JPH10256279A - Support substrate and manufacture therefor, electronic part device, and support-substrate surface treatment - Google Patents

Support substrate and manufacture therefor, electronic part device, and support-substrate surface treatment

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JPH10256279A
JPH10256279A JP5802897A JP5802897A JPH10256279A JP H10256279 A JPH10256279 A JP H10256279A JP 5802897 A JP5802897 A JP 5802897A JP 5802897 A JP5802897 A JP 5802897A JP H10256279 A JPH10256279 A JP H10256279A
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JP
Japan
Prior art keywords
support substrate
bonding material
coupling agent
electronic component
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP5802897A
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Japanese (ja)
Inventor
Masami Yusa
正己 湯佐
Shinji Takeda
信司 武田
Yasuo Miyadera
康夫 宮寺
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Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reflow crack resistance which depends on bonding material by increasing adhesion between an electronic part and a support substrate. SOLUTION: A support substrate (a lead frame, an insulating substrate or the like), on which the electronic part (a semiconductor chip, a transistor or the like) is mounted, is dipped into a solvent, containing 0.001 to 10wt.% of silane coupling agent for 0.5 to 10 minutes, then taken out, and dried while being heated. A semiconductor chip is attached to the surface-treated support substrate by using organic bonding material (silver paste, silver-filler containing film-type adhesive or the like). As a silane-coupling agent, γ- glycidoxipropyltrimethoxy silane, γ-aminopropyltriethoxy silane or the like may be used.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の電
子部品搭載用の支持基板、支持基板の製造方法、電子部
品装置及び支持基板の表面処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a support substrate for mounting an electronic component such as a semiconductor device, a method of manufacturing the support substrate, an electronic component device, and a surface treatment method of the support substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子などの電子部品を支持基板に
接着させる方法としては、支持基板上にダイボンディン
グ材を供給し、電子部品を接着する方法が用いられてき
た。これに使用されるダイボンディング材としては、例
えばAu-Si共晶、半田、樹脂ペースト、樹脂フィルム状
接着剤等が知られている。この中で、Au-Si共晶は高価
かつ弾性率が高く、また接着部分を加振しなければなら
ない問題がある。また、半田は融点温度以上に耐えられ
ず、かつ弾性率が高い問題がある。樹脂ペースト及び樹
脂フィルム状接着剤は、安価で耐熱信頼性が高く弾性率
も低いので、電子部品と支持基板を接着させる接着剤と
して最も多く使用されている。
2. Description of the Related Art As a method of bonding an electronic component such as a semiconductor element to a support substrate, a method of supplying a die bonding material onto the support substrate and bonding the electronic component has been used. As the die bonding material used for this purpose, for example, Au-Si eutectic, solder, resin paste, resin film adhesive and the like are known. Among them, the Au-Si eutectic is expensive and has a high modulus of elasticity, and has a problem that the bonded portion must be vibrated. Further, there is a problem that the solder cannot withstand the temperature higher than the melting point temperature and has a high elastic modulus. Resin pastes and resin film adhesives are inexpensive, have high heat resistance, and have a low modulus of elasticity. Therefore, they are most often used as adhesives for bonding electronic components to a support substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】電子機器の小型化、薄
型化による高密度実装の要求が、近年、急速に増加して
きており、半導体パッケージはピン挿入型に代わり、高
密度実装に適した表面実装型が主流になってきた。この
表面実装型半導体パッケージは、プリント基板等に半田
付けするために、赤外線リフローやベーパーフェイズリ
フロー、半田ディップなどにより加熱して実装される。
この際、パッケージ全体は210℃〜260℃の高温に
曝されるため、パッケージ内部に水分が存在すると、水
分の急激な気化によって、パッケージにクラック(いわ
ゆる、「リフロークラック」)が発生する。このリフロ
ークラックは、パッケージの信頼性を著しく低下させる
ため、特に薄型パッケージにおいて重大な問題、技術課
題となっている。本発明の目的は、電子部品と支持基板
の接着力を高めて、ボンディング材に起因する耐リフロ
ークラック性を向上させることである。
In recent years, the demand for high-density mounting due to the miniaturization and thinning of electronic devices has been rapidly increasing in recent years. The mounting type has become mainstream. This surface-mount type semiconductor package is mounted by heating by infrared reflow, vapor phase reflow, solder dip, or the like in order to solder it to a printed board or the like.
At this time, since the entire package is exposed to a high temperature of 210 ° C. to 260 ° C., if moisture exists inside the package, cracks (so-called “reflow cracks”) occur in the package due to rapid vaporization of the moisture. Since the reflow crack significantly reduces the reliability of the package, it has become a serious problem and technical problem especially in a thin package. An object of the present invention is to increase the adhesive strength between an electronic component and a support substrate to improve the reflow crack resistance caused by the bonding material.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】ボンディング材に起因す
るリフロークラックの発生メカニズムは、次の通りであ
ると推定されている。すなわち、(1)パッケージは保管
中にボンディング材が吸湿し、(2)この水分がリフロー
半田付けの実装時に加熱によって水蒸気化し、(3)この
蒸気圧によってボンディング材の破壊や剥離が起こり、
(4)リフロークラックが発生する。本発明者らは、電子
部品と支持基板の接着力を高めることに着目し、種々検
討した結果、支持基板の表面をシランカップリング剤で
処理することで電子部品との接着力を高めて耐リフロー
クラック性を向上させうることを見出した。
The mechanism of occurrence of reflow cracks caused by the bonding material is estimated to be as follows. In other words, (1) the bonding material absorbs moisture during storage of the package, (2) this moisture is vaporized by heating during mounting of reflow soldering, and (3) the vapor pressure causes destruction or peeling of the bonding material,
(4) Reflow cracks occur. The present inventors have focused on increasing the adhesive strength between the electronic component and the support substrate and made various studies. As a result, the surface of the support substrate was treated with a silane coupling agent to increase the adhesive force between the electronic component and the support substrate. It has been found that reflow crackability can be improved.

【0005】すなわち、本発明は、有機ボンディング材
料を介して電子部品が搭載される支持基板で、その表面
がシランカップリング剤で処理された支持基板を提供す
る。本発明はまた、有機ボンディング材料を介して電子
部品が搭載される支持基板の少なくとも有機ボンディン
グ材が接する面をシランカップリング剤で処理すること
を特徴とする、支持基板の製造方法も提供する。更に本
発明は、表面がシランカップリング剤で処理された支持
基板、支持基板の電子部品搭載部に形成された有機ボン
ディング材料層及び有機ボンディング材料層に載置され
た電子部品を備える電子部品装置も提供する。また本発
明は、有機ボンディング材料を介し電子部品が搭載され
る支持基板をシランカップリング剤で処理することを特
徴とする支持基板の表面処理方法も提供する。
That is, the present invention provides a support substrate on which electronic components are mounted via an organic bonding material, the surface of which is treated with a silane coupling agent. The present invention also provides a method of manufacturing a support substrate, wherein at least a surface of the support substrate on which the electronic component is mounted via the organic bonding material is in contact with the organic bonding material, using a silane coupling agent. Further, the present invention provides an electronic component device including a support substrate having a surface treated with a silane coupling agent, an organic bonding material layer formed on an electronic component mounting portion of the support substrate, and an electronic component mounted on the organic bonding material layer. Also provide. The present invention also provides a surface treatment method for a support substrate, wherein the support substrate on which an electronic component is mounted is treated with a silane coupling agent via an organic bonding material.

