JPH10284536A - Supporting substrate, method for producing supporting substrate, electronic component device and method for surface treating supporting substrate - Google Patents

Supporting substrate, method for producing supporting substrate, electronic component device and method for surface treating supporting substrate

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JPH10284536A
JPH10284536A JP8710797A JP8710797A JPH10284536A JP H10284536 A JPH10284536 A JP H10284536A JP 8710797 A JP8710797 A JP 8710797A JP 8710797 A JP8710797 A JP 8710797A JP H10284536 A JPH10284536 A JP H10284536A
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JP
Japan
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supporting substrate
electronic component
bonding material
guanidine
support substrate
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JP8710797A
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Japanese (ja)
Inventor
Masami Yusa
正己 湯佐
Shinji Takeda
信司 武田
Yasuo Miyadera
康夫 宮寺
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Showa Denko Materials Co Ltd
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reflow crack resistance based on a bonding material by improving the adhesive strength of electronic component and supporting substrate. SOLUTION: The supporting substrate (such as lead frame or insulating substrate) for mounting the electronic component (such as semiconductor chip or transistor) is soaked in a solution containing guanidine or its dielectric in 0.001 to 10 wt.% for 0.5 sec to 10 min and this is taken out and dried while being heated. On the provided surface treated supporting substrate, the semiconductor chip is adhered by using the organic bonding material (such as a film- shaped adhesive agent containing silver paste or silver fillers). As the guanidine or its dielectric, guanidine carbonate or dicyandiamide can be used.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の電
子部品搭載用の支持基板、支持基板の製造方法、電子部
品装置及び支持基板の表面処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a support substrate for mounting an electronic component such as a semiconductor device, a method of manufacturing the support substrate, an electronic component device, and a surface treatment method of the support substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子などの電子部品を支持基板に
接着させる方法としては、支持基板上にダイボンディン
グ材を供給し、電子部品を接着する方法が用いられてき
た。これに使用されるダイボンディング材としては、例
えばAu-Si共晶、半田、樹脂ペースト、樹脂フィルム状
接着剤等が知られている。この中で、Au-Si共晶は高価
かつ弾性率が高く、また接着部分を加振しなければなら
ない問題がある。また、半田は融点温度以上に耐えられ
ず、かつ弾性率が高い問題がある。樹脂ペースト及び樹
脂フィルム状接着剤は、安価で耐熱信頼性が高く弾性率
も低いので、電子部品と支持基板を接着させる接着剤と
して最も多く使用されている。
2. Description of the Related Art As a method of bonding an electronic component such as a semiconductor element to a support substrate, a method of supplying a die bonding material onto the support substrate and bonding the electronic component has been used. As the die bonding material used for this purpose, for example, Au-Si eutectic, solder, resin paste, resin film adhesive and the like are known. Among them, the Au-Si eutectic is expensive and has a high modulus of elasticity, and has a problem that the bonded portion must be vibrated. Further, there is a problem that the solder cannot withstand the temperature higher than the melting point temperature and has a high elastic modulus. Resin pastes and resin film adhesives are inexpensive, have high heat resistance, and have a low modulus of elasticity. Therefore, they are most often used as adhesives for bonding electronic components to a support substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】電子機器の小型化、薄
型化による高密度実装の要求が、近年、急速に増加して
きており、半導体パッケージはピン挿入型に代わり、高
密度実装に適した表面実装型が主流になってきた。この
表面実装型半導体パッケージは、プリント基板等に半田
付けするために、赤外線リフローやベーパーフェイズリ
フロー、半田ディップなどにより加熱して実装される。
この際、パッケージ全体は210℃〜260℃の高温に
曝されるため、パッケージ内部に水分が存在すると、水
分の急激な気化によって、パッケージにクラック(いわ
ゆる、「リフロークラック」)が発生する。このリフロ
ークラックは、パッケージの信頼性を著しく低下させる
ため、特に薄型パッケージにおいて重大な問題、技術課
題となっている。本発明の目的は、電子部品と支持基板
の接着力を高めて、ボンディング材に起因する耐リフロ
ークラック性を向上させることである。
In recent years, the demand for high-density mounting due to the miniaturization and thinning of electronic devices has been rapidly increasing in recent years. The mounting type has become mainstream. This surface-mount type semiconductor package is mounted by heating by infrared reflow, vapor phase reflow, solder dip, or the like in order to solder it to a printed board or the like.
At this time, since the entire package is exposed to a high temperature of 210 ° C. to 260 ° C., if moisture exists inside the package, cracks (so-called “reflow cracks”) occur in the package due to rapid vaporization of the moisture. Since the reflow crack significantly reduces the reliability of the package, it has become a serious problem and technical problem especially in a thin package. An object of the present invention is to increase the adhesive strength between an electronic component and a support substrate to improve the reflow crack resistance caused by the bonding material.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】ボンディング材に起因す
るリフロークラックの発生メカニズムは、次の通りであ
ると推定されている。すなわち、(1)パッケージは保管
中にボンディング材が吸湿し、(2)この水分がリフロー
半田付けの実装時に加熱によって水蒸気化し、(3)この
蒸気圧によってボンディング材の破壊や剥離が起こり、
(4)リフロークラックが発生する。本発明者らは、電子
部品と支持基板の接着力を高めることに着目し、種々検
討した結果、支持基板の表面をグアニジン又はその誘導
体で処理することで電子部品との接着力を高めて耐リフ
ロークラック性を向上させうることを見出した。
The mechanism of occurrence of reflow cracks caused by the bonding material is estimated to be as follows. In other words, (1) the bonding material absorbs moisture during storage of the package, (2) this moisture is vaporized by heating during mounting of reflow soldering, and (3) the vapor pressure causes destruction or peeling of the bonding material,
(4) Reflow cracks occur. The present inventors focused on increasing the adhesive strength between the electronic component and the support substrate, and as a result of various studies, as a result, the surface of the support substrate was treated with guanidine or a derivative thereof to increase the adhesive force with the electronic component and thereby withstand resistance. It has been found that reflow crackability can be improved.

