JPH10261742A - 半導体素子の実装構造 - Google Patents
半導体素子の実装構造Info
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- JPH10261742A JPH10261742A JP6353897A JP6353897A JPH10261742A JP H10261742 A JPH10261742 A JP H10261742A JP 6353897 A JP6353897 A JP 6353897A JP 6353897 A JP6353897 A JP 6353897A JP H10261742 A JPH10261742 A JP H10261742A
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- Japan
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- semiconductor element
- heat
- sealing resin
- mounting structure
- sealed
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Abstract
(57)【要約】
【課題】効率的且つ簡単で安価な半導体素子の放熱構造
を実現する。 【解決手段】半導体素子３が封止樹脂５で封止され、基
板１上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於い
て、前記半導体素子３の発熱面３１に放熱ブロック６の
一端を圧着し、前記半導体素子３を封止する封止樹脂５
で放熱ブロック６と共に封着し、前記放熱ブロック６の
他端が封止樹脂５から露出させてなることを特徴とす
る。
を実現する。 【解決手段】半導体素子３が封止樹脂５で封止され、基
板１上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於い
て、前記半導体素子３の発熱面３１に放熱ブロック６の
一端を圧着し、前記半導体素子３を封止する封止樹脂５
で放熱ブロック６と共に封着し、前記放熱ブロック６の
他端が封止樹脂５から露出させてなることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の実装
構造に関り、詳細には半導体素子に対して有効な放熱構
造に関する。
構造に関り、詳細には半導体素子に対して有効な放熱構
造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体や集積回路は高集積度化、
高パワー化が進んでおり、それに含まれる素子が発熱す
るようになっている。その対策として、ワイヤボンディ
ング法で実装された半導体や半導体集積回路の放熱構造
として、例えば図１１に示すような構造が挙げられる。
２０はプリント基板で絶縁板（エポキシ板など）の表面
に導体層で回路の配線パターンをエッチング等の方法に
より形成したものである。２１はプリント基板２０にエ
ッチングされた導体層の回路配線パターンで、その端子
部には半導体素子２２のリード線２４が超音波振動等に
より接続されている。２２は半導体素子本体で通常プリ
ント基板２０に接する面とは反対面にチップパターン２
３が加工され、此の部分から発熱する。
高パワー化が進んでおり、それに含まれる素子が発熱す
るようになっている。その対策として、ワイヤボンディ
ング法で実装された半導体や半導体集積回路の放熱構造
として、例えば図１１に示すような構造が挙げられる。
２０はプリント基板で絶縁板（エポキシ板など）の表面
に導体層で回路の配線パターンをエッチング等の方法に
より形成したものである。２１はプリント基板２０にエ
ッチングされた導体層の回路配線パターンで、その端子
部には半導体素子２２のリード線２４が超音波振動等に
より接続されている。２２は半導体素子本体で通常プリ
ント基板２０に接する面とは反対面にチップパターン２
３が加工され、此の部分から発熱する。
【０００３】２５は半導体素子２２を装着した後、外部
の環境（湿度、外圧等）から保護するために半導体素子
２２を被装するエポキシ樹脂等による封止樹脂で、粘着
状の液体で時間が経過すると凝結する。２６はヒートシ
ンクで放熱のためにプリント基板２０のパターン２１と
は反対側に密着している筐体や放熱板である。このよう
に従来の半導体素子の放熱構造は発熱源から熱伝導の悪
い材質を介して放熱されたり、或いは絶縁されているが
熱伝導のよい材質、つまり高価な材質（特殊なセラミッ
クや金属基板等）を使用するなどしており、放熱効果や
コスト面で問題があった。
の環境（湿度、外圧等）から保護するために半導体素子
２２を被装するエポキシ樹脂等による封止樹脂で、粘着
状の液体で時間が経過すると凝結する。２６はヒートシ
ンクで放熱のためにプリント基板２０のパターン２１と
は反対側に密着している筐体や放熱板である。このよう
に従来の半導体素子の放熱構造は発熱源から熱伝導の悪
い材質を介して放熱されたり、或いは絶縁されているが
熱伝導のよい材質、つまり高価な材質（特殊なセラミッ
クや金属基板等）を使用するなどしており、放熱効果や
コスト面で問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、高発熱の素子
を内蔵する半導体素子の放熱方法は放熱板や放熱フィン
等の部材が高価であったり、表面積を大きくしなければ
ならない問題がある。そこで、本発明は安価で簡単且つ
効率的に放熱できる半導体素子の実装構造を提供するこ
とを目的とする。
を内蔵する半導体素子の放熱方法は放熱板や放熱フィン
等の部材が高価であったり、表面積を大きくしなければ
ならない問題がある。そこで、本発明は安価で簡単且つ
効率的に放熱できる半導体素子の実装構造を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、半導体素子が封止樹脂で封止され、基板
上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、前
記半導体素子の発熱面に放熱ブロックの一端を圧着し、
前記封止樹脂で該放熱ブロックを封着し、該放熱ブロッ
クの他端を前記封止樹脂から露出させてなることを特徴
とする。
決するために、半導体素子が封止樹脂で封止され、基板
上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、前
記半導体素子の発熱面に放熱ブロックの一端を圧着し、
前記封止樹脂で該放熱ブロックを封着し、該放熱ブロッ
クの他端を前記封止樹脂から露出させてなることを特徴
とする。
【０００６】又、半導体素子が封止樹脂で封止され、基
板上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、
前記半導体素子の発熱面に放熱ブロックの一端を圧着
し、前記封止樹脂で該放熱ブロックを封着し、該放熱ブ
ロックの他端を前記封止樹脂から露出させ、更に該放熱
ブロックの他端を前記基板の筐体に密着させてなること
を特徴とする。
板上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、
前記半導体素子の発熱面に放熱ブロックの一端を圧着
し、前記封止樹脂で該放熱ブロックを封着し、該放熱ブ
ロックの他端を前記封止樹脂から露出させ、更に該放熱
ブロックの他端を前記基板の筐体に密着させてなること
を特徴とする。
【０００７】又、半導体素子が封止樹脂で封止され、基
板上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、
前記半導体素子の発熱面に放熱ブロックの一端を圧着
し、前記封止樹脂で該放熱ブロックを封着し、該放熱ブ
ロックの他端を前記封止樹脂から露出させ、更に露出し
た該放熱ブロック内部を貫通する通水パイプを設けてな
ることを特徴とする。
板上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、
前記半導体素子の発熱面に放熱ブロックの一端を圧着
し、前記封止樹脂で該放熱ブロックを封着し、該放熱ブ
ロックの他端を前記封止樹脂から露出させ、更に露出し
た該放熱ブロック内部を貫通する通水パイプを設けてな
ることを特徴とする。
【０００８】又、半導体素子が封止樹脂で封止され、基
板上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、
前記半導体素子の発熱面に放熱ブロックの一端を圧着
し、前記封止樹脂で該放熱ブロックを封着し、該放熱ブ
ロックの他端を前記封止樹脂から露出させ、該露出した
放熱ブロックにフィンを設けてなることを特徴とする。
又、半導体素子が封止樹脂で封止され、基板上に実装さ
れてなる半導体素子の実装構造に於いて、前記半導体素
子の発熱面と対向する封止樹脂の表面に放熱板を張りつ
けてなることを特徴とする。
板上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、
前記半導体素子の発熱面に放熱ブロックの一端を圧着
し、前記封止樹脂で該放熱ブロックを封着し、該放熱ブ
ロックの他端を前記封止樹脂から露出させ、該露出した
放熱ブロックにフィンを設けてなることを特徴とする。
又、半導体素子が封止樹脂で封止され、基板上に実装さ
れてなる半導体素子の実装構造に於いて、前記半導体素
子の発熱面と対向する封止樹脂の表面に放熱板を張りつ
けてなることを特徴とする。
【０００９】又、前記放熱板の、前記半導体素子と対向
する側に凹凸部を設け、前記放熱板の凹凸部の設けられ
た面を前記封止樹脂に埋め込み成形し、凹凸部の無い面
を前記封止樹脂から露出させてなることを特徴とする。
又、前記凹凸部の無い面を封止樹脂から露出させ、更に
前記基板の筐体に密着させてなることを特徴とする。
する側に凹凸部を設け、前記放熱板の凹凸部の設けられ
た面を前記封止樹脂に埋め込み成形し、凹凸部の無い面
を前記封止樹脂から露出させてなることを特徴とする。
又、前記凹凸部の無い面を封止樹脂から露出させ、更に
前記基板の筐体に密着させてなることを特徴とする。
【００１０】又、半導体素子が封止樹脂で封止され、基
板上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、
前記半導体素子の発熱面と対向する封止樹脂の表面を凹
凸にして放熱フィンを形成してなることを特徴とする。
又、半導体素子が封止樹脂で封止され、基板上に実装さ
れてなる半導体素子の実装構造に於いて、前記半導体素
子の発熱面と対向する封止樹脂の表面に沿って複数個の
放熱ブロックが張りつけられ、該複数個の放熱ブロック
で放熱フィンを形成してなることを特徴とする。
板上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、
前記半導体素子の発熱面と対向する封止樹脂の表面を凹
凸にして放熱フィンを形成してなることを特徴とする。
又、半導体素子が封止樹脂で封止され、基板上に実装さ
れてなる半導体素子の実装構造に於いて、前記半導体素
子の発熱面と対向する封止樹脂の表面に沿って複数個の
放熱ブロックが張りつけられ、該複数個の放熱ブロック
で放熱フィンを形成してなることを特徴とする。
【００１１】又、半導体素子が封止樹脂で封止され、基
板上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、
前記半導体素子の発熱面と対向する封止樹脂の表面に複
数個の放熱ブロックが途中まで埋め込まれ、該複数個の
放熱ブロックで放熱フィンを形成してなることを特徴と
する。
板上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、
前記半導体素子の発熱面と対向する封止樹脂の表面に複
数個の放熱ブロックが途中まで埋め込まれ、該複数個の
放熱ブロックで放熱フィンを形成してなることを特徴と
する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。図１は本発明の第１実施例を示す構成図であ
り、１はプリント基板で絶縁板（エポキシ板など）の表
面に導体層で回路の配線パターンをエッチング等の方法
により形成したものである。２はプリント基板１にエッ
チングされた導体層の回路配線パターンで、その端子部
には半導体素子の回路と接続されるリード線が接続され
る。３は半導体素子や集積回路の本体であり、プリント
基板１側と反対面、つまり半導体素子の表面３１には半
導体素子パターンが設けられており、この部分から発熱
する。従って、本例では前記表面が発熱面となる。４は
半導体素子や集積回路３の端子からプリント基板１の回
路配線パターン２に接続するためのリード線（ボンディ
ングワイヤ）で、超音波振動等によって接続されてい
る。
説明する。図１は本発明の第１実施例を示す構成図であ
り、１はプリント基板で絶縁板（エポキシ板など）の表
面に導体層で回路の配線パターンをエッチング等の方法
により形成したものである。２はプリント基板１にエッ
チングされた導体層の回路配線パターンで、その端子部
には半導体素子の回路と接続されるリード線が接続され
る。３は半導体素子や集積回路の本体であり、プリント
基板１側と反対面、つまり半導体素子の表面３１には半
導体素子パターンが設けられており、この部分から発熱
する。従って、本例では前記表面が発熱面となる。４は
半導体素子や集積回路３の端子からプリント基板１の回
路配線パターン２に接続するためのリード線（ボンディ
ングワイヤ）で、超音波振動等によって接続されてい
る。
【００１３】５は封止用の樹脂で、プリント基板上に装
着された半導体素子３を固定すると共に防湿等のために
用いられる絶縁及び接着性を持った粘液で時間の経過と
ともに凝固する。６は熱伝導のよい金属などによって加
工された放熱ブロックで、その一端は半導体素子３の表
面に絶縁された形で圧着され、他端は封止用樹脂５の中
を貫通して封止樹脂５の外に突き出され、露出した構造
とすることによって半導体素子３から発熱する熱を放熱
ブロック６によって伝導し、封止用樹脂５の中を貫通し
て封止樹脂５の外に放熱ブロック６の突き出し部分によ
って放熱することができる。
着された半導体素子３を固定すると共に防湿等のために
用いられる絶縁及び接着性を持った粘液で時間の経過と
ともに凝固する。６は熱伝導のよい金属などによって加
工された放熱ブロックで、その一端は半導体素子３の表
面に絶縁された形で圧着され、他端は封止用樹脂５の中
を貫通して封止樹脂５の外に突き出され、露出した構造
とすることによって半導体素子３から発熱する熱を放熱
ブロック６によって伝導し、封止用樹脂５の中を貫通し
て封止樹脂５の外に放熱ブロック６の突き出し部分によ
って放熱することができる。
【００１４】このように第１の実施例においては半導体
素子３の発熱部から直接放熱ブロックを介して外部に放
熱されるので従来のようにプリント基板を介して放熱す
るものよりも、放熱効果が良く更に放熱ブロック６をコ
の字状とすることで圧着面積を大きくすることができる
と共に圧着度も大きくすることができる。次に第２の実
施例について図２を用いて説明する。尚、第１の実施例
と同じ構成については、同じ符号を付して説明を省略す
る。７はプリント基板１を収納する筐体や或いは放熱の
ために設けられたヒートシンクであり、放熱ブロック６
はヒートシンク７に圧着されており、第１実施例の放熱
面積を拡大して放熱効果の向上を図っている。
素子３の発熱部から直接放熱ブロックを介して外部に放
熱されるので従来のようにプリント基板を介して放熱す
るものよりも、放熱効果が良く更に放熱ブロック６をコ
の字状とすることで圧着面積を大きくすることができる
と共に圧着度も大きくすることができる。次に第２の実
施例について図２を用いて説明する。尚、第１の実施例
と同じ構成については、同じ符号を付して説明を省略す
る。７はプリント基板１を収納する筐体や或いは放熱の
ために設けられたヒートシンクであり、放熱ブロック６
はヒートシンク７に圧着されており、第１実施例の放熱
面積を拡大して放熱効果の向上を図っている。
【００１５】次に第３の実施例について図３を用いて説
明する。尚、第１実施例と同じ構成については、同じ符
号を付して説明を省略する。６はその一端が半導体素子
３の表面（発熱面）３１に圧着され、他端が封止用樹脂
５から露出した放熱ブロックであり、８は露出した放熱
ブロック６の中を貫通する形で設けられた冷却用の液体
（例えば水）を流すためのパイプである。半導体素子３
から発生する熱は放熱ブロック６により吸収され、冷却
用パイプの中を流れる冷却水によって水冷される。この
ように第３の実施例は比較的発熱の高い時に用いられる
水冷方式の放熱構造である。
明する。尚、第１実施例と同じ構成については、同じ符
号を付して説明を省略する。６はその一端が半導体素子
３の表面（発熱面）３１に圧着され、他端が封止用樹脂
５から露出した放熱ブロックであり、８は露出した放熱
ブロック６の中を貫通する形で設けられた冷却用の液体
（例えば水）を流すためのパイプである。半導体素子３
から発生する熱は放熱ブロック６により吸収され、冷却
用パイプの中を流れる冷却水によって水冷される。この
ように第３の実施例は比較的発熱の高い時に用いられる
水冷方式の放熱構造である。
【００１６】次に第４の実施例について図４を用いて説
明する。尚、第３実施例と同じ構成については、同じ符
号を付して説明を省略する。９は放熱ブロックで、一端
は半導体素子３の発熱部３１に圧着され、他端は放熱を
良好にするために凹凸部（放熱フィン）９１を作った表
面積の大きい部分になっている。この放熱のための凹凸
部９１を封止用樹脂５の外に突出させて固定する構造
で、第４の実施例では空冷効果を向上させる形状の放熱
ブロックが用いられている。
明する。尚、第３実施例と同じ構成については、同じ符
号を付して説明を省略する。９は放熱ブロックで、一端
は半導体素子３の発熱部３１に圧着され、他端は放熱を
良好にするために凹凸部（放熱フィン）９１を作った表
面積の大きい部分になっている。この放熱のための凹凸
部９１を封止用樹脂５の外に突出させて固定する構造
で、第４の実施例では空冷効果を向上させる形状の放熱
ブロックが用いられている。
【００１７】次に第５の実施例について図５を用いて説
明する。尚、第１の実施例と同じ構成については、同じ
符号を付して説明を省略する。１０は放熱用の金属板で
あり、封止樹脂５の凝固するまえに半導体素子３の発熱
面３１に対向した封止樹脂５の表面に張りつける。少な
くとも封止樹脂５の表面に金属板１０の１面が露出する
ように埋め込まれている。このように第５の実施例につ
いては半導体素子３からの発熱が比較的小さい場合に用
いるもので、封止樹脂５を介して放熱用金属板１０から
放熱される。
明する。尚、第１の実施例と同じ構成については、同じ
符号を付して説明を省略する。１０は放熱用の金属板で
あり、封止樹脂５の凝固するまえに半導体素子３の発熱
面３１に対向した封止樹脂５の表面に張りつける。少な
くとも封止樹脂５の表面に金属板１０の１面が露出する
ように埋め込まれている。このように第５の実施例につ
いては半導体素子３からの発熱が比較的小さい場合に用
いるもので、封止樹脂５を介して放熱用金属板１０から
放熱される。
【００１８】次に第６の実施例について図６を用いて説
明する。尚、第５実施例と同じ構成については、同じ符
号を付して説明を省略する。１１は放熱用の金属板で封
止樹脂５に埋め込まれる側、つまり半導体素子３の発熱
面３１と直接対向する側に凹凸部１１１を設けて封止樹
脂５からの熱の吸収効率を向上した構造であり第５実施
例の他の例として半導体素子からの発熱が比較的小さい
場合に用られる。
明する。尚、第５実施例と同じ構成については、同じ符
号を付して説明を省略する。１１は放熱用の金属板で封
止樹脂５に埋め込まれる側、つまり半導体素子３の発熱
面３１と直接対向する側に凹凸部１１１を設けて封止樹
脂５からの熱の吸収効率を向上した構造であり第５実施
例の他の例として半導体素子からの発熱が比較的小さい
場合に用られる。
【００１９】次に第７の実施例について図７を用いて説
明する。尚、第６実施例と同じ構成については、同じ符
号を付して説明を省略する。１２はプリント基板１を収
納する筐体や或いは放熱のために設けられたヒートシン
クであり、放熱板１１に圧着されており、第６実施例の
放熱面積を拡大して放熱効果の向上を図っている。次に
第８の実施例について図８を用いて説明する。尚、第１
実施例と同じ構成については、同じ符号を付して説明を
省略する。第８の実施例は封止樹脂５の上部より半導体
素子３の発熱面３１と対向した封止樹脂５の表面が凹凸
の形（放熱フィンの形状）になるように金型等により凹
凸部５１を成型して封止樹脂５を凝固させ、表面積を多
くして放熱効果を向上させる方法で比較的発熱量の少な
い時に用いられる。
明する。尚、第６実施例と同じ構成については、同じ符
号を付して説明を省略する。１２はプリント基板１を収
納する筐体や或いは放熱のために設けられたヒートシン
クであり、放熱板１１に圧着されており、第６実施例の
放熱面積を拡大して放熱効果の向上を図っている。次に
第８の実施例について図８を用いて説明する。尚、第１
実施例と同じ構成については、同じ符号を付して説明を
省略する。第８の実施例は封止樹脂５の上部より半導体
素子３の発熱面３１と対向した封止樹脂５の表面が凹凸
の形（放熱フィンの形状）になるように金型等により凹
凸部５１を成型して封止樹脂５を凝固させ、表面積を多
くして放熱効果を向上させる方法で比較的発熱量の少な
い時に用いられる。
【００２０】次に第９の実施例について図９を用いて説
明する。尚、第１実施例と同じ構成については、同じ符
号を付して説明を省略する。１３は金属製であって封止
樹脂５と接する面とは反対側に設けられた複数の放熱ブ
ロックで、封止樹脂５の表面に張り付け、又は溶着させ
て（この場合、熱収集用のフィンでリード線４等に接触
しないような注意が必要）、これらの放熱ブロック１３
で放熱フィンを形成することにより半導体素子３からの
熱を封止樹脂５を介して放熱用ブロック１３より放熱さ
せるものである。
明する。尚、第１実施例と同じ構成については、同じ符
号を付して説明を省略する。１３は金属製であって封止
樹脂５と接する面とは反対側に設けられた複数の放熱ブ
ロックで、封止樹脂５の表面に張り付け、又は溶着させ
て（この場合、熱収集用のフィンでリード線４等に接触
しないような注意が必要）、これらの放熱ブロック１３
で放熱フィンを形成することにより半導体素子３からの
熱を封止樹脂５を介して放熱用ブロック１３より放熱さ
せるものである。
【００２１】次に第１０の実施例について図１０を用い
て説明する。尚、第９実施例と同じ構成については、同
じ符号を付して説明を省略する。１４はその両面に熱収
集と放熱のための複数の放熱ブロック１４１が設けられ
た熱伝導度のよい金属等で形成された放熱板で、半導体
素子３を封止する封止樹脂５の表面形状に沿った形状に
作られている。封止樹脂５によって半導体素子３を封止
し、樹脂が凝固するまでに放熱ブロック１４１の内側
（熱収集用のフィン側）を封止樹脂５に埋め込む形に張
りつけて封止樹脂５の凝固により固定し（この場合、熱
収集用のフィンがリード線４等に接触しないような注意
が必要）、半導体素子３からの熱を封止樹脂５を介して
放熱用ブロック１４１より放熱させるものである。
て説明する。尚、第９実施例と同じ構成については、同
じ符号を付して説明を省略する。１４はその両面に熱収
集と放熱のための複数の放熱ブロック１４１が設けられ
た熱伝導度のよい金属等で形成された放熱板で、半導体
素子３を封止する封止樹脂５の表面形状に沿った形状に
作られている。封止樹脂５によって半導体素子３を封止
し、樹脂が凝固するまでに放熱ブロック１４１の内側
（熱収集用のフィン側）を封止樹脂５に埋め込む形に張
りつけて封止樹脂５の凝固により固定し（この場合、熱
収集用のフィンがリード線４等に接触しないような注意
が必要）、半導体素子３からの熱を封止樹脂５を介して
放熱用ブロック１４１より放熱させるものである。
【００２２】本例では第９実施例の構造をより効果的に
熱収集を行い放熱させるものである。
熱収集を行い放熱させるものである。
【００２３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、プリント基板に装着された半導体等からの発熱を安
価で簡単且つ効率的に放熱することができる。
ば、プリント基板に装着された半導体等からの発熱を安
価で簡単且つ効率的に放熱することができる。
【図１】第１の実施例を示す構成図
【図２】第２の実施例を示す構成図
【図３】第３の実施例を示す構成図
【図４】第４の実施例を示す構成図
【図５】第５の実施例を示す構成図
【図６】第６の実施例を示す構成図
【図７】第７の実施例を示す構成図
【図８】第８の実施例を示す構成図
【図９】第９の実施例を示す構成図
【図１０】第１０の実施例を示す構成図
【図１１】従来の取付構造の１例を示す図
１・・・・・・・プリント基板 ２・・・・・・・プリントパターン ３・・・・・・・半導体素子 ４・・・・・・・リード線 ５・・・・・・・封止樹脂 ６・・・・・・・放熱ブロック
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体素子が封止樹脂で封止され、基板
上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、 前記半導体素子の発熱面に放熱ブロックの一端を圧着
し、前記封止樹脂で該放熱ブロックを封着し、該放熱ブ
ロックの他端を前記封止樹脂から露出させてなることを
特徴とする半導体素子の実装構造。 - 【請求項２】 半導体素子が封止樹脂で封止され、基板
上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、 前記半導体素子の発熱面に放熱ブロックの一端を圧着
し、前記封止樹脂で該放熱ブロックを封着し、該放熱ブ
ロックの他端を前記封止樹脂から露出させ、更に該放熱
ブロックの他端を前記基板の筐体に密着させてなること
を特徴とする半導体素子の実装構造。 - 【請求項３】 半導体素子が封止樹脂で封止され、基板
上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、 前記半導体素子の発熱面に放熱ブロックの一端を圧着
し、前記封止樹脂で該放熱ブロックを封着し、該放熱ブ
ロックの他端を前記封止樹脂から露出させ、更に露出し
た該放熱ブロック内部を貫通する通水パイプを設けてな
ることを特徴とする半導体素子の実装構造。 - 【請求項４】 半導体素子が封止樹脂で封止され、基板
上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、 前記半導体素子の発熱面に放熱ブロックの一端を圧着
し、前記封止樹脂で該放熱ブロックを封着し、該放熱ブ
ロックの他端を前記封止樹脂から露出させ、該露出した
放熱ブロックにフィンを設けてなることを特徴とする半
導体素子の実装構造。 - 【請求項５】 半導体素子が封止樹脂で封止され、基板
上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、 前記半導体素子の発熱面と対向する封止樹脂の表面に放
熱板を張りつけてなることを特徴とする半導体素子の実
装構造。 - 【請求項６】 前記放熱板の、前記半導体素子と対向す
る側に凹凸部を設け、前記放熱板の凹凸部の設けられた
面を前記封止樹脂に埋め込み成形し、凹凸部の無い面を
前記封止樹脂から露出させてなることを特徴とする請求
項５記載の半導体素子の実装構造。 - 【請求項７】 前記凹凸部の無い面を封止樹脂から露出
させ、更に前記基板の筐体に密着させてなることを特徴
とする請求項６記載の半導体素子の実装構造。 - 【請求項８】 半導体素子が封止樹脂で封止され、基板
上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、 前記半導体素子の発熱面と対向する封止樹脂の表面を凹
凸にして放熱フィンを形成してなることを特徴とする半
導体素子の実装構造。 - 【請求項９】 半導体素子が封止樹脂で封止され、基板
上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、 前記半導体素子の発熱面と対向する封止樹脂の表面に沿
って複数個の放熱ブロックが張りつけられ、該複数個の
放熱ブロックで放熱フィンを形成してなることを特徴と
する半導体素子の実装構造。 - 【請求項１０】 半導体素子が封止樹脂で封止され、基
板上に実装されてなる半導体素子の実装構造に於いて、 前記半導体素子の発熱面と対向する封止樹脂に複数個の
放熱ブロックが途中まで埋め込まれ、該複数個の放熱ブ
ロックで放熱フィンを形成してなることを特徴とする半
導体素子の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6353897A JPH10261742A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体素子の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6353897A JPH10261742A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体素子の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261742A true JPH10261742A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13232105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6353897A Pending JPH10261742A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体素子の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10261742A (ja) |
-
1997
- 1997-03-17 JP JP6353897A patent/JPH10261742A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040812 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040817 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20041221 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |