JPH10275933A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH10275933A JPH10275933A JP7781697A JP7781697A JPH10275933A JP H10275933 A JPH10275933 A JP H10275933A JP 7781697 A JP7781697 A JP 7781697A JP 7781697 A JP7781697 A JP 7781697A JP H10275933 A JPH10275933 A JP H10275933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- layer
- electrode
- chip
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 5
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 7
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハからチップへの切断分離の分離幅を狭
くしてチップの取れ数を多くすることができると共に、
半導体層の電気抵抗が比較的大きいチッ化ガリウム系化
合物半導体が用いられる半導体発光素子においても、チ
ップの面内での電流が均一になり、全体で均一に発光す
る半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板１と、該絶縁性基板上に発光
層を形成すべくチッ化ガリウム系化合物半導体が積層さ
れる半導体積層部１０と、該半導体積層部の表面側の第
１導電形の半導体層（ｐ形層５）に接続して設けられる
第１の電極（ｐ側電極８）と、前記半導体積層部の一部
がエッチングにより除去されて露出する第２導電形の半
導体層（ｎ形層３）に接続して設けられる第２の電極
（ｎ側電極９）とから発光素子チップがなり、該発光素
子チップの平面形状が、ひし形形状または３角形状で、
該形状の鋭角の角部に前記第２の電極が形成されてい
る。
くしてチップの取れ数を多くすることができると共に、
半導体層の電気抵抗が比較的大きいチッ化ガリウム系化
合物半導体が用いられる半導体発光素子においても、チ
ップの面内での電流が均一になり、全体で均一に発光す
る半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板１と、該絶縁性基板上に発光
層を形成すべくチッ化ガリウム系化合物半導体が積層さ
れる半導体積層部１０と、該半導体積層部の表面側の第
１導電形の半導体層（ｐ形層５）に接続して設けられる
第１の電極（ｐ側電極８）と、前記半導体積層部の一部
がエッチングにより除去されて露出する第２導電形の半
導体層（ｎ形層３）に接続して設けられる第２の電極
（ｎ側電極９）とから発光素子チップがなり、該発光素
子チップの平面形状が、ひし形形状または３角形状で、
該形状の鋭角の角部に前記第２の電極が形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は青色系（紫外線から
黄色）の光を発光するのに適したチッ化ガリウム系化合
物半導体が用いられる半導体発光素子に関する。さらに
詳しくは、絶縁性基板上に半導体層が積層されるウェハ
から切断分離して発光素子チップを形成する場合に、切
断分離がし易く、チップの取れ数を向上させ得るチップ
形状の半導体発光素子に関する。
黄色）の光を発光するのに適したチッ化ガリウム系化合
物半導体が用いられる半導体発光素子に関する。さらに
詳しくは、絶縁性基板上に半導体層が積層されるウェハ
から切断分離して発光素子チップを形成する場合に、切
断分離がし易く、チップの取れ数を向上させ得るチップ
形状の半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば青色系の半導体発光素子は、図
３にその発光素子チップ（以下、ＬＥＤチップという）
の一例の斜視図および平面の説明図が示されるように、
サファイアからなる絶縁性の基板上にチッ化ガリウム系
化合物半導体層が積層されて形成される。すなわち、ウ
ェハ状のサファイア基板２１上にたとえばｎ形のＧａＮ
がエピタキシャル成長されたｎ形層（クラッド層）２３
と、バンドギャップエネルギーがクラッド層のそれより
も小さくなる材料、たとえばＩｎＧａＮ系（ＩｎとＧａ
の比率が種々変わり得ることを意味する、以下同じ）化
合物半導体からなる活性層２４と、ｐ形のＧａＮからな
るｐ形層（クラッド層）２５とが積層され、その表面の
ｐ形層２５に電気的に接続してｐ側（上部）電極２８
が、積層された半導体層の一部がエッチングされて露出
するｎ形層２３と電気的に接続してｎ側（下部）電極２
９がそれぞれ各チップごとに設けられる。そして各チッ
プに切断分離することにより、ＬＥＤチップが形成され
ている。
３にその発光素子チップ（以下、ＬＥＤチップという）
の一例の斜視図および平面の説明図が示されるように、
サファイアからなる絶縁性の基板上にチッ化ガリウム系
化合物半導体層が積層されて形成される。すなわち、ウ
ェハ状のサファイア基板２１上にたとえばｎ形のＧａＮ
がエピタキシャル成長されたｎ形層（クラッド層）２３
と、バンドギャップエネルギーがクラッド層のそれより
も小さくなる材料、たとえばＩｎＧａＮ系（ＩｎとＧａ
の比率が種々変わり得ることを意味する、以下同じ）化
合物半導体からなる活性層２４と、ｐ形のＧａＮからな
るｐ形層（クラッド層）２５とが積層され、その表面の
ｐ形層２５に電気的に接続してｐ側（上部）電極２８
が、積層された半導体層の一部がエッチングされて露出
するｎ形層２３と電気的に接続してｎ側（下部）電極２
９がそれぞれ各チップごとに設けられる。そして各チッ
プに切断分離することにより、ＬＥＤチップが形成され
ている。
【０００３】このＬＥＤチップへの切断分離は、サファ
イア基板があるため劈開をすることができず、サファイ
ア基板の裏面からダイヤモンドペンにより線を入れて割