【0005】すなわち、本発明は、有機ボンディング材
を介して電子部品が搭載される支持基板の少なくとも有
機ボンディング材の接する面がグアニジン又はその誘導
体で処理された支持基板を提供する。本発明はまた、有
機ボンディング材を介して電子部品が搭載される支持基
板の少なくとも有機ボンディング材が接する面をグアニ
ジン又はその誘導体で処理することを特徴とする、支持
基板の製造方法も提供する。更に本発明は、少なくとも
有機ボンディング材が接する面がグアニジン又はその誘
導体で処理された支持基板、支持基板の電子部品搭載部
に形成された有機ボンディング材層及び有機ボンディン
グ材層に載置された電子部品を備える電子部品装置も提
供する。また本発明は、有機ボンディング材を介し電子
部品が搭載される支持基板をグアニジン又はその誘導体
で処理することを特徴とする支持基板の表面処理方法も
提供する。
That is, the present invention provides a support substrate in which at least a surface of the support substrate on which an electronic component is mounted via an organic bonding material is in contact with the organic bonding material, is treated with guanidine or a derivative thereof. The present invention also provides a method of manufacturing a support substrate, characterized in that at least a surface of the support substrate, on which an electronic component is mounted via the organic bonding material, in contact with the organic bonding material is treated with guanidine or a derivative thereof. Further, the present invention provides a support substrate having at least a surface in contact with an organic bonding material treated with guanidine or a derivative thereof, an organic bonding material layer formed on an electronic component mounting portion of the support substrate, and an electronic device mounted on the organic bonding material layer. An electronic component device including a component is also provided. The present invention also provides a surface treatment method for a support substrate, wherein the support substrate on which an electronic component is mounted is treated with guanidine or a derivative thereof via an organic bonding material.

【0006】本発明で用いることができるグアニジン
は、
Guanidine which can be used in the present invention is

【化1】 で表わされ、これは塩であってもよい。グアニジン塩と
しては、塩酸グアニジン、硝酸グアニジン、炭酸グアニ
ジン、リン酸グアニジン、スルファミン酸グアニジン等
がある。
Embedded image Which may be a salt. Guanidine salts include guanidine hydrochloride, guanidine nitrate, guanidine carbonate, guanidine phosphate, guanidine sulfamate and the like.

