JPH10289875A - 露光装置および半導体製造方法 - Google Patents

露光装置および半導体製造方法

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JPH10289875A
JPH10289875A JP9114247A JP11424797A JPH10289875A JP H10289875 A JPH10289875 A JP H10289875A JP 9114247 A JP9114247 A JP 9114247A JP 11424797 A JP11424797 A JP 11424797A JP H10289875 A JPH10289875 A JP H10289875A
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JP
Japan
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exposure
shutter
wafer
belt
opening
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JP9114247A
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English (en)
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Makoto Eto
良 江渡
Goji Miyaji
剛司 宮地
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光量を均一にするシャッタの性能を向上さ
せる。 【解決手段】 X線L1 はシリンドリカルミラー2によ
ってY軸方向に拡大され、シャッタ10を通ってウエハ
ステージ4上のウエハを露光する。シャッタ10は、下
縁11aが先行エッジとなる第1のシャッタ幕11と、
上縁12aが後行エッジとなる第2のシャッタ幕12を
有し、各シャッタ幕11,12はリニアモータ13,1
4によって直線的に駆動される。ベルト等を用いる場合
に比べて、駆動部が簡単で、速度制御の信頼性や応答性
が高い。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子蓄積リン
グ放射光等のX線を露光光とする露光装置および半導体
製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細パターン化に伴
なって、1ギガビット以上のDRAMのための最小線幅
0.15μmのパターンを転写、焼き付けすることので
きる様々な露光装置の開発が進んでおり、なかでも荷電
粒子蓄積リング放射光等のX線を露光光とするX線露光
装置は、転写、焼き付けの精度と生産性の双方にすぐれ
ており、将来性が大きく期待されている。
【0003】図12に示すように、荷電粒子蓄積リング
放射光等のX線は、荷電粒子蓄積リング等の光源101
の軌道に垂直な方向(以下、「Y軸方向」という)に厚
みの薄いシートビームとして発光点から引き出されるた
め、シリンドリカルミラー102等の拡大装置によって
Y軸方向に拡大したうえで露光室へ導入し、マスクM0
を経てウエハW0 等に照射する。シリンドリカルミラー
102によって拡大された拡大ビームL0 は、Y軸方向
にガウス分布に近似した強度分布を有するため、そのま
までは露光むらを発生する。
【0004】ウエハW0 の露光画角内における露光むら
が、ウエハW0 に塗布されたレジストの感光性に基づく
露光むらの許容値いわゆる許容光強度むらより小さけれ
ば問題はないが、一般的には前記許容値を越えることが
多い。従って、Y軸方向の露光むらを補正することが必
要になるので、Y軸方向へ移動するシャッタ103を設
け、その移動速度を露光中に変化させることでウエハW
0 の露光時間を調節し、露光むらを防ぐ工夫がなされて
いる。
【0005】シャッタ103は、一対のドラム103a
の間に無端ベルト103bを掛けて、一方のドラム10
3aを図示しないモータによって回転させ、ドラム10
3aとベルト103bの間の摩擦力を利用してベルト1
03bをY軸方向へ移動させることでシャッタ開閉動作
を行なう。