る方法により行われている。そしてその切断線は碁盤の
目状に縦横が直角方向に切断され、図３に示されるよう
に、平面形状で正方形または長方形に形成されている。
このようにして形成されたＬＥＤチップのｐ側電極２８
およびｎ側電極２９は、四角形の対角線方向に対向する
２つの角部にそれぞれ設けられている。この両電極に順
方向の電圧が印加されることにより、電流はｐ側電極２
８からｐ形層２５に広がりながら活性層２４を通ってｎ
形層２３に進み、ｎ形層２３からｎ側電極２９に向かっ
て流れる。この電流経路の活性層２４部でキャリアが再
結合して発光する。なお、ｐ形層２５での電流を充分に
広げてｐ形層２５の全体で電流が流れるようにするた
め、ｐ形層２５の表面側にＮｉ-Ａｕの合金層などから
なる電流拡散層（図示せず）が設けられることがある。
イア基板があるため劈開をすることができず、サファイ
ア基板の裏面からダイヤモンドペンにより線を入れて割
る方法により行われている。そしてその切断線は碁盤の
目状に縦横が直角方向に切断され、図３に示されるよう
に、平面形状で正方形または長方形に形成されている。
このようにして形成されたＬＥＤチップのｐ側電極２８
およびｎ側電極２９は、四角形の対角線方向に対向する
２つの角部にそれぞれ設けられている。この両電極に順
方向の電圧が印加されることにより、電流はｐ側電極２
８からｐ形層２５に広がりながら活性層２４を通ってｎ
形層２３に進み、ｎ形層２３からｎ側電極２９に向かっ
て流れる。この電流経路の活性層２４部でキャリアが再
結合して発光する。なお、ｐ形層２５での電流を充分に
広げてｐ形層２５の全体で電流が流れるようにするた
め、ｐ形層２５の表面側にＮｉ-Ａｕの合金層などから
なる電流拡散層（図示せず）が設けられることがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、ＬＥＤ
チップの外形形状が正方形または長方形の矩形形状であ
ると、サファイア基板の縦横が必ずしもスムーズに割れ
て綺麗に切断分離されない。そのため、チップ間の切断
分離をする境界部の幅を広く取る必要があり、１枚のウ
ェハからチップの取れる個数が少なくなり、コストアッ
プになるという問題がある。さらに、切断分離部の幅が
広く設けられていても切断分離の際の割れ目が半導体積
層部の活性層に延びることがある。活性層に切断分離の
割れ目が延びると充分に発光せず、発光効率が低下する
という問題がある。
チップの外形形状が正方形または長方形の矩形形状であ
ると、サファイア基板の縦横が必ずしもスムーズに割れ
て綺麗に切断分離されない。そのため、チップ間の切断
分離をする境界部の幅を広く取る必要があり、１枚のウ
ェハからチップの取れる個数が少なくなり、コストアッ
プになるという問題がある。さらに、切断分離部の幅が
広く設けられていても切断分離の際の割れ目が半導体積
層部の活性層に延びることがある。活性層に切断分離の
割れ目が延びると充分に発光せず、発光効率が低下する
という問題がある。
【０００５】また、矩形形状の対向する２つの角部に両
電極が形成されると、電極が設けられない角部の方は、
電流経路（図３（ｂ）のＢ参照）が両電極間の最短距離
の電流経路（図３（ｂ）のＡ参照）より相当迂回するこ
とになる。一方、半導体層は電気抵抗を有し、その道程
が大きくなると電気抵抗が大きくなる。とくにチッ化ガ
リウム系化合物半導体では、ＧａＡｓ系の化合物半導体
に比べて半導体層の電気抵抗が大きいため、距離が大き
くなると直列抵抗の増加が著しくなる。そのため、ＬＥ
Ｄチップの面内で、半導体層の直列抵抗の小さいとこ
ろ、すなわちｐ側電極とｎ側電極との対向部で距離の短
いところに電流が集中して流れ、前述の電極が設けられ
ない角部の方（電流経路Ｂ）では電流が流れ難く、活性
層を流れる電流もチップ内で不均一になる。その結果、
電流が多く流れる部分の輝度が明るくなって、チップの
面内で均一に発光しないという問題がある。
電極が形成されると、電極が設けられない角部の方は、
電流経路（図３（ｂ）のＢ参照）が両電極間の最短距離
の電流経路（図３（ｂ）のＡ参照）より相当迂回するこ
とになる。一方、半導体層は電気抵抗を有し、その道程
が大きくなると電気抵抗が大きくなる。とくにチッ化ガ
リウム系化合物半導体では、ＧａＡｓ系の化合物半導体
に比べて半導体層の電気抵抗が大きいため、距離が大き
くなると直列抵抗の増加が著しくなる。そのため、ＬＥ
Ｄチップの面内で、半導体層の直列抵抗の小さいとこ
ろ、すなわちｐ側電極とｎ側電極との対向部で距離の短
いところに電流が集中して流れ、前述の電極が設けられ
ない角部の方（電流経路Ｂ）では電流が流れ難く、活性
層を流れる電流もチップ内で不均一になる。その結果、
電流が多く流れる部分の輝度が明るくなって、チップの
面内で均一に発光しないという問題がある。
【０００６】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、ウェハからチップへの切断分離の分
離幅を狭くしてチップの取れ数を多くすることができる
と共に、半導体層の電気抵抗が比較的大きいチッ化ガリ
ウム系化合物半導体が用いられる半導体発光素子におい
ても、チップの面内での電流が均一化し、全体で均一に
発光する半導体発光素子を提供することを目的とする。
になされたもので、ウェハからチップへの切断分離の分
離幅を狭くしてチップの取れ数を多くすることができる
と共に、半導体層の電気抵抗が比較的大きいチッ化ガリ
ウム系化合物半導体が用いられる半導体発光素子におい
ても、チップの面内での電流が均一化し、全体で均一に
発光する半導体発光素子を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
素子は、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に発光層を形成
すべくチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される半導
体積層部と、該半導体積層部の表面側の第１導電形の半
導体層に接続して設けられる第１の電極と、前記半導体
積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第
２導電形の半導体層に接続して設けられる第２の電極と
から発光素子チップがなり、該発光素子チップの平面形
状が、ひし形形状または３角形状で、該形状の鋭角の角
部に前記第２の電極が形成されている。
素子は、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に発光層を形成
すべくチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される半導
体積層部と、該半導体積層部の表面側の第１導電形の半
導体層に接続して設けられる第１の電極と、前記半導体
積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第
２導電形の半導体層に接続して設けられる第２の電極と
から発光素子チップがなり、該発光素子チップの平面形
状が、ひし形形状または３角形状で、該形状の鋭角の角
部に前記第２の電極が形成されている。
【０００８】ここにチッ化ガリウム系化合物半導体と
は、III 族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物または
III 族元素のＧａの一部がＡｌ、Ｉｎなどの他のIII 族
元素と置換したものおよび／またはＶ族元素のＮの一部
がＰ、Ａｓなどの他のＶ族元素と置換した化合物からな
る半導体をいう。また、第１導電形および第２導電形と
は、半導体の導電形のｎ形およびｐ形のいずれか一方を
第１導電形としたとき、他方のｐ形またはｎ形が第２導
電形であることを意味する。
は、III 族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物または
III 族元素のＧａの一部がＡｌ、Ｉｎなどの他のIII 族
元素と置換したものおよび／またはＶ族元素のＮの一部
がＰ、Ａｓなどの他のＶ族元素と置換した化合物からな
る半導体をいう。また、第１導電形および第２導電形と
は、半導体の導電形のｎ形およびｐ形のいずれか一方を
第１導電形としたとき、他方のｐ形またはｎ形が第２導
電形であることを意味する。
【０００９】この構造にすることにより、サファイア基
板が６０゜の角度で割れ易いという性質を有しているた
め、綺麗に割れやすく、切断幅を狭くすることができ
る。また、ひし形もしくは３角形状で、鋭角の角部に第
２の電極が設けられることにより、電極間の経路の迂回
する場所が狭められ、極端に道程が大きくなる経路がで
きず、均一に電流が流れやすい。
板が６０゜の角度で割れ易いという性質を有しているた
め、綺麗に割れやすく、切断幅を狭くすることができ
る。また、ひし形もしくは３角形状で、鋭角の角部に第
２の電極が設けられることにより、電極間の経路の迂回
する場所が狭められ、極端に道程が大きくなる経路がで
きず、均一に電流が流れやすい。
【００１０】前記エッチングにより除去されずに残存す
る半導体積層部の第１導電形の半導体層と前記第２の電
極との平面形状で対向する部分が互いに平行になるよう
に前記半導体積層部のエッチングおよび前記第２の電極
の形成がなされていることが、第１導電形層のエッチン
グ端部の真下の第２導電形半導体層から第２の電極に至
る距離はどこでも等しく、第１導電形の半導体層に広が
った電流が第２導電形の半導体層に進む場合に、第２導
電形の半導体層の一部に電流が集中しないで全体に広が
って流れるため好ましい。
る半導体積層部の第１導電形の半導体層と前記第２の電
極との平面形状で対向する部分が互いに平行になるよう
に前記半導体積層部のエッチングおよび前記第２の電極
の形成がなされていることが、第１導電形層のエッチン
グ端部の真下の第２導電形半導体層から第２の電極に至
る距離はどこでも等しく、第１導電形の半導体層に広が
った電流が第２導電形の半導体層に進む場合に、第２導
電形の半導体層の一部に電流が集中しないで全体に広が
って流れるため好ましい。
【００１１】前記半導体積層部のエッチングによる除去
が前記発光素子チップの外周全体に亘ってなされておれ
ば、ウェハから各チップへの切断分離の際に発光層にク
ラックなどが入って発光効率が低下することがない。
が前記発光素子チップの外周全体に亘ってなされておれ
ば、ウェハから各チップへの切断分離の際に発光層にク
ラックなどが入って発光効率が低下することがない。
【００１２】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の半導体発光素子について説明をする。図１には、た
とえば青色系の発光に適するチッ化ガリウム系化合物半
導体が積層された本発明の半導体発光素子のチップの断
面および平面の説明図が示されている。
明の半導体発光素子について説明をする。図１には、た
とえば青色系の発光に適するチッ化ガリウム系化合物半
導体が積層された本発明の半導体発光素子のチップの断
面および平面の説明図が示されている。
【００１３】本発明の半導体発光素子は、たとえば図１
に示されるように、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）な
どからなる絶縁性基板１の表面に発光層を形成する半導
体積層部１０が形成されて、その表面側の第１導電形の
半導体層（ｐ形層５）にｐ側電極（第１の電極）８が電
気的に接続されている。また、半導体積層部１０の一部
が除去されて露出した第２導電形の半導体層（ｎ形層
３）に電気的に接続されるようにｎ側電極（第２の電
極）９が形成されている。本発明では、図１（ｂ）に平
面図（（ａ）と縮尺は同じではない）が示されるよう
に、ＬＥＤチップの平面形状の外形がひし形形状に形成
されており、ひし形の対向する鋭角の角部にｐ側電極８
およびｎ側電極９が設けられていることに特徴がある。
その結果、ｐ側電極８とｎ側電極９とを結ぶ方向は縦方
向に延び、両電極を結ぶ方向（電流経路Ａ）と直角方向
の幅Ｃは狭く形成され、電流経路Ａが場所によって極端
に長くなることはない。
に示されるように、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）な
どからなる絶縁性基板１の表面に発光層を形成する半導
体積層部１０が形成されて、その表面側の第１導電形の
半導体層（ｐ形層５）にｐ側電極（第１の電極）８が電
気的に接続されている。また、半導体積層部１０の一部
が除去されて露出した第２導電形の半導体層（ｎ形層
３）に電気的に接続されるようにｎ側電極（第２の電
極）９が形成されている。本発明では、図１（ｂ）に平
面図（（ａ）と縮尺は同じではない）が示されるよう
に、ＬＥＤチップの平面形状の外形がひし形形状に形成
されており、ひし形の対向する鋭角の角部にｐ側電極８
およびｎ側電極９が設けられていることに特徴がある。
その結果、ｐ側電極８とｎ側電極９とを結ぶ方向は縦方
向に延び、両電極を結ぶ方向（電流経路Ａ）と直角方向
の幅Ｃは狭く形成され、電流経路Ａが場所によって極端
に長くなることはない。
【００１４】このような形状のＬＥＤチップを形成する
には、サファイア基板１のウェハ上に半導体層を積層し
て半導体積層部１０を形成した後に、その表面にレジス
ト膜などを設けて、ひし形形状のパターンが形成された
マスクとし、エッチングをすることにより、図１（ｂ）
に示されるようにｎ形層３を露出させることができる。
そして電極８、９が設けられた後にウェハの絶縁性基板
１の裏面から半導体積層部１０のエッチングされたパタ
ーンに沿ってダイヤモンドペンにより線を入れ、割るこ
とにより得られる。このパターン形成の形状および切断
のための線を入れる場所が従来と異なるが、その他の切
断分離方法は従来と同様である。このひし形の鋭角は、
たとえば６０°程度で、ウェハのオリフラに対して６０
°の角度で切断することにより切断分離が狭い範囲で綺
麗に行われる。
には、サファイア基板１のウェハ上に半導体層を積層し
て半導体積層部１０を形成した後に、その表面にレジス
ト膜などを設けて、ひし形形状のパターンが形成された
マスクとし、エッチングをすることにより、図１（ｂ）
に示されるようにｎ形層３を露出させることができる。
そして電極８、９が設けられた後にウェハの絶縁性基板
１の裏面から半導体積層部１０のエッチングされたパタ
ーンに沿ってダイヤモンドペンにより線を入れ、割るこ
とにより得られる。このパターン形成の形状および切断
のための線を入れる場所が従来と異なるが、その他の切
断分離方法は従来と同様である。このひし形の鋭角は、
たとえば６０°程度で、ウェハのオリフラに対して６０
°の角度で切断することにより切断分離が狭い範囲で綺
麗に行われる。
【００１５】図１に示される例では、（ｂ）に平面図が
示されるように、ｎ側電極９を形成するために積層され
た半導体層の一部がエッチングされて残存する半導体積
層部１０のエッチング端部１０ａとｎ側電極９の前記端
部１０ａとの対向部分も、平面形状で平行になるように
半導体積層部のエッチング端部１０ａおよびｎ側電極９
の形状が形成されている。その結果、ｐ形層５のｎ側電
極９に最も近いエッチング端部１０ａとｎ側電極９との
距離もその対向部分のどこにおいても等しくなってい
る。このエッチング端部１０ａとｎ側電極９の形状の対
向部を等距離にするには、半導体積層部１０のエッチン
グの際のレジスト膜などのマスクのパターニング、およ
びｎ側電極９を形成するためのマスクのパターニングを
エッチング端部１０ａとｎ側電極９の対向部分が相互に
平行（相似形）になるように行うことにより簡単に形成
される。
示されるように、ｎ側電極９を形成するために積層され
た半導体層の一部がエッチングされて残存する半導体積
層部１０のエッチング端部１０ａとｎ側電極９の前記端
部１０ａとの対向部分も、平面形状で平行になるように
半導体積層部のエッチング端部１０ａおよびｎ側電極９
の形状が形成されている。その結果、ｐ形層５のｎ側電
極９に最も近いエッチング端部１０ａとｎ側電極９との
距離もその対向部分のどこにおいても等しくなってい
る。このエッチング端部１０ａとｎ側電極９の形状の対
向部を等距離にするには、半導体積層部１０のエッチン
グの際のレジスト膜などのマスクのパターニング、およ
びｎ側電極９を形成するためのマスクのパターニングを
エッチング端部１０ａとｎ側電極９の対向部分が相互に
平行（相似形）になるように行うことにより簡単に形成
される。
【００１６】半導体積層部１０は、たとえばＧａＮから
なる低温バッファ層、クラッド層となるｎ形のＧａＮお
よび／またはＡｌＧａＮ系（ＡｌとＧａの比率が種々変
わり得ることを意味する、以下同じ）化合物半導体の積
層構造からなるｎ形層３、バンドギャップエネルギーが
クラッド層のそれよりも小さくなる材料、たとえばＩｎ
ＧａＮ系化合物半導体からなる活性層４、およびｐ形の
ＡｌＧａＮ系化合物半導体層および／またはＧａＮ層か
らなるｐ形層（クラッド層）５が、基板１上にそれぞれ
順次積層されることにより構成されている。
なる低温バッファ層、クラッド層となるｎ形のＧａＮお
よび／またはＡｌＧａＮ系（ＡｌとＧａの比率が種々変
わり得ることを意味する、以下同じ）化合物半導体の積
層構造からなるｎ形層３、バンドギャップエネルギーが
クラッド層のそれよりも小さくなる材料、たとえばＩｎ
ＧａＮ系化合物半導体からなる活性層４、およびｐ形の
ＡｌＧａＮ系化合物半導体層および／またはＧａＮ層か
らなるｐ形層（クラッド層）５が、基板１上にそれぞれ
順次積層されることにより構成されている。
【００１７】この半導体発光素子を製造するには、たと
えば有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により、
反応ガスおよび必要なドーパントガスを導入してｎ形層
３を１〜５μｍ程度、活性層４を０.０５〜０.３μｍ程
度、およびｐ形層５を０.２〜１μｍ程度、それぞれエ
ピタキシャル成長する。その後、表面にレジスト膜を設
け、パターニングをして塩素ガスなどによる反応性イオ
ンエッチングにより、積層された半導体層の一部を図１
に示されるように除去する。この際、図１（ｂ）に示さ
れるように、平面的に見てエッチング端部１０ａとｎ側
電極９との距離が、その対向部において等しくなるよう
に形成するに場合には、このエッチングの際のマスクの
形状がｎ側電極９の対向部分と相互に平行になるように
レジスト膜のパターニングをすることにより得られる。
その後、たとえばリフトオフ法により、ＴｉとＡｕとを
積層して両金属の積層構造からなるｐ側電極８を形成す
る。また同様に、たとえばリフトオフ法により、Ｔｉと
Ａｌをそれぞれ積層してシンターすることにより両金属
の合金層からなるｎ側電極９を形成する。このｎ側電極
９の形成の際のマスクをエッチング端部１０ａの対向部
と平面形状で平行になるように形成することにより、前
述のように相互に等距離に形成される。その結果、図１
に示される構造の半導体発光素子が得られる。
えば有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により、
反応ガスおよび必要なドーパントガスを導入してｎ形層
３を１〜５μｍ程度、活性層４を０.０５〜０.３μｍ程
度、およびｐ形層５を０.２〜１μｍ程度、それぞれエ
ピタキシャル成長する。その後、表面にレジスト膜を設
け、パターニングをして塩素ガスなどによる反応性イオ
ンエッチングにより、積層された半導体層の一部を図１
に示されるように除去する。この際、図１（ｂ）に示さ
れるように、平面的に見てエッチング端部１０ａとｎ側
電極９との距離が、その対向部において等しくなるよう
に形成するに場合には、このエッチングの際のマスクの
形状がｎ側電極９の対向部分と相互に平行になるように
レジスト膜のパターニングをすることにより得られる。
その後、たとえばリフトオフ法により、ＴｉとＡｕとを
積層して両金属の積層構造からなるｐ側電極８を形成す
る。また同様に、たとえばリフトオフ法により、Ｔｉと
Ａｌをそれぞれ積層してシンターすることにより両金属
の合金層からなるｎ側電極９を形成する。このｎ側電極
９の形成の際のマスクをエッチング端部１０ａの対向部
と平面形状で平行になるように形成することにより、前
述のように相互に等距離に形成される。その結果、図１
に示される構造の半導体発光素子が得られる。
【００１８】本発明の半導体発光素子によれば、ＬＥＤ
チップの平面形状がひし形になっているため、ウェハか
ら各チップに切断分離する際に、切断線に沿って真っ直
ぐに切断しやすい。そのため、絶縁性基板にダイヤモン
ドペンで線を入れて割るときに、割れ目が横の方に延び
ないで狭い範囲で割ることができる。その結果、チップ
間を狭くすることができ、１枚のウェハから多くのチッ
プを取ることができ、チップの取れ数を向上させること
ができる。
チップの平面形状がひし形になっているため、ウェハか
ら各チップに切断分離する際に、切断線に沿って真っ直
ぐに切断しやすい。そのため、絶縁性基板にダイヤモン
ドペンで線を入れて割るときに、割れ目が横の方に延び
ないで狭い範囲で割ることができる。その結果、チップ
間を狭くすることができ、１枚のウェハから多くのチッ
プを取ることができ、チップの取れ数を向上させること
ができる。
【００１９】一方、ｐ側電極８およびｎ側電極９がそれ
ぞれひし形の鋭角の角部に設けられているため、ｐ側電
極８から供給される電流は、ｐ形層５、活性層４、およ
びｎ形層３を経てｎ側電極９に向かって流れるが、その
距離が全体的に長く、幅方向は狭い電流経路となる。そ
のため、両電極の最短距離より大きく迂回する経路が少
なく、チップ全体で電流経路の長さはそれ程差がないと
共に、チップの端部から全体を電流が流れ易い。したが
って抵抗の小さいところに電流が集中して輝度にバラツ
キが生じたり、部分的に半導体層が劣化することもな
く、チップの全体で明るく発光する。その結果、発光効
率も向上し、高特性で信頼性の高い半導体発光素子が得
られる。
ぞれひし形の鋭角の角部に設けられているため、ｐ側電
極８から供給される電流は、ｐ形層５、活性層４、およ
びｎ形層３を経てｎ側電極９に向かって流れるが、その
距離が全体的に長く、幅方向は狭い電流経路となる。そ
のため、両電極の最短距離より大きく迂回する経路が少
なく、チップ全体で電流経路の長さはそれ程差がないと
共に、チップの端部から全体を電流が流れ易い。したが
って抵抗の小さいところに電流が集中して輝度にバラツ
キが生じたり、部分的に半導体層が劣化することもな
く、チップの全体で明るく発光する。その結果、発光効
率も向上し、高特性で信頼性の高い半導体発光素子が得
られる。
【００２０】なお、積層された半導体層の一部がエッチ
ングされて残存する半導体積層部１０のエッチング端部
１０ａと、ｎ側電極９とがその平面形状での対向部にお
いて平行（等距離）になるように形成されていることに
より、ｐ形層に広がった電流がｎ形層に達した後、ｎ側
電極９に至る経路は、半導体積層部１０のエッチング端
部１０ａからｎ側電極９を見る距離はエッチング端部１
０ａのどの部分でも同じになる。そのため、ｐ側電極８
からｎ側電極９への電流経路は端部１０ａのどの部分を
経由してもエッチング端部１０ａの下部のｎ形層３から
ｎ側電極９に至る電気抵抗は同じになる。その結果、ｐ
形層５から活性層４を経てｎ形層３に至る電流の経路
は、ｎ形層３の一部に集中しないで、均等に分散して流
れる。その結果、活性層４に分散して電流が流れ、ＬＥ
Ｄチップの全面で均等に発光し発光ムラがなくなり易く
なる。このエッチング端部１０ａの形状とｎ側電極９の
形状を対向部分において平行にすることは、とくに後述
する電流拡散層が設けられる場合にｐ形層に電流が広が
りやすいためその効果が大きい。
ングされて残存する半導体積層部１０のエッチング端部
１０ａと、ｎ側電極９とがその平面形状での対向部にお
いて平行（等距離）になるように形成されていることに
より、ｐ形層に広がった電流がｎ形層に達した後、ｎ側
電極９に至る経路は、半導体積層部１０のエッチング端
部１０ａからｎ側電極９を見る距離はエッチング端部１
０ａのどの部分でも同じになる。そのため、ｐ側電極８
からｎ側電極９への電流経路は端部１０ａのどの部分を
経由してもエッチング端部１０ａの下部のｎ形層３から
ｎ側電極９に至る電気抵抗は同じになる。その結果、ｐ
形層５から活性層４を経てｎ形層３に至る電流の経路
は、ｎ形層３の一部に集中しないで、均等に分散して流
れる。その結果、活性層４に分散して電流が流れ、ＬＥ
Ｄチップの全面で均等に発光し発光ムラがなくなり易く
なる。このエッチング端部１０ａの形状とｎ側電極９の
形状を対向部分において平行にすることは、とくに後述
する電流拡散層が設けられる場合にｐ形層に電流が広が
りやすいためその効果が大きい。
【００２１】本発明は、以上のように、ＬＥＤチップが
ひし形形状に形成されているため、ウェハから各チップ
に切断分離する場合に割れ目が横に延びないで真っ直ぐ
切断し易い。しかし、このひし形形状をさらに２つに分
割して、図２に平面形状図が示されるように、３角形状
にしても同様に狭い境界部で分離をし易い。この３角形
状にしても、その頂点となる角部にｎ側電極９が設けら
れ、その対向部にｐ側電極８が設けられることにより、
電流経路の幅が狭く、どの部分も電気抵抗がそれ程変わ
らず、チップ全体をｎ側電極８に流れ込むように電流経
路が形成される。この場合、ｐ側電極は図２に示される
ように、ｎ側電極９と対向する辺に沿って長く形成され
ると一層チップの全面に均一に電流経路が形成される。
このような３角形状に形成されると、赤、緑、青の３色
の発光素子を設けてカラー発光させる場合にその配置を
近付けることができ、小型のカラー用発光素子とするこ
ともできる。
ひし形形状に形成されているため、ウェハから各チップ
に切断分離する場合に割れ目が横に延びないで真っ直ぐ
切断し易い。しかし、このひし形形状をさらに２つに分
割して、図２に平面形状図が示されるように、３角形状
にしても同様に狭い境界部で分離をし易い。この３角形
状にしても、その頂点となる角部にｎ側電極９が設けら
れ、その対向部にｐ側電極８が設けられることにより、
電流経路の幅が狭く、どの部分も電気抵抗がそれ程変わ
らず、チップ全体をｎ側電極８に流れ込むように電流経
路が形成される。この場合、ｐ側電極は図２に示される
ように、ｎ側電極９と対向する辺に沿って長く形成され
ると一層チップの全面に均一に電流経路が形成される。
このような３角形状に形成されると、赤、緑、青の３色
の発光素子を設けてカラー発光させる場合にその配置を
近付けることができ、小型のカラー用発光素子とするこ
ともできる。
【００２２】また、図１に示される例では、ｐ形層５上
に直接ｐ側電極８が設けられていたが、電流拡散層を介
してｐ側電極が設けられていてもよい。電流拡散層は、
たとえばＮｉおよびＡｕがそれぞれ真空蒸着などにより
積層されてシンターされることにより合金化され、２〜
１００ｎｍ程度の厚さに形成されるもので、活性層４で
発光する光を透過させると共に電気抵抗が小さく電流を
拡散させる作用をする。この場合、光の透過と電気抵抗
とは相反関係にあり、電気抵抗を無視できるほど完全に
小さくすることができない（電気抵抗を小さくするため
電流拡散層を厚くすると、光を透過しなくなる）。しか
し、電流拡散層が設けられることにより、ある程度は電
流拡散層を介して電流が拡散するため、ｐ形層５での電
流の拡散が得られる。この場合、ｐ形層５のエッチング
端部１０ａとｎ側電極９との距離が等距離になるように
半導体積層部１０がエッチングされることにより、一層
ｎ形層での電流の集中を防ぐことができる。
に直接ｐ側電極８が設けられていたが、電流拡散層を介
してｐ側電極が設けられていてもよい。電流拡散層は、
たとえばＮｉおよびＡｕがそれぞれ真空蒸着などにより
積層されてシンターされることにより合金化され、２〜
１００ｎｍ程度の厚さに形成されるもので、活性層４で
発光する光を透過させると共に電気抵抗が小さく電流を
拡散させる作用をする。この場合、光の透過と電気抵抗
とは相反関係にあり、電気抵抗を無視できるほど完全に
小さくすることができない（電気抵抗を小さくするため
電流拡散層を厚くすると、光を透過しなくなる）。しか
し、電流拡散層が設けられることにより、ある程度は電
流拡散層を介して電流が拡散するため、ｐ形層５での電
流の拡散が得られる。この場合、ｐ形層５のエッチング
端部１０ａとｎ側電極９との距離が等距離になるように
半導体積層部１０がエッチングされることにより、一層
ｎ形層での電流の集中を防ぐことができる。
【００２３】なお、図１に示される例では、ｎ形層３と
ｐ形層５とで活性層４が挟持されたダブルヘテロ接合構
造であるが、ｎ形層とｐ形層とが直接接合するｐｎ接合
構造の半導体発光素子でも同様である。また、積層され
る半導体層の材料も一例であって、その材料には限定さ
れないが、チッ化ガリウム系化合物半導体の場合にその
電気抵抗が大きいため、効果が大きい。
ｐ形層５とで活性層４が挟持されたダブルヘテロ接合構
造であるが、ｎ形層とｐ形層とが直接接合するｐｎ接合
構造の半導体発光素子でも同様である。また、積層され
る半導体層の材料も一例であって、その材料には限定さ
れないが、チッ化ガリウム系化合物半導体の場合にその
電気抵抗が大きいため、効果が大きい。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、１枚のウェハからのチ
ップの取れ数が多くなり、コストダウンに寄与する。ま
た、発光素子チップ内の全体で電流分布が均一になるた
め、均一な発光をし、発光効率が向上する。さらに、電
流が部分的に集中しないため、部分的に半導体層が劣化
して寿命を短くしたり、不良に至らしめることがない。
その結果、発光効率が低下しやすいチッ化ガリウム系化
合物半導体においても、高特性で、高信頼性の半導体発
光素子が安価に得られる。
ップの取れ数が多くなり、コストダウンに寄与する。ま
た、発光素子チップ内の全体で電流分布が均一になるた
め、均一な発光をし、発光効率が向上する。さらに、電
流が部分的に集中しないため、部分的に半導体層が劣化
して寿命を短くしたり、不良に至らしめることがない。
その結果、発光効率が低下しやすいチッ化ガリウム系化
合物半導体においても、高特性で、高信頼性の半導体発
光素子が安価に得られる。
【図１】本発明の半導体発光素子の一実施形態の断面お
よび平面説明図である。
よび平面説明図である。
【図２】本発明の半導体発光素子の他の実施形態の平面
説明図である。
説明図である。
【図３】従来の半導体発光素子の一例の斜視および平面
パターンの説明図である。
パターンの説明図である。
１ 絶縁性基板 ３ ｎ形層 ５ ｐ形層 ８ ｐ側電極 ９ ｎ側電極 １０ 半導体積層部
フロントページの続き (72)発明者 筒井 毅 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内 (72)発明者 伊藤 範和 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、該絶縁性基板上に発光層
を形成すべくチッ化ガリウム系化合物半導体が積層され
る半導体積層部と、該半導体積層部の表面側の第１導電
形の半導体層に接続して設けられる第１の電極と、前記
半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出
する第２導電形の半導体層に接続して設けられる第２の
電極とから発光素子チップがなり、該発光素子チップの
平面形状が、ひし形形状または３角形状で、該形状の鋭
角の角部に前記第２の電極が形成されてなる半導体発光
素子。 - 【請求項２】 前記エッチングにより除去されずに残存
する半導体積層部の第１導電形の半導体層と前記第２の
電極との平面形状で対向する部分が互いに平行になるよ
うに前記半導体積層部のエッチングおよび前記第２の電
極の形成がなされてなる請求項１記載の半導体発光素
子。 - 【請求項３】 前記半導体積層部のエッチングによる除
去が前記発光素子チップの外周全体に亘ってなされてな
る請求項１または２記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7781697A JP3691207B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7781697A JP3691207B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275933A true JPH10275933A (ja) | 1998-10-13 |
| JP3691207B2 JP3691207B2 (ja) | 2005-09-07 |
Family
ID=13644562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7781697A Expired - Fee Related JP3691207B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3691207B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040104265A (ko) * | 2003-06-03 | 2004-12-10 | 삼성전기주식회사 | 질화 갈륨계 반도체 led 소자 |
| KR100647018B1 (ko) | 2005-09-26 | 2006-11-23 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
| JP2007123496A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | 半導体発光素子 |
| US7358544B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-04-15 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light emitting device |
| JP2014232793A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 日本オクラロ株式会社 | 光半導体素子及び光半導体装置 |
| JP2015149470A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-08-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 三角柱状ｍ面窒化物半導体発光ダイオードを製造する方法 |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP7781697A patent/JP3691207B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040104265A (ko) * | 2003-06-03 | 2004-12-10 | 삼성전기주식회사 | 질화 갈륨계 반도체 led 소자 |
| US7358544B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-04-15 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light emitting device |
| US7791098B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-09-07 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light emitting device |
| KR100647018B1 (ko) | 2005-09-26 | 2006-11-23 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
| JP2007123496A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | 半導体発光素子 |
| JP4601537B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2010-12-22 | 京セラ株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2014232793A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 日本オクラロ株式会社 | 光半導体素子及び光半導体装置 |
| JP2015149470A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-08-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 三角柱状ｍ面窒化物半導体発光ダイオードを製造する方法 |
| US9209350B2 (en) | 2014-01-10 | 2015-12-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method for fabricating triangular prismatic m-plane nitride semiconductor light-emitting diode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3691207B2 (ja) | 2005-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106374018B (zh) | 发光元件及其制造方法 | |
| JPH11150303A (ja) | 発光部品 | |
| JP2011071540A (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH10275936A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| JPH10200159A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3706458B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH10209496A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2004311677A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3691207B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3934730B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3787207B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2001148511A (ja) | 半導体発光ダイオード | |
| US11784210B2 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
| KR100495004B1 (ko) | 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPH11177133A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH07288340A (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
| JP3691202B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH10209494A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH10209498A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH10209506A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| JP4154142B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| KR20140140399A (ko) | 복수개의 발광 요소들을 갖는 발광다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
| JP5772213B2 (ja) | 発光素子 | |
| KR101087970B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
| JP3974676B2 (ja) | 半導体発光素子の製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041015 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041116 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050117 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050531 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050615 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080624 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110624 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110624 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120624 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130624 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |