JPH10284540A - Supporting substrate, method for producing supporting substrate, electronic component device and method for surface treating supporting substrate - Google Patents

Supporting substrate, method for producing supporting substrate, electronic component device and method for surface treating supporting substrate

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JPH10284540A
JPH10284540A JP8710997A JP8710997A JPH10284540A JP H10284540 A JPH10284540 A JP H10284540A JP 8710997 A JP8710997 A JP 8710997A JP 8710997 A JP8710997 A JP 8710997A JP H10284540 A JPH10284540 A JP H10284540A
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JP
Japan
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urea
bonding material
electronic component
supporting substrate
support substrate
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JP8710997A
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Japanese (ja)
Inventor
Masami Yusa
正己 湯佐
Shinji Takeda
信司 武田
Yasuo Miyadera
康夫 宮寺
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Showa Denko Materials Co Ltd
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve resistance against reflow crack caused by a bonding material by improving the adhesive strength of electronic component and supporting substrate. SOLUTION: The supporting substrate (such as lead frame or insulating substrate) for mounting the electronic component (such as semiconductor chip or transistor) is soaked in a solution containing urea or its dielectric in 0.001 to 10 wt.% for 0.5 sec to 10 min and this is taken out and dried while being heated. On the provided surface treated supporting substrate, the semiconductor chip is adhered while using the organic bonding material (such as a filmy adhesive agent containing silver paste or silver fillers). As the urea dielectric, γ- carbamyl propyltriethoxysilane or dimethyl urea formamide can be used.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の電
子部品搭載用の支持基板、支持基板の製造方法、電子部
品装置及び支持基板の表面処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a support substrate for mounting an electronic component such as a semiconductor device, a method of manufacturing the support substrate, an electronic component device, and a surface treatment method of the support substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子などの電子部品を支持基板に
接着させる方法としては、支持基板上にダイボンディン
グ材を供給し、電子部品を接着する方法が用いられてき
た。これに使用されるダイボンディング材としては、例
えばAu-Si共晶、半田、樹脂ペースト、樹脂フィルム状
接着剤等が知られている。この中で、Au-Si共晶は高価
かつ弾性率が高く、また接着部分を加振しなければなら
ない問題がある。また、半田は融点温度以上に耐えられ
ず、かつ弾性率が高い問題がある。樹脂ペースト及び樹
脂フィルム状接着剤は、安価で耐熱信頼性が高く弾性率
も低いので、電子部品と支持基板を接着させる接着剤と
して最も多く使用されている。
2. Description of the Related Art As a method of bonding an electronic component such as a semiconductor element to a support substrate, a method of supplying a die bonding material onto the support substrate and bonding the electronic component has been used. As the die bonding material used for this purpose, for example, Au-Si eutectic, solder, resin paste, resin film adhesive and the like are known. Among them, the Au-Si eutectic is expensive and has a high modulus of elasticity, and has a problem that the bonded portion must be vibrated. Further, there is a problem that the solder cannot withstand the temperature higher than the melting point temperature and has a high elastic modulus. Resin pastes and resin film adhesives are inexpensive, have high heat resistance, and have a low modulus of elasticity. Therefore, they are most often used as adhesives for bonding electronic components to a support substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】電子機器の小型化、薄
型化による高密度実装の要求が、近年、急速に増加して
きており、半導体パッケージはピン挿入型に代わり、高
密度実装に適した表面実装型が主流になってきた。この
表面実装型半導体パッケージは、プリント基板等に半田
付けするために、赤外線リフローやベーパーフェイズリ
フロー、半田ディップなどにより加熱して実装される。
この際、パッケージ全体は210℃〜260℃の高温に
曝されるため、パッケージ内部に水分が存在すると、水
分の急激な気化によって、パッケージにクラック(いわ
ゆる、「リフロークラック」)が発生する。このリフロ
ークラックは、パッケージの信頼性を著しく低下させる
ため、特に薄型パッケージにおいて重大な問題、技術課
題となっている。本発明の目的は、電子部品と支持基板
の接着力を高めて、ボンディング材に起因する耐リフロ
ークラック性を向上させることである。
In recent years, the demand for high-density mounting due to the miniaturization and thinning of electronic devices has been rapidly increasing in recent years. The mounting type has become mainstream. This surface-mount type semiconductor package is mounted by heating by infrared reflow, vapor phase reflow, solder dip, or the like in order to solder it to a printed board or the like.
At this time, since the entire package is exposed to a high temperature of 210 ° C. to 260 ° C., if moisture exists inside the package, cracks (so-called “reflow cracks”) occur in the package due to rapid vaporization of the moisture. Since the reflow crack significantly reduces the reliability of the package, it has become a serious problem and technical problem especially in a thin package. An object of the present invention is to increase the adhesive strength between an electronic component and a support substrate to improve the reflow crack resistance caused by the bonding material.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】ボンディング材に起因す
るリフロークラックの発生メカニズムは、次の通りであ
ると推定されている。すなわち、(1)パッケージは保管
中にボンディング材が吸湿し、(2)この水分がリフロー
半田付けの実装時に加熱によって水蒸気化し、(3)この
蒸気圧によってボンディング材の破壊や剥離が起こり、
(4)リフロークラックが発生する。本発明者らは、電子
部品と支持基板の接着力を高めることに着目し、種々検
討した結果、支持基板の表面を尿素又は尿素誘導体で処
理することで電子部品との接着力を高めて耐リフローク
ラック性を向上させうることを見出した。
The mechanism of occurrence of reflow cracks caused by the bonding material is estimated to be as follows. In other words, (1) the bonding material absorbs moisture during storage of the package, (2) this moisture is vaporized by heating during mounting of reflow soldering, and (3) the vapor pressure causes destruction or peeling of the bonding material,
(4) Reflow cracks occur. The present inventors focused on increasing the adhesive strength between the electronic component and the support substrate, and as a result of various investigations, as a result, the surface of the support substrate was treated with urea or a urea derivative to increase the adhesive force with the electronic component, thereby increasing the resistance. It has been found that reflow crackability can be improved.

