JPH10261905A - マイクロ波集積回路のスタブ素子及びその製造方法 - Google Patents
マイクロ波集積回路のスタブ素子及びその製造方法Info
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- JPH10261905A JPH10261905A JP6674197A JP6674197A JPH10261905A JP H10261905 A JPH10261905 A JP H10261905A JP 6674197 A JP6674197 A JP 6674197A JP 6674197 A JP6674197 A JP 6674197A JP H10261905 A JPH10261905 A JP H10261905A
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- Japan
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- transmission line
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 同軸線を使用してスタブ素子を作製すること
により、回路のパラメータの最適化を図るための自由度
を向上させる。 【解決手段】 中心導体２１を誘電体２２で被い、この
誘電体２２の周りを導電性のシールド被膜２３で被った
同軸線２０からなり、前記中心導体２１の一方の端を信
号伝送線路１１に接続し、前記シールド被膜２３をグラ
ンドと接続し、前記中心導体２１のもう一方の端をチッ
プコンデンサ２５を介してグランドに接続するショート
スタブ素子Ｓ１１と、中心導体３１を誘電体３２で被
い、この誘電体３２の周りを導電性のシールド被膜３３
で被った同軸線３０からなり、前記中心導体３１の一方
の端を信号伝送線路１１に接続し、前記シールド被膜３
３をグランドと接続し、前記中心導体３１のもう一方の
端を解放したオープンスタブ素子Ｓ１２とを設ける。
により、回路のパラメータの最適化を図るための自由度
を向上させる。 【解決手段】 中心導体２１を誘電体２２で被い、この
誘電体２２の周りを導電性のシールド被膜２３で被った
同軸線２０からなり、前記中心導体２１の一方の端を信
号伝送線路１１に接続し、前記シールド被膜２３をグラ
ンドと接続し、前記中心導体２１のもう一方の端をチッ
プコンデンサ２５を介してグランドに接続するショート
スタブ素子Ｓ１１と、中心導体３１を誘電体３２で被
い、この誘電体３２の周りを導電性のシールド被膜３３
で被った同軸線３０からなり、前記中心導体３１の一方
の端を信号伝送線路１１に接続し、前記シールド被膜３
３をグランドと接続し、前記中心導体３１のもう一方の
端を解放したオープンスタブ素子Ｓ１２とを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁性または半絶
縁性基板上に形成するマイクロ波集積回路のスタブ素子
及びその製造方法に関するものである。
縁性基板上に形成するマイクロ波集積回路のスタブ素子
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のマイクロ波集積回路のスタ
ブ素子を示す斜視図である。この図に示すように、アル
ミナ等の絶縁性基板、あるいはＧａＡｓ等の半絶縁性基
板１上に、メタルパターンで形成された信号伝送線路２
が、回路の入力端子３から出力端子４までの間を、回路
の要求する特性インピーダンスを持つストリップライン
として結んでいる。
ブ素子を示す斜視図である。この図に示すように、アル
ミナ等の絶縁性基板、あるいはＧａＡｓ等の半絶縁性基
板１上に、メタルパターンで形成された信号伝送線路２
が、回路の入力端子３から出力端子４までの間を、回路
の要求する特性インピーダンスを持つストリップライン
として結んでいる。
【０００３】信号伝送線路２のライン上の入力端子３か
らの距離ｄ１のポイントに、ライン長Ｌ１のショートス
タブＳ１が設けられ、その先端はキャパシタＣ１を介し
てグランドに接続されている。また、信号伝送線路２の
ライン上のショートスタブＳ１から距離ｄ２のポイント
に、ライン長Ｌ２のオープンスタブＳ２が設けられてい
る。ショートスタブＳ１およびオープンスタブＳ２は、
入力端子３・出力端子４に接続され、回路あるいは素子
の間のインピーダンスのマッチングをとるために、イン
ピーダンス変換回路として働く。
らの距離ｄ１のポイントに、ライン長Ｌ１のショートス
タブＳ１が設けられ、その先端はキャパシタＣ１を介し
てグランドに接続されている。また、信号伝送線路２の
ライン上のショートスタブＳ１から距離ｄ２のポイント
に、ライン長Ｌ２のオープンスタブＳ２が設けられてい
る。ショートスタブＳ１およびオープンスタブＳ２は、
入力端子３・出力端子４に接続され、回路あるいは素子
の間のインピーダンスのマッチングをとるために、イン
ピーダンス変換回路として働く。
【０００４】なお、基板１の裏面はグランド（図示な
し）となっており、信号伝送線路２、ショートスタブＳ
１およびオープンスタブＳ２は全てストリップラインと
して、基板１の誘電率・基板１の厚み、信号伝送線路２
の幅は回路で要求する特性インピーダンスに合うように
構成されているものとする。
し）となっており、信号伝送線路２、ショートスタブＳ
１およびオープンスタブＳ２は全てストリップラインと
