JPH10294393A - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージInfo
- Publication number
- JPH10294393A JPH10294393A JP10418697A JP10418697A JPH10294393A JP H10294393 A JPH10294393 A JP H10294393A JP 10418697 A JP10418697 A JP 10418697A JP 10418697 A JP10418697 A JP 10418697A JP H10294393 A JPH10294393 A JP H10294393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base substrate
- semiconductor package
- heat sink
- opening
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体パッケージを構成するベース基板と放
熱板にそれぞれ凹溝と凸部とを形成し、互いに嵌着する
ことにより接着性の向上を図り、ベース基板の開口部と
放熱板とで形成されるキャビティの気密性を向上するこ
とができる半導体パッケージを提供することを目的とす
るものである。 【解決手段】 本発明の半導体パッケージは、プリント
配線板を用いて形成される半導体パッケージにおいて、
複数のプリント配線板を重合わせ、中央部にキャビティ
を構成するための開口部を有するベース基板と、このベ
ース基板のキャビティに搭載される半導体素子から発生
する熱を放熱する放熱板を有し、該ベース基板の表面に
開口部の外周に沿って凹溝を形成し、放熱板に該凹溝に
嵌合する凸部を設けて嵌着したことを特徴とする。
熱板にそれぞれ凹溝と凸部とを形成し、互いに嵌着する
ことにより接着性の向上を図り、ベース基板の開口部と
放熱板とで形成されるキャビティの気密性を向上するこ
とができる半導体パッケージを提供することを目的とす
るものである。 【解決手段】 本発明の半導体パッケージは、プリント
配線板を用いて形成される半導体パッケージにおいて、
複数のプリント配線板を重合わせ、中央部にキャビティ
を構成するための開口部を有するベース基板と、このベ
ース基板のキャビティに搭載される半導体素子から発生
する熱を放熱する放熱板を有し、該ベース基板の表面に
開口部の外周に沿って凹溝を形成し、放熱板に該凹溝に
嵌合する凸部を設けて嵌着したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気機器や電子機
器に半導体素子を搭載して実装される半導体装置を構成
する半導体パッケージに関し、半導体素子より発生する
熱を放熱するために接合される放熱板を有する半導体パ
ッケージに関するものである。
器に半導体素子を搭載して実装される半導体装置を構成
する半導体パッケージに関し、半導体素子より発生する
熱を放熱するために接合される放熱板を有する半導体パ
ッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路用の半導体パッケージとして、
ＰＧＡ（Pin Grid Array）やＱＦＰ（Guad Flat Packa
g）が知られている。これらの半導体パッケージは、複
数のプリント配線板を重ね合わせた多層プリント配線板
を用いて形成されている。
ＰＧＡ（Pin Grid Array）やＱＦＰ（Guad Flat Packa
g）が知られている。これらの半導体パッケージは、複
数のプリント配線板を重ね合わせた多層プリント配線板
を用いて形成されている。
【０００３】近年、半導体パッケージは、半導体素子の
集積度の向上と、処理速度の向上により、高い放熱性を
有するものが求められてきた。そこで、多層プリント配
線板よりなるベース基板に開口部を形成し、この開口部
を閉塞するように金属で形成された平板の放熱板を接着
し、開口部と放熱板とで形成されたキャビティに半導体
素子を搭載して半導体素子より発生する熱を放熱する構
造が用いられるようになった。
集積度の向上と、処理速度の向上により、高い放熱性を
有するものが求められてきた。そこで、多層プリント配
線板よりなるベース基板に開口部を形成し、この開口部
を閉塞するように金属で形成された平板の放熱板を接着
し、開口部と放熱板とで形成されたキャビティに半導体
素子を搭載して半導体素子より発生する熱を放熱する構
造が用いられるようになった。
【０００４】しかしながら、上述のような半導体パッケ
ージでは、半導体素子を搭載した後、キャビティを封止
材で封止する際、接着剤を用いて加熱圧着した放熱板と
ベース基板との接着性が悪くなることがあり、キャビテ
ィ内の気密性が悪くなることがあった。
ージでは、半導体素子を搭載した後、キャビティを封止
材で封止する際、接着剤を用いて加熱圧着した放熱板と
ベース基板との接着性が悪くなることがあり、キャビテ
ィ内の気密性が悪くなることがあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑みてなされたものであり、半導体パッケージを構成す
るベース基板と放熱板にそれぞれ凹溝と凸部とを形成
し、互いに嵌着することにより接着性の向上を図り、ベ
ース基板の開口部と放熱板とで形成されるキャビティの
気密性を向上することができる半導体パッケージを提供
することを目的とするものである。
鑑みてなされたものであり、半導体パッケージを構成す
るベース基板と放熱板にそれぞれ凹溝と凸部とを形成
し、互いに嵌着することにより接着性の向上を図り、ベ
ース基板の開口部と放熱板とで形成されるキャビティの
気密性を向上することができる半導体パッケージを提供
することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の半導体パッケージは、プリント配線板を用いて形成さ
れる半導体パッケージにおいて、複数のプリント配線板
５を重合わせ、中央部にキャビティを構成するための開
口部６を有するベース基板１と、このベース基板１のキ
ャビティに搭載される半導体素子から発生する熱を放熱
する放熱板２を有し、該ベース基板１の表面に開口部６
の外周に沿って凹溝４を形成し、放熱板２に該凹溝４に
嵌合する凸部３を設けて嵌着したことを特徴とする。
の半導体パッケージは、プリント配線板を用いて形成さ
れる半導体パッケージにおいて、複数のプリント配線板
５を重合わせ、中央部にキャビティを構成するための開
口部６を有するベース基板１と、このベース基板１のキ
ャビティに搭載される半導体素子から発生する熱を放熱
する放熱板２を有し、該ベース基板１の表面に開口部６
の外周に沿って凹溝４を形成し、放熱板２に該凹溝４に
嵌合する凸部３を設けて嵌着したことを特徴とする。
【０００７】本発明の請求項２に記載の半導体パッケー
ジは、上記請求項１の半導体パッケージにおいて、放熱
板２の凸部３より外側に鍔部７を設けたことを特徴とす
る。
ジは、上記請求項１の半導体パッケージにおいて、放熱
板２の凸部３より外側に鍔部７を設けたことを特徴とす
る。
【０００８】上記ベース基板１に形成された凹溝４は、
切削加工により形成されるもので、プリント配線板５の
表面より例えばざぐり加工により容易に形成することが
できる。また、該凹溝４の形状は、ベース基板１の開口
部６が方形に形成されるので放熱板２の形状も方形とな
り、同様に方形が好ましい。
切削加工により形成されるもので、プリント配線板５の
表面より例えばざぐり加工により容易に形成することが
できる。また、該凹溝４の形状は、ベース基板１の開口
部６が方形に形成されるので放熱板２の形状も方形とな
り、同様に方形が好ましい。
【０００９】また、放熱板２に形成された凸部３は、金
属で形成された平板を切削加工して一体物で形成された
ものが好ましい。該凸部３の高さは、凹溝４の深さより
低いものがベース基板１の表面と放熱板２の表面が面着
して好ましい。
属で形成された平板を切削加工して一体物で形成された
ものが好ましい。該凸部３の高さは、凹溝４の深さより
低いものがベース基板１の表面と放熱板２の表面が面着
して好ましい。
【００１０】さらに、上記放熱板２の凸部３より外側に
鍔部７を設けることにより、ベース基板１の表面と鍔部
７の表面との面着する面積を増加させることができるの
で好ましい。
鍔部７を設けることにより、ベース基板１の表面と鍔部
７の表面との面着する面積を増加させることができるの
で好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体パッケージ
を一実施形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
を一実施形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００１２】図１は、本発明に係る半導体パッケージの
一実施形態を示す断面図で、図２は本発明の半導体パッ
ケージのベース基板に嵌着する放熱板の斜視図である。
一実施形態を示す断面図で、図２は本発明の半導体パッ
ケージのベース基板に嵌着する放熱板の斜視図である。
【００１３】本発明の一実施形態の半導体パッケージ
は、図１に示す如く、複数のプリント配線板５を積層し
た多層プリント配線板よりなるベース基板１と、このベ
ース基板１に嵌着した金属性の放熱板２とで構成されて
いる。
は、図１に示す如く、複数のプリント配線板５を積層し
た多層プリント配線板よりなるベース基板１と、このベ
ース基板１に嵌着した金属性の放熱板２とで構成されて
いる。
【００１４】図に示すように、上記ベース基板１は、複
数のプリント配線板５を積層して形成され、それぞれの
プリント配線板５の中央部には開口部６が形成され、該
開口部６により断面が階段状に構成されている。半導体
素子を搭載するキャビティが形成されている。また、該
ベース基板１の表面には、上記開口部６の外周に沿っ
て、開口部６を取り囲むように凹溝４が形成されてい
る。この凹溝４は、ベース基板１の表面に位置するプリ
ント配線板５を切削加工して形成されたもので、裏面ま
で貫通することなく、内部で加工を停止して形成されて
いる。
数のプリント配線板５を積層して形成され、それぞれの
プリント配線板５の中央部には開口部６が形成され、該
開口部６により断面が階段状に構成されている。半導体
素子を搭載するキャビティが形成されている。また、該
ベース基板１の表面には、上記開口部６の外周に沿っ
て、開口部６を取り囲むように凹溝４が形成されてい
る。この凹溝４は、ベース基板１の表面に位置するプリ
ント配線板５を切削加工して形成されたもので、裏面ま
で貫通することなく、内部で加工を停止して形成されて
いる。
【００１５】また、このベース基板１に嵌着した放熱板
２は、上記開口部６とで形成されるキャビティに搭載さ
れる半導体素子から発生する熱を放熱する金属板で、上
記ベース基板１の表面に形成された凹溝４と嵌合する凸
部３を有している。
２は、上記開口部６とで形成されるキャビティに搭載さ
れる半導体素子から発生する熱を放熱する金属板で、上
記ベース基板１の表面に形成された凹溝４と嵌合する凸
部３を有している。
【００１６】この凸部３は、上記べース基板の凹溝４に
対応して形成されたものであり、その形状は例えば、開
口部６が方形であるならば凹溝４も方形に形成されるた
め、同様に方形に形成される。
対応して形成されたものであり、その形状は例えば、開
口部６が方形であるならば凹溝４も方形に形成されるた
め、同様に方形に形成される。
【００１７】上記放熱板２を構成する金属板としては、
厚み０．０５〜３．０ｍｍ程度のものが使用されるが、
好ましくは０．０５〜２．０ｍｍのアルミニウム、洋白
や真鍮等の銅合金、銅、銅クラッドインバー、ステンレ
ス綱、鉄、ケイ素綱、電解酸化処理されたアルミニウム
等を用いることができる。これらの金属を使用すること
により、熱伝導率が向上し、放熱性も向上することがで
きる。また、上記凸部３を形成するに際しても、切削加
工、例えば、ざぐり加工により容易に凸部３を形成する
ことができる。この凸部３は、金属板の平板に枠状の金
属を接着して形成することができるが、放熱板２には密
着性と気密性が必要であるので、金属で形成された平板
を切削加工して一体物で形成されたものが好ましい。該
凸部３の高さは、凹溝４の深さより低いものがベース基
板１の表面と放熱板２の表面が面着して好ましい。
厚み０．０５〜３．０ｍｍ程度のものが使用されるが、
好ましくは０．０５〜２．０ｍｍのアルミニウム、洋白
や真鍮等の銅合金、銅、銅クラッドインバー、ステンレ
ス綱、鉄、ケイ素綱、電解酸化処理されたアルミニウム
等を用いることができる。これらの金属を使用すること
により、熱伝導率が向上し、放熱性も向上することがで
きる。また、上記凸部３を形成するに際しても、切削加
工、例えば、ざぐり加工により容易に凸部３を形成する
ことができる。この凸部３は、金属板の平板に枠状の金
属を接着して形成することができるが、放熱板２には密
着性と気密性が必要であるので、金属で形成された平板
を切削加工して一体物で形成されたものが好ましい。該
凸部３の高さは、凹溝４の深さより低いものがベース基
板１の表面と放熱板２の表面が面着して好ましい。
【００１８】さらに、上記放熱板２には、凸部３の外側
にベース基板１に嵌合した際に当接する鍔部７が周囲に
設けられている。この鍔部７は、ベース基板１に放熱板
２を嵌着する際に、ベース基板１の表面と鍔部７とが面
着する面積を増加し、接着剤を介し接着性を向上するこ
とができる。
にベース基板１に嵌合した際に当接する鍔部７が周囲に
設けられている。この鍔部７は、ベース基板１に放熱板
２を嵌着する際に、ベース基板１の表面と鍔部７とが面
着する面積を増加し、接着剤を介し接着性を向上するこ
とができる。
【００１９】上記ベース基板１に放熱板２を嵌着する方
法としては、嵌合する凸部３と凹溝４、ベース基板１の
表面と放熱板２が当接する部分に絶縁性接着剤を塗布
し、加圧乾燥して嵌着することができる。絶縁性接着剤
としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド
樹脂等の絶縁樹脂を使用した絶縁性接着剤を使用するこ
とができる。
法としては、嵌合する凸部３と凹溝４、ベース基板１の
表面と放熱板２が当接する部分に絶縁性接着剤を塗布
し、加圧乾燥して嵌着することができる。絶縁性接着剤
としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド
樹脂等の絶縁樹脂を使用した絶縁性接着剤を使用するこ
とができる。
【００２０】上述したように、プリント配線板を用いて
形成される半導体パッケージにおいて、半導体パッケー
ジを構成するベース基板１と該ベース基板１に接着され
る放熱板２に、それぞれ凹溝４と凸部３とを形成するこ
とにより、凹溝４と凸部３を嵌合して接着することがで
き、接着面積を向上して密着性の向上を図ることができ
る。
形成される半導体パッケージにおいて、半導体パッケー
ジを構成するベース基板１と該ベース基板１に接着され
る放熱板２に、それぞれ凹溝４と凸部３とを形成するこ
とにより、凹溝４と凸部３を嵌合して接着することがで
き、接着面積を向上して密着性の向上を図ることができ
る。
【００２１】
【発明の効果】上述したように、本発明に係る半導体パ
ッケージは、プリント配線板を用いて形成される半導体
パッケージにおいて、半導体パッケージを構成するベー
ス基板と該ベース基板に接着される放熱板に、それぞれ
凹溝と凸部とを形成することにより、凹溝と凸部が嵌合
して接着することができ、接着面積を向上できるので、
接着剤を介して嵌着する際、密着性の向上を図ることが
できる。また、得られた半導体パッケージのキャビティ
に半導体素子を搭載して封止材で封止すると、ベース基
板と放熱板との密着性が向上しているので、キャビティ
の気密性も向上することができる。
ッケージは、プリント配線板を用いて形成される半導体
パッケージにおいて、半導体パッケージを構成するベー
ス基板と該ベース基板に接着される放熱板に、それぞれ
凹溝と凸部とを形成することにより、凹溝と凸部が嵌合
して接着することができ、接着面積を向上できるので、
接着剤を介して嵌着する際、密着性の向上を図ることが
できる。また、得られた半導体パッケージのキャビティ
に半導体素子を搭載して封止材で封止すると、ベース基
板と放熱板との密着性が向上しているので、キャビティ
の気密性も向上することができる。
【００２２】さらに、放熱板の凸部の外周に鍔部が設け
られているので、ベース基板の表面と鍔部とが面着する
面積を増加して接着性を向上することができる。
られているので、ベース基板の表面と鍔部とが面着する
面積を増加して接着性を向上することができる。
【図１】本発明の一実施形態を示す半導体パッケージの
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の一実施形態を示す放熱板の斜視図であ
る。
る。
１ ベース基板 ２ 放熱板 ３ 凸部 ４ 凹溝 ５ プリント配線板 ６ 開口部 ７ 鍔部
Claims (2)
- 【請求項１】 プリント配線板を用いて形成される半導
体パッケージにおいて、複数のプリント配線板を重合わ
せ、中央部にキャビティを構成するための開口部を有す
るベース基板と、このベース基板のキャビティに搭載さ
れる半導体素子から発生する熱を放熱する放熱板を有
し、該ベース基板の表面に開口部の外周に沿って凹溝を
形成し、放熱板に該凹溝に嵌合する凸部を設けて嵌着し
たことを特徴とする半導体パッケージ。 - 【請求項２】 上記請求項１の半導体パッケージにおい
て、放熱板の凸部より外側に鍔部を設けたことを特徴と
する半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10418697A JPH10294393A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10418697A JPH10294393A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294393A true JPH10294393A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14373971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10418697A Pending JPH10294393A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294393A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1734577A1 (de) * | 2005-06-16 | 2006-12-20 | ABB Research Ltd | Kühlvorrichtung sowie Halbleitermodul mit einer solchen Kühlvorrichtung |
| KR20180004992A (ko) * | 2016-07-05 | 2018-01-15 | 주식회사 엘지화학 | 이차 전지용 카트리지 및 이를 포함하는 배터리 모듈 |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP10418697A patent/JPH10294393A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1734577A1 (de) * | 2005-06-16 | 2006-12-20 | ABB Research Ltd | Kühlvorrichtung sowie Halbleitermodul mit einer solchen Kühlvorrichtung |
| KR20180004992A (ko) * | 2016-07-05 | 2018-01-15 | 주식회사 엘지화학 | 이차 전지용 카트리지 및 이를 포함하는 배터리 모듈 |
| US10629874B2 (en) | 2016-07-05 | 2020-04-21 | Lg Chem, Ltd. | Cartridge for secondary batteries, and battery module including the cartridge |
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