【0007】また、本発明で用いることができるグアニ
ジン誘導体は、
The guanidine derivative which can be used in the present invention is:

【化2】 の基をもつ化合物である。Embedded image Is a compound having a group of

【0008】このようなグアニジン誘導体としては、ジ
シアンジアミド
[0008] Such guanidine derivatives include dicyandiamide

【化3】 ジシアンジアミド−アニリン付加物、Embedded image Dicyandiamide-aniline adduct,

【化4】 ジシアンジアミド−メチルアニリン付加物、ジシアンジ
アミド−ジアミノジフェニルメタン付加物、ジシアンジ
アミド−ジクロロジアミノジフェニルメタン付加物、ジ
シアンジアミド−ジアミノジフェニルエーテル付加物、
等のジシアンジアミド又はその誘導体、
Embedded image Dicyandiamide-methylaniline adduct, dicyandiamide-diaminodiphenylmethane adduct, dicyandiamide-dichlorodiaminodiphenylmethane adduct, dicyandiamide-diaminodiphenylether adduct,
Such as dicyandiamide or a derivative thereof,

【0009】アミノグアニジンAminoguanidine

【化5】 塩酸アミノグアニジン、重炭酸アミノグアニジン、等の
アミノグアニジン又はその塩がある。
Embedded image There are aminoguanidines such as aminoguanidine hydrochloride and aminoguanidine bicarbonate, and salts thereof.

【0010】その他に、アセチルグアニジン、ジアセチ
ルグアニジン、プロピオニルグアニジン、ジプロピオニ
ルグアニジン、シアノアセチルグアニジン、コハク酸グ
アニジン、ジエチルシアノグアニジン、N−オキシメチ
ル−N’−シアノグアニジン、N,N’−ジカルボエト
キシグアニジン、クロログアニジン、ブロモグアニジン
等があり、これらを混合して使用することも可能であ
る。
In addition, acetylguanidine, diacetylguanidine, propionylguanidine, dipropionylguanidine, cyanoacetylguanidine, guanidine succinate, diethylcyanoguanidine, N-oxymethyl-N'-cyanoguanidine, N, N'-dicarbethoxy There are guanidine, chloroguanidine, bromoguanidine and the like, and these can be used as a mixture.

【0011】支持基板の表面を処理する際のグアニジン
又はその誘導体は、通常、前記したグアニジン又はその
誘導体を水又は有機溶剤に溶解した溶液(処理液)とし
て用いる。ただし、上記処理液には、その他にエポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアナー
トエステル樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ
スチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、シ
ロキサンポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステ
ルイミド等の樹脂を含んでいてもよい。また、これらの
樹脂を使用する場合、必要に応じて、硬化剤、硬化促進
剤、触媒等を使用してもよい。
Guanidine or a derivative thereof for treating the surface of the supporting substrate is usually used as a solution (treatment liquid) in which the above-mentioned guanidine or its derivative is dissolved in water or an organic solvent. However, the above-mentioned treatment liquid includes epoxy resin, phenol resin, bismaleimide resin, cyanate ester resin, acrylic resin, methacrylic resin, polystyrene, polyimide, polyamide, polyester, siloxane polyimide, polyetherimide, polyesterimide, etc. It may contain a resin. When these resins are used, a curing agent, a curing accelerator, a catalyst, and the like may be used as necessary.

【0012】ここで、有機溶剤としては、グアニジン又
はその誘導体及びその他の成分を溶解できるものであれ
ば特に制限するものではない。メタノール、エタノー
ル、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール等の
アルコールのほか、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N
−メチル−2−ピロリドン、メチルセロソルブ、エチル
セロソルブ、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレ
ングリコールジメチルエーテル等が使用され、水を含め
これらは2種類以上を混合して使用してもよい。
Here, the organic solvent is not particularly limited as long as it can dissolve guanidine or its derivative and other components. In addition to alcohols such as methanol, ethanol, propyl alcohol and isopropyl alcohol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, benzene, toluene, xylene, dimethylformamide, dimethylacetamide, N
-Methyl-2-pyrrolidone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, dioxane, tetrahydrofuran, ethylene glycol dimethyl ether and the like are used, and these may be used as a mixture of two or more kinds including water.

【0013】処理液のグアニジン又はその誘導体の濃度
としては、0.001〜10重量%で、好ましくは0.
01〜5重量%である。0.001重量%よりも少ない
と接着力向上の効果が少なく、10重量%より多いとパ
ッケージの信頼性が低下する。処理の温度及び時間は特
に制限するものではないが、通常は0〜100℃、0.
5秒〜10分で、好ましくは20〜50℃、5秒〜3分
である。処理液で処理された支持基板は、乾燥して使用
することが好ましい。この時の乾燥条件としては水、ア
ルコール等の溶媒を除去できれば特に制限はないが、通
常は、室温〜150℃、5秒〜2時間で行うことができ
る。
The concentration of guanidine or a derivative thereof in the treatment solution is 0.001 to 10% by weight, preferably 0.1 to 10% by weight.
01 to 5% by weight. If it is less than 0.001% by weight, the effect of improving the adhesive strength is small, and if it is more than 10% by weight, the reliability of the package is reduced. The temperature and time of the treatment are not particularly limited, but are usually 0 to 100 ° C., 0.
5 seconds to 10 minutes, preferably 20 to 50 ° C., 5 seconds to 3 minutes. The support substrate treated with the treatment liquid is preferably used after drying. The drying condition at this time is not particularly limited as long as a solvent such as water and alcohol can be removed, but the drying can be usually performed at room temperature to 150 ° C. for 5 seconds to 2 hours.

【0014】前記グアニジン又はその誘導体による支持
基板の処理の方法としては、基板全体を処理液にディッ
プする方法や、スプレーによる吹き付け、刷毛塗り、ス
ピンコートなど通常使用される塗布の方法等が使用され
る。処理される支持基板の表面については、有機ボンデ
ィング材が接する部分のみを処理してもよいし、支持基
板全体を処理してもよい。また、グアニジン又はその誘
導体による処理の前に、支持基板を前処理するとよい。
前処理の方法としては、有機溶剤による脱脂洗浄、アル
カリによる洗浄、酸による洗浄等があり、支持基板の種
類によって、適宜、好ましい方法を選ぶ。特に接着力の
バラツキが大きいときに有効である。この処理は、支持
基板の表面状態を一定に保つ役割があり、グアニジン又
はその誘導体処理の直前に行うことが好ましい。
As a method of treating the supporting substrate with the guanidine or a derivative thereof, a method of dipping the entire substrate into a treatment solution, a commonly used coating method such as spraying, brush coating, spin coating and the like are used. You. With respect to the surface of the support substrate to be processed, only the portion in contact with the organic bonding material may be processed, or the entire support substrate may be processed. Further, before the treatment with guanidine or a derivative thereof, the supporting substrate may be pretreated.
Examples of the pretreatment method include degreasing cleaning with an organic solvent, cleaning with an alkali, cleaning with an acid, and the like, and a preferable method is appropriately selected depending on the type of the supporting substrate. This is particularly effective when the dispersion of the adhesive force is large. This treatment has a role of keeping the surface state of the supporting substrate constant, and is preferably performed immediately before the treatment with guanidine or a derivative thereof.

【0015】このようにして表面処理された支持基板
に、有機ボンディング材を介して電子部品を接着し、電
子部品装置とする。この場合、あらかじめ支持基板上に
有機ボンディング材層を形成させた後に電子部品を接着
させても、あるいは電子部品の接着面側に有機ボンディ
ング材層を形成させたのち支持基板に接着させても、ま
た支持基板と有機ボンディング材と電子部品とを一括で
接着させてもよい。いずれにせよ、支持基板、有機ボン
ディング材及び電子部品の位置関係は、支持基板と電子
部品の間に有機ボンディング材が存在する位置関係であ
る。
An electronic component is adhered to the support substrate subjected to the surface treatment in this way via an organic bonding material to obtain an electronic component device. In this case, the electronic component may be bonded after the organic bonding material layer is formed on the support substrate in advance, or the organic bonding material layer may be formed on the bonding surface side of the electronic component and then bonded to the support substrate. Alternatively, the support substrate, the organic bonding material, and the electronic component may be bonded together. In any case, the positional relationship between the support substrate, the organic bonding material, and the electronic component is a positional relationship in which the organic bonding material exists between the support substrate and the electronic component.

【0016】本発明で使用される支持基板としては、
銅、42アロイ等の金属製リードフレーム、ポリイミド
フィルム等の絶縁基板、ガラスエポキシ基板、ガラスポ
リイミド基板等の配線付き基板等がある。特に、銅リー
ドフレームが好ましく用いられる。支持基板として銅リ
ードフレームが用いられた場合は、銅リードフレームの
少なくとも有機ボンディング材の接する面がグアニジン
又はその誘導体で表面処理された銅リードフレームが得
られる。
The supporting substrate used in the present invention includes:
Examples include a lead frame made of metal such as copper or 42 alloy, an insulating substrate such as a polyimide film, and a substrate with wiring such as a glass epoxy substrate and a glass polyimide substrate. In particular, a copper lead frame is preferably used. When a copper lead frame is used as the support substrate, a copper lead frame is obtained in which at least the surface of the copper lead frame that is in contact with the organic bonding material is surface-treated with guanidine or a derivative thereof.

【0017】本発明で使用される有機ボンディング材と
しては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミ
ド樹脂、シアナートエステル樹脂、アクリル樹脂、メタ
クリル樹脂、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミド、
ポリエステル、シロキサンポリイミド、ポリエーテルイ
ミド、ポリエステルイミドが好ましく使用される。これ
ら樹脂は2種類以上を混合して使用してもよい。また、
有機ボンディング材としては、液状、ペースト状、フィ
ルム状等を特に制限なく使用できる。さらに、液状、ペ
ースト状とする場合には、有機溶剤を使用してもよい。
前記有機ボンディング材には、必要に応じて充填剤を使
用してもよい。充填剤としては、銀、金、銅、鉄、アル
ミニウム、カーボン等の導電性フィラー、並びに窒化ホ
ウ素、窒化アルミニウム、シリカ、アルミナ、炭化珪素
等の非導電性フィラーが使用されるが、これらに特に限
定されるものではないし、2種類以上を混合して使用し
てもよい。
The organic bonding material used in the present invention includes epoxy resin, phenol resin, bismaleimide resin, cyanate ester resin, acrylic resin, methacrylic resin, polystyrene, polyimide, polyamide,
Polyester, siloxane polyimide, polyetherimide, and polyesterimide are preferably used. These resins may be used as a mixture of two or more kinds. Also,
As the organic bonding material, a liquid, a paste, a film, and the like can be used without any particular limitation. Further, in the case of a liquid or paste form, an organic solvent may be used.
A filler may be used as necessary for the organic bonding material. As the filler, conductive fillers such as silver, gold, copper, iron, aluminum and carbon, and non-conductive fillers such as boron nitride, aluminum nitride, silica, alumina and silicon carbide are used. It is not limited, and two or more kinds may be used as a mixture.

【0018】接着される電子部品としては、半導体チッ
プ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素
子やコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子が挙げら
れる。以上のようにして電子部品が搭載された電子部品
装置は、必要に応じてワイヤーボンディング等の接続を
行い、モールド樹脂、ポッティング樹脂等によって封止
され、パッケージとされる。
Examples of the electronic parts to be bonded include active elements such as semiconductor chips, transistors, diodes and thyristors, and passive elements such as capacitors, resistors and coils. The electronic component device on which the electronic component is mounted as described above is connected by wire bonding or the like as necessary, and is sealed with a mold resin, a potting resin, or the like to form a package.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を実施例
により説明する。なお、以下の実施例で用いた処理液
(グアニジン又はその誘導体の溶液)は次の通り。 〈処理液1〉ジシアンジアミドの0.1重量%エチレン
グリコールジメチルエーテル溶液 〈処理液2〉炭酸グアニジンの1.0重量%メチルアル
コ−ル溶液 〈処理液3〉ジシアンジアミド-アニリン付加物の0.
05重量%アセトン溶液
Embodiments of the present invention will be described below with reference to examples. In addition, the processing liquid (solution of guanidine or its derivative) used in the following examples is as follows. <Treatment liquid 1> 0.1% by weight of dicyandiamide in ethylene glycol dimethyl ether solution <Treatment liquid 2> 1.0% by weight of guanidine carbonate in methyl alcohol solution <Treatment liquid 3> 0.1% of dicyandiamide-aniline adduct.
05% by weight acetone solution

【0020】実施例1〜6 処理液1〜3を用いて、以下の条件で支持基板の表面を
処理し、表面処理済み支持基板を作製した。
Examples 1 to 6 The surface of a supporting substrate was treated using the treatment liquids 1 to 3 under the following conditions to produce a surface-treated supporting substrate.

【0021】実施例 支持基板 処理液 処理方法 処理時間 乾燥条件 1 42アロイ 処理液1 ディップ 1分 120℃、5分 L/F* 2 42アロイ 処理液2 スプレー 5分 80℃、10分 L/F 3 銅L/F 処理液3 ディップ 30秒 100℃、1分 4 銅L/F 処理液1 ディップ 10秒 40℃、30分 5 配線付ポリ 処理液3 ディップ 5分 50℃、1時間 イミド基板 6 FR−4ガラス 処理液2 ディップ 1分 100℃、5
エポキシ基板 *L/F:リードフレーム
Example Supporting substrate Treatment liquid Treatment method Treatment time Drying conditions 1 42 alloy treatment liquid 1 dip 1 minute 120 ° C., 5 minutes L / F * 2 42 alloy treatment liquid 2 spray 5 minutes 80 ° C., 10 minutes L / F 3 Copper L / F treatment liquid 3 dip 30 seconds 100 ° C, 1 minute 4 Copper L / F treatment liquid 1 dip 10 seconds 40 ° C, 30 minutes 5 Wiring poly treatment liquid 3 dip 5 minutes 50 ° C, 1 hour Imide substrate 6 FR-4 glass treatment solution 2 dip 1 minute 100 ° C, 5
Minute epoxy board * L / F: Lead frame

【0022】このようにして得られた表面処理済み支持
基板に半導体チップ(大きさ8mm×8mm)を有機ボ
ンディング材で接着させた。この際、有機ボンディング
材としては、実施例1、3、5については銀ペースト
(日立化成製EN−4000)を、実施例2、4、6に
ついては銀フィラー入りフィルム状接着剤(日立化成製
DF−335)を使用した。接着力の測定結果を表1に
示す。
A semiconductor chip (size 8 mm × 8 mm) was bonded to the surface-treated support substrate thus obtained with an organic bonding material. At this time, as an organic bonding material, a silver paste (EN-4000 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was used for Examples 1, 3, and 5, and a film-shaped adhesive containing a silver filler (Example manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was used for Examples 2, 4, and 6. DF-335) was used. Table 1 shows the measurement results of the adhesive strength.

【0023】[0023]

【表1】 ──────────────────────────── 実施例 接着力(kgf/チップ) 室温 240℃ ──────────────────────────── 1 1.8 1.5 2 2.5 2.1以上 3 1.7 1.4 4 2.8 2.0 5 2.3 1.5 6 2.1 1.2 ──────────────────────────── グアニジン又はグアニジン誘導体で表面処理したもの
は、接着力が高い。
[Table 1] Example adhesive strength (kgf / chip) room temperature 240 ° C 1 1 1.8 1.5 2 2.5 2.1 or higher 3 1.7 1.4 4 2.8 2. 0 5 2.3 1.5 6 2.1 1.2 表面 Surface treatment with guanidine or guanidine derivative Those that do have high adhesive strength.

【0024】[0024]

【発明の効果】請求項1又は2の支持基板、及び請求項
4の電子部品装置は、耐リフロー性の向上が期待され
る。請求項3の製造方法により、請求項1又は2の支持
基板を製造できる。請求項5の表面処理方法により、電
子部品と支持基板との接着力が高まる。
The support substrate of claim 1 or 2 and the electronic component device of claim 4 are expected to have improved reflow resistance. According to the manufacturing method of the third aspect, the support substrate of the first or second aspect can be manufactured. According to the surface treatment method of the fifth aspect, the adhesive strength between the electronic component and the support substrate is increased.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】有機ボンディング材を介して電子部品が搭
載される支持基板の少なくとも有機ボンディング材の接
する面がグアニジン又はその誘導体で処理された支持基
板。
1. A supporting substrate on which an electronic component is mounted via an organic bonding material, wherein at least a surface of the supporting substrate in contact with the organic bonding material is treated with guanidine or a derivative thereof.
【請求項2】有機ボンディング材を介して電子部品が搭
載される支持基板が、銅リードフレームである請求項1
の支持基板。
2. The copper substrate according to claim 1, wherein the support substrate on which the electronic component is mounted via the organic bonding material is a copper lead frame.
Support substrate.
【請求項3】有機ボンディング材を介して電子部品が搭
載される支持基板の少なくとも有機ボンディング材が接
する面をグアニジン又はその誘導体で処理することを特
徴とする、支持基板の製造方法。
3. A method of manufacturing a support substrate, wherein at least a surface of the support substrate on which an electronic component is mounted via the organic bonding material, in contact with the organic bonding material, is treated with guanidine or a derivative thereof.
【請求項4】少なくとも有機ボンディング材が接する面
がグアニジン又はその誘導体で処理された支持基板、支
持基板の電子部品搭載部に形成された有機ボンディング
材層及び有機ボンディング材層に載置された電子部品、
を備える電子部品装置。
4. A support substrate having at least a surface in contact with an organic bonding material treated with guanidine or a derivative thereof, an organic bonding material layer formed on an electronic component mounting portion of the support substrate, and electrons mounted on the organic bonding material layer. parts,
Electronic component device comprising:
【請求項5】有機ボンディング材を介し電子部品が搭載
される支持基板をグアニジン又はその誘導体で処理す
る、支持基板の表面処理方法。
5. A method for treating a surface of a supporting substrate, wherein the supporting substrate on which an electronic component is mounted is treated with guanidine or a derivative thereof via an organic bonding material.
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