【0006】詳しく説明すると、ベルト103bは、図
13に示すように、所定の開口寸法H0 を有するシャッ
タ開口C0 と、該シャッタ開口C0 が拡大ビームL0
光路を横切るときにシャッタ開口C0 の裏側でこれと対
向する開口を有し、該開口の開口寸法は、シャッタ開口
0 の裏側に位置したときに拡大ビームL0 の有効領域
(以下、「有効ビームパス」という)E0 を遮らないよ
うに充分大きく設定される。
【0007】例えば、ベルト103bのシャッタ開口C
0 がY軸方向に上向きに開くように構成されている場合
は、シャッタ開口C0 の上縁C1 が先行エッジ、下縁C
2 が後行エッジとなる。すなわち、ベルト103bが図
示時計回りに移動して(図12参照)、時刻T1 でシャ
ッタ開口C0 の上縁C1 が有効ビームパスE0 の下端に
入ったときにウエハW0 の露光画角S0 の露光が開始さ
れる。また、シャッタ開口C0 の下縁C2 が有効ビーム
パスE0 の上端を横切ったとき(時刻T2 )に露光が終
了する。シャッタ開口C0 の上縁C1 が有効ビームパス
0 を通過したのち、シャッタ開口C0 の下縁C2 が未
だ有効ビームパスE0 に入らない間は、ウエハW0 の露
光画角S0 全体が露光される。この間に、ベルト103
bを一たん停止させたり、その移動速度を増減すること
で、露光画角S0 全体の露光時間を調節する。また、シ
ャッタ開口C0 の上縁C1 と下縁C2 が有効ビームパス
0 に出入りするときのベルト103bの移動速度を、
拡大ビームL0 の強度むらに合わせて制御する。
【0008】露光中にベルト103bの移動速度をこの
ように変化させたときの、シャッタ開口C0 の上縁C1
と下縁C2 のY軸方向の位置を図14の(a)の曲線
A,Bにそれぞれ示す。前述のように、シャッタ開口C
0 の上縁C1 が有効ビームパスE0 を横切ったのちに、
シャッタ開口C0 の下縁C2 が有効ビームパスE0 を横
切るまでが、ウエハW0 の露光画角S0 の露光時間であ
る。そこで、露光画角S0 の下端部の露光時間D1 、中
央部の露光時間D0 、上端部の露光時間D2 をプロット
すると、図14の(b)に示す曲線が得られる。
【0009】すなわち、露光開始時と露光終了時に、ベ
ルト103bの移動速度を前述のように制御すること
で、ウエハW0 の露光画角S0 の露光時間を図14の
(b)に示すように変化させ、同図の(c)に示すよう
なX線強度分布(ガウス分布)に起因する露光むらを相
殺する。換言すれば、露光画角S0 の上下両端において
X線強度が低下する分だけ露光時間を長くして、露光画
角S0 全体の露光量を均一にするものである。
【0010】露光終了後は、ベルト103bを駆動して
シャッタ開口C0 をスタート位置へ戻す作業、いわゆる
シャッタチャージが必要である。ところがこの過程で、
シャッタ開口C0 が露光開始位置から半周して裏側に到
達したときにシャッタ開口C 0 とその反対側(裏側)の
開口が再び重なって、拡大ビームL0 がシャッタ103
を透過する状態となる。
【0011】そこで、シャッタチャージの間だけ拡大ビ
ームL0 の光路を遮断するサブシャッタが必要となる。
サブシャッタの開口寸法やこれを開閉する動作のタイミ
ングについては、シャッタチャージの間だけ拡大ビーム
0 全体を遮光すればよいから、シャッタ開口C0 の開
閉動作のような高度な制御は必要ではない。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、シャッタの駆動部が、モータ駆動され
るドラムを介してベルトを走行させる構成であるため、
ドラムのイナーシャやベルトの伸びによる複数の追従遅
れが重なって、予め設定された速度制御プログラム通り
に高精度でシャッタの移動速度を制御するのが難しい。
【0013】詳しく説明すると、荷電粒子蓄積リング放
射光のような軟X線は大気による減衰が著しいため、露
光室内はヘリウムガス等の減圧雰囲気に制御される。従
ってベルトやドラムは、前記減圧雰囲気を汚染しないよ
うに発塵の少ない材料、例えばステンレス薄板のベルト
とアルミやステンレス製の金属ドラム等が用いられる。
【0014】ドラムの径は小さいほどイナーシャが小さ
くて振動等の面で有利であるが、ベルトのドラムへの巻
き付け応力、ベルトの寿命等からドラム径の適当な値が
決まってくる。一般的にステンレス薄板でベルトを作成
した場合、ベルト板厚50μmとして、ドラム径はベル
ト板厚の800倍、すなわちφ40mm程度が望ましい
とされている。また、モータとドラムの間には駆動力を
伝達するためのカップリングが存在する。
【0015】一方、予め設定された駆動プロファイルに
基づいてモータが駆動され、ドラム、ベルトと駆動力が
伝達される間に、カップリングの追従遅れ、ドラムのイ
ナーシャが大きいことによる追従遅れ、ベルトの引かれ
た側が伸びることによる追従遅れ等、制御上の問題点と
なる追従遅れ要因が複数存在する。
【0016】例えば、シャッタ開口を有するベルトの駆
動プロファイルが図15の実線で示すように設定されて
いるとき、上記の追従遅れのために実際には破線で示す
駆動プロファイルに変化したと仮定すると、シャッタ開
口の上縁(先行エッジ)の移動速度は、図16の(a)
の曲線A1 で示すように制御すべきところが、実際には
曲線A2 で示すように変化する。同様に、シャッタ開口
の下縁(後行エッジ)の移動速度は、同図の(a)の曲
線B1 で示すように制御すべきところが、実際には曲線
2 で示すように変化する。
【0017】その結果、ウエハの露光画角の露光時間
は、その下端部、中央部、上端部でそれぞれD1 ,D
0 ,D2 となるように設計されていても、実際には△D
1 ,△D0 ,△D2 に変化する。これらをプロットした
ものが図16の(b)であり、露光時間の制御を設計通
りに行なうことができない。その結果、図16の(c)
に示すように、Y軸方向に露光量を均一にすることがで
きず、露光むらが発生する。
【0018】また、スループットを向上させるために
は、1回の露光に必要な時間(露光サイクルタイム)が
短いほど好ましい。ところが、露光サイクルタイムが短
いと、上記のシャッタ制御をより高速度で行なうことが
要求され、必要とする加速度が大きくなり、これに伴な
って上記の追従遅れが増大する。さらに、シャッタ制御
が高速化されれば追従遅れに対する許容度は小さくなる
傾向がある。例えば、露光サイクルタイムが1秒程度で
あれば問題にする必要のない追従遅れであっても、露光
サイクルタイムが0.3秒程度に短縮されると、追従遅
れに伴なう露光むらが無視できない程大きくなる。加え
て、シャッタを充分に加速することができずに、必要な
最高速度を得るのが困難となる状況も発生する。
【0019】ベルト駆動における各種の追従遅れを低減
するためには、ドラムとモータのカップリングやベルト
の剛性を強化することが必要であり、具体的には、前述
のベルトの板厚を厚くしたり、カップリングのねじり剛
性を増大させることが要求される。しかしながら、ベル
トの板厚を厚くすればドラム径を大きくしなければなら
ず、また、カップリングのねじり剛性を強化するにはカ
ップリングの大形化が必要となる。これによって各部位
のイナーシャが増大すると、大型で大出力のモータを設
置しなければならず、装置全体が極めて大型化、高重量
化するという不都合がある。
【0020】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、露光量を均一にする
ためのシャッタの駆動部等の機構が簡単かつ小型であ
り、シャッタの速度制御の応答性と信頼性を改善するこ
とで転写精度と生産性を大幅に向上できる露光装置およ
び半導体製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【0021】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の露光装置は、露光光によって露光される基
板を保持する基板保持手段と、前記基板の露光量を均一
にするための露光量制御手段を有し、該露光量制御手段
が、前記露光光の光路を横切って所定の方向に移動自在
である遮蔽手段と、これを移動させるリニアモータを備
えていることを特徴とする。
【0022】遮蔽手段が、それぞれリニアモータによっ
て個別に駆動される一対の遮蔽部材を有するとよい。
【0023】遮蔽手段が、シャッタ開口を備えた遮蔽板
であってもよい。
【0024】
【作用】所定の方向に強度分布を有するX線を露光光と
する露光装置においては、露光光の光路を横切って前記
所定の方向に移動するシャッタ等の遮蔽手段を配設し、
その移動速度を制御することで露光量を均一にする露光
量制御手段が設けられる。前記遮蔽手段の駆動部にリニ
アモータを用いることで、速度制御の応答性や信頼性を
大幅に向上させる。シャッタ等の駆動部に回転モータを
用いる場合のように駆動力を伝達するカップリングやド
ラムが不要であるから、駆動部が簡単かつ小型である。
また、ベルトやドラムあるいは回転モータのカップリン
グ等の追従遅れに起因するトラブルもない。
【0025】ベルト駆動によるシャッタ等の場合には、
シャッタチャージの過程で露光光を遮断するためにサブ
シャッタが必要であるが、一対の遮蔽部材を遮蔽手段と
して用いることで、サブシャッタを省略することができ
る。これによって、露光装置の簡略化に大きく貢献でき
る。さらに、シャッタチャージの工程自体を省略して、
露光装置の生産性を向上させることも容易である。
【0026】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
【0027】図1は第1実施例による露光装置の主要部
を示すもので、荷電粒子蓄積リング等の光源1から発生
された露光光であるX線L1 は、シリンドリカルミラー
2によってY軸方向に拡大され、ベリリウム窓3を透過
して、ヘリウム等の減圧雰囲気を充填した露光室へ導入
され、マスクM1 を経て、基板保持手段であるウエハス
テージ4上の基板である図示しないウエハを露光する。
このようにして、マスクM1 のパターンをウエハに転
写、焼き付けする。
【0028】ウエハステージ4は、マスクM1 から30
μm程度離間した位置にマスクM1と平行に前記ウエハ
を保持するもので、ウエハの各露光画角をX線L1 の照
射領域にステップ移動させる粗動ステージ機構と、ステ
ップ移動された各露光画角をマスクM1 に対して最終的
に位置決めする微動ステージ機構を有し、該微動ステー
ジ機構は、ウエハとマスクM1 の位置ずれを検出するア
ライメント光学系5の出力に基づいて駆動される。
【0029】X線L1 が荷電粒子蓄積リング放射光であ
れば、シリンドリカルミラー2によってY軸方向に拡大
されたときにガウス分布に近似するX線強度分布を有
し、そのままではウエハの露光画角を均一に露光できな
い。そこで、拡大されたX線L1 の光路に露光量制御手
段であるシャッタ10を配設し、ウエハの露光画角のY
軸方向の両端部において中央部分より露光時間が長くな
るようにシャッタ10の移動速度を制御する。このよう
にして、露光画角全体の露光量を均一にする。
【0030】詳しく説明すると、シャッタ10は、それ
ぞれY軸方向に往復移動自在な第1、第2の遮蔽部材
(遮蔽手段)であるシャッタ幕11,12と、各シャッ
タ幕11,12を駆動するリニアモータ13,14を有
し、シリンドリカルミラー2によってY軸方向に拡大さ
れたX線L1 の光路を横切って第1のシャッタ幕11が
図示上方へ移動することで、ウエハの露光画角の露光が
その下端部から開始され、所定時間経過後に第2のシャ
ッタ幕12が同様に図示上方へ移動することで、ウエハ
の露光画角の露光がその下端部から終了するように構成
されている。すなわち、シャッタ10が開いた状態にあ
るときは第1のシャッタ幕11の下縁11aと第2のシ
ャッタ幕12の上縁12aがそれぞれシャッタ10のシ
ャッタ開口の上端と下端を形成し、シャッタ開口を上向
きに開くときには、第1のシャッタ幕11の下縁11a
がシャッタ開口の先行エッジ、第2のシャッタ幕12の
上縁12aがシャッタ開口の後行エッジとなる。
【0031】各シャッタ幕11,12は、例えばステン
レス等の金属の薄板で作られており、X線L1 を遮光す
るのに充分な厚さと、図2に示すように、シリンドリカ
ルミラー2によって拡大された後のX線L1 を遮断する
のに充分な面積を有する。また、各シャッタ幕11,1
2を駆動するリニアモータ13,14は、Y軸方向にの
びる固定子13a,14aとこれに沿って移動自在であ
る可動子13b,14bからなる。
【0032】すなわち、各シャッタ幕11,12の一端
はリニアモータ13,14の可動子13b,14bと一
体であり、他端には、ガイド13c,14c上を摺動自
在であるスライダ13d,14dが一体的に設けられて
いる。固定子13a,14aは駆動用のマグネットであ
り、図示しないリニアモータ制御装置から供給される駆
動電流によって励磁され、可動子13b,14bにY軸
方向の推力を発生させる。前記リニアモータ制御装置に
よって、リニアモータ13,14の駆動のタイミングや
駆動速度等を極めて高精度で制御できるため、シャッタ
10の開閉動作における各シャッタ幕11,12の移動
のタイミングと移動速度を所定の速度制御プログラムに
従って厳密に管理するのに好適である。
【0033】前述のように、シリンドリカルミラー2に
よってY軸方向に拡大されたX線L1 はガウス分布に近
似したX線強度分布を有する(図4の(b)参照)。そ
こでシャッタ10を開閉するときの各シャッタ幕11,
12の移動速度(開閉速度)を所定の速度制御プログラ
ムに従って制御して、ウエハの露光画角の上下両端部の
露光時間を中央部分の露光時間より長くすることで、露
光画角全体の露光量を均一にするものである。
【0034】次に、各リニアモータ13,14による各
シャッタ幕11,12の開閉動作を詳しく説明する。ま
ず、露光開始前には第1のシャッタ幕11がX線L1
体を遮光する位置にあり、第2のシャッタ幕12は、ウ
エハの露光画角を露光するX線L1 の有効領域(以下、
「有効ビームパス」という)E1 の下方に後退してい
る。
【0035】図3の(a)に示すように、時刻T1 でシ
ャッタ幕11の下縁11aが有効ビームパスE1 の下端
に入ったときにウエハの露光画角の露光が開始される。
また、シャッタ幕12の上縁12aが有効ビームパスE
1 の上端を横切ったときに(時刻T2 )、露光が終了す
る。シャッタ幕11の下縁11aが有効ビームパスE1
を通過したのち、シャッタ幕12の上縁12aが未だ有
効ビームパスE1 に入らない間は、ウエハの露光画角全
体が露光される。シャッタ幕11,12の下縁11a、
上縁12aが有効ビームパスE1 に出入りするときのシ
ャッタ幕11,12の移動速度を、X線L1 のX線強度
分布(図4の(b)参照)に合わせて制御する。
【0036】露光中にシャッタ幕11,12の移動速度
をこのように変化させたときの、シャッタ幕11,12
の下縁11a、上縁12aのY軸方向の位置を図3の
(b)の曲線A,Bにそれぞれ示す。前述のように、シ
ャッタ幕11の下縁11aが有効ビームパスE1 を横切
ったのちに、シャッタ幕12の上縁12aが有効ビーム
パスE1 を横切るまでがウエハの露光画角の露光時間で
あるから、露光画角の下端部の露光時間D1 、中央部の
露光時間D0 、上端部の露光時間D2 をプロットする
と、図4の(a)に示す曲線が得られる。
【0037】すなわち、露光開始時と露光終了時に、シ
ャッタ幕11,12の移動速度を上記のように制御する
ことで、ウエハの露光画角の露光時間を図4の(a)に
示すように変化させ、同図の(b)に示すX線強度分布
(ガウス分布)に起因する露光むらを解消する。換言す
れば、ウエハ露光画角の上下両端においてX線強度が低
下する分だけ露光時間を長くして、露光画角全体の露光
量を均一にするものである。
【0038】なお、必ずしも図3の(a)に示すように
第1のシャッタ幕11が上方の後退位置で停止するのを
待って第2のシャッタ幕12の駆動を開始する必要はな
い。第1のシャッタ幕11が上向きに移動している間に
第2のシャッタ幕12の移動を開始するような駆動プロ
ファイルを設定してもよい。
【0039】露光終了時には、図2に示すように、第2
のシャッタ幕12がX線L1 を遮光する状態となる。こ
の位置に第2のシャッタ幕12を保持し、第1のシャッ
タ幕11を下降させて露光開始時の位置まで下降させ、
次いで第2シャッタ幕12をそのスタート位置へ下降さ
せる。このようにしてシャッタチャージを行ない、次の
露光サイクルの準備が完了する。
【0040】なお、上記のようにシャッタ10を開閉す
るときのリニアモータ13,14の駆動プロファイル
は、予め計測器によって計測されたX線強度分布に基づ
いて設定される。
【0041】本実施例によれば、シャッタの駆動部にリ
ニアモータを用いることによって、駆動部を簡略化およ
び小型化し、しかも、速度制御の応答性および信頼性を
大幅に向上できる。すなわち、リニアモータは直線駆動
であるから、ベルト駆動のように駆動力を伝達するため
のドラムやカップリングが不要であり、機構が簡単かつ
小型である。加えて、ドラムのイナーシャ等に起因する
追従遅れが大幅に低減される。さらに、ベルトが伸びる
ことによる追従遅れもないために、応答性にすぐれてお
り、摩擦等による誤差も少ないために制御の信頼性も大
きく向上する。
【0042】また、一方のシャッタをシャッタチャージ
のサブシャッタとして用いることができるため、サブシ
ャッタを省略できる。これによって、露光装置の簡略化
および低価格化に大きく貢献できる。
【0043】さらに、各シャッタの上下両縁を交互に先
行エッジおよび後行エッジとして用いることで、シャッ
タチャージの工程自体を省略することもできる。これは
以下のように行なわれる。
【0044】図1の装置において、予め計算機で計算さ
れた速度制御プログラムに従って、まず第1のシャッタ
幕11が移動を開始して、速度を変化させながら有効ビ
ームパスE1 へ進み、これを横断する。第1のシャッタ
幕11は有効ビームパスE1を通過して露光画角全体が
露光状態となったところで停止する。続いて前記速度制
御プログラムに従って第2のシャッタ幕12が移動を開
始し、速度を変化させながら有効ビームパスE1 へ進
む。第2のシャッタ幕12がX線L1 を完全に遮断した
ところで停止し、1回目の露光サイクルが終了する。次
に有効ビームパスE1 に対してシャッタ10を逆向きに
駆動させたときの速度制御プログラムをX線L1 の強度
分布に基づいて計算する。算出された速度制御プログラ
ムに従って、まず第2のシャッタ幕12が遮光状態から
露光状態へ向かって移動を開始し、速度を変化させなが
ら有効ビームパスE1 に入りこれを通過する。続いて、
第1のシャッタ幕11が移動を開始し、速度を変化させ
ながら有効ビームパスE1 に入る。第1のシャッタ幕1
1がX線L1 を完全に遮光したところで停止し、2回目
の露光サイクルが終了し、1回目の露光サイクルと同様
に3回目の露光サイクルが開始される。
【0045】シャッタチャージの工程が不必要であるか
ら、サブシャッタを省略できるうえに、露光サイクルタ
イムの短縮やエネルギー消費量の低減等に大きく貢献で
きる。
【0046】図5は第1実施例の第1の変形例を示す。
これは、各シャッタ幕21,22の両端を一対のリニア
モータ23a,23b,24a,24bによって駆動す
るように構成したものである。各シャッタ幕21,22
の両端の駆動量に差があると、各シャッタ幕21,22
にωZ成分が発生する。これを防ぐために、各対のリニ
アモータ23a,23b,24a,24bの制御量が同
じになるように厳密に管理する必要がある。そこで、各
シャッタ幕21,22の両端近傍に、微小なねじれ等を
吸収する弾性部分21a,22aを設けておくとよい。
【0047】図6は第1実施例の第2の変形例を示す。
これは、図1の装置のガイド13c,14cを省略し、
各シャッタ幕31,32をリニアモータ33,34によ
って片持ち支持させて駆動するものである。各シャッタ
幕31,32を軽量化してリニアモータ33,34の必
要駆動量を低減できるうえに、リニアモータ33,34
の可動子33b,34bのY軸方向の寸法を大きくする
ことで各シャッタ幕31,32を安定支持し、ヨーイン
グ成分の発生を回避できる。この場合は、各シャッタ幕
31,32の自由端に向かってY軸方向の幅を徐徐に縮
小するのが望ましい。
【0048】また、図7の(a),(b)に示すよう
に、シャッタ幕41を駆動するリニアモータ43の固定
子43aと可動子43bをハウジング43cによって覆
い、必要であれば、ハウジング43c内を減圧するとよ
い。ハウジング43cは、リニアモータ43の可動子4
3bとシャッタ幕41の接続部を貫通させる長尺のスリ
ット43dを有し、リニアモータ43の駆動に伴なう発
塵によってシャッタ幕41のまわりの雰囲気が汚染され
るのを防ぐものである。ハウジング43c内を図示しな
い排気手段によって排気すれば、スリット43dから漏
出する塵埃の量を大幅に低減できる。
【0049】また、図7の(c)に示すように、ハウジ
ング43cの内壁に、スリット43dに面したラビリン
ス43eを設けると、スリット43dから漏出する塵埃
をより一層低減できる。
【0050】図8は第2実施例による露光装置のシャッ
タ50を示すものでこれは、開口寸法H1 を有するシャ
ッタ開口C1 を備えた遮蔽板51と、これをY軸方向へ
往復移動させるリニアモータ53を用いるもので、遮蔽
板51が図示上向きに移動するときは、遮蔽板51の上
縁51aと下縁51bがそれぞれ先行エッジ、後行エッ
ジとなり、遮蔽板51が図示下向きに移動するときは、
遮蔽板51の下縁51bが先行エッジ、上縁51aが後
行エッジとなる。
【0051】リニアモータ53は、Y軸方向に長尺の固
定子53aを有し、可動子53bは遮蔽板51の一端に
結合され、遮蔽板51の他端は、ガイド53cに沿って
移動する。
【0052】露光開始前の状態では、X線は遮蔽板51
のシャッタ開口C1 以外の領域で遮られている。予め計
測されたX線強度分布に基づいて従来例と同様に速度制
御プログラムが計算され、露光開始の指令によって遮蔽
板51が移動を開始する。シャッタ開口C1 の上縁51
aが有効ビームパスに進入して露光が開始される。上縁
51aが有効ビームパスを完全に通過した段階でウエハ
の露光画角全体が露光され、この状態で遮蔽板51は一
たん停止する。続いて、遮蔽板51が再度移動を開始
し、シャッタ開口C1 の下縁51bが有効ビームパスに
入る。下縁51bが有効ビームパスを完全に通過した段
階で露光が終了する。図9は遮蔽板51の速度制御プロ
グラムを示すもので、遮蔽板51の移動速度をこのよう
に変化させることによって露光画角全体の露光量を均一
にする。
【0053】次の露光サイクルにおいては、前回の露光
終了状態から、逆向きにシャッタ50を駆動し、下縁5
1bで露光を開始し、上縁51aで露光を終了すればよ
い。このように露光を行なうことで、シャッタチャージ
動作が不要となる。
【0054】本実施例によれば、シャッタの駆動部は1
個のリニアモータを必要とするだけであり、2枚のシャ
ッタ幕を用いる場合に比べて、駆動部の機構を大幅に簡
略化することができる。加えて、シャッタチャージの工
程も不必要であり、露光サイクルタイムの短縮やエネル
ギー消費量の低減に大きく貢献できる。また、サブシャ
ッタが不要であるから、装置を簡略化できるという利点
もある。
【0055】次に上記説明した露光装置を利用した半導
体製造方法の実施例を説明する。図10は半導体デバイ
ス(ICやLSI等の半導体チップ、あるいは液晶パネ
ルやCCD等)の製造のフローを示す。ステップ1(回
路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステッ
プ2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)
ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステ
ップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5
(組立)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製さ
れたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、ア
ッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケ
ージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ
6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイス
の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
(ステップ7)される。
【0056】図11は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ
18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰返し行うことによって、ウエハ上に多重
に回路パターンが形成される。
【0057】本実施例の半導体製造方法を用いれば、従
来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造
することができる。
【0058】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
【0059】露光量を均一にするためのシャッタの駆動
部の機構が簡単かつ小型であり、しかも、シャッタの速
度制御の応答性と信頼性を大幅に改善できる。これによ
って、露光装置の転写精度と生産性を大きく向上させ、
露光装置の低価格化にも貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例による露光装置を説明する図であ
る。
【図2】図1の装置のシャッタのみを示す斜視図であ
る。
【図3】図2のシャッタの速度制御プログラムを説明す
るものである。
【図4】図3の速度制御プログラムに基づく露光時間の
変化とX線強度分布の関係を示すものである。
【図5】第1実施例の第1の変形例を示す斜視図であ
る。
【図6】第1実施例の第2の変形例を示す斜視図であ
る。
【図7】さらに別の変形例を説明する図である。
【図8】第2実施例による露光装置のシャッタのみを示
す斜視図である。
【図9】図8のシャッタの速度制御プログラムを説明す
る図である。
【図10】半導体製造工程を示すフローチャートであ
る。
【図11】ウエハプロセスを示すフローチャートであ
る。
【図12】一従来例による露光装置を説明する図であ
る。
【図13】図12の装置のシャッタの速度制御プログラ
ムを示す図である。
【図14】図13の速度制御プログラムによって制御さ
れる露光時間とX線強度分布の関係を示すものである。
【図15】複数の追従遅れによる駆動プロファイルの誤
差を説明するものである。
【図16】図15の駆動プロファイルの誤差に起因する
露光時間の誤差と露光むらを説明する図である。
【符号の説明】
1 光源 2 シリンドリカルミラー 3 ベリリウム窓 4 ウエハステージ 5 アライメント光学系 10 シャッタ 11,12,21,22,31,32,41 シャッ
タ幕 13,14,23a,23b,24a,24b,33,
34,43,53リニアモータ 43d ハウジング 51 遮蔽板

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光光によって露光される基板を保持す
    る基板保持手段と、前記基板の露光量を均一にするため
    の露光量制御手段を有し、該露光量制御手段が、前記露
    光光の光路を横切って所定の方向に移動自在である遮蔽
    手段と、これを移動させるリニアモータを備えているこ
    とを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 露光光が、所定の方向に強度分布を有す
    るX線であることを特徴とする請求項1記載の露光装
    置。
  3. 【請求項3】 遮蔽手段が、それぞれリニアモータによ
    って個別に駆動される一対の遮蔽部材を有することを特
    徴とする請求項1または2記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 遮蔽手段が、シャッタ開口を備えた遮蔽
    板を有することを特徴とする請求項1または2記載の露
    光装置。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし4いずれか1項記載の露
    光装置によって半導体デバイスを製造する工程を有する
    半導体製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002542457A (ja) * 1999-02-19 2002-12-10 ジー エス アイ ゲゼルシャフト フュア シュベールイオーネンフォルシュンク エム ベー ハー イオンビーム走査システム及び該システムの操作方法
JP2007101259A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Beamsense Co Ltd X線シャッタ機構とそれを備えたx線撮影装置及びそのx線撮影方法
KR101228389B1 (ko) * 2011-03-31 2013-01-31 경북대학교 산학협력단 이중 조리개장치

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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