【0006】ここで用いることができるシランカップリ
ング剤は、通常、式YSiX3(Yは官能基を有しSi
に結合する1価の基、Xは加水分解性を有しSiに結合
する1価の基)で表される。上記Y中の官能基として
は、例えば、ビニル、アミノ、エポキシ、クロロ、メル
カプト、メタクリルオキシ、シアノ、カルバメート、ピ
リジン、スルホニルアジド、尿素、スチリル、クロロメ
チル、アンモニウム塩、アルコール等の基がある。Xと
しては、例えば、クロル、メトキシ、エトキシ、メトキ
シエトキシ等がある。
The silane coupling agent which can be used here is usually of the formula YSiX 3 (where Y is a functional group
And X is a monovalent group which has hydrolyzability and is bonded to Si). Examples of the functional group in Y include groups such as vinyl, amino, epoxy, chloro, mercapto, methacryloxy, cyano, carbamate, pyridine, sulfonyl azide, urea, styryl, chloromethyl, ammonium salt, and alcohol. X includes, for example, chloro, methoxy, ethoxy, methoxyethoxy and the like.

【0007】上記シランカップリング剤の具体例として
は、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(2−メ
トキシエトキシ)シラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、γ−(2−アミノエチ
ル)ーアミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカ
プトプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、β−(3、4−エポキシシ
クロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メタク
リルオキシプロピルトリメトキシシラン、N、N−ジメ
チルアミノフェニルトリエトキシシラン、トリメトキシ
シリル安息香酸、クロロメチルフェネチルトリメトキシ
シラン、2−スチリルエチルトリエトキシシラン、アミ
ノエチルアミノメチルフェネチルトリメトキシシラン、
γ−クロロフェニルトリメトキシシラン、N−フェニル
アミノプロピルトリメトキシシラン、アリルトリエトキ
シシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラ
ン、3−アミノトリメトキシシラン、ビス(2−ヒドロ
キシエチル)アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス
[3−(トリエトキシシリル)プロピル]アミン ビス[3−(トリメトキシシリル)プロピル]エチレン
ジアミン、
Specific examples of the silane coupling agent include vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, vinyltriacetoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ- (2-aminoethyl) -aminopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ) Ethyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, N, N-dimethylaminophenyltriethoxysilane, trimethoxysilylbenzoic acid, chloromethylphenethyltrimethoxysilane, 2-styryle Le triethoxysilane, aminoethyl aminomethyl phenethyltrimethoxysilane,
γ-chlorophenyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, 3-aminotrimethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) aminopropyltriethoxysilane, Bis [3- (triethoxysilyl) propyl] amine bis [3- (trimethoxysilyl) propyl] ethylenediamine;

【0008】2−クロロエチルトリエトキシシラン、ク
ロロメチルトリエトトキシシラン、クロロフェニルトリ
エトキシシラン、3−シアノプロピルトリエトキシシラ
ン、N、N−ジエチル−3−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、N、N−ジエチルアミノフェニルトリエトキ
シシラン、1−(ジメチルクロロシリル)−2−(クロ
ロメチルフェニル)エタン、イソシナネ−トプロピルト
リエトキシシラン、メルカプトエチルトリエトキシシラ
ン、メタクリルオキシエチルジメチル(3−トリメトキ
シシリルプロピル)アンモニウムクロライド、N−メチ
ルアミノプロピルトリエトキシシラン、3−(N−スチ
リルメチル−2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメ
トキシシラン塩酸塩、1−トリクロロシリル−2−(ク
ロロメチルフェニル)エタン、β−トリクロロシリル−
4−エチルピリジン、トリエトキシシリルプロピルエチ
ルカルバメ−ト、N−(トリエトキシシリルプロピル)
尿素、1−トリメトキシシリル−2−(アミノメチル)
フェニルエタン、1−トリメトキシシリル−2−(クロ
ロメチル)フェニルエタン、2−(トリメトキシシリ
ル)エチルフェニルスルホニルアジド、トリメトキシシ
リルプロピルアリルアミン、トリメトキシシリルプロピ
ルジエチレントリアミン、p−アミノフェニルトリメト
キシシラン、2−スチリルエチルトリメトキシシラン、
アミノエチルメチルフェネチルトリメトキシシラン等が
挙げられ、これらを混合して使用することも可能であ
る。
2-chloroethyltriethoxysilane, chloromethyltriethoxysilane, chlorophenyltriethoxysilane, 3-cyanopropyltriethoxysilane, N, N-diethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N, N-diethylamino Phenyltriethoxysilane, 1- (dimethylchlorosilyl) -2- (chloromethylphenyl) ethane, isosinane-propyltriethoxysilane, mercaptoethyltriethoxysilane, methacryloxyethyldimethyl (3-trimethoxysilylpropyl) ammonium chloride , N-methylaminopropyltriethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane hydrochloride, 1-trichlorosilyl-2- (chloromethylphenyl) ) Ethane, beta-trichlorosilyl -
4-ethylpyridine, triethoxysilylpropylethyl carbamate, N- (triethoxysilylpropyl)
Urea, 1-trimethoxysilyl-2- (aminomethyl)
Phenylethane, 1-trimethoxysilyl-2- (chloromethyl) phenylethane, 2- (trimethoxysilyl) ethylphenylsulfonyl azide, trimethoxysilylpropylallylamine, trimethoxysilylpropyldiethylenetriamine, p-aminophenyltrimethoxysilane, 2-styrylethyltrimethoxysilane,
Examples thereof include aminoethylmethylphenethyltrimethoxysilane and the like, and these can be used in combination.

【0009】前記シランカップリング剤には、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアナー
トエステル樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ
スチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、シ
ロキサンポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステ
ルイミド等の樹脂を含んでいてもよい。また、これらの
樹脂を使用する場合、必要に応じて、硬化剤、硬化促進
剤、触媒等を使用してもよい。
The silane coupling agent includes epoxy resin, phenol resin, bismaleimide resin, cyanate ester resin, acrylic resin, methacrylic resin, polystyrene, polyimide, polyamide, polyester, siloxane polyimide, polyetherimide, polyesterimide and the like. May be contained. When these resins are used, a curing agent, a curing accelerator, a catalyst, and the like may be used as necessary.

【0010】支持基板の表面を処理する際に用いられる
処理液としては、前記したシランカップリング剤自体が
液状の場合はこれをそのまま用いることもできるが、通
常は、水又は有機溶剤の溶液として用いることが好まし
い。有機溶剤としては、シランカップリング剤及びその
他の成分を溶解できるものであれば特に制限するもので
はない。メタノール、エタノール、プロピルアルコー
ル、イソプロピルアルコール等のアルコールのほか、ア
セトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリ
ドン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチル
エーテル等が使用され、水を含めこれらは2種類以上を
混合して使用してもよい。処理液のシランカップリング
剤の濃度としては、0.001〜10重量%で、好まし
くは0.01〜5重量%である。0.001重量%より
少ないと接着力向上の効果が少なく、10重量%より多
いとパッケージの信頼性が低下する。処理の温度及び時
間は特に制限するものではないが、通常は0〜100
℃、0.5秒〜10分で、好ましくは20〜50℃、5
秒〜3分である。処理液で処理された支持基板は、乾燥
して使用することが好ましい。この時の乾燥条件として
は水、アルコール等の溶媒を除去できれば特に制限はな
いが、通常は、室温〜150℃、5秒〜2時間で行うこ
とができる。
When the above-mentioned silane coupling agent itself is in a liquid state, it can be used as it is as a treatment liquid used for treating the surface of the supporting substrate, but it is usually used as a solution of water or an organic solvent. Preferably, it is used. The organic solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the silane coupling agent and other components. In addition to alcohols such as methanol, ethanol, propyl alcohol, and isopropyl alcohol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, benzene, toluene, xylene, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, and dioxane , Tetrahydrofuran, ethylene glycol dimethyl ether and the like, and these may be used as a mixture of two or more kinds including water. The concentration of the silane coupling agent in the treatment liquid is 0.001 to 10% by weight, preferably 0.01 to 5% by weight. If it is less than 0.001% by weight, the effect of improving the adhesive strength is small, and if it is more than 10% by weight, the reliability of the package is reduced. The temperature and time of the treatment are not particularly limited, but are usually 0 to 100.
C., 0.5 seconds to 10 minutes, preferably 20 to 50 ° C., 5
Seconds to 3 minutes. The support substrate treated with the treatment liquid is preferably used after drying. The drying condition at this time is not particularly limited as long as a solvent such as water and alcohol can be removed, but the drying can be usually performed at room temperature to 150 ° C. for 5 seconds to 2 hours.

【0011】前記シランカップリング剤による支持基板
の処理の方法としては、基板全体を処理液にディップす
る方法や、スプレーによる吹き付け、刷毛塗り、スピン
コートなど通常使用される塗布の方法等が使用される。
処理される支持基板の表面については、有機ボンディン
グ材が接する部分のみを処理してもよいし、支持基板全
体を処理してもよい。また、シランカップリング剤によ
る処理の前に、支持基板を前処理するとよい。前処理の
方法としては、有機溶剤による脱脂洗浄、アルカリによ
る洗浄、酸による洗浄等があり、支持基板の種類によっ
て、適宜、好ましい方法を選ぶ。特に接着力のバラツキ
が大きいときに有効である。この処理は、支持基板の表
面状態を一定に保つ役割があり、シランカップリング剤
処理の直前に行うことが好ましい。
As a method of treating the supporting substrate with the silane coupling agent, a method of dipping the entire substrate into a treatment liquid, a method of coating commonly used such as spraying, brush coating, spin coating and the like are used. You.
With respect to the surface of the support substrate to be processed, only the portion in contact with the organic bonding material may be processed, or the entire support substrate may be processed. Further, before the treatment with the silane coupling agent, the support substrate may be pretreated. Examples of the pretreatment method include degreasing cleaning with an organic solvent, cleaning with an alkali, cleaning with an acid, and the like, and a preferable method is appropriately selected depending on the type of the supporting substrate. This is particularly effective when the dispersion of the adhesive force is large. This treatment serves to keep the surface state of the support substrate constant, and is preferably performed immediately before the treatment with the silane coupling agent.

【0012】このようにして表面処理された支持基板
に、有機ボンディング材を介して電子部品を接着し、電
子部品装置とする。この場合、あらかじめ支持基板上に
有機ボンディング材層を形成させた後に電子部品を接着
させても、あるいは電子部品の接着面側に有機ボンディ
ング材層を形成させたのち支持基板に接着させても、ま
た支持基板と有機ボンディング材と電子部品とを一括で
接着させてもよい。いずれにせよ、支持基板、有機ボン
ディング材料及び電子部品の位置関係は、支持基板と電
子部品の間に有機ボンディング材料が存在する位置関係
である。
An electronic component is adhered to the supporting substrate subjected to the surface treatment in this manner via an organic bonding material to obtain an electronic component device. In this case, the electronic component may be bonded after the organic bonding material layer is formed on the support substrate in advance, or the organic bonding material layer may be formed on the bonding surface side of the electronic component and then bonded to the support substrate. Alternatively, the support substrate, the organic bonding material, and the electronic component may be bonded together. In any case, the positional relationship between the support substrate, the organic bonding material, and the electronic component is a positional relationship in which the organic bonding material exists between the support substrate and the electronic component.

【0013】本発明で使用される支持基板としては、リ
ードフレーム、絶縁基板、配線付き基板等がある。
The support substrate used in the present invention includes a lead frame, an insulating substrate, a substrate with wiring, and the like.

【0014】また、有機ボンディング材としては、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、シア
ナートエステル樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、
ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステ
ル、シロキサンポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリ
エステルイミドが好ましく使用される。これら樹脂は2
種類以上を混合して使用してもよい。また、有機ボンデ
ィング材としては、液状、ペースト状、フィルム状等を
特に制限なく使用できる。さらに、液状、ペースト状と
する場合には、有機溶剤を使用してもよい。前記有機ボ
ンディング材には、必要に応じて充填剤を使用してもよ
い。充填剤としては、銀、金、銅、鉄、アルミ、カーボ
ン等の導電性フィラー、並びに窒化ホウ素、窒化アル
ミ、シリカ、アルミナ、炭化珪素等の非導電性フィラー
が使用されるが、これらに特に限定されるものではない
し、2種類以上を混合して使用してもよい。
As the organic bonding material, epoxy resin, phenol resin, bismaleimide resin, cyanate ester resin, acrylic resin, methacrylic resin,
Polystyrene, polyimide, polyamide, polyester, siloxane polyimide, polyetherimide, and polyesterimide are preferably used. These resins are 2
More than one kind may be mixed and used. In addition, as the organic bonding material, a liquid, a paste, a film, and the like can be used without particular limitation. Further, in the case of a liquid or paste form, an organic solvent may be used. A filler may be used as necessary for the organic bonding material. As the filler, conductive fillers such as silver, gold, copper, iron, aluminum, and carbon, and non-conductive fillers such as boron nitride, aluminum nitride, silica, alumina, and silicon carbide are used. It is not limited, and two or more kinds may be used as a mixture.

【0015】接着される電子部品としては、半導体チッ
プ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素
子やコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子が挙げら
れる。以上のようにして電子部品が搭載された電子部品
装置は、必要に応じてワイヤーボンディング等の接続を
行い、モールド樹脂、ポッティング樹脂等によって封止
され、パッケージとされる。
The electronic components to be bonded include active elements such as semiconductor chips, transistors, diodes and thyristors, and passive elements such as capacitors, resistors and coils. The electronic component device on which the electronic component is mounted as described above is connected by wire bonding or the like as necessary, and is sealed with a mold resin, a potting resin, or the like to form a package.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を実施例
により説明する。なお、以下の実施例で用いた処理液
(シランカップリング剤の溶液)は次の通り。 〈処理液1〉γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ランの0.1重量%水溶液 〈処理液2〉γ−アミノプロピルトリエトキシシランの
1.0重量%エチルアルコ−ル溶液 〈処理液3〉γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキ
シシランの0.05重量%メチルアルコール溶液 〈処理液4〉N−(トリエトキシシリルプロピル)尿素
の3.0重量%メチルアルコール溶液 〈処理液5〉ビニルトリエトキシシランの0.01重量
%水溶液
Embodiments of the present invention will be described below with reference to examples. The treatment liquid (solution of the silane coupling agent) used in the following examples is as follows. <Treatment liquid 1> 0.1% by weight aqueous solution of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane <Treatment liquid 2> 1.0% by weight ethyl alcohol solution of γ-aminopropyltriethoxysilane <Treatment liquid 3> γ- 0.05% by weight methyl alcohol solution of methacryloxypropyltrimethoxysilane <Treatment liquid 4> 3.0% by weight methyl alcohol solution of N- (triethoxysilylpropyl) urea <Treatment liquid 5> 0.1% of vinyltriethoxysilane 01% by weight aqueous solution

【0017】実施例1〜6 処理液1〜5を用いて、以下の条件で支持基板の表面を
処理し、表面処理済み支持基板を作製した。実施例 支持基板 処理液 処理方法 処理時間 乾燥条件 1 42アロイ 処理液1 ディップ 1分 120℃、5分 L/F* 2 42アロイ 処理液2 スプレー 5分 80℃、10分 L/F 3 銅L/F 処理液3 ディップ 30秒 100℃、1分 4 銅L/F 処理液4 ディップ 10秒 40℃、30分 5 配線付ポリ 処理液5 ディップ 5分 50℃、1時間 イミド基板 6 FR-4ガラス 処理液2 ディップ 1分 100℃、5分 エポキシ基板 *L/F:リードフレーム
Examples 1 to 6 Using the treatment liquids 1 to 5, the surface of the support substrate was treated under the following conditions to produce a surface-treated support substrate. Example Supporting substrate Treatment liquid Treatment method Treatment time Drying conditions 1 42 alloy treatment liquid 1 dip 1 minute 120 ° C, 5 minutes L / F * 2 42 alloy treatment liquid 2 spray 5 minutes 80 ° C, 10 minutes L / F 3 copper L / F treatment liquid 3 dip 30 seconds 100 ° C, 1 minute 4 Copper L / F treatment liquid 4 dip 10 seconds 40 ° C, 30 minutes 5 Poly-wiring treatment liquid with wiring 5 dip 5 minutes 50 ° C, 1 hour Imide substrate 6 FR-4 Glass treatment liquid 2 Dip 1 minute 100 ° C, 5 minutes Epoxy board * L / F: Lead frame

【0018】このようにして得られた表面処理済み支持
基板に半導体チップ(大きさ8mm×8mm)を有機ボ
ンディング材で接着させた。この際、有機ボンディング
材としては、実施例1、3、5については銀ペースト
(日立化成製EN−4000)を、実施例2、4、6に
ついては銀フィラー入りフィルム状接着剤(日立化成製
DF−335)を使用した。接着力の測定結果を表1に
示す。
A semiconductor chip (size 8 mm × 8 mm) was bonded to the surface-treated support substrate thus obtained with an organic bonding material. At this time, as an organic bonding material, a silver paste (EN-4000 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was used for Examples 1, 3, and 5, and a film-shaped adhesive containing a silver filler (Example manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was used for Examples 2, 4, and 6. DF-335) was used. Table 1 shows the measurement results of the adhesive strength.

【0019】[0019]

【表1】 ──────────────────────────── 実施例 接着力(kgf/チップ) 室温 240℃ ──────────────────────────── 1 1.6 1.3 2 3.0以上 3.0以上 3 1.2 0.9 4 2.8 2.0 5 1.8 1.2 6 2.1 1.2 ──────────────────────────── シランカップリング剤による表面処理したものは、接着
力が高い。
[Table 1] Example adhesive strength (kgf / chip) room temperature 240 ° C ────────────────────── 1 1.6 1.3 2 3.0 or more 3.0 or more 3 1.2 0.9 4 2.8 2 0.05 1.8 1.2 6 2.1 1.2 表面 Surface with silane coupling agent The treated one has high adhesive strength.

【0020】[0020]

【発明の効果】請求項1の支持基板又は請求項3の電子
部品装置は、耐リフロー性の向上が期待される。請求項
2の製造方法により、請求項1の電子部品搭載用支持基
板を製造できる。請求項4の表面処理方法により、電子
部品と支持基板との接着力が高まる。
The support substrate of the first aspect or the electronic component device of the third aspect is expected to have improved reflow resistance. According to the manufacturing method of the second aspect, the electronic component mounting support substrate of the first aspect can be manufactured. According to the surface treatment method of the fourth aspect, the adhesive strength between the electronic component and the support substrate is increased.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】有機ボンディング材料を介して電子部品が
搭載される支持基板で、その表面がシランカップリング
剤で処理された支持基板。
1. A support substrate on which electronic components are mounted via an organic bonding material, the surface of which is treated with a silane coupling agent.
【請求項2】有機ボンディング材料を介して電子部品が
搭載される支持基板の少なくとも有機ボンディング材が
接する面をシランカップリング剤で処理することを特徴
とする、支持基板の製造方法。
2. A method for manufacturing a support substrate, comprising: treating at least a surface of the support substrate, on which electronic components are mounted, with an organic bonding material via an organic bonding material, with a silane coupling agent.
【請求項3】表面がシランカップリング剤で処理された
支持基板、支持基板の電子部品搭載部に形成された有機
ボンディング材料層及び有機ボンディング材料層に載置
された電子部品、を備える電子部品装置。
3. An electronic component comprising: a support substrate having a surface treated with a silane coupling agent; an organic bonding material layer formed on an electronic component mounting portion of the support substrate; and an electronic component mounted on the organic bonding material layer. apparatus.
【請求項4】有機ボンディング材料を介し電子部品が搭
載される支持基板をシランカップリング剤で処理する、
支持基板の表面処理方法。
4. A support substrate on which an electronic component is mounted is treated with a silane coupling agent via an organic bonding material.
Surface treatment method for supporting substrate.
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