JPH0645804A - Dielectric filter - Google Patents

Dielectric filter

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JPH0645804A
JPH0645804A JP9853993A JP9853993A JPH0645804A JP H0645804 A JPH0645804 A JP H0645804A JP 9853993 A JP9853993 A JP 9853993A JP 9853993 A JP9853993 A JP 9853993A JP H0645804 A JPH0645804 A JP H0645804A
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JP
Japan
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capacitor
substrate
electrode
dielectric
base substrate
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JP9853993A
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Japanese (ja)
Inventor
Sukeyuki Atokawa
祐之 後川
Naoshi Shima
直志 島
Yasuo Yamada
康雄 山田
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To decrease the number of parts and to reduce cost. CONSTITUTION:An electrode pattern is formed in the shape of an electrode film on the terminal part side of the upper face of a base board 22. This electrode pattern 42 is formed on the base board 22 by a printing pattern or thick film etching for example. This electrode pattern 42 is composed of three capacitor electrodes C1-C3 and two inductor electrodes L1 and L2. Capacitor substrates 43-45 forming capacitor electrode films on the upper and lower faces are packaged on the upper faces of the capacitor electrodes C1-C3 of the electrode pattern 42 by soldering or the like. Connecting terminals 9 from dielectric coaxial resonators 103 are connected to the capacitor electrode films on the upper faces of these capacitor substrates 43-45 by soldering or the like. Thus, a band elimination filter can be constituted without using any discrete parts. Therefore, the number of parts can be decreased and the cost can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、自動車電話、
携帯電話等の移動通信機器に使用されるマイクロ波帯用
の誘電体フィルタに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to, for example, a car telephone,
The present invention relates to a microwave band dielectric filter used in mobile communication devices such as mobile phones.

【0002】[0002]

【従来の技術】図21は3段のバンドエリミネーション
フィルタの等価回路図を示し、3個の誘電体同軸共振器
1〜3と、6個のC成分(C1 〜C6 )と、2個のL成
分(L)とで構成されるものである。この等価回路に対
する誘電体フィルタの構成は図22に示すような構成と
なっている。すなわち、ベース48上にディスクリート
部品のコンデンサC4 〜C6を配設し、コンデンサC4
とC5 、コンデンサC5 とC6 との間にディスクリート
部品のインダクタンスL,Lをそれぞれ架橋し、さら
に、コンデンサC4 〜C6 の上にディスクリート部品の
コンデンサC1 〜C3 を配設している。そして、誘電体
同軸共振器1〜3から延出した接続端子9をコンデンサ
1 〜C3 の上に置いて半田付け等で各部品を接続固定
している。なお、50,51は信号の入出力を行う入出
力端子である。
2. Description of the Related Art FIG. 21 is an equivalent circuit diagram of a three-stage band elimination filter, showing three dielectric coaxial resonators 1 to 3, 6 C components (C 1 to C 6 ) and 2 It is composed of L components (L). The structure of the dielectric filter for this equivalent circuit is as shown in FIG. That is, the capacitors C 4 to C 6 as discrete components are arranged on the base 48, and the capacitor C 4
C 5, discrete components of the inductance L, L to crosslink each between the capacitor C 5 and C 6, further capacitors C 1 -C 3 discrete components disposed on the capacitor C 4 -C 6 and ing. Then, the connection terminals 9 extending from the dielectric coaxial resonators 1 to 3 are placed on the capacitors C 1 to C 3 and the components are connected and fixed by soldering or the like. Reference numerals 50 and 51 are input / output terminals for inputting / outputting signals.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】かかる従来例において
は、フィルタを構成する場合に、コンデンサC1 〜C6
及びインダクタンスL,Lをすべてディスクリート部品
で構成していた。そのため、部品点数が多く、製造工程
が多くなり、コストが高いという問題があった。
In [Problems that the Invention is to Solve the conventional example, in the case of a filter, a capacitor C 1 -C 6
In addition, the inductances L and L are all composed of discrete parts. Therefore, there are problems that the number of parts is large, the number of manufacturing processes is large, and the cost is high.

【0004】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、部品点数を削減し、コストダウンを図ることを
目的とした誘電体フィルタを提供するものである。
The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a dielectric filter intended to reduce the number of parts and cost.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、L成分、C成
分及び誘電体同軸共振器等からなり所定の周波数帯域で
信号を通過ないし阻止させる誘電体フィルタにおいて、
上記誘電体同軸共振器を実装する絶縁体上にL成分ない
しC成分を電極膜状にパターン形成したものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention provides a dielectric filter comprising an L component, a C component, a dielectric coaxial resonator, etc., which passes or blocks a signal in a predetermined frequency band.
The L component or the C component is patterned into an electrode film pattern on an insulator on which the above-mentioned dielectric coaxial resonator is mounted.

【0006】また、請求項2においては、上記絶縁体を
多層基板で構成し、この多層基板の内面側にL成分ない
しC成分を電極膜状にパターン形成したものである。
According to a second aspect of the present invention, the insulator is formed of a multi-layer substrate, and the L component or the C component is patterned on the inner surface of the multi-layer substrate in the form of an electrode film.

【0007】[0007]

【作用】本発明によれば、従来、L成分ないしC成分を
構成する場合にディスクリート部品を用いていたのとは
異なり、絶縁体上に電極膜状のパターンとしてL成分な
いしC成分を形成することで、部品点数を削減すること
ができ、そのため、コストダウンを図ることができる。
According to the present invention, unlike the conventional case where discrete components are used to form the L or C component, the L or C component is formed as an electrode film pattern on the insulator. As a result, the number of parts can be reduced, and the cost can be reduced accordingly.

【0008】また、請求項2においては、上記絶縁体を
多層基板で構成し、この多層基板の内面側にL成分ない
しC成分を電極膜状にパターン形成していることで、実
装面側の部品とパターンとは位置的に無関係となり、部
品間の寸法を小さくすることができる。そのため、全体
的に寸法を小さくでき、小型の誘電体フィルタを実現す
ることができる。
According to the second aspect of the present invention, the insulator is formed of a multi-layer substrate, and the L component or the C component is patterned in the form of an electrode film on the inner surface side of the multi-layer substrate. Since the parts and the patterns are irrelevant to each other in position, the dimension between the parts can be reduced. Therefore, the size can be reduced as a whole, and a small dielectric filter can be realized.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1において、誘電体同軸共振器1〜3は1/4
波長形のもので、誘電体に貫通して設けた穴8の内周面
には電極膜状の内導体が形成され、誘電体の側表面には
外導体41が電極膜状に形成され、さらに、前記内導体
と外導体とを短絡するために穴8が開口している端面の
一方に短絡導体(図示せず)が電極膜状に形成されてい
る。誘電体同軸共振器1〜3の穴8内には金属製の接続
端子9がそれぞれ誘電体同軸共振器1〜3の開放端側よ
り圧入されて、内導体と接触して導通を得ている。上記
誘電体同軸共振器1〜3を半田付け等により実装するベ
ース基板22の上面の一部及び底面にはアース電極26
が形成されている。この絶縁体を構成するベース基板2
2は、例えばアルミナ,ガラスエポキシなどの誘電体基
板を用いている。尚、ベース基板22の上面に形成した
アース電極26は、アースのために、例えばスルーホー
ル構造の電極で下面のアース電極と接続されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, the dielectric coaxial resonators 1 to 3 are ¼
In the wavelength type, an inner conductor in the form of an electrode film is formed on the inner peripheral surface of the hole 8 penetrating the dielectric, and an outer conductor 41 is formed in the form of an electrode film on the side surface of the dielectric. Further, a short-circuit conductor (not shown) is formed in the shape of an electrode film on one of the end faces where the hole 8 is opened in order to short-circuit the inner conductor and the outer conductor. Metal connection terminals 9 are press-fitted into the holes 8 of the dielectric coaxial resonators 1 to 3 from the open end sides of the dielectric coaxial resonators 1 to 3, respectively, to contact the inner conductor to obtain conduction. . A ground electrode 26 is provided on a part of the upper surface and the bottom surface of the base substrate 22 on which the dielectric coaxial resonators 1 to 3 are mounted by soldering or the like.
Are formed. Base substrate 2 that constitutes this insulator
2 uses a dielectric substrate such as alumina or glass epoxy. The ground electrode 26 formed on the upper surface of the base substrate 22 is connected to the ground electrode on the lower surface by, for example, an electrode having a through hole structure for grounding.