【0005】すなわち、本発明は、有機ボンディング材
を介して電子部品が搭載される支持基板の少なくとも有
機ボンディング材の接する面が尿素又は尿素誘導体で処
理された支持基板を提供する。本発明はまた、有機ボン
ディング材を介して電子部品が搭載される支持基板の少
なくとも有機ボンディング材が接する面を尿素又は尿素
誘導体で処理することを特徴とする、支持基板の製造方
法も提供する。更に本発明は、少なくとも有機ボンディ
ング材が接する面が尿素又は尿素誘導体で処理された支
持基板、支持基板の電子部品搭載部に形成された有機ボ
ンディング材層及び有機ボンディング材層に載置された
電子部品を備える電子部品装置も提供する。また本発明
は、有機ボンディング材を介し電子部品が搭載される支
持基板を尿素又は尿素誘導体で処理することを特徴とす
る支持基板の表面処理方法も提供する。
That is, the present invention provides a support substrate in which at least a surface of the support substrate on which electronic components are mounted via the organic bonding material is in contact with the organic bonding material, is treated with urea or a urea derivative. The present invention also provides a method of manufacturing a support substrate, wherein at least a surface of the support substrate on which the electronic component is mounted via the organic bonding material is in contact with the organic bonding material, with urea or a urea derivative. Further, the present invention provides a support substrate having at least a surface in contact with an organic bonding material treated with urea or a urea derivative, an organic bonding material layer formed on an electronic component mounting portion of the support substrate, and an electron mounted on the organic bonding material layer. An electronic component device including a component is also provided. The present invention also provides a surface treatment method for a support substrate, wherein the support substrate on which electronic components are mounted is treated with urea or a urea derivative via an organic bonding material.

【0006】本発明に用いることができる尿素又は尿素
誘導体は、
The urea or urea derivative which can be used in the present invention is

【化1】 の基をもつ化合物である。Embedded image Is a compound having a group of

【0007】そのような化合物としては、尿素、N−メ
チル尿素、N−エチル尿素、N−プロピル尿素、N−イ
ソプロピル尿素、N−ブチル尿素等のN−アルキル尿素
(ここで、アルキルの炭素数は1〜10)、N,N−ジ
メチル尿素、N,N−ジエチル尿素、N,N−ジイソプ
ロピル尿素、N,N−ジブチル尿素等のN,N−ジアル
キル尿素のほか、
Examples of such a compound include N-alkyl ureas such as urea, N-methyl urea, N-ethyl urea, N-propyl urea, N-isopropyl urea and N-butyl urea (where the alkyl carbon number is 1 to 10), N, N-dialkyl urea such as N, N-dimethyl urea, N, N-diethyl urea, N, N-diisopropyl urea, N, N-dibutyl urea,

【0008】N−アリル尿素、N−アセチル尿素、N−
ジベンゾイル尿素、N−フェニル尿素、N−p−エトキ
シフェニル尿素、ニトロソメチル尿素、ニトロ尿素、ビ
ウレア、ビウレット、グアニル尿素、ヒダントイン、γ
ーカルバミルプロピルトリエトキシシラン、セミカルバ
ジド化合物、等がある。これらは2種類以上を混合して
使用してもよい。
[0008] N-allylurea, N-acetylurea, N-
Dibenzoylurea, N-phenylurea, Np-ethoxyphenylurea, nitrosomethylurea, nitrourea, biurea, biuret, guanylurea, hydantoin, γ
-Carbamylpropyltriethoxysilane, semicarbazide compounds and the like. These may be used as a mixture of two or more.

【0009】支持基板の表面を処理する際の尿素又は尿
素誘導体は、通常、前記した尿素又は尿素誘導体を水又
は有機溶剤に溶解した溶液(処理液)として用いる。た
だし、上記処理液には、その他にエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアナートエステル樹
脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリスチレン、ポ
リイミド、ポリアミド、ポリエステル、シロキサンポリ
イミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド等の
樹脂を含んでいてもよい。また、これらの樹脂を使用す
る場合、必要に応じて、硬化剤、硬化促進剤、触媒等を
使用してもよい。
The urea or urea derivative used for treating the surface of the supporting substrate is usually used as a solution (treatment liquid) obtained by dissolving the urea or urea derivative in water or an organic solvent. However, the above-mentioned treatment liquid includes epoxy resin, phenol resin, bismaleimide resin, cyanate ester resin, acrylic resin, methacrylic resin, polystyrene, polyimide, polyamide, polyester, siloxane polyimide, polyetherimide, polyesterimide, etc. It may contain a resin. When these resins are used, a curing agent, a curing accelerator, a catalyst, and the like may be used as necessary.

【0010】ここで有機溶剤としては、尿素又は尿素誘
導体及びその他の成分を溶解できるものであれば特に制
限するものではない。メタノール、エタノール、プロピ
ルアルコール、イソプロピルアルコール等のアルコール
のほか、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−2
−ピロリドン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、
ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレングリコール
ジメチルエーテル等が使用され、水を含めこれらは2種
類以上を混合して使用してもよい。
Here, the organic solvent is not particularly limited as long as it can dissolve urea or a urea derivative and other components. In addition to alcohols such as methanol, ethanol, propyl alcohol and isopropyl alcohol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, benzene, toluene, xylene, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2
-Pyrrolidone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve,
Dioxane, tetrahydrofuran, ethylene glycol dimethyl ether and the like are used, and these may be used as a mixture of two or more kinds including water.

【0011】処理液の尿素又は尿素誘導体の濃度として
は、0.001〜10重量%で、好ましくは0.01〜
5重量%である。0.001重量%より少ないと接着力
向上の効果が少なく、10重量%より多いとパッケージ
の信頼性が低下する。処理の温度及び時間は特に制限す
るものではないが、通常は0〜100℃、0.5秒〜1
0分で、好ましくは20〜50℃、5秒〜3分である。
処理液で処理された支持基板は、乾燥して使用すること
が好ましい。この時の乾燥条件としては水、アルコール
等の溶媒を除去できれば特に制限はないが、通常は、室
温〜150℃、5秒〜2時間で行うことができる。
The concentration of the urea or urea derivative in the treatment solution is 0.001 to 10% by weight, preferably 0.01 to 10% by weight.
5% by weight. If it is less than 0.001% by weight, the effect of improving the adhesive strength is small, and if it is more than 10% by weight, the reliability of the package is reduced. The temperature and time of the treatment are not particularly limited, but are usually 0 to 100 ° C., 0.5 second to 1
0 minutes, preferably 20 to 50 ° C., 5 seconds to 3 minutes.
The support substrate treated with the treatment liquid is preferably used after drying. The drying condition at this time is not particularly limited as long as a solvent such as water and alcohol can be removed, but the drying can be usually performed at room temperature to 150 ° C. for 5 seconds to 2 hours.

【0012】前記尿素又は尿素誘導体による支持基板の
処理の方法としては、基板全体を処理液にディップする
方法や、スプレーによる吹き付け、刷毛塗り、スピンコ
ートなど通常使用される塗布の方法等が使用される。処
理される支持基板の表面については、有機ボンディング
材が接する部分のみを処理してもよいし、支持基板全体
を処理してもよい。また、尿素又は尿素誘導体による処
理の前に、支持基板を前処理するとよい。前処理の方法
としては、有機溶剤による脱脂洗浄、アルカリによる洗
浄、酸による洗浄等があり、支持基板の種類によって、
適宜、好ましい方法を選ぶ。特に接着力のバラツキが大
きいときに有効である。この処理は、支持基板の表面状
態を一定に保つ役割があり、尿素又は尿素誘導体処理の
直前に行うことが好ましい。
As a method of treating the support substrate with the urea or urea derivative, a method of dipping the entire substrate into a treatment liquid, a commonly used coating method such as spraying, brush coating, spin coating, and the like are used. You. With respect to the surface of the support substrate to be processed, only the portion in contact with the organic bonding material may be processed, or the entire support substrate may be processed. Further, before the treatment with urea or a urea derivative, the support substrate may be pretreated. Examples of the pretreatment method include degreasing cleaning with an organic solvent, cleaning with an alkali, cleaning with an acid, and the like.
A suitable method is appropriately selected. This is particularly effective when the dispersion of the adhesive force is large. This treatment has a role of keeping the surface state of the support substrate constant, and is preferably performed immediately before the urea or urea derivative treatment.

【0013】このようにして表面処理された支持基板
に、有機ボンディング材を介して電子部品を接着し、電
子部品装置とする。この場合、あらかじめ支持基板上に
有機ボンディング材層を形成させた後に電子部品を接着
させても、あるいは電子部品の接着面側に有機ボンディ
ング材層を形成させたのち支持基板に接着させても、ま
た支持基板と有機ボンディング材と電子部品とを一括で
接着させてもよい。いずれにせよ、支持基板、有機ボン
ディング材及び電子部品の位置関係は、支持基板と電子
部品の間に有機ボンディング材が存在する位置関係であ
る。
An electronic component is bonded to the supporting substrate subjected to the surface treatment through an organic bonding material to obtain an electronic component device. In this case, the electronic component may be bonded after the organic bonding material layer is formed on the support substrate in advance, or the organic bonding material layer may be formed on the bonding surface side of the electronic component and then bonded to the support substrate. Alternatively, the support substrate, the organic bonding material, and the electronic component may be bonded together. In any case, the positional relationship between the support substrate, the organic bonding material, and the electronic component is a positional relationship in which the organic bonding material exists between the support substrate and the electronic component.

【0014】本発明で使用される支持基板としては、
銅、42アロイ等の金属製リードフレーム、ポリイミド
フィルム等の絶縁基板、ガラスエポキシ基板、ガラスポ
リイミド基板等の配線付き基板等がある。特に、銅リー
ドフレームが好ましく用いられる。支持基板として銅リ
ードフレームが用いられた場合は、銅リードフレームの
少なくとも有機ボンディング材の接する面が尿素又は尿
素誘導体で表面処理された銅リードフレームが得られ
る。
The support substrate used in the present invention includes:
Examples include a lead frame made of metal such as copper or 42 alloy, an insulating substrate such as a polyimide film, and a substrate with wiring such as a glass epoxy substrate and a glass polyimide substrate. In particular, a copper lead frame is preferably used. When a copper lead frame is used as the support substrate, a copper lead frame is obtained in which at least the surface of the copper lead frame in contact with the organic bonding material is surface-treated with urea or a urea derivative.

【0015】本発明で使用される有機ボンディング材と
しては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミ
ド樹脂、シアナートエステル樹脂、アクリル樹脂、メタ
クリル樹脂、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミド、
ポリエステル、シロキサンポリイミド、ポリエーテルイ
ミド、ポリエステルイミドが好ましく使用される。これ
ら樹脂は2種類以上を混合して使用してもよい。また、
有機ボンディング材としては、液状、ペースト状、フィ
ルム状等を特に制限なく使用できる。さらに、液状、ペ
ースト状とする場合には、有機溶剤を使用してもよい。
前記有機ボンディング材には、必要に応じて充填剤を使
用してもよい。充填剤としては、銀、金、銅、鉄、アル
ミニウム、カーボン等の導電性フィラー、並びに窒化ホ
ウ素、窒化アルミニウム、シリカ、アルミナ、炭化珪素
等の非導電性フィラーが使用されるが、これらに特に限
定されるものではないし、2種類以上を混合して使用し
てもよい。
The organic bonding material used in the present invention includes epoxy resin, phenol resin, bismaleimide resin, cyanate ester resin, acrylic resin, methacrylic resin, polystyrene, polyimide, polyamide,
Polyester, siloxane polyimide, polyetherimide, and polyesterimide are preferably used. These resins may be used as a mixture of two or more kinds. Also,
As the organic bonding material, a liquid, a paste, a film, and the like can be used without any particular limitation. Further, in the case of a liquid or paste form, an organic solvent may be used.
A filler may be used as necessary for the organic bonding material. As the filler, conductive fillers such as silver, gold, copper, iron, aluminum and carbon, and non-conductive fillers such as boron nitride, aluminum nitride, silica, alumina and silicon carbide are used. It is not limited, and two or more kinds may be used as a mixture.

【0016】接着される電子部品としては、半導体チッ
プ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素
子やコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子が挙げら
れる。以上のようにして電子部品が搭載された電子部品
装置は、必要に応じてワイヤーボンディング等の接続を
行い、モールド樹脂、ポッティング樹脂等によって封止
され、パッケージとされる。
Examples of the electronic parts to be bonded include active elements such as semiconductor chips, transistors, diodes, and thyristors, and passive elements such as capacitors, resistors, and coils. The electronic component device on which the electronic component is mounted as described above is connected by wire bonding or the like as necessary, and is sealed with a mold resin, a potting resin, or the like to form a package.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を実施例
により説明する。なお、以下の実施例で用いた処理液
(尿素又は尿素誘導体の溶液)は次の通り。 〈処理液1〉尿素の0.1重量%エチレングリコールジ
メチルエーテル溶液 〈処理液2〉γ−カルバミルプロピルトリエトキシシラ
ンの1.0重量%メチルアルコ−ル溶液 〈処理液3〉ジメチル尿素の0.05重量%アセトン溶
Embodiments of the present invention will be described below with reference to examples. The processing solutions (solutions of urea or urea derivatives) used in the following examples are as follows. <Treatment liquid 1> 0.1% by weight of urea in ethylene glycol dimethyl ether solution <Treatment liquid 2> 1.0% by weight of γ-carbamylpropyltriethoxysilane in methyl alcohol <Treatment liquid 3> 0.1% of dimethyl urea. 05% by weight acetone solution

【0018】実施例1〜6 処理液1〜3を用いて、以下の条件で支持基板の表面を
処理し、表面処理済み支持基板を作製した。実施例 支持基板 処理液 処理方法 処理時間 乾燥条件 1 42アロイ 処理液1 ディップ 1分 120℃、5分 L/F* 2 42アロイ 処理液2 スプレー 5分 80℃、10分 L/F 3 銅L/F 処理液3 ディップ 30秒 100℃、1分 4 銅L/F 処理液1 ディップ 10秒 40℃、30分 5 配線付ポリ 処理液3 ディップ 5分 50℃、1時間 イミド基板 6 FR-4ガラス 処理液2 ディップ 1分 100℃、5分 エポキシ基板 *L/F:リードフレーム
Examples 1 to 6 The surface of a supporting substrate was treated using the treatment liquids 1 to 3 under the following conditions to produce a surface-treated supporting substrate. Example Supporting substrate Treatment liquid Treatment method Treatment time Drying conditions 1 42 alloy treatment liquid 1 dip 1 minute 120 ° C, 5 minutes L / F * 2 42 alloy treatment liquid 2 spray 5 minutes 80 ° C, 10 minutes L / F 3 copper L / F treatment liquid 3 dip 30 seconds 100 ° C, 1 minute 4 Copper L / F treatment liquid 1 dip 10 seconds 40 ° C, 30 minutes 5 Wiring poly treatment liquid 3 dip 5 minutes 50 ° C, 1 hour Imide substrate 6 FR-4 Glass treatment liquid 2 Dip 1 minute 100 ° C, 5 minutes Epoxy board * L / F: Lead frame

【0019】このようにして得られた表面処理済み支持
基板に半導体チップ(大きさ8mm×8mm)を有機ボ
ンディング材で接着させた。この際、有機ボンディング
材としては、実施例1、3、5については銀ペースト
(日立化成製EN−4000)を、実施例2、4、6に
ついては銀フィラー入りフィルム状接着剤(日立化成製
DF−335)を使用した。接着力の測定結果を表1に
示す。
A semiconductor chip (size 8 mm × 8 mm) was bonded to the surface-treated support substrate thus obtained with an organic bonding material. At this time, as an organic bonding material, a silver paste (EN-4000 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was used for Examples 1, 3, and 5, and a film-shaped adhesive containing a silver filler (Example manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was used for Examples 2, 4, and 6. DF-335) was used. Table 1 shows the measurement results of the adhesive strength.

【0020】[0020]

【表1】 ──────────────────────────── 実施例 接着力(kgf/チップ) 室温 240℃ ──────────────────────────── 1 1.9 1.5 2 2.8 2.4 3 1.7 1.4 4 2.6 2.0 5 2.3 1.8 6 2.1 1.6 ──────────────────────────── 尿素又は尿素誘導体で表面処理したものは、接着力が高
かった。
[Table 1] Example adhesive strength (kgf / chip) room temperature 240 ° C 1 1 1.9 1.5 2 2.8 2.4 3 1.7 1.7 1.4 4 2.6 2.0 5 2.3 1.8 6 2.1 1.6 ──────────────────────────── Surface treated with urea or urea derivative The thing had high adhesive strength.

【0021】[0021]

【発明の効果】請求項1又は2の支持基板、及び請求項
4の電子部品装置は、耐リフロー性の向上が期待され
る。請求項3の製造方法により、請求項1又は2の支持
基板を製造できる。請求項5の表面処理方法により、電
子部品と支持基板との接着力が高まる。
The support substrate of claim 1 or 2 and the electronic component device of claim 4 are expected to have improved reflow resistance. According to the manufacturing method of the third aspect, the support substrate of the first or second aspect can be manufactured. According to the surface treatment method of the fifth aspect, the adhesive strength between the electronic component and the support substrate is increased.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】有機ボンディング材を介して電子部品が搭
載される支持基板の少なくとも有機ボンディング材の接
する面が尿素又は尿素誘導体で処理された支持基板。
1. A support substrate, wherein at least a surface of the support substrate on which an electronic component is mounted via an organic bonding material is in contact with the organic bonding material, is treated with urea or a urea derivative.
【請求項2】有機ボンディング材を介して電子部品が搭
載される支持基板が銅リードフレームである請求項1の
支持基板。
2. The support substrate according to claim 1, wherein the support substrate on which the electronic component is mounted via an organic bonding material is a copper lead frame.
【請求項3】有機ボンディング材を介して電子部品が搭
載される支持基板の少なくとも有機ボンディング材が接
する面を尿素又は尿素誘導体で処理することを特徴とす
る、支持基板の製造方法。
3. A method for manufacturing a support substrate, comprising: treating at least a surface of the support substrate, on which the electronic component is mounted, with the organic bonding material in contact with the organic bonding material with urea or a urea derivative.
【請求項4】少なくとも有機ボンディング材が接する面
が尿素又は尿素誘導体で処理された支持基板、支持基板
の電子部品搭載部に形成された有機ボンディング材層及
び有機ボンディング材層に載置された電子部品、を備え
る電子部品装置。
4. A support substrate having at least a surface in contact with an organic bonding material treated with urea or a urea derivative, an organic bonding material layer formed on an electronic component mounting portion of the support substrate, and electrons mounted on the organic bonding material layer. Electronic component device comprising components.
【請求項5】有機ボンディング材を介し電子部品が搭載
される支持基板を尿素又は尿素誘導体で処理する、支持
基板の表面処理方法。
5. A method for treating a surface of a supporting substrate, wherein the supporting substrate on which the electronic component is mounted is treated with urea or a urea derivative via an organic bonding material.
JP8710997A 1997-04-07 1997-04-07 Supporting substrate, method for producing supporting substrate, electronic component device and method for surface treating supporting substrate Pending JPH10284540A (en)

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