JPH10289845A - 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】露光速度を低下させることなく露光位置精度を
向上させる。 【解決手段】ウェーハ１３が搭載されるステージを連続
的に移動させながら電磁型主偏向器１４でビームをステ
ップ偏向させ、ステップ偏向毎に静電型副偏向器１５で
ビームを偏向させる装置において、ステージフィードバ
ック偏向器４０と、ビームをステップ偏向させた時点か
らのステージ移動量を算出する減算回路２３Ｂと、この
回路の出力を、主偏向器１４による偏向量に応じて補正
する補正回路２９と、補正回路２９の出力を電流に変換
するＤ／Ａ変換回路２６Ｃと、Ｄ／Ａ変換回路２６Ｃの
出力を増幅してステージフィードバック偏向器４０に供
給する増幅回路２８Ｃとを備えている。補正回路２９
は、入力値を、主偏向量に応じた係数で一次変換して出
力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子ビーム露
光方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図６は、従来の荷電粒子ビーム露光装置
の概略構成を示す。荷電粒子ビーム射出装置１０から射
出された荷電粒子ビームＥＢ、例えば電子ビームは、対
物レンズ１１を通り、ステージ１２に搭載されたウェー
ハ１３上に照射される。荷電粒子ビームＥＢの断面は、
荷電粒子ビーム射出装置１０内で成形される。ウェーハ
１３上の露光位置は、ステージ１２並びに対物レンズ１
１内に配置された電磁型主偏向器１４及び静電型副偏向
器１５により定められる。ステージ１２の位置は、レー
ザ干渉測長器１６で測定される。

【０００３】ビーム制御回路２０は、記憶装置３０から
読み出されたパターンデータに基づき、一方では荷電粒
子ビーム射出装置１０に信号を供給して、ビーム断面を
成形させ、他方ではステージ１２、主偏向器１４及び副
偏向器１５に信号を供給して、荷電粒子ビームＥＢのウ
ェーハ１３上照射位置（露光位置）を制御する。ウェー
ハ１３上でのビーム走方法を、図８（Ａ）に示す。

【０００４】フィールドＦｉは、主偏向器１４の偏向範
囲であり、例えば一辺の長さＬf＝２ｍｍの正方形であ
る。サブフィールドＳＦｊは、副偏向器１５の偏向範囲
であり、例えば一辺の長さＬsf＝１００μｍの正方形で
ある。フィールドＦｉ内において、ビームが主偏向器１
４で図中の点線で示す経路に沿って、サブフィールド中
心から隣のサブフィールド中心へとステップ偏向され
る。ステップ偏向毎に、サブフィールド内においてビー
ムが副偏向器１５で偏向走査される。フィールドＦｉ内
の走査が終了すると、フィールドＦｉ＋１内に移る。

【０００５】ウェーハ１３は、ステージ１２により図示
−Ｘ方向に連続移動しており、荷電粒子ビーム露光装置
の光軸とウェーハ１３との交点の位置をステージ１２の
現在位置Ｓとすると、Ｓは、一点鎖線に沿って連続的に
Ｘ方向へ移動する。ステージ位置は、フィールドＦｉの
走査開始時には点Ｓ０であり、サブフィールドＳＦｊの
走査開始時には点Ｓｊであり、現在は点Ｓであるとす
る。一般に、Ｐを始点としＱを終点とするベクトルをＰ
Ｑで表す。

【０００６】サブフィールドＳＦｊ内の偏向ベクトルＳ
Ｒは、ＳＲ＝ＳＳｊ＋ＳｊＰｉ＋ＰｉＱｊ＋ＱｊＲと表
される。主偏向位置ベクトルＰｉＱｊは、上述のステッ
プ偏向により点線に沿ってサブフィールド中心から隣の
サブフィールド中心へとステップ移動する。サブフィー
ルドＳＦｊ内の、副偏向器１５による走査中では、ベク
トルＳｊＰｉ及び主偏向位置ベクトルＰｉＱｊは変化せ
ず、ステージ移動ベクトルＳＳｊ及び副偏向位置ベクト
ルＱｊＲは変化する。

【０００７】図７は、図６のビーム制御回路２０の構成
を示す。パターンデータは、パターン発生回路２１によ
り、ビーム断面形状データと露光位置データとに分割さ
れ、それぞれビーム形状制御回路２２Ａ及びビーム位置
制御回路２２Ｂに供給される。ビーム形状制御回路２２
Ａの出力により、図６の荷電粒子ビーム射出装置１０内
でビーム断面が成形される。

【０００８】ビーム位置制御回路２２Ｂは、フィールド
Ｆｉ−１の走査を終了するとフィールド中央点Ｐｉを減
算回路２３Ａの一方の入力端に供給し、次のフィールド
Ｆｉの走査においてサブフィールドＳＦｊ−１の走査を
終了すると、主偏向位置ベクトルＰｉＱｊを加算回路２
４Ａの一方の入力端に供給し、次のサブフィールドＳＦ
ｊの走査において副偏向位置ベクトルＱｊＲを加算回路
２４Ｂの一方の入力端に供給する。

【０００９】他方、サブフィールドＳＦｊ−１内での走
査終了時点でクロックＣＬＫが立ち上がり、レーザ干渉
測長器１６からのステージ現在位置ＳがＳｊとしてレジ
スタ２５に保持され、次のサブフィールドＳＦｊ内への
走査へと移る。フィールド中央点Ｐｉとステージ位置Ｓ
ｊとの差であるベクトルＳｊＰｉが減算回路２３Ａで求
められ、これと主偏向位置ベクトルＰｉＱｊとが加算回
路２４Ａで加算されて主偏向ベクトルＳｊＱｊが求めら
れる。

【００１０】主偏向ベクトルＳｊＱｊは、Ｄ／Ａ変換回
路２６Ａで電流に変換され、増幅回路２８Ａで増幅され
て、電流Ｉが主偏向器１４に供給される。また、ステー
ジ位置Ｓｊとステージ現在位置Ｓとの差であるステージ
移動ベクトルＳＳｊが減算回路２３Ｂで求められ、これ
と副偏向位置ベクトルＱｊＲとが加算回路２４Ｂで加算
されて、ベクトルＱｊＲ＋ＳＳｊが求められる。ベクト
ルＱｊＲ＋ＳＳｊは、Ｄ／Ａ変換回路２６Ｂで電流に変
換され、電流／電圧変換回路２７Ｂで電圧に変換され、
増幅回路２８Ｂで増幅されて、電圧Ｖが副偏向器１５に
印加される。

【００１１】以上のような回路が接続された主偏向器１
４及び副偏向器１５で、露光位置が偏向ベクトルＳＲに
なるように、荷電粒子ビームＥＢが偏向される。図６の
副偏向器１５は、例えば図８（Ｂ）に示す如く、８極の
電極１５１〜１５８を備えており、副偏向ベクトル
（Ｘ，Ｙ）に対し電極１５１〜１５８にはそれぞれ次の
ような電圧Ｖ１〜Ｖ８が印加される。

【００１２】 Ｖ１＝ ａＸ＋ｂＹ， Ｖ５＝−ａＸ−ｂＹ Ｖ２＝ ｂＸ＋ａＹ， Ｖ６＝−ｂＸ−ａＹ Ｖ３＝−ｂＸ＋ａＹ， Ｖ７＝ ｂＸ−ａＹ Ｖ８＝ ａＸ−ｂＹ， Ｖ４＝−ａＸ＋ｂＹ 露光中にステージ１２が連続移動しているので、荷電粒
子ビーム射出装置１０から見たサブフィールドＳＦｊは
−Ｘ方向へ連続移動している。すなわち、副偏向器１５
に印加される電圧Ｖの、ステージ移動ベクトルＳＳｊに
相当する成分が連続的に変化する。このため、例えば図
８（Ａ）中のサブフィールドＳＦｊの四隅の点Ａ、Ｂ、
Ｃ又はＤに荷電粒子ビームＥＢを照射させるには、図８
（Ｂ）において副偏向器１５でビームを、サブフィール
ドＳＦｊの走査開始時点ではそれぞれ点Ａ１、Ｂ１、Ｃ
１又はＤ１に偏向させる必要があり、サブフィールドＳ
Ｆｊの走査終了時点ではそれぞれ点Ａ２、Ｂ２、Ｃ２又
はＤ２に偏向させる必要がある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、光軸に対す
る電極１５１〜１５８の取付位置誤差により、上記電圧
Ｖ１〜Ｖ８の式の右辺にＸ及びＹについての三次の項が
付加される。点Ｂ２やＣ２のようにそれぞれ点Ｂ１及び
Ｃ１から離れて副偏向器１５の電極に近づくほど、この
三次の項が無視できなくなり、露光位置誤差が増加し
て、露光パターンの微細化が妨げられる。この三次の項
の大きさは、サブフィールドＳＦｊ内の走査中にリアル
タイムで変化し、この三次の項の補正を行うと、露光速
度が低下し、高速露光を行うことができなくなる。

【００１４】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、露光速度を低下させることなく露光位置精度を向上
させることが可能な荷電粒子ビーム露光方法及び装置を
提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段及びその作用効果】請求項
１では、露光対象物が搭載されるステージを連続的に移
動させながら電磁型主偏向器で荷電粒子ビームをステッ
プ偏向させ、ステップ偏向毎に静電型副偏向器で該荷電
粒子ビームを偏向走査させて露光対象物上にパターンを
露光する荷電粒子ビーム露光装置において、ステージフ
ィードバック偏向器と、該荷電粒子ビームをステップ偏
向させた時点からの該ステージの移動量に応じた信号を
該ステージフィードバック偏向器に供給するステージフ
ィードバック回路とを有する。

【００１６】この荷電粒子ビーム露光装置によれば、ス
テージフィードバック偏向器及びステージフィードバッ
ク回路を備えることにより、主偏向器でステップ偏向す
る毎に、副偏向器走査範囲において副偏向器に印加され
る電圧を一定にすることができるので、上述のような３
次の項の複雑な計算をする必要が無くなり、この計算に
よる露光速度の低下を防止して、ステージフィードバッ
ク偏向により露光位置精度を向上させることができると
いう効果を奏する。

【００１７】請求項２では、請求項１において、上記ス
テージフィードバック回路は、上記主偏向器による偏向
量に応じて、上記ステージフィードバック偏向器に供給
する信号を補正する補正回路を有する。この荷電粒子ビ
ーム露光装置によれば、主偏向器による偏向範囲が比較
的広くても、露光位置精度を向上させることができると
いう効果を奏する。

【００１８】請求項３の荷電粒子ビーム露光装置では、
請求項２において、上記ステージフィードバック回路
は、上記荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点から
の上記ステージの移動量を算出する演算回路と、該演算
回路の出力を、上記主偏向器による偏向量に応じて補正
する補正回路と、該補正回路の出力をアナログ信号に変
換するＤ／Ａ変換回路と、該Ｄ／Ａ変換回路の出力を増
幅して上記ステージフィードバック偏向器に供給する増
幅回路とを有する。

【００１９】請求項４の荷電粒子ビーム露光装置では、
請求項３において、上記ステージフィードバック偏向器
は、上記主偏向器としての偏向コイルの略内側に配置さ
れた偏向コイルである。 この荷電粒子ビーム露光装置
によれば、既存の荷電粒子ビーム露光装置にステージフ
ィードバック偏向器を容易に備えることが可能となると
いう効果を奏する。

【００２０】請求項５の荷電粒子ビーム露光装置では、
請求項３において、上記ステージフィードバック偏向器
は、上記副偏向器よりも荷電粒子ビーム上流側に配置さ
れた静電偏向器である。請求項６の荷電粒子ビーム露光
装置では、請求項３乃至５のいずれか１つにおいて、上
記補正回路は、上記主偏向器による偏向量を補正係数に
変換する補正係数発生回路と、該補正係数で上記演算回
路の出力値を変換し、例えば一次変換し、補正された値
として出力する変換回路とを有する。

【００２１】請求項７の荷電粒子ビーム露光装置では、
請求項６において、上記補正係数発生回路は、上記主偏
向器による偏向量でアドレス指定されて上記補正係数を
出力するメモリである。この荷電粒子ビーム露光装置に
よれば、補正係数発生回路を安価に構成することができ
るという効果を奏する。

【００２２】請求項８では、露光対象物が搭載されるス
テージを連続的に移動させながら電磁型主偏向器で荷電
粒子ビームをステップ偏向させ、ステップ偏向毎に静電
型副偏向器で該荷電粒子ビームを偏向させる荷電粒子ビ
ーム露光方法において、ステージフィードバック偏向器
を用い、該荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点か
らの該ステージの移動量に応じた信号を該ステージフィ
ードバック偏向器に供給する。

【００２３】請求項９では、請求項８において、上記主
偏向器による偏向量に応じて、上記ステージフィードバ
ック偏向器に供給する信号を補正する。請求項１０の荷
電粒子ビーム露光方法では、請求項９において、上記主
偏向器による偏向量を補正係数に変換し、該補正係数
で、上記荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点から
の上記ステージの移動量を変換、例えば一次変換するこ
とにより上記補正を行う。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施形態を説明する。図１は、図６の回路２０の替わりに
用いられる、本発明の第１実施形態のビーム制御回路２
０Ａを示す。この回路が適用される荷電粒子ビーム露光
装置では、電磁型主偏向器１４付近に新たなステージフ
ィードバック偏向器４０が配置されている。この偏向器
４０は電磁型であり、図２に示す如く、Ｘ方向に対向し
た一対の偏向コイル４０１と偏向コイル４０２とを備え
ている。偏向コイル４０１及び４０２はそれぞれ、主偏
向器１４を構成する一対の偏向コイル１４１と偏向コイ
ル１４２の略内側に配置されている。光軸付近での磁界
強度をより均一化するために、偏向コイル４０１及び４
０２は、偏向コイル１４１及び１４２と同様に、サドル
形になっている。偏向コイル４０１と偏向コイル４０２
とは、不図示の配線で直列接続されており、偏向コイル
４０１と偏向コイル４０２とには図示のように互いに同
一方向へ同一電流が流れる。ステージフィードバック偏
向器４０による偏向範囲は、ウェーハ１３上で例えば±
８μｍと、サブフィールドの一辺の長さに比し充分小さ
いので、偏向コイル４０１及び４０２のターン数はいず
れも例えば５であり、高速応答が可能である。

【００２５】ステージフィードバック偏向器４０は、Ｙ
軸方向についても、偏向コイル４０１と偏向コイル４０
２とを光軸の回りに９０°回転させた構成を備えてい
る。主偏向器１４のＹ軸方向についても同様である。ビ
ーム走査方法は、図８（Ａ）についての上述の説明と同
一であり、以下の説明において図８（Ａ）中の符号を参
照する。

【００２６】パターンデータは、パターン発生回路２１
により、ビーム断面形状データと露光位置データとに分
割され、それぞれビーム形状制御回路２２Ａ及びビーム
位置制御回路２２Ｂに供給される。ビーム位置制御回路
２２Ｂは、フィールドＦｉ−１の走査を終了すると、フ
ィールド中央点Ｐｉを減算回路２３Ａの一方の入力端に
供給し、次のフィールドＦｉの走査において、サブフィ
ールドＳＦｊ−１の走査を終了すると主偏向位置ベクト
ルＰｉＱｊを加算回路２４Ａの一方の入力端に供給し、
次のサブフィールドＳＦｊの走査において副偏向位置ベ
クトルＱｊＲをＤ／Ａ変換回路２６Ｂに供給する。点Ｐ
ｉやベクトルはＸ成分及びＹ成分を有するが、図１では
簡単化のために一方の成分の回路のみ示している。副偏
向位置ベクトルＱｊＲは、Ｄ／Ａ変換回路２６Ｂで電流
に変換され、電流／電圧変換回路２７Ｂで電圧に変換さ
れ、増幅回路２８Ｂで増幅されて、電圧Ｖが副偏向器１
５に印加される。副偏向器１５は静電型であり、例えば
図８に示す如く８極であって、この場合、例えば回路２
６Ｂ、２７Ｂ及び２８Ｂを８組有し、８個のＤ／Ａ変換
回路２６Ｂの各々に値ＤＶ１〜ＤＶ８が供給される。値
ＤＶ１〜ＤＶ８は、ベクトルＱｊＲの成分（Ｘ，Ｙ）を
上述のＶ１〜Ｖ８の右辺に代入して得られ、ビーム位置
制御回路２２Ｂにより求められる。

【００２７】他方、サブフィールドＳＦｊ−１内での走
査終了時点でクロックＣＬＫが立ち上がり、レーザ干渉
測長器１６からのステージ現在位置ＳがＳｊとしてレジ
スタ２５に保持され、次のサブフィールドＳＦｊ内への
走査に移る。フィールド中央点Ｐｉとステージ位置Ｓｊ
との差であるベクトルＳｊＰｉが減算回路２３Ａで求め
られ、これと主偏向位置ベクトルＰｉＱｊとが加算回路
２４Ａで加算されて主偏向ベクトルＳｊＱｊが求められ
る。主偏向ベクトルＳｊＱｊは、Ｄ／Ａ変換回路２６Ａ
で電流に変換され、増幅回路２８Ａで増幅されて、電流
Ｉが主偏向器１４に供給される。また、ステージ位置Ｓ
ｊとステージ現在位置Ｓとの差であるステージ移動ベク
トルＳＳｊが減算回路２３Ｂで求められ、補正回路２９
に供給されて補正される。補正回路２９の出力値は、Ｄ
／Ａ変換回路２６Ｃで電流に変換され、増幅回路２８Ｃ
で増幅されて、電流Ｉfがステージフィーでク偏向器４
０に供給される。

【００２８】以上のような回路が接続された主偏向器１
４、副偏向器１５及びステージフィードバック偏向器４
０で、露光位置が偏向ベクトルＳＲになるように、荷電
粒子ビームＥＢが偏向される。補正回路２９でステージ
移動ベクトルＳＳｊを補正しなかった場合、同一の信号
入力範囲によるステージフィードバック偏向器４０の偏
向範囲は、主偏向器１４による偏向量に応じて、すなわ
ち加算回路２４Ａの出力に応じて、図３に示す如く変化
する。図３中、点Ｑ００、Ｑ１１〜Ｑ１４及びＱ２１〜
Ｑ２４はいずれも、主偏向器１４のみでビームを偏向さ
せたときのウェーハ１３上の露光位置（主偏向露光位
置）を示している。図３中に実線で示す各矩形は、主偏
向露光位置がそれぞれＱ００、Ｑ１１〜Ｑ１４及びＱ２
１〜Ｑ２４の状態で、ステージフィードバック偏向器４
０に、主偏向露光位置の影響がなければ互いに同一偏向
範囲になるようにビームを偏向させ、すなわち例えば電
流（Ｉ0，Ｉ0）,（−Ｉ0，Ｉ0）,（−Ｉ0，−Ｉ0）,
（−Ｉ0，−Ｉ0）を順に供給してビーム偏向させこれら
の露光位置を順に結んで得られたものであり、ステージ
フィードバック偏向器４０の偏向能率は、主偏向露光位
置に応じて異なる。

【００２９】これら矩形が２点鎖線で示す同一正方形に
なるように、ステージ移動ベクトルＳＳｊが補正回路２
９で補正される。補正回路２９の構成例を、図４に示
す。図４中、ＳＳｊＸ及びＳＳｊＹはそれぞれ図１中の
ステージ移動ベクトルＳＳｊのＸ成分及びＹ成分であ
る。この回路２９は、主偏向ベクトルＳｊＱｊを補正係
数で一次変換する。すなわち、補正係数発生回路として
のメモリ２９１が主偏向ベクトルＳｊＱｊでアドレス指
定されて補正係数αｊ、βｊ、γｊ及びδｊの組が読み
出され、それぞれ乗算回路２９２〜２９５の一方の入力
端に供給される。これらの補正係数は、図３に示すよう
な実験の結果に基づいて定められる。乗算回路２９２及
び２９３の他方の入力端にはＳＳｊＸが供給され、乗算
回路２９４及び２９５の他方の入力端にはＳＳｊＹが供
給される。乗算回路２９２の出力と乗算回路２９４の出
力とが加算回路２９６で加算され、乗算回路２９３の出
力と乗算回路２９５の出力とが加算回路２９７で加算さ
れる。加算回路２９６及び２９７の出力はそれぞれ、補
正された（αｊ・ＳＳｊＸ＋βｊ・ＳＳｊＹ）及び（γ
ｊ・ＳＳｊＸ＋δｊ・ＳＳｊＹ）となり、それぞれＸ成
分についてのＤ／Ａ変換器２６Ｃ及びＹ成分についての
Ｄ／Ａ変換器２６Ｃ（図１では一方の成分のみについて
表されている）に供給される。

【００３０】本第１実施形態によれば、ステージフィー
ドバック偏向器４０及びその回路を備えることにより、
サブフィールド走査範囲において副偏向器１５に印加さ
れる電圧Ｖを一定にすることができるので、図８（Ｂ）
に示す領域Ａ１Ｂ１Ｃ１Ｄ１がこの走査範囲において一
定となり、露光位置精度が向上する。また、ステージフ
ィードバック偏向器４０を図２に示す如く配置すること
により、既存の荷電粒子ビーム露光装置にステージフィ
ードバック偏向器４０を容易に備えることが可能とな
る。さらに、補正回路２９でステージ移動ベクトルＳＳ
ｊを補正することにより、上述のような３次の項の複雑
な計算をする必要が無くなるので、露光速度を低下させ
ることなく露光位置精度を向上させることができる。

【００３１】［第２実施形態］図５は、本発明の第２実
施形態の、図１に対応したビーム制御回路２０Ｂを示
す。この回路が適用される荷電粒子ビーム露光装置で
は、図１の電磁型ステージフィードバック偏向器４０の
替わりに、静電型ステージフィードバック偏向器４０Ａ
が副偏向器１５の上方かつ副偏向器１５の近くに配置さ
れている。ステージフィードバック偏向器４０Ａの偏向
範囲は、例えば±８μｍと副偏向器１５のそれに比し充
分小さいので、４極で充分である。ステージフィードバ
ック偏向器４０Ａに接続される回路は、Ｄ／Ａ変換回路
２６Ｃと増幅回路２８Ｃとの間に電流／電圧変換回路２
７Ｃが接続されている点で図１の場合と異なる。

【００３２】他の点は、上記第１実施形態と同一であ
る。本第２実施形態によれば、ステージフィードバック
偏向器４０Ａ及びその回路を備えることにより、サブフ
ィールドＳＦの走査範囲において、副偏向器１５に印加
される電圧Ｖを一定にすることができるので、露光位置
精度が向上する。また、補正回路２９でステージ移動ベ
クトルＳＳｊを補正することにより、上述のような３次
の項の複雑な計算をする必要が無いので、露光速度を低
下させることなく露光位置精度を向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態のビーム制御回路を示す
ブロック図である。

【図２】主偏向器に対するステージフィードバック偏向
器の配置を示す概略図である。

【図３】図１中の補正回路の動作説明図である。

【図４】図１中の補正回路の構成例を示すブロック図で
ある。

【図５】本発明の第２実施形態のビーム制御回路を示す
ブロック図である。

【図６】従来の荷電粒子ビーム露光装置の概略構成を示
す図である。

【図７】図６のビーム制御回路の構成を示すブロック図
である。

【図８】（Ａ）はビーム走査方法を示し、（Ｂ）は副偏
向器の横断面とステージ連続移動に伴うビーム偏向範囲
の変化を示す図である。

【符号の説明】

１２ ステージ １３ ウェーハ １４ 主偏向器 １４１、１４２、４０１、４０２ 偏向コイル １５ 副偏向器 ２０、２０Ａ、２０Ｂ ビーム制御回路 ２３Ａ、２３Ｂ 減算回路 ２４Ａ、２３Ａ 加算回路 ２５ レジスタ ２６Ａ〜２６Ｃ Ｄ／Ａ変換回路 ２７Ｂ、２７Ｃ 電流／電圧変換回路 ２８Ａ〜２８Ｃ 増幅回路 ２９ 補正回路 ２９１ 補正係数発生回路 ２９１Ａ メモリ ２９２、２９３ 乗算回路 ４０、４０Ａ ステージフィードバック偏向器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大饗 義久 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 佐藤 高雅 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 坂崎 知博 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 田中 仁 東京都練馬区旭町１丁目32番１号 株式会 社アドバンテスト内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 露光対象物が搭載されるステージを連続
   的に移動させながら電磁型主偏向器で荷電粒子ビームを
   ステップ偏向させ、ステップ偏向毎に静電型副偏向器で
   該荷電粒子ビームを偏向走査させて露光対象物上にパタ
   ーンを露光する荷電粒子ビーム露光装置において、 ステージフィードバック偏向器と、 該荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点からの該ス
   テージの移動量に応じた信号を該ステージフィードバッ
   ク偏向器に供給するステージフィードバック回路と、 を有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
2. 【請求項２】 上記ステージフィードバック回路は、上
   記主偏向器による偏向量に応じて、上記ステージフィー
   ドバック偏向器に供給する信号を補正する補正回路を有
   することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露
   光装置。
3. 【請求項３】 上記ステージフィードバック回路は、 上記荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点からの上
   記ステージの移動量を算出する演算回路と、 該演算回路の出力を、上記主偏向器による偏向量に応じ
   て補正する補正回路と、 該補正回路の出力をアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換
   回路と、 該Ｄ／Ａ変換回路の出力を増幅して上記ステージフィー
   ドバック偏向器に供給する増幅回路と、 を有することを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビー
   ム露光装置。
4. 【請求項４】 上記ステージフィードバック偏向器は、
   上記主偏向器としての偏向コイルの略内側に配置された
   偏向コイルであることを特徴とする請求項３記載の荷電
   粒子ビーム露光装置。
5. 【請求項５】 上記ステージフィードバック偏向器は、
   上記副偏向器よりも荷電粒子ビーム上流側に配置された
   静電偏向器であることを特徴とする請求項３記載の荷電
   粒子ビーム露光装置。
6. 【請求項６】 上記補正回路は、 上記主偏向器による偏向量を補正係数に変換する補正係
   数発生回路と、 該補正係数で上記演算回路の出力値を変換し補正された
   値として出力する変換回路と、 を有することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１
   つに記載の荷電粒子ビーム露光装置。
7. 【請求項７】 上記補正係数発生回路は、上記主偏向器
   による偏向量でアドレス指定されて上記補正係数を出力
   するメモリであることを特徴とする請求項６記載の荷電
   粒子ビーム露光装置。
8. 【請求項８】 露光対象物が搭載されるステージを連続
   的に移動させながら電磁型主偏向器で荷電粒子ビームを
   ステップ偏向させ、ステップ偏向毎に静電型副偏向器で
   該荷電粒子ビームを偏向させる荷電粒子ビーム露光方法
   において、 ステージフィードバック偏向器を用い、 該荷電粒子ビームをステップ偏向させた時点からの該ス
   テージの移動量に応じた信号を該ステージフィードバッ
   ク偏向器に供給することを特徴とする荷電粒子ビーム露
   光方法。
9. 【請求項９】 上記主偏向器による偏向量に応じて、上
   記ステージフィードバック偏向器に供給する信号を補正
   することを特徴とする請求項８記載の荷電粒子ビーム露
   光方法。
10. 【請求項１０】 上記主偏向器による偏向量を補正係数
    に変換し、該補正係数で、上記荷電粒子ビームをステッ
    プ偏向させた時点からの上記ステージの移動量を変換す
    ることにより上記補正を行うことを特徴とする請求項９
    記載の荷電粒子ビーム露光方法。