【0010】上記ベース基板22の上面の端部側には電
極パターン42が電極膜状に形成してある。この電極パ
ターン42は、例えば、印刷パターンや厚膜エッチング
等によりベース基板22に形成される。この電極パター
ン42は、3つのキャパシタ電極C1 〜C3 と、2つの
インダクタ電極L1 ,L2 とで構成されている。電極パ
ターン42のキャパシタ電極C1 〜C3 の上面には、上
下面にコンデンサ電極膜を形成したコンデンサ基板43
〜45が半田付け等で実装されるようになっている。そ
して、この誘電体からなるコンデンサ基板43〜45の
上面のコンデンサ電極膜に上記誘電体同軸共振器1〜3
からの接続端子9が半田付け等で接続される。
An electrode pattern 42 is formed in the shape of an electrode film on the end portion of the upper surface of the base substrate 22. The electrode pattern 42 is formed on the base substrate 22 by, for example, a printing pattern or thick film etching. The electrode pattern 42 is composed of three capacitor electrodes C 1 to C 3 and two inductor electrodes L 1 and L 2 . On the upper surface of the capacitor electrodes C 1 to C 3 of the electrode pattern 42, a capacitor substrate 43 having capacitor electrode films formed on the upper and lower surfaces thereof is formed.
To 45 are mounted by soldering or the like. The dielectric coaxial resonators 1 to 3 are formed on the capacitor electrode films on the upper surfaces of the capacitor substrates 43 to 45 made of this dielectric.
The connection terminals 9 from are connected by soldering or the like.

【0011】なお、略Z字型に折曲した金属製の入出力
端子46,47の一端が電極パターン42の両側のキャ
パシタ電極C1 とC3 の上に配置され、その上に両側の
コンデンサ基板43と45が配置され、下面のコンデン
サ電極膜と共に半田付け等で接続固定されるようになっ
ている。
It should be noted that one ends of the metal input / output terminals 46 and 47 bent in a substantially Z shape are arranged on the capacitor electrodes C 1 and C 3 on both sides of the electrode pattern 42, and the capacitors on both sides are arranged on the capacitor electrodes C 1 and C 3. Substrates 43 and 45 are arranged and connected and fixed together with the capacitor electrode film on the lower surface by soldering or the like.

【0012】図2はこのようにして構成されたバンドエ
リミネーションフィルタの等価回路図を示している。図
2において、C11,C21,C31はコンデンサ基板43〜
45の上下面のコンデンサ電極膜により形成されるキャ
パシタである。また、C12,C22,C32はコンデンサ電
極C1 〜C3 とベース基板22の底面のアース電極26
との間で形成されるキャパシタである。さらに、L1
2 は、図1に示すインダクタ電極L1 ,L2 によるイ
ンダクタンスである。
FIG. 2 shows an equivalent circuit diagram of the band elimination filter constructed as described above. In FIG. 2, C 11 , C 21 , and C 31 are capacitor substrate 43 to
45 is a capacitor formed by capacitor electrode films on the upper and lower surfaces of 45. C 12 , C 22 , and C 32 are capacitor electrodes C 1 to C 3 and the ground electrode 26 on the bottom surface of the base substrate 22.
Is a capacitor formed between and. Furthermore, L 1 ,
L 2 is the inductance due to the inductor electrodes L 1 and L 2 shown in FIG.

【0013】ところで、上記ベース基板22上の電極パ
ターンで形成するL成分,C成分は、誘電体フィルタに
必要なL成分,C成分のすべてでなくともよい。つま
り、誘電体フィルタを構成するL成分,C成分の一部を
電極パターンでベース基板22上に形成するようにして
も良い。例えば、図2の回路において、キャパシタ
12,C22,C32はベース基板22上の電極パターンで
形成し、インダクタンスL1 ,L2 はディスクリート部
品で構成するようにしてもよい。
The L and C components formed by the electrode pattern on the base substrate 22 do not have to be all the L and C components required for the dielectric filter. That is, a part of the L component and the C component forming the dielectric filter may be formed on the base substrate 22 with the electrode pattern. For example, in the circuit of FIG. 2, the capacitors C 12 , C 22 , and C 32 may be formed by electrode patterns on the base substrate 22, and the inductances L 1 and L 2 may be formed by discrete components.

【0014】また、ベース基板22上の電極パターンだ
けでは必要な容量が得られない場合、キャパシタC12
32はベース基板22上に電極パターンで形成し、残り
のキャパシタC22をディスクリート部品で構成しても良
い。更に、図3(a)は上記図2の回路の一部を示すも
のであり、図3(a)に示すキャパシタC12を、図3
(b)に示すように2つのキャパシタC12a ,C12b
分けて、一方のキャパシタC12a を電極パターンで形成
し、他方のキャパシタC12b をディスクリート部品で構
成しても良い。また、逆にキャパシタC12b を電極パタ
ーンで形成し、キャパシタC12a をディスクリート部品
で構成しても良い。なお、この場合も、ベース基板22
上の電極パターンだけでは必要な容量が得られない場合
である。また、他のキャパシタC22,C32の場合も同様
である。
If the required capacitance cannot be obtained only by the electrode pattern on the base substrate 22, the capacitor C 12 ,
C 32 may be formed as an electrode pattern on the base substrate 22, and the remaining capacitor C 22 may be composed of discrete components. Further, FIG. 3A shows a part of the circuit of FIG. 2 described above, and the capacitor C 12 shown in FIG.
As shown in (b), the two capacitors C 12a and C 12b may be divided, one capacitor C 12a may be formed by an electrode pattern, and the other capacitor C 12b may be formed by a discrete component. On the contrary, the capacitor C 12b may be formed by an electrode pattern and the capacitor C 12a may be formed by a discrete component. In this case also, the base substrate 22
This is a case where the required capacitance cannot be obtained only by the upper electrode pattern. The same applies to the other capacitors C 22 and C 32 .

【0015】(実施例2)図4は実施例2を示し、ベー
ス基板22の上面(表面)にキャパシタ電極C1〜C3
を形成し、ベース基板22の下面(裏面)には一面にア
ース電極26を形成し、またベース基板22の下面にイ
ンダクタ電極L1 ,L2 を略コ字型に形成している。そ
して、上記キャパシタ電極C1 〜C3 とインダクタ電極
1 ,L2とをスルーホール構造の端子電極49でそれ
ぞれ導通を得ている。上記ベース基板22の上面のキャ
パシタ電極C1 〜C3 と下面のアース電極26とで、図
2に示すキャパシタC12,C22,C32をそれぞれ得てい
る。また、図2に示すキャパシタC11,C21,C31は先
の実施例と同様にコンデンサ基板43〜45の上下面の
コンデンサ電極膜で得ている。
(Embodiment 2) FIG. 4 shows Embodiment 2 in which capacitor electrodes C 1 to C 3 are formed on the upper surface (front surface) of the base substrate 22.
The ground electrode 26 is formed on one surface of the lower surface (back surface) of the base substrate 22, and the inductor electrodes L 1 and L 2 are formed in a substantially U-shape on the lower surface of the base substrate 22. Then, the capacitor electrodes C 1 to C 3 and the inductor electrodes L 1 and L 2 are electrically connected by the terminal electrode 49 having a through hole structure. The capacitor electrodes C 1 to C 3 on the upper surface of the base substrate 22 and the ground electrode 26 on the lower surface form the capacitors C 12 , C 22 , and C 32 shown in FIG. 2, respectively. Further, the capacitors C 11 , C 21 , and C 31 shown in FIG. 2 are obtained by the capacitor electrode films on the upper and lower surfaces of the capacitor substrates 43 to 45 as in the previous embodiment.

【0016】(実施例3)図5は実施例3を示し、上記
ベース基板22を多層基板式としたものである。図5
(a)ベース基板22の上面(表面)を、(b)は下面
(裏面)をそれぞれ示している。また、図5(c)はベ
ース基板22の内部で積層した内層ベース基板22aを
示している。ベース基板22の上面には先の実施例と同
様にキャパシタ電極C1 〜C3 を形成し、内層ベース基
板22aにはインダクタ電極L1 ,L2 を形成したもの
である。また、ベース基板22の各電極はスルーホール
構造の端子電極49で導通を得るようにしている。更
に、ベース基板22の上面のキャパシタ電極C1 〜C3
と下面のアース電極26とで、図2に示すキャパシタC
12,C22,C32を得ている。
(Embodiment 3) FIG. 5 shows Embodiment 3 in which the base substrate 22 is a multi-layer substrate type. Figure 5
(A) shows the upper surface (front surface) of the base substrate 22, and (b) shows the lower surface (back surface). Further, FIG. 5C shows an inner layer base substrate 22 a stacked inside the base substrate 22. Capacitor electrodes C 1 to C 3 are formed on the upper surface of the base substrate 22 as in the previous embodiment, and inductor electrodes L 1 and L 2 are formed on the inner layer base substrate 22a. In addition, each electrode of the base substrate 22 is configured to obtain conduction by the terminal electrode 49 having a through hole structure. Further, the capacitor electrodes C 1 to C 3 on the upper surface of the base substrate 22 are
And the ground electrode 26 on the lower surface, the capacitor C shown in FIG.
12 , C 22 and C 32 are obtained.

【0017】(実施例4)ところで、図6は、例えば、
自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用されるも
のであり、マイクロ波帯に用いられ所謂アンテナ共用器
と言われる誘電体フィルタの等価回路図を示している。
そして、この誘電体フィルタは送信側がバンドエリミネ
ーションフィルタで構成され、受信側がバンドパスフィ
ルタで構成されている。表面実装タイプのこの誘電体フ
ィルタのバンドエリミネーションフィルタは3段の共振
器構成となっており、3個の1/4波長形誘電体同軸共
振器1〜3を有し、バンドパスフィルタは4段の共振器
構成で、4個の1/4波長形誘電体同軸共振器4〜7を
有している。
(Embodiment 4) By the way, FIG.
1 is an equivalent circuit diagram of a dielectric filter which is used in mobile communication devices such as a car phone and a mobile phone and is used in a microwave band and is a so-called antenna duplexer.
The dielectric filter has a band-elimination filter on the transmission side and a band-pass filter on the reception side. The band elimination filter of this surface mount type dielectric filter has a three-stage resonator structure, and has three quarter-wave dielectric coaxial resonators 1 to 3, and the bandpass filter has four. The resonator has a stage structure, and has four quarter-wave dielectric coaxial resonators 4 to 7.

【0018】また、図7はこの誘電体フィルタの全体の
分解斜視図を示し、図8は各部品を実装した状態の斜視
図を示している。まず、図7及び図8により本実施例に
おけるアンテナ共用器と言われる誘電体フィルタの構成
について説明する。
FIG. 7 shows an exploded perspective view of the entire dielectric filter, and FIG. 8 shows a perspective view of a state in which each component is mounted. First, the configuration of a dielectric filter called an antenna duplexer in this embodiment will be described with reference to FIGS. 7 and 8.

【0019】先の実施例と同様の誘電体同軸共振器1〜
7は、直方体状に形成されている誘電体の穴8の内周面
に形成した電極膜状の内導体と、該誘電体の側表面に形
成した電極膜状の外導体と、前記内導体と外導体とを短
絡するために穴8が開口している端面の一方に形成した
短絡導体(図示せず)とで構成され、所定の周波数で共
振するようになっている。この誘電体同軸共振器1〜7
の穴8には一端側を略円筒状に形成した金属製の接続端
子9がそれぞれ誘電体同軸共振器1〜7の開放端側より
圧入されて、穴8内の内導体と接触して導通を得てい
る。上記接続端子9の他端側は舌片状に形成されてい
て、後述するコンデンサ基板10〜12や結合基板13
の上面に形成されている電極膜14〜17に半田付け等
でそれぞれ接続されるようになっている。
Dielectric coaxial resonators 1 to 1 similar to those of the previous embodiment
Reference numeral 7 denotes an electrode film-shaped inner conductor formed on the inner peripheral surface of the dielectric hole 8 formed in a rectangular parallelepiped shape, an electrode film-shaped outer conductor formed on the side surface of the dielectric, and the inner conductor. And a short-circuit conductor (not shown) formed on one of the end faces where the hole 8 is opened in order to short-circuit the outer conductor and resonate at a predetermined frequency. This dielectric coaxial resonator 1-7
The metal connection terminals 9 each having one end formed in a substantially cylindrical shape are press-fitted into the hole 8 from the open end sides of the dielectric coaxial resonators 1 to 7, respectively, and contact with the inner conductor in the hole 8 to conduct electricity. Is getting The other end side of the connection terminal 9 is formed in a tongue shape and serves as a capacitor substrate 10 to 12 and a coupling substrate 13 which will be described later.
Are connected to the electrode films 14 to 17 formed on the upper surface thereof by soldering or the like.

