JPH10282683A - リフトオフ用感光性下地材組成物およびそれを用いたペーストパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】レジストパターンの形成時やペースト組成物埋
め込み時にレジストパターンの欠落が起りにくく、かつ
レジストパターンの剥離時にペーストパターンに欠けを
生じさせることのないリフトオフ用感光性下地材組成
物、およびこれを用いたペーストパターンの形成方法を
提供する。 【解決手段】下地材組成物がケン化度７０〜９９モル％
の部分ケン化酢酸ビニル重合体を一般式（１）で表わさ
れる化合物でアセタール化した変性部分ケン化酢酸ビニ
ル重合体を含有するリフトオフ用感光性下地材組成物、 および基材上にリフトオフ用感光性下地材組成物を塗布
して下地層とし、その上に感光性樹脂層を積層したの
ち、活性光線を選択的に照射し、未照射部分を除去して
レジストパターンを形成し、次いでペースト組成物層を
設け、パターン化するペーストパターンの形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、リフトオフ用感光性下
地材組成物およびそれを用いるペーストパターンの形成
方法に関する。

【０００２】

【従来技術】従来、微細なパターンの形成方法として、
高分子バインダー、モノマー、光開始剤を含有する感光
性樹脂組成物を基板上に塗布して感光性樹脂層を形成
し、ホトリソグラフィーでパターニングしてレジストパ
ターンを形成したのち、有機溶媒などに分散したペース
ト材料を全面堆積し、残存レジストを除去するか、ある
いはパターニングして形成したレジストパターンの未露
光部のレジストを除去しその部分にペースト材料を埋め
込み、次いでレジストパターンを剥離除去するかして、
ペーストパターンを形成する方法が提案されている。前
記ペーストパターンの形成方法は、従来のスクリーン印
刷法によるペーストパターンの形成方法に比べて、加工
精度が高い上に再現性がよく、しかも作業が簡便で比較
的安価にペーストパターンを形成できるところから、プ
リント配線板やカラーフィルタの製造等に広く利用され
ている。

【０００３】近年、表示体としてプラズマによる蛍光の
発光現象を利用したプラズマディスプレイパネル（以
下、「ＰＤＰ」という）が注目を集め、そのＰＤＰのプ
ライミングリブ層や抵抗層等の形成に上記ペーストパタ
ーンの形成方法の適用が検討されている。前記ペースト
パターンの形成方法では、水現像可能で、かつペースト
組成物の埋め込み時や、埋め込み後、レジストパターン
の剥離の際に、ペースト中の溶剤や、剥離液等によって
レジストの膨潤が起こりにくい水溶性ポリマーとジアゾ
化合物を含有する感光性樹脂組成物が使用されている。
特に、感光性樹脂層を可撓性支持フィルム上に塗布、乾
燥して形成したドライフィルムレジストが作業性が簡便
で、しかも均一な膜厚を容易に形成できて好適である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記感光性
樹脂組成物は、基材との接着性に乏しく、感光樹脂層と
基材との接合が良好でない上に、基材上に感光樹脂層を
設けた後行われる、レジストパターンの形成時やペース
ト組成物埋め込み時にレジストパターンに欠落が起るな
どの欠点がある。さらに、レジストパターンの剥離時に
ペーストパターンに欠けが生じる問題もあった。

【０００５】こうした現状に鑑み、本発明者等は鋭意研
究を重ねた結果、特定のケン化度を有する部分ケン化酢
酸ビニル重合体を特定の化合物でアセタール化し、それ
を含有する感光性組成物で基材上に下地層を形成し、そ
の上に感光樹脂層を設けると、感光樹脂層と基材との接
着力が向上し、感光樹脂層の形成の作業性が改善される
とともに、レジストパターンの形成時やペースト組成物
埋め込み時にレジストパターンの欠落が起りにくく、か
つレジストパターンの剥離時にペーストパターンに欠け
が生じることがないことを見出し本発明を完成したもの
である。すなわち、

【０００６】本発明は、感光樹脂層と基材との接着力が
向上し、感光樹脂層の形成時の作業性が改善され、良好
なペーストパターンを形成できるリフトオフ用感光性下
地材組成物を提供することを目的とする。

【０００７】また、本発明は、レジストパターンの形成
時やペースト組成物埋め込み時にレジストパターンの欠
落が起りにくく、しかもレジストパターンの剥離時にペ
ーストパターンに欠けを生じさせることのないリフトオ
フ用感光性下地材組成物を提供することを目的とする。

【０００８】さらに、本発明は、上記リフトオフ用感光
性下地材組成物を用いたペーストパターンの形成方法を
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、リフトオフ法でペーストパターンを形成するため
の下地材組成物において、前記下地材組成物がケン化度
７０〜９９モル％の部分ケン化酢酸ビニル重合体を一般
式化３で表わされる化合物でアセタール化した変性部分
ケン化酢酸ビニル重合体を含有することを特徴とするリ
フトオフ用感光性下地材組成物、

【００１０】

【化３】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびｎは前出と同じ。）およ
び基材上にリフトオフ用感光性下地材組成物を塗布して
下地層とし、その上に感光性樹脂層を積層したのち、活
性光線を選択的に照射し、未照射部分を除去してレジス
トパターンを形成し、次いでペースト層を設けることを
特徴とするペーストパターンの形成方法に係る。

【００１１】本発明のリフトオフ用感光性下地組成物
は、上述のとおりケン化度７０〜９９モル％の部分ケン
化酢酸ビニル重合体を一般式化３で表わされる化合物で
アセタール化して得た変性部分ケン化酢酸ビニル重合体
（以下変性部分ケン化酢酸ビニル重合体という）を含有
する組成物であり、前記「酢酸ビニル重合体」とは、酢
酸ビニルのホモ重合体および共重合体をいう。そして酢
酸ビニルと共重合可能な単量体としては、具体的にエチ
レン、メチルアクリレート、メチルメタクリルレート、
アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−メチロールア
クリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタク
リルアミド、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、
マレイン酸、フマール酸、イタコン酸、ジメチルアミノ
エチルアクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレ
ート、ビニルイミダゾール、ビニルピリジン、ビニルサ
クシミド等が挙げられる。共重合可能な単量体は３０モ
ル％以下の範囲で共重合できる。また、前記「ケン化度
７０〜９９モル％」とは、酢酸ビニル重合体のビニルア
ルコール部分の含有量が７０〜９９モル％であることを
いう。さらに、前記「リフトオフ法」とは、感光性樹脂
組成物を基板上に塗布して感光性樹脂層を形成し、それ
をホトリソグラフィーでパターニングしてレジストパタ
ーンを形成し、有機溶媒などに分散したペースト組成物
を前記レジストパターンの全面に堆積したのち、残存レ
ジストを除去するか、あるいはパターニングして形成し
たレジストパターンの未露光部のレジストを除去した部
分にペースト材料を埋め込み、次いでレジストパターン
を剥離除去するかしてペーストパターンを形成する方法
をいう。前記変性部分ケン化酢酸ビニル重合体は水現像
可能で、かつ硬化後の耐溶剤性および耐水性から重合度
は１，０００〜１００，０００、 好ましくは１，５０
０〜１００，０００の範囲が選ばれる。

【００１２】上記一般式化３で表わされるの化合物とし
ては、具体的に下記化４〜８で表わされる化合物が挙げ
られる。

【００１３】

【化４】 ［Ｎ−メチル−γ−（ｐ−ホルミルスチリル）ピリジニ
ウムメチルスルフェート］

【００１４】

【化５】 ［Ｎ−メチル−γ−（ｐ−ホルミルスチリル）ピリジニ
ウムエチルスルフェート］

【００１５】

【化６】 ［Ｎ−エチル−γ−（ｐ−ホルミルスチリル）ピリジニ
ウムエチルスルフェート］

【００１６】

【化７】 ［Ｎ−プロピル−γ−（ｐ−ホルミルスチリル）ピリジ
ニウムメチルスルフェート］

【００１７】

【化８】 ［Ｎ−メチル−γ−（ｐ−（ポリエチレンオキサイド変
性）ホルミルスチリル）ピリジニウムメチルスルフェー
ト］（式中、ｎは０〜２０の整数を示す。）

【００１８】中でも、下記化９〜１２で表わされる化合
物が好ましい。

【００１９】

【化９】

【００２０】

【化１０】

【００２１】

【化１１】

【００２２】

【化１２】 特に、上記化９で表わされる化合物であるＮ−メチル−
γ−（ｐ−ホルミルスチリル）ピリジニウムメチルスル
フェート］が好適である。

【００２３】上記に加えて、本発明のリフトオフ用感光
性下地材組成物は、感度を向上させる目的で架橋剤を含
有することができる。前記架橋剤としては、具体的には
４−ジアゾジフェニルアミン硫酸塩、４−ジアゾジフェ
ニルアミン燐酸塩、３−メトキシ−４−ジアゾジフェニ
ルアミン硫酸塩、３−メトキシ−４−ジアゾジフェニル
アミン燐酸塩と、パラホルムアルデヒドや４，４’−ジ
メトキシジフェニルエーテル等との縮合物などのジアゾ
化合物が挙げられる。前記架橋剤は、変性部分ケン化酢
酸ビニル重合体１００重量部に対し２０重量部以下で含
有することができる。架橋剤の含有量が２０重量部を超
えると逆に感度低下が起ることがあり好ましくない、さ
らに、必要に応じて染料、顔料、消泡材、安定剤として
の無機酸、有機酸等も添加することができる。

【００２４】上記リフトオフ用感光性下地材組成物は、
溶剤に溶解して使用するが、該溶剤としては、具体的に
水やメタノール、エタノール、プロピルアルコール、イ
ソプロピルアルコール、ブチルアルコール、ペンチルア
ルコール、ヘキシルアルコール、ベンジルアルコールな
どのアルコール類、エチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレ
ングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコー
ルモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロ
ピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテルなどのエーテル類、およびこれらの１種
以上の混合物が挙げられる。前記溶剤は変性部分ケン化
酢酸ビニル重合体、および架橋剤の総量１００重量部に
対し５０〜５００重量部の範囲で配合することができ
る。

【００２５】上記リフトオフ用感光性下地材組成物を基
材上に塗布して下地層を形成し、その上に感光性樹脂層
が形成されるが、前記感光性樹脂層は、水性ポリマー、
光架橋性のジアゾ化合物、光重合性モノマーおよび光重
合開始剤、必要に応じて疎水性の重合体エマルジョンを
含有する感光性樹脂組成物で形成される。前記水性ポリ
マーとしては、具体的にポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、７０〜９９％部分ケン化ポリ酢酸ビニ
ル、７０〜９９％部分ケン化ポリ酢酸ビニルのホルマー
ル化またはブチラール化等による低級（炭素数１〜４）
アセタール化物、７０〜９９％部分ケン化ポリ酢酸ビニ
ルとｐ−ベンズアルデヒドスルホン酸、β−ブチルアル
デヒドスルホン酸、ｏ−ベンズアルデヒドスルホン酸、
２，４−ベンズアルデヒドスルホン酸等とのアセタール
化物、酢酸ビニルとエチレン、アクリレート類、メタク
リレート類、アクリルアミド類、アクリル酸、メタクリ
ル酸等の不飽和カルボン酸類、ジメチルアミノエチルメ
タクリレート、ビニルサクシンイミド等のカチオン性モ
ノマー類との共重合体、アクリルアミド、メチレンビス
アクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、ダイ
アセトンアクリルアミド、トリアクリルホルマール、ヒ
ドロキシメチルダイアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−
ジアクリルアミドジメチルエーテル及びこれらに相当す
るメタクリルアミドなどの（メタ）アクリルアミド系ポ
リマー等、又はこれらの混合物が挙げられる。中でも、
７０〜９９％部分ケン化ポリ酢酸ビニルポリマーは保存
安定性がよく、かつリフトオフ用感光性下地層との相容
性に優れ、しかもペースト組成物中の溶剤に対する耐溶
剤性、剥離時の剥離性もよいことから最適である。

【００２６】また、上記感光性樹脂組成物が含有する光
架橋性のジアゾ化合物としては、具体的には４−ジアゾ
ジフェニルアミン硫酸塩、４−ジアゾジフェニルアミン
燐酸塩、３−メトキシ−４−ジアゾジフェニルアミン硫
酸塩、３−メトキシ−４−ジアゾジフェニルアミン燐酸
塩などと、パラホルムアルデヒドなどのアルデヒド類と
の縮合物が挙げられる。さらに、被膜の硬化性向上のた
めに配合する光重合性モノマーとしては、具体的にメチ
ルアクリレート、メチルメタクリレート、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒド
ロキシプロピルメタクリレート、エチレングリコールジ
アクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、
トリエチレングリコールジアクリレート、トリエチレン
グリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコー
ルジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタク
リレート、プロピレングリコールジアクリレート、プロ
ピレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ
メタクリレート、テトラメチロールプロパンテトラアク
リレート、テトラメチロールプロパンテトラメタクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタ
エリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
メタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリ
レート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールヘキサメタクリレート、１，６−ヘ
キサンジオールジアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、ベンジルメタクリレート、カルドエポキシジアクリ
レート等光重合性基を有するモノマー、オリゴマー又は
プレポリマーなどが挙げられる。

【００２７】さらに、光重合開始剤としては、具体的に
ベンゾフェノン、４、４’−ビス（ジメチルアミノ）ベ
ンゾフェノン、３，３−ジメチル−４−メトキシ−ベン
ゾフェノン等のベンゾフェノン誘導体、アントラキノ
ン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキ
ノン、ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキ
ノン誘導体、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、
ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテ
ルなどのベンゾインアルキルエーテル誘導体、アセトフ
ェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェ
ノン、２，２−ジエトキシアセトフェノンなどのアセト
フェノン誘導体、２−クロロチオキサントン、ジエチル
チオキサントン、イソプロピルチオキサントン、ジイソ
プロピルチオキサントンなどのチオキサントン誘導体、
アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルア
セトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフ
ェノン、４’−イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メ
チルプロピオフェノン、２−メチル−１−〔４−（メチ
ルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノ−１−プロパノ
ンなどのアセトフェノン誘導体、ミヒラーズケトン、ベ
ンジル、２，４，６−（トリハロメチル）トリアジン、
２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミ
ダゾリル二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビ
ス（９−アクリジニル）ヘプタン、１，５−ビス（９−
アクリジニル）ペンタン、１，３−ビス（９−アクリジ
ニル）プロパン、ジメチルベンジルケタール、トリメチ
ルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、トリブロ
モメチルフェニルスルホン、２−ベンジル−２−ジメチ
ルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン
−１−オンなどが挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。前記光重合開始剤の少なくとも１種を直接
感光性樹脂組成物に配合しても、またモノマー、オリゴ
マー又はプレポリマーに溶解したのち配合してもよい。

【００２８】上記感光性樹脂組成物には、耐溶剤性を改
善するため疎水性重合体エマルジョンを含有することが
できる。前記疎水性重合体としては、ポリ酢酸ビニル、
酢酸ビニル／エチレン重合体、酢酸ビニル／アクリル酸
エステル共重合体、スチレン／ブタジエン重合体、メタ
クリル酸メチル／ブタジエン共重合体、アクリロニトリ
ル／ブタジエン共重合体、クロロプレン共重合体、イソ
プレン共重合体、ポリ（メタ）アクリル酸、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、シリコーン
樹脂、ポリエチレン、ポリウレタン、フッ素樹脂等を挙
げることができる。さらに、染料、顔料、消泡剤、安定
剤としての無機酸、有機酸も含有することができる。

【００２９】上記感光性樹脂層に形成したレジストパタ
ーン上にペースト層が形成されるが、該ペースト層を形
成するペースト組成物としては、高分子結合剤、金属ま
たは無機化合物微粒子および低融点ガラスフリットを含
有するペースト組成物が挙げられる。特に導電性金属微
粒子または絶縁性微粒子を含有するペースト組成物を用
いると微細で、耐溶剤性にすぐれた導電パターンまたは
絶縁パターンを再現性よく形成できる。前記高分子結合
剤としては、水不溶性、または難溶性の高分子化合物が
好ましい。具体的にはメチルアクリレート、メチルメタ
クリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレー
ト、プロピルアクリレート、プロピルメタクリレート、
ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、２−ヒド
ロキシエチルアクリレート、ベンジルアクリレート、ベ
ンジルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート、フマル酸モノメチル、フマル酸モノエチル、エ
チレングリコールモノメチルエーテルアクリレート、エ
チレングリコールモノメチルエーテルメタクリレート等
の単官能モノマーの共重合体や、エチルセルロース、ニ
トロセルロース等のセルロース誘導体、ブチラール化Ｐ
ＶＡなどのＰＶＡ誘導体、その他焼成により消失する材
料が挙げられる。

【００３０】また、金属、無機化合物粒子および低融点
ガラスフリットとしては、鉄、ニッケル、銅、アルミニ
ウム、銀、金などの導電性微粒子、酸化コバルト、酸化
鉄、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化マンガ
ン、酸化ネオジウム、酸化バナジウム、酸化セリウムチ
ペークイエロー、酸化カドミウム、アルミナ、シリカ、
マグネシア、スピネルなどの絶縁性微粒子、ホウ酸鉛ガ
ラス、ホウ酸亜鉛ガラスなどＳｉ、Ｂ、Ｐｂ、Ｎａ、
Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ等の各酸をガ
ラス類、Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ，ＣａＷＯ₄：Ｐｂ，ＢａＭ
ｇＡｌ₁₄Ｏ₂₃：Ｅｕ，ＺｎＳ：（Ａｇ，Ｃｄ），Ｙ
₂Ｏ₃：Ｅｕ，Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｅｕ，Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｅｕ，
Ｚｎ₃（ＰＯ₄）₂：Ｍｎ，ＹＢＯ₃：Ｅｕ，（Ｙ，Ｇｄ）
ＢＯ₃：Ｅｕ，ＧｄＢＯ₃：Ｅｕ，ＳｃＢＯ₃：Ｅｕ，Ｌ
ｕＢＯ₃：Ｅｕ，Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ，ＢａＡｌ
₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ，ＳｒＡｌ₁₃Ｏ₁₉：Ｍｎ，ＣａＡｌ
₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ，ＹＢＯ₃：Ｔｂ，ＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ₂₃：
Ｍｎ，ＬｕＢＯ₃：Ｔｂ，ＧｄＢＯ₃：Ｔｂ，ＳｃＢ
Ｏ₃：Ｔｂ，Ｓｒ₆Ｓｉ₃Ｏ₃Ｃｌ₄：Ｅｕ，ＺｎＯ：Ｚ
ｎ，ＺｎＳ：（Ｃｕ，Ａｌ），ＺｎＳ：Ａｇ，Ｙ₂Ｏ
₂Ｓ：Ｅｕ，ＺｎＳ：Ｚｎ，（Ｙ，Ｃｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ，
ＢａＭｇＡｌ₁₂Ｏ₂₃：Ｅｕなどの蛍光物質が挙げられ
る。

【００３１】本発明の感光性下地材組成物を使用したリ
フトオフ法によるペーストパターンの形成方法を以下に
詳述する。

【００３２】１）感光性下地材組成物の調製。 変性部分ケン化酢酸ビニル重合体および必要により含有
する架橋剤、溶剤、消泡剤などを３本ロールミル、ボー
ルミル、サンドミル等でよく混練して感光性下地材組成
物を調製する。

【００３３】２）下地層の形成 上記調製した感光性下地材組成物をワイヤーバー塗布、
ディップ塗布、ロール塗布、ブレード塗布、スピンナー
塗布、カーテンフロー塗布などの従来の塗布方法によ
り、乾燥後の膜厚が０．０１〜２μｍ程度となるように
基材上に塗布し下地層を形成する。前記基材としてはガ
ラス基板、プリント配線基板等を挙げることができる。
塗布に当たり予め基材上に溶剤を塗布しするのがよい。
この溶剤塗布により、基材と下地層の間に気泡が残るこ
とがなく均一な膜厚の下地層が形成できる。特に基材に
凹凸がある場合に有効である。

【００３４】３）感光性組成物の調製 水性ポリマー、光架橋性のジアゾ化合物、光重合性モノ
マーおよび光重合開始剤、必要に応じて疎水性の重合体
エマルジョンを３本ロールミル、ボールミル、サンドミ
ル等でよく混練して感光性樹脂組成物を調製する。

【００３５】４）感光樹脂層の形成 ガラス基板、プリント配線基板等の基板上に上記に調製
した感光性樹脂組成物を塗布するか、または可撓性支持
フィルム上に感光性樹脂層を形成したドライフィルムレ
ジストを、水および／または炭素数４以下の低級アルコ
ールを介して基板上に転写するなどの方法で感光性樹脂
層を形成する。前記感光性樹脂組成物の塗布方法として
は、ワイヤーバー塗布、ディップ塗布、ロール塗布、ブ
レード塗布およびカーテンフロー塗布など従来の方法が
採用される。また、ドライフィルムレジストは、膜厚１
５〜１２５μｍのポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ塩化
ビニル等の可撓性支持フィルム上に感光性樹脂組成物を
塗布し、その上に未使用時に感光性樹脂組成物層を安定
に保護するが、使用時には容易に剥ぎ取れる離型性を有
する、例えばシリコーンをコーティングまたは焼き付け
した厚さ１５〜１２５μｍ程度のポリエチレンテレフタ
レートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレ
ンフィルム等の合成樹脂フィルムを被着一体化して形成
される。前記可撓性支持フィルムとしては、特にポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが可撓性、耐
屈曲性の点から好ましい。

【００３６】上記ドライフィルムレジストは、さらに感
光性樹脂の酸素減感作用を防ぐとともに、露光時に密着
するマスクパターンの粘着防止のため、可撓性支持フィ
ルムと感光性樹脂層との間に水溶性樹脂層を設けること
もできる。前記水溶性樹脂層としては、ポリビニルアル
コール又は部分けん化ポリ酢酸ビニルなどの水溶性ポリ
マーの５〜２０重量％水溶液を乾燥膜厚１〜１０μｍに
塗布乾燥した層がよい。前記水溶性樹脂層を形成する水
溶性ポリマー溶液にさらにエチレングリコール、プロピ
レングリコール、ポリエチレングリコール等を添加する
と、水溶性樹脂層の可撓性が増すとともに、離型性が向
上するので好適である。

【００３７】５）露光処理 上記感光性樹脂層にネガマスクを介して、活性エネルギ
ー線を照射し露光する。前記露光エネルギー量は感光性
樹脂組成物の組成比に応じて若干変わるが５０〜１００
０ｍＪ／ｃｍ²の範囲が選ばれる。

【００３８】６）レジストパターンの形成 露光した感光性樹脂層をスプレー現像等の手段で現像処
理してレジストパターンを形成する。現像液としては、
冷水、温水、熱水や、これにモノエタノールアミン、ジ
エタノールアミン、トリエタノールアミン、炭酸ナトリ
ウム、アンモニア、４級アンモニウム塩等を添加した水
溶性の現像液が使用される。現像して得たレジストパタ
ーンにはさらにその耐性を向上するため、必要に応じて
硬膜処理を行うことができる。前記硬膜処理方法として
は、過ヨウ素酸ナトリウム、過ヨウ素酸カリウム水溶液
や、タンニン酸、コハク酸などの有機酸と硫酸、塩酸等
の鉱酸又はパラトルエンスルホン酸などの有機スルホン
酸に代表される酸水溶液をレジストパターンに塗布する
ことによって行うのがよい。

【００３９】７）ペースト組成物の塗布 上記形成したレジストパターンにペースト組成物を全面
に堆積またはレジストの除去部分にペースト組成物を埋
め込んでペースト層を積層する。ペーストの堆積または
埋め込み方法としては、スキージングによる埋め込み塗
布、スクリーン印刷による塗布、バーコート塗布、ブレ
ード塗布、ディップ塗布などが好適に使用できる。

【００４０】８）ペーストパターンの形成 ペースト層が乾燥された後、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸ナトリウム等の水溶
性剥離液を使用してレジストパターンと下地層を剥離
し、ペーストパターンを形成する。

【００４１】

【発明の実施の形態】次に実施例に基づいて本発明をさ
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何
ら限定されるものではない。

【００４２】

【実施例】

実施例１ リフトオフ用感光性下地材組成物としてケン化度８８％
のポリ酢酸ビニルポリマー（重合度約１０００）をＮ−
メチル−γ−（ｐ−ホルミルスチリル）−ピリジニウム
メチルスルフェート２モル％でアセタール化した変性部
分ケン化ポリ酢酸ビニル重合体２０重量部および水とイ
ソプロピルアルコール（水：イソプロピルアルコール重
量比＝９９：１）混合溶剤８０重量部とを混合して変性
部分ケン化ポリ酢酸ビニル重合体の２０％溶液を調製
し、それをガラス基板上に乾燥後の膜厚が５μｍとなる
ようにスピンナーを用いて塗布し、下地層を形成した。

【００４３】次いで下記成分、 ・ＰＶＡ（信越化学工業社製：ＰＡ−１８−ＧＰ） の２０％水溶液 １００重量部 ・ポリ酢酸ビニルエマルション（ヘキスト合成社製：ＭＡ−６） （固形分５０％） １６０重量部 ・紫外線吸収剤（湘南化学社製：ＡＳＬ−２４Ｓ） ０．０５重量部 ・３−メトキシ−４−ジアゾジフェニルアミン 硫酸塩と４，４’−ジメトキシジフェニルエーテル のリン酸浴中にパラホルムアルデヒドを滴下して 縮合した縮合物（縮合比２：１）の２０％水溶液 ８重量部 を加えてかきまぜたのち、脱泡してＰＥＴフィルム上に
乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように塗布、乾燥してド
ライフィルムレジストを形成し、それを下地層が未乾燥
の状態で貼り合わせ、常温で１時間乾燥した。

【００４４】上記感光性樹脂層に、８０μｍライン／４
０μｍスペースのレジストパターンを再現し得るマスク
を介して超高圧水銀灯により３００ｍＪ／ｃｍ²のエネ
ルギー量を照射し、４０℃の温水で９０秒間スプレー現
像を行い乾燥してレジストパターンを形成した。

【００４５】次に予め下記組成からなるペースト組成物
をよく混練したものを、スキージを用いて、ペースト組
成物の埋め込み部分の乾燥後の膜厚が２５μｍとなるよ
うにスキージングを行った。

【００４６】 ・エチルセルロース（ハーキュレス社製：ＴＫＫ０２１） ５重量部 ・低融点ガラス粉末（ホウ酸鉛ガラス、平均粒子径５μｍ） １００重量部 ・エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート ２００重量部

【００４７】上記ペーストを１００℃、２０分乾燥した
のち、レジストパターン表面に残っているペーストを耐
水ペーパーで除去し、２５℃の２％過ヨウ素酸ナトリウ
ム中で２５秒間浸漬し、さらに２５℃の水でスプレー処
理してレジストパターンと下地層を剥離除去した。基板
上には膜厚２５μｍ、ライン４０μｍのペーストパター
ンが再現性よく設けられ、ペーストパターンに欠けや剥
がれは見られなかった。また、８０μｍスペース部には
剥離残りは見られなかった。

【００４８】実施例２ リフトオフ用感光性下地材組成物としてケン化度８８％
のポリ酢酸ビニルポリマー（重合度約１０００）に〔Ｎ
−メチル−γ−（ｐ−ホルミルスチリル）−ピリジニウ
ムエチルスルフェート〕２モル％でアセタール化して得
た変性部分ケン化ポリ酢酸ビニル重合体２０重量部およ
び水とイソプロピルアルコール（水：イソプロピルアル
コール重量比＝９９：１）８０重量部との混合物溶液
を、ガラス基板上に乾燥後の膜厚が５μｍとなるように
スピンナーを用いて塗布し、下地層を形成した。

【００４９】次いで、実施例１で形成したドライフィル
ムレジストを、下地層が未乾燥の状態で貼り合わせ、常
温で１時間乾燥させた。

【００５０】その後、１００μｍライン／５０μｍスペ
ースのレジストパターンを再現し得るマスクを介して超
高圧水銀灯により３００ｍＪ／ｃｍ²のエネルギー量を
照射し、４０℃の温水で９０秒間スプレー現像を行い乾
燥してレジストパターンを形成した。

【００５１】さらに実施例１で調製したペースト組成物
をスキージを用いて、ペースト組成物の埋め込み部分の
乾燥後の膜厚が２５μｍとなるようにスキージングを行
った。これを実施例１と同様に１００℃、２０分乾燥し
たのち、レジストパターン表面に残っているペーストを
耐水ペーパーで除去し、２５℃の２％過ヨウ素酸ナトリ
ウム中で２５秒間浸漬し、さらに２５℃の水でスプレー
処理してレジストパターンと下地層を剥離除去した。基
板上には膜厚２５μｍ、ライン５０μｍのペーストパタ
ーンが再現性よく設けられ、ペーストパターンに欠けや
剥がれは見られなかった。また、１００μｍスペース部
には剥離残りは見られなかった。

【００５２】実施例３ リフトオフ用感光性下地材組成物としてケン化度８８％
のポリ酢酸ビニルポリマー（重合度約１０００）に〔Ｎ
−エチル−γ−（ｐ−ホルミルスチリル）−ピリジニウ
ムメチルスルフェート〕２モル％でアセタール化して得
た変性部分ケン化ポリ酢酸ビニル重合体２０重量部およ
び水とイソプロピルアルコール（水：イソプロピルアル
コール重量比＝９９：１）８０重量部との混合物溶液を
ガラス基板上に乾燥後の膜厚が５μｍとなるようにスピ
ンナーを用いて塗布し、下地層を形成した。

【００５３】次いで、実施例１で形成したドライフィル
ムレジストを、下地層が未乾燥の状態で貼り合わせ、常
温で１時間乾燥させた。

【００５４】その後、１００μｍライン／５０μｍスペ
ースのレジストパターンを再現し得るマスクを介して超
高圧水銀灯により３００ｍＪ／ｃｍ²のエネルギー量を
照射し、４０℃の温水で９０秒間スプレー現像を行い乾
燥してレジストパターンを形成した。

【００５５】さらに実施例１で調製したペースト組成物
をスキージを用いて、ペースト組成物の埋め込み部分の
乾燥後の膜厚が２５μｍとなるようにスキージングを行
った。これを実施例１と同様に１００℃、２０分乾燥し
たのち、レジストパターン表面に残っているペーストを
耐水ペーパーで除去し、２５℃の２％過ヨウ素酸ナトリ
ウム中で２５秒間浸漬し、さらに２５℃の水でスプレー
処理してレジストパターンと下地層を剥離除去した。基
板上には膜厚２５μｍ、ライン５０μｍのペーストパタ
ーンが再現性よく設けられ、ペーストパターンに欠けや
剥がれは見られなかった。また、１００μｍスペース部
には剥離残りは見られなかった。

【００５６】実施例４ リフトオフ用感光性下地材組成物としてケン化度８８％
のポリ酢酸ビニルポリマー（重合度約１０００）に〔Ｎ
−プロピル−γ−（ｐ−ホルミルスチリル）−ピリジニ
ウムメチルスルフェート〕２モル％でアセタール化して
得た変性部分ケン化ポリ酢酸ビニル重合体２０重量部お
よび水とイソプロピルアルコール（水：イソプロピルア
ルコール重量比＝９９：１）８０重量部との混合物溶液
をガラス基板上に乾燥後の膜厚が５μｍとなるようにス
ピンナーを用いて塗布し、下地層を形成した。

【００５７】次いで、実施例１で形成したドライフィル
ムレジストを、下地層が未乾燥の状態で貼り合わせ、常
温で１時間乾燥させた。

【００５８】その後、１００μｍライン／１００μｍス
ペースを再現し得るマスクを介して超高圧水銀灯により
３００ｍＪ／ｃｍ²のエネルギー量を照射し、４０℃の
温水で９０秒間スプレー現像を行い乾燥してレジストパ
ターンを得た。

【００５９】さらに下記組成からなるペースト組成物を
よく混練したものを、スキージを用いて、ペースト組成
物の埋め込み部分の乾燥後の膜厚が２５μｍとなるよう
にスキージングを行った。

【００６０】 ・エチルセルロース（ハーキュレス社製：ＴＫＫ０２１） ５重量部 ・蛍光体粉末（Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ、平均粒子径１２μｍ） １００重量部 ・プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート １５０重量部

【００６１】これを実施例１と同様に１００℃、２０分
乾燥したのち、レジストパターン表面に残っているペー
ストを耐水ペーパーで除去し、２５℃の２％過ヨウ素酸
ナトリウム中で２５秒間浸漬し、さらに２５℃の水でス
プレー処理してレジストパターンと接着層を剥離除去し
た。基板上には膜厚２５μｍ、ライン１００μｍのペー
ストパターンが再現性よく設けられ、ペーストパターン
に欠けや剥がれは見られなかった。また、１００μｍス
ペース部には剥離残りは見られなかった。

【００６２】実施例５ リフトオフ用感光性下地材組成物としてケン化度８８％
のポリ酢酸ビニルポリマー（重合度約１０００）に〔Ｎ
−メチル−γ−（ｐ−（ポリエチレンオキサイド変性）
ホルミルスチリル）−ピリジニウムメチルスルフェー
ト〕（ポリエチレンオキサイドの平均繰り返し数８）を
２モル％でアセタール化して得た変性部分ケン化ポリ酢
酸ビニル重合体の２０重量部および水とイソプロピルア
ルコール（水：イソプロピルアルコール重量比＝９９：
１）８０重量部との混合物溶液をガラス基板上に乾燥後
の膜厚が５μｍとなるようにスピンナーを用いて塗布
し、下地層を形成した。

【００６３】次いで、実施例１で形成したドライフィル
ムレジストを、下地層が未乾燥の状態で貼り合わせ、常
温で１時間乾燥させた。

【００６４】その後、１００μｍライン／５０μｍスペ
ースのレジストパターンを再現し得るマスクを介して超
高圧水銀灯により３００ｍＪ／ｃｍ²のエネルギー量を
照射し、４０℃の温水で９０秒間スプレー現像を行い乾
燥してレジストパターンを形成した。

【００６５】さらに実施例１で調製したペースト組成物
をスキージを用いて、ペースト組成物の埋め込み部分の
乾燥後の膜厚が２５μｍとなるようにスキージングを行
った。これを実施例１と同様に１００℃、２０分乾燥し
たのち、レジストパターン表面に残っているペーストを
耐水ペーパーで除去し、２５℃の２％過ヨウ素酸ナトリ
ウム中で２５秒間浸漬し、さらに２５℃の水でスプレー
処理してレジストパターンと下地層を剥離除去した。基
板上には膜厚２５μｍ、ライン５０μｍのペーストパタ
ーンが再現性よく設けられ、ペーストパターンに欠けや
剥がれは見られなかった。また、１００μｍスペース部
には剥離残りは見られなかった。

【００６６】比較例１ 実施例１において、下地層を設けることなく水とイソプ
ロピルアルコール（水：イソプロピルアルコール重量比
＝９９：１）溶液をガラス基板上に噴霧し、実施例１で
形成したドライフィルムレジストをガラス基板と貼り合
わせ、常温で１時間乾燥させた。その後、１００μｍラ
イン／５０μｍスペースのレジストパターンを再現し得
るマスクを介して超高圧水銀灯により３００ｍＪ／ｃｍ
²のエネルギー量を照射し、４０℃の温水で９０秒間ス
プレー現像を行い乾燥してレジストパターンを形成し
た。

【００６７】次いで、実施例１で調製したペースト組成
物をスキージを用いて、ペースト組成物の埋め込み部分
の乾燥後の膜厚が２５μｍとなるようにスキージングを
行った。

【００６８】これを実施例１と同様に１００℃、２０分
乾燥したのち、レジストパターン表面に残っているペー
ストを耐水ペーパーで除去し、２５℃の２％過ヨウ素酸
ナトリウム中で２５秒間浸漬し、さらに２５℃の水でス
プレー処理してレジストパターンと下地層を剥離除去し
たが、レジストパターンの現像時に、レジストパターン
の一部が剥がれ、ペースト組成物の埋め込み時にペース
トの一部がレジストパターンの剥がれた部分に回り込
み、ライン５０μｍのペーストパターンを再現性よく設
けることができなかった。

【００６９】

【発明の効果】本発明のリフトオフ用感光性下地材組成
物により下地層を設けその上に感光樹脂層を積層する
と、積層時の作業性が容易となるとともに、ペーストパ
ターン形成時やペースト組成物埋め込み時にレジストパ
ターンの欠落が防止でき、さらに前記レジストパターン
の剥離時にペーストパターンの欠けも生じることがな
く、良好なペーストパターンを形成できる。このように
本発明のペーストパターンの形成方法は、微細なペース
トパターンを精度よくしかも再現性よく、簡便な作業で
形成でき、その工業的価値は高いものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｈ０５Ｋ 3/02 21/306 Ｎ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】リフトオフ法でペーストパターンを形成す
   るための下地材組成物において、前記下地材組成物がケ
   ン化度７０〜９９モル％の部分ケン化酢酸ビニル重合体
   を一般式化１で表わされる化合物でアセタール化した変
   性部分ケン化酢酸ビニル重合体を含有することを特徴と
   するリフトオフ用感光性下地材組成物。 【化１】（式中、Ｒ₁は炭素数１〜５の側鎖にアルキル
   基を有してもよいアルキレン基、Ｒ₂、Ｒ₃は炭素数１〜
   ３のアルキル基を表わし、ｎは０〜２０の整数を示
   す。）
2. 【請求項２】一般式化１で表わされる化合物の置換基Ｒ
   ₂およびＲ₃がメチル基で、ｎが０であることを特徴とす
   る請求項１記載のリフトオフ用感光性下地材組成物。
3. 【請求項３】ケン化度７０〜９９モル％の部分ケン化酢
   酸ビニル重合体の０．４〜１５モル％が一般式化２で表
   わされる化合物でアセタール化されていることを特徴と
   する請求項１記載のリフトオフ用感光性下地材組成物。 【化２】（式中、Ｒ₁は炭素数１〜５の側鎖にアルキル
   基を有してもよいアルキレン基、Ｒ₂、Ｒ₃は炭素数１〜
   ３のアルキル基を表わし、ｎは０〜２０の整数を示
   す。）
4. 【請求項４】基材上にリフトオフ用感光性下地材組成物
   を塗布して下地層とし、その上に感光性樹脂層を積層し
   たのち、活性光線を選択的に照射し、未照射部分を除去
   してレジストパターンを形成し、次いでペースト層を設
   けることを特徴とするペーストパターンの形成方法。
5. 【請求項５】可撓性支持フィルム上に感光性樹脂層を積
   層したドライフイルムレジストを下地層の上に貼り合わ
   せ前記感光性樹脂層を転写することを特徴とする請求項
   ４に記載のペーストパターンの形成方法。
6. 【請求項６】基材上に溶剤を塗布したのち、下地層を形
   成することを特徴とする請求項４または５記載のペース
   トパターンの形成方法。
7. 【請求項７】溶剤が水、アルコールまたは水とアルコー
   ルとの混合物のいずれかであることを特徴とする請求項
   ６記載のペーストパターンの形成方法。
8. 【請求項８】溶剤が水とイソプロピルアルコールとの混
   合物であることを特徴とする請求項７記載のペーストパ
   ターンの形成方法。
9. 【請求項９】レジストパターンのレジスト除去部分にペ
   ースト組成物を埋め込むことを特徴とする請求項４ない
   し８のいずれか１記載のペーストパターンの形成方法。