JPH10265806A - 高精度プレス機構を備えた焼成炉 - Google Patents
高精度プレス機構を備えた焼成炉Info
- Publication number
- JPH10265806A JPH10265806A JP9071300A JP7130097A JPH10265806A JP H10265806 A JPH10265806 A JP H10265806A JP 9071300 A JP9071300 A JP 9071300A JP 7130097 A JP7130097 A JP 7130097A JP H10265806 A JPH10265806 A JP H10265806A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- press
- sintered body
- pressing force
- applying
- transmission shaft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】被処理物の処理中に、自動で面平行度を調整す
る方法を提供することにある。 【解決手段】リニアスケール１７〜１９と、ロードセル
２０よりプレス盤間距離とプレス荷重がアンプ２２に出
力される。制御用コントローラー２３はアンプ２２より
出力されるプレス盤間距離と荷重値をスクリュージャッ
キ１０〜１２にフィードバックし、シャフト４〜６を独
立に動かすことで、プレス盤間距離を任意に設定しなが
ら荷重を制御する。
る方法を提供することにある。 【解決手段】リニアスケール１７〜１９と、ロードセル
２０よりプレス盤間距離とプレス荷重がアンプ２２に出
力される。制御用コントローラー２３はアンプ２２より
出力されるプレス盤間距離と荷重値をスクリュージャッ
キ１０〜１２にフィードバックし、シャフト４〜６を独
立に動かすことで、プレス盤間距離を任意に設定しなが
ら荷重を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は無機材料部材の製造
装置とくに被処理物の面平行度が高精度に要求される加
圧焼成炉に関する。
装置とくに被処理物の面平行度が高精度に要求される加
圧焼成炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックスの多層化技術は、電子産業
部門において重要な技術である。その中で、半導体素子
等の高密度実装に必須のセラミック多層配線基板は、グ
リーンシート法で作製され、焼結法で製造される方法が
知られている。しかしながら、一般にセラミックスは焼
結時に大きな寸法変化（収縮）を伴う。これは原料やプ
ロセスのバラツキの影響を受けやすいため、焼結後の寸
法を高精度に保つ事は非常に難しくなる。特にセラミッ
ク多層配線基板は、内部に異なる材料を複合化している
ため、その寸法精度の確保が一層難しく、さらに反り、
剥離、膨れ等の発生も大きな問題となってくる。
部門において重要な技術である。その中で、半導体素子
等の高密度実装に必須のセラミック多層配線基板は、グ
リーンシート法で作製され、焼結法で製造される方法が
知られている。しかしながら、一般にセラミックスは焼
結時に大きな寸法変化（収縮）を伴う。これは原料やプ
ロセスのバラツキの影響を受けやすいため、焼結後の寸
法を高精度に保つ事は非常に難しくなる。特にセラミッ
ク多層配線基板は、内部に異なる材料を複合化している
ため、その寸法精度の確保が一層難しく、さらに反り、
剥離、膨れ等の発生も大きな問題となってくる。
【０００３】それは、セラミック多層配線基板の用途
上、半導体チップを搭載し、チップとの電気的な接続を
形成するための多数の導体パターン（半導体チップとの
接続用端子）を基板表面に高い位置精度で形成すること
が必須であるとともに、薄膜配線層の形成やＩ／Ｏピン
の接続などの作業のために、高い面精度（平行度、平面
度）が要求されるためである。
上、半導体チップを搭載し、チップとの電気的な接続を
形成するための多数の導体パターン（半導体チップとの
接続用端子）を基板表面に高い位置精度で形成すること
が必須であるとともに、薄膜配線層の形成やＩ／Ｏピン
の接続などの作業のために、高い面精度（平行度、平面
度）が要求されるためである。
【０００４】これらの問題に対処するため、特開平５−
２８３２７２号公報において、成形体（積層体）に脱脂
過程および焼結過程を通して一定の加圧力を加えながら
焼成する方法、もしくは脱脂過程を無加圧で行なった
後、一定加圧力下で焼結する方法を開示されている。こ
の方法により、焼結後の多層配線基板の加圧した面の焼
結収縮量そのものを小さく抑え、その結果として、焼結
後の高い寸法精度を得ることができ、かつ焼結体の反
り、剥離、膨れ等を低減させることができる。この方法
を行うには、加圧を加える部分が高温に晒されるため、
加圧を行うシャフト及びプレス盤は高温に耐えうる材料
が要求される。また、焼結時のプレス盤間の面平行度
が、焼結後の多層配線基板の加圧した表裏面の平行度を
支配するため、プレス盤間の面平行度は高い精度を要求
され、加圧を行うシャフト及びプレス盤は、変形を起こ
さないよう、剛性の高い材料で構築する事が必須であ
る。装置加圧部の単軸シャフトとプレス盤は変形を押さ
えるため、耐熱鋼で構成される。そして、プレス盤間の
平行度は多層配線基板の加圧した表裏面の平行度を安定
に維持するため厳密な管理を必要とする。
２８３２７２号公報において、成形体（積層体）に脱脂
過程および焼結過程を通して一定の加圧力を加えながら
焼成する方法、もしくは脱脂過程を無加圧で行なった
後、一定加圧力下で焼結する方法を開示されている。こ
の方法により、焼結後の多層配線基板の加圧した面の焼
結収縮量そのものを小さく抑え、その結果として、焼結
後の高い寸法精度を得ることができ、かつ焼結体の反
り、剥離、膨れ等を低減させることができる。この方法
を行うには、加圧を加える部分が高温に晒されるため、
加圧を行うシャフト及びプレス盤は高温に耐えうる材料
が要求される。また、焼結時のプレス盤間の面平行度
が、焼結後の多層配線基板の加圧した表裏面の平行度を
支配するため、プレス盤間の面平行度は高い精度を要求
され、加圧を行うシャフト及びプレス盤は、変形を起こ
さないよう、剛性の高い材料で構築する事が必須であ
る。装置加圧部の単軸シャフトとプレス盤は変形を押さ
えるため、耐熱鋼で構成される。そして、プレス盤間の
平行度は多層配線基板の加圧した表裏面の平行度を安定
に維持するため厳密な管理を必要とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のプレス
装置では、耐熱鋼を使用しているとはいえ、高温中でプ
レスを行うため、使用回数とともに徐々にシャフトの変
形が進み、プレス盤間面平行度の悪化をおこしていた。
また、悪化したプレス盤間面平行度は被処理物の面平行
度に影響を与えるため、定期的にシムを挾むことで調整
していたが、装置分解を必要とするため、大掛かりな作
業となり、長時間を要すという問題があった。本発明
は、この問題点を解決し、被処理物を安定した品質で製
造することを目的とする。
装置では、耐熱鋼を使用しているとはいえ、高温中でプ
レスを行うため、使用回数とともに徐々にシャフトの変
形が進み、プレス盤間面平行度の悪化をおこしていた。
また、悪化したプレス盤間面平行度は被処理物の面平行
度に影響を与えるため、定期的にシムを挾むことで調整
していたが、装置分解を必要とするため、大掛かりな作
業となり、長時間を要すという問題があった。本発明
は、この問題点を解決し、被処理物を安定した品質で製
造することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】プレス盤の面平行度を厳
密に管理するためには、使用回数とともに熱変形してい
くプレス盤間の面平行度を認識する部位と、認識したプ
レス盤の面平行度を簡易に補正する部位が必要となる。
センサ等の使用できる温度であれば、直接、測定するこ
とが可能であるが、プレス盤が高温に晒される場合、直
接プレス盤間の面平行度を認識することは困難であるた
め、間接的に測定する事となる。認識したプレス盤の面
平行度を補正するため、プレス盤の一方には複数のシャ
フトを配置する。それぞれのシャフトをその移動方向と
垂直な方向に高精度に支持できるような構造とし、かつ
シャフトのプレス盤との接触面を球状とすることで、シ
ャフトとプレス盤は任意の傾きをとることが可能とな
る。そして、認識したプレス盤間の面平行度を補正する
ように、複数のシャフトを独立に制御することで、プレ
ス盤間の面平行度を調整することができる構成とする。
密に管理するためには、使用回数とともに熱変形してい
くプレス盤間の面平行度を認識する部位と、認識したプ
レス盤の面平行度を簡易に補正する部位が必要となる。
センサ等の使用できる温度であれば、直接、測定するこ
とが可能であるが、プレス盤が高温に晒される場合、直
接プレス盤間の面平行度を認識することは困難であるた
め、間接的に測定する事となる。認識したプレス盤の面
平行度を補正するため、プレス盤の一方には複数のシャ
フトを配置する。それぞれのシャフトをその移動方向と
垂直な方向に高精度に支持できるような構造とし、かつ
シャフトのプレス盤との接触面を球状とすることで、シ
ャフトとプレス盤は任意の傾きをとることが可能とな
る。そして、認識したプレス盤間の面平行度を補正する
