JPH10256865A - Surface acoustic wave filter device - Google Patents

Surface acoustic wave filter device

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JPH10256865A
JPH10256865A JP5629497A JP5629497A JPH10256865A JP H10256865 A JPH10256865 A JP H10256865A JP 5629497 A JP5629497 A JP 5629497A JP 5629497 A JP5629497 A JP 5629497A JP H10256865 A JPH10256865 A JP H10256865A
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wave filter
surface acoustic
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嘉久 鈴木
Satori Kimura
悟利 木村
Katsuo Sato
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To secure the satisfactory out-band attenuation value by placing successively the parallel capacitance elements and then parallel inductance elements from the input/output terminal of a surface acoustic wave filter ele ment. SOLUTION: An input matching circuit 14a and an output matching circuit 14b are connected to an input terminal 13a and an output terminal 13b of a surface acoustic wave filter element 12 placed on a printed board 11. The circuits 14a and 14b secure the impedance matching between the element 12 and a transmission line 15 set on the board 11 and consists of the parallel capacitance elements 16 and the parallel inductance elements 17. The elements 16 are placed at the input/output terminal side of the element 12, and the elements 17 are placed at the position away from the elements 16 when viewed from the element 12. Then both elements 16 and 17 are electrically connected to each other.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波フィル
タ装置に関する。詳細に述べると、本発明は、改良され
た帯域外減衰量を呈する弾性表面波フィルタ装置に関す
る。
The present invention relates to a surface acoustic wave filter device. More specifically, the present invention relates to a surface acoustic wave filter device exhibiting improved out-of-band attenuation.

【0002】[0002]

【従来の技術】弾性表面波フィルタ装置は、当初TVの
IF用フィルタに使われていたが、近年になって各種通
信機をはじめとし、移動体、携帯電話機のIF用フィル
タとして盛んに使われるようになってきた。また、使用
する周波数は100MHzを超える範囲まで広がってお
り、いわゆる高周波化が進んいる。
2. Description of the Related Art A surface acoustic wave filter device was initially used as an IF filter for a TV, but has recently been actively used as an IF filter for various communication devices, mobile bodies, and mobile phones. It has become. In addition, the frequency to be used has been extended to a range exceeding 100 MHz, and so-called higher frequency has been promoted.

【0003】これらに使われるフィルタの種類には、バ
ンドパスフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィル
タなどがあり、ある特定の周波数成分をもった電気信号
だけを通過させ、それ以外の周波数成分をもった不要な
信号を阻止するという機能(その逆もある)を有する。
その周波数の区分は、それぞれフィルタの帯域内(また
は通過帯域内)、帯域外(または通過帯域外)と呼ばれ
る。帯域内において通過する信号量(通過量)と、帯域
外において阻止される信号量(減衰量)の差を大きくす
ることが、フィルタの重要な性能指数のひとつである。
この差を大きくするために、フィルタ素子を多段縦続接
続したり、フィルタの接地(グランド)方法を改善する
など、即ち、帯域外減衰量を大きくすることによって実
現させていた。
[0003] The types of filters used in these methods include a band-pass filter, a low-pass filter, a high-pass filter, and the like, which allows only an electric signal having a specific frequency component to pass therethrough, and an unnecessary signal having other frequency components. It has the function of blocking unwanted signals (and vice versa).
The frequency divisions are referred to as in-band (or in-passband) and out-of-band (or out-of-passband), respectively, of the filter. One of the important figures of merit for a filter is to increase the difference between the amount of signal passing through the band (the amount of passing) and the amount of signal blocked outside the band (the amount of attenuation).
In order to increase the difference, the filter elements are cascaded in multiple stages, the grounding method of the filter is improved, or the like, that is, the out-of-band attenuation is increased.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、100MHz
を超える高周波数帯では、上述のようにフィルタ素子を
多段縦続接続したり、接地(グランド)方法を改善した
としても、弾性表面波フィルタ素子をプリント基板に実
装した弾性表面波フィルタ装置では、十分な帯域外減衰
量が得られないという課題があった。
By the way, 100 MHz
In the high frequency band exceeding, even if the filter elements are cascaded in multiple stages as described above or the grounding method is improved, the surface acoustic wave filter device in which the surface acoustic wave filter element is mounted on the printed circuit board is not enough. There was a problem that a large amount of out-of-band attenuation could not be obtained.

【0005】例えば、現在、普及が目覚ましい携帯電話
システムのひとつであるPHS(Personal Handy Phone
System)端末に用いられているIFフィルタには弾性
表面波フィルタ装置が使用されている。このフィルタの
中心周波数は、250MHz帯の周波数帯を使っており、
中心周波数から±21.5MHz離れた周波数での減衰量
(帯域外減衰量)は、60dB以上が要求されている。し
かし、250MHz帯と高周波数帯であるこのIF用弾性
表面波フィルタ素子をプリント基板に実装した弾性表面
波フィルタ装置では、帯域外減衰量は50dB程度、また
は、それ以下しか得られないという課題があった。
[0005] For example, PHS (Personal Handy Phone), which is one of the remarkable spread of mobile phone systems at present.
System) A surface acoustic wave filter device is used for an IF filter used in a terminal. The center frequency of this filter uses the 250MHz frequency band.
The attenuation (out-of-band attenuation) at a frequency distant from the center frequency by ± 21.5 MHz is required to be 60 dB or more. However, in a surface acoustic wave filter device in which the surface acoustic wave filter element for IF, which is a 250 MHz band and a high frequency band, is mounted on a printed circuit board, an out-of-band attenuation amount of about 50 dB or less can be obtained. there were.

【0006】そこで本願発明では、100MHz以上、即
ち、高周波数帯の弾性表面波フィルタ素子をプリント基
板に実装した際にも、十分な帯域外減衰量を呈する弾性
表面波フィルタ装置を得ることを目的としている。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave filter device which exhibits a sufficient out-of-band attenuation even when a surface acoustic wave filter element of 100 MHz or higher, that is, a high frequency band is mounted on a printed circuit board. And

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題は以下に述べる
発明によって解決される。 (構成1)弾性表面波フィルタ素子と、該弾性表面波フ
ィルタ素子の入力端又は出力端又はその両方に接続され
たインピーダンス整合回路と、を備えた弾性表面波フィ
ルタ装置において、該弾性表面波フィルタ装置は、伝送
線路が形成された基板上に設けられ、前記インピーダン
ス整合回路は、少なくとも1つの並列インダクタンス素
子と少なくとも1つの並列キャパシタンス素子とを含
み、前記弾性表面波フィルタ素子の入出力端から、前記
並列キャパシタンス素子、前記並列インダクタンス素子
の順に配置、電気的に接続されたことを特徴とする。
The above object is achieved by the inventions described below. (Configuration 1) A surface acoustic wave filter device comprising: a surface acoustic wave filter element; and an impedance matching circuit connected to an input end and / or an output end of the surface acoustic wave filter element. The device is provided on a substrate on which a transmission line is formed, the impedance matching circuit includes at least one parallel inductance element and at least one parallel capacitance element, and from an input / output end of the surface acoustic wave filter element, The parallel capacitance element and the parallel inductance element are arranged and electrically connected in this order.

【0008】(構成2)構成1に記載の弾性表面波フィ
ルタ装置において、前記並列インダクタンス素子と前記
並列キャパシタンス素子は、伝送線路の片側にのみ配
置、電気的に接続されたことを特徴とする。
(Structure 2) In the surface acoustic wave filter device according to Structure 1, the parallel inductance element and the parallel capacitance element are arranged and electrically connected to only one side of the transmission line.

【0009】(構成3)構成1に記載の弾性表面波フィ
ルタ装置において、前記並列インダクタンス素子と前記
並列キャパシタンス素子は、伝送線路を挟んでその両側
にそれぞれ配置、電気的に接続されたことを特徴とす
る。
(Structure 3) In the surface acoustic wave filter device according to Structure 1, the parallel inductance element and the parallel capacitance element are arranged and electrically connected on both sides of a transmission line, respectively. And

【0010】(構成4)構成1ないし構成3のいずれか
1つに記載の弾性表面波フィルタ装置において、該弾性
表面波フィルタ装置は、動作周波数が100MHz以上
である、ことを特徴とする。
(Structure 4) In the surface acoustic wave filter device according to any one of structures 1 to 3, the operating frequency of the surface acoustic wave filter device is 100 MHz or more.

【0011】(構成5)構成1ないし構成4のいずれか
1つに記載の弾性表面波フィルタ装置において、前記並
列インダクタンス素子は、チップインダクタ、前記並列
キャパシタンス素子は、チップコンデンサであることを
特徴とする。
(Structure 5) In the surface acoustic wave filter device according to any one of structures 1 to 4, the parallel inductance element is a chip inductor, and the parallel capacitance element is a chip capacitor. I do.

【0012】(作 用)弾性表面波フィルタ装置を構成
する弾性表面波フィルタ素子、インダクタンス素子、キ
ャパシタンス素子のなかで、素子外部に電界または磁
界、即ち電磁界を放射するものとしてインダクタンス素
子が考えられる。ところで、インダクタンス素子、例え
ば、チップインダクタは、ドラムコアに巻き線を施した
構造であり、発生した磁界は素子外部に漏れる。その素
子から漏れる磁界を小さくするためにシールド形チップ
インダクタも製品化されているいるが、素子外部に漏れ
る磁界を無くすことはできない。また、例えばスパイラ
ル状の導体膜によって構成されるインダクタンス素子も
同様である。つまり、このインダクタンス素子から発生
する磁界が、キャパシタンス素子、または弾性表面波フ
ィルタ素子に影響を及ぼしていると考えられる。また、
プリント基板上に形成されている伝送線路もまた電磁界
を放射しているため、これらの電磁界が複雑に影響を及
ぼし合っているものと思われる。
(Operation) Among the surface acoustic wave filter element, the inductance element, and the capacitance element constituting the surface acoustic wave filter device, an inductance element is considered to emit an electric field or a magnetic field, that is, an electromagnetic field outside the element. . Incidentally, an inductance element, for example, a chip inductor has a structure in which a winding is formed around a drum core, and a generated magnetic field leaks out of the element. Although shielded chip inductors have been commercialized to reduce the magnetic field leaking from the element, the magnetic field leaking outside the element cannot be eliminated. The same applies to an inductance element formed of, for example, a spiral conductive film. That is, it is considered that the magnetic field generated from the inductance element affects the capacitance element or the surface acoustic wave filter element. Also,
Since the transmission line formed on the printed circuit board also emits an electromagnetic field, it is considered that these electromagnetic fields influence each other in a complicated manner.

【0013】従って、原因は明確ではないが、本願発明
の弾性表面波フィルタ装置では、上述の電磁界の相互影
響が複雑に絡み合うことによって、目的である十分な帯
域外減衰量を得ることを可能にしているのではないかと
推察される。
Therefore, although the cause is not clear, the surface acoustic wave filter device of the present invention can obtain the intended sufficient amount of out-of-band attenuation due to the complicated intertwining of the above-mentioned mutual effects of the electromagnetic fields. It is presumed that it is.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本願発明
の実施例について説明する。第1図は本願発明の一実施
例を示す平面図である。ここで、プリント基板11上に
設置された弾性表面波フィルタ素子12は、250MHz
帯に設計されたものを用いた。弾性表面波フィルタ素子
12の入力端子13a及び出力端子13bには、入力用整
合回路14a及び出力用整合回路14bが接続される。こ
の整合回路14a、14bは、弾性表面波フィルタ素子1
2とプリント基板上の伝送線路15とのインピーダンス
整合をとるための回路である。この整合回路14a、1
4bは、並列キャパシタンス素子16と並列インダクタ
ンス素子17から構成されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention. Here, the surface acoustic wave filter element 12 installed on the printed circuit board 11 has a frequency of 250 MHz.
The one designed for the belt was used. An input matching circuit 14a and an output matching circuit 14b are connected to the input terminal 13a and the output terminal 13b of the surface acoustic wave filter element 12. The matching circuits 14a and 14b are provided in the surface acoustic wave filter element 1
2 is a circuit for matching impedance between the transmission line 2 and the transmission line 15 on the printed circuit board. The matching circuits 14a, 1
4b is composed of a parallel capacitance element 16 and a parallel inductance element 17.

【0015】本実施例では、並列キャパシタンス素子1
6に9pFのチップコンデンサ、並列インダクタンス素子
17に27nHのチップインダクタを用いた。これらの素
子は、弾性表面波フィルタ素子12の入出力端子側に並
列キャパシタンス素子16を、弾性表面波フィルタ素子
12からみて前記並列キャパシタンス素子16より離れ
た位置に並列インダクタンス素子17を配置、電気的に
接続した。
In this embodiment, the parallel capacitance element 1
A chip capacitor of 9 pF was used for 6, and a chip inductor of 27 nH was used for the parallel inductance element 17. In these elements, a parallel capacitance element 16 is arranged on the input / output terminal side of the surface acoustic wave filter element 12, and a parallel inductance element 17 is arranged at a position distant from the parallel capacitance element 16 when viewed from the surface acoustic wave filter element 12. Connected to.

【0016】この本願発明の弾性表面波フィルタ装置の
電気特性(周波数特性)を測定したところ、中心周波数
から±21.5MHz離れた周波数での減衰量は66dBで
あった。即ち、60dB以上の要求値を十分満足すること
がわかった。
When the electrical characteristics (frequency characteristics) of the surface acoustic wave filter device of the present invention were measured, the attenuation at a frequency apart from the center frequency by ± 21.5 MHz was 66 dB. That is, it was found that the required value of 60 dB or more was sufficiently satisfied.

【0017】第2図は、第1図において並列キャパシタ
ンス26、または並列インダクタンス27のどちらか一
方を、伝送線路25を挟んで反対側に配置した実施例で
ある。この弾性表面波フィルタ装置の電気特性を測定し
たが、中心周波数から±21.5MHz離れた周波数での
減衰量は65dBであった。この場合もまた60dB以上の
要求値を十分満足することがわかった。
FIG. 2 shows an embodiment in which either the parallel capacitance 26 or the parallel inductance 27 in FIG. 1 is arranged on the opposite side of the transmission line 25. When the electrical characteristics of this surface acoustic wave filter device were measured, the attenuation at a frequency apart from the center frequency by ± 21.5 MHz was 65 dB. In this case as well, it was found that the required value of 60 dB or more was sufficiently satisfied.

【0018】即ち、弾性表面波フィルタ素子を基準位置
として、並列インダクタンス素子が並列キャパシタンス
素子より離れた位置に配置されている本願発明の弾性表
面波フィルタ装置では、十分な帯域外減衰量が得られる
ことが実証された。
That is, in the surface acoustic wave filter device of the present invention in which the parallel inductance element is disposed at a position apart from the parallel capacitance element with the surface acoustic wave filter element as a reference position, a sufficient out-of-band attenuation can be obtained. This has been proven.

【0019】第3図は本願発明との比較をするために作
製したものである。ここで、弾性表面波フィルタ素子3
2は第1図と同じ素子を使用した。また、並列キャパシ
タンス素子36及び並列インダクタンス素子37も同様
に第1図に用いたものと同じ素子を使用した。第1図と
第3図の相違はインピーダンス整合回路を構成する並列
キャパシタンス素子と並列インダクタンス素子の配置が
異なることである。即ち、弾性表面波フィルタ素子32
に近い側に並列インダクタンス素子37を設置し、遠い
側に並列キャパシタンス素子36を設置した。この構成
の弾性表面波フィルタ装置の電気特性を測定したとこ
ろ、中心周波数から±21.5MHz離れた周波数におい
て53dBの減衰量しか得られず、60dB以上の要求値を
満足しなかった。
FIG. 3 is produced for comparison with the present invention. Here, the surface acoustic wave filter element 3
2 used the same device as in FIG. Further, the same elements as those used in FIG. 1 were similarly used for the parallel capacitance element 36 and the parallel inductance element 37. The difference between FIG. 1 and FIG. 3 is that the arrangement of the parallel capacitance element and the parallel inductance element constituting the impedance matching circuit is different. That is, the surface acoustic wave filter element 32
The parallel inductance element 37 was installed on the side closer to and the parallel capacitance element 36 was installed on the far side. When the electrical characteristics of the surface acoustic wave filter device having this configuration were measured, only a 53 dB attenuation was obtained at a frequency ± 21.5 MHz away from the center frequency, and the required value of 60 dB or more was not satisfied.

【0020】第4図も第3図同様に本願発明との比較を
するために作製したものである。ここで、弾性表面波フ
ィルタ素子42、並列キャパシタンス素子46及び並列
インダクタンス素子47も同様に第1図に用いたものと
同じ素子を使用した。並列キャパシタンス素子46と並
列インダクタンス素子47の配置は、弾性表面波フィル
タ素子42から同じ距離だけ離れた位置に伝送線路45
を挟んで配置した。この構成の弾性表面波フィルタ装置
の電気特性を測定したところ、中心周波数から±21.
5MHz離れた周波数において48dBの減衰量しか得られ
ず、この場合もまた60dB以上の要求値を満足しなかっ
た。
FIG. 4, like FIG. 3, is made for comparison with the present invention. Here, the same elements as those used in FIG. 1 are used for the surface acoustic wave filter element 42, the parallel capacitance element 46, and the parallel inductance element 47. The arrangement of the parallel capacitance element 46 and the parallel inductance element 47 is such that the transmission line 45 is located at the same distance from the surface acoustic wave filter element 42.
Were arranged. When the electrical characteristics of the surface acoustic wave filter device having this configuration were measured, it was found that ± 21.
At a frequency separated by 5 MHz, only an attenuation of 48 dB was obtained, and also in this case, the required value of 60 dB or more was not satisfied.

【0021】また、中心周波数110MHz帯の弾性表面
波フィルタ素子を用いた上述の第1図から第4図に記し
たそれぞれの構成の弾性表面波フィルタ装置も作製し、
電気特性を測定したが、それぞれ上記同様の結果が得ら
れた。
Further, surface acoustic wave filter devices having the respective structures shown in FIGS. 1 to 4 described above using a surface acoustic wave filter element having a center frequency of 110 MHz are also manufactured.
The electrical characteristics were measured, and the same results as above were obtained.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上、実施例をもとに説明した通り、本
願発明によれば、弾性表面波フィルタ素子の入出力端か
ら、並列キャパシタンス素子、並列インダクタンス素子
の順に配置することにより、十分な帯域外減衰量を得る
こができた
As described above with reference to the embodiments, according to the present invention, by arranging the parallel capacitance element and the parallel inductance element in this order from the input / output end of the surface acoustic wave filter element, a sufficient Out-of-band attenuation was obtained

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例に対する比較例を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing a comparative example with respect to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例に対する比較例を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing a comparative example with respect to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11、21、31、41 プリント基板 12、22、32、42 弾性表面波フィルタ素子 13a、23a、33a、43a 弾性表面波フィルタ素子
の入力端子 13b、23b、33b、43b 弾性表面波フィルタ素子
の出力端子 14a、24a、34a、44a 入力用整合回路 14b、24b、34b、44b 出力用整合回路 15、25、35、45 伝送線路 16、26、36、46 並列キャパシタンス素子 17、27、37、47 並列インダクタンス素子
11, 21, 31, 41 Printed circuit board 12, 22, 32, 42 Surface acoustic wave filter element 13a, 23a, 33a, 43a Input terminal of surface acoustic wave filter element 13b, 23b, 33b, 43b Output of surface acoustic wave filter element Terminals 14a, 24a, 34a, 44a Input matching circuit 14b, 24b, 34b, 44b Output matching circuit 15, 25, 35, 45 Transmission line 16, 26, 36, 46 Parallel capacitance element 17, 27, 37, 47 Parallel Inductance element

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 弾性表面波フィルタ素子と、 該弾性表面波フィルタ素子の入力端又は出力端又はその
両方に接続されたインピーダンス整合回路と、 を備えた弾性表面波フィルタ装置において、 該弾性表面波フィルタ装置は、伝送線路が形成された基
板上に設けられ、 前記インピーダンス整合回路は、少なくとも1つの並列
インダクタンス素子と少なくとも1つの並列キャパシタ
ンス素子とを含み、前記弾性表面波フィルタ素子の入出
力端から、前記並列キャパシタンス素子、前記並列イン
ダクタンス素子の順に配置、電気的に接続された、こと
を特徴とする弾性表面波フィルタ装置。
1. A surface acoustic wave filter device comprising: a surface acoustic wave filter element; and an impedance matching circuit connected to an input end and / or an output end of the surface acoustic wave filter element. The filter device is provided on a substrate on which a transmission line is formed, wherein the impedance matching circuit includes at least one parallel inductance element and at least one parallel capacitance element, and is provided from an input / output end of the surface acoustic wave filter element. Wherein the parallel capacitance element and the parallel inductance element are arranged and electrically connected in this order.
【請求項2】 請求項1に記載の弾性表面波フィルタ装
置において、 前記並列インダクタンス素子と前記並列キャパシタンス
素子は、伝送線路の片側にのみ配置、電気的に接続され
た、ことを特徴とする弾性表面波フィルタ装置。
2. The surface acoustic wave filter device according to claim 1, wherein the parallel inductance element and the parallel capacitance element are disposed only on one side of a transmission line and are electrically connected. Surface wave filter device.
【請求項3】 請求項1に記載の弾性表面波フィルタ装
置において、 前記並列インダクタンス素子と前記並列キャパシタンス
素子は、伝送線路を挟んでその両側にそれぞれ配置、電
気的に接続された、ことを特徴とする弾性表面波フィル
タ装置。
3. The surface acoustic wave filter device according to claim 1, wherein the parallel inductance element and the parallel capacitance element are respectively disposed and electrically connected to both sides of a transmission line. Surface acoustic wave filter device.
【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項
に記載の弾性表面波フィルタ装置において、 該弾性表面波フィルタ装置は、動作周波数が100MH
z以上である、ことを特徴とする弾性表面波フィルタ装
置。
4. The surface acoustic wave filter device according to claim 1, wherein the surface acoustic wave filter device has an operating frequency of 100 MHz.
z is equal to or greater than z.
【請求項5】 請求項1ないし請求項4のいずれか1項
に記載の弾性表面波フィルタ装置において、 前記並列インダクタンス素子は、チップインダクタ、前
記並列キャパシタンス素子は、チップコンデンサであ
る、ことを特徴とする弾性表面波フィルタ装置。
5. The surface acoustic wave filter device according to claim 1, wherein the parallel inductance element is a chip inductor, and the parallel capacitance element is a chip capacitor. Surface acoustic wave filter device.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002182652A (en) * 2000-09-11 2002-06-26 Agilent Technol Inc Acoustic resonator and method of manufacturing for the same
KR100716155B1 (en) * 2001-03-08 2007-05-10 엘지이노텍 주식회사 A SAW filter package building in matching circuit

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