JPH10287688A - アルキルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホ スフィン錯体及びそれを用いた銅薄膜の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の配線用薄膜として、純銅膜をＣ
ＶＤ法でつくるための新規な化合物を提供することであ
る。 【解決手段】 式［Ｉ］ Ｒ−Ｃ_５Ｈ_４ＣｕＰ〔ＣＨ
（ＣＨ_３）_２〕_３ ［式中、Ｒはメチル基またはエチル基を表す］で表され
るアルキルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホ
スフィン錯体である。該化合物は８０℃で粘度の低い液
体であり、かつ充分な蒸気圧を有するので、ガスバブリ
ングや液体マスフローコントローラーで減圧ＣＶＤ装置
に定量的に供給ができ、加熱した基板上で熱分解して、
平滑な純銅薄膜を製造することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な化学物質で
あるアルキルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピル
ホスフィン錯体及びそれらの化合物を原料として化学気
相成長法（以下ＣＶＤ法という）により銅薄膜を製造す
る方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＵＬＳＩ用銅薄膜配線や、銅含有
化合物半導体の作製に、有機銅化合物によるＣＶＤ法が
検討されている。ＣＶＤ法は、量産性、ステップカバレ
ジの点から他の製膜法より優れる。基板温度が２００℃
以下で純銅薄膜がＣＶＤ法で形成できる有機銅化合物
は、ヘキサフルオロアセチルアセトナート銅（Ｉ）・ト
リメチルビニルシラン錯体とシクロペンタジエニル銅
（Ｉ）トリエチルホスフィン系錯体である。

【０００３】前者は、特公平６−４９９４３で開示され
ている。この化合物は室温で液体で、揮発性も高い化合
物であり好ましいが、膜に微量のフッ素化合物が混入す
るおそれがあったり、多成分の銅含有化合物半導体形成
時に同時に供給、分解させる他の成分との反応性の問題
がある。

【０００４】後者については、Ｄ．Ｂ．Ｂｅａｃｈ，
Ｆ．Ｋ．ＬｅＧｏｕｅｓ，ａｎｄＣ．−Ｋ．Ｈｕ，Ｃｈ
ｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，Ｖｏｌ．２，２１６（１９９０）
において、シクロペンタジエニル銅トリエチルホスフィ
ンを還元性キャリヤーガスを用いずに、低圧、１５０〜
２１０℃でＣＶＤさせ、高純度のＣｕ薄膜ができたこと
が開示されている。さらにこの系列の化合物について
Ｄ．Ｂ．Ｂｅａｃｈ，Ｗ．Ｆ．Ｋａｎｅ，Ｆ．Ｋ．Ｌｅ
ｇｏｕｅｓ ａｎｄＣ．Ｊ．Ｋｎｏｒｓ Ｍａｔ．Ｒｅ
ｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．Ｖｏｌ．１８１，７
３（１９９０）で開示されている。すなわちシクロペン
タジエニル銅トリエチルホスフィン、シクロペンタジエ
ニル銅トリメチルホスフィン、シクロペンタジエニル銅
トリブチルホスフィン、メチルシクロペンタジエニル銅
トリエチルホスフィンとメチルシクロペンタジエニル銅
トリメチルホスフィンの５種の化合物をそれぞれ原料と
し、ＣＶＤ法により基板温度１５０〜２２０℃でＣｕ薄
膜を形成した。これらの化合物はすべて白色結晶固体
で、真空昇華で容易に精製され、室温の蒸気圧は〜０．
００１Ｔｏｒｒであった。原料槽は６０℃で行った。メ
チルシクロペンタジエニル系はシクロペンタジエニル系
と似た蒸気圧であり、Ｃｕ析出速度を同じようにするに
は同じような原料槽温度が必要であった。ただメチルシ
クロペンタジエニル系は、シクロペンタジエニル系に比
べて、より酸素に敏感であり、Ｃｕ析出温度は１５〜２
０℃程度低かったとのことである。以上この系列では原
料供給は融点が高いために固相からの昇華によってい
た。

【０００５】ＣＶＤ法において、原料化合物を昇華で供
給する方式は、液体で供給する方式やキャリヤーガスの
バブリングによる液体の蒸発で供給する方式に比べ、定
量性、制御性、量産性が劣っている。そのため供給時に
液体であり、かつ充分な蒸気圧を有する原料化合物が求
められている。シクロペンタジエニル銅トリエチルホス
フィン系列の化合物においてこの課題を解決できる発明
として、既に、ＵＳＰ４，８８０，６７０が開示されて
いる。しかし本発明者等は、該特許の実施例に記載され
た化合物そのものは、室温で液体ではなく固体であり、
蒸気圧は記載された値の数オーダーも低いことを見つ
け、該特許が重要な事実の記載に問題があることがわか
った。以下に詳しくその根拠を示す。

【０００６】該特許は、銅あるいは銀のコーティングを
ＣＶＤ法で形成する原料化合物として、Ｒ_１−Ｃ_５Ｈ_４
ＭＰ（Ｒ_２）_３（式中、ＭはＩＢ族金属を、Ｒ_１とＲ_２
はそれぞれ炭素数１から６の低級アルキル基またはアル
ケニル基を表す）をクレイムとしている。実施例として
はエチルシクロペンタジエニル銅トリエチルホスフィン
のみが示されており、この化合物が、室温で液体であ
り、その蒸気圧が室温で数Ｔｏｒｒもあり、１４０℃か
ら熱分解が始まることを観察している。そして２０℃の
この化合物液体にキャリヤーガスアルゴンをバブリング
することにより熱分解反応器中におくり２５０℃の石英
基板上に銅薄膜を形成したとみられる記述がある。この
化合物が室温で液体で数Ｔｏｒｒの蒸気圧を有している
という点が該特許の重要な点である。しかし本発明者等
は、この相状態と蒸気圧の上記の数値がこの化合物の正
しい値から大きく異なっていると結論せざるをえないこ
とを以下に示す。

【０００７】本発明者等は、別の合成法でこのエチルシ
クロペンタジエニル銅トリエチルホスフィンを合成し、
蒸留精製し、同定し、その融点を測定したところ、融点
は約５４℃で室温では固体であり、かつその室温での蒸
気圧すなわち昇華圧は０．００１Ｔｏｒｒより低いこと
を確認した。トリエチルホスフィンが、室温で数Ｔｏｒ
ｒの蒸気圧を示すことから推測するに、該特許に記載の
エチルシクロペンタジエニル銅トリエチルホスフィン
は、蒸留回収の際に多量のトリエチルホスフィンが混入
し、それを溶解したために、室温で液体であり、蒸気圧
としてトリエチルホスフィンに近い値が観測された可能
性が高い。

【０００８】アルキルシクロペンタジエニル銅トリエチ
ルホスフィン錯体は、ベンゼンの凝固点降下法による分
子量測定によって、単量体であることを本発明者等は確
認しており、またシクロペンタジエニル銅トリエチルホ
スフィンは質量分析（Ｆ．Ａ．Ｃｏｔｔｏｎ ａｎｄ
Ｔ．Ｊ．Ｍａｒｋｓ Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．９
２，５１１４（１９７０）およびＸＲＤ（Ｄｅｌｂａｅ
ｒｅ，Ｌ．Ｔ．Ｊ．，Ｍｃ Ｂｒｉｄｅ，Ｄ．Ｗ．，Ｆ
ｅｒｇｕｓｏｎ，Ｒ．Ｂ．Ａｃｔａ Ｃｒｙｓｔ．Ｂ２
６（１９７０）５１５／２１）によって単量体であるこ
とが確認されている。よって単量体であるアルキルシク
ロペンタジエニル銅トリエチルホスフィン錯体系列にお
いて、エチルシクロペンタジエニル銅トリエチルホスフ
ィンがシクロペンタジエニル銅トリエチルホスフィンよ
り数オーダーも大きな蒸気圧を示すはずがないことが導
かれる。シクロペンタジエニル銅トリエチルホスフィン
の６０℃の昇華圧を本発明者等が測定したところ０．０
１Ｔｏｒｒであった。よってエチルシクロペンタジエニ
ル銅トリエチルホスフィンの６０℃の蒸気圧はたかだか
このオーダーであるはずであり、本発明者等の測定値も
そうであった。２０℃では０．００１Ｔｏｒｒ程度と推
定され、該特許記載の数Ｔｏｒｒの値は、この化合物の
蒸気圧とは全く考えられないことがわかる。以上のこと
から該特許の記載内容およびそれから導かれたクレイム
に問題があると考える。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】アルキルシクロペンタ
ジエニル銅トリアルキルホスフィン系化合物を原料とし
てＣＶＤ法で銅薄膜を形成する際、原料供給時に液体
で、かつ充分な蒸気圧を有する化合物は、物性を間違っ
て特許出願されたエチルシクロペンタジエニル銅トリエ
チルホスフィン以外は未だ知られておらず、公知な化合
物は固体からの昇華供給であった。アルキルシクロペン
タジエンのアルキル基およびトリアルキルホスフィンの
アルキル基の炭素数が大きな銅化合物は結晶性が低下し
融点が下がる可能性があるが、一方分子量が増大して蒸
気圧が低くなりすぎてしまうという不都合がある。量産
時のＣＶＤの原料としては少なくとも０．０１Ｔｏｒｒ
以上の蒸気圧が必要であり、本銅化合物の系列では供給
時の熱安定性から原料の供給加熱温度は８０℃程度より
低いことが望ましい。また液体マスフローコントローラ
ーの使用温度やバブリングによる蒸発同伴が容易である
ためには、液体の粘度が１００ｃＰ程度以下であること
が望ましい。

【００１０】本発明者等は公知の化合物を公知の方法で
合成し、昇華精製あるいは単蒸留精製し、融点および８
０℃での蒸気圧（昇華圧）を測定した。 蒸気圧の測定方法 約１０ｇのシクロペンタジエニル銅トリアルキルホスフ
ィン化合物を５ｍｍ径のポーラスなセラミッグス粒７０
ｍｌに担持し、これをガラスシリンダーに充填した。こ
のガラスシリンダーを所定温度（８０℃）の恒温槽に入
れ、シリンダー底部にキャリヤーガスアルゴンを入れ、
上部より昇華または蒸発した銅塩を冷却管に導きトラッ
プし、そのＣｕ量を分析定量した。全圧１０Ｔｏｒｒ、
Ａｒ５０〜１００ｓｃｃｍ、２０〜１２０分で各ランの
昇華回収量は０．１〜０．５ｇであった。これらの化合
物は単量体であるので昇華量から蒸気圧を算出した。

【００１１】表１に本発明者等が測定した公知なアルキ
ルシクロペンタジエニル銅トリアルキルホスフィン化合
物の融点と８０℃の蒸気圧を示す。

【００１２】

【表１】

【００１３】表から明かなように、８０℃で液体でかつ
蒸気圧が０．０１Ｔｏｒｒ以上の化合物はエチルシクロ
ペンタジエニル銅トリエチルホスフィンしか知られてい
ない。さらに低い融点の化合物が望まれている。

【００１４】本発明の目的は、アルキルシクロペンタジ
エニル銅トリアルキルホスフィン系化合物において、Ｃ
ＶＤに供給する際に液体で、かつ充分な蒸気圧を有し、
基板上で熱分解し純銅薄膜を形成する新規な化合物を提
供し、かつそれを用いたＣＶＤ法で銅薄膜を形成する方
法を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、長年有機
金属化合物の合成およびそれを用いたＣＶＤを研究して
きた。上記課題を解決するために、未公知の化合物のメ
チルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホスフィ
ンおよびエチルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピ
ルホスフィンを合成し、精製し、融点、液粘度、蒸気圧
を測定したところ、好ましい物性であり、さらにそれら
を用いＣＶＤで銅膜を作ったところ、安定して良好な膜
が得られることを見いだし本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、銅膜をＣＶＤ法でつくるための原料
としてメチルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピル
ホスフィンおよびエチルシクロペンタジエニル銅トリイ
ソプロピルホスフィンの新規な化合物を提供することで
ある。さらにはこれらの化合物を液体バブリングないし
液体マスフローコントローラーで供給してＣＶＤし銅膜
を形成する方法を提供することである。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の化合物はメチルシクロペ
ンタジエニル銅トリイソプロピルホスフィンおよびエチ
ルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホスフィン
である。後述する方法で合成、精製した本発明の化合物
の融点と８０℃の蒸気圧を表２に示す。

【００１７】

【表２】

【００１８】上記化合物の粘度を毛細管法で測定した。
メチルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホスフ
ィンの粘度は８ｃＰ（８０℃）、９ｃＰ（６０℃）であ
った。エチルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピル
ホスフィンの粘度も同程度であった。

【００１９】これらの結果より、本発明の二化合物は、
８０℃で液体であり、かつ充分な蒸気圧を有し、粘度も
充分低いことがわかる。すなわち、これらの化合物は、
ＣＶＤ法において原料として供給する際に、液体マスフ
ローコントローラーまたはバブリングで容易に供給でき
る化合物であることがわかる。

【００２０】本発明の二化合物の同定した結果を次に記
す。なおこれらの化合物は実施例１および実施例２で得
られたものである。 メチルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホスフィン 化学式 ＣＨ_３Ｃ_５Ｈ_４ＣｕＰ（ｉＣ_３Ｈ_７）_３ 元素分析値 Ｃｕ ２１．３ Ｃ ５９．２ Ｈ ９．３６ 理論計算値 Ｃｕ ２１．０ Ｃ ５９．５ Ｈ ９．３２^１ Ｈ−ＮＭＲ； １．１ｐｐｍ（メチルプロトン） １．８ｐｐｍ（メチレンプロトン） 〜６．０〜ｐｐｍ（シクロペンタジエニル基のプロトン） ＦＴ−ＩＲ； ３４１６，２９６３，２８７６，１６９７，１４６６，１１６９， １１４０，１０２６，８８５，７０４ ｃｍ^−１ ＭＳ（ＣＩ）； Ｍ／Ｚ＝３０２ エチルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホスフィン 化学式 Ｃ_２Ｈ_５Ｃ_５Ｈ_４ＣｕＰ（ｉＣ_３Ｈ_７）_３ 元素分析値 Ｃｕ ２０．２ 理論計算値 Ｃｕ ２０．１ ＭＳ（ＣＩ）； Ｍ／Ｚ＝３１６

【００２１】本発明の化合物は、次の３つの方法などに
より合成できる。 炭化水素溶媒にアルキルシクロペンタジエンＲ−Ｃ
_５Ｈ_５を溶解し、酸化第一銅粉末を懸濁し、次いでトリ
イソプロピルホスフィンＰ（ｉＰｒ）_３を添加し反応さ
せる方法（Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ ａｎｄ Ｔ．Ｓ．
Ｐｉｐｅｒ Ｊ．Ｉｎｏｒｇ．Ｎｕｃｌ．Ｃｈｅｍ．Ｖ
ｏ１．２，３２（１９５６））。 銅（Ｉ）ターシャリーブトキシドに、トリイソプロ
ピルホスフィンＰ（ｉＰｒ）_３を反応させ、錯体とした
のち、アルキルシクロペンタジエンＲ−Ｃ_５Ｈ_５を反応
させる方法（Ｔ．Ｔｓｕｄａ，Ｔ．Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ
ａｎｄ Ｔ．Ｓａｅｇｕｓａ Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．
Ｓｏｃ．Ｖｏｌ．４２，６５８（１９７２））。 トリイソプロピルホスフィンヨード銅（Ｉ） Ｃｕ
１｛Ｐ（ｉＰｒ）_３｝とタリウムアルキルシクロペンタ
ジエニド Ｒ−Ｃ_５Ｈ_４Ｔｌとを反応させる方法（Ｆ．
Ａ．Ｃｏｔｔｏｎ ａｎｄ Ｔ．Ｊ．Ｍａｒｋｓ Ｊ．
Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ．９２，５１１４（１
９７０））。 本発明者等は、の方法においては、炭化水素溶媒に微
量の酸素を溶存させると反応が触媒的に進行することを
見いだし特許出願している（特願平８−７８４５３）。

【００２２】本発明の化合物は上記方法で合成した後、
未反応物や溶媒を減圧で除去し、脱酸素した溶媒に溶か
し、次いで、脱酸素した純水で洗浄し、乾燥後、再結晶
し、溶媒を除く。精製は釜温度１００℃付近で真空蒸留
を行う。

【００２３】本発明は、式［Ｉ］の化合物を用いて、Ｃ
ＶＤ法で銅薄膜をつくる方法でもある。この化合物を融
点以上たとえば６０℃に加熱すると液体に保つことがで
き、この液に減圧下でキャリヤーガスをバブリングさせ
蒸発同伴させ、熱分解反応器中におくり、１６０〜２５
０℃の基板上に熱分解させると銅薄膜が形成できる。バ
ブリングで蒸発供給するかわりに、液体マスフローコン
トローラーで供給して蒸発させる方式も可能である。本
発明の化合物は融解すれば粘度の低い液体となるので、
上記の供給方式は容易に実施することができる。

【００２４】

【実施例１】 メチルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホスフ
ィンの製造 リフラックスコンデンサー、温度計、滴下ロート、撹拌
羽根を備えた１１三口フラスコを真空置換しアルゴン雰
囲気とし、昇華精製した銅（Ｉ）ターシャリーブトキシ
ド１８．３ｇ（１３４ｍｍｏｌ）を脱酸素したｎ−ペン
タン３３０ｍｌに懸濁させ、滴下ロートより、ｎ−ペン
タン５０ｍｌに溶解させたトリイソプロピルホスフィン
１７．４ｇ（１０９ｍｍｏｌ）を３０分かけて加え、室
温で反応させた。次いで、フラスコ内容物を−７８℃に
冷却し、滴下ロートより、蒸留したてのメチルシクロペ
ンタジエン２４．０ｇ（３００ｍｍｏｌ）をｎ−ペンタ
ン７０ｍｌに溶解した液を、１時間かけて添加撹拌し
た。次いで、室温までゆっくり昇温し、熟成したのち、
溶媒等を減圧留去した。脱酸素したヘキサン０．２１を
加え、生成物を溶解し、脱酸素水０．０５１で洗浄、分
液、乾燥後、−７８℃で再結晶した。３０℃で真空乾燥
し、蒸留釜に仕込み、０．１Ｔｏｒｒで釜温度１００〜
１１０℃で蒸留し、淡黄色透明液１９．７ｇ（６５ｍｍ
ｏｌ）を得た。液は約５３℃で固化した。結晶はＣｕ，
Ｃ，Ｈの元素分析、融点、ＴＧ−ＤＴＡ，^１Ｈ−ＮＭ
Ｒ，ＦＴ−ＩＲ，ＭＳの結果から、メチルシクロペンタ
ジエニル銅トリイソプロピルホスフィンと同定された。

【００２５】同定に用いた機器および条件は以下のとお
りである。^１ Ｈ−ＮＭＲ 機器；ＢＲＵＫＥＲ ＡＣ−３００Ｐ ＦＴ−ＮＭＲ 周波数；３００． １３ＭＨｚ（^１Ｈ） 溶媒；Ｃ_６Ｄ_６ パルス幅；６μｓ 温度；室温 基準；ＴＭＳ ＦＴ−ＩＲ 機器；ＳＨＩＭＡＺＵ ＦＴ−ＴＲ８６００ 分解能； ４．０ｃｍ^−１ スキャン；４０ 方法；ＫＢｒ錠剤法 ＭＳ 機器；ＨＩＴＡＣＨＩ Ｍ−８０Ｂ イオン加速電圧；
３ｋＶ イオン化方法；ＣＩ ポジティブ イオン化温
度；１００℃ スリット；２００／１５０ミクロン マ
ルチゲイン；１．５ｋＶ フィルター；２ スキャンモ
ード；ＭＡＳＳＬＴＮＥＡＲ，ＵＰ スキャン速度；８
ｓｅｃ／０−２０００（Ｍ／Ｚ） 質量レンジ；Ｍ／Ｚ
＝０−５００ ガス；Ｘｅ

【００２６】

【実施例２】 エチルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホスフ
ィンの製造 リフラックスコンデンサー、温度計、滴下ロート、撹拌
用回転子を備えた５００ｍｌ三口フラスコを真空置換し
アルゴン雰囲気とし、酸化第一銅７．１ｇ（４９．６ｍ
ｍｏｌ）、脱酸素ヘキサン７０ｍｌ、空気飽和ヘキサン
７０ｍｌ、合成蒸留したてのエチルシクロペンタジエン
２０．９ｇ（２２２ｍｍｏｌ）を仕込み、撹拌懸濁させ
た。そこへ滴下ロートより、トリイソプロピルホスフィ
ンの２５％トルエン溶液８２ｍｌ（トリイソプロピルホ
スフィンとして１７．６ｇ（１１０ｍｍｏｌ）を６０分
かけて反応温度４０℃付近で添加した。次いで、この温
度で２時間保つと、急激に反応し、酸化第一銅の粉末は
反応して透明溶液となった。液温度を５０℃以下に保ち
つつ、減圧（数Ｔｏｒｒ）下でヘキサンや未反応の原料
化合物を留去した。次いで脱酸素ヘキサン０．３１を入
れ、生成物を溶解させ、脱酸素水０．１１を加え、振と
う後、分液し、ヘキサン相を乾燥剤で乾燥した。このヘ
キサン溶液を−７８℃に冷却し、再結晶した。この結晶
を蒸留釜に仕込み、０．１Ｔｏｒｒ下、蒸留し、留出温
度１１０〜１２０℃の無色透明液２０．０ｇ（６３ｍｍ
ｏｌ）を得た。液は約３０℃で固化し、時間の経過とと
もに薄紫色になった。結晶はＣｕの元素分析、融点、Ｔ
Ｇ−ＤＴＡ、ＭＳの結果から、エチルシクロペンタジエ
ニル銅トリイソプロピルホスフィンと同定された。

【００２７】

【実施例３】 メチルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホスフ
ィンを用いたＣＶＤ法による純銅薄膜の製造 原料容器および熱分解反応器の全系をロータリー真空ポ
ンプと圧力調整弁で１０Ｔｏｒｒの減圧に保った。メチ
ルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホスフィン
５０ｇを充填した原料容器を８０℃の恒温槽に入れ、キ
ャリヤーガスアルゴンを１００ｓｃｃｍでバブリング
し、このガスにメチルシクロペンタジエニル銅トリイソ
プロピルホスフィンを蒸発同伴させ、熱分解反応器に導
入した。熱分解反応器中では、１８０℃に加熱されたシ
リコン基板がセットされており、メチルシクロペンタジ
エニル銅トリイソプロピルホスフィンがこの基板上にお
いて、分解し、純銅薄膜が２０分間で１２０ｎｍの厚み
に形成された。光沢のある金属色で、均一な平滑面が、
再現性よく得られた。バブリングによる供給のため、制
御性がよく、再現性があった。

【００２８】

【実施例４】 エチルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホスフ
ィンを用いたＣＶＤ法による純銅薄膜の製造 実施例３において、メチルシクロベンタジエニル銅トリ
イソプロビルホスフィンをエチルシクロペンタジエニル
銅トリイソプロピルホスフィンに代えた他は、実施例３
同様な操作を行った。純銅薄膜が２０分間で８０ｎｍの
厚みで得られた。この膜は光沢のある金属色で、均一な
平滑面が再現性よく得られた。

【００２９】

【発明の効果】本発明の式［Ｉ］の化合物は、８０℃付
近で粘度の低い液体であり、かつ充分な蒸気圧を有して
いるので、ＣＶＤ原料として、ガスバブリングないし液
体マスフローコントローラーにより定量的に供給でき、
熱分解で基板上に純銅薄膜を形成することができる。本
発明により、量産性にすぐれたＣＶＤ法で、純銅薄膜を
つくれる新規化学物質を提供することができた。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｒ−Ｃ_５Ｈ_４ＣｕＰ〔ＣＨ（ＣＨ_３）_２〕_３ ［Ｉ］ ［式中、Ｒはメチル基またはエチル基を表す］で表され
   るアルキルシクロペンタジエニル銅トリイソプロピルホ
   スフィン錯体。
2. 【請求項２】 銅薄膜を化学気相成長によりつくる方法
   において、加熱した基板を揮発性銅化合物ガスと接触さ
   せる工程からなり、前記揮発性銅化合物が請求項１に記
   載の化合物であることを特徴とする銅薄膜の製造法。