ように、複数のシャフトを独立に制御することで、プレ
ス盤間の面平行度を調整することができる構成とする。
【０００７】上記構成においては、シャフトの制御方法
次第で、プレス盤間の面平行度をリアルタイムに補正す
ることが可能である。
次第で、プレス盤間の面平行度をリアルタイムに補正す
ることが可能である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明について図面を参照して説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。
【０００９】（実施例１）図１は高精度プレス装置の構
造を示す図である。装置は、セラミック積層体１をプレ
スするプレス盤２と３、プレス盤２を加圧するためのシ
ャフト４〜６、シャフト４〜６を固定、上下動させるボ
ールスプライン７〜９とスクリュージャッキ１０〜１
２、プレス盤３を支える大シャフト１３、プレス盤間距
離認識用石英ガラス棒１４〜１６、石英ガラス棒の移動
距離を認識するリニアスケール１７〜１９、ロードセル
２０、本体フレーム２１、アンプ（増幅器）２２、制御
用コントローラー２３より構成される。
造を示す図である。装置は、セラミック積層体１をプレ
スするプレス盤２と３、プレス盤２を加圧するためのシ
ャフト４〜６、シャフト４〜６を固定、上下動させるボ
ールスプライン７〜９とスクリュージャッキ１０〜１
２、プレス盤３を支える大シャフト１３、プレス盤間距
離認識用石英ガラス棒１４〜１６、石英ガラス棒の移動
距離を認識するリニアスケール１７〜１９、ロードセル
２０、本体フレーム２１、アンプ（増幅器）２２、制御
用コントローラー２３より構成される。
【００１０】プレスは、プレス盤３にセラミック積層体
１をセット後、プレス盤２を下降させ、プレス盤２、プ
レス盤３間で行う。プレス盤２とシャフト４〜６の接触
部の形状は図２に示される球状の構造とする。また、シ
ャフト４〜６は本体フレーム２１にボールスプライン７
〜９で垂直に固定され、上部のスクリュージャッキ９〜
１１でそれぞれ独立に稼働する。そのため、シャフト４
〜６は、プレス盤２を任意に傾けた状態でセラミック積
層体１をプレスできる。プレス盤２はプレス盤間距離認
識用石英ガラス棒１４〜１６が接触しており、石英ガラ
ス棒の移動距離はリニアスケール１７〜１９によって認
識される。前もって、石英ガラス棒１４〜１６の構成の
ため、既知の平行度を持つ治具を加圧し、プレス盤の平
行度を設定した段階で、リニアスケール１７〜１９のゼ
ロ調整を行っておく。これによって、プレス盤間距離の
変化をリニアスケールの変化として確認できる。リニア
スケールで認識したプレス盤間距離はアンプ２２に出力
される。プレス荷重はロードセル２０で認識されアンプ
２１に出力する。制御用コントローラー２３はアンプ２
２より出力されるプレス盤間距離と荷重値をスクリュー
ジャッキ１０〜１２にフィードバックする。スクリュー
ジャッキ１０〜１２はシャフト４〜６を独立に動かすこ
とで、リアルタイムにプレス盤間距離を任意に保ちなが
ら荷重を制御する。
１をセット後、プレス盤２を下降させ、プレス盤２、プ
レス盤３間で行う。プレス盤２とシャフト４〜６の接触
部の形状は図２に示される球状の構造とする。また、シ
ャフト４〜６は本体フレーム２１にボールスプライン７
〜９で垂直に固定され、上部のスクリュージャッキ９〜
１１でそれぞれ独立に稼働する。そのため、シャフト４
〜６は、プレス盤２を任意に傾けた状態でセラミック積
層体１をプレスできる。プレス盤２はプレス盤間距離認
識用石英ガラス棒１４〜１６が接触しており、石英ガラ
ス棒の移動距離はリニアスケール１７〜１９によって認
識される。前もって、石英ガラス棒１４〜１６の構成の
ため、既知の平行度を持つ治具を加圧し、プレス盤の平
行度を設定した段階で、リニアスケール１７〜１９のゼ
ロ調整を行っておく。これによって、プレス盤間距離の
変化をリニアスケールの変化として確認できる。リニア
スケールで認識したプレス盤間距離はアンプ２２に出力
される。プレス荷重はロードセル２０で認識されアンプ
２１に出力する。制御用コントローラー２３はアンプ２
２より出力されるプレス盤間距離と荷重値をスクリュー
ジャッキ１０〜１２にフィードバックする。スクリュー
ジャッキ１０〜１２はシャフト４〜６を独立に動かすこ
とで、リアルタイムにプレス盤間距離を任意に保ちなが
ら荷重を制御する。
【００１１】（実施例２）図３は実施例１のプレス盤間
距離をシャフト移動距離で認識できるよう、シャフト４
〜６にリニアスケール１７〜１９を設置した構造であ
る。また、各シャフトの荷重を精度よく測定するため、
低圧用ロードセル２４〜２６と高圧用ロードセル２７〜
２９を配置した構成とする。プレス盤間距離確認のた
め、実施例１と同様に、既知の平行度を持つ治具等を加
圧した状態でリニアスケール１７〜１９のゼロ調整を行
う。この時は、低圧用ロードセル２７〜２９を使用す
る。そして、実施例１と同様に認識したシャフト移動距
離をアンプ２２に出力し、制御用コントローラー２３よ
りスクリュージャッキ１０〜１２にフィードバックす
る。また、大加圧で被処理物を処理する場合は、高圧用
ロードセル２７〜２９に自動で切り替わる構造とする。
距離をシャフト移動距離で認識できるよう、シャフト４
〜６にリニアスケール１７〜１９を設置した構造であ
る。また、各シャフトの荷重を精度よく測定するため、
低圧用ロードセル２４〜２６と高圧用ロードセル２７〜
２９を配置した構成とする。プレス盤間距離確認のた
め、実施例１と同様に、既知の平行度を持つ治具等を加
圧した状態でリニアスケール１７〜１９のゼロ調整を行
う。この時は、低圧用ロードセル２７〜２９を使用す
る。そして、実施例１と同様に認識したシャフト移動距
離をアンプ２２に出力し、制御用コントローラー２３よ
りスクリュージャッキ１０〜１２にフィードバックす
る。また、大加圧で被処理物を処理する場合は、高圧用
ロードセル２７〜２９に自動で切り替わる構造とする。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、プレス
の定期調整を簡易にし、プレス時のプレス盤の傾きを任
意に設定することで安定した品質を保つことにある。ま
た、発明の実施の形態での実施例１においては、プレス
時のプレス盤の傾きをリアルタイムに自動で任意に設
定、調整できるため、常に安定した品質を保つことがで
きる。
の定期調整を簡易にし、プレス時のプレス盤の傾きを任
意に設定することで安定した品質を保つことにある。ま
た、発明の実施の形態での実施例１においては、プレス
時のプレス盤の傾きをリアルタイムに自動で任意に設
定、調整できるため、常に安定した品質を保つことがで
きる。
【図１】実施例１の方法図である。
【図２】シャフトとプレス盤の接触部構造の詳細図であ
る。
る。
【図３】実施例２の詳細図である。
１…セラミック積層体、 ２〜３…プレス
盤、４〜６…シャフト、 ７〜９…ボー
ルスプライン、１０〜１２…スクリュージャッキ、
１３…大シャフト、１４〜１６…プレス盤間距離認識用
石英ガラス棒、１７〜１９…リニアスケール、
２０…ロードセル、２１…本体フレーム、
２２…アンプ（増幅器） ２３…制御用コントローラー、 ２４〜２６…低
圧用ロードセル、２７〜２９…高圧用ロードセル。
盤、４〜６…シャフト、 ７〜９…ボー
ルスプライン、１０〜１２…スクリュージャッキ、
１３…大シャフト、１４〜１６…プレス盤間距離認識用
石英ガラス棒、１７〜１９…リニアスケール、
２０…ロードセル、２１…本体フレーム、
２２…アンプ（増幅器） ２３…制御用コントローラー、 ２４〜２６…低
圧用ロードセル、２７〜２９…高圧用ロードセル。
Claims (5)
- 【請求項１】平板状被焼結体の外表面の少なくとも一部
に圧締力を加えながら、高温に加熱し焼結体を製造する
加圧焼成炉において、平板状被焼結体に圧締力を加える
一組のプレス盤を支持する少なくとも一方の加圧力伝達
軸を３本以上にて構成し、それぞれの伝達軸を独立に駆
動できることを特徴とする加圧焼成炉。 - 【請求項２】平板状被焼結体の外表面の少なくとも一部
に圧締力を加えながら、高温に加熱し焼結体を製造する
装置において、平板状焼結体に圧締力を加える一組のプ
レス盤間の距離を検出する機構を３個以上設けたことを
特徴とする加圧焼成炉。 - 【請求項３】平板状被焼結体の外表面の少なくとも一部
に圧締力を加えながら、高温に加熱し焼結体を製造する
加圧焼成炉において、平板状被焼結体に圧締力を加える
一組のプレス盤を支持する少なくとも一方の加圧力伝達
軸を３本以上にて構成し、それぞれの伝達軸に移動量を
検出する機構を設けたことを特徴とする加圧焼成炉。 - 【請求項４】平板状被焼結体の外表面の少なくとも一部
に圧締力を加えながら、高温に加熱し焼結体を製造する
加圧焼成炉において、平板状被焼結体に圧締力を加える
一組のプレス盤を支持する少なくとも一方の加圧力伝達
軸を３本以上にて構成し、その加圧力伝達軸とプレス盤
との接触部が球状であることを特徴とする加圧焼成炉。 - 【請求項５】平板状被焼結体の外表面の少なくとも一部
に圧締力を加えながら、高温に加熱し焼結体を製造する
加圧焼成炉において、平板状被焼結体に圧締力を加える
一組のプレス盤を支持する少なくとも一方の加圧力伝達
軸を３本以上にて構成し、そのプレス間の距離を検出す
る機構を３個以上設けることで、それぞれの伝達軸をリ
アルタイムに独立に駆動できることを特徴とする加圧焼
成炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9071300A JPH10265806A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 高精度プレス機構を備えた焼成炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9071300A JPH10265806A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 高精度プレス機構を備えた焼成炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10265806A true JPH10265806A (ja) | 1998-10-06 |
Family
ID=13456680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9071300A Pending JPH10265806A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 高精度プレス機構を備えた焼成炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10265806A (ja) |
-
1997
- 1997-03-25 JP JP9071300A patent/JPH10265806A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0243858B1 (en) | Method and means for co-sintering ceramic/metal MLC substrates | |
| KR100664777B1 (ko) | 부품실장장치 및 부품실장방법 | |
| CN100508110C (zh) | 热处理设备校准方法 | |
| WO2017208909A1 (ja) | ラミネート装置、ラミネート方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JPH10265806A (ja) | 高精度プレス機構を備えた焼成炉 | |
| JPH10277796A (ja) | プレス制御方法及びプレス装置 | |
| JP2011222578A (ja) | 電子部品製造装置及び電子部品製造方法 | |
| KR102134123B1 (ko) | 3d 프린팅을 이용한 고밀도 플라즈마 정전척용 세라믹 플레이트의 제조방법 | |
| US6867841B2 (en) | Method for manufacturing liquid crystal display panels | |
| TWI244564B (en) | Method and system for producing liquid crystal panel | |
| TWI819316B (zh) | 疊層裝置 | |
| JP6673753B2 (ja) | 基板クランプ装置及び基板処理装置 | |
| JPH11218480A (ja) | セラミックス焼結体の熱衝撃試験法およびその装置 | |
| KR20120046562A (ko) | 세라믹 기판 소성 장치 및 이를 이용한 세라믹 기판 소성 방법 | |
| JP3268423B2 (ja) | 多層セラミック焼結体の製造装置 | |
| KR101900547B1 (ko) | 세라믹 기판 제조용 적층 시스템 및 이를 이용한 세라믹 기판의 제조 방법 | |
| JP4437762B2 (ja) | 熱圧着装置 | |
| JP2017034158A (ja) | セラミック成形体の切断装置および積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| US20200273742A1 (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| JPH07130795A (ja) | 半導体素子接続方法および半導体素子接続装置 | |
| JP2007190624A (ja) | 板材加工定盤 | |
| JP6028909B2 (ja) | 封止装置 | |
| KR101953433B1 (ko) | 세라믹 기판 휨 발생용 도구 세트 및 이를 이용한 세라믹 기판의 휨 발생 방법 | |
| JP2002158425A (ja) | 電子部品の熱圧着装置および熱圧着方法 | |
| JP2664129B2 (ja) | ホットプレス |