JPH10256865A - 弾性表面波フィルタ装置 - Google Patents

弾性表面波フィルタ装置

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JPH10256865A
JPH10256865A JP5629497A JP5629497A JPH10256865A JP H10256865 A JPH10256865 A JP H10256865A JP 5629497 A JP5629497 A JP 5629497A JP 5629497 A JP5629497 A JP 5629497A JP H10256865 A JPH10256865 A JP H10256865A
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filter device
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嘉久 鈴木
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Katsuo Sato
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波数帯の弾性表面波フィルタ素子を基板
上に実装した際にも十分な帯域外減衰量を呈する弾性表
面波フィルタ装置を得る。 【解決手段】 弾性表面波フィルタ素子と該弾性表面波
フィルタ素子の入力端又は出力端又はその両方に接続さ
れたインピーダンス整合回路とを備えた弾性表面波フィ
ルタ装置において、前記インピーダンス整合回路は、少
なくとも1つの並列インダクタンス素子と少なくとも1
つの並列キャパシタンス素子とを含み、前記弾性表面波
フィルタ素子の入出力端から、前記並列キャパシタンス
素子、前記並列インダクタンス素子の順に配置されたこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波フィル
タ装置に関する。詳細に述べると、本発明は、改良され
た帯域外減衰量を呈する弾性表面波フィルタ装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】弾性表面波フィルタ装置は、当初TVの
IF用フィルタに使われていたが、近年になって各種通
信機をはじめとし、移動体、携帯電話機のIF用フィル
タとして盛んに使われるようになってきた。また、使用
する周波数は100MHzを超える範囲まで広がってお
り、いわゆる高周波化が進んいる。
【0003】これらに使われるフィルタの種類には、バ
ンドパスフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィル
タなどがあり、ある特定の周波数成分をもった電気信号
だけを通過させ、それ以外の周波数成分をもった不要な
信号を阻止するという機能(その逆もある)を有する。
その周波数の区分は、それぞれフィルタの帯域内(また
は通過帯域内)、帯域外(または通過帯域外)と呼ばれ
る。帯域内において通過する信号量(通過量)と、帯域
外において阻止される信号量(減衰量)の差を大きくす
ることが、フィルタの重要な性能指数のひとつである。
この差を大きくするために、フィルタ素子を多段縦続接
続したり、フィルタの接地(グランド)方法を改善する
など、即ち、帯域外減衰量を大きくすることによって実
現させていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、100MHz
を超える高周波数帯では、上述のようにフィルタ素子を
多段縦続接続したり、接地(グランド)方法を改善した
としても、弾性表面波フィルタ素子をプリント基板に実
装した弾性表面波フィルタ装置では、十分な帯域外減衰
量が得られないという課題があった。
【0005】例えば、現在、普及が目覚ましい携帯電話
システムのひとつであるPHS(Personal Handy Phone
System)端末に用いられているIFフィルタには弾性
表面波フィルタ装置が使用されている。このフィルタの
中心周波数は、250MHz帯の周波数帯を使っており、
中心周波数から±21.5MHz離れた周波数での減衰量
(帯域外減衰量)は、60dB以上が要求されている。し
かし、250MHz帯と高周波数帯であるこのIF用弾性
表面波フィルタ素子をプリント基板に実装した弾性表面
波フィルタ装置では、帯域外減衰量は50dB程度、また
は、それ以下しか得られないという課題があった。
【0006】そこで本願発明では、100MHz以上、即
ち、高周波数帯の弾性表面波フィルタ素子をプリント基
板に実装した際にも、十分な帯域外減衰量を呈する弾性
表面波フィルタ装置を得ることを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題は以下に述べる
発明によって解決される。 (構成1)弾性表面波フィルタ素子と、該弾性表面波フ
ィルタ素子の入力端又は出力端又はその両方に接続され
たインピーダンス整合回路と、を備えた弾性表面波フィ
ルタ装置において、該弾性表面波フィルタ装置は、伝送
線路が形成された基板上に設けられ、前記インピーダン
ス整合回路は、少なくとも1つの並列インダクタンス素
子と少なくとも1つの並列キャパシタンス素子とを含
み、前記弾性表面波フィルタ素子の入出力端から、前記
並列キャパシタンス素子、前記並列インダクタンス素子
の順に配置、電気的に接続されたことを特徴とする。
【0008】(構成2)構成1に記載の弾性表面波フィ
ルタ装置において、前記並列インダクタンス素子と前記
並列キャパシタンス素子は、伝送線路の片側にのみ配
置、電気的に接続されたことを特徴とする。
【0009】(構成3)構成1に記載の弾性表面波フィ
ルタ装置において、前記並列インダクタンス素子と前記
並列キャパシタンス素子は、伝送線路を挟んでその両側
にそれぞれ配置、電気的に接続されたことを特徴とす
る。
【0010】(構成4)構成1ないし構成3のいずれか
1つに記載の弾性表面波フィルタ装置において、該弾性
表面波フィルタ装置は、動作周波数が100MHz以上
である、ことを特徴とする。
【0011】(構成5)構成1ないし構成4のいずれか
1つに記載の弾性表面波フィルタ装置において、前記並
列インダクタンス素子は、チップインダクタ、前記並列
キャパシタンス素子は、チップコンデンサであることを
特徴とする。
【0012】(作 用)弾性表面波フィルタ装置を構成
する弾性表面波フィルタ素子、インダクタンス素子、キ
ャパシタンス素子のなかで、素子外部に電界または磁
界、即ち電磁界を放射するものとしてインダクタンス素
子が考えられる。ところで、インダクタンス素子、例え
ば、チップインダクタは、ドラムコアに巻き線を施した
構造であり、発生した磁界は素子外部に漏れる。その素
子から漏れる磁界を小さくするためにシールド形チップ
インダクタも製品化されているいるが、素子外部に漏れ
る磁界を無くすことはできない。また、例えばスパイラ
ル状の導体膜によって構成されるインダクタンス素子も
同様である。つまり、このインダクタンス素子から発生
する磁界が、キャパシタンス素子、または弾性表面波フ
ィルタ素子に影響を及ぼしていると考えられる。また、
プリント基板上に形成されている伝送線路もまた電磁界
を放射しているため、これらの電磁界が複雑に影響を及
ぼし合っているものと思われる。
【0013】従って、原因は明確ではないが、本願発明
の弾性表面波フィルタ装置では、上述の電磁界の相互影
響が複雑に絡み合うことによって、目的である十分な帯
域外減衰量を得ることを可能にしているのではないかと
推察される。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本願発明
の実施例について説明する。第1図は本願発明の一実施
例を示す平面図である。ここで、プリント基板11上に
設置された弾性表面波フィルタ素子12は、250MHz
帯に設計されたものを用いた。弾性表面波フィルタ素子
12の入力端子13a及び出力端子13bには、入力用整
合回路14a及び出力用整合回路14bが接続される。こ
の整合回路14a、14bは、弾性表面波フィルタ素子1
2とプリント基板上の伝送線路15とのインピーダンス
整合をとるための回路である。この整合回路14a、1
4bは、並列キャパシタンス素子16と並列インダクタ
ンス素子17から構成されている。
【0015】本実施例では、並列キャパシタンス素子1
6に9pFのチップコンデンサ、並列インダクタンス素子
17に27nHのチップインダクタを用いた。これらの素
子は、弾性表面波フィルタ素子12の入出力端子側に並
列キャパシタンス素子16を、弾性表面波フィルタ素子
12からみて前記並列キャパシタンス素子16より離れ
た位置に並列インダクタンス素子17を配置、電気的に
接続した。
【0016】この本願発明の弾性表面波フィルタ装置の
電気特性(周波数特性)を測定したところ、中心周波数
から±21.5MHz離れた周波数での減衰量は66dBで
あった。即ち、60dB以上の要求値を十分満足すること
がわかった。
【0017】第2図は、第1図において並列キャパシタ
ンス26、または並列インダクタンス27のどちらか一
方を、伝送線路25を挟んで反対側に配置した実施例で
ある。この弾性表面波フィルタ装置の電気特性を測定し
たが、中心周波数から±21.5MHz離れた周波数での
減衰量は65dBであった。この場合もまた60dB以上の
要求値を十分満足することがわかった。
【0018】即ち、弾性表面波フィルタ素子を基準位置
として、並列インダクタンス素子が並列キャパシタンス
素子より離れた位置に配置されている本願発明の弾性表
面波フィルタ装置では、十分な帯域外減衰量が得られる
ことが実証された。
【0019】第3図は本願発明との比較をするために作
製したものである。ここで、弾性表面波フィルタ素子3
2は第1図と同じ素子を使用した。また、並列キャパシ
タンス素子36及び並列インダクタンス素子37も同様
に第1図に用いたものと同じ素子を使用した。第1図と
第3図の相違はインピーダンス整合回路を構成する並列
キャパシタンス素子と並列インダクタンス素子の配置が
異なることである。即ち、弾性表面波フィルタ素子32
に近い側に並列インダクタンス素子37を設置し、遠い
側に並列キャパシタンス素子36を設置した。この構成
の弾性表面波フィルタ装置の電気特性を測定したとこ
ろ、中心周波数から±21.5MHz離れた周波数におい
て53dBの減衰量しか得られず、60dB以上の要求値を
満足しなかった。
【0020】第4図も第3図同様に本願発明との比較を
するために作製したものである。ここで、弾性表面波フ
ィルタ素子42、並列キャパシタンス素子46及び並列
インダクタンス素子47も同様に第1図に用いたものと
同じ素子を使用した。並列キャパシタンス素子46と並
列インダクタンス素子47の配置は、弾性表面波フィル
タ素子42から同じ距離だけ離れた位置に伝送線路45
を挟んで配置した。この構成の弾性表面波フィルタ装置
の電気特性を測定したところ、中心周波数から±21.
5MHz離れた周波数において48dBの減衰量しか得られ
ず、この場合もまた60dB以上の要求値を満足しなかっ
た。
【0021】また、中心周波数110MHz帯の弾性表面
波フィルタ素子を用いた上述の第1図から第4図に記し
たそれぞれの構成の弾性表面波フィルタ装置も作製し、
電気特性を測定したが、それぞれ上記同様の結果が得ら
れた。
【0022】
【発明の効果】以上、実施例をもとに説明した通り、本
願発明によれば、弾性表面波フィルタ素子の入出力端か
ら、並列キャパシタンス素子、並列インダクタンス素子
の順に配置することにより、十分な帯域外減衰量を得る
こができた
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す図である。
【図2】本発明の実施例を示す図である。
【図3】本発明の実施例に対する比較例を示す図であ
る。
【図4】本発明の実施例に対する比較例を示す図であ
る。
【符号の説明】
11、21、31、41 プリント基板 12、22、32、42 弾性表面波フィルタ素子 13a、23a、33a、43a 弾性表面波フィルタ素子
の入力端子 13b、23b、33b、43b 弾性表面波フィルタ素子
の出力端子 14a、24a、34a、44a 入力用整合回路 14b、24b、34b、44b 出力用整合回路 15、25、35、45 伝送線路 16、26、36、46 並列キャパシタンス素子 17、27、37、47 並列インダクタンス素子

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 弾性表面波フィルタ素子と、 該弾性表面波フィルタ素子の入力端又は出力端又はその
    両方に接続されたインピーダンス整合回路と、 を備えた弾性表面波フィルタ装置において、 該弾性表面波フィルタ装置は、伝送線路が形成された基
    板上に設けられ、 前記インピーダンス整合回路は、少なくとも1つの並列
    インダクタンス素子と少なくとも1つの並列キャパシタ
    ンス素子とを含み、前記弾性表面波フィルタ素子の入出
    力端から、前記並列キャパシタンス素子、前記並列イン
    ダクタンス素子の順に配置、電気的に接続された、こと
    を特徴とする弾性表面波フィルタ装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の弾性表面波フィルタ装
    置において、 前記並列インダクタンス素子と前記並列キャパシタンス
    素子は、伝送線路の片側にのみ配置、電気的に接続され
    た、ことを特徴とする弾性表面波フィルタ装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の弾性表面波フィルタ装
    置において、 前記並列インダクタンス素子と前記並列キャパシタンス
    素子は、伝送線路を挟んでその両側にそれぞれ配置、電
    気的に接続された、ことを特徴とする弾性表面波フィル
    タ装置。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項
    に記載の弾性表面波フィルタ装置において、 該弾性表面波フィルタ装置は、動作周波数が100MH
    z以上である、ことを特徴とする弾性表面波フィルタ装
    置。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし請求項4のいずれか1項
    に記載の弾性表面波フィルタ装置において、 前記並列インダクタンス素子は、チップインダクタ、前
    記並列キャパシタンス素子は、チップコンデンサであ
    る、ことを特徴とする弾性表面波フィルタ装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002182652A (ja) * 2000-09-11 2002-06-26 Agilent Technol Inc 音響共振器及びその製造方法
KR100716155B1 (ko) * 2001-03-08 2007-05-10 엘지이노텍 주식회사 매칭회로가 내장된 표면탄성파 필터 패키지

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002182652A (ja) * 2000-09-11 2002-06-26 Agilent Technol Inc 音響共振器及びその製造方法
KR100716155B1 (ko) * 2001-03-08 2007-05-10 엘지이노텍 주식회사 매칭회로가 내장된 표면탄성파 필터 패키지

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