。ＦＥＴ用のエピタキシャル積層基
板は、例えば、ＧａＡｓ基板上に、原料としてＡｓＨ3
ガス、３族原料ガス、ドーピングガスを用いて、アンド
ープのＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓからなるバッファ
層、高濃度ＳｉドープＧａＡｓ活性層を順次積層する。
この際、成長温度とガス流量を制御し、所望の膜厚、組
成およびキャリア濃度になるように成長を行う。
【０００３】薄膜の成長に供するＧａＡｓ基板には、基
板と薄膜の電気的絶縁性を高めるため、表面に付着した
不純物をできるだけ低減する必要があるので、種種の表
面前処理が施される。このとき、表面酸化膜も除去さ
れ、気相成長前のＧａＡｓ基板には、雰囲気によって形
成された薄い自然酸化膜が形成されている。この自然酸
化膜は、エリプソメトリ法（偏光解析法）で測定したＫ
S 値（吸収係数）で０．３５程度、厚さにして１０〜１
５Å程度である。なお、ＫS 値は酸化膜の厚さの程度を
示し、ＫS 値が大きいことは、酸化膜が厚いことを示
す。
板と薄膜の電気的絶縁性を高めるため、表面に付着した
不純物をできるだけ低減する必要があるので、種種の表
面前処理が施される。このとき、表面酸化膜も除去さ
れ、気相成長前のＧａＡｓ基板には、雰囲気によって形
成された薄い自然酸化膜が形成されている。この自然酸
化膜は、エリプソメトリ法（偏光解析法）で測定したＫ
S 値（吸収係数）で０．３５程度、厚さにして１０〜１
５Å程度である。なお、ＫS 値は酸化膜の厚さの程度を
示し、ＫS 値が大きいことは、酸化膜が厚いことを示
す。
【０００４】ＧａＡｓ基板上の薄膜の成長に際しては、
基板表面からのＡｓ解離を防止するために、基板温度が
４００℃に達すると、ＡｓＨ3 ガスを反応炉内に導入す
る。その後、所定の成長温度で３族原料ガス、ドーピン
グガスを導入し、所望の薄膜を成長させる。ここで、上
述のＧａＡｓ基板表面の自然酸化膜は、ＡｓＨ3 の熱分
解による水素ラジカルにより反応、除去され、成長温度
に達する前に、ＧａＡｓ基板の表面には、ＧａＡｓ結晶
が露出する。そうすると、基板表面からのＡｓ解離が一
層起こり易くなるので、この解離を防ぐために、ＡｓＨ
3 ガス流量を大きくすることが必要になる。
基板表面からのＡｓ解離を防止するために、基板温度が
４００℃に達すると、ＡｓＨ3 ガスを反応炉内に導入す
る。その後、所定の成長温度で３族原料ガス、ドーピン
グガスを導入し、所望の薄膜を成長させる。ここで、上
述のＧａＡｓ基板表面の自然酸化膜は、ＡｓＨ3 の熱分
解による水素ラジカルにより反応、除去され、成長温度
に達する前に、ＧａＡｓ基板の表面には、ＧａＡｓ結晶
が露出する。そうすると、基板表面からのＡｓ解離が一
層起こり易くなるので、この解離を防ぐために、ＡｓＨ
3 ガス流量を大きくすることが必要になる。
【０００５】以下に、上述した自然酸化膜を有するＧａ
Ａｓ基板の温度上昇とＡｓＨ3 ガス流量の関係がＧａＡ
ｓ基板の表面状態に及ぼす影響について、実験した結果
に基いて説明する。第１の実験は、図１（ａ）、（ｂ）
に示すように、基板温度が４００℃に到達した時間ｔ0
から基板温度が成長温度に相当する６００℃になる時間
ｔ1 （ｔ0＋２０ｍｉｎ）の２０分間に、流量０．２リ
ットル／ｍｉｎのＡｓＨ3 ガスを流し、その間に５分毎
に基板を取り出して、基板表面の酸素濃度をＳＩＭＳ
（２次イオン質量分析法）で測定し、また、表面のＡｓ
解離の有無を顕微鏡で観察した。その結果を表１に示
す。表１からわかるように、４００℃でのＡｓＨ3 ガス
導入開始から１５分経過すると、Ａｓ解離が生ずること
がわかる。従って、このＡｓ解離を防ぐためには、それ
以前に、即ち、１５分経過する以前にＡｓＨ3 ガス流量
を増加させておく必要がある。また、表面酸化膜はＡｓ
Ｈ3 ガス導入開始から１０分経過すると、除去されるこ
とがわかる。
Ａｓ基板の温度上昇とＡｓＨ3 ガス流量の関係がＧａＡ
ｓ基板の表面状態に及ぼす影響について、実験した結果
に基いて説明する。第１の実験は、図１（ａ）、（ｂ）
に示すように、基板温度が４００℃に到達した時間ｔ0
から基板温度が成長温度に相当する６００℃になる時間
ｔ1 （ｔ0＋２０ｍｉｎ）の２０分間に、流量０．２リ
ットル／ｍｉｎのＡｓＨ3 ガスを流し、その間に５分毎
に基板を取り出して、基板表面の酸素濃度をＳＩＭＳ
（２次イオン質量分析法）で測定し、また、表面のＡｓ
解離の有無を顕微鏡で観察した。その結果を表１に示
す。表１からわかるように、４００℃でのＡｓＨ3 ガス
導入開始から１５分経過すると、Ａｓ解離が生ずること
がわかる。従って、このＡｓ解離を防ぐためには、それ
以前に、即ち、１５分経過する以前にＡｓＨ3 ガス流量
を増加させておく必要がある。また、表面酸化膜はＡｓ
Ｈ3 ガス導入開始から１０分経過すると、除去されるこ
とがわかる。
【０００６】 注）N.D.：ＳＩＭＳでの検出感度以下
【０００７】第２の実験は、図５（ａ）、（ｂ）に示す
ように、基板温度が４００℃に到達した時間ｔ0 から基
板温度が６００℃になる時間ｔ1 （ｔ0 ＋２０ｍｉｎ）
の２０分間の最初の１０分間に、第１の実験と同様に流
量０．２リットル／ｍｉｎのＡｓＨ3 ガスを流し、その
後の１０分間に流量Ｖリットル／ｍｉｎのＡｓＨ3 ガス
を流し、６００℃に達した後、基板を取り出し、基板表
面のＡｓ解離の有無を顕微鏡で観察した。その結果を表
２に示す。表２からわかるように、４００℃でのＡｓＨ
3 （流量０．２リットル／ｍｉｎ）導入開始から１０分
後に、ＡｓＨ3 の流量を１．０リットル／ｍｉｎに増加
させると、表面のＡｓ解離は認められなかった。
ように、基板温度が４００℃に到達した時間ｔ0 から基
板温度が６００℃になる時間ｔ1 （ｔ0 ＋２０ｍｉｎ）
の２０分間の最初の１０分間に、第１の実験と同様に流
量０．２リットル／ｍｉｎのＡｓＨ3 ガスを流し、その
後の１０分間に流量Ｖリットル／ｍｉｎのＡｓＨ3 ガス
を流し、６００℃に達した後、基板を取り出し、基板表
面のＡｓ解離の有無を顕微鏡で観察した。その結果を表
２に示す。表２からわかるように、４００℃でのＡｓＨ
3 （流量０．２リットル／ｍｉｎ）導入開始から１０分
後に、ＡｓＨ3 の流量を１．０リットル／ｍｉｎに増加
させると、表面のＡｓ解離は認められなかった。
【０００８】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、自然酸
化膜を有するＧａＡｓ基板を用いて、表面Ａｓの解離を
防止しながら気相成長をおこなうためには、昇温中のＡ
ｓＨ3 流量を途中で増加させる必要があり、その分だけ
ＡｓＨ3 ガスの費用が増加するという問題があった。ま
た、ＡｓＨ3 ガスの消費量が増加すると、ＡｓＨ3 ガス
の除害設備の寿命が短くなるという問題もあった。
化膜を有するＧａＡｓ基板を用いて、表面Ａｓの解離を
防止しながら気相成長をおこなうためには、昇温中のＡ
ｓＨ3 流量を途中で増加させる必要があり、その分だけ
ＡｓＨ3 ガスの費用が増加するという問題があった。ま
た、ＡｓＨ3 ガスの消費量が増加すると、ＡｓＨ3 ガス
の除害設備の寿命が短くなるという問題もあった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決すべくなされたもので、ＧａＡｓ基板上に３−５族化
合物半導体薄膜を成長させる有機金属気相成長法による
３−５族化合物半導体薄膜の成長方法において、前記Ｇ
ａＡｓ基板は表面に厚さが３０〜４５Åの表面酸化膜を
有することを特徴とするものである。
決すべくなされたもので、ＧａＡｓ基板上に３−５族化
合物半導体薄膜を成長させる有機金属気相成長法による
３−５族化合物半導体薄膜の成長方法において、前記Ｇ
ａＡｓ基板は表面に厚さが３０〜４５Åの表面酸化膜を
有することを特徴とするものである。
【００１１】本発明は鋭意検討の結果、実験的に得られ
た新しい知見に基づくものである。即ち、Ｋs 値が０．
５〜０．６である厚さの表面酸化膜を有するＧａＡｓ基
板については、４００〜６００℃の昇温中にＡｓＨ3 ガ
スを一定流量で流し、ＡｓＨ 3 ガス流量を途中で増加さ
せないでも、Ａｓ解離を防ぐことができるとともに、成
長温度に相当する６００℃では表面酸化膜が除去されて
いる。従って、次工程での３−５族化合物半導体薄膜の
成長は妨げられることがない。なお、Ｋs 値が０．５〜
０．６の表面酸化膜は、厚さが３０〜４５Åに相当す
る。しかしながら、４００〜６００℃の昇温中にＡｓＨ
3 ガスを一定流量で流した場合、Ｋs 値が０．５よりも
小さいと、ＧａＡｓ基板表面のＡｓ解離が起こり、ま
た、Ｋs 値が０．６よりも大きいと、ＧａＡｓ基板温度
６００℃では表面酸化膜が残存する。
た新しい知見に基づくものである。即ち、Ｋs 値が０．
５〜０．６である厚さの表面酸化膜を有するＧａＡｓ基
板については、４００〜６００℃の昇温中にＡｓＨ3 ガ
スを一定流量で流し、ＡｓＨ 3 ガス流量を途中で増加さ
せないでも、Ａｓ解離を防ぐことができるとともに、成
長温度に相当する６００℃では表面酸化膜が除去されて
いる。従って、次工程での３−５族化合物半導体薄膜の
成長は妨げられることがない。なお、Ｋs 値が０．５〜
０．６の表面酸化膜は、厚さが３０〜４５Åに相当す
る。しかしながら、４００〜６００℃の昇温中にＡｓＨ
3 ガスを一定流量で流した場合、Ｋs 値が０．５よりも
小さいと、ＧａＡｓ基板表面のＡｓ解離が起こり、ま
た、Ｋs 値が０．６よりも大きいと、ＧａＡｓ基板温度
６００℃では表面酸化膜が残存する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳細
に説明する。研磨後のＧａＡｓ基板表面をアンモニアに
より洗浄処理し、酸化膜を除去した後、このＧａＡｓ基
板を超純水中に浸漬する。この浸漬時間を変えると、Ｇ
ａＡｓ基板表面に形成される表面酸化膜の厚さが変化す
る。そこで、この浸漬時間を変えて、ＫS 値が０．４〜
０．７の表面酸化膜を有するＧａＡｓ基板を作製した。
このＧａＡｓ基板を、図１（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、４００℃まで加熱した時点ｔ0 でＡｓＨ3 ガスを流
量、０．２リットル／ｍｉｎで導入し、その状態で６０
０℃まで温度を上昇させた。６００℃に達した時点ｔ1
（ｔ0 ＋２０ｍｉｎ）でＧａＡｓ基板を急冷し、その表
面酸素濃度をＳＩＭＳで測定し、また、表面のＡｓ解離
の有無を顕微鏡で観察した。その結果を表３に示す。
に説明する。研磨後のＧａＡｓ基板表面をアンモニアに
より洗浄処理し、酸化膜を除去した後、このＧａＡｓ基
板を超純水中に浸漬する。この浸漬時間を変えると、Ｇ
ａＡｓ基板表面に形成される表面酸化膜の厚さが変化す
る。そこで、この浸漬時間を変えて、ＫS 値が０．４〜
０．７の表面酸化膜を有するＧａＡｓ基板を作製した。
このＧａＡｓ基板を、図１（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、４００℃まで加熱した時点ｔ0 でＡｓＨ3 ガスを流
量、０．２リットル／ｍｉｎで導入し、その状態で６０
０℃まで温度を上昇させた。６００℃に達した時点ｔ1
（ｔ0 ＋２０ｍｉｎ）でＧａＡｓ基板を急冷し、その表
面酸素濃度をＳＩＭＳで測定し、また、表面のＡｓ解離
の有無を顕微鏡で観察した。その結果を表３に示す。
【００１３】
【００１４】表３に示す結果から、Ｋs 値が０．４のＧ
ａＡｓ基板に上記熱処理を施すと、ＧａＡｓ基板表面の
Ａｓ解離が認められる。しかし、表面酸化膜が厚くな
り、Ｋ s 値が０．５〜０．６のＧａＡｓ基板に上記熱処
理を施すと、ＧａＡｓ基板表面のＡｓ解離は認められ
ず、また、表面酸化膜は残存していない。さらに表面酸
化膜を厚くして、Ｋs 値が０．７のＧａＡｓ基板に上記
熱処理を施すと、Ａｓ解離は認められないが、表面酸化
膜が残存するようになる。以上の結果から、Ｋs 値が
０．５〜０．６の表面酸化膜を有するＧａＡｓ基板は、
基板温度を昇温中にＡｓＨ3 ガス流量を途中で増加させ
ないでも、Ａｓ解離を防ぐことができるとともに、成長
温度に相当する６００℃では表面酸化膜が除去された状
態になる。
ａＡｓ基板に上記熱処理を施すと、ＧａＡｓ基板表面の
Ａｓ解離が認められる。しかし、表面酸化膜が厚くな
り、Ｋ s 値が０．５〜０．６のＧａＡｓ基板に上記熱処
理を施すと、ＧａＡｓ基板表面のＡｓ解離は認められ
ず、また、表面酸化膜は残存していない。さらに表面酸
化膜を厚くして、Ｋs 値が０．７のＧａＡｓ基板に上記
熱処理を施すと、Ａｓ解離は認められないが、表面酸化
膜が残存するようになる。以上の結果から、Ｋs 値が
０．５〜０．６の表面酸化膜を有するＧａＡｓ基板は、
基板温度を昇温中にＡｓＨ3 ガス流量を途中で増加させ
ないでも、Ａｓ解離を防ぐことができるとともに、成長
温度に相当する６００℃では表面酸化膜が除去された状
態になる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。研
磨後のＧａＡｓ基板表面をアンモニアにより洗浄処理
し、酸化膜を除去した後、このＧａＡｓ基板を超純水中
に１０〜１５分浸漬して、溶存酸素により酸化膜を形成
し、Ｋs 値が０．４〜０．７の酸化膜を有するＧａＡｓ
基板を作製した。このＧａＡｓ基板１を用いて有機金属
気相成長法で、図２に示すように、ＧａＡｓバッファ層
２、ＡｌＧａＡｓバッファ層３およびＳｉドープＧａＡ
ｓ活性層４を順次積層して、ＦＥＴ用エピタキシャル積
層基板を作製した。その作製条件は、図３（ａ）、
（ｂ）に示すように、ＧａＡｓ基板温度が４００℃に到
達した時点ｔ0 でＡｓＨ3 ガス（流量：０．２リットル
／ｍｉｎ）を導入し、２０分間で基板温度を６００℃ま
で上昇させた時点ｔ1 （ｔ0 ＋２０ｍｉｎ）で、膜成長
に必要なＡｓＨ3 ガス流量とし、３族原料およびドーピ
ングガスを導入し、ＧａＡｓバッファ層２、ＡｌＧａＡ
ｓバッファ層３およびＳｉドープＧａＡｓ活性層４を順
次積層した。その後、膜成長終了時点ｔ2 で３族原料お
よびドーピングガスの導入を停止し、ＡｓＨ3 ガス流量
を０．２リットル／ｍｉｎに戻し、ＧａＡｓ基板温度を
降温して、４００℃に降温した時点ｔ3 でＡｓＨ3 ガス
の導入を停止し、さらに、ＧａＡｓ基板温度が室温まで
低下してから、積層基板を取り出した。
磨後のＧａＡｓ基板表面をアンモニアにより洗浄処理
し、酸化膜を除去した後、このＧａＡｓ基板を超純水中
に１０〜１５分浸漬して、溶存酸素により酸化膜を形成
し、Ｋs 値が０．４〜０．７の酸化膜を有するＧａＡｓ
基板を作製した。このＧａＡｓ基板１を用いて有機金属
気相成長法で、図２に示すように、ＧａＡｓバッファ層
２、ＡｌＧａＡｓバッファ層３およびＳｉドープＧａＡ
ｓ活性層４を順次積層して、ＦＥＴ用エピタキシャル積
層基板を作製した。その作製条件は、図３（ａ）、
（ｂ）に示すように、ＧａＡｓ基板温度が４００℃に到
達した時点ｔ0 でＡｓＨ3 ガス（流量：０．２リットル
／ｍｉｎ）を導入し、２０分間で基板温度を６００℃ま
で上昇させた時点ｔ1 （ｔ0 ＋２０ｍｉｎ）で、膜成長
に必要なＡｓＨ3 ガス流量とし、３族原料およびドーピ
ングガスを導入し、ＧａＡｓバッファ層２、ＡｌＧａＡ
ｓバッファ層３およびＳｉドープＧａＡｓ活性層４を順
次積層した。その後、膜成長終了時点ｔ2 で３族原料お
よびドーピングガスの導入を停止し、ＡｓＨ3 ガス流量
を０．２リットル／ｍｉｎに戻し、ＧａＡｓ基板温度を
降温して、４００℃に降温した時点ｔ3 でＡｓＨ3 ガス
の導入を停止し、さらに、ＧａＡｓ基板温度が室温まで
低下してから、積層基板を取り出した。
【００１６】このようにして製作した積層基板（試料１
〜４）について、図２に示すように、ＡｌＧａＡｓバッ
ファ層３の表面から５００ｎｍの深さの位置に同心円状
のオーミック電極５（外径２００μｍ）と電極６（内径
２６０μｍ）を形成し、電極間隔を３０μｍとして、電
極５に−１０Ｖの電圧を印加して電流を測定し、リーク
電流値とした。その測定結果を表４に示す。表４からわ
かるように、Ｋs 値が０．４のＧａＡｓ基板（試料１）
では、リーク電流が大きく、ＦＥＴのピンチオフ特性が
悪かった。Ｋs 値が０．５〜０．６のＧａＡｓ基板（試
料２〜３）では、リーク電流が小さく、ＦＥＴのピンチ
オフ特性も良好であった。さらに、Ｋs 値が０．７のＧ
ａＡｓ基板（試料４）では、リーク電流は小さいが、残
存表面酸化膜のために表面状態が悪く、ＦＥＴ特性も悪
かった。
〜４）について、図２に示すように、ＡｌＧａＡｓバッ
ファ層３の表面から５００ｎｍの深さの位置に同心円状
のオーミック電極５（外径２００μｍ）と電極６（内径
２６０μｍ）を形成し、電極間隔を３０μｍとして、電
極５に−１０Ｖの電圧を印加して電流を測定し、リーク
電流値とした。その測定結果を表４に示す。表４からわ
かるように、Ｋs 値が０．４のＧａＡｓ基板（試料１）
では、リーク電流が大きく、ＦＥＴのピンチオフ特性が
悪かった。Ｋs 値が０．５〜０．６のＧａＡｓ基板（試
料２〜３）では、リーク電流が小さく、ＦＥＴのピンチ
オフ特性も良好であった。さらに、Ｋs 値が０．７のＧ
ａＡｓ基板（試料４）では、リーク電流は小さいが、残
存表面酸化膜のために表面状態が悪く、ＦＥＴ特性も悪
かった。
【００１７】
【００１８】なお、比較のために、Ｋs 値が０．３５の
ＧａＡｓ基板を作製し、図４（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、ＧａＡｓ基板温度が４００℃から６００℃へ昇温中
のＡｓＨ3 流量を、０．２リットル／ｍｉｎ（１０ｍｉ
ｎ）) →１．０リットル／ｍｉｎ（１０ｍｉｎ）と増加
させて、その後、上記試料と同様にＧａＡｓバッファ
層、ＡｌＧａＡｓバッファ層およびＳｉドープＧａＡｓ
活性層を順次積層して、積層基板（試料５）を作製し
た。この比較例について、リーク電流値（Ａ）を測定し
たところ、２×１０-9Ａであった。
ＧａＡｓ基板を作製し、図４（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、ＧａＡｓ基板温度が４００℃から６００℃へ昇温中
のＡｓＨ3 流量を、０．２リットル／ｍｉｎ（１０ｍｉ
ｎ）) →１．０リットル／ｍｉｎ（１０ｍｉｎ）と増加
させて、その後、上記試料と同様にＧａＡｓバッファ
層、ＡｌＧａＡｓバッファ層およびＳｉドープＧａＡｓ
活性層を順次積層して、積層基板（試料５）を作製し
た。この比較例について、リーク電流値（Ａ）を測定し
たところ、２×１０-9Ａであった。
【００１９】上述の結果から、Ｋs 値が０．５〜０．６
の表面酸化膜を有するＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓバ
ッファ層を形成すると、ＧａＡｓ基板温度を昇温中にＡ
ｓＨ 3 ガス流量を増加させることなく、従来例（試料
５）と同等の特性を有するＡｌＧａＡｓバッファ層を形
成することができる。
の表面酸化膜を有するＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓバ
ッファ層を形成すると、ＧａＡｓ基板温度を昇温中にＡ
ｓＨ 3 ガス流量を増加させることなく、従来例（試料
５）と同等の特性を有するＡｌＧａＡｓバッファ層を形
成することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｇ
ａＡｓ基板上に３−５族化合物半導体薄膜を成長させる
有機金属気相成長法による３−５族化合物半導体薄膜の
成長方法において、前記ＧａＡｓ基板は表面に厚さが３
０〜４５Åの表面酸化膜を有するため、ＧａＡｓ基板を
昇温中のＡｓＨ3 ガス流量を低下させることができ、コ
ストを低減させることができるという優れた効果があ
る。
ａＡｓ基板上に３−５族化合物半導体薄膜を成長させる
有機金属気相成長法による３−５族化合物半導体薄膜の
成長方法において、前記ＧａＡｓ基板は表面に厚さが３
０〜４５Åの表面酸化膜を有するため、ＧａＡｓ基板を
昇温中のＡｓＨ3 ガス流量を低下させることができ、コ
ストを低減させることができるという優れた効果があ
る。
【図１】（ａ）、（ｂ）は本発明の実施形態における基
板温度と時間の関係およびＡｓＨ3 流量と時間の関係を
示す図である。
板温度と時間の関係およびＡｓＨ3 流量と時間の関係を
示す図である。
【図２】本発明の成長方法により作製した試料のリーク
電流の測定方法の説明図である。
電流の測定方法の説明図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例における基板
温度と時間の関係およびＡｓＨ 3 流量と時間の関係を示
す図である。
温度と時間の関係およびＡｓＨ 3 流量と時間の関係を示
す図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は比較例における基板温度と時
間の関係およびＡｓＨ3 流量と時間の関係を示す図であ
る。
間の関係およびＡｓＨ3 流量と時間の関係を示す図であ
る。
【図５】（ａ）、（ｂ）は従来技術の説明に用いた基板
温度と時間の関係およびＡｓＨ 3 流量と時間の関係を示
す図である。
温度と時間の関係およびＡｓＨ 3 流量と時間の関係を示
す図である。
１ ＧａＡｓ基板 ２ ＧａＡｓバッファ層 ３ ＡｌＧａＡｓバッファ層 ４ ＳｉドープＧａＡｓ活性層 ５、６ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊地 浩司 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上に３−５族化合物半導体
薄膜を成長させる有機金属気相成長法による３−５族化
合物半導体薄膜の成長方法において、前記ＧａＡｓ基板
は表面に厚さが３０〜４５Åの表面酸化膜を有すること
を特徴とする有機金属気相成長法による３−５族化合物
半導体薄膜の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18470496A JPH1029897A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 有機金属気相成長法による３−５族化合物半導体薄膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18470496A JPH1029897A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 有機金属気相成長法による３−５族化合物半導体薄膜の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1029897A true JPH1029897A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16157919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18470496A Pending JPH1029897A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 有機金属気相成長法による３−５族化合物半導体薄膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1029897A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021100115A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | アズール スペース ソーラー パワー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＡＺＵＲ ＳＰＡＣＥ Ｓｏｌａｒ Ｐｏｗｅｒ ＧｍｂＨ | 気相エピタキシー法 |
-
1996
- 1996-07-15 JP JP18470496A patent/JPH1029897A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021100115A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | アズール スペース ソーラー パワー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＡＺＵＲ ＳＰＡＣＥ Ｓｏｌａｒ Ｐｏｗｅｒ ＧｍｂＨ | 気相エピタキシー法 |
| US11280025B2 (en) | 2019-12-20 | 2022-03-22 | Azur Space Solar Power Gmbh | Vapor phase epitaxy method |
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