して、基板１の誘電率・基板１の厚み、信号伝送線路２
の幅は回路で要求する特性インピーダンスに合うように
構成されているものとする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の構成の回路では、基板にメタルパターンを付け
た時点で、スタブの取り付け位置や長さが固定されてし
まう。スタブの長さを短くすることは、例えば、ショー
トスタブにおいて、途中でキャパシタでグランドに接続
し、ショートカットする等、多少の調整は可能である
が、特にスタブの取り付け位置については調整ができな
いので、基板ごと作り直す必要が生じる。
た従来の構成の回路では、基板にメタルパターンを付け
た時点で、スタブの取り付け位置や長さが固定されてし
まう。スタブの長さを短くすることは、例えば、ショー
トスタブにおいて、途中でキャパシタでグランドに接続
し、ショートカットする等、多少の調整は可能である
が、特にスタブの取り付け位置については調整ができな
いので、基板ごと作り直す必要が生じる。
【０００６】また、回路の定数が既に決まっている場合
は構わないが、設計段階で回路の最適化のために、パラ
メータを細かく調整することは多くの困難を要した。本
発明は、上記問題点を除去し、同軸線を使用してスタブ
素子を作製することにより、同軸線の取り付け位置や長
さを基板作製後に細かく調整することができ、回路のパ
ラメータの最適化を図るための自由度を向上させること
ができるマイクロ波集積回路のスタブ素子及びその製造
方法を提供することを目的とする。
は構わないが、設計段階で回路の最適化のために、パラ
メータを細かく調整することは多くの困難を要した。本
発明は、上記問題点を除去し、同軸線を使用してスタブ
素子を作製することにより、同軸線の取り付け位置や長
さを基板作製後に細かく調整することができ、回路のパ
ラメータの最適化を図るための自由度を向上させること
ができるマイクロ波集積回路のスタブ素子及びその製造
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕絶縁性あるいは半絶縁性基板上に信号伝送線路を
形成するマイクロ波集積回路のスタブ素子において、中
心導体を誘電体で被い、この誘電体の周りを導電性のシ
ールド被膜で被った同軸線からなり、前記中心導体の一
方の端を信号伝送線路に接続し、前記シールド被膜をグ
ランドと接続し、前記中心導体のもう一方の端をコンデ
ンサを介してグランドに接続するショートスタブ素子
と、中心導体を誘電体で被い、この誘電体の周りを導電
性のシールド被膜で被った同軸線からなり、前記中心導
体の一方の端を信号伝送線路に接続し、前記シールド被
膜をグランドと接続し、前記中心導体のもう一方の端を
解放したオープンスタブ素子とを設けるようにしたもの
である。
成するために、 〔１〕絶縁性あるいは半絶縁性基板上に信号伝送線路を
形成するマイクロ波集積回路のスタブ素子において、中
心導体を誘電体で被い、この誘電体の周りを導電性のシ
ールド被膜で被った同軸線からなり、前記中心導体の一
方の端を信号伝送線路に接続し、前記シールド被膜をグ
ランドと接続し、前記中心導体のもう一方の端をコンデ
ンサを介してグランドに接続するショートスタブ素子
と、中心導体を誘電体で被い、この誘電体の周りを導電
性のシールド被膜で被った同軸線からなり、前記中心導
体の一方の端を信号伝送線路に接続し、前記シールド被
膜をグランドと接続し、前記中心導体のもう一方の端を
解放したオープンスタブ素子とを設けるようにしたもの
である。
【０００８】〔２〕絶縁性あるいは半絶縁性基板上に信
号伝送線路を形成するマイクロ波集積回路のスタブ素子
の製造方法において、予めメタルパターンからなる信号
伝送線路及びコンデンサが配置された基板を用意し、中
心導体を誘電体で被い、この誘電体の周りを導電性のシ
ールド被膜で被った同軸線からなり、前記中心導体の一
方の端を前記信号伝送線路に接続し、前記シールド被膜
をグランドと接続し、前記中心導体のもう一方の端を解
放あるいは前記コンデンサを介してグランドに接続する
ようにしたものである。
号伝送線路を形成するマイクロ波集積回路のスタブ素子
の製造方法において、予めメタルパターンからなる信号
伝送線路及びコンデンサが配置された基板を用意し、中
心導体を誘電体で被い、この誘電体の周りを導電性のシ
ールド被膜で被った同軸線からなり、前記中心導体の一
方の端を前記信号伝送線路に接続し、前記シールド被膜
をグランドと接続し、前記中心導体のもう一方の端を解
放あるいは前記コンデンサを介してグランドに接続する
ようにしたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
実施例のマイクロ波集積回路のスタブ素子を示す斜視図
である。この図に示すように、裏面をグランド（図示な
し）としたレキセライト基板１０の上面に、メタルパタ
ーンで信号伝送線路１１を設けている。そして、信号伝
送線路１１の信号が入力される側に入力端子１２を、そ
の反対側に出力端子１３を設け、信号伝送線路１１の入
力端子１２からの距離ｄ１１のポイントに、中心導体
（導体のワイヤ）２１の周囲を誘電体２２で被い、更に
その周りを導電性のシールド被膜２３でシールドした、
長さＬ１１の同軸線２０からなるショートスタブＳ１１
を設ける。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
実施例のマイクロ波集積回路のスタブ素子を示す斜視図
である。この図に示すように、裏面をグランド（図示な
し）としたレキセライト基板１０の上面に、メタルパタ
ーンで信号伝送線路１１を設けている。そして、信号伝
送線路１１の信号が入力される側に入力端子１２を、そ
の反対側に出力端子１３を設け、信号伝送線路１１の入
力端子１２からの距離ｄ１１のポイントに、中心導体
（導体のワイヤ）２１の周囲を誘電体２２で被い、更に
その周りを導電性のシールド被膜２３でシールドした、
長さＬ１１の同軸線２０からなるショートスタブＳ１１
を設ける。
【００１０】そのショートスタブＳ１１の同軸線２０の
中心導体２１の一方の端を、信号伝送線路１１に半田付
け、あるいは導電性の接着剤によって取り付ける。その
中心導体２１のもう一方の端は、チップコンデンサ２５
の一方の電極に接続し、チップコンデンサ２５のもう一
方の電極はグランド（図示なし）に接続される。また、
信号伝送線路１１のショートスタブＳ１１の取り付け位
置から距離ｄ１２分、出力端子１３側に離れた信号伝送
線路１１上のポイントに、ショートスタブＳ１１の同軸
線２０と同じ構造を持つ長さＬ１２の同軸線３０からな
るオープンスタブＳ１２を設ける。つまり、中心導体
（導体のワイヤ）３１の周囲を誘電体３２で被い、更に
その周りを導電性のシールド被膜３３でシールドした、
長さＬ１２の同軸線３０からなるオープンスタブＳ１２
を設け、オープンスタブＳ１２の同軸線３０の中心導体
３１の一方の端を信号伝送線路１１に接続する。
中心導体２１の一方の端を、信号伝送線路１１に半田付
け、あるいは導電性の接着剤によって取り付ける。その
中心導体２１のもう一方の端は、チップコンデンサ２５
の一方の電極に接続し、チップコンデンサ２５のもう一
方の電極はグランド（図示なし）に接続される。また、
信号伝送線路１１のショートスタブＳ１１の取り付け位
置から距離ｄ１２分、出力端子１３側に離れた信号伝送
線路１１上のポイントに、ショートスタブＳ１１の同軸
線２０と同じ構造を持つ長さＬ１２の同軸線３０からな
るオープンスタブＳ１２を設ける。つまり、中心導体
（導体のワイヤ）３１の周囲を誘電体３２で被い、更に
その周りを導電性のシールド被膜３３でシールドした、
長さＬ１２の同軸線３０からなるオープンスタブＳ１２
を設け、オープンスタブＳ１２の同軸線３０の中心導体
３１の一方の端を信号伝送線路１１に接続する。
【００１１】そのオープンスタブＳ１２の同軸線３０の
中心導体３１のもう一方の端はオープンのままとする。
また、ショートスタブＳ１１の同軸線２０のシールド被
膜２３と、オープンスタブＳ１２の同軸線３０のシール
ド被膜３３はグランド（図示なし）と接続する。以下、
このマイクロ波集積回路の動作について説明する。
中心導体３１のもう一方の端はオープンのままとする。
また、ショートスタブＳ１１の同軸線２０のシールド被
膜２３と、オープンスタブＳ１２の同軸線３０のシール
ド被膜３３はグランド（図示なし）と接続する。以下、
このマイクロ波集積回路の動作について説明する。
【００１２】ショートスタブＳ１１及びオープンスタブ
Ｓ１２は、中心導体２１，３１の太さ・中心導体２１，
３１を囲む誘電体２２，３２の厚み等により、特性イン
ピーダンスが定まる信号伝送線路１１である。ショート
スタブＳ１１は信号伝送線路１１に中心導体２１の一方
の端を接続し、もう一方の端をチップコンデンサ２５を
介して、グランドに接続してあるので、高周波的には、
長さＬ１１のショートスタブＳ１１として機能する。オ
ープンスタブＳ１２は信号伝送線路１１と接していない
方の端を無接続としてあるので、長さＬ１２のオープン
スタブＳ１２として機能する。
Ｓ１２は、中心導体２１，３１の太さ・中心導体２１，
３１を囲む誘電体２２，３２の厚み等により、特性イン
ピーダンスが定まる信号伝送線路１１である。ショート
スタブＳ１１は信号伝送線路１１に中心導体２１の一方
の端を接続し、もう一方の端をチップコンデンサ２５を
介して、グランドに接続してあるので、高周波的には、
長さＬ１１のショートスタブＳ１１として機能する。オ
ープンスタブＳ１２は信号伝送線路１１と接していない
方の端を無接続としてあるので、長さＬ１２のオープン
スタブＳ１２として機能する。
【００１３】このように、本発明によれば、従来のよう
な、基板上にメタルパターンでスタブ素子を作製するこ
とをやめ、同軸線を使用してスタブ素子を作製すること
により、同軸線の取り付け位置や長さを基板作製後に細
かく調整することができるため、回路のパラメータの最
適化を図るための自由度を大きく向上させることができ
る。
な、基板上にメタルパターンでスタブ素子を作製するこ
とをやめ、同軸線を使用してスタブ素子を作製すること
により、同軸線の取り付け位置や長さを基板作製後に細
かく調整することができるため、回路のパラメータの最
適化を図るための自由度を大きく向上させることができ
る。
【００１４】なお、この実施例ではレキセライト基板を
使用して説明したが、基板は他の絶縁性基板やＧａＡｓ
のような半絶縁性基板を用いたマイクロ波集積回路にお
いても、適応可能である。また、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々
の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
使用して説明したが、基板は他の絶縁性基板やＧａＡｓ
のような半絶縁性基板を用いたマイクロ波集積回路にお
いても、適応可能である。また、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々
の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
【００１５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、従来のような、基板上にメタルパターンでスタ
ブ素子を作製することをやめ、同軸線を使用してスタブ
素子を作製することにより、同軸線の取り付け位置や長
さを基板作製後に細かく調整することができるため、回
路のパラメータの最適化を図るための自由度を大きく向
上させることができる。
よれば、従来のような、基板上にメタルパターンでスタ
ブ素子を作製することをやめ、同軸線を使用してスタブ
素子を作製することにより、同軸線の取り付け位置や長
さを基板作製後に細かく調整することができるため、回
路のパラメータの最適化を図るための自由度を大きく向
上させることができる。
【図１】本発明の実施例のマイクロ波集積回路のスタブ
素子を示す斜視図である。
素子を示す斜視図である。
【図２】従来のマイクロ波集積回路のスタブ素子を示す
斜視図である。
斜視図である。
１０ レキセライト基板 １１ メタルパターンからなる信号伝送線路 １２ 入力端子 １３ 出力端子 ２０，３０ 同軸線 ２１，３１ 中心導体 ２２，３２ 誘電体 ２３，３３ 導電性のシールド被膜 ２５ チップコンデンサ Ｓ１１ ショートスタブ Ｓ１２ オープンスタブ
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性あるいは半絶縁性基板上に信号伝
送線路を形成するマイクロ波集積回路のスタブ素子にお
いて、（ａ）中心導体を誘電体で被い、該誘電体の周り
を導電性のシールド被膜で被った同軸線からなり、前記
中心導体の一方の端を信号伝送線路に接続し、前記シー
ルド被膜をグランドと接続し、前記中心導体のもう一方
の端をコンデンサを介してグランドに接続するショート
スタブ素子と、（ｂ）中心導体を誘電体で被い、該誘電
体の周りを導電性のシールド被膜で被った同軸線からな
り、前記中心導体の一方の端を信号伝送線路に接続し、
前記シールド被膜をグランドと接続し、前記中心導体の
もう一方の端を解放したオープンスタブ素子とを具備す
るマイクロ波集積回路のスタブ素子。 - 【請求項２】 絶縁性あるいは半絶縁性基板上に信号伝
送線路を形成するマイクロ波集積回路のスタブ素子の製
造方法において、（ａ）予めメタルパターンからなる信
号伝送線路及びコンデンサが配置された基板を用意し、
（ｂ）中心導体を誘電体で被い、該誘電体の周りを導電
性のシールド被膜で被った同軸線からなり、前記中心導
体の一方の端を前記信号伝送線路に接続し、前記シール
ド被膜をグランドと接続し、前記中心導体のもう一方の
端を解放あるいは前記コンデンサを介してグランドに接
続することを特徴とするマイクロ波集積回路のスタブ素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6674197A JPH10261905A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | マイクロ波集積回路のスタブ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6674197A JPH10261905A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | マイクロ波集積回路のスタブ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261905A true JPH10261905A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13324614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6674197A Withdrawn JPH10261905A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | マイクロ波集積回路のスタブ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10261905A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011010139A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Soshin Electric Co Ltd | 高周波スイッチ |
-
1997
- 1997-03-19 JP JP6674197A patent/JPH10261905A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011010139A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Soshin Electric Co Ltd | 高周波スイッチ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |