JPH1027565A - イオン照射装置 - Google Patents
イオン照射装置Info
- Publication number
- JPH1027565A JPH1027565A JP8202882A JP20288296A JPH1027565A JP H1027565 A JPH1027565 A JP H1027565A JP 8202882 A JP8202882 A JP 8202882A JP 20288296 A JP20288296 A JP 20288296A JP H1027565 A JPH1027565 A JP H1027565A
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- Japan
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- substrate
- magnet
- magnetic pole
- ion
- shielding plate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 貫入構造の偏向マグネットの磁極の先端部が
散乱粒子によってスパッタされることによって基板に金
属コンタミネーションが生じるのを防止する。 【解決手段】 貫入構造の偏向マグネットの一例である
ビーム平行化マグネット８の上下の磁極２０の先端部に
遮蔽板３０をそれぞれ着脱可能に被せ、これで各磁極２
０の先端部を覆っている。この遮蔽板３０は、非磁性板
の表面を、基板を構成する元素から成る被覆膜で覆った
ものである。
散乱粒子によってスパッタされることによって基板に金
属コンタミネーションが生じるのを防止する。 【解決手段】 貫入構造の偏向マグネットの一例である
ビーム平行化マグネット８の上下の磁極２０の先端部に
遮蔽板３０をそれぞれ着脱可能に被せ、これで各磁極２
０の先端部を覆っている。この遮蔽板３０は、非磁性板
の表面を、基板を構成する元素から成る被覆膜で覆った
ものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁極の先端部が
真空容器内に貫入した構造の偏向マグネットによってイ
オンビームを偏向してそれを基板に照射して当該基板に
イオン注入等の処理を施すイオン照射装置に関し、より
具体的には、磁極が散乱粒子によってスパッタされるこ
とによって基板に金属コンタミネーションが生じるのを
防止する手段に関する。
真空容器内に貫入した構造の偏向マグネットによってイ
オンビームを偏向してそれを基板に照射して当該基板に
イオン注入等の処理を施すイオン照射装置に関し、より
具体的には、磁極が散乱粒子によってスパッタされるこ
とによって基板に金属コンタミネーションが生じるのを
防止する手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、イオン照射装置の一例を示す横
断面図である。この装置は、イオンビーム２を磁気的に
平行走査すると共に、基板１２を機械的に走査する、い
わゆるハイブリッドパラレルスキャン方式のイオン注入
装置の場合の例である。
断面図である。この装置は、イオンビーム２を磁気的に
平行走査すると共に、基板１２を機械的に走査する、い
わゆるハイブリッドパラレルスキャン方式のイオン注入
装置の場合の例である。
【０００３】この装置は、図示しないイオン源から引き
出され、必要に応じて質量分離、加速等の行われたイオ
ンビーム２から特定のエネルギーのイオンを選別して導
出するエネルギー分析マグネット４と、このエネルギー
分析マグネット４の下流側に設けられていて、同エネル
ギー分析マグネット４から導出されたイオンビーム２を
磁気的に一次元で（図示例では紙面に沿って）往復走査
する走査マグネット６と、この走査マグネット６の下流
側に設けられていて、同走査マグネット６から導出され
たイオンビーム２を基準軸７に対して平行になるように
曲げ戻して走査マグネット６と協働してイオンビーム２
の平行走査を行うビーム平行化マグネット８と、このビ
ーム平行化マグネット８の下流側に設けられていて、同
ビーム平行化マグネット８から導出されたイオンビーム
２の照射領域内で基板（例えばシリコンウェーハ）１２
を前記走査マグネット６におけるイオンビーム２の走査
方向と実質的に直交する方向に（図示例では紙面の表裏
方向に）機械的に走査する基板走査機構１４とを備えて
いる。１６〜１９は真空容器である。この基板１２にイ
オンビーム２が照射されてイオン注入等の処理が施され
る。
出され、必要に応じて質量分離、加速等の行われたイオ
ンビーム２から特定のエネルギーのイオンを選別して導
出するエネルギー分析マグネット４と、このエネルギー
分析マグネット４の下流側に設けられていて、同エネル
ギー分析マグネット４から導出されたイオンビーム２を
磁気的に一次元で（図示例では紙面に沿って）往復走査
する走査マグネット６と、この走査マグネット６の下流
側に設けられていて、同走査マグネット６から導出され
たイオンビーム２を基準軸７に対して平行になるように
曲げ戻して走査マグネット６と協働してイオンビーム２
の平行走査を行うビーム平行化マグネット８と、このビ
ーム平行化マグネット８の下流側に設けられていて、同
ビーム平行化マグネット８から導出されたイオンビーム
２の照射領域内で基板（例えばシリコンウェーハ）１２
を前記走査マグネット６におけるイオンビーム２の走査
方向と実質的に直交する方向に（図示例では紙面の表裏
方向に）機械的に走査する基板走査機構１４とを備えて
いる。１６〜１９は真空容器である。この基板１２にイ
オンビーム２が照射されてイオン注入等の処理が施され
る。
【０００４】上記エネルギー分析マグネット４、走査マ
グネット６およびビーム平行化マグネット８は、いずれ
も、イオンビーム２を磁気的に偏向させるものであり、
偏向マグネットの一種である。これらは、この例では、
その磁極の先端部が真空容器１６〜１８内に貫入した貫
入構造を採用している。
グネット６およびビーム平行化マグネット８は、いずれ
も、イオンビーム２を磁気的に偏向させるものであり、
偏向マグネットの一種である。これらは、この例では、
その磁極の先端部が真空容器１６〜１８内に貫入した貫
入構造を採用している。
【０００５】これを、最下流側のビーム平行化マグネッ
ト８を例に説明すると、このビーム平行化マグネット８
は、例えば図５に示すように、先端部が真空容器１８内
に貫入した上下二つの磁極２０と、それらの間を繋ぐヨ
ーク２２と、磁極２０を励磁する励磁コイル２４とを有
している。磁極２０の先端部を真空容器１８内に貫入さ
せているのは、磁極間の間隔を小さくして磁極間におけ
る磁束密度を高めることができ、それによって当該ビー
ム平行化マグネット８およびそれ用の電源等の小型化を
図ることができるためである。なお、磁極２０とヨーク
２２とは、この例では分解組立等を容易にするために互
いに別体としているが、一体としても良い。
ト８を例に説明すると、このビーム平行化マグネット８
は、例えば図５に示すように、先端部が真空容器１８内
に貫入した上下二つの磁極２０と、それらの間を繋ぐヨ
ーク２２と、磁極２０を励磁する励磁コイル２４とを有
している。磁極２０の先端部を真空容器１８内に貫入さ
せているのは、磁極間の間隔を小さくして磁極間におけ
る磁束密度を高めることができ、それによって当該ビー
ム平行化マグネット８およびそれ用の電源等の小型化を
図ることができるためである。なお、磁極２０とヨーク
２２とは、この例では分解組立等を容易にするために互
いに別体としているが、一体としても良い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のような貫入構造
のビーム平行化マグネット８の場合は、その磁極２０の
先端部がイオンビーム２から見通せる状態にある。この
ような磁極２０の先端部に、イオンビーム２が直接当た
ることは通常はないけれども、イオンビーム２と衝突す
ることによって散乱させられた残留ガス粒子や、あるい
は逆に残留ガスによって散乱させられたビーム粒子（即
ちイオンビーム２を構成するイオン、電子等の粒子）等
の散乱粒子２６が、その量は通常はあまり多くないけれ
ども、磁極２０の先端部に衝突することが起こり得る。
のビーム平行化マグネット８の場合は、その磁極２０の
先端部がイオンビーム２から見通せる状態にある。この
ような磁極２０の先端部に、イオンビーム２が直接当た
ることは通常はないけれども、イオンビーム２と衝突す
ることによって散乱させられた残留ガス粒子や、あるい
は逆に残留ガスによって散乱させられたビーム粒子（即
ちイオンビーム２を構成するイオン、電子等の粒子）等
の散乱粒子２６が、その量は通常はあまり多くないけれ
ども、磁極２０の先端部に衝突することが起こり得る。
【０００７】それが起こると、磁極２０の表面から磁極
構成粒子、典型的には鉄がスパッタされ、そのスパッタ
粒子２８の一部が下流側の基板１２（図４参照）側に向
かい、基板１２に到達して、基板１２にいわゆる金属コ
ンタミネーション（金属による汚染）を生じさせる恐れ
がある。それが生じると、例えば基板表面のデバイスの
特性を乱す等の不具合が発生する。
構成粒子、典型的には鉄がスパッタされ、そのスパッタ
粒子２８の一部が下流側の基板１２（図４参照）側に向
かい、基板１２に到達して、基板１２にいわゆる金属コ
ンタミネーション（金属による汚染）を生じさせる恐れ
がある。それが生じると、例えば基板表面のデバイスの
特性を乱す等の不具合が発生する。
【０００８】このような問題は、基板１２に近い偏向マ
グネットほど深刻になる、即ちこの例の場合はビーム平
行化マグネット８において最も大きくなるけれども、他
の偏向マグネット、即ちこの例ではエネルギー分析マグ
ネット４や走査マグネット６にも大なり小なり存在す
る。
グネットほど深刻になる、即ちこの例の場合はビーム平
行化マグネット８において最も大きくなるけれども、他
の偏向マグネット、即ちこの例ではエネルギー分析マグ
ネット４や走査マグネット６にも大なり小なり存在す
る。
【０００９】そこでこの発明は、上記のような貫入構造
の偏向マグネットの磁極の先端部が散乱粒子によってス
パッタされることによって基板に金属コンタミネーショ
ンが生じるのを防止することを主たる目的とする。
の偏向マグネットの磁極の先端部が散乱粒子によってス
パッタされることによって基板に金属コンタミネーショ
ンが生じるのを防止することを主たる目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明のイオン照射装
置は、前述したような貫入構造の偏向マグネットの磁極
の先端部を、非磁性板の表面を基板を構成する元素から
成る被覆膜で覆って成る着脱可能な遮蔽板で覆っている
ことを特徴とする。
置は、前述したような貫入構造の偏向マグネットの磁極
の先端部を、非磁性板の表面を基板を構成する元素から
成る被覆膜で覆って成る着脱可能な遮蔽板で覆っている
ことを特徴とする。
【００１１】上記構成によれば、真空容器内に貫入した
磁極の先端部を遮蔽板で覆っているので、当該磁極の先
端部が散乱粒子によってスパッタされることはなくな
る。
磁極の先端部を遮蔽板で覆っているので、当該磁極の先
端部が散乱粒子によってスパッタされることはなくな
る。
【００１２】その代わりに、遮蔽板の表面を覆う被覆膜
が散乱粒子によってスパッタされ得るが、当該被覆膜は
基板を構成する元素から成るので、仮に当該被覆膜から
のスパッタ粒子が基板に到達したとしても、基板にそれ
を構成する元素の粒子が単に入るだけであるから、金属
コンタミネーションは生じない。その結果、基板に対す
る金属コンタミネーションを大幅に低減することができ
る。
が散乱粒子によってスパッタされ得るが、当該被覆膜は
基板を構成する元素から成るので、仮に当該被覆膜から
のスパッタ粒子が基板に到達したとしても、基板にそれ
を構成する元素の粒子が単に入るだけであるから、金属
コンタミネーションは生じない。その結果、基板に対す
る金属コンタミネーションを大幅に低減することができ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るイオン照
射装置のビーム平行化マグネット周りの一例を示す縦断
面図であり、図４のＡ−Ａ断面に相当する。図５の従来
例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下
においては当該従来例との相違点を主に説明する。
射装置のビーム平行化マグネット周りの一例を示す縦断
面図であり、図４のＡ−Ａ断面に相当する。図５の従来
例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下
においては当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１４】この実施例においては、偏向マグネットの
一例である前述したビーム平行化マグネット８の上下の
磁極２０の先端部に遮蔽板３０をそれぞれ被せて、それ
で各磁極２０の先端部を覆っている。この遮蔽板３０
は、この例では複数本のねじ３４によって磁極２０の先
端部に着脱可能に取り付けている。
一例である前述したビーム平行化マグネット８の上下の
磁極２０の先端部に遮蔽板３０をそれぞれ被せて、それ
で各磁極２０の先端部を覆っている。この遮蔽板３０
は、この例では複数本のねじ３４によって磁極２０の先
端部に着脱可能に取り付けている。
【００１５】この遮蔽板３０は、図２に示すように、非
磁性板３１の表面を、前述した基板１２（図４参照）と
同系の元素、より具体的には当該基板１２を構成する元
素から成る被覆膜３２で覆ったものである。非磁性板３
１を用いるのは、磁極２０に出入りする磁界を乱さない
ためである。
磁性板３１の表面を、前述した基板１２（図４参照）と
同系の元素、より具体的には当該基板１２を構成する元
素から成る被覆膜３２で覆ったものである。非磁性板３
１を用いるのは、磁極２０に出入りする磁界を乱さない
ためである。
【００１６】非磁性板３１の材質は、加工が容易かつア
ウトガス（放出ガス）が少ない等の理由から、例えばア
ルミニウム、ステンレス（ＳＵＳ）等の非磁性金属が好
ましいけれども、金属以外のものでも良い。その内でも
アルミニウムは、軽くて加工が容易であるのでより好ま
しい。非磁性板３１の厚さは、あまり薄いと強度的に弱
くなり、あまり厚いと加工性が悪くなるので、例えば１
ｍｍ〜２ｍｍ程度にするのが好ましい。
ウトガス（放出ガス）が少ない等の理由から、例えばア
ルミニウム、ステンレス（ＳＵＳ）等の非磁性金属が好
ましいけれども、金属以外のものでも良い。その内でも
アルミニウムは、軽くて加工が容易であるのでより好ま
しい。非磁性板３１の厚さは、あまり薄いと強度的に弱
くなり、あまり厚いと加工性が悪くなるので、例えば１
ｍｍ〜２ｍｍ程度にするのが好ましい。
【００１７】被覆膜３２は、基板１２が例えばシリコン
基板の場合はシリコン層にする。その他の半導体基板の
場合は、その半導体を構成する元素から成る膜にする。
この被覆膜３２の厚さは、あまり薄いと寿命が短くな
り、あまり厚いと膜形成が容易でなくなるので、例えば
数μｍ〜数十μｍ程度にするのが好ましい。
基板の場合はシリコン層にする。その他の半導体基板の
場合は、その半導体を構成する元素から成る膜にする。
この被覆膜３２の厚さは、あまり薄いと寿命が短くな
り、あまり厚いと膜形成が容易でなくなるので、例えば
数μｍ〜数十μｍ程度にするのが好ましい。
【００１８】遮蔽板３０の磁極２０の先端部への取付け
は、例えばこの例のようにねじ３４を用いる場合は、当
該ねじ３４が散乱粒子２６でスパッタされないようにす
るために、この例のように磁極２０の側面で行うのが好
ましい。
は、例えばこの例のようにねじ３４を用いる場合は、当
該ねじ３４が散乱粒子２６でスパッタされないようにす
るために、この例のように磁極２０の側面で行うのが好
ましい。
【００１９】もっとも、例えば図３に示す例のように、
互いに嵌合する凸部３６および凹部３８を遮蔽板３０側
と磁極２０側とに、あるいはその逆に、それぞれ設けて
おいてこれらの嵌合によって遮蔽板３０を磁極２０の先
端部に着脱可能に被せても良い。また、互いに嵌合する
ピンとそれの受け部とを遮蔽板３０側と磁極２０側と
に、あるいはその逆に、それぞれ設けておいても良い。
この後者の例の場合は、遮蔽板３０を磁極２０の先端面
で取り付けることも可能である。これらの場合はいずれ
も、ワンタッチで簡単に、遮蔽板３０の着脱を行うこと
ができる。またねじの場合と違って、取り付け用の部材
が散乱粒子２６によってスパッタされる恐れもない。
互いに嵌合する凸部３６および凹部３８を遮蔽板３０側
と磁極２０側とに、あるいはその逆に、それぞれ設けて
おいてこれらの嵌合によって遮蔽板３０を磁極２０の先
端部に着脱可能に被せても良い。また、互いに嵌合する
ピンとそれの受け部とを遮蔽板３０側と磁極２０側と
に、あるいはその逆に、それぞれ設けておいても良い。
この後者の例の場合は、遮蔽板３０を磁極２０の先端面
で取り付けることも可能である。これらの場合はいずれ
も、ワンタッチで簡単に、遮蔽板３０の着脱を行うこと
ができる。またねじの場合と違って、取り付け用の部材
が散乱粒子２６によってスパッタされる恐れもない。
【００２０】上記構成によれば、真空容器１８内に貫入
した磁極２０の先端部を遮蔽板３０で覆っているので、
当該磁極２０の先端部が前述したような散乱粒子２６に
よってスパッタされることはなくなる。
した磁極２０の先端部を遮蔽板３０で覆っているので、
当該磁極２０の先端部が前述したような散乱粒子２６に
よってスパッタされることはなくなる。
【００２１】その代わりに、遮蔽板３０の表面を覆う被
覆膜３２が散乱粒子２６によってスパッタされ得るが、
当該被覆膜３２は基板１２を構成する元素から成るの
で、仮に当該被覆膜３２からのスパッタ粒子２８が基板
１２に到達したとしても、基板１２にそれを構成する元
素の粒子が単に入るだけであるから、基板１２に対して
悪影響を殆ど及ぼさない。即ち、金属コンタミネーショ
ンは生じない。その結果、基板に対する金属コンタミネ
ーションを大幅に低減することができ、金属コンタミネ
ーションによって基板表面のデバイスの特性を乱す等の
不具合が発生することを防止することができる。
覆膜３２が散乱粒子２６によってスパッタされ得るが、
当該被覆膜３２は基板１２を構成する元素から成るの
で、仮に当該被覆膜３２からのスパッタ粒子２８が基板
１２に到達したとしても、基板１２にそれを構成する元
素の粒子が単に入るだけであるから、基板１２に対して
悪影響を殆ど及ぼさない。即ち、金属コンタミネーショ
ンは生じない。その結果、基板に対する金属コンタミネ
ーションを大幅に低減することができ、金属コンタミネ
ーションによって基板表面のデバイスの特性を乱す等の
不具合が発生することを防止することができる。
【００２２】しかも、遮蔽板３０の表面は、散乱粒子２
６の入射等によって汚れるので時々清掃する必要がある
けれども、この遮蔽板３０は着脱可能であるのでそれを
簡単に交換することができ、それによって上記清掃に伴
う当該イオン照射装置の停止時間を短縮することができ
る。
６の入射等によって汚れるので時々清掃する必要がある
けれども、この遮蔽板３０は着脱可能であるのでそれを
簡単に交換することができ、それによって上記清掃に伴
う当該イオン照射装置の停止時間を短縮することができ
る。
【００２３】なお、上記のように遮蔽板３０を被せる技
術は、基板１２側に近い偏向マグネットに、例えばこの
例のようにビーム平行化マグネット８に適用するほど、
基板１２に対する金属コンタミネーション防止の効果は
大きいけれども、他の偏向マグネット、例えば前述した
エネルギー分析マグネット４や走査マグネット６にも適
用することができ、その場合でも同上の理由から、ビー
ム平行化マグネット８場合ほどではないにしても、基板
１２に対する金属コンタミネーション防止の効果を奏す
ることができる。
術は、基板１２側に近い偏向マグネットに、例えばこの
例のようにビーム平行化マグネット８に適用するほど、
基板１２に対する金属コンタミネーション防止の効果は
大きいけれども、他の偏向マグネット、例えば前述した
エネルギー分析マグネット４や走査マグネット６にも適
用することができ、その場合でも同上の理由から、ビー
ム平行化マグネット８場合ほどではないにしても、基板
１２に対する金属コンタミネーション防止の効果を奏す
ることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、真空容
器内に貫入した磁極の先端部を遮蔽板で覆っているの
で、当該磁極の先端部が散乱粒子によってスパッタされ
ることはなくなる。その代わりに、遮蔽板の表面を覆う
被覆膜が散乱粒子によってスパッタされ得るが、当該被
覆膜は基板を構成する元素から成るので、仮に当該被覆
膜からのスパッタ粒子が基板に到達したとしても、基板
にそれを構成する元素の粒子が単に入るだけであるか
ら、金属コンタミネーションは生じない。その結果、基
板に対する金属コンタミネーションを大幅に低減するこ
とができる。
器内に貫入した磁極の先端部を遮蔽板で覆っているの
で、当該磁極の先端部が散乱粒子によってスパッタされ
ることはなくなる。その代わりに、遮蔽板の表面を覆う
被覆膜が散乱粒子によってスパッタされ得るが、当該被
覆膜は基板を構成する元素から成るので、仮に当該被覆
膜からのスパッタ粒子が基板に到達したとしても、基板
にそれを構成する元素の粒子が単に入るだけであるか
ら、金属コンタミネーションは生じない。その結果、基
板に対する金属コンタミネーションを大幅に低減するこ
とができる。
【００２５】しかも、遮蔽板の表面は散乱粒子の入射等
によって汚れるので時々清掃する必要があるけれども、
この遮蔽板は着脱可能であるのでそれを簡単に交換する
ことができ、それによって上記清掃に伴う当該イオン照
射装置の停止時間を短縮することができる。
によって汚れるので時々清掃する必要があるけれども、
この遮蔽板は着脱可能であるのでそれを簡単に交換する
ことができ、それによって上記清掃に伴う当該イオン照
射装置の停止時間を短縮することができる。
【図１】この発明に係るイオン照射装置のビーム平行化
マグネット周りの一例を示す縦断面図であり、図４のＡ
−Ａ断面に相当する。
マグネット周りの一例を示す縦断面図であり、図４のＡ
−Ａ断面に相当する。
【図２】図１中の遮蔽板の断面図である。
【図３】遮蔽板の取付け構造の他の例を示す断面図であ
る。
る。
【図４】イオン照射装置の一例を示す横断面図である。
【図５】従来のイオン照射装置のビーム平行化マグネッ
ト周りの一例を示す縦断面図であり、図４のＡ−Ａ断面
に相当する。
ト周りの一例を示す縦断面図であり、図４のＡ−Ａ断面
に相当する。
２ イオンビーム ４ エネルギー分析マグネット（偏向マグネット） ６ 走査マグネット（偏向マグネット） ８ ビーム平行化マグネット（偏向マグネット） １２ 基板 １６〜１９ 真空容器 ２０ 磁極 ３０ 遮蔽板 ３１ 非磁性板 ３２ 被覆膜
Claims (1)
- 【請求項１】 磁極の先端部が真空容器内に貫入した構
造の偏向マグネットによってイオンビームを偏向してそ
れを基板に照射する構成のイオン照射装置において、前
記偏向マグネットの磁極の先端部を、非磁性板の表面を
前記基板を構成する元素から成る被覆膜で覆って成る着
脱可能な遮蔽板で覆っていることを特徴とするイオン照
射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20288296A JP3428303B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | イオン照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20288296A JP3428303B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | イオン照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027565A true JPH1027565A (ja) | 1998-01-27 |
| JP3428303B2 JP3428303B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=16464773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20288296A Expired - Fee Related JP3428303B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | イオン照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3428303B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001126656A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
| US7005657B1 (en) | 2005-02-04 | 2006-02-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer-scanning ion implanter having fast beam deflection apparatus for beam glitch recovery |
| WO2006039724A2 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Bellows liner for an ion beam implanter |
| WO2013155813A1 (zh) * | 2012-04-20 | 2013-10-24 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种宽带离子束传输方法及离子注入机 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161713A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造用部品 |
| JPH0485645U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | ||
| JPH04319238A (ja) * | 1991-04-17 | 1992-11-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置の質量分析管 |
| JPH05325873A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Fujitsu Ltd | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
| JPH0660844A (ja) * | 1992-05-20 | 1994-03-04 | Nec Corp | イオン注入装置 |
| JPH06223771A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-12 | Sony Corp | イオン注入装置 |
| JPH07153406A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Nissin Electric Co Ltd | 荷電粒子ビーム用電磁石装置 |
| JPH0982268A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Sony Corp | イオン注入装置 |
| JPH09259779A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-10-03 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源およびそれを用いたイオン注入装置 |
-
1996
- 1996-07-11 JP JP20288296A patent/JP3428303B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161713A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造用部品 |
| JPH0485645U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | ||
| JPH04319238A (ja) * | 1991-04-17 | 1992-11-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置の質量分析管 |
| JPH05325873A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Fujitsu Ltd | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
| JPH0660844A (ja) * | 1992-05-20 | 1994-03-04 | Nec Corp | イオン注入装置 |
| JPH06223771A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-12 | Sony Corp | イオン注入装置 |
| JPH07153406A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Nissin Electric Co Ltd | 荷電粒子ビーム用電磁石装置 |
| JPH0982268A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Sony Corp | イオン注入装置 |
| JPH09259779A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-10-03 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源およびそれを用いたイオン注入装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001126656A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
| WO2006039724A2 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Bellows liner for an ion beam implanter |
| WO2006039724A3 (en) * | 2004-10-01 | 2006-07-06 | Axcelis Tech Inc | Bellows liner for an ion beam implanter |
| US7205556B2 (en) | 2004-10-01 | 2007-04-17 | Axcelis Technologies, Inc. | Bellows liner for an ion beam implanter |
| US7005657B1 (en) | 2005-02-04 | 2006-02-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer-scanning ion implanter having fast beam deflection apparatus for beam glitch recovery |
| WO2013155813A1 (zh) * | 2012-04-20 | 2013-10-24 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种宽带离子束传输方法及离子注入机 |
| US9263230B2 (en) | 2012-04-20 | 2016-02-16 | Beijing Zhongkexin Electronics Equipment Co., Ltd. | Method for transmitting a broadband ion beam and ion implanter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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