JPH10291863A - サイアロン膜形成用ターゲット材 - Google Patents
サイアロン膜形成用ターゲット材Info
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- JPH10291863A JPH10291863A JP9102922A JP10292297A JPH10291863A JP H10291863 A JPH10291863 A JP H10291863A JP 9102922 A JP9102922 A JP 9102922A JP 10292297 A JP10292297 A JP 10292297A JP H10291863 A JPH10291863 A JP H10291863A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐磨耗性、耐熱性及び耐熱衝撃性が高く、し
かも静電気を除去できる程度の膜抵抗を有するサイアロ
ン膜を形成するターゲット材を得る。 【解決手段】 酸化イットリウムを０．２〜１０重量％
と、Ｔｉの炭化物、窒化物及び炭窒化物のうち１種又は
２種以上を１０〜４０重量％とを含有し、残部がサイア
ロンと不可避不純物からなる組成を有する焼結体で構成
されたサイアロン膜形成用ターゲット材である。
かも静電気を除去できる程度の膜抵抗を有するサイアロ
ン膜を形成するターゲット材を得る。 【解決手段】 酸化イットリウムを０．２〜１０重量％
と、Ｔｉの炭化物、窒化物及び炭窒化物のうち１種又は
２種以上を１０〜４０重量％とを含有し、残部がサイア
ロンと不可避不純物からなる組成を有する焼結体で構成
されたサイアロン膜形成用ターゲット材である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングに
よりサイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）膜を形成するためのタ
ーゲット材に関する。更に詳しくは静電気を除去できる
程度の膜抵抗を有するサイアロン膜を形成するためのタ
ーゲット材に関するものである。
よりサイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）膜を形成するためのタ
ーゲット材に関する。更に詳しくは静電気を除去できる
程度の膜抵抗を有するサイアロン膜を形成するためのタ
ーゲット材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、所望の組成のサイアロン焼結体を
ターゲット材として用いてスパッタリング成膜を行う方
法が開示されている（特開昭６３−２２３１６９）。し
かしこのサイアロン焼結体は絶縁体であるため、高周波
スパッタリングでしか成膜できず、基板温度の上昇が問
題となるポリカーボネート基板への成膜には適用するこ
とができなかった。この点を改良したサイアロンターゲ
ット材料として、光磁気記録媒体の保護膜などに優れ、
かつ比較的低温で成膜できる直流スパッタリングを可能
とする導電性を有するサイアロンターゲット材が提案さ
れている（特開平３−１８３７６５）。この導電性サイ
アロンターゲット材は、Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z（但し、
ｚは０＜ｚ≦４．２）で表されるβ´−サイアロン相、
及び／又はＭx（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16（但し、
ｘは０＜ｘ＜２，ＭはＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｙ，希土類元
素（Ｌａ，Ｃｅを除く））で表されるαサイアロン相
と、ＴｉＮのようなＩＶａ族の窒化物相及びＹ，Ｓｉ，
Ａｌ，Ｎが存在する非晶質粒界相の複合相とからなる。
ターゲット材として用いてスパッタリング成膜を行う方
法が開示されている（特開昭６３−２２３１６９）。し
かしこのサイアロン焼結体は絶縁体であるため、高周波
スパッタリングでしか成膜できず、基板温度の上昇が問
題となるポリカーボネート基板への成膜には適用するこ
とができなかった。この点を改良したサイアロンターゲ
ット材料として、光磁気記録媒体の保護膜などに優れ、
かつ比較的低温で成膜できる直流スパッタリングを可能
とする導電性を有するサイアロンターゲット材が提案さ
れている（特開平３−１８３７６５）。この導電性サイ
アロンターゲット材は、Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z（但し、
ｚは０＜ｚ≦４．２）で表されるβ´−サイアロン相、
及び／又はＭx（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16（但し、
ｘは０＜ｘ＜２，ＭはＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｙ，希土類元
素（Ｌａ，Ｃｅを除く））で表されるαサイアロン相
と、ＴｉＮのようなＩＶａ族の窒化物相及びＹ，Ｓｉ，
Ａｌ，Ｎが存在する非晶質粒界相の複合相とからなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平３−１
８３７６５号公報に示されるサイアロンターゲット材は
導電性を有するばかりでなく、このサイアロンターゲッ
ト材を用いてスパッタリングにより、プリンタヘッドの
保護膜を形成した場合、この保護膜も高い導電性を有す
る。即ち、この保護膜はＳｉ3Ｎ4に対してＴｉＮの含有
量が多く、抵抗値は１０-2Ω／ｃｍ2オーダー以下の極
めて低い値になると予想される。このように抵抗値が低
くなり過ぎると、印字又は印画のために感光ドラムに帯
電した電荷がサイアロン膜を通じて系外に逃げてしま
い、これによりプリンタとしての機能が損われる不具合
があった。このため、スパッタリングガスであるＮ2ガ
スとＡｒガスの混合比を変えて抵抗値を大きくすること
が試みられているが、スパッタリングガスの制御が困難
になり、スパッタリングによる成膜操作が煩わしくなる
欠点があった。
８３７６５号公報に示されるサイアロンターゲット材は
導電性を有するばかりでなく、このサイアロンターゲッ
ト材を用いてスパッタリングにより、プリンタヘッドの
保護膜を形成した場合、この保護膜も高い導電性を有す
る。即ち、この保護膜はＳｉ3Ｎ4に対してＴｉＮの含有
量が多く、抵抗値は１０-2Ω／ｃｍ2オーダー以下の極
めて低い値になると予想される。このように抵抗値が低
くなり過ぎると、印字又は印画のために感光ドラムに帯
電した電荷がサイアロン膜を通じて系外に逃げてしま
い、これによりプリンタとしての機能が損われる不具合
があった。このため、スパッタリングガスであるＮ2ガ
スとＡｒガスの混合比を変えて抵抗値を大きくすること
が試みられているが、スパッタリングガスの制御が困難
になり、スパッタリングによる成膜操作が煩わしくなる
欠点があった。
【０００４】一方、近年プリンタが高速化するに従い、
印刷時にプリンタヘッドに高圧の静電気が発生し易い。
このため、絶縁性のサイアロン保護膜をプリンタヘッド
表面に形成した場合で、高圧の静電気を生じてこれがス
パークしたときには、保護膜が静電破壊してしまい、保
護膜としての機能が損われる不具合があった。本発明の
目的は、耐磨耗性、耐熱性及び耐熱衝撃性が高く、しか
も静電気を除去できる程度の膜抵抗を有するサイアロン
膜を形成するためのターゲット材を提供することにあ
る。
印刷時にプリンタヘッドに高圧の静電気が発生し易い。
このため、絶縁性のサイアロン保護膜をプリンタヘッド
表面に形成した場合で、高圧の静電気を生じてこれがス
パークしたときには、保護膜が静電破壊してしまい、保
護膜としての機能が損われる不具合があった。本発明の
目的は、耐磨耗性、耐熱性及び耐熱衝撃性が高く、しか
も静電気を除去できる程度の膜抵抗を有するサイアロン
膜を形成するためのターゲット材を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
酸化イットリウムを０．２〜１０重量％と、Ｔｉの炭化
物、窒化物及び炭窒化物のうち１種又は２種以上を１０
〜４０重量％とを含有し、残部がサイアロンと不可避不
純物からなる組成を有する焼結体で構成されたサイアロ
ン膜形成用ターゲット材である。上記組成のターゲット
材を用いてスパッタリングにより成膜すると、得られた
サイアロン膜はサイアロン特有の高い耐磨耗性、耐熱性
及び耐熱衝撃性を有する上、更に静電気を除去可能な膜
抵抗が１００〜１００００Ω／ｃｍ2程度になる。こう
した値の膜抵抗が得られる詳細な理由は不明であるが、
恐らく膜中のＴｉの炭化物、窒化物、炭窒化物などの相
がサイアロン相に均一に分散し、ＴｉＣ，ＴｉＮ，Ｔｉ
ＣＮなどの分子により僅かに導通が図られ、かつ緻密な
膜を形成しているためと考えられる。
酸化イットリウムを０．２〜１０重量％と、Ｔｉの炭化
物、窒化物及び炭窒化物のうち１種又は２種以上を１０
〜４０重量％とを含有し、残部がサイアロンと不可避不
純物からなる組成を有する焼結体で構成されたサイアロ
ン膜形成用ターゲット材である。上記組成のターゲット
材を用いてスパッタリングにより成膜すると、得られた
サイアロン膜はサイアロン特有の高い耐磨耗性、耐熱性
及び耐熱衝撃性を有する上、更に静電気を除去可能な膜
抵抗が１００〜１００００Ω／ｃｍ2程度になる。こう
した値の膜抵抗が得られる詳細な理由は不明であるが、
恐らく膜中のＴｉの炭化物、窒化物、炭窒化物などの相
がサイアロン相に均一に分散し、ＴｉＣ，ＴｉＮ，Ｔｉ
ＣＮなどの分子により僅かに導通が図られ、かつ緻密な
膜を形成しているためと考えられる。
【０００６】請求項２に係る発明は、酸化イットリウム
を０．２〜１０重量％と、Ｔｉの炭化物、窒化物及び炭
窒化物のうち１種又は２種以上を１０〜４０重量％とを
含有し、更にＺｒ及びＨｆの炭化物、窒化物及び炭窒化
物のうち１種又は２種以上を０．１〜１２重量％とを含
有し、残部がサイアロンと不可避不純物からなる組成を
有する焼結体で構成されたサイアロン膜形成用ターゲッ
ト材である。請求項１に記載した組成に、更にＺｒ及び
Ｈｆの炭化物、窒化物及び炭窒化物等を含むことによ
り、得られたサイアロン膜は請求項１のサイアロン膜の
特性のうち、耐磨耗性がより優れるようになる。
を０．２〜１０重量％と、Ｔｉの炭化物、窒化物及び炭
窒化物のうち１種又は２種以上を１０〜４０重量％とを
含有し、更にＺｒ及びＨｆの炭化物、窒化物及び炭窒化
物のうち１種又は２種以上を０．１〜１２重量％とを含
有し、残部がサイアロンと不可避不純物からなる組成を
有する焼結体で構成されたサイアロン膜形成用ターゲッ
ト材である。請求項１に記載した組成に、更にＺｒ及び
Ｈｆの炭化物、窒化物及び炭窒化物等を含むことによ
り、得られたサイアロン膜は請求項１のサイアロン膜の
特性のうち、耐磨耗性がより優れるようになる。
【０００７】請求項３に係る発明は、焼結体の気孔率が
１〜５％である請求項１又は２記載のサイアロン膜形成
用ターゲット材である。焼結体の気孔率を１〜５％にす
ることにより、スパッタリング時のターゲットとしての
耐熱衝撃性が向上する。
１〜５％である請求項１又は２記載のサイアロン膜形成
用ターゲット材である。焼結体の気孔率を１〜５％にす
ることにより、スパッタリング時のターゲットとしての
耐熱衝撃性が向上する。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明のサイアロン膜形成
用ターゲット材の各成分に説明する。 (a) 酸化イットリウム（以下、Ｙ2Ｏ3で示す） Ｙ2Ｏ3成分には、焼結時にイットリウムけい酸塩質の液
相を生成して焼結体の緻密化を促進するという焼結助剤
としての作用と、１８５０℃以上の高融点を有するメリ
ライト型化合物（Ｓｉ3Ｎ4・Ｙ2Ｏ3）の結晶相を粒界に
析出させて焼結材料の高温強度を向上させる作用があ
る。その含有量が０．２重量％未満では上記作用に所望
の効果が得られず、一方１０重量％を越えるとサイアロ
ン固有の特性を十分に発揮することができない。このた
め、Ｙ2Ｏ3成分は０．２〜１０重量％に定められる。
用ターゲット材の各成分に説明する。 (a) 酸化イットリウム（以下、Ｙ2Ｏ3で示す） Ｙ2Ｏ3成分には、焼結時にイットリウムけい酸塩質の液
相を生成して焼結体の緻密化を促進するという焼結助剤
としての作用と、１８５０℃以上の高融点を有するメリ
ライト型化合物（Ｓｉ3Ｎ4・Ｙ2Ｏ3）の結晶相を粒界に
析出させて焼結材料の高温強度を向上させる作用があ
る。その含有量が０．２重量％未満では上記作用に所望
の効果が得られず、一方１０重量％を越えるとサイアロ
ン固有の特性を十分に発揮することができない。このた
め、Ｙ2Ｏ3成分は０．２〜１０重量％に定められる。
【０００９】(b) ＴｉＣ，ＴｉＮ及びＴｉＣＮ これらの成分には、サイアロン粒子の粒間に独立粒子と
して存在して、サイアロン粒子の粒成長を抑制し、これ
により耐磨耗性を向上させる作用と、サイアロン膜を形
成したときにこの膜の抵抗値を静電気を除去できる程度
にする作用がある。これらの成分には、このほかにＴｉ
Ｃ，ＴｉＮ及びＴｉＣＮ粒子とサイアロン粒子との結合
強度が極めて強固であることから、靭性も向上させる作
用がある。これらの成分の含有量が１０重量％未満では
上記作用に所望の効果が得られず、一方４０重量％を越
えるとこれらの成分の粒子同士の接触割合が多くなり過
ぎて焼結性が低下する。このため、これらの成分は１０
〜４０重量％、好ましくは２０〜４０重量％に定められ
る。
して存在して、サイアロン粒子の粒成長を抑制し、これ
により耐磨耗性を向上させる作用と、サイアロン膜を形
成したときにこの膜の抵抗値を静電気を除去できる程度
にする作用がある。これらの成分には、このほかにＴｉ
Ｃ，ＴｉＮ及びＴｉＣＮ粒子とサイアロン粒子との結合
強度が極めて強固であることから、靭性も向上させる作
用がある。これらの成分の含有量が１０重量％未満では
上記作用に所望の効果が得られず、一方４０重量％を越
えるとこれらの成分の粒子同士の接触割合が多くなり過
ぎて焼結性が低下する。このため、これらの成分は１０
〜４０重量％、好ましくは２０〜４０重量％に定められ
る。
【００１０】(c) Ｚｒ及びＨｆの炭化物、窒化物及び炭
窒化物 これらの成分には、上記(b)の成分と同様に、サイアロ
ン粒子の粒成長を一層抑制し、むしろこれを微細化して
一段と耐磨耗性を向上させる作用があるので、特に高い
耐磨耗性が要求される場合に必要に応じて含まれる。そ
の含有量が０．１重量％未満では上記作用に所望の効果
が得られず、一方１２重量％を越えると焼結性が低下す
る。このため、これらの成分は０．１〜１２重量％に定
められる。
窒化物 これらの成分には、上記(b)の成分と同様に、サイアロ
ン粒子の粒成長を一層抑制し、むしろこれを微細化して
一段と耐磨耗性を向上させる作用があるので、特に高い
耐磨耗性が要求される場合に必要に応じて含まれる。そ
の含有量が０．１重量％未満では上記作用に所望の効果
が得られず、一方１２重量％を越えると焼結性が低下す
る。このため、これらの成分は０．１〜１２重量％に定
められる。
【００１１】この焼結体は通常の粉末冶金法に従って製
造することができるが、特に次の方法が好ましい。この
方法では、先ずサイアロン粉末とＹ2Ｏ3粉末、又はサイ
アロンに相当する配合組成の窒化けい素（以下、Ｓｉ3
Ｎ4で示す）粉末、窒化アルミニウム（以下、ＡｌＮで
示す）粉末、及び酸化アルミニウム（以下、Ａｌ2Ｏ3で
示す）粉末と、Ｙ2Ｏ3粉末とを湿式混合し、乾燥する。
次いで混合粉末のままの状態、又は約１００ｋｇ／ｃｍ
3の圧力で圧粉体とした状態で、アルミナ管に入れ、窒
素雰囲気中、１３００〜１５００℃の範囲内の所定の温
度で１〜１０時間保持して拡散固溶させることにより、
サイアロンとＹ2Ｏ3の固溶体を形成する。次にこの固溶
体を粉砕して原料粉末とし、この原料粉末に同じく原料
粉末として用意したＴｉＣ粉末、ＴｉＮ粉末、及びＴｉ
ＣＮ粉末、更に必要に応じてＺｒ及びＨｆの炭化物、窒
化物及び炭窒化物をそれぞれ所定の割合で配合し、湿式
混合して乾燥することにより圧粉体とする。更にこの圧
粉体を窒素雰囲気中、１７００〜１８００℃の範囲内の
所定の温度で常圧焼結又はホットプレスし、更に必要に
応じて窒素又はアルゴン雰囲気中で熱間静水圧プレスを
施すことによりサイアロン膜形成用ターゲット材の焼結
体を製造する。
造することができるが、特に次の方法が好ましい。この
方法では、先ずサイアロン粉末とＹ2Ｏ3粉末、又はサイ
アロンに相当する配合組成の窒化けい素（以下、Ｓｉ3
Ｎ4で示す）粉末、窒化アルミニウム（以下、ＡｌＮで
示す）粉末、及び酸化アルミニウム（以下、Ａｌ2Ｏ3で
示す）粉末と、Ｙ2Ｏ3粉末とを湿式混合し、乾燥する。
次いで混合粉末のままの状態、又は約１００ｋｇ／ｃｍ
3の圧力で圧粉体とした状態で、アルミナ管に入れ、窒
素雰囲気中、１３００〜１５００℃の範囲内の所定の温
度で１〜１０時間保持して拡散固溶させることにより、
サイアロンとＹ2Ｏ3の固溶体を形成する。次にこの固溶
体を粉砕して原料粉末とし、この原料粉末に同じく原料
粉末として用意したＴｉＣ粉末、ＴｉＮ粉末、及びＴｉ
ＣＮ粉末、更に必要に応じてＺｒ及びＨｆの炭化物、窒
化物及び炭窒化物をそれぞれ所定の割合で配合し、湿式
混合して乾燥することにより圧粉体とする。更にこの圧
粉体を窒素雰囲気中、１７００〜１８００℃の範囲内の
所定の温度で常圧焼結又はホットプレスし、更に必要に
応じて窒素又はアルゴン雰囲気中で熱間静水圧プレスを
施すことによりサイアロン膜形成用ターゲット材の焼結
体を製造する。
【００１２】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに説明す
る。先ず原料粉末として、いずれも市販の平均粒径が
０．６μｍのＳｉ3Ｎ4粉末、同じく０．４μｍのＡｌ2
Ｏ3粉末、及び同じく１．２μｍのＡｌＮ粉末を用意
し、これらの原料粉末をサイアロン組成に相当する組成
で配合し、湿式ボールミルで混合して乾燥した後、１０
０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で圧粉体とした。次いでこの圧粉
体を窒素雰囲気中、１５５０℃の温度で５時間保持して
反応させ、Ｓｉ4Ａｌ2Ｏ3Ｎ6の組成式のサイアロンを得
た。このサイアロンは破砕性の良好なものであって、容
易に−６０meshに粉砕できた。次いでこのサイアロン粉
末と、別途用意した平均粒径が０．６μｍのＹ2Ｏ3粉末
と、いずれも平均粒径が０．８μｍのＴｉＣ粉末、Ｔｉ
Ｎ粉末、及びＴｉＣＮ粉末と、いずれも平均粒径が１．
２μｍのＺｒＣ粉末、ＺｒＮ粉末、ＺｒＣＮ粉末、Ｈｆ
Ｃ粉末、ＨｆＮ粉末、及びＨｆＣＮ粉末とを原料粉末と
して使用し、これらの原料粉末をそれぞれ表１に示され
る組成で配合し、湿式ボールミルで混合して乾燥した
後、１トン／ｃｍ2の圧力で圧粉体を成形した。この圧
粉体を黒鉛鋳型内に上下を窒化ボロン粉末でサンドイッ
チした状態で挿入し、窒素雰囲気中、１７５０℃の温度
で１時間保持してホットプレスを行った。これにより実
質的に配合組成と同一の成分組成を有する本発明実施例
の焼結体で構成されたターゲット材（実施例１〜１９）
及び従来のターゲット材（比較例１）をそれぞれ製造し
た。
る。先ず原料粉末として、いずれも市販の平均粒径が
０．６μｍのＳｉ3Ｎ4粉末、同じく０．４μｍのＡｌ2
Ｏ3粉末、及び同じく１．２μｍのＡｌＮ粉末を用意
し、これらの原料粉末をサイアロン組成に相当する組成
で配合し、湿式ボールミルで混合して乾燥した後、１０
０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で圧粉体とした。次いでこの圧粉
体を窒素雰囲気中、１５５０℃の温度で５時間保持して
反応させ、Ｓｉ4Ａｌ2Ｏ3Ｎ6の組成式のサイアロンを得
た。このサイアロンは破砕性の良好なものであって、容
易に−６０meshに粉砕できた。次いでこのサイアロン粉
末と、別途用意した平均粒径が０．６μｍのＹ2Ｏ3粉末
と、いずれも平均粒径が０．８μｍのＴｉＣ粉末、Ｔｉ
Ｎ粉末、及びＴｉＣＮ粉末と、いずれも平均粒径が１．
２μｍのＺｒＣ粉末、ＺｒＮ粉末、ＺｒＣＮ粉末、Ｈｆ
Ｃ粉末、ＨｆＮ粉末、及びＨｆＣＮ粉末とを原料粉末と
して使用し、これらの原料粉末をそれぞれ表１に示され
る組成で配合し、湿式ボールミルで混合して乾燥した
後、１トン／ｃｍ2の圧力で圧粉体を成形した。この圧
粉体を黒鉛鋳型内に上下を窒化ボロン粉末でサンドイッ
チした状態で挿入し、窒素雰囲気中、１７５０℃の温度
で１時間保持してホットプレスを行った。これにより実
質的に配合組成と同一の成分組成を有する本発明実施例
の焼結体で構成されたターゲット材（実施例１〜１９）
及び従来のターゲット材（比較例１）をそれぞれ製造し
た。
【００１３】
【表１】
【００１４】上記実施例１〜１９のターゲット材及び比
較例１のターゲット材をそれぞれ各別にスパッタリング
装置のターゲットホルダに保持し、アルミナ基板を基板
ホルダに保持した後、次のスパッタリング条件でそれぞ
れスパッタリングを行い、基板上に厚さ約４μｍのサイ
アロン膜を成膜した。 ・スパッタリングガス： Ｎ2 １０％ １０-4Ｔｏｒｒ Ａｒ９０％ １０-3Ｔｏｒｒ ・スパッタリング電力： ２００Ｗ 次に上記実施例１〜１９及び比較例１の焼結体であるタ
ーゲット材の比抵抗と、上記スパッタリング条件で成膜
されたサイアロン膜の膜抵抗をそれぞれ四端子法により
測定した。また成膜されたサイアロン膜に５０００Ｖの
直流電圧を印加し、静電気がサイアロン膜に帯電せずに
除去されたか否かを調べた。その結果を表２に示す。
較例１のターゲット材をそれぞれ各別にスパッタリング
装置のターゲットホルダに保持し、アルミナ基板を基板
ホルダに保持した後、次のスパッタリング条件でそれぞ
れスパッタリングを行い、基板上に厚さ約４μｍのサイ
アロン膜を成膜した。 ・スパッタリングガス： Ｎ2 １０％ １０-4Ｔｏｒｒ Ａｒ９０％ １０-3Ｔｏｒｒ ・スパッタリング電力： ２００Ｗ 次に上記実施例１〜１９及び比較例１の焼結体であるタ
ーゲット材の比抵抗と、上記スパッタリング条件で成膜
されたサイアロン膜の膜抵抗をそれぞれ四端子法により
測定した。また成膜されたサイアロン膜に５０００Ｖの
直流電圧を印加し、静電気がサイアロン膜に帯電せずに
除去されたか否かを調べた。その結果を表２に示す。
【００１５】
【表２】
【００１６】表２から明らかなように、実施例１〜１９
の焼結体の比抵抗が１×１０3〜１×１０8 Ω・ｃｍの
範囲に入るのに対して、比較例１の焼結体の比抵抗は１
×１０13 Ω・ｃｍであった。また成膜したサイアロン
膜の膜抵抗に関して、実施例１〜１９では１×１０1〜
１×１０3 Ω／ｃｍ2の範囲に入り、静電気を印加した
後に帯電しないのに対して、比較例１では１×１０13
Ω／ｃｍ2の高い値を示して、静電気を印加した後、帯
電したままであった。
の焼結体の比抵抗が１×１０3〜１×１０8 Ω・ｃｍの
範囲に入るのに対して、比較例１の焼結体の比抵抗は１
×１０13 Ω・ｃｍであった。また成膜したサイアロン
膜の膜抵抗に関して、実施例１〜１９では１×１０1〜
１×１０3 Ω／ｃｍ2の範囲に入り、静電気を印加した
後に帯電しないのに対して、比較例１では１×１０13
Ω／ｃｍ2の高い値を示して、静電気を印加した後、帯
電したままであった。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の組成を有す
る焼結体からなるターゲット材によれば、耐磨耗性、耐
熱性及び耐熱衝撃性が高く、しかも静電気を除去できる
程度の膜抵抗を有するサイアロン膜がスパッタリングに
より得られる。このサイアロン膜をプリンタヘッドの保
護膜とすれば、プリンタが高速化して高い静電気が発生
しても、静電気のスパークによりサイアロン膜が絶縁破
壊することがない。特に、Ｚｒ及びＨｆの炭化物、窒化
物及び炭窒化物をターゲット材に含ませることにより、
耐磨耗性がより一層向上する。また上記焼結体の気孔率
を１〜５％にすることにより、スパッタリング時のター
ゲットとしての耐熱衝撃性により優れる。
る焼結体からなるターゲット材によれば、耐磨耗性、耐
熱性及び耐熱衝撃性が高く、しかも静電気を除去できる
程度の膜抵抗を有するサイアロン膜がスパッタリングに
より得られる。このサイアロン膜をプリンタヘッドの保
護膜とすれば、プリンタが高速化して高い静電気が発生
しても、静電気のスパークによりサイアロン膜が絶縁破
壊することがない。特に、Ｚｒ及びＨｆの炭化物、窒化
物及び炭窒化物をターゲット材に含ませることにより、
耐磨耗性がより一層向上する。また上記焼結体の気孔率
を１〜５％にすることにより、スパッタリング時のター
ゲットとしての耐熱衝撃性により優れる。
Claims (3)
- 【請求項１】 酸化イットリウムを０．２〜１０重量％
と、Ｔｉの炭化物、窒化物及び炭窒化物のうち１種又は
２種以上を１０〜４０重量％とを含有し、残部がサイア
ロンと不可避不純物からなる組成を有する焼結体で構成
されたサイアロン膜形成用ターゲット材。 - 【請求項２】 酸化イットリウムを０．２〜１０重量％
と、Ｔｉの炭化物、窒化物及び炭窒化物のうち１種又は
２種以上を１０〜４０重量％とを含有し、更にＺｒ及び
Ｈｆの炭化物、窒化物及び炭窒化物のうち１種又は２種
以上を０．１〜１２重量％とを含有し、残部がサイアロ
ンと不可避不純物からなる組成を有する焼結体で構成さ
れたサイアロン膜形成用ターゲット材。 - 【請求項３】 焼結体の気孔率が１〜５％である請求項
１又は２記載のサイアロン膜形成用ターゲット材。
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| JP10292297A JP3460504B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | サイアロン膜形成用ターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP10292297A JP3460504B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | サイアロン膜形成用ターゲット材 |
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ID=14340356
Family Applications (1)
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| JP10292297A Expired - Lifetime JP3460504B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | サイアロン膜形成用ターゲット材 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3460504B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109234689A (zh) * | 2017-07-11 | 2019-01-18 | 三菱综合材料株式会社 | 陶瓷膜、溅射靶以及溅射靶的制造方法 |
| WO2022049935A1 (ja) * | 2020-09-03 | 2022-03-10 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット、その製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法 |
-
1997
- 1997-04-21 JP JP10292297A patent/JP3460504B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109234689A (zh) * | 2017-07-11 | 2019-01-18 | 三菱综合材料株式会社 | 陶瓷膜、溅射靶以及溅射靶的制造方法 |
| CN109234689B (zh) * | 2017-07-11 | 2022-05-06 | 三菱综合材料株式会社 | 陶瓷膜、溅射靶以及溅射靶的制造方法 |
| WO2022049935A1 (ja) * | 2020-09-03 | 2022-03-10 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット、その製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法 |
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