JPH10270339A - 光学装置 - Google Patents
光学装置Info
- Publication number
- JPH10270339A JPH10270339A JP7624197A JP7624197A JPH10270339A JP H10270339 A JPH10270339 A JP H10270339A JP 7624197 A JP7624197 A JP 7624197A JP 7624197 A JP7624197 A JP 7624197A JP H10270339 A JPH10270339 A JP H10270339A
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- JP
- Japan
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- light
- pattern
- optical device
- mask
- coherent light
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
Abstract
(57)【要約】
【課題】微細化に対応する際に、半導体露光装置等の従
来の光学装置の欠点のうち、特にマスク材料に対する制
約、焦点深度の減少による露光条件の厳格化の２点につ
いてその抜本的な解決を図る手段を提供する。 【解決手段】 コヒーレント光を発生する光源１０１、
該光源より生じたコヒーレント光を分配して誘導するた
めの構造物１０３、該構造物１０３より誘導されたコヒ
ーレント光と干渉して特定パターンの光の強弱を発生し
てその光束を反射若しくは透過させる構造物１０４、コ
ヒーレント光を分配して誘導するための構造物１０３と
特定パターンを発生してその光束を反射若しくは透過さ
せる構造物よりの両光束を照射できる位置に設置された
被照射物１０６を有する。更に、コヒーレント光と干渉
して立体的な特定パターンの光線の収束状態を発生させ
る構造を有する。
来の光学装置の欠点のうち、特にマスク材料に対する制
約、焦点深度の減少による露光条件の厳格化の２点につ
いてその抜本的な解決を図る手段を提供する。 【解決手段】 コヒーレント光を発生する光源１０１、
該光源より生じたコヒーレント光を分配して誘導するた
めの構造物１０３、該構造物１０３より誘導されたコヒ
ーレント光と干渉して特定パターンの光の強弱を発生し
てその光束を反射若しくは透過させる構造物１０４、コ
ヒーレント光を分配して誘導するための構造物１０３と
特定パターンを発生してその光束を反射若しくは透過さ
せる構造物よりの両光束を照射できる位置に設置された
被照射物１０６を有する。更に、コヒーレント光と干渉
して立体的な特定パターンの光線の収束状態を発生させ
る構造を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として半導体露
光装置などの特に微細加工を行なうために用いられる光
学装置に関する。
光装置などの特に微細加工を行なうために用いられる光
学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体露光工程時には、一般的な
光源としてｇ線、ｉ線等と称せられる高圧水銀灯の輝線
スペクトルを用い、光源からの発光を、石英基板上にク
ロムなどでパターニングしたフォトマスクを介して特定
領域のみ透過させて、光感受性を有する有機材料を光照
射される面に一様に塗布せしめた半導体基板上に所望の
パターンを焼き付けて現像して利用するというのが一般
であった。しかし半導体技術のたゆまざる微細化の要求
から、最近では従来より用いられてきたｇ線、ｉ線より
も短波長で、高精細加工の期待できるＫｒＦなどのエキ
シマレーザ、Ｘ線などの新しい線源の応用が期待されて
いる。
光源としてｇ線、ｉ線等と称せられる高圧水銀灯の輝線
スペクトルを用い、光源からの発光を、石英基板上にク
ロムなどでパターニングしたフォトマスクを介して特定
領域のみ透過させて、光感受性を有する有機材料を光照
射される面に一様に塗布せしめた半導体基板上に所望の
パターンを焼き付けて現像して利用するというのが一般
であった。しかし半導体技術のたゆまざる微細化の要求
から、最近では従来より用いられてきたｇ線、ｉ線より
も短波長で、高精細加工の期待できるＫｒＦなどのエキ
シマレーザ、Ｘ線などの新しい線源の応用が期待されて
いる。
【０００３】しかしながらこれら新しい光源を用いた半
導体露光工程は、波長からの制約で決まる光感受性を有
する材料の制約、フォトマスクとして使用可能な材料の
制約、焦点深度の減少による厳しい露光条件、わずかな
塵の影響によるパターンの再現性の厳しさなど様々な問
題が生じるようになっており、更なる技術確信が要求さ
れている。
導体露光工程は、波長からの制約で決まる光感受性を有
する材料の制約、フォトマスクとして使用可能な材料の
制約、焦点深度の減少による厳しい露光条件、わずかな
塵の影響によるパターンの再現性の厳しさなど様々な問
題が生じるようになっており、更なる技術確信が要求さ
れている。
【０００４】また実際の製造工程においては、実用的な
時間内で露光を行なう必要があるため、例えば電子線の
走査により描画するやり方などは、精度は十分だが時間
を要するため、実用的とは言えない。そこでホログラム
の原理を用いた露光方法、例えば特開平０６−２８３４
０５の様な方法を採用し、それらの問題を解決する方法
などが考えられる。
時間内で露光を行なう必要があるため、例えば電子線の
走査により描画するやり方などは、精度は十分だが時間
を要するため、実用的とは言えない。そこでホログラム
の原理を用いた露光方法、例えば特開平０６−２８３４
０５の様な方法を採用し、それらの問題を解決する方法
などが考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】先の従来例、特開平０
６−２８３４０５では、マスク材料に対する制約、焦点
深度の減少による露光条件の厳格化に関し、問題点の解
決がはかられていない。そこで本発明では、先の従来技
術の欠点のうち、特にマスク材料に対する制約、焦点深
度の減少による露光条件の厳格化の２点について、その
抜本的な解決をはかる手段を提供し、半導体の微細化要
求に十分追従可能な半導体露光技術を実現する光学装置
の技術を実現するものである。
６−２８３４０５では、マスク材料に対する制約、焦点
深度の減少による露光条件の厳格化に関し、問題点の解
決がはかられていない。そこで本発明では、先の従来技
術の欠点のうち、特にマスク材料に対する制約、焦点深
度の減少による露光条件の厳格化の２点について、その
抜本的な解決をはかる手段を提供し、半導体の微細化要
求に十分追従可能な半導体露光技術を実現する光学装置
の技術を実現するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による光学装置
は、コヒーレント光を発生する光源、該光源より生じた
コヒーレント光を分配して誘導するための構造物、該構
造物より誘導されたコヒーレント光と干渉して特定パタ
ーンの光の強弱を発生してその光束を反射若しくは透過
させる構造物、コヒーレント光を分配して誘導するため
の構造物と特定パターンを発生してその光束を反射若し
くは透過させる構造物よりの両光束を照射できる位置に
設置された被照射物を有することを特徴とする。
は、コヒーレント光を発生する光源、該光源より生じた
コヒーレント光を分配して誘導するための構造物、該構
造物より誘導されたコヒーレント光と干渉して特定パタ
ーンの光の強弱を発生してその光束を反射若しくは透過
させる構造物、コヒーレント光を分配して誘導するため
の構造物と特定パターンを発生してその光束を反射若し
くは透過させる構造物よりの両光束を照射できる位置に
設置された被照射物を有することを特徴とする。
【０００７】更に、コヒーレント光と干渉して立体的な
特定パターンの光線の収束状態を発生させる構造を有す
ることで、特に焦点深度の問題に対して抜本的な対策を
とることができるという特徴を有する。
特定パターンの光線の収束状態を発生させる構造を有す
ることで、特に焦点深度の問題に対して抜本的な対策を
とることができるという特徴を有する。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例による光
学装置の構成の一例を示した図である。
学装置の構成の一例を示した図である。
【０００９】図中、一点鎖線は光軸を示している。
【００１０】コヒーレント光を発生する光源１０１とし
ては、ＫｒＦなどのエキシマレーザやＨｅ−Ｎｅレー
ザ、色素レーザ、Ｘ線源、自由電子レーザなど、様々な
光源が使用可能である。該光源１０１より発生する光線
は、以下の部材の特定面積に対し均一な照射が可能なよ
う光束を広げる機構１０２が具備されているものであ
る。そして該光源より生じたコヒーレント光を分配して
誘導するための構造物１０３は、可視光線用として用い
る場合は一般的な半透鏡が使用可能だが、本実施例の場
合は光源の性質に合わせて光束を概ね２分する様な材
料、構成を選択する必要がある。該構造物１０３を透過
したコヒーレント光と干渉して特定パターンの光の強弱
を発生してその光束を反射させる構造物１０４は一般的
にホログラムを生じさせる様パターンを形成されたいわ
ゆるマスク材である。本実施例では、このマスク材とし
ては、照射された光線の特定領域をそのパターンに応
じ、反射させるものを使用している。そしてその構造物
１０４より誘導された光束は、先の構造物１０３より反
射材１０５を経由して誘導された光束と干渉像を形成
し、その像を形成する位置に、被照射物１０６が設置さ
れている。この被照射物１０６は、本実施例の場合に
は、シリコン単結晶基板上に照射光に対し感受性がある
有機薄膜を均一な膜厚に設置したものを用いたが、シリ
コン単結晶基板以外の板材、例えばガリウム砒素単結晶
基板、石英ガラス基板などに同様な光感受性を有する有
機薄膜を形成したものなど、目的に応じ変更可能なのは
言うまでもない。
ては、ＫｒＦなどのエキシマレーザやＨｅ−Ｎｅレー
ザ、色素レーザ、Ｘ線源、自由電子レーザなど、様々な
光源が使用可能である。該光源１０１より発生する光線
は、以下の部材の特定面積に対し均一な照射が可能なよ
う光束を広げる機構１０２が具備されているものであ
る。そして該光源より生じたコヒーレント光を分配して
誘導するための構造物１０３は、可視光線用として用い
る場合は一般的な半透鏡が使用可能だが、本実施例の場
合は光源の性質に合わせて光束を概ね２分する様な材
料、構成を選択する必要がある。該構造物１０３を透過
したコヒーレント光と干渉して特定パターンの光の強弱
を発生してその光束を反射させる構造物１０４は一般的
にホログラムを生じさせる様パターンを形成されたいわ
ゆるマスク材である。本実施例では、このマスク材とし
ては、照射された光線の特定領域をそのパターンに応
じ、反射させるものを使用している。そしてその構造物
１０４より誘導された光束は、先の構造物１０３より反
射材１０５を経由して誘導された光束と干渉像を形成
し、その像を形成する位置に、被照射物１０６が設置さ
れている。この被照射物１０６は、本実施例の場合に
は、シリコン単結晶基板上に照射光に対し感受性がある
有機薄膜を均一な膜厚に設置したものを用いたが、シリ
コン単結晶基板以外の板材、例えばガリウム砒素単結晶
基板、石英ガラス基板などに同様な光感受性を有する有
機薄膜を形成したものなど、目的に応じ変更可能なのは
言うまでもない。
【００１１】この様な構成をとることで、先の従来例で
はホログラムマスクが光源の波長領域で十分な透過性を
必要とするという大きな制約があるが、本実施例ではこ
の制約が全くなくなるというメリットを有する。
はホログラムマスクが光源の波長領域で十分な透過性を
必要とするという大きな制約があるが、本実施例ではこ
の制約が全くなくなるというメリットを有する。
【００１２】図２は、本発明の実施例による光学装置の
構成の一例を示した図である。
構成の一例を示した図である。
【００１３】図中、一点鎖線は光軸を示している。
【００１４】コヒーレント光を発生する光源２０１とし
ては、ＫｒＦなどのエキシマレーザやＨｅ−Ｎｅレー
ザ、色素レーザ、Ｘ線源、自由電子レーザなど、様々な
光源が使用可能である。該光源２０１より発生する光線
は、以下の部材の特定面積に対し均一な照射が可能なよ
う光束を広げる機構２０２が具備されているものであ
る。そして該光源より生じたコヒーレント光を分配して
誘導するための構造物２０３は、可視光線用として用い
る場合は一般的な半透鏡が使用可能だが、本実施例の場
合は光源、マスク材料の性質に合わせて光束を分配する
様な材料、構成を選択する必要がある。該構造物２０３
を透過したコヒーレント光と干渉して特定パターンの光
の強弱を発生してその光束を透過させる構造物２０４は
一般的にホログラムを生じさせる様パターンを形成され
たいわゆるマスク材である。本実施例では、このマスク
材としては、照射された光線の特定領域をそのパターン
に応じ、透過させるものを使用している。そしてその構
造物２０４を透過した光束は、先の構造物２０３より反
射材２０５を経由して誘導された光束と干渉像を形成
し、その像を形成する位置に、被照射物２０６が設置さ
れている。この被照射物２０６は、本目的の場合には、
シリコン単結晶基板上に照射光に対し光感受性がある有
機薄膜を均一な膜厚に設置したものを用いたが、シリコ
ン単結晶基板以外の板材が使用可能なのは先の実施例と
同じである。
ては、ＫｒＦなどのエキシマレーザやＨｅ−Ｎｅレー
ザ、色素レーザ、Ｘ線源、自由電子レーザなど、様々な
光源が使用可能である。該光源２０１より発生する光線
は、以下の部材の特定面積に対し均一な照射が可能なよ
う光束を広げる機構２０２が具備されているものであ
る。そして該光源より生じたコヒーレント光を分配して
誘導するための構造物２０３は、可視光線用として用い
る場合は一般的な半透鏡が使用可能だが、本実施例の場
合は光源、マスク材料の性質に合わせて光束を分配する
様な材料、構成を選択する必要がある。該構造物２０３
を透過したコヒーレント光と干渉して特定パターンの光
の強弱を発生してその光束を透過させる構造物２０４は
一般的にホログラムを生じさせる様パターンを形成され
たいわゆるマスク材である。本実施例では、このマスク
材としては、照射された光線の特定領域をそのパターン
に応じ、透過させるものを使用している。そしてその構
造物２０４を透過した光束は、先の構造物２０３より反
射材２０５を経由して誘導された光束と干渉像を形成
し、その像を形成する位置に、被照射物２０６が設置さ
れている。この被照射物２０６は、本目的の場合には、
シリコン単結晶基板上に照射光に対し光感受性がある有
機薄膜を均一な膜厚に設置したものを用いたが、シリコ
ン単結晶基板以外の板材が使用可能なのは先の実施例と
同じである。
【００１５】この様な構成をとることで、先の従来例で
はホログラムマスクが光源の波長領域で十分な透過性を
必要とするという大きな制約があるが、本実施例ではコ
ヒーレント光を分配する際の透過比率を調整すること
で、ホログラムマスクに使用可能な材料の制限が大幅に
小さくなるというメリットを有する。また参照光との干
渉を用いることで、より安定した干渉パターンの生成が
可能であるという特徴もある。
はホログラムマスクが光源の波長領域で十分な透過性を
必要とするという大きな制約があるが、本実施例ではコ
ヒーレント光を分配する際の透過比率を調整すること
で、ホログラムマスクに使用可能な材料の制限が大幅に
小さくなるというメリットを有する。また参照光との干
渉を用いることで、より安定した干渉パターンの生成が
可能であるという特徴もある。
【００１６】図３は、本発明の実施例による光学装置を
用いて行なう、照射パターンの一例を示した断面図であ
る。
用いて行なう、照射パターンの一例を示した断面図であ
る。
【００１７】シリコン基板３０１上に光感受性のある有
機薄膜３０２が均一な厚さになるよう形成されている。
この光感受性のある有機薄膜３０２の領域を以下のよう
に分配して説明する。すなわち、光を照射したい領域３
０３と、光を照射したくない領域３０４とに分ける。こ
のうち、光を照射したい領域３０３に含まれる光感受性
のある有機薄膜３０２の部分に、その領域を概ね網羅す
るような干渉光の結像３０５が得られるようにあらかじ
めマスクパターンを決めておく。本実施例では、概ね基
板に対して垂直な形状になるよう照射パターンを設定し
たが、立体的なテーパー形状、逆テーパー形状など全く
任意の立体形状の形成が可能であり、この様にすること
で、光感受性のある有機薄膜３０２のパターンを任意の
立体的な構造として形成することが可能になる。
機薄膜３０２が均一な厚さになるよう形成されている。
この光感受性のある有機薄膜３０２の領域を以下のよう
に分配して説明する。すなわち、光を照射したい領域３
０３と、光を照射したくない領域３０４とに分ける。こ
のうち、光を照射したい領域３０３に含まれる光感受性
のある有機薄膜３０２の部分に、その領域を概ね網羅す
るような干渉光の結像３０５が得られるようにあらかじ
めマスクパターンを決めておく。本実施例では、概ね基
板に対して垂直な形状になるよう照射パターンを設定し
たが、立体的なテーパー形状、逆テーパー形状など全く
任意の立体形状の形成が可能であり、この様にすること
で、光感受性のある有機薄膜３０２のパターンを任意の
立体的な構造として形成することが可能になる。
【００１８】なお、本実施例に用いたマスクの形成は、
計算機での演算処理でパターンの計算を行なうのが精度
などの点からみて一番有利であり、その結果得られたパ
ターンを電子線ビ−ムなどの描画装置で処理することで
簡単に得ることが可能である。また、光源に自由電子レ
ーザ、色素レーザなど任意波長の発光が可能な構成を採
用した場合、その発光波長を変えることで任意サイズの
縮小、拡大が同一パターンのマスクを用いて可能である
ことも、本発明の特徴の一つである。また特定領域への
結像をもたらすマスク上の原像がマスク上で異なる位置
に設置される関係で、マスクのほこりや傷の影響を受け
にくいという重要な特徴も従来と同様有している。
計算機での演算処理でパターンの計算を行なうのが精度
などの点からみて一番有利であり、その結果得られたパ
ターンを電子線ビ−ムなどの描画装置で処理することで
簡単に得ることが可能である。また、光源に自由電子レ
ーザ、色素レーザなど任意波長の発光が可能な構成を採
用した場合、その発光波長を変えることで任意サイズの
縮小、拡大が同一パターンのマスクを用いて可能である
ことも、本発明の特徴の一つである。また特定領域への
結像をもたらすマスク上の原像がマスク上で異なる位置
に設置される関係で、マスクのほこりや傷の影響を受け
にくいという重要な特徴も従来と同様有している。
【００１９】
【発明の効果】本発明による光学装置、及び手法を用い
ることで、従来の一般的な半導体露光装置の欠点のう
ち、特にマスク材料に対する制約、焦点深度の減少によ
る露光条件の厳格化の２点についてその抜本的な解決を
はかる手段を提供することができた。
ることで、従来の一般的な半導体露光装置の欠点のう
ち、特にマスク材料に対する制約、焦点深度の減少によ
る露光条件の厳格化の２点についてその抜本的な解決を
はかる手段を提供することができた。
【００２０】本発明の実施により、半導体の微細化要求
に十分追従可能な半導体露光技術を実現する光学装置の
提供が可能になった。
に十分追従可能な半導体露光技術を実現する光学装置の
提供が可能になった。
【図１】本発明の実施例による光学装置の構成の一例を
示した図である。
示した図である。
【図２】本発明の実施例による光学装置の構成の一例を
示した図である。
示した図である。
【図３】本発明の実施例による光学装置を用いて行な
う、照射パターンの一例を示した断面図である。
う、照射パターンの一例を示した断面図である。
１０１ コヒーレント光を発生する光源 １０２ 均一な照射が可能なよう光束を広げる機構 １０３ コヒーレント光を分配して誘導するための構造
物 １０４ コヒーレント光と干渉して特定パターンの光の
強弱を発生してその光束を反射させる構造物 １０５ 反射材 １０６ 被照射物 ２０１ コヒーレント光を発生する光源 ２０２ 均一な照射が可能なよう光束を広げる機構 ２０３ コヒーレント光を分配して誘導するための構造
物 ２０４ コヒーレント光と干渉して特定パターンの光の
強弱を発生してその光束を透過させる構造物 ２０５ 反射材 ２０６ 被照射物 ３０１ シリコン基板 ３０２ 光感受性のある有機薄膜 ３０３ 光を照射したい領域 ３０４ 光を照射したくない領域 ３０５ 干渉光の結像
物 １０４ コヒーレント光と干渉して特定パターンの光の
強弱を発生してその光束を反射させる構造物 １０５ 反射材 １０６ 被照射物 ２０１ コヒーレント光を発生する光源 ２０２ 均一な照射が可能なよう光束を広げる機構 ２０３ コヒーレント光を分配して誘導するための構造
物 ２０４ コヒーレント光と干渉して特定パターンの光の
強弱を発生してその光束を透過させる構造物 ２０５ 反射材 ２０６ 被照射物 ３０１ シリコン基板 ３０２ 光感受性のある有機薄膜 ３０３ 光を照射したい領域 ３０４ 光を照射したくない領域 ３０５ 干渉光の結像
Claims (2)
- 【請求項１】コヒーレント光を発生する光源、該光源よ
り生じたコヒーレント光を分配して誘導するための構造
物、該構造物より誘導されたコヒーレント光と干渉して
特定パターンの光の強弱を発生してその光束を反射若し
くは透過させる構造物、コヒーレント光を分配して誘導
するための構造物と特定パターンを発生してその光束を
反射若しくは透過させる構造物よりの両光束を照射でき
る位置に設置された被照射物を有することを特徴とする
光学装置。 - 【請求項２】コヒーレント光と干渉して立体的な特定パ
ターンの光線の収束状態を発生させる構造を有すること
を特徴とする請求項１記載の光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7624197A JPH10270339A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7624197A JPH10270339A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270339A true JPH10270339A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13599692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7624197A Withdrawn JPH10270339A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270339A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004235241A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ型表示装置、薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタ回路基板、電気光学装置および電子機器 |
| US7547589B2 (en) | 2003-05-15 | 2009-06-16 | Seiko Epson Corporation | Method for fabricating semiconductor device, and electro-optical device, integrated circuit and electronic apparatus including the semiconductor device |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP7624197A patent/JPH10270339A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004235241A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ型表示装置、薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタ回路基板、電気光学装置および電子機器 |
| JP4524992B2 (ja) * | 2003-01-28 | 2010-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ型表示装置、薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタ回路基板、電気光学装置および電子機器 |
| US7547589B2 (en) | 2003-05-15 | 2009-06-16 | Seiko Epson Corporation | Method for fabricating semiconductor device, and electro-optical device, integrated circuit and electronic apparatus including the semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |