JPH1027967A - 高温用基板 - Google Patents
高温用基板Info
- Publication number
- JPH1027967A JPH1027967A JP19691096A JP19691096A JPH1027967A JP H1027967 A JPH1027967 A JP H1027967A JP 19691096 A JP19691096 A JP 19691096A JP 19691096 A JP19691096 A JP 19691096A JP H1027967 A JPH1027967 A JP H1027967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductive layer
- substrate
- insulating layer
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温環境下において使用される場合において
も、反り、ねじれなどの変形を発生しにくくし、高温環
境下の使用における悪影響を最小限に抑制する。 【解決手段】 絶縁層と導電層との積層により形成され
る基板において、絶縁層８，１０と導電層７，９との
間、導電層１１，１３と導電層１２，１４との間、ある
いは、絶縁層または導電層の外面に、セラミックス層１
５を形成するようにしている。
も、反り、ねじれなどの変形を発生しにくくし、高温環
境下の使用における悪影響を最小限に抑制する。 【解決手段】 絶縁層と導電層との積層により形成され
る基板において、絶縁層８，１０と導電層７，９との
間、導電層１１，１３と導電層１２，１４との間、ある
いは、絶縁層または導電層の外面に、セラミックス層１
５を形成するようにしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路チップの
検査などに使用されるプローブカードや、その他の高温
下で使用される基板の改良に関するものである。
検査などに使用されるプローブカードや、その他の高温
下で使用される基板の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年における半導体およびその集積回路
技術の著しい進展に伴い、大規模半導体集積回路（ＬＳ
Ｉ）やメモリＩＣなどの製造過程において、とりわけウ
エハー状態で個々のチップの検査治具として用いられる
プローブカードについても、種々の厳しい要求条件への
対応が求められている。
技術の著しい進展に伴い、大規模半導体集積回路（ＬＳ
Ｉ）やメモリＩＣなどの製造過程において、とりわけウ
エハー状態で個々のチップの検査治具として用いられる
プローブカードについても、種々の厳しい要求条件への
対応が求められている。
【０００３】たとえば、集積回路チップの検査工程にお
いて、近年該チップに熱を印加して行う検査方式が一般
化するようになり、この場合の検査治具として使用され
るプローブカードにおいても、高温環境下における使用
を考慮した対策が必要とされている。
いて、近年該チップに熱を印加して行う検査方式が一般
化するようになり、この場合の検査治具として使用され
るプローブカードにおいても、高温環境下における使用
を考慮した対策が必要とされている。
【０００４】この対応策の１つとして、プローブカード
の主要部分として使用されるプリント基板の材料、およ
び、検査用の針（プローブ）を固定する樹脂には、高温
用のポリイミド系樹脂材及びエポキシ系樹脂材が使用さ
れている。例えば、図４は従来の両面基板の断面を示す
ものであるが、従来の両面基板３１は、上面の第１導電
層３２および下面の第２導電層３３が銅箔により形成さ
れ、その間にガラス布およびエポキシ樹脂の混合材、あ
るいは、ポリイミド樹脂による絶縁層３４が挿入された
３層構成として形成されている。なお、本願明細書にお
いて、導電層とは、パターン層（または信号層）、電源
層、接地層を総称するものである。
の主要部分として使用されるプリント基板の材料、およ
び、検査用の針（プローブ）を固定する樹脂には、高温
用のポリイミド系樹脂材及びエポキシ系樹脂材が使用さ
れている。例えば、図４は従来の両面基板の断面を示す
ものであるが、従来の両面基板３１は、上面の第１導電
層３２および下面の第２導電層３３が銅箔により形成さ
れ、その間にガラス布およびエポキシ樹脂の混合材、あ
るいは、ポリイミド樹脂による絶縁層３４が挿入された
３層構成として形成されている。なお、本願明細書にお
いて、導電層とは、パターン層（または信号層）、電源
層、接地層を総称するものである。
【０００５】しかし、高温用のポリイミド系樹脂材、エ
ポキシ系樹脂材を使用したプローブカードにおいても、
高温下においてこれに外力が加えられた場合、プリント
基板の反り、ねじれなどの変形が皆無ではなく、これら
の変形による集積回路チップの測定検査に対する悪影響
を無視することができない。
ポキシ系樹脂材を使用したプローブカードにおいても、
高温下においてこれに外力が加えられた場合、プリント
基板の反り、ねじれなどの変形が皆無ではなく、これら
の変形による集積回路チップの測定検査に対する悪影響
を無視することができない。
【０００６】また、半導体集積回路の集積度が進むとと
もに、使用されるプリント基板の表面の耐トラッキング
性や耐アーク性などの電気的諸特性に対する要求も一層
厳しくなりつつある。
もに、使用されるプリント基板の表面の耐トラッキング
性や耐アーク性などの電気的諸特性に対する要求も一層
厳しくなりつつある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱安
定性および熱放射性に優れ、高温環境下において使用さ
れる場合においても、反り、ねじれなどの変形が発生し
にくく、高温環境下の使用における悪影響を最小限に抑
制可能な高温用基板を提供することである。
定性および熱放射性に優れ、高温環境下において使用さ
れる場合においても、反り、ねじれなどの変形が発生し
にくく、高温環境下の使用における悪影響を最小限に抑
制可能な高温用基板を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、絶縁層と導電層との積層により形成され
る基板において、絶縁層と導電層との間、導電層と導電
層との間、あるいは、絶縁層または導電層の外面に、セ
ラミックス層を形成するようにしたことを特徴とするも
のである。
に、本発明は、絶縁層と導電層との積層により形成され
る基板において、絶縁層と導電層との間、導電層と導電
層との間、あるいは、絶縁層または導電層の外面に、セ
ラミックス層を形成するようにしたことを特徴とするも
のである。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態で
ある、高温用両面基板の断面図である。図１に示すよう
に、高温用両面基板１においては、上面の第１導電層２
と絶縁層３との間、および、下面の第２導電層４と絶縁
層３との間に、それぞれ厚さ０．１ｍｍ程度のセラミッ
クス層５を形成するようにして高温用両面基板１が構成
される。なお、導電層２，４は例えば銅箔により形成さ
れ、絶縁層３は、例えばガラス布およびエポキシ樹脂の
混合材、あるいは、ポリイミド樹脂により形成される。
図２は、本発明の実施の他の形態である、高温用多層基
板の断面図であり、本例では６層の高温用多層基板６と
して示されている。
ある、高温用両面基板の断面図である。図１に示すよう
に、高温用両面基板１においては、上面の第１導電層２
と絶縁層３との間、および、下面の第２導電層４と絶縁
層３との間に、それぞれ厚さ０．１ｍｍ程度のセラミッ
クス層５を形成するようにして高温用両面基板１が構成
される。なお、導電層２，４は例えば銅箔により形成さ
れ、絶縁層３は、例えばガラス布およびエポキシ樹脂の
混合材、あるいは、ポリイミド樹脂により形成される。
図２は、本発明の実施の他の形態である、高温用多層基
板の断面図であり、本例では６層の高温用多層基板６と
して示されている。
【００１０】セラミックスは本来絶縁材であり、上面の
第１導電層７と絶縁層８との間、および、下面の第６導
電層９と絶縁層１０の間の他、第２導電層１１と第３導
電層１２との間、および、第４導電層１３と第５導電層
１４と間に、それぞれ厚さ０．１ｍｍ程度のセラミック
ス層１５を形成した構造とすることにより、高温環境下
における基板の変形をより一層少なくすることが可能と
なる。
第１導電層７と絶縁層８との間、および、下面の第６導
電層９と絶縁層１０の間の他、第２導電層１１と第３導
電層１２との間、および、第４導電層１３と第５導電層
１４と間に、それぞれ厚さ０．１ｍｍ程度のセラミック
ス層１５を形成した構造とすることにより、高温環境下
における基板の変形をより一層少なくすることが可能と
なる。
【００１１】なお、第１導電層７から第６導電層９まで
の各導電層は、それぞれ信号層および接地層として使い
分けられる。
の各導電層は、それぞれ信号層および接地層として使い
分けられる。
【００１２】このように、プリント基板に対するセラミ
ックス材の使用により、従来のプリント基板と比較して
基板全体の膨張率が著しく低下し、熱による基板の膨
張、変形により発生していた様々な悪影響を除去するこ
とができる。
ックス材の使用により、従来のプリント基板と比較して
基板全体の膨張率が著しく低下し、熱による基板の膨
張、変形により発生していた様々な悪影響を除去するこ
とができる。
【００１３】さらに、セラミックス層の配置により、プ
リント基板の熱安定性に加えて、基板の熱放射性、基板
表面の耐アーク性などの電気的諸特性をも優れたものと
することができる。
リント基板の熱安定性に加えて、基板の熱放射性、基板
表面の耐アーク性などの電気的諸特性をも優れたものと
することができる。
【００１４】図３は、高温環境下における集積回路チッ
プの測定検査に使用される、セラミックス層を挿入配置
した高温用プローブカードを示す図であり、ここでは２
層の導電層を有する両面基板として単純化して示してい
るが、必要によりたとえば６層〜８層など、多数の信号
層および接地層を含む多層基板が用いられる。
プの測定検査に使用される、セラミックス層を挿入配置
した高温用プローブカードを示す図であり、ここでは２
層の導電層を有する両面基板として単純化して示してい
るが、必要によりたとえば６層〜８層など、多数の信号
層および接地層を含む多層基板が用いられる。
【００１５】一般に、図３（ａ）に示すプローブカード
１６の開口部１７が大きくなる程、熱によるプローブカ
ード１６の反り、ねじれなどの変形が大きくなるが、図
３（ｂ）における図３（ａ）のＡ−Ａ’拡大断面図に示
すように、プローブカード１６の上面の第１導電層１８
と絶縁層１９、下面の第２導電層２０と絶縁層１９との
間に、それぞれセラミックス層２１を形成する他、開口
部１７の周囲の下面にセラミックリング２２を装着し、
これに針（プローブ）２３を支持するエポキシ樹脂やポ
リイミド樹脂などによる樹脂部２４を保持する構造とす
ることにより、高温環境下においても測定検査用の針２
３には最小限の熱的影響しか加わらず、測定検査対象で
ある集積回路チップのパッド２５に対して、針２３を常
に正確に接触させることができ、高温下においても安定
した集積回路チップの測定検査が可能となる。
１６の開口部１７が大きくなる程、熱によるプローブカ
ード１６の反り、ねじれなどの変形が大きくなるが、図
３（ｂ）における図３（ａ）のＡ−Ａ’拡大断面図に示
すように、プローブカード１６の上面の第１導電層１８
と絶縁層１９、下面の第２導電層２０と絶縁層１９との
間に、それぞれセラミックス層２１を形成する他、開口
部１７の周囲の下面にセラミックリング２２を装着し、
これに針（プローブ）２３を支持するエポキシ樹脂やポ
リイミド樹脂などによる樹脂部２４を保持する構造とす
ることにより、高温環境下においても測定検査用の針２
３には最小限の熱的影響しか加わらず、測定検査対象で
ある集積回路チップのパッド２５に対して、針２３を常
に正確に接触させることができ、高温下においても安定
した集積回路チップの測定検査が可能となる。
【００１６】なお、上面の第１導電層１８には、外部か
らのピンなどが接続されるランド２６や、リレー、コン
デンサ、抵抗などの電子部品が取り付けられる端子穴２
７などが設けられ、測定検査のための電流は、上面の第
１導電層１８のランド２６→下面の第２導電層２０のプ
リント配線→針２３→パッド２５と流れる。
らのピンなどが接続されるランド２６や、リレー、コン
デンサ、抵抗などの電子部品が取り付けられる端子穴２
７などが設けられ、測定検査のための電流は、上面の第
１導電層１８のランド２６→下面の第２導電層２０のプ
リント配線→針２３→パッド２５と流れる。
【００１７】なお、セラミックス層の配置については、
基板自体の強度を考慮しさえすれば全く任意であり、特
殊なケースとしては基板表裏のいずれか片面あるいは両
面をセラミックス層とするような配置も可能である。
基板自体の強度を考慮しさえすれば全く任意であり、特
殊なケースとしては基板表裏のいずれか片面あるいは両
面をセラミックス層とするような配置も可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
絶縁層と導電層との積層により形成される基板におい
て、絶縁層と導電層との間、導電層と導電層との間、あ
るいは、絶縁層または導電層の外面に、セラミックス層
を形成するようにしたから、高温環境下において使用さ
れる場合においても、反り、ねじれなどの変形を発生し
にくくし、高温環境下の使用における悪影響を最小限に
抑制することができる。
絶縁層と導電層との積層により形成される基板におい
て、絶縁層と導電層との間、導電層と導電層との間、あ
るいは、絶縁層または導電層の外面に、セラミックス層
を形成するようにしたから、高温環境下において使用さ
れる場合においても、反り、ねじれなどの変形を発生し
にくくし、高温環境下の使用における悪影響を最小限に
抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態である高温用両面基板の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の実施の他の形態である高温用多層基板
の断面図である。
の断面図である。
【図３】高温環境下における集積回路チップの測定検査
に使用される、セラミックス層をが形成された高温用プ
ローブカードを示す図である。
に使用される、セラミックス層をが形成された高温用プ
ローブカードを示す図である。
【図４】従来の両面基板の断面図である。
１ 高温用両面基板 ２ 第１導電層 ３ 絶縁層 ４ 第２導電層 ５ セラミックス層 ６ 高温用多層基板 ７ 第１導電層 ８ 絶縁層 ９ 第６導電層 １０ 絶縁層 １１ 第２導電層 １２ 第３導電層 １３ 第４導電層 １４ 第５導電層 １５ セラミックス層 １６ プローブカード １７ 開口部 １８ 第１導電層 １９ 絶縁層 ２０ 第２導電層 ２１ セラミックス層 ２２ セラミックスリング ２３ 針 ２４ 樹脂部 ２５ パッド ２６ ランド ２７ 端子穴
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁層と導電層の積層により形成される
基板において、絶縁層と導電層との間に、セラミックス
層を形成するようにしたことを特徴とする高温用基板。 - 【請求項２】 絶縁層と導電層の積層により形成される
基板において、導電層と導電層との間に、セラミックス
層を形成するようにしたことを特徴とする高温用基板。 - 【請求項３】 絶縁層と導電層の積層により形成される
基板において、絶縁層または導電層の外面に、セラミッ
クス層を形成するようにしたことを特徴とする高温用基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19691096A JPH1027967A (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 高温用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19691096A JPH1027967A (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 高温用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027967A true JPH1027967A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16365697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19691096A Pending JPH1027967A (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 高温用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1027967A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010243303A (ja) * | 2009-04-04 | 2010-10-28 | Advanced Systems Japan Inc | 低熱膨張インターポーザ |
| JP2010243302A (ja) * | 2009-04-04 | 2010-10-28 | Advanced Systems Japan Inc | 干渉防止構造プローブカード |
-
1996
- 1996-07-09 JP JP19691096A patent/JPH1027967A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010243303A (ja) * | 2009-04-04 | 2010-10-28 | Advanced Systems Japan Inc | 低熱膨張インターポーザ |
| JP2010243302A (ja) * | 2009-04-04 | 2010-10-28 | Advanced Systems Japan Inc | 干渉防止構造プローブカード |
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