【0020】上記コンデンサ基板10〜12は誘電体か
らなり、その上下面には電極膜がそれぞれ形成されてい
て、キャパシタを形成している。また、誘電体からなる
結合基板13の上面には複数の電極膜14〜17が並設
されており、電極膜14〜16は結合容量を多くとるた
めに、対向部分が櫛歯状に形成されている。更に、結合
基板13の下面の両側にも電極膜が形成されている。ま
た、コンデンサ基板10〜12間にはコイル状のインダ
クタL1 〜L3 が接続される。上記インダクタL1 〜L
3 を実装する誘電体からなる結合基板18の上面には電
極膜19,20が形成されており、この結合基板18の
下面は全面にわたってアース電極となる電極膜が形成さ
れている。
The capacitor substrates 10 to 12 are made of a dielectric material, and electrode films are formed on the upper and lower surfaces thereof to form capacitors. Further, a plurality of electrode films 14 to 17 are arranged in parallel on the upper surface of the coupling substrate 13 made of a dielectric material, and the electrode films 14 to 16 are formed in a comb-tooth shape at the opposing portions in order to increase the coupling capacitance. ing. Furthermore, electrode films are formed on both sides of the lower surface of the combined substrate 13. In addition, coil-shaped inductors L 1 to L 3 are connected between the capacitor substrates 10 to 12. The inductors L 1 to L
Electrode films 19 and 20 are formed on the upper surface of a combined substrate 18 made of a dielectric material for mounting 3 , and an electrode film serving as a ground electrode is formed on the entire lower surface of the combined substrate 18.

【0021】上記各部材を上面に実装するベース基板2
2には、アンテナ側と接続される電極膜状の入出力端子
23と、送信部側が接続される電極膜状の入出力端子2
4と、受信部側が接続される電極膜状の入出力端子25
とがそれぞれ形成されている。また、ベース基板22の
上面及び下面は電極膜状のアース電極26が略全面にわ
たって形成してある。尚、このベース基板22は、誘電
体または絶縁体等で形成されている。ベース基板22の
上面に実装される上記結合基板13は2個のスペーサ2
1を介して実装されるものであり、他の1個のスペーサ
21はベース基板22の入出力端子24の上面に実装さ
れる。これら3個のスペーサ21は、金属等の導通のあ
る部材を用いている。
Base board 2 on which the above-mentioned members are mounted
Reference numeral 2 denotes an electrode film-shaped input / output terminal 23 connected to the antenna side and an electrode film-shaped input / output terminal 2 connected to the transmitter side.
4 and an input / output terminal 25 in the form of an electrode film to which the receiver side is connected
And are formed respectively. Further, an electrode film-shaped ground electrode 26 is formed on substantially the entire upper surface and lower surface of the base substrate 22. The base substrate 22 is made of a dielectric material or an insulating material. The combined substrate 13 mounted on the upper surface of the base substrate 22 includes two spacers 2.
The other spacer 21 is mounted on the upper surface of the input / output terminal 24 of the base substrate 22. The three spacers 21 are made of a conductive material such as metal.

【0022】ベース基板22を覆設するカバー27は金
属製で構成され、カバー27の天板には誘電体同軸共振
器1〜7の上面側外導体とカバー27とを半田付け等を
するための細長の穴28と、誘電体同軸共振器1〜7の
特性を調整するための治具挿入用の穴29が穿孔してあ
る。また、カバー27の下縁前部・背部(図示せず)よ
りベース基板22の上面アース電極26と接続されるア
ース端子30が複数形成されている。カバー27の側板
には、上記ベース基板22の入出力端子23〜25を露
出させるための切欠部31がそれぞれ形成してある。ま
た、図8に示すように、カバー27の上面にはラベル3
2が貼付され穴28や29が覆われるようになってい
る。
The cover 27 that covers the base substrate 22 is made of metal, and the top plate of the cover 27 is used for soldering the outer conductors of the upper surfaces of the dielectric coaxial resonators 1 to 7 and the cover 27. And an elongated hole 28 and a hole 29 for inserting a jig for adjusting the characteristics of the dielectric coaxial resonators 1 to 7 are formed. Further, a plurality of ground terminals 30 are formed which are connected to the upper surface ground electrode 26 of the base substrate 22 from the lower edge front part / back part (not shown) of the cover 27. Notches 31 for exposing the input / output terminals 23 to 25 of the base substrate 22 are formed on the side plates of the cover 27, respectively. As shown in FIG. 8, the label 3 is provided on the upper surface of the cover 27.
2 is attached and the holes 28 and 29 are covered.

【0023】尚、上記の場合においては、カバー27を
用いた場合について説明したが、カバー27を用いずに
誘電体フィルタを構成する場合もある。また、上記ラベ
ル32は、耐熱性の高いカプトン(商品名)という樹脂
で形成されている。ラベル32は、樹脂で形成した場合
はシールドの役目を有していないが、シールドの機能を
持たす場合には、金属製のものを使用するようになって
いる。
In the above case, the case where the cover 27 is used has been described. However, the dielectric filter may be formed without using the cover 27. The label 32 is formed of a resin called Kapton (trade name) having high heat resistance. When the label 32 is made of resin, it does not serve as a shield, but when it has the function of a shield, it is made of metal.

【0024】次に、各部材の配置構成について説明す
る。図7及び図8に示すように、バンドエリミネーショ
ンフィルタ側では、1個のスペーサ21がベース基板2
2の入出力端子24の上に実装され、また、結合基板1
8がベース基板22の入出力端子24と23との間のア
ース電極26の上に実装されハンダづけされる。更に、
入出力端子23と25の上面にスペーサ21がそれぞれ
実装され、この2個のスペーサ21の上面に、下面の電
極膜が接触する形で結合基板13が架橋されハンダづけ
される。
Next, the arrangement of each member will be described. As shown in FIGS. 7 and 8, on the band elimination filter side, one spacer 21 is provided on the base substrate 2
2 is mounted on the input / output terminal 24 and the combined substrate 1
8 is mounted on the ground electrode 26 between the input / output terminals 24 and 23 of the base substrate 22 and soldered. Furthermore,
The spacers 21 are mounted on the upper surfaces of the input / output terminals 23 and 25, and the combined substrate 13 is bridged and soldered on the upper surfaces of the two spacers 21 so that the electrode films on the lower surfaces are in contact with each other.

【0025】図8に示すように、インダクタL1 の一端
がスペーサ21の上面に実装され、その上にコンデンサ
基板10が実装され、このコンデンサ基板10の上面の
電極膜に誘電体同軸共振器1からの接続端子9が接続さ
れる。また、インダクタL1 の他端は結合基板18の電
極膜19の上に実装され、インダクタL2 が結合基板1
8の電極膜19と20との間に実装される。そして、イ
ンダクタL1 とL2 の接続部の上にコンデンサ基板11
が実装され、コンデンサ基板11の上面の電極膜に誘電
体同軸共振器2からの接続端子9が接続される。インダ
クタL3 の一端が結合基板18の電極膜20の上に実装
され、他端は入出力端子23の上に実装される。また、
インダクタL2 とL3 の接続部の上にコンデンサ基板1
2が実装され、コンデンサ基板12の上面の電極膜に誘
電体同軸共振器3からの接続端子9が接続される。
As shown in FIG. 8, one end of the inductor L 1 is mounted on the upper surface of the spacer 21, the capacitor substrate 10 is mounted thereon, and the dielectric coaxial resonator 1 is mounted on the electrode film on the upper surface of the capacitor substrate 10. Is connected to the connection terminal 9. The other end of the inductor L 1 is mounted on the electrode film 19 of the combined substrate 18, and the inductor L 2 is connected to the combined substrate 1
8 is mounted between the electrode films 19 and 20. Then, the capacitor substrate 11 is placed on the connecting portion between the inductors L 1 and L 2.
Is mounted, and the connection terminal 9 from the dielectric coaxial resonator 2 is connected to the electrode film on the upper surface of the capacitor substrate 11. One end of the inductor L 3 is mounted on the electrode film 20 of the coupling substrate 18, and the other end is mounted on the input / output terminal 23. Also,
Capacitor board 1 above the connection between inductors L 2 and L 3.
2 is mounted, and the connection terminal 9 from the dielectric coaxial resonator 3 is connected to the electrode film on the upper surface of the capacitor substrate 12.

【0026】2個のスペーサ21の上に実装された結合
基板13の上面の各電極膜14〜17に、誘電体同軸共
振器4〜7からの接続端子9がそれぞれ接続されるよう
になっている。
The connection terminals 9 from the dielectric coaxial resonators 4 to 7 are connected to the electrode films 14 to 17 on the upper surface of the coupling substrate 13 mounted on the two spacers 21, respectively. There is.

【0027】また、ベース基板22の上下面の入出力端
子23〜25の部分以外の箇所は全面にわたってアース
電極26が形成されており、上下面のアース電極26は
横方向に一直線状に形成した複数のスルーホール33に
より導通を得ている。また、ベース基板22の周囲に複
数形成した半円状の切欠部34の端面に形成した電極膜
を介して上下面のアース電極26が導通している。更
に、入出力端子23〜25も端面に形成した電極膜を介
してベース基板22の上下面が導通している。
The ground electrodes 26 are formed on the entire surface of the upper and lower surfaces of the base substrate 22 except for the input / output terminals 23 to 25. The ground electrodes 26 on the upper and lower surfaces are formed in a straight line in the horizontal direction. Conduction is obtained by a plurality of through holes 33. Further, the ground electrodes 26 on the upper and lower surfaces are electrically connected via the electrode film formed on the end surface of the semicircular cutout 34 formed around the base substrate 22. Further, the input / output terminals 23 to 25 are also electrically connected to the upper and lower surfaces of the base substrate 22 via the electrode films formed on the end surfaces.

【0028】図6に示す等価回路において、バンドエリ
ミネーションフィルタ側のキャパシタC1 〜C3 は、コ
ンデンサ基板10〜12の上下の電極膜で形成され、キ
ャパシタC4 は入出力端子24と下面のアース電極との
間で形成されるものである。キャパシタC5 ,C6 は、
結合基板18の上面の電極膜19,20と下面の電極膜
とで形成されている。また、キャパシタC7 は、入出力
端子23と下面のアース電極との間で形成されるもので
ある。
In the equivalent circuit shown in FIG. 6, the capacitors C 1 to C 3 on the band elimination filter side are formed by the upper and lower electrode films of the capacitor substrates 10 to 12, and the capacitor C 4 is formed on the input / output terminal 24 and the lower surface. It is formed between the ground electrode. The capacitors C 5 and C 6 are
It is formed by the electrode films 19 and 20 on the upper surface of the combined substrate 18 and the electrode film on the lower surface. The capacitor C 7 is formed between the input / output terminal 23 and the ground electrode on the lower surface.

【0029】また、バンドパスフィルタ側のキャパシタ
8 は、結合基板13の電極膜14と下面の電極膜との
間で形成され、キャパシタC9 〜C1 0 は、結合基板1
3の各電極膜14〜16間で形成される。また、キャパ
シタC1 1 は、結合基板13の上面の電極膜16と下面
の電極膜(図示せず)で形成される。この下面の電極膜
は図7の右側のスペーサ21に導通している。更に、キ
ャパシタC1 2 は結合基板13の上面の電極膜17と下
面の電極膜(図示せず)とで形成される。尚、誘電体同
軸共振器7とキャパシタC1 2 とで直列共振回路のトラ
ップ回路を構成している。
The capacitor C 8 on the side of the bandpass filter is formed between the electrode film 14 of the combined substrate 13 and the electrode film on the lower surface, and the capacitors C 9 to C 10 are formed on the combined substrate 1.
3 between the electrode films 14 to 16. Further, the capacitor C 11 is formed by the electrode film 16 on the upper surface and the electrode film (not shown) on the lower surface of the combined substrate 13. The electrode film on the lower surface is electrically connected to the spacer 21 on the right side in FIG. Further, the capacitor C 12 is formed by the electrode film 17 on the upper surface of the combined substrate 13 and the electrode film (not shown) on the lower surface. The dielectric coaxial resonator 7 and the capacitor C 12 form a trap circuit of a series resonance circuit.

【0030】また、図6において、アンテナ側の入出力
端子23には位相調整用のインダクタLが接地してあ
る。本実施例では、このインダクタLをベース基板22
の上面に電極パターン42として形成しているものであ
る。図7に示すように、インダクタLを形成する電極パ
ターン42を略コ字型に電極膜状に形成し、一端を入出
力端子23と一体化し、他端をベース基板22のスルー
ホール33を介して下面のアース電極と導通を得てい
る。
Further, in FIG. 6, an inductor L for phase adjustment is grounded at the input / output terminal 23 on the antenna side. In this embodiment, the inductor L is connected to the base substrate 22.
The electrode pattern 42 is formed on the upper surface of the. As shown in FIG. 7, an electrode pattern 42 forming the inductor L is formed into an approximately U-shaped electrode film shape, one end of which is integrated with the input / output terminal 23, and the other end of which is formed through the through hole 33 of the base substrate 22. Has electrical continuity with the ground electrode on the bottom.

【0031】このようにアンテナ共用器に使用される位
相調整用のコイル(インダクタL)を図7に示すよう
に、ベース基板22上に電極パターン42として形成す
ることにより、部品定数が削減され、コストダウンを図
ることができる。また、半田付けによりインダクタLを
形成した電極パターン42のインダクタンス値が変化し
ないので、フィルタの特性が安定する。
By thus forming the coil (inductor L) for phase adjustment used in the antenna duplexer as the electrode pattern 42 on the base substrate 22 as shown in FIG. 7, the component constant is reduced, The cost can be reduced. Further, since the inductance value of the electrode pattern 42 having the inductor L formed by soldering does not change, the characteristics of the filter are stabilized.

【0032】(実施例5)また、実施例4のように位相
調整用コイルだけでなく、図9に示すようなバンドパス
フィルタのインダクタLの場合にも適用できるものであ
る。図9において、1〜4は先の実施例と同様の誘電体
同軸共振器であり、キャパシタC1 〜C4 により容量結
合を行っている。また、誘電体同軸共振器4とコンデン
サC5 はトラップ回路を構成している。
(Fifth Embodiment) Further, the present invention can be applied not only to the phase adjusting coil as in the fourth embodiment but also to the inductor L of the band pass filter as shown in FIG. In FIG. 9, 1 to 4 are dielectric coaxial resonators similar to those in the previous embodiment, and capacitors C 1 to C 4 perform capacitive coupling. The dielectric coaxial resonator 4 and the capacitor C 5 form a trap circuit.

【0033】このトラップ回路の共振周波数がバンドパ
スフィルタの通過帯域より高い場合に、トラップ回路の
共振周波数による通過帯域特性に悪影響を与えないよう
に、トラップ回路を並列共振を行うように上記インダク
タLを設けているものである。このインダクタLもベー
ス基板の上面に電極パターンとして形成することで、部
品定数が削減され、コストダウンを図ることができる。
また、半田付けによりインダクタLを形成した電極パタ
ーンのインダクタンス値が変化しないので、フィルタの
特性が安定する。
When the resonance frequency of the trap circuit is higher than the pass band of the band pass filter, the inductor L is arranged to perform parallel resonance of the trap circuit so as not to adversely affect the pass band characteristic due to the resonance frequency of the trap circuit. Is provided. By forming the inductor L as an electrode pattern on the upper surface of the base substrate, the number of parts can be reduced and the cost can be reduced.
Moreover, since the inductance value of the electrode pattern on which the inductor L is formed does not change by soldering, the characteristics of the filter are stabilized.

【0034】(実施例6)図10〜図13に実施例6を
示す。本実施例では、ベース基板22を2枚の基板22
1 ,222 による多層基板とし、上側の基板221 の下
面にインダクタを形成する電極パターン42を作成した
ものである。尚、このインダクタは、例えば、図6に示
すような、バンドエリミネーションフィルタ側のインダ
クタL1 〜L3 である。また、上下面にコンデンサ電極
膜(図示せず)を形成したコンデンサ基板10,11と
は、基板221 に穿設したスルーホール35を介してそ
れぞれ導通を得ている。
(Sixth Embodiment) FIGS. 10 to 13 show a sixth embodiment. In this embodiment, the base substrate 22 is composed of two substrates 22.
The multilayer substrate 1 and 22 2 is formed, and the electrode pattern 42 for forming the inductor is formed on the lower surface of the upper substrate 22 1 . The inductors are, for example, inductors L 1 to L 3 on the band elimination filter side as shown in FIG. The capacitor substrates 10 and 11 having capacitor electrode films (not shown) formed on the upper and lower surfaces are electrically connected to each other through through holes 35 formed in the substrate 22 1 .

【0035】このように、インダクタをディスクリート
部品のコイルで実現するのではなく、樹脂の多層基板内
にラインパターンとしての電極パターン42を描くこと
によって省スペースで回路構成を簡素化することができ
る。特に、図10に示すように、コンデンサ基板10,
11間のインダクタ(電極パターン42)を基板221
の下面に形成しているために、コンデンサ基板10,1
1間の寸法を小さくすることができて、小型化を図るこ
とができる。また、ベース基板22の上側の基板221
の上面や、基板222 の下面に他の実装部品等が存在し
ていても、インダクタ(電極パターン42)の形成には
問題はない。
As described above, the circuit structure can be simplified in a space-saving manner by forming the electrode pattern 42 as the line pattern in the resin multilayer substrate instead of realizing the inductor by the coil of the discrete component. In particular, as shown in FIG.
The inductor (electrode pattern 42) between 11 and the substrate 22 1
Since it is formed on the lower surface of the capacitor substrate 10,
It is possible to reduce the size of the space between the two and to reduce the size. In addition, the upper substrate 22 1 of the base substrate 22
There is no problem in forming the inductor (electrode pattern 42) even if other mounting components and the like are present on the upper surface of the substrate and the lower surface of the substrate 22 2 .

【0036】本実施例では、ベース基板22を2層の多
層基板としたが、必要に応じて3層、4層・・・と増や
していくことで、より大きなインダクタンスも実現する
ことが可能となる。
In this embodiment, the base substrate 22 is a multi-layer substrate having two layers, but by increasing the number to three layers, four layers, etc., it is possible to realize a larger inductance. Become.

【0037】本実施例においては、このようにフィルタ
を構成するインダクタンスを多層構造としたベース基板
22内に形成することで、フィルタの小型化を実現する
ことができる。また、ベース基板22の材質として、ガ
ラスエポキシ、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等を使
用することで、これらの基板は安価で多層基板を形成で
きるので、多層基板内でのインダクタンス形成が容易と
なる。
In the present embodiment, the filter can be miniaturized by forming the inductance forming the filter in the base substrate 22 having a multi-layer structure as described above. Further, by using glass epoxy, bismaleimide-triazine resin or the like as the material of the base substrate 22, these substrates can be formed into a multi-layer substrate at low cost, so that the inductance can be easily formed in the multi-layer substrate.

【0038】(実施例7)図13はバンドエリミネーシ
ョンフィルタの等価回路図を示し、3段の共振器構成で
あり、1〜3は誘電体同軸共振器、C1 〜C6 はキャパ
シタ、L1 ,L2はインダクタである。また、図13に
おいて、52は入力端子、53は出力端子である。図1
4に示すように、本実施例では、ベース基板22を2枚
の基板221 ,222 の多層基板で構成し、上記各キャ
パシタC1 〜C6 、インダクタL1 ,L2を電極パター
ン42で構成したものである。
(Embodiment 7) FIG. 13 shows an equivalent circuit diagram of a band elimination filter, which has a three-stage resonator structure, in which 1 to 3 are dielectric coaxial resonators, C 1 to C 6 are capacitors, and L is a capacitor. 1 and L 2 are inductors. Further, in FIG. 13, reference numeral 52 is an input terminal and 53 is an output terminal. Figure 1
As shown in FIG. 4, in this embodiment, the base substrate 22 is composed of a multilayer substrate of two substrates 22 1 and 22 2 , and the capacitors C 1 to C 6 and the inductors L 1 and L 2 are connected to the electrode pattern 42. It is composed of.

【0039】上側の基板221 にはキャパシタC1 〜C
3 を形成し、下側の基板222 にキャパシタC4 〜C6
及びインダクタL1 ,L2 を形成するようにしたもので
ある。すなわち、上側の基板221 の上下面にはそれぞ
れ独立した電極膜54,56,58を形成し、各電極膜
54,56,58に対向して基板221 の下面に電極膜
55,57,59を形成している。そして、上下の電極
膜54,55、56,57、58,59間の容量で、そ
れぞれキャパシタC1 ,C2 ,C3 を形成している。
尚、基板221 の上面の電極膜54,56,58は誘電
体同軸共振器1〜3等に接続されるようになっている。
Capacitors C 1 to C are provided on the upper substrate 22 1.
3 is formed, the capacitor C 4 -C 6 on substrate 22 2 lower
And inductors L 1 and L 2 are formed. That is, the upper and lower surfaces of the substrate 22 1 of the upper forming an independent electrode film 54, 56, 58, the lower surface to the electrode film of the substrate 22 1 so as to face the respective electrode films 54, 56, 58 55, 57, Forming 59. The capacitors C 1 , C 2 , C 3 are formed by the capacitances between the upper and lower electrode films 54, 55, 56, 57, 58, 59, respectively.
The electrode films 54, 56, 58 of the top surface of the substrate 22 1 is adapted to be connected to the dielectric coaxial resonators 1-3 and the like.

【0040】また、ベース基板22の下側の基板222
の上面には、上側の基板22の下面の電極膜55,5
7,59と接触して導通を得る電極膜60,61,62
が形成されている。そして、電極膜60と61、61と
62の間にはライン状の電極膜63,64により架橋し
ている。
The substrate 22 2 below the base substrate 22
On the upper surface of the electrode film 55, 5 on the lower surface of the upper substrate 22.
Electrode films 60, 61, 62 that come into contact with 7, 59 to obtain conduction
Are formed. The electrode films 60 and 61 and the electrode films 61 and 62 are bridged by linear electrode films 63 and 64.

【0041】ここで、電極パターン42の各電極膜60
〜62は基板222 の下面のアース電極(図示せず)と
で、それぞれキャパシタC4 ,C5 ,C6 を形成し、ラ
イン状の電極膜63,64でインダクタL1 ,L2 を形
成している。このライン状の電極膜63,64によりキ
ャパシタC4 とC5 、C5 とC6 を接続する回路を構成
している。また、その他、電極間容量が不要な場合は、
スルーホールで表面回路素子やアース電極で接続する。
Here, each electrode film 60 of the electrode pattern 42
Numerals 62 to 62 are earth electrodes (not shown) on the lower surface of the substrate 22 2 , which form capacitors C 4 , C 5 and C 6 , respectively, and inductors L 1 and L 2 are formed by the line-shaped electrode films 63 and 64. is doing. The line-shaped electrode films 63 and 64 form a circuit that connects the capacitors C 4 and C 5 , and C 5 and C 6 . In addition, if the interelectrode capacitance is not required,
The surface circuit element and ground electrode are connected through the through hole.

【0042】本実施例では、バンドエリミネーションフ
ィルタの場合について説明したが、バンドエリミネーシ
ョンフィルタに限らず、マッチング回路や、バンドパス
フィルタ等全てに適用できるものである。また、2枚の
基板の多層基板としたが、2枚以上の多層基板で構成し
て、インダクタやキャパシタを電極パターンで形成して
も良いのは勿論である。
In the present embodiment, the case of the band elimination filter has been described, but the present invention is not limited to the band elimination filter and can be applied to all matching circuits and band pass filters. Further, although the multilayer substrate is composed of two substrates, it is a matter of course that the inductor and the capacitor may be formed by an electrode pattern by forming the multilayer substrate with two or more substrates.

【0043】このように、本実施例では、フィルタ回路
を構成するインダクタ及びキャパシタのすべてを電極パ
ターンで形成したことで、ディスクリート部品で構成し
た場合と比べて、部品点数を削減でき、コストダウンを
図ることができる。しかも、組み立てが容易となり、量
産性が向上するものである。
As described above, in this embodiment, since all of the inductors and capacitors forming the filter circuit are formed by the electrode patterns, the number of parts can be reduced and the cost can be reduced as compared with the case of forming the discrete parts. Can be planned. Moreover, the assembly is facilitated and the mass productivity is improved.

【0044】(実施例8)図15及び図16に実施例8
を示す。図15は図6に示すアンテナ共用器の要部回路
図を示し、送信側と受信側とのマッチングに使用する位
相調整用のインダクタLを多層基板で形成したものであ
る。ベース基板22の下側の基板222 の上面にインダ
クタLを形成すべく電極パターン42を形成している。
上側の基板221 には他の回路と接続するランド65,
66を形成し、スルーホール70を介して下側の基板2
2 の電極パターン42の端部のランド67,68と導
通を得るようにしている。
(Embodiment 8) Embodiment 8 is shown in FIGS. 15 and 16.
Indicates. FIG. 15 shows a circuit diagram of a main part of the antenna duplexer shown in FIG. 6, in which the inductor L for phase adjustment used for matching the transmitting side and the receiving side is formed of a multilayer substrate. An electrode pattern 42 is formed on the upper surface of the substrate 22 2 below the base substrate 22 to form the inductor L.
The upper substrate 22 1 has lands 65, which are connected to other circuits,
66, and the lower substrate 2 through the through hole 70
Conduction is obtained with the lands 67 and 68 at the ends of the 2 2 electrode pattern 42.

【0045】尚、本実施例では、アンテナ共用器の位相
調整用のインダクタについて適用したが、バンドパスフ
ィルタの場合のインダクタンス結合する場合のインダク
タも図16の場合と同様に本発明を適用することができ
る。
Although the present embodiment is applied to the inductor for adjusting the phase of the antenna duplexer, the present invention is also applicable to the inductor for the inductance coupling in the case of the bandpass filter as in the case of FIG. You can

【0046】(実施例9)実施例9を図17及び図18
に示す。本実施例では、バンドパスフィルタの反共振イ
ンダクタンスの場合について適用したものである。図1
7はバンドパスフィルタの回路図を示し、1〜3は誘電
体同軸共振器を示し、C1 〜C4 はキャパシタを示して
いる。多層基板としたベース基板22の下側の基板22
2 の上面にインダクタLを形成すべく電極パターン42
を形成し、電極パターン42の中央に形成したスルーホ
ール71を介して下面のアース電極と導通を得ている。
また、電極パターン42の端部のランド72は、上側の
基板221 に形成したスルーホール73を介して基板2
1 の表面回路と接続されるようになっている。
(Embodiment 9) Embodiment 9 is shown in FIGS.
Shown in. The present embodiment is applied to the case of the anti-resonance inductance of the bandpass filter. Figure 1
7 shows a circuit diagram of a bandpass filter, 1 to 3 show dielectric coaxial resonators, and C 1 to C 4 show capacitors. Substrate 22 below base substrate 22 that is a multilayer substrate
Electrode pattern 42 for forming inductor L on the upper surface of 2
Is formed, and conduction is obtained with the ground electrode on the lower surface through a through hole 71 formed in the center of the electrode pattern 42.
In addition, the land 72 at the end of the electrode pattern 42 is connected to the substrate 2 through the through hole 73 formed in the upper substrate 22 1.
It is designed to be connected to 2 1 surface circuits.

【0047】(実施例10)図19及び図20は実施例
10を示し、ローパスフィルタのインダクタL1 とキャ
パシタC1 を電極パターン42で形成したものである。
本実施例では、ベース基板22を3層の多層基板とした
ものであり、内層の基板222 の上面にインダクタL1
としての電極パターン42を形成し、下側の基板223
の上面にキャパシタC1 を形成すべく電極パターン42
を形成したものである。尚、キャパシタC1 は、基板2
3 の電極パターン42と下面のアース電極との間の容
量で形成している。
(Embodiment 10) FIGS. 19 and 20 show Embodiment 10 in which an inductor L 1 and a capacitor C 1 of a low pass filter are formed by an electrode pattern 42.
In this embodiment, the base substrate 22 is a multi-layer substrate having three layers, and the inductor L 1 is provided on the upper surface of the inner layer substrate 22 2.
The electrode pattern 42 as a substrate is formed on the lower substrate 22 3
Electrode pattern 42 to form capacitor C 1 on the upper surface of
Is formed. The capacitor C 1 is the substrate 2
It is formed by the capacitance between the 2 3 electrode pattern 42 and the ground electrode on the lower surface.

【0048】上側の基板221 に形成してあるパターン
74と内層の基板222 の電極パターン42の一端とは
スルーホール75を介して接続され、基板222 の電極
パターン42の他端と基板223 の電極パターン42と
はスルーホール76を介して接続されるようになってい
る。
The pattern 74 formed on the upper substrate 22 1 and one end of the electrode pattern 42 of the inner substrate 22 2 are connected via a through hole 75, and the other end of the electrode pattern 42 of the substrate 22 2 is connected to the substrate. The electrode pattern 42 of 22 3 is connected through a through hole 76.

【0049】なお、上記の各実施例において、バンドエ
リミネーションフィルタ、バンドパスフィルタ、ローパ
スフィルタ等について説明したが、ハイパスフィルタに
も本発明を適用できるものであり、更には、これらの各
種のフィルタの組み合わせの場合にも適用できるもので
ある。すなわち、フィルタを構成する場合に、L成分や
C成分をディスクリート部品で構成するのではなく、電
極膜状のパターン電極で構成することにより本発明を適
用できるものである。
Although the band elimination filter, the bandpass filter, the lowpass filter and the like have been described in the above embodiments, the present invention can also be applied to a highpass filter, and further, various filters of these types can be used. It is also applicable to the combination of. That is, when the filter is formed, the present invention can be applied by forming the L component and the C component by the pattern electrode in the form of an electrode film, not by the discrete component.

【0050】[0050]

【発明の効果】本発明によれば、L成分、C成分及び誘
電体同軸共振器等からなり所定の周波数帯域で信号を通
過ないし阻止させる誘電体フィルタにおいて、上記誘電
体同軸共振器を実装する絶縁体上にL成分ないしC成分
を電極膜状にパターン形成したものであるから、従来、
L成分ないしC成分を構成する場合にディスクリート部
品を用いていたのとは異なり、絶縁体上に電極膜状のパ
ターンとしてL成分ないしC成分を形成することで、部
品点数を削減することができ、そのため、コストダウン
を図ることができるという効果を奏するものである。
According to the present invention, the dielectric coaxial resonator is mounted in a dielectric filter which is composed of an L component, a C component, a dielectric coaxial resonator, and the like and passes or blocks a signal in a predetermined frequency band. Conventionally, since the L component or the C component is patterned on the insulator in the form of an electrode film,
Unlike the case where discrete components are used when forming the L component or C component, the number of components can be reduced by forming the L component or C component as an electrode film pattern on the insulator. Therefore, there is an effect that the cost can be reduced.

【0051】また、請求項2においては、上記絶縁体を
多層基板で構成し、この多層基板の内面側にL成分ない
しC成分を電極膜状にパターン形成していることで、実
装面側の部品とパターンとは位置的に無関係となり、部
品間の寸法を小さくすることができる。そのため、全体
的に寸法を小さくでき、小型の誘電体フィルタを実現す
ることができる。
In the second aspect, the insulator is formed of a multi-layer substrate, and the L component or the C component is patterned on the inner surface of the multi-layer substrate in the form of an electrode film. Since the parts and the patterns are irrelevant to each other in position, the dimension between the parts can be reduced. Therefore, the size can be reduced as a whole, and a small dielectric filter can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例の誘電体フィルタの全体の分解
斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view of an entire dielectric filter according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の図1に示す誘電体フィルタの等価回路
図である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the dielectric filter shown in FIG. 1 of the present invention.

【図3】本発明の図2に示すキャパシタの一部をディス
クリート部品で構成した場合の説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a case where a part of the capacitor shown in FIG. 2 of the present invention is composed of discrete components.

【図4】本発明の実施例2の基板の電極パターンを示す
説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing an electrode pattern on a substrate according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施例3の基板の電極パターンを示す
説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing an electrode pattern on a substrate according to a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施例4のアンテナ共用器と言われる
誘電体フィルタの等価回路図である。
FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a dielectric filter called an antenna duplexer according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施例4の誘電体フィルタの分解斜視
図である。
FIG. 7 is an exploded perspective view of a dielectric filter according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の実施例4の部品を実装した状態の誘電
体フィルタの斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view of a dielectric filter in a state where components of Example 4 of the present invention are mounted.

【図9】本発明の実施例5のバンドパスフィルタの等価
回路図である。
FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of a bandpass filter according to a fifth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の実施例6の要部断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of the essential parts of Embodiment 6 of the present invention.

【図11】本発明の実施例6の要部斜視図である。FIG. 11 is a perspective view of the essential parts of Embodiment 6 of the present invention.

【図12】本発明の実施例6の要部分解斜視図である。FIG. 12 is an exploded perspective view of essential parts of Embodiment 6 of the present invention.

【図13】本発明の実施例7のバンドエリミネーション
フィルタの等価回路図である。
FIG. 13 is an equivalent circuit diagram of a band elimination filter according to a seventh embodiment of the present invention.

【図14】本発明の実施例7のベース基板の分解斜視図
である。
FIG. 14 is an exploded perspective view of a base substrate according to a seventh embodiment of the present invention.

【図15】本発明の実施例8のアンテナ共用器の要部回
路図である。
FIG. 15 is a circuit diagram of an essential part of an antenna duplexer according to an eighth embodiment of the present invention.

【図16】本発明の実施例8の要部分解斜視図である。FIG. 16 is an exploded perspective view of essential parts of Embodiment 8 of the present invention.

【図17】本発明の実施例9のバンドパスフィルタの回
路図である。
FIG. 17 is a circuit diagram of a bandpass filter according to a ninth embodiment of the present invention.

【図18】本発明の実施例9の要部分解斜視図である。FIG. 18 is an exploded perspective view of essential parts of Embodiment 9 of the present invention.

【図19】本発明の実施例10のローパスフィルタの部
分を示す要部回路図である。
FIG. 19 is a main part circuit diagram showing a part of a low-pass filter according to a tenth embodiment of the present invention.

【図20】本発明の実施例10の要部分解斜視図であ
る。
FIG. 20 is an exploded perspective view of essential parts of Embodiment 10 of the present invention.

【図21】バンドエリミネーションフィルタの等価回路
図である。
FIG. 21 is an equivalent circuit diagram of a band elimination filter.

【図22】従来例の誘電体フィルタをディスクリート部
品で構成した場合の平面図である。
FIG. 22 is a plan view of a conventional dielectric filter including discrete components.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜7 誘電体同軸共振器 22 ベース基板 42 電極パターン 1 to 7 dielectric coaxial resonator 22 base substrate 42 electrode pattern

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 L成分、C成分及び誘電体同軸共振器等
からなり所定の周波数帯域で信号を通過ないし阻止させ
る誘電体フィルタにおいて、上記誘電体同軸共振器を実
装する絶縁体上にL成分ないしC成分を電極膜状にパタ
ーン形成したことを特徴とする誘電体フィルタ。
1. A dielectric filter comprising an L component, a C component, a dielectric coaxial resonator, etc., which passes or blocks a signal in a predetermined frequency band, wherein an L component is provided on an insulator on which the dielectric coaxial resonator is mounted. A dielectric filter characterized by patterning C to C components in the form of an electrode film.
【請求項2】 上記絶縁体を多層基板で構成し、この多
層基板の内面側にL成分ないしC成分を電極膜状にパタ
ーン形成したことを特徴とする請求項1記載の誘電体フ
ィルタ。
2. The dielectric filter according to claim 1, wherein the insulator is composed of a multilayer substrate, and the L component or the C component is patterned on the inner surface of the multilayer substrate in the form of an electrode film.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0468362A (en) * 1990-07-10 1992-03-04 Tomoegawa Paper Co Ltd Electrophotographic developer
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CN102637925A (en) * 2011-02-14 2012-08-15 株式会社村田制作所 Band-